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今井 哲二  イマイ テツジ

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 50143714
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1992年度: 明星大学, 情報学部, 教授
1989年度 – 1991年度: 明星大学, 理工学部, 教授
1987年度 – 1988年度: 静岡大学, 工学部, 教授
キーワード
研究代表者
III-V化合物半導体 / 気相成長 / 不純物ドーピング効果 / II-VI化合物半導体 / ヘテロエピタキシャル成長
研究代表者以外
化合物半導体 / ヘテロ成長 / 減圧成長 / 混晶 / 不純物効果 … もっと見る / バッファ層 / CuGaS_2 / ZnSe / AlN / MBE法 / VPE法 / 混晶半導体 / ZnS / GaN / MO-CVP法 / ヘテロ接合 / エピタキシャル成長 / SIMS分析 / 表面形態 / 格子歪緩和 / p型GaN / MOーCVD法 隠す
  • 研究課題

    (6件)
  • 共同研究者

    (6人)
  •  化合物半導体薄膜結晶のヘテロ成長における結晶性の性御

    • 研究代表者
      福家 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      静岡大学
  •  化合物半導体薄膜結晶のヘテロ成長における結晶性の制御

    • 研究代表者
      福家 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      静岡大学
  •  化合物半導体薄膜結晶のヘテロ成長における結晶性の制御

    • 研究代表者
      福家 俊郎
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      静岡大学
  •  化合物半導体薄膜結晶の成長とその制御に関する研究

    • 研究代表者
      御子柴 宣夫
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東北大学
  •  化合物半導体薄膜結晶の成長とその制御に関する研究

    • 研究代表者
      御子柴 宣夫
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      東北大学
  •  H_2輸送法におけるII-VI化合物半導体結晶成長における不純物効果と成長機構の研究研究代表者

    • 研究代表者
      今井 哲二
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      静岡大学
  • 1.  福家 俊郎 (00022236)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  御子柴 宣夫 (70006279)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  飯田 誠之 (90126467)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  更家 淳司 (90026154)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  赤崎 勇 (20144115)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  高野 泰 (00197120)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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