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平松 和政  HIRAMATSU Kazumasa

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 50165205
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2020年度: 三重大学, 地域イノベーション学研究科, 特任教授(研究担当)
2018年度: 三重大学, 地域イノベーション学研究科, 特任教授(研究担当)
2016年度 – 2017年度: 三重大学, 工学研究科, 教授
2016年度: 三重大学, 大学院工学研究科, 教授
2012年度 – 2015年度: 三重大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 … もっと見る
2014年度: 三重大学, 大学院工学研究科, 教授
2007年度 – 2012年度: 三重大学, 大学院・工学研究科, 教授
2007年度: 三重大学, 大学院・工学研究料, 教授
2006年度: 三重大学, 大学院工学研究科, 教授
2006年度: 三重大学, 大学院工学碗究科, 教授
2003年度 – 2005年度: 三重大学, 工学部, 教授
1999年度 – 2001年度: 三重大学, 工学部, 教授
1999年度: 三重大, 工学部, 教授
1994年度 – 1995年度: 名古屋大学, 工学部, 助教授
1991年度: 名古屋大学, 工学部, 助教授
1988年度 – 1989年度: 名古屋大学, 工学部, 講師
1987年度: 名古屋大学, 工学部, 助手 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性・結晶工学 / 結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 電子デバイス・機器工学 / 理工系 / 応用物性
研究代表者以外
応用物性・結晶工学 / 光工学・光量子科学 / 理工系 / 電子材料工学 / 応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者
窒化物半導体 / 選択成長 / GaN / 窒化アルミニウム / MOVPE / 窒化ガリウム / AlN / AlGaN / 回折格子 / selective area growth … もっと見る / 金属 / 表面プラズモン / 結晶成長 / 紫外線発光素子 / 非極性 / 光取り出し効率 / 電子線リソグラフィ / 回折レンズ / 配光制御 / フォトニック結晶 / ナノ構造 / 発光ダイオード / 反射光モニタリング / HVPE / a面 / 転位密度 / 紫外線発光 / 量子井戸 / 電子線励起 / エピタキシャル成長 / バルク単結晶 / 結晶工学 / 応用光学・量子光工学 / 光物性 / プラズモン誘導光透過 / 極性 / プラズモン誘導透過現象 / 紫外線発光デバイス / AlGaN epitaxial growth / reactive ion etching / electron beam lithography / gratings / ultraviolet light / nano antenna / photonic crystals / III-nitride semiconductors / 電子ビームリソグラフィ / 自然形成 / 電子ビームリソグタフィ / 反射防止構造 / AlGaNエピタキシャル成長 / 反応性イオンエッチング / 紫外線 / ナノアンテナ / dry etching / AIN super lattice / epitaxial lateral overgrowth / electronic emitter / metalorganic vapor phase epitaxy / pyramid structure / gallium nitride / 有機金属気相成長法 / GaN超格子 / ドライエッチング / AlN超格子 / 横方向成長 / 電子エミッター / 有機金属帰気相成長法 / ピラミッド構造 / air-bridge structure / metal mask buried structure / Schottky junction / tungsten nitride / tungsten / 橋脚構造 / 金属埋込み構造 / ショットキー電極 / 窒化タングステン / タングステン / センサー / ワイヤーグリッド偏光子 / 金属薄膜 / 化合物半導体 / 2層型ワイヤーグリッド偏光子 / 表面プラズモンセンサー / 深紫外領域 / AIN / カソードルミネッセンス / 導電性 / 選択横方向成長 / ナノボイド / 量子井戸構造 / ナノボイドエピタキシー / ファセット変調構造 / 歪み / 転位 / ファセット制御 / m面 / 渋紙 / A1GaN / InGaN / 光学フィルム / LED照明 / 成長圧力 / a面AlGaN / a面GaN / 減圧MOVPE / 電子線照射 / 深紫外光源 / 無極性 / 反り / クラック / 貫通転位密度 / バッファ層 / ハイドライド気相成長 / 窒素化ガリウム / InN / ヘテロエピタキシ / 低温成長 / ワイドギャップ半導体 … もっと見る
研究代表者以外
GaN / 窒化物半導体 / MOVPE / AIN / バッファ層 / AlGaN / 組成変調 / 貫通転位 / AlN / 窒化アルミニウム / 選択成長 / 2層型ワイヤーグリッド構造 / 半導体 / 感度 / 回折格子 / 金属 / 屈折率 / センサー / 光学異方性 / 表面プラズモンセンサー / ワイヤーグリッド構造 / 表面プラズモン / 超格子 / 転位 / 偏析 / 窒化物混晶半導体 / 特異構造場 / 結晶工学 / 結晶成長 / 計算物理 / 量子ドット / 自然超格子 / 極性反転 / ボンドエンジニアリング / ナノ構造 / 特異構造 / 計算科学 / In-site / selective area growth / metal-organic vapor phase epitaxy / Nitride Semiconductor / TEM観察 / ファセット / その場観察 / カソードルミネッセンス / MIS構造 / Zn添加 / 青色LED / A1GaN / 多層構造 / p形GaN / Mg添加 / カソ-ドルルミネッセンス / pn接合形青色LED / GaAlN / 不純物 / 混晶半導体 / ホトルミネセンス / 有機金属化学気相法 / 気相成長 / 青色発光 / ワイドギャップ半導体 / 深紫外光源 / 多重量子井戸 / 紫外光源 / 電子線励起 / ELO / 横方向成長 / 触媒作用 / ハイドライド気相エピタキシャル成長 / 紫外線発光 / ファセット制御 / EPD法 / エッチピット / 加工基板 / 選択横方向成長 / HVPE / ハイドライド気相成長法 / 抵抗率 / SiCl_4 / キャリア濃度 / 伝導性制御 / ZnOバッファ層 / SiO_2マスク / ホモエピタキシ- / ハイドライド気相成長 / バルク単結晶 隠す
  • 研究課題

    (19件)
  • 研究成果

    (744件)
  • 共同研究者

    (46人)
  •  計算科学によるヘテロボンドの理論的材料設計

    • 研究代表者
      伊藤 智徳
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2020
    • 研究種目
      新学術領域研究(研究領域提案型)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      三重大学
  •  窒化物半導体におけるプラズモン誘導光透過現象と紫外発光デバイス光制御への応用研究代表者

    • 研究代表者
      平松 和政
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2017
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      三重大学
  •  GaNの光学異方性を用いた金属ワイヤーグリッド伝搬型表面プラズモンセンサー

    • 研究代表者
      元垣内 敦司
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2016
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      光工学・光量子科学
    • 研究機関
      三重大学
  •  深紫外領域における窒化物半導体上の局在表面プラズモン共鳴現象に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      平松 和政
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2014
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      三重大学
  •  窒化物半導体のナノボイドエピタキシーと深紫外光の発光制御研究代表者

    • 研究代表者
      平松 和政
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      三重大学
  •  窒化物半導体の変調エピタキシャル成長と深紫外発光制御

    • 研究代表者
      三宅 秀人
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      三重大学
  •  窒化物半導体ファセット変調構造の創製と広帯域・連続スペクトル白色LEDの開発研究代表者

    • 研究代表者
      平松 和政
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2011
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      三重大学
  •  アンモニア触媒分解式ハイドライド気相成長法を用いた窒化アルミニウムの高速成長

    • 研究代表者
      三宅 秀人
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2011
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      三重大学
  •  高Al組成AlGaNのエピタキシャル成長と欠陥制御技術研究代表者

    • 研究代表者
      平松 和政
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2010
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      三重大学
  •  ナノフォトニクス構造により配光制御した照明用発光ダイオードに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      平松 和政
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      三重大学
  •  ファセット制御技術を用いたAlGaNのエピタキシャル成長

    • 研究代表者
      三宅 秀人
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2007
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      三重大学
  •  III族窒化物系ナノアンテナ・フォトニック結晶を用いた紫外光制御研究代表者

    • 研究代表者
      平松 和政
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      三重大学
  •  窒化物半導体の選択成長法による金属埋込みと結晶欠陥の低減研究代表者

    • 研究代表者
      平松 和政
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      三重大学
  •  負性電子親和力・GaN/AlN超格子による次世代電子エミッターの開発研究代表者

    • 研究代表者
      平松 和政
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      三重大学
  •  ホモエピタキシ-基板用のGaNバルク単結晶の電気伝導度制御に関する研究

    • 研究代表者
      後藤 英雄
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      中部大学
      名古屋大学
  •  選択成長を用いたGaNバルク単結晶の高品質化に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      平松 和政
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  窒化物ワイドギャップ半導体の結晶成長の低温化に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      平松 和政
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  高エネルギーギャップ半導体の結晶成長と光学的性質に関する研究

    • 研究代表者
      赤崎 勇
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  高性能GaN系青色LEDの試作研究

    • 研究代表者
      赤崎 勇
    • 研究期間 (年度)
      1987 – 1989
    • 研究種目
      試験研究
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      名古屋大学

すべて 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] 新インターユニバーシティ半導体工学2009

    • 著者名/発表者名
      平松和政、元垣内敦司, 他4名
    • 出版者
      (株)オーム社
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [図書] 新インターユニバーシティ 半導体工学2009

    • 著者名/発表者名
      平松和政、元垣内敦司, 他4名
    • 出版者
      (株)オーム社
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [図書] 新インターユニバーシティ 半導体工学2009

    • 著者名/発表者名
      平松和政、元垣内敦司
    • 出版者
      (株)オーム社
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Effect of thermal annealing on AlN films grown on sputtered AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshizawa, R; Miyake, H; Hiramatsu, K
    • 雑誌名

      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

      巻: 57 号: 1S ページ: 01AD05-01AD05

    • DOI

      10.7567/jjap.57.01ad05

    • NAID

      210000148548

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [雑誌論文] 一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーの周期及び入射角度依存性と感度特性2017

    • 著者名/発表者名
      伊藤優佑、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告(電磁界理論)

      巻: 116 ページ: 13-18

    • 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [雑誌論文] Excitation mechanism of surface plasmon polaritons in a double-layer wire grid structure2017

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Motogaito, Tomoyasu Nakajima, Hideto Miyake and Hiramatsu Kazumasa
    • 雑誌名

      Applied Physics A

      巻: 123 号: 12 ページ: 729-729

    • DOI

      10.1007/s00339-017-1367-6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [雑誌論文] Structural study of GaN grown on nonpolar bulk GaN substrates with trench patterns2017

    • 著者名/発表者名
      Okada, S; Iwai, H; Miyake, H; Hiramatsu, K
    • 雑誌名

      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

      巻: 56 号: 12 ページ: 125504-125504

    • DOI

      10.7567/jjap.56.125504

    • NAID

      210000148460

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [雑誌論文] 表面プラズモンを用いたワイヤーグリッド偏光子の作製と偏光特性に関する研究2017

    • 著者名/発表者名
      中島智康、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告(電磁界理論)

      巻: 116 ページ: 19-22

    • 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [雑誌論文] Au2次元回折格子構造における光学素子の作製と光学的特性評価2017

    • 著者名/発表者名
      山田泰士、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告(電磁界理論)

      巻: 116 ページ: 269-272

    • 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [雑誌論文] Selective area growth of GaN on trench-patterned nonpolar bulk GaN substrates2017

    • 著者名/発表者名
      S. Okada, H. Iwai, H. Miyake, K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 印刷中 ページ: 851-855

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2016.12.011

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-PLANNED-16H06415, KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [雑誌論文] Surface thermal stability of free-standing GaN substrates2016

    • 著者名/発表者名
      S. Okada, H. Miyake, K. Hiramatsu, R. Miyagawa, O Eryu and T. Hasegawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal Applied Physics

      巻: 55 号: 1S ページ: 01AC08-01AC08

    • DOI

      10.7567/jjap.55.01ac08

    • NAID

      210000145956

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556, KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PLANNED-16H06415
  • [雑誌論文] Detecting High-Refractive-Index Media Using Surface Plasmon Sensor with One-Dimensional Metal Diffraction Grating2016

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Motogaito, Shinya Mito, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
    • 雑誌名

      Optics and Photonics Journal

      巻: 6 号: 07 ページ: 164-170

    • DOI

      10.4236/opj.2016.67018

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556, KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [雑誌論文] Fabrication of high-crystallinity a-plane AlN films grown on r-plane sapphire substrates by modulating buffer-layer growth temperature and thermal annealing conditions2016

    • 著者名/発表者名
      Chia-Hung Lin, Yasuhiro Yamashita, Hideto Miyakea, Kazumasa Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 印刷中 ページ: 845-850

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2016.09.076

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556, KAKENHI-PLANNED-16H06415
  • [雑誌論文] Relationship between space control and optical properties of a double-layer surface plasmon wire grid polariser2016

    • 著者名/発表者名
      T. Nakajima, A. Motogaito, H. Miyake, K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Abstract of the 14th International Conference on Near-field Optics, Nanophotonics and Related Techniques

      巻: - ページ: 227-227

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [雑誌論文] Detecting High-refractive-index (n> 1.5) Media using Surface Plasmon Sensor with One-Dimensional Au Diffraction Grating on Glass Substrate2016

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Motogaito, Shinya Mito, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
    • 雑誌名

      Technical Dogest on Light, Energy and the Enviroment Congress

      巻: - ページ: JW4A.42-JW4A.42

    • DOI

      10.1364/fts.2016.jw4a.42

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [雑誌論文] Annealing of an AlN buffer layer in N-2-CO for growth of a high-quality AlN film on sapphire2016

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, G. Nisho, S. Suzuki, K. Hiramatsu, H. Fukuyama, J. Kuar and N. Kuwano
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 9 号: 2 ページ: 025501-025501

    • DOI

      10.7567/apex.9.025501

    • NAID

      210000137795

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556, KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PLANNED-16H06415
  • [雑誌論文] Effect of surface pretreatment of r-plane sapphire substrates on the crystal quality of a-plane AlN2016

    • 著者名/発表者名
      Chia-Hung Lin, Daiki Yasui, Shinya Tamaki, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 55 号: 5S ページ: 05FA12-05FA12

    • DOI

      10.7567/jjap.55.05fa12

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556, KAKENHI-PLANNED-16H06415
  • [雑誌論文] Effects of AlN buffer layer thickness on the crystallinity and surface morphology of 10-μm-thick a-plane AlN films grown on r-plane sapphire substrates2016

    • 著者名/発表者名
      Chia-Hung Lin, Shinya Tamaki, Yasuhiro Yamashita, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 9 号: 8 ページ: 081001-081001

    • DOI

      10.7567/apex.9.081001

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556, KAKENHI-PLANNED-16H06415
  • [雑誌論文] Preparation of high-quality AlN on sapphire by high-temperature face-to-face annealing2016

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, C.-H. Lin, K. Tokoro, K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 456 ページ: 155-159

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2016.08.028

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418, KAKENHI-PROJECT-15H03556, KAKENHI-PLANNED-16H06415
  • [雑誌論文] Extraordinary Optical Transmission Exhibited by Surface Plasmon Polaritons in a Double-Layer Wire Grid Polarizer2015

    • 著者名/発表者名
      A. Motogaito, Y. Morishita, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Plasmonics

      巻: 10 号: 6 ページ: 1657-1662

    • DOI

      10.1007/s11468-015-9980-8

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082, KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [雑誌論文] Fabrication and optical characterization of a 2D metal periodic grating structure for cold filter application2015

    • 著者名/発表者名
      A. Motogaito, M. Kito, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Proc.of SPIE Micro+Nano Materials, Devices, and Systems

      巻: 9668 ページ: 96681Q-96681Q

    • DOI

      10.1117/12.2201116

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082, KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [雑誌論文] Detection of High-Refractive Index Media by a Surface Plasmon Sensor Using a One-Dimensional Metal Diffraction Grating2015

    • 著者名/発表者名
      S. Mito, A. Motogaito, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Technical Digest on 20th Microoptics Conference (MOC’15)

      巻: - ページ: 126-127

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [雑誌論文] Microscopic crystalline structure of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/alpha-Al2O3 template2015

    • 著者名/発表者名
      D.Khan, S.Takeuchi, Y.Nakamura, K.Nakamura, T.Arauchi, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Imai, S.Kimura, A.Sakai
    • 雑誌名

      JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH

      巻: 411 ページ: 38-41

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2014.10.052

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [雑誌論文] Using surface-plasmon polariton at the GaP-Au interface in order to detect chemical species in high-refractive-index media2015

    • 著者名/発表者名
      A. Motogaito, S. Nakamura, J. Miyazaki, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Optics Communications

      巻: 341 ページ: 64-68

    • DOI

      10.1016/j.optcom.2014.12.006

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090, KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [雑誌論文] MOVPE growth of GaN on Si substrate with 3C-SiC buffer layer2014

    • 著者名/発表者名
      M. Katagiri, H. Fang, H. Miyake, K. Hiramatsu, H. Oku, H. Asanuma and K. Kawamura
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 53 号: 5S1 ページ: 05FL09-05FL09

    • DOI

      10.7567/jjap.53.05fl09

    • NAID

      210000143869

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008, KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [雑誌論文] Transient photoluminescence of aluminum-rich (Al, Ga) N low-dimensional structures2014

    • 著者名/発表者名
      P.Lefebvre, C. Brimont, P.Valvin, B. Gil, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE

      巻: 211 号: 4 ページ: 765-768

    • DOI

      10.1002/pssa.201300505

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [雑誌論文] High quality GaN grown by using maskless epitaxial lateral overgrowthon Si substrate with thin SiC intermediate layer2014

    • 著者名/発表者名
      H Fang, M Katagiri, H Miyake, K Hiramatsu, H Oku, H Asamura, and K Kawamura
    • 雑誌名

      Pbysica status solidi (a)

      巻: (印刷中) 号: 4 ページ: 744-747

    • DOI

      10.1002/pssa.201300443

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-11F01357, KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [雑誌論文] Selective-area growth of GaN on non- and semi-polar bulk GaN substrates2014

    • 著者名/発表者名
      S. Okada, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Enatsu and S. Nagao
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 53 号: 5S1 ページ: 05FL04-05FL04

    • DOI

      10.7567/jjap.53.05fl04

    • NAID

      210000143864

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008, KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [雑誌論文] Si concentration dependence of structural inhomogeneities in Si-doped AlxGa1-xN/AlyGa1-yN multiple quantum well structures (x=0.6) and its relationship with internal quantum efficiency2014

    • 著者名/発表者名
      S.Kurai, K.Anai, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Yamada
    • 雑誌名

      JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

      巻: 116 号: 23 ページ: 235703-235703

    • DOI

      10.1063/1.4904847

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PROJECT-25420288, KAKENHI-PROJECT-25420289
  • [雑誌論文] High-quality AlN growth on 6H-SiC substrate using three dimensional nucleation by low-pressure hydride vapor phase epitaxy2014

    • 著者名/発表者名
      S. Kitagawa, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 53 号: 5S1 ページ: 05FL03-05FL03

    • DOI

      10.7567/jjap.53.05fl03

    • NAID

      210000143863

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008, KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [雑誌論文] Vacuum ultraviolet ellipsometer using inclined detector as analyzer to measure stokes parameters and optical constants ― With results for AlN optical constants2014

    • 著者名/発表者名
      T.Saito, K.Ozaki, K.Fukui,H.Iwai,K.Yamamoto,H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 559 ページ: 517-521

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2014.02.099

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23560006, KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PROJECT-25410006
  • [雑誌論文] Anisotropic crystalline morphology of epitaxial thick AlN films grown on triangular-striped AlN/sapphire template2014

    • 著者名/発表者名
      T.Arauchi, S.Takeuchi, K.Nakamura, K.Dinh, Y.Nakamura, H.Miyake, K.Hiramatsu, A. Sakai
    • 雑誌名

      PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE

      巻: 211 号: 4 ページ: 731-735

    • DOI

      10.1002/pssa.201300461

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [雑誌論文] Effect of SiC Intermediate Layer Properties in Epitaxy of GaN on 3C-SiC/Si Substrates2014

    • 著者名/発表者名
      H Fang, M Katagiri, H Miyake, K Hiramatsu, H Oku, H Asamura, and K Kawamura
    • 雑誌名

      Joumal of Applied Physics

      巻: 115 号: 6

    • DOI

      10.1063/1.4864780

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-11F01357, KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [雑誌論文] Binding energy of localized biexcitons in AlGaN-based quantum wells2014

    • 著者名/発表者名
      Y.Hayakawa, T.Fukuno, K.Nakamura, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Yamada
    • 雑誌名

      APPLIED PHYSICS EXPRESS

      巻: 7 号: 12 ページ: 122101-122101

    • DOI

      10.7567/apex.7.122101

    • NAID

      210000137325

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PROJECT-25420289
  • [雑誌論文] Selective Area Growth of Semipolar (20-21) and (20-2-1) GaN substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      Daiki Jinno, Bei Ma, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Yuuki Enatsu, and Satoru Nagao
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 号: 8S ページ: 08JC06-08JC06

    • DOI

      10.7567/jjap.52.08jc06

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [雑誌論文] Study on the Chemical Sensor Using Excitation of the Surface Plasmon Polariton with the GaP-Au Contact2013

    • 著者名/発表者名
      Shohei Nakamura,Atsushi Motogaito, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
    • 雑誌名

      Proc. JSAP-OSA Symposia 2013

      巻: なし

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [雑誌論文] Effects of Si doping in high-quality AIN grown by MOVPE on trench-patterned template2013

    • 著者名/発表者名
      G. Nishio, Y. Shibo, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 370 ページ: 74-77

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2012.10.038

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008, KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [雑誌論文] Growth and Characterization of AlGaN Multiple Quantum Wells for Electron-Beam Target for Deep-Ultraviolet Light Sources2013

    • 著者名/発表者名
      F. Fukuyo, S. Ochiai, H. Miyake, K. Hiramatsu, H. Yoshida and Y. Kobayashi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 号: 1S ページ: 01AF03-01AF03

    • DOI

      10.7567/jjap.52.01af03

    • NAID

      210000141776

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008, KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011
  • [雑誌論文] Impacts of Si-doping and resultant cation vacancy formation on the luminescence dynamics for the near-band-edge emission of Al0.6Ga0.4N films grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, H. Miyake, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, K. Hazu,K. Hiramatsu, A. Uedono
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 113 号: 21 ページ: 2135061-6

    • DOI

      10.1063/1.4807906

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22246037, KAKENHI-PROJECT-24560010
  • [雑誌論文] The Excitation of the Surface Plasmon Polariton with the GaP-Au Contact and Application to Chemical Sensors2013

    • 著者名/発表者名
      S. Nakamura, A. Motogaito, H. Miyake, and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Technical digest on 2013 Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR)

      巻: なし

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [雑誌論文] Cathodoluminescence Study of Optical Inhomogeneity in Si-Doped AlGaN Epitaxial Layers Grown by Low-Pressure Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      S. Kurai, F. Ushijima, Y. Yamada, H. Miyake, K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 号: 8S ページ: 08JL07-08JL07

    • DOI

      10.7567/jjap.52.08jl07

    • NAID

      210000142732

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PROJECT-25420288
  • [雑誌論文] Inhomogeneous distribution of defect-related emission in Si-doped AlGaN epitaxial layers with different Al content and Si concentration2013

    • 著者名/発表者名
      S. Kurai, F. Ushijima, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Yamada
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 115 号: 5 ページ: 53509-53509

    • DOI

      10.1063/1.4864020

    • NAID

      120006364143

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PROJECT-25420288, KAKENHI-PROJECT-25420289
  • [雑誌論文] Growth and Characterization of AlGaN Multiple Quantum Wells for Electron-Beam Target for Deep-Ultraviolet Light Sources2013

    • 著者名/発表者名
      Fumitsugu Fukuyo, Shunsuke Ochiai, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Harumasa Yoshida, and Yuji Kobayashi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52

    • NAID

      210000141776

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010
  • [雑誌論文] AlN Grown on a- and n-Plane Sapphire Substrates:by Low-Pressure Hydride Vapor Phase Epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      Naoki Goriki, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Toru Akiyama, Tomonori Ito, and Osamu Eryu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 号: 8S ページ: 08JB31-08JB31

    • DOI

      10.7567/jjap.52.08jb31

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008, KAKENHI-PROJECT-24560010, KAKENHI-PROJECT-25000011, KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [雑誌論文] Cross-sectional X-ray microdiffraction study of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/alpha-Al2O3 template2013

    • 著者名/発表者名
      D.T. Khan, S. Takeuchi, J. Kikkawa, Y. Nakamura, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura, O. Sakata, A. Sakai
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 381 ページ: 37-42

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2013.07.012

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010
  • [雑誌論文] AIN homoepitaxial growth on sublimation-AIN substrate by low-pressure HVPE2012

    • 著者名/発表者名
      T. Nomura, K. Okumura, H. Miyake, K. Hiramatsu, O. Eryu and Y. Yamada
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 350 号: 1 ページ: 69-71

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2011.12.025

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [雑誌論文] Orientation dependence of polarized Raman spectroscopy for nonpolar, semi-polar, and polar bulk GaN substratesr2012

    • 著者名/発表者名
      B. Ma, D. Jinno, H. Miyake, K. Hiramatsu and H. Harima
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 100

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Fabrication of crack-free thick AlN film on a-plane sapphire by low-pressure HVPE2012

    • 著者名/発表者名
      Y.Takagi, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Phys.Status Solidi

      巻: vol.9 号: 3-4 ページ: 576-579

    • DOI

      10.1002/pssc.201100797

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-11J10845, KAKENHI-PROJECT-21360007, KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [雑誌論文] Effects of carrier gas and growth temperature on MOVPE growth of AlN2012

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, S.Yang, H.Miyake, H.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Phys.Status Solidi

      巻: vol.9 号: 3-4 ページ: 499-502

    • DOI

      10.1002/pssc.201100712

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-11J10845, KAKENHI-PROJECT-21360007, KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [雑誌論文] Orientation dependence of polarized Raman spectroscopy for nonpolar, semi-polar, and polar bulk GaN substrates2012

    • 著者名/発表者名
      Bei Ma, Daiki Jinno, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Hiroshi Harima
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 100 号: 1

    • DOI

      10.1063/1.3674983

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-10J08374, KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Microstructure of AlN Grown on a Nucleation Layer on a Sapphire Substrate2012

    • 著者名/発表者名
      R. Miyagawa, S. Yang, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Kuwahara, M. Mitsuhara and N. Kuwano
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 5

    • NAID

      10030155844

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Microstructure of AlN grown on a nucleation layer on sapphire substrate2012

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, S.Yang, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Kuwahara, M.Mitsuhara, N.Kuwano
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Express

      巻: Volime 5 No.2 号: 2 ページ: 025501-025501

    • DOI

      10.1143/apex.5.025501

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-11J10845, KAKENHI-PROJECT-21360007, KAKENHI-PROJECT-21560014, KAKENHI-PROJECT-21651054
  • [雑誌論文] Effects of Si doping in high-quality AlN grown by MOVPE on trench-patterned template2012

    • 著者名/発表者名
      G. Nishio, S. Yang, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 370 ページ: 74-77

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010
  • [雑誌論文] Interaction of the dual effects triggered by A1N interlayers in thick GaN grown on 3C-SiC/Si substrates2012

    • 著者名/発表者名
      H Fang, Y Takaya, H Miyake, K Hiramatsu, H Asamura, K Kawamura
    • 雑誌名

      Journal of Physics D : Applied Physics

      巻: 45 号: 38 ページ: 385101-385101

    • DOI

      10.1088/0022-3727/45/38/385101

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-11F01357, KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [雑誌論文] Fabrication of Deep-Ultraviolet-Light-Source Tube Using Si-Doped AlGaN2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Shimahara, H. Miyake, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka, H. Yoshida
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 4 ページ: 421031-3

    • NAID

      10028209557

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [雑誌論文] HVPE growth of thick AlN on trench-patterned substrate2011

    • 著者名/発表者名
      K. Fujita, K. Okuura, H. Miyake, K. Hiramatsu and H. Hirayama
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi

      巻: 8 ページ: 1483-1486

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [雑誌論文] Stress analysis of a-plane GaN grown on r-plane sapphire substrate2011

    • 著者名/発表者名
      B. Ma, H. Miyake, K. Hiramatsu and H. Harima
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c)

      巻: 8 ページ: 2066-2068

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Growth of High-Quality Si-Doped AlGaN by Low-Pressure Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Shimahara, H. Miyake, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka and Y. Shimahara
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 50

    • NAID

      40019010401

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Fabrication of Deep-Ultraviolet-Light-Source Tube Using Si-Doped AlGaN2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Shimahara, H. Miyake, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka and Y. Shimahara
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 4

    • NAID

      10028209557

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Control of AlN buffer/sapphire substrate interface for AlN growth2011

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, S.Yang, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c)

      巻: 8 号: 7-8 ページ: 2069-2071

    • DOI

      10.1002/pssc.201001186

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007, KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [雑誌論文] Strain control of GaN grown on 3C-SiC/Si substrate using AlGaN buffer layer2011

    • 著者名/発表者名
      H.Fang, Y.Takaya, S.Ohuchi, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Asamura, K.Kawamura
    • 雑誌名

      physica status solidi (c)

      巻: 9 号: 3-4 ページ: 550-553

    • DOI

      10.1002/pssc.201100332

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-11F01357, KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] aman Scattering Spectroscopy of Residual Stresses in Epitaxial AlN Films2011

    • 著者名/発表者名
      S.Yang, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 4

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Fabrication of Deep-Ultraviolet-Light-Source Tube Using Si-Doped AlGaN2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Shimahara, H.Miyake, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, Y.Shimahara
    • 雑誌名

      APPLIED PHYSICS EXPRESS

      巻: 4 号: 4 ページ: 042103-042103

    • DOI

      10.1143/apex.4.042103

    • NAID

      10028209557

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Stress analysis of a-plane GaN grown on r-plane sapphire substrates2011

    • 著者名/発表者名
      Bei Ma, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Hiroshi Harima
    • 雑誌名

      physica status solidi (c)

      巻: 8 号: 7-8 ページ: 2066-2068

    • DOI

      10.1002/pssc.201001166

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-10J08374, KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Huge binding energy of localized biexcitons in Al-rich Al_xGa_<1-x>N2011

    • 著者名/発表者名
      R.Kittaka, H.Muto, H.Murotani, Y.Yamada, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 98

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [雑誌論文] HVPE grown thick ALN on trench-patterned substrate2011

    • 著者名/発表者名
      K. Fujita, K. Okuura, H. Miyake, K. Hiramatsu and H. Hirayama
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c)

      巻: 8 ページ: 1483-1486

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Raman Scattering Spectroscopy of Residual Stresses in Epitaxial AlN Films2011

    • 著者名/発表者名
      S.Yang, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 4

    • NAID

      10028155120

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Raman Scattering Spectroscopy of Residual Stresses in Epitaxial AlN Films2011

    • 著者名/発表者名
      S.Yang, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 4

    • NAID

      10028155120

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [雑誌論文] HVPE growth of AlN on trench-patterned 6H-SiC substrates2011

    • 著者名/発表者名
      K. Okumura, T. Nomura, H. Miyake, K. Hiramatsu and O. Eryuu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi

      巻: 8 ページ: 467-469

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [雑誌論文] Huge binding energy of localized biexcitons in Al-rich Al_xGa_<1-x>N2011

    • 著者名/発表者名
      R.Kittaka, H.Muto, H.Murotani, Y.Yamada, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 98

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Raman Scattering Spectroscopy of Residual Stresses in Epitaxial AlN Films2011

    • 著者名/発表者名
      S. Yang, R. Miyagawa, H. Miyake, K. Hiramatsu, and H. Harima
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 4

    • NAID

      10028155120

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Raman Scattering Spectroscopy of Residual Stresses in Epitaxial AlN Films2011

    • 著者名/発表者名
      S.Yang, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 4

    • NAID

      10028155120

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] HVPE grown thick ALN on trench-patterned substrate2011

    • 著者名/発表者名
      K.Fujita, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Hirayama
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c)

      巻: 8 号: 5 ページ: 1483-1486

    • DOI

      10.1002/pssc.201001130

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007, KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [雑誌論文] Growth of High-Quality Si-Doped AlGaN by Low-Pressure Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Shimahara, H.Miyake, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, Y.Shimahara
    • 雑誌名

      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

      巻: 50 号: 9R ページ: 095502-095502

    • DOI

      10.1143/jjap.50.095502

    • NAID

      40019010401

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Control of AlN buffer/sapphire substrate interface for AlN growth2011

    • 著者名/発表者名
      R. Miyagawa, S. Yang, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c)

      巻: 8 ページ: 2069-2071

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Enhanced deep ultraviolet emission from Si-doped Al_xGa_<1-x>N/AlN MQWs2010

    • 著者名/発表者名
      D.Li, W.Hu, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Song
    • 雑誌名

      Chinese Physics B

      巻: 19

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Fabrication and characterization of binary diffractive lens with the 100μm-order-focal length2010

    • 著者名/発表者名
      A. Motogaito, K. Arakawa, Y. Nakayama, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Technical Digest of the 16th Microoptics Conference

      ページ: 207-208

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [雑誌論文] Facet control in selective area growth(SAG) of a-plane GaN by MOVPE2010

    • 著者名/発表者名
      B. Ma, R. Miyagawa, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceedings

      巻: 1201

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Growth of high quality c-plane AlN on a-plane sapphire2010

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, J.Wu, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceedings 1201

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Facet control in selective area growth (SAG) of a-plane GaN by MOVPE2010

    • 著者名/発表者名
      B.Ma, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceedings

      巻: 1201

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Growth of high quality c-plane AlN on a-plane sapphire2010

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, J.Wu, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceedings

      巻: 1201

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Facet control in selective area growth (SAG) of a-plane GaN by MOVPE2010

    • 著者名/発表者名
      B.Ma, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceedings

      巻: 1201

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Effects of the AlN Interlayer on the Distribution and Mobility of Two-Dimensional Electron Gas in AlGaN/AlN/GaN Heterojunctions2010

    • 著者名/発表者名
      W.Hu, B.Ma, D.Li, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 49

    • NAID

      40017033737

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Facet control in selective area growth (SAG) of a-plane GaN by MOVPE2010

    • 著者名/発表者名
      .Ma, R.Miyagawa, H.Miyake , K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceedings 1201

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Growth of high quality c-plane AlN on a-plane sapphire2010

    • 著者名/発表者名
      R. Miyagawa, J. Wu, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceedings

      巻: 1201

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Study of High-Quality and Crack-Free GaN Growth on 3C-SiC/Separation by Implanted Oxygen2010

    • 著者名/発表者名
      M.Narukawa, H.Asamura, K.Kawamura, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 49

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Study of High-Quality and Crack-Free GaN Growth on 3C-SiC/Separation by Implanted Oxygen2010

    • 著者名/発表者名
      M. Narukawa, H. Asamura, K. Kawamura, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 49

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Effects of the AlN Interlayer on the Distribution and Mobility of Two-Dimensional Electron Gas in AlGaN/AlN/GaN Heterojunctions2010

    • 著者名/発表者名
      W.Hu, B.Ma, D.Li, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 49

    • NAID

      40017033737

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Study of High-Quality and Crack-Free GaN Growth on 3C-SiC/Separation by Implanted Oxygen2010

    • 著者名/発表者名
      M. Narukawa, H. Asamura, K. Kawamura, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 49

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [雑誌論文] Growth of high quality c-plane AlN on a-plane sapphire2010

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, J.Wu, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceedings

      巻: 1201

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Study of High-Quality and Crack-Free GaN Growth on 3C-SiC/Separation by Implanted Oxygen2010

    • 著者名/発表者名
      M.Narukawa, H.Asamura, K.Kawamura, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 49

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Effects of the AlN Interlayer on the Distribution and Mobility of Two-Dimensional Electron Gas in AlGaN/AlN/GaN Heterojunctions2010

    • 著者名/発表者名
      W. Hu, B. Ma, D. Li, R. Miyagawa, H. Miyake, and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 49

    • NAID

      40017033737

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Growth of high quality c-plane AlN on a-plane sapphire2010

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, J.Wu, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceedings

      巻: 1201

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [雑誌論文] Study of High-Quality and Crack-Free GaN Growth on 3C-SiC/Separation by Implanted Oxygen2010

    • 著者名/発表者名
      M.Narukawa, H.Asamura, K.Kawamura, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 49

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Growth of high quality c-plane AlN on a-plane sapphire2010

    • 著者名/発表者名
      R. Miyagawa, J. Wu, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceedings

      巻: 1201

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [雑誌論文] Deep Electronic Levels of Al_xGa_<1-x>N with a Wide Range of Al Composition Grown by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy2010

    • 著者名/発表者名
      K.Ooyama, K.Sugawara, S.Okuzaki, H.Taketomi, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Hashizume
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 49

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Effects of initial stages on the crystal quality of nonpolar a-plane AlN on r-plane sapphire by low-pressure HVPE2009

    • 著者名/発表者名
      J. Wu, Y. Katagiri, K. Okuura, D. Li, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 311 ページ: 3801-3805

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [雑誌論文] Low-pressure HVPE growth of crack-free thick AlN on a trench-patterned AlN template2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Katagiri, S.Kishino, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2831-2833

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Influence ofoff-cutangleof r-plane sapphireonthecrystalqualityof nonpolar a-plane AlNbyLP-HVPE2009

    • 著者名/発表者名
      J.Wu, K.Okuura, K.Fujita, K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 4473-4477

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Effects of initial stages on the crystal quality of nonpolar a-plane AlN on r-plane sapphire by low-pressure HVPE2009

    • 著者名/発表者名
      J.Wu, Y.Katagiri, K.Okuura, D.Li, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 3801-3805

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Effects of Substrate Plane on the Growth of High Quality AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      J.Wu, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 2

    • NAID

      10027011951

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Structural and electrical properties of Si-doped a-plane GaN grown on r-plane sapphire by MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      B.Ma, R.Miyagawa, W.Hu, D.Li, H.Miyake,K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2899-2902

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Influence of off-cutangle of r-plane sapphire on the crystal quality of nonpolar a-plane AlN by LP-HVPE2009

    • 著者名/発表者名
      J. Wu, K. Okuura, K. Fujita, K. Okumura, H. Miyake, and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 311 ページ: 4473-4477

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [雑誌論文] Structural and electrical properties of Si-doped a-plane GaN grown on rplane sapphire by MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      B.Ma, R.Miyagawa, W.Hu, D.Li, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2899-2902

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Growth of undoped and Zn-doped GaN nanowires2009

    • 著者名/発表者名
      M.Narukawa, S.Koide, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2970-2972

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] In-plane electric field induced by polarization and lateral photovoltalic effect in a-plane GaN2009

    • 著者名/発表者名
      W. Hu, B. Ma, D. Li, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 94

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Effects of initial stages on the crystal quality of nonpolar a-plane AlN on r-plane sapphire by low-pressure HVPE2009

    • 著者名/発表者名
      J.Wu, Y.Katagiri, K.Okuura, D.Li, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 3801-3805

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Structural and electrical properties of Si-doped a-plane GaN grown on r-plane sapphire by MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      B. Ma, R. Miyagawa, W. Hu, D. Li, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 311 ページ: 2899-2902

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Effects of initial stages on the crystal quality of nonpolar a-plane AlN on r-plane sapphire by low-pressure HVPE2009

    • 著者名/発表者名
      J. Wu, Y. Katagiri, K. Okuura, D. Li, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 311 ページ: 3801-3805

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Nitridating r-plane sapphire to improve crystal qualities and surface morphologies of a-plane GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      B. Ma, W. Hu, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 95

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] In-plane electric field induced by polarization and lateral photovoltalic effect in a-plane GaN2009

    • 著者名/発表者名
      W.Hu, B.Ma, D.Li, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 94

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Effects of Substrate Plane on the Growth of High Quality AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      J. Wu, K. Okuura, H. Miyake, and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 2

    • NAID

      10027011951

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [雑誌論文] Influence ofoff-cutangleof r-plane sapphireonthecrystalqualityof nonpolar a-plane AlNbyLP-HVPE2009

    • 著者名/発表者名
      J.Wu, K.Okuura, K.Fujita, K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 4473-4477

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Effects of Substrate Plane on the Growth of High Quality AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      J. Wu, K. Okuura, H. Miyake, and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 2

    • NAID

      10027011951

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Growth of undoped and Zn-doped GaN nanowires2009

    • 著者名/発表者名
      M.Narukawa, S.Koide, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2970-2972

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Effects of Substrate Plane on the Growth of High Quality AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      J.Wu, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 2

    • NAID

      10027011951

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [雑誌論文] Effects of initial conditions and growth temperature on the properties of nonpolar a-plane AlN grown by LP-HVPE2009

    • 著者名/発表者名
      J. Wu, Y. Katagiri, K. Okuura, D. Li, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c)

      巻: 6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] In-plane electric field induced by polarization and lateral photovoltalic effect in a-plane GaN2009

    • 著者名/発表者名
      W.Hu, B.Ma, D.Li, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 94

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Influence of off-cut angle of r-plane sapphire on the crystal quality of nonpolar a-plane AlN by LP-HVPE2009

    • 著者名/発表者名
      J. Wu, K. Okuura, K. Fujita, K. Okumura, H. Miyake, and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 311 ページ: 4473-4477

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Photoluminesence study of Si-doped a-plane GaN grown by MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      D.Li, B.Ma, R.Miyagawa, M.Narukawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2906-2909

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Structural and electrical properties of Si-doped a-plane GaN grown on r-plane sapphire by MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      B.Ma, R.Miyagawa, W.Hu, D.Li, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2899-2902

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Nitridating r-plane sapphire to improve crystal qualities and surface morphologies of a-plane GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      B.Ma, W.Hu, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 95

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Effects of initial conditions and growth temperature on the properties of nonpolar a-plane AlN grown by LP-HVPE2009

    • 著者名/発表者名
      J.Wu, Y.Katagiri, K.Okuura, D.Li, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文]2009

    • 著者名/発表者名
      平松和政, 元垣内敦司, 他4名
    • 雑誌名

      新インターユニバーシティ 半導体工学((株) オーム社)

      ページ: 1-46

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Effects of initial conditions and growth temperature on the properties of nonpolar a-plane AlN grown by LP-HVPE2009

    • 著者名/発表者名
      J. Wu, Y. Katagiri, K. Okuura, D. Li, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c)

      巻: 6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [雑誌論文] Optical properties of MOVPE-grown a-plane GaN and AlGaN2009

    • 著者名/発表者名
      M. Narukawa, R. Miyagawa, B. Ma, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 311 ページ: 2903-2905

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Low-pressure HVPE growth of crack-free thick AlN on a trench-patterned AlN template2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Katagiri, S.Kishino, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2831-2833

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Low-pressure HVPE growth of crack-free thick AlN on a trench-patterned AlN template2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Katagiri, S. Kishino, K. Okuura, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 巻
      311
    • ページ
      2831-2833
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [雑誌論文] Photoluminesence study of Si-doped a-plane GaN grown by MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      D. Li, B. Ma, R. Miyagawa, M. Narukawa, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 311 ページ: 2906-2909

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Photoluminesence study of Si-doped a-plane GaN grown by MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      D.Li, B.Ma, R.Miyagawa, M.Narukawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2906-2909

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Low-pressure HVPE growth of crack-free thick AlN on a trench-patterned AlN template2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Katagiri, S. Kishino, K. Okuura, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 311 ページ: 2831-2833

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Effects of initial conditions and growth temperature on the properties of nonpolar a-plane AlN grown by LP-HVPE2009

    • 著者名/発表者名
      J.Wu, Y.Katagiri, K.Okuura, D.Li, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 6

      ページ: 5478-5481

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Effects of Substrate Plane on the Growth of High Quality AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      J.Wu, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 2

    • NAID

      10027011951

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Optical properties of MOVPE-grown a-plane GaN and AlGaN2009

    • 著者名/発表者名
      M.Narukawa, R.Miyagawa, B.Ma, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2903-2905

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Growth of undoped and Zn-doped GaN nanowires2009

    • 著者名/発表者名
      M. Narukawa, S. Koide, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 311 ページ: 2970-2972

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Nitridating r-plane sapphire to improve crystal qualities and surface morphologies of a-plane GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      B.Ma, W.Hu, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 95

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Optical properties of MOVPE-grown a-plane GaN and AlGaN2009

    • 著者名/発表者名
      M.Narukawa, R.Miyagawa, B.Ma, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2903-2905

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [雑誌論文] Reactor-pres sure dependence of growthof a-plane Ga N on r-plane sapphire2008

    • 著者名/発表者名
      R. Miyagawa, M. Narukawa, B. Ma, H. Miyake and K. Hiramatsu.
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 310

      ページ: 4979-4982

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Gro wth of crack-free AlGaN ons elective-area-growth GaN2008

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, N. Masuda, Y. Ogawahara, M. Narukawa, K. Hiramatsu et.al.
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 310

      ページ: 4885-4887

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Improved surface morphology of flow-modulated MOVPE grown AlN on sapphire using thin medium-temperature AlN buffer layer2008

    • 著者名/発表者名
      D.Li, M.Aoki, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 5

      ページ: 1818-1821

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Selective Area Growth of III-Nitride and Their Application for Emitting Devices2008

    • 著者名/発表者名
      K. Hiramatsu, H. Miyake, D. Li
    • 雑誌名

      Journal of Light & Visual Environment 32

      ページ: 177-182

    • NAID

      110006663908

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Improved optical properties of AlGaN using periodic structures2008

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, T. Ishii, A. Motogaito and K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi c 5

      ページ: 1822-1824

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Reactor-pressure dependence of growth of a-plane GaN on r-plane sapphire2008

    • 著者名/発表者名
      R. Miyagawa, M. Narukawa, B. Ma, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 310

      ページ: 4979-4982

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Gro wth of crack-free AlGaN ons elective-are a-growth GaN2008

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, N. Masuda, Y. Ogawahara, M. Narukawa, K. Hiramatsu et al.
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 310

      ページ: 4885-4887

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Growth of crack-free AlGaN ons elective-area-growth GaN2008

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, N. Masuda, Y. Ogawahara, M. Narukawa, K. Hiramatsu, et al.
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 310

      ページ: 4885-4887

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Selective Area Growth of III-Nitride and Their Application for Emitting Devices2008

    • 著者名/発表者名
      K. Hiramatsu, H. Miyake and D. Li
    • 雑誌名

      Journal of Light & Visual Environment 32

      ページ: 177-182

    • NAID

      110006663908

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Improved optical properties of AlGaN using periodic structures2008

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, T. Ishii, A. Motogaito, K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c) 5

      ページ: 1822-1824

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Improved surface morphology of flow-modulated MOVPE grown AlN on sapphire using thin medium-temperature AlN buffer layer2008

    • 著者名/発表者名
      D. Li, M. Aoki, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 5

      ページ: 1818-1821

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Selective area growth of III-nitride and their application for emitting devices2008

    • 著者名/発表者名
      K.Hiramatsu, H.Miyake, D.Li
    • 雑誌名

      Journal of Light & Visual Environment 32

      ページ: 177-182

    • NAID

      110006663908

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Improved surface morphology of flow-modulated MOVPE grown AlN on sapphire using thin medium-temperaturl A1N buffer layer2008

    • 著者名/発表者名
      D. Li, M. Aoki, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi c 5

      ページ: 1818-1821

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Optical Characterization of Japanese Papers for Application in the LED Lighting System with Human Sensitivity2008

    • 著者名/発表者名
      A. Motogaito, K. Manabe, Y. Yamanaka, N. Machida, H. Miyake, K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Light & Visual Environment 32

      ページ: 218-221

    • NAID

      110006663916

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Selective area growth of III -nitride and their application for emitting devices2008

    • 著者名/発表者名
      K. Hiramatsu, H. Miyake and D. Li
    • 雑誌名

      Journal of Light & Visual Environment 32

      ページ: 177-182

    • NAID

      110006663908

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Thermal analysis of GaN powder formation via reaction of gallium ethylenediamine tetraacetic acid complexes with ammonia2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Liu, S.Koide, H.Miyake, K.Hiramatsu, et.al.
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi c 5

      ページ: 1522-1524

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Reactor-pressure dependence of growthof a-plane GaN on r-plane sapphire2008

    • 著者名/発表者名
      R. Miyagawa, M. Narukawa, B. Ma, H. Miyake, K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 310

      ページ: 4979-4982

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Growth of crack-free AlGaN ons elective-area-growth GaN2008

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, N.Masuda, Y. Ogawahara, M. Narukawa, K.Hiramatsu, et.al.
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 310

      ページ: 4885-4887

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Improved surface morphology of flow-modulated MOVPE grown AlN on sapphire using thin medium-temperature AlN buffer layer2008

    • 著者名/発表者名
      D. Li, M. Aoki, H. Miyake, K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c) 5

      ページ: 1818-1821

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Thermal analys is of GaN powder formation via reaction of gallium ethylenediamine tetraacetic acid complexes with ammonia2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Liu, S. Koide, H. Miyake, K. Hiramatsu, et al.
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c) 5

      ページ: 1522-1524

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Growth of crack-free AlGaN ons elective-area-growth GaN2008

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, N.Masuda, Y.Ogawahara, M.Narukawa, K.Hiramatsu, et al.
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 310

      ページ: 4885-4887

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Improved optical properties of AlGaN using periodic structures2008

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, T.Ishii, A.Motogaito and K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c) 5

      ページ: 1822-1824

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Reactor-pressure dependence of growthof a-plane GaN on r-plane sapphire2008

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, M.Narukawa, B.Ma, H.Miyake, K.Hiramatsu.
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 310

      ページ: 4979-4982

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Reactor-pres sure dependence of growthof a-plane Ga N on r-plane sapphire2008

    • 著者名/発表者名
      R. Miyagawa, M. Narukawa, B. Ma, H. Miyake and K. Hiramatsu.
    • 雑誌名

      Journal of Cryst al Growth 310

      ページ: 4979-4982

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Optical characterization of Japanese papers for application in the LED lighting system with human sensitivity2008

    • 著者名/発表者名
      A.Motogaito, K.Manabe, Y.Yamanaka, N.Machida, H.Miyake and K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Light & Visual Environment 32

      ページ: 218-221

    • NAID

      110006663916

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Improved surface morphology of flow-modulated MOVPE grown AlN on sapphire using thin medium-temperature AlN buffer layer2008

    • 著者名/発表者名
      D. Li, M. Aoki, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c) 5

      ページ: 1818-1821

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Selective area growth of III-nitride and their application for emitting devices2008

    • 著者名/発表者名
      K. Hiramatsu, H. Miyake and D. Li
    • 雑誌名

      Journal of Light & Visual Environment 32

      ページ: 177-182

    • NAID

      110006663908

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Thermal analysis of GaN powder formation via reaction of gallium ethylenediamine tetraacetic acid complexes with ammonia2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Liu, S. Koide, H. Miyake, K. Hiramatsu, et.al.
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c) 5

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] High temperature growth of AIN film by LP-HVPE2007

    • 著者名/発表者名
      K. Tsujisawa, S. Kishino, Y.H. Liu, H.Miyake, K. Hiramatsu, T. shibata, M. tanaka
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c)4,(7)

      ページ: 2252-2255

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560010
  • [雑誌論文] Blue emission from InGaN/GaN hexagonal pyramid structures2007

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, K. Nakao and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Superlattices and Microstructures 41

      ページ: 341-346

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] High temperature growth of AIN film by LP-HVPE2007

    • 著者名/発表者名
      K.Tsujisawa, S.Kishino, Y.H.Liu, H.Miyake, K.Hiramatsu, et. al.
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c) 4

      ページ: 2252-2255

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Blue emission from InGaN/GaN hexagonal pyramid structures2007

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, K. Nakao and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Superlattices and Microstructures 41

      ページ: 341-346

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560010
  • [雑誌論文] Dependence of In mole fraction in InGaN on GaN facets2007

    • 著者名/発表者名
      K. Nakao, D. Li, Y. Liu, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c) 4

      ページ: 2383-2386

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Selective area growth of HI-nitride and their application for emitting devices2007

    • 著者名/発表者名
      K. Hiramatsu, H. Miyake, D. Li
    • 雑誌名

      Proc. 1st International Confernce on White LEDs and Solid State Lighting

      ページ: 72-77

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560010
  • [雑誌論文] Supression of crack generation using high-compressivestrain AIN/Sapphire template for hydride vapor phase epitaxy of thick AIN film2007

    • 著者名/発表者名
      K.Tsujisawa, S.Kishino, D.Li, H.Miyake, K.Hiramatsu, et. al.
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Supression of crack generation using high・compressive-strain AIN/Sapphire template for hydride vapor phase epitaxy of thick AIN film2007

    • 著者名/発表者名
      K. Tsujisawa, S. Kishino, D. Li, H. Miyake, K. Hiramatsu, et. al.
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560010
  • [雑誌論文] Optical characterization of Japanese papers for application to theLEDlightning system wit hhuman sensitivity2007

    • 著者名/発表者名
      A.Motogaito, K.Manabe, Y.Yamanaka, N.Machida, H.Miyake and K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Proc.1st International Confernce on White LEDsand Solid State Lighting

      ページ: 440-443

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Blue emission from InGaN/GaN hexagonal pyramid structures2007

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, K. Nakao and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Superlattices and Microstructures 41

      ページ: 341-346

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Blue emission from InGaN/GaN hexagonal pyramid structures2007

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, K.Nakao, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Superlattices and Microstructures 41

      ページ: 341-346

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Blue emission from InGaN/GaN hexagonal pyramid structures" Superlattices and Microstructures2007

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, K. Nakao, K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Superlattices and Microstructures 41

      ページ: 341-346

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560010
  • [雑誌論文] Supression of crack generation using high-compressive-strain AIN/Sapphire template for hydride vapor phase epitaxy of thick MN film2007

    • 著者名/発表者名
      K. Tsujisawa, S. Kishino, D. Li, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Shibata, M. Tanaka
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46,(23)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560010
  • [雑誌論文] Supression of crack generation using high-compressive-strain AlN/Sapphire template for hydride vapor phase epitaxy of thick AlN film2007

    • 著者名/発表者名
      K. Tsujisawa, S. Kishino, D. Li, H. Miyake, K. Hiramatsu, et. al.
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560010
  • [雑誌論文] Influence of growth conditions on Al incorporation to Al_xGa_<1-x>N (x>0.4) grown by MOVPE2007

    • 著者名/発表者名
      D.Li, M.Aoki, T.Katsuno, H.Miyake, K.Hiramatsu, M.Tanaka
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 298

      ページ: 372-374

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Selective area growth of III-nitride and their application for emitting devices2007

    • 著者名/発表者名
      K.Hiramatsu, H.Miyake and D.Li
    • 雑誌名

      Proc.1st International Confernce on White LEDs and Solid State Lighting

      ページ: 72-77

    • NAID

      110006663908

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Influence of growth interruption and Si doping on the structural and optical properties of AlGaN/AlN multiple quantum wells2007

    • 著者名/発表者名
      D.Li, M.Aoki, T.Katsuno, H.Miyake, K.Hiramatsu, M.Tanaka
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 298

      ページ: 500-503

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560010
  • [雑誌論文] Supression of crack generation using high-compressive-s train AlN/Sapphire template for hydride vapor phase epitaxy of thick AlN film2007

    • 著者名/発表者名
      K. Tsujisawa, S. Kishino, D. Li, H. Miya ke, K. Hiramatsu et.al.
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Supression of crack generation using high-compressive-strain AIN/Sapphire template for hydride vapor phase epitaxy of thick AIN film2007

    • 著者名/発表者名
      K. Tsujisawa, S. Kishino, D. Li, H. Miyake, K. Hiramatsu, et. al.
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] High temperaturegrowth of AlN film by LP-HVPE2007

    • 著者名/発表者名
      K.Tsujisawa, S.Kishino, Y.Liu, H.Miyake,K.Hiramatsu et.al.
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c) 4

      ページ: 2252-2255

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Selective area growth of III-nitride and their application for emitting devices2007

    • 著者名/発表者名
      K. Hiramatsu, H. Miyake and D. Li
    • 雑誌名

      Proc. 1st International Confernce on White LEDs and Solid State Lighting

      ページ: 72-77

    • NAID

      110006663908

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560010
  • [雑誌論文] Blue emission from InGaN/GaN hexagonal pyramid structures2007

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, K.Nakao andK.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Superlattices and Microstructures 41

      ページ: 341-346

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Synthesis of IIInitride microcrystals using metal-EDTA complexes2007

    • 著者名/発表者名
      Y.H.Liu, S.Koide, H.Miyake, K.Hiramatsu, et. al.
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c) 4

      ページ: 2346-2349

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Structural and optical properties of Si-doped AIGaN/AIN multiple quantum wells grown by MOVPE2007

    • 著者名/発表者名
      D.Li, T.Katsuno, M.Aoko, H.Miyake, K.Hiramatsu, et. al.
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c) 4

      ページ: 2494-2497

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Structural and optical properties of Si-doped AIGaN/AIN multiple quantum wells grown by MOVPE2007

    • 著者名/発表者名
      D. Li, T. Katsuno, M. Aoki, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Shibata
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c)4,(7)

      ページ: 2494-2497

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560010
  • [雑誌論文] Influence of growth interruption and Si doping on the structural and optical properties of AlGaN/AlN multiple quantum wells2007

    • 著者名/発表者名
      D. Li, M. Aoki, T. Katsuno, H. Miyake, K.Hiramatsu and M. Tanaka
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 298

      ページ: 500-503

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Selective area growth of III-nitride and their application for emitting devices2007

    • 著者名/発表者名
      K. Hiramatsu, H. Miyake and D. Li
    • 雑誌名

      Proc. 1st International Confernce on White LEDs and Solid State Lighting

      ページ: 72-77

    • NAID

      110006663908

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Influence of growth conditions on Al incorporation to Al_xGa_<1-x>N (x>0.4) grown by MOVPE2007

    • 著者名/発表者名
      D.Li, M.Aoki, T.Katsuno, H.Miyake, K.Hiramatsu, M.Tanaka
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 298

      ページ: 372-374

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560010
  • [雑誌論文] Structural and optical properties of Si-doped AlGaN/AlN multiple quantum wells grown by MOVPE2007

    • 著者名/発表者名
      D. Li, T. Katsuno, M. Aoki, H. Miyake, K. Hiramatsu et.al.
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c) 4

      ページ: 2494-2497

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Influence of growth interruption and Si doping on the structural and optical properties of AlGaN/AlN multiple quantum wells2007

    • 著者名/発表者名
      D.Li, M.Aoki, T.Katsuno, H.Miyake, K.Hiramatsu, M.Tanaka
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 298

      ページ: 500-503

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Dependence of In mole fraction in InGaN on GaN facets2007

    • 著者名/発表者名
      K. Nakao, D. Li, Y.H. Liu, H. Miyake, K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c)4,(7)

      ページ: 2383-2386

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560010
  • [雑誌論文] Supression of c rack generation using high-compressive-s train AlN/Sapphire template for hydride vapor phase epitaxy of thick AlN film2007

    • 著者名/発表者名
      K. Tsujisawa, S. Kishino, D. Li, H. Miya ke, K. Hiramatsu et al.
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Supression of crack generation using high-compressive-strain AlN/Sapphire template for hydride vapor phase epitaxy of thick AlN film2007

    • 著者名/発表者名
      K.Tsujisawa, S.Kishino, D.Li, H.Miyake, K.Hiramatsu, et al.
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Fabrication of high-quality nitride semiconductors by facet control technique2006

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      OYO BUTURI (in Japanese) Vol.75, No.48

      ページ: 467-472

    • NAID

      10017541097

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360008
  • [雑誌論文] Fabrication and characterization of UV Schottky detectors by using a freestanding GaN substrate2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Shibata, A.Motogaito, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Ohuchi, H.Okagawa, K.Tadatomo, T.Nomura, Y.Hamamura, K.Fukui
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 831

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360008
  • [雑誌論文] Reduction of dislocation density in AlGaN with high AlN molar fraction by using a rugged AlN epilayer2005

    • 著者名/発表者名
      A.Ishiga, T.Onishi, Y.LIU, M.Haraguchi, N.Kuwano, T.Shibata, M.Tanaka, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 831

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360008
  • [雑誌論文] Freestanding GaN substrate by Advanced FACELO Technique with Masking Side-facets2005

    • 著者名/発表者名
      Shinya Bohyama, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Yoshihiko Tsuchida, Takayoshi Maeda
    • 雑誌名

      Japan Journal of Applied Physics 44

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360008
  • [雑誌論文] Characterization of III-nitride Based Schottky UV Detectors with Wide Detectable Wavelength Range (360-10nm) using Synchrotron Radiation2004

    • 著者名/発表者名
      A.Motogaito, K.Hiramatsu, Y.Shibata, H.Watanabe, H.Miyake, K.Fukui, Y.Ohuchi, K.Tadatomo, Y.Hamamura
    • 雑誌名

      Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 798

      ページ: 53-58

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360008
  • [雑誌論文] High temperature growth of AlN film by LP-HVPE

    • 著者名/発表者名
      K.Tsujisawa, S.Kishino, Y.Liu, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Shibata, M.Tanaka
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) (掲載決定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Blue Emission from InGaN/GaN Hexagonal Pyramid Structures

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, K.Nakao, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Superlattices and Microstructures (掲載決定)

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [雑誌論文] Synthesis of III-nitride microcrystals using Metal-EDTA complexes

    • 著者名/発表者名
      Y.Liu, H.Miyake, K.Hiramatsu, K.Nakamura, N.Nambu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) (掲載決定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Structural and electrical properties of Si-doped a-pl ane GaN grown on r-plane sapphire by MOVPE

    • 著者名/発表者名
      B. Ma, R. Miyagawa, W. Hu, D. Li, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth (掲載決定、印刷中)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Dependence of In mole fraction in InGaN on GaN facets

    • 著者名/発表者名
      K.Nakao, D.Li, Y.Liu, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) (掲載決定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Low-Pressur e HVPE growth of crack free thick AlN on trench patterened AlN template

    • 著者名/発表者名
      Y. Katagiri, S. Kishino, K. Okuura, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth (掲載決定、印刷中)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Optical pro perties of MOVPE-grown a-plane GaN a nd AlGaN

    • 著者名/発表者名
      M. Narukawa, R. Miyagawa, B. Ma, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth (掲載決定、印刷中)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Photoluminescence study of Si-doped a-plane GaN grown by MOVPE

    • 著者名/発表者名
      D. Li, B. Ma, R. Miyagawa, W. Hu, M. Narukawa, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth (掲載決定、印刷中)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Dependence of In mole fraction in InGaN on GaN facets

    • 著者名/発表者名
      K.Nakao, D.Li, Y.Liu, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) (掲載決定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560010
  • [雑誌論文] Structural and optical properties of Si-doped AlGaN/AlN multiple quantum wells grown by MOVPE

    • 著者名/発表者名
      D.Li, T.Katsuno, M.Aoki, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Shibata
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) (掲載決定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] High temperature growth of AlN film by LP-HVPE

    • 著者名/発表者名
      K.Tsujisawa, S.Kishino, Y.Liu, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Shibata, M.Tanaka
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) (掲載決定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560010
  • [雑誌論文] High Quality AlGaN/AlN Superlattices grown on AlN/Sapphire Template by MOVPE

    • 著者名/発表者名
      Y.H.Liu, A.Ishiga, T.Ohnishi, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Shibata, M.Tanaka
    • 雑誌名

      Compound Semiconductors (In press)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15360008
  • [雑誌論文] Blue Emission from InGaN/GaN Hexagonal Pyramid Structures

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, K.Nakao, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Superlattices and Microstructures (掲載決定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560010
  • [雑誌論文] Structural and optical properties of Si-doped AlGaN/AlN multiple quantum wells grown by MOVPE

    • 著者名/発表者名
      D.Li, T.Katsuno, M.Aoki, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Shibata
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) (掲載決定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560010
  • [雑誌論文] Growth of undoped and Zn-doped GaN nanowires

    • 著者名/発表者名
      M. Narukawa, S. Koide, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of C rystal Growth (掲載決定、印刷中)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [雑誌論文] Fabrication of a Binary Diffractive Lens for Controlling the Luminous Intensity Distribution of LED Light

    • 著者名/発表者名
      A. Motogaito, N. Machida, T. Morikawa, K. Manabe, H. Miyake, K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Optical Review (掲載決定、印刷中)

    • NAID

      10025305178

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [産業財産権] 光学装置の製造方法及び光学装置2014

    • 発明者名
      元垣内敦司、平松和政、森下雄太
    • 権利者名
      国立大学法人三重大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2014-024746
    • 出願年月日
      2014-02-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [産業財産権] 半導体素子用エピタキシャル基板,半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法,およびALN単結晶自立基板2012

    • 発明者名
      三宅秀人,平松和政
    • 権利者名
      国立大学法人三重大学
    • 産業財産権番号
      2012-129102
    • 出願年月日
      2012-06-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] 二層型ワイヤーグリッド構造における伝搬型表面プラズモンの伝搬特性に関する研究2018

    • 著者名/発表者名
      渡邊直也、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      電子情報通信学会 光エレクトロニクス研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] 焦点制御型回折レンズの作製と集光特性評2018

    • 著者名/発表者名
      加藤 亮、元垣内 敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      平成30年度照明学会東海支部若手セミナー
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Agワイヤーグリッド構造を用いたプラズモニック波長板の作製に関する研究2018

    • 著者名/発表者名
      渡邊 陽生、元垣内 敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      平成30年度照明学会東海支部若手セミナー
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] 一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーの作製及び感度評価2018

    • 著者名/発表者名
      伊藤優佑、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      電子情報通信学会 光エレクトロニクス研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Au 2次元回折格子構造による光学素子の作製と光学特性評価2017

    • 著者名/発表者名
      山田泰士、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      電子情報通信学会 光エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      伊勢市民観光文化会館(三重県・伊勢市)
    • 年月日
      2017-01-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] nvestigation of the sputtered AlN films qualitative improvement process by high- temperature annealing2017

    • 著者名/発表者名
      Shi-yu Xiao, Yi-kang Liu, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Shunta Harada, Toru Ujihara
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] 表面プラズモンを用いたワイヤーグリッド偏光子の作製と偏光特性に関する研究2017

    • 著者名/発表者名
      中島智康、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      電子情報通信学会 光エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      伊勢市観光文化会館(三重県・伊勢市)
    • 年月日
      2017-01-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] Abrupt polarity inversion of AlN for second harmonics generation in DUV region2017

    • 著者名/発表者名
      Yusuke Hayashi, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Toru Akiyama, Tomonori Ito, Ryuji Katayama
    • 学会等名
      International Workshop of UV Materials and Devices 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] スパッタ法を用いたサファイア基板上へのAlN 堆積2017

    • 著者名/発表者名
      山木佑太,岩山章, 三宅秀人, 平松 和政, 小松永治,寺山暢之
    • 学会等名
      2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] 溝加工(10-10)GaN基板上へのGaN選択横方向成長2017

    • 著者名/発表者名
      岡田 俊祐、岩生 浩季、三宅 秀人、平松 和政
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] スパッタ法AlN基板へのMOVPE法によるホモ成長2017

    • 著者名/発表者名
      吉澤 涼、林 侑介、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      電子情報通信学会 電子デバイス研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] スパッタ法AlN膜の高温アニールとHVPE法によるホモエピ成長2017

    • 著者名/発表者名
      劉 怡康、三宅 秀人、平松 和政、岩谷 素顕、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Au2次元回折格子構造における光学素子の作製と光学的特性評価2017

    • 著者名/発表者名
      山田泰士、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      電子情報通信学会 光エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      伊勢市観光文化会館(三重県・伊勢市)
    • 年月日
      2017-01-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] Fabrication of highly oriented c-plane AlN buffer layer by metalorganic vapor phase epitaxy on nucleation layer deposited by sputtering2017

    • 著者名/発表者名
      Ryo Yoshizawa, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      The 11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] 一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーの光学特性及び感度評価2017

    • 著者名/発表者名
      伊藤 優佑、元垣内 敦司、三宅 秀人、平松 和政
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] バイナリ構造を用いた焦点制御型回折レンズの作製と特性評価2017

    • 著者名/発表者名
      元垣内敦司、井口陽介、加藤秀治、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      日本光学会年次学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Study of curvature during thermal annealing of AlN on sapphire2017

    • 著者名/発表者名
      Shunsuke Okada, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      Shunsuke Okada, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Investigation of high-temperature annealing process of sputtered AlN films2017

    • 著者名/発表者名
      Shiyu Xiao, Ryoya Suzuki, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Shunta Harada, Toru Ujihara
    • 学会等名
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Role of oxygen atoms on polarity inversion of N-polar AlN buffer layers: A first-principles theory2017

    • 著者名/発表者名
      Motoshi Uchino, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Fabrication and characterization of a binary diffractive lens for controlling the focal length and depth of focus2017

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Motogaito, Yousuke Iguchi, Shuji Kato, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      The 22nd Microoptics Conference
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Agを用いた二層型ワイヤーグリッド構造の周期と波長の依存性2017

    • 著者名/発表者名
      渡邊直也、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] The Sensor Characteristics of Surface Plasmon Sensor using the 1D Metal Diffraction Grating2017

    • 著者名/発表者名
      Yusuke Ito, Atsushi Motogaito, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      The 11th Asia-Pacific Conference on Near Field Optics
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Effect of Thermal Annealing on AlN Films Grown on Sputtered AlN Templates2017

    • 著者名/発表者名
      Ryo Yoshizawa, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      9th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
    • 発表場所
      中部大学(愛知県・春日井市)
    • 年月日
      2017-03-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] スパッタ法で成膜したr面サファイア基板上a面AlNの高品質化2017

    • 著者名/発表者名
      福田 涼、山木 佑太、林 侑介、三宅 秀人、平松 和政
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Face to Face 高温アニールで生じるAlN膜内歪の定量的評価2017

    • 著者名/発表者名
      谷川健太朗、鈴木涼矢、岩山章、林侑 介、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第46回結晶成長国内会議
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] 一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーの周期及び入射角度依存性と感度特性2017

    • 著者名/発表者名
      伊藤優佑、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      電子情報通信学会 光エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      伊勢市観光文化会館(三重県・伊勢市)
    • 年月日
      2017-01-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] Ab initio approach to polarity inversion of AlN caused by oxygen atoms2017

    • 著者名/発表者名
      Motoshi Uchino, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      International Conference on Materials and Systems for Sustainability
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] The study of high-temperature annealing process of sputtered AlN films2017

    • 著者名/発表者名
      S. Xiao, Y. Liu, H. Miyake, K. Hiramatsu, S. Harada, and T. Ujihara
    • 学会等名
      第9回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] MOVPE法によるAlN膜のface-to-faceアニール2017

    • 著者名/発表者名
      田中 襲一、岡田 俊祐、林 侑介、三宅 秀人、平松 和政
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Agを用いた二層型ワイヤーグリッド構造の入射角度依存性2017

    • 著者名/発表者名
      渡邊 直也、元垣内 敦司、三宅 秀人、平松 和政
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Effect of thermal annealing on AlN films grown on sputtered AlN templates2017

    • 著者名/発表者名
      R. Yoshizawa, H. Miyake, and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      ISPlasma2017 / IC-PLANTS2017
    • 発表場所
      中部大学(愛知県・春日井市)
    • 年月日
      2017-03-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] Face to Face法アニールによる AlN極性反転構造の作製と疑似位相整合 SHGへの応用2017

    • 著者名/発表者名
      林 侑介、三宅秀人、平松和政、秋山 亨、伊藤智徳、片山竜二
    • 学会等名
      電子情報通信学会 電子デバイス研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] 疑似位相整合SHGに向けたFace to FaceアニールによるAlN分極反転構造の作製2017

    • 著者名/発表者名
      林 侑介、三宅 秀人、平松 和政、片山 竜二
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] スパッタ法AlN膜の高温アニールとHVPE法によるホモエピ成長2017

    • 著者名/発表者名
      劉怡康,三宅秀人,平松和政, 岩谷素顕, 赤﨑勇
    • 学会等名
      2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] スパッタ法を用いたサファイア基板上へのAlN堆積2017

    • 著者名/発表者名
      山木 佑太、岩山 章、三宅 秀人、平松 和政、小松 永治、寺山 暢之
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] MOVPE法によるAlN成長における窒化温度の影響2017

    • 著者名/発表者名
      河合 祥也、三宅 秀人、平松 和政
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] 溝加工(10-10)GaN基板上へのGaN選択横方向成長2017

    • 著者名/発表者名
      岡田俊祐,岩生 浩季,三宅秀人,平松和政
    • 学会等名
      2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06418
  • [学会発表] 表面プラズモンを用いたワイヤーグリッド偏光子の偏光特性評価に関する研究2017

    • 著者名/発表者名
      中嶋智康、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      電子情報通信学会 光エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      伊勢市民観光文化会館(三重県・伊勢市)
    • 年月日
      2017-01-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] 一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーの 周期及び入射角度依存性と感度特性2017

    • 著者名/発表者名
      伊藤優佑、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      電子情報通信学会 光エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      伊勢市民観光文化会館(三重県・伊勢市)
    • 年月日
      2017-01-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] 一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーの光学特性及び感度評価2017

    • 著者名/発表者名
      伊藤優佑、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] Excitation Mechanism of Surface Plasmon Polaritons in a Double-Layer Wire Grid Structure2017

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Motogaito, Tomoyasu Nakajima, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      The 11th Asia-Pacific Conference on Near Field Optics
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Agを用いた二層型ワイヤーグリッド構造の入射角度依存性2017

    • 著者名/発表者名
      渡邊直哉、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] 一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーの感度評価2017

    • 著者名/発表者名
      伊藤優佑、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Face to Face アニールによる AlN 分極反転構造の作製と評価2017

    • 著者名/発表者名
      林 侑介、三宅 秀人、 平松 和政、 片山 竜二
    • 学会等名
      第9回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] 一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーの光学特性評価2016

    • 著者名/発表者名
      伊藤優佑、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      日本光学会ナノオプティクス研究グループ 第23回研究討論会
    • 発表場所
      大阪大学吹田キャンパス(大阪府・吹田市)
    • 年月日
      2016-11-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] The controlling of transmittance and reflectance of a 2D metal periodic grating structure for cold filter application2016

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Motogaito, Masanori Kito, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      JSAP-OSA Joint Symposia
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県・新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] The Dependence of Surface Plasmon Sensor using 1D Metal Diffraction Grating on its Priod and the Incident Angle and Sensitivity Evaluation2016

    • 著者名/発表者名
      Yusuke Ito, Atsushi Motogaito, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      The 6th International Symposium for Sustainability by Engineering at MIU
    • 発表場所
      三重大学(三重県・津市)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] Effect of AlN Buffer Layer Thickness on Crystallinity and Surface Morphology of 10-μm-Thick A-Plane AlN Films Grown on R-Plane Sapphire Substrates2016

    • 著者名/発表者名
      Chia-Hung Lin, Shinya Tamaki, Yasuhiro Yamashita, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Orlando (USA)
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Agを用いた二層型ワイヤーグリッド構造の光学特性評価2016

    • 著者名/発表者名
      渡邊直也、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      日本光学会ナノオプティクス研究グループ 第23回研究討論会
    • 発表場所
      大阪大学吹田キャンパス(大阪府・吹田市)
    • 年月日
      2016-11-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Relationship between Space Control and Optical Properties of a Double-layer Surface Plasmon Wire Grid Polariser2016

    • 著者名/発表者名
      T. Nakajima, A. Motogaito, H. Miyake, K. Hiramatsu
    • 学会等名
      The 14th International Conference on Near-field Optics, Nanophotonics, and Related Techniques
    • 発表場所
      アクトシティ浜松コングレスセンター(静岡県・浜松市)
    • 年月日
      2016-09-04
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] r面サファイア上へのa面AlN成長におけるバッファ層厚さ依存性2016

    • 著者名/発表者名
      林 家弘、玉置 真哉、山下 泰弘、三宅 秀人、平松 和政
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県・新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Effect of buffer-layer growth temperature and thermal annealing conditions on a-plane AlN films grown on r-plane sapphire2016

    • 著者名/発表者名
      C.-H. Lin, Y. Yamashita, H. Miyake, K. Hiramatsu
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2016-08-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] サブ波長構造を有するAu2次元回折格子の作製と光学特性評価2016

    • 著者名/発表者名
      山田泰士、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学 大岡山キャンパス(東京都・目黒区)
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] r 面サファイア上への a 面 AlN 成長におけるバッファ層の成長温度およびバッファ層アニール条件依存性2016

    • 著者名/発表者名
      林 家弘 、山下 泰弘 、三宅 秀人、平松 和政
    • 学会等名
      第8回 窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      京都大学桂キャンパス ローム記念館(京都府・京都市)
    • 年月日
      2016-05-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Growth of GaN on trench patterned non-polar bulk GaN substrates2016

    • 著者名/発表者名
      S. Okada, H. Iwai, H. Miyake, K. Hiramatsu
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2016-08-07
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Au2次元回折格子による光学ミラーの作製と光学特性評価2016

    • 著者名/発表者名
      山田泰士、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      日本光学会年次学術講演会
    • 発表場所
      筑波大学東京キャンパス(東京都・文京区)
    • 年月日
      2016-10-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] AlGaN多重量子井戸成長におけるAlNバッファ層の効果2016

    • 著者名/発表者名
      藤田直宏、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学 大岡山キャンパス(東京都・目黒区)
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Au2次元回折格子における光学ミラーの作製と光学的特性評価2016

    • 著者名/発表者名
      山田泰士、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      日本光学会年次学術講演会
    • 発表場所
      筑波大学東京キャンパス(東京都・文京区)
    • 年月日
      2016-10-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] Agを用いた二層型ワイヤーグリッド構造の光学特性評価2016

    • 著者名/発表者名
      渡邊直哉、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      日本光学会ナノオプティクス研究グループ 第23回研究討論会
    • 発表場所
      大阪大学吹田キャンパス(大阪府・吹田市)
    • 年月日
      2016-11-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] AlN成長のための空気中アニールによるc面サファイアの原子ステップ形成2016

    • 著者名/発表者名
      玉置真哉、鈴木周平、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学 大岡山キャンパス(東京都・目黒区)
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Detecting High-refractive-index (n> 1.5) Media using Surface Plasmon Sensor with One-Dimensional Au Diffraction Grating on Glass Substrate2016

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Motogaito, Shinya Mito, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      Light, Energy and the Environment Congress
    • 発表場所
      Leipzig (Germany)
    • 年月日
      2016-11-14
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] RF加熱式HVPE法を用いたサファイア基板上へのAlN成長2016

    • 著者名/発表者名
      山下泰弘、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学 大岡山キャンパス(東京都・目黒区)
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] サブ波長構造を有するAu 2 次元回折格子の作製と光学特性評価2016

    • 著者名/発表者名
      山田泰士、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学 大岡山キャンパス(東京都・目黒区)
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] 一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーの周期及び入射角度依存性2016

    • 著者名/発表者名
      伊藤優佑、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県・新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] ワイヤーグリッド構造における表面プラズモン分散曲線と透過率マッピング2016

    • 著者名/発表者名
      中島智康、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      日本光学会年次学術講演会
    • 発表場所
      筑波大学東京キャンパス(東京都・文京区)
    • 年月日
      2016-10-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] 一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーの光学特性評価2016

    • 著者名/発表者名
      伊藤優佑、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      日本光学会ナノオプティクス研究グループ 第23回研究討論会
    • 発表場所
      大阪大学吹田キャンパス(大阪府・吹田市)
    • 年月日
      2016-11-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] ワイヤーグリッド構造における表面プラズモン 分散曲線と透過率マッピング2016

    • 著者名/発表者名
      中嶋智康、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      日本光学会年次学術講演会
    • 発表場所
      筑波大学東京キャンパス(東京都・文京区)
    • 年月日
      2016-10-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Fabrication of High-Quality AlN Template on Sapphire by HighTemperature Annealing2016

    • 著者名/発表者名
      Hideto Miyake, Chia-Hung Lin, Yikang Liu and Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Orlando (USA)
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] 一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーの周期及び入射角度依存性2016

    • 著者名/発表者名
      伊藤優佑、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県・新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] 2 層型ワイヤーグリッド偏光子の空間制御と光学特性評価2016

    • 著者名/発表者名
      中嶋智康、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学 大岡山キャンパス(東京都・目黒区)
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] The Study on Fabricated and Characterization of Double-layer Wire Grid Structure using Ag2016

    • 著者名/発表者名
      Naoya Watanabe, Atsushi Motogaito, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      The 6th International Symposium for Sustainability by Engineering at MIU
    • 発表場所
      三重大学(三重県・津市)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] 2層型ワイヤーグリッド偏光子の空間制御と光学特性評価2016

    • 著者名/発表者名
      中嶋智康、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学 大岡山キャンパス(東京都・目黒区)
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Detecting High-refractive-index (n>1.5) Media using Surface Plasmon Sensor with One-dimensional Au Diffraction Grating on Glass Substrate2016

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Motogaito, Shinya Mito, HidetoMiyake and Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      Light, Energy and the Environment Congress
    • 発表場所
      Leipzig (Germany)
    • 年月日
      2016-11-14
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Structural Study of GaN Grown on Nonpolar Bulk GaN Substrates with Trench Patterns2016

    • 著者名/発表者名
      Shunsuke Okada, Hiroki Iwai, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Orlando (USA)
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] r面サファイア上へのa面AlN成長におけるバッファ層成長温度依存性2016

    • 著者名/発表者名
      林家弘、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学 大岡山キャンパス(東京都・目黒区)
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Relationship between space control and optical properties of a double-layer surface plasmon wire grid polariser2016

    • 著者名/発表者名
      T. Nakajima, A. Motogaito, H. Miyake, K. Hiramatsu
    • 学会等名
      The 14th International Conference on Near-field Optics, Nanophotonics and Related Techniques
    • 発表場所
      アクトシティ浜松コングレスセンター(静岡県・浜松市)
    • 年月日
      2016-09-04
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] The controlling of transmittance and refectance of a 2D metal periodic grating structure for cold filter application2016

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Motogaito, Masanori Kito, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      JSAP-OSA Joint Symposia 2016
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県・新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] 一次元金属回折格子を用いた伝搬型表面プラズモンセンサーによる高屈折率媒質の検出(Ⅱ)2015

    • 著者名/発表者名
      水戸慎也、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Fabrication and optical characterization of a 2D metal periodic grating structure for cold filter application2015

    • 著者名/発表者名
      A. Motogaito, M. Kito, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      SPIE Micro+Nano Materials, Devices, and Systems
    • 発表場所
      Sydney(Australia)
    • 年月日
      2015-12-06
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] 2層型2次元金属回折格子の作製とフィルター特性評価2015

    • 著者名/発表者名
      元垣内敦司、鬼頭壮宜、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] ±c面GaNの表面熱的安定性に関する研究2015

    • 著者名/発表者名
      岡田俊祐、三宅秀人、平松和政、逢坂崇、谷川智之、松岡隆志
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] Influence of Thermal Cleaning on the Surface of Free-Standing GaN Substrates2015

    • 著者名/発表者名
      S. Okada, H. Miyake, K. Hiramatsu, R. Miyagawa, O. Eryu and T. Hashizume
    • 学会等名
      2015 MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      Moscone West Convention Center, San Francisco, California
    • 年月日
      2015-04-06
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] 一次元金属回折格子を用いた 伝搬型表面プラズモンセンサーによる高屈折率媒質の検出(Ⅱ)2015

    • 著者名/発表者名
      水戸慎也、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] 微傾斜角度の異なるc面サファイア基板上へのAlN成長とN2-COアニール2015

    • 著者名/発表者名
      鈴木周平、林家弘、三宅秀人、平松和政、福山博之
    • 学会等名
      電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪市立大学(大阪府・大阪市)
    • 年月日
      2015-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Fabrication and optical characterization of the Au two-dimensional diffraction grating having sub-wavelength structures2015

    • 著者名/発表者名
      T. Yamada, A. Motogaito, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      The 5th International Symposium for Sustainability by Engineering at MIU
    • 発表場所
      三重大学(三重県・津市)
    • 年月日
      2015-11-25
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] Ag 細線構造を用いた二層型ワイヤーグリッド偏光子の光学特性2015

    • 著者名/発表者名
      辻村一希、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      日本光学会年次学術講演会(OPJ2015)
    • 発表場所
      筑波大学東京キャンパス(東京都・文京区)
    • 年月日
      2015-10-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] r面サファイア上へのa面AlN成長におけるバッファ層アニール効果2015

    • 著者名/発表者名
      林家弘、安井大貴、玉置真哉、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Transmission of the Double-layer Wire Grid Polarizer and its Dependence on the Incident Angle and the Periodical Structures2015

    • 著者名/発表者名
      A. Motogaito, Y. Morishita, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      JSAP-OSA Joint Symposia
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-13
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Detection of High-Refractive Index Media by a Surface Plasmon Sensor Using a One-Dimensional Metal Diffraction Grating2015

    • 著者名/発表者名
      S. Mito, A. Motogaito, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      The 20th Microoptics Conference (MOC’15)
    • 発表場所
      福岡国際会議場(福岡県・福岡市)
    • 年月日
      2015-10-25
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] 一次元金属回折格子を用いた伝搬型表面プラズモンセンサーによる高屈折率媒質の検出2015

    • 著者名/発表者名
      水戸慎也、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] MOVPE法によるAlN成長におけるc面サファイア微傾斜角度の影響2015

    • 著者名/発表者名
      鈴木周平、林家弘、三宅秀人、平松和政、福山博之
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] MOVPE法によるAlN成長におけるc面サファイア表面の影響2015

    • 著者名/発表者名
      林家弘、鈴木周平、岡田俊祐、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] スパッタ法AlNテンプレート基板を用いたAlNのHVPE成長2015

    • 著者名/発表者名
      安井大貴、三宅秀人、平松和政、岩谷素顕、赤﨑勇、天野浩
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] Detecion of high-refractive index media by a surface plasmon sensor using a one dimensional metal diffraction grating2015

    • 著者名/発表者名
      S.Mito, A.Motogaito, H.Miyake and K.Hiramatsu
    • 学会等名
      The 20th MICROOPTICS CONFERENCE
    • 発表場所
      福岡国際会議場(福岡県・福岡市)
    • 年月日
      2015-10-25
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Fabrication and optical characterization of a 2D metal periodic grating structure for cold filter application2015

    • 著者名/発表者名
      A. Motogaito, M. Kito, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      SPIE Micro+Nano Materials, Devices, and Systems
    • 発表場所
      Sydney(Australia)
    • 年月日
      2015-12-06
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] Transmission of the Double-layer Wire Grid Polarizer and its Dependence on the Incident Angle and the Periodical Structures2015

    • 著者名/発表者名
      A. Motogaito, Y. Morishita, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      JSAP-OSA Joint Symposia 2015
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-13
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] サファイア上への窒化物半導体エピタキシーにおける界面制御2015

    • 著者名/発表者名
      三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Stady on surface thermal stability of free-standing GaN substrates2015

    • 著者名/発表者名
      S. Okada, H. Miyake, K. Hiramatsu, R. Miyagawa, O. Eryu and T. Hashizume
    • 学会等名
      ISPlasma2015
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2015-03-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] Optimization of Growth Conditions for A-Plane AlN on R-Plane Sapphire2015

    • 著者名/発表者名
      C.-H. Lin,S. Suzuki,H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      2015 MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      Moscone West Convention Center, San Francisco, California
    • 年月日
      2015-04-06
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] MOVPE法によるAlN成長におけるc面サファイア表面の影響2015

    • 著者名/発表者名
      林家弘、鈴木周平、岡田俊祐、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] Fabrication and characterization of the double-layer wire grid polarizers using Ag nano-periodical structures2015

    • 著者名/発表者名
      K. Tsujimura, A. Motogaito, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      The 5th International Symposium for Sustainability by Engineering at MIU
    • 発表場所
      三重大学(三重県・津市)
    • 年月日
      2015-11-25
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] MOVPE法によるAlN成長におけるc面サファイア微傾斜角度の影響2015

    • 著者名/発表者名
      鈴木周平、林家弘、三宅秀人、平松和政、福山博之
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] AlN/Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長2015

    • 著者名/発表者名
      安井大貴、三宅秀人、平松和政、岩谷素顕、赤﨑勇、天野浩
    • 学会等名
      電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪市立大学(大阪府・大阪市)
    • 年月日
      2015-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Temperature Dependence on AlN Buffer Layer in N2-CO Ambient2015

    • 著者名/発表者名
      S. Suzuki,H. Miyake,K. Hiramatsu and H. Fukuyama
    • 学会等名
      2015 MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      Moscone West Convention Center, San Francisco, California
    • 年月日
      2015-04-06
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] Stady on surface thermal stability of free-standing GaN substrates2015

    • 著者名/発表者名
      S. Okada, H. Miyake, K. Hiramatsu, R. Miyagawa, O. Eryu and T. Hashizume
    • 学会等名
      ISPlasma 2015
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2015-03-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] 2 層型2 次元金属回折格子の作製とフィルター特性評価2015

    • 著者名/発表者名
      元垣内敦司、鬼頭壮宜、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] Ag細線構造を用いた二層型ワイヤーグリッド偏光子の光学特性2015

    • 著者名/発表者名
      辻村一希、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      日本光学会年次学術講演会
    • 発表場所
      筑波大学東京キャンパス(東京都・文京区)
    • 年月日
      2015-10-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H03556
  • [学会発表] 一次元金属回折格子を用いた伝搬型表面プラズモンセンサーによる高屈折率媒質の検出2015

    • 著者名/発表者名
      水戸慎也、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] HVPE法AlN成長条件のシミュレーションによる検討2014

    • 著者名/発表者名
      安井大貴、三宅秀人、平松和政、河村貴宏
    • 学会等名
      第6回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      名城大学
    • 年月日
      2014-07-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] Study of AlN growth conditions for hydride vapor phase epitaxy2014

    • 著者名/発表者名
      D. Yasui, H. Miyake, K. Hiramatsu and T. Kawamura
    • 学会等名
      The 4th International Symposium for Sustainability by Engineering at MIU
    • 発表場所
      三重大学
    • 年月日
      2014-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] GaN growth on carbonized-Si substrate by MOVPE2014

    • 著者名/発表者名
      K. Izumi, H. Miyake, K. Hiramatsu, H. Oku, H. Asamura and K. Kawamura
    • 学会等名
      The 4th International Symposium for Sustainability by Engineering at MIU
    • 発表場所
      三重大学
    • 年月日
      2014-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] Influence of thermal cleaning on free-standing GaN surface2014

    • 著者名/発表者名
      S. Okada, H. Miyake, K. Hiramatsu, R. Miyagawa, O. Eryu and T. Hashizume
    • 学会等名
      第33回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺
    • 年月日
      2014-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] 光学フィルタへの応用に向けた金属2次元回折格子構造の作製と光学特性評価2014

    • 著者名/発表者名
      鬼頭壮宜、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      電子情報通信学会光エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      機械振興会館
    • 年月日
      2014-12-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] HVPE Homoepitaxy on Freestanding AlN Substrate with Trench Pattern2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Watanabe、H. Miyake、K. Hiramatsu, Y. Iwasaki and S. Nagata
    • 学会等名
      5th International Symposium on Growth of III-Nitrides
    • 発表場所
      Atlanta, USA
    • 年月日
      2014-05-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] バイナリ型回折レンズによるベッセルビーム生成に関する研究2014

    • 著者名/発表者名
      丸谷太一、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      日本光学会年次学術講演会
    • 発表場所
      筑波大学東京キャンパス
    • 年月日
      2014-11-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] Excitation of Surface Plasmon Polariton at the GaP-Au Interface in a High-Refractive-Index Medium2014

    • 著者名/発表者名
      A. Motogaito, S. Nakamura, J. Miyazaki, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      17th European Conference on Integrated Optics & 20th Microoptics Conference
    • 発表場所
      Nice, France
    • 年月日
      2014-06-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] Surface treatment of GaN substrates by thermal cleaning2014

    • 著者名/発表者名
      S. Okada, H. Miyake, K. Hiramatsu, R. Miyagawa, O. Eryu and T. Hashizume
    • 学会等名
      The 4th International Symposium for Sustainability by Engineering at MIU
    • 発表場所
      三重大学
    • 年月日
      2014-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] GaN自立基板の表面におけるサーマルクリーニングの効果2014

    • 著者名/発表者名
      岡田俊祐、三宅秀人、平松和政、宮川鈴衣奈、江龍修、橋詰保
    • 学会等名
      電子情報通信学会レーザー量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪大学 吹田キャンパス
    • 年月日
      2014-11-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] Influence of thermal annealing in N2-CO ambient on AlN buffer layer2014

    • 著者名/発表者名
      S. Suzuki , H. Miyake, K. Hiramatsu, and H. Fukuyama
    • 学会等名
      The 4th International Symposium for Sustainability by Engineering at MIU
    • 発表場所
      三重大学
    • 年月日
      2014-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] サファイア基板のサーマルリング2014

    • 著者名/発表者名
      林家弘、鈴木周平、岡田俊祐、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] Polarization Property of a Double-layer Wire Grid Polarizer and the Mechanism of Transmission2014

    • 著者名/発表者名
      A. Motogaito, Y. Morishita, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      17th European Conference on Integrated Optics and 20th Microoptics Conference
    • 発表場所
      Nice, France
    • 年月日
      2014-06-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] サファイア上AlN 緩衝層のN2-CO アニールとMOVPE 法による高温成長2014

    • 著者名/発表者名
      鈴木周平、三宅秀人、平松和政、福山博之
    • 学会等名
      第6回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      名城大学
    • 年月日
      2014-07-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] 2 層型ワイヤーグリッド偏光子の偏光特性と表面プラズモン共鳴2014

    • 著者名/発表者名
      元垣内敦司、森下雄太、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第75 回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] Studies on surface plasmon sensor using one-dimensional metal diffraction grating2014

    • 著者名/発表者名
      S. Mito, A. Motogaito, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      The 4th International Symposiumfor Sustainability by Engineering at MIU
    • 発表場所
      三重大学
    • 年月日
      2014-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] Surface treatment of GaN substrates by thermal cleaning2014

    • 著者名/発表者名
      S. Okada, H. Miyake, K. Hiramatsu, R. Miyagawa, O. Eryu and T. Hashizume
    • 学会等名
      The 4th International Symposium for Sustainability by Engineering at MIU
    • 発表場所
      三重大学
    • 年月日
      2014-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] サファイア上AlN 緩衝層のN2-CO アニールとMOVPE 法による高温成長2014

    • 著者名/発表者名
      鈴木周平、三宅秀人、平松和政、福山博之
    • 学会等名
      第6回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      名城大学
    • 年月日
      2014-07-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] エピタキシャル成長のためのGaN 自立基板サーマルクリーニング2014

    • 著者名/発表者名
      岡田俊祐、三宅秀人、平松和政、宮川鈴衣奈、江龍修、橋詰保
    • 学会等名
      第6回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      名城大学
    • 年月日
      2014-07-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] GaN自立基板の表面におけるサーマルクリーニングの効果2014

    • 著者名/発表者名
      岡田俊祐、三宅秀人、平松和政、宮川鈴衣奈、江龍修、橋詰保
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2014-05-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] Influence of thermal annealing in N2-CO ambient on AlN buffer layer2014

    • 著者名/発表者名
      S. Suzuki, H. Miyake, K. Hiramatsu, and H. Fukuyama
    • 学会等名
      The 4th International Symposium for Sustainability by Engineering at MIU
    • 発表場所
      三重大学
    • 年月日
      2014-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] 2層型ワイヤーグリッド偏光子の偏光特性と表面プラズモン共鳴2014

    • 著者名/発表者名
      元垣内敦司、森下雄太、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] 光学フィルタへの応用に向けた金属2次元回折格子構造の作製と可視光及び赤外光の透過・反射制御2014

    • 著者名/発表者名
      鬼頭壮宜、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] AlN基板の表面処理とホモエピタキシャル成長2014

    • 著者名/発表者名
      渡邉祥順、三宅秀人、平松和政、岩崎洋介
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2014-05-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] AlN基板の表面処理とホモエピタキシャル成長2014

    • 著者名/発表者名
      渡邉祥順、三宅秀人、平松和政、岩崎洋介
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2014-05-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] GaN自立基板の表面におけるサーマルクリーニングの効果2014

    • 著者名/発表者名
      岡田俊祐、三宅秀人、平松和政、宮川鈴衣奈、江龍修、橋詰保
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2014-05-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] 光学フィルタへの応用に向けた金属2次元回折格子構造の 作製と光学特性評価2014

    • 著者名/発表者名
      鬼頭壮宜、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      電子情報通信学会光エレクトロニクス研究会、レーザー量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      機械振興会館
    • 年月日
      2014-12-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] Fabrication of AlGaN Multiple Quantum Wells on Sapphire with Lattice-Relaxation Layer2014

    • 著者名/発表者名
      K. Nakahama, F. Fukuyo, H. Miyake, K. Hiramatsu, H. Yoshida and Y. Kobayashi
    • 学会等名
      5th International Symposium on Growth of III-Nitrides
    • 発表場所
      Atlanta, USA
    • 年月日
      2014-05-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] The study for the controlling luminous intensity of white light emitting diode by binary diffractive concave lens2014

    • 著者名/発表者名
      N. Hashimoto, K. Manabe, A. Motogaito, H. Miyake, K. Hiramatsu
    • 学会等名
      The 4th International Symposium for Sustainability by Engineering at MIU
    • 発表場所
      三重大学
    • 年月日
      2014-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] Influence of thermal cleaning on free-standing GaN surface2014

    • 著者名/発表者名
      S. Okada, H. Miyake, K. Hiramatsu, R. Miyagawa, O. Eryu and T. Hashizume
    • 学会等名
      第33回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺
    • 年月日
      2014-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] HVPE Homoepitaxy on Freestanding AlN Substrate with Trench Pattern2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Watanabe、H. Miyake、K. Hiramatsu, Y. Iwasaki and S. Nagata
    • 学会等名
      5th International Symposium on Growth of III-Nitrides
    • 発表場所
      Atlanta, USA
    • 年月日
      2014-05-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] GaN growth on carbonized-Si substrate by MOVPE2014

    • 著者名/発表者名
      K. Izumi, H. Miyake, K. Hiramatsu, H. Oku, H. Asamura, and K. Kawamura
    • 学会等名
      The 4th International Symposium for Sustainability by Engineering at MIU
    • 発表場所
      三重大学
    • 年月日
      2014-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] サファイア基板のサーマルリング2014

    • 著者名/発表者名
      林家弘、鈴木周平、岡田俊祐、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] The effect of the lattice-relaxation layer of Si-doped AlGaN multiple quantum2014

    • 著者名/発表者名
      K. Nakahama, F. Fukuyo, H. Miyake, K. Hiramatsu, H. Yoshida, and Y. Kobayashi
    • 学会等名
      The 4th International Symposium for Sustainability by Engineering at MIU
    • 発表場所
      三重大学
    • 年月日
      2014-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] Excitation of Surface Plasmon Polariton at the GaP-Au Interface in a High-Refractive-Index Medium2014

    • 著者名/発表者名
      A. Motogaito, S. Nakamura, J. Miyazaki, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      17th European Conference on Integrated Optics and 20th Microoptics Conference
    • 発表場所
      Nice, France
    • 年月日
      2014-06-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] GaN自立基板の表面におけるサーマルクリーニングの効果2014

    • 著者名/発表者名
      岡田俊祐、三宅秀人、平松和政、宮川鈴衣奈、江龍修、橋詰保
    • 学会等名
      電子情報通信学会レーザー量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪大学 吹田キャンパス
    • 年月日
      2014-11-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] Studies on surface plasmon sensor using one-dimensional metal diffraction grating2014

    • 著者名/発表者名
      S. Mito, A. Motogaito, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      The 4th International Symposium for Sustainability by Engineering at MIU
    • 発表場所
      三重大学
    • 年月日
      2014-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] エピタキシャル成長のためのGaN 自立基板サーマルクリーニング2014

    • 著者名/発表者名
      岡田俊祐、三宅秀人、平松和政、宮川鈴衣奈、江龍修、橋詰保
    • 学会等名
      第6回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      名城大学
    • 年月日
      2014-07-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] 減圧MOVPE法によるAlGaN多重量子井戸構造の緩衝層の効果2014

    • 著者名/発表者名
      中濵和大、福世文嗣、三宅秀人、平松和政、吉田治正、小林祐二
    • 学会等名
      電子情報通信学会レーザー量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪大学 吹田キャンパス
    • 年月日
      2014-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] HVPE 法AlN 成長条件のシミュレーションによる検討2014

    • 著者名/発表者名
      安井大貴、三宅秀人、平松和政、河村貴宏
    • 学会等名
      第6回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      名城大学
    • 年月日
      2014-07-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] バイナリ型回折レンズによるベッセルビーム生成に関する研究2014

    • 著者名/発表者名
      丸谷太一、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      日本光学会年次学術講演会
    • 発表場所
      筑波大学東京キャンパス
    • 年月日
      2014-11-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] 光学フィルタへの応用に向けた金属2 次元回折格子構造の作製と可視光 及び赤外光の透過・反射制御2014

    • 著者名/発表者名
      鬼頭壮宜、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第75 回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390082
  • [学会発表] Study of AlN growth conditions for hydride vapor phase epitaxy2014

    • 著者名/発表者名
      D. Yasui, H. Miyake, K. Hiramatsu and T. Kawamura
    • 学会等名
      The 4th International Symposium for Sustainability By Engieering at MIU (IS2EMU2013)
    • 発表場所
      三重大学
    • 年月日
      2014-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] GaP-Au接触界面における伝搬型表面プラズモンポラリトンの励起を用いた化学センサーの製作と評価2013

    • 著者名/発表者名
      中村将平、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 年月日
      2013-03-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] 非極性GaN基板上への選択成長とInGaN/GaN多重量子井戸構造の作製2013

    • 著者名/発表者名
      岡田俊祐、三宅秀人、平松和政、江夏悠貴、長尾哲
    • 学会等名
      第5回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      大阪大学 銀杏会館
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] GaN growth on off-angle trench patterned GaN/sapphire templates by MOVPE2013

    • 著者名/発表者名
      Z. Cai, H. Miyake, K. Hiramatsu
    • 学会等名
      ISPlasma2013
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2013-01-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] Growth of thick AIN on 6H-SiC substrate by low-pressure HVPE2013

    • 著者名/発表者名
      S. Kitagawa, H. Miyake, K. Hiramatsu
    • 学会等名
      ISPlasma2013
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2013-01-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] SiドープAINのMOVPE成長における転位密度の影響2013

    • 著者名/発表者名
      西尾剛、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 年月日
      2013-03-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] MOVPE growth of Si doped AIN on trench patterned template2013

    • 著者名/発表者名
      Gou Nishio, Mitsuhisa Narukawa, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      SPIE Photonic West
    • 発表場所
      The Moscone Center, San Francisco, California, USA
    • 年月日
      2013-02-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] 6H-SiC基板上へのAINのHVPE成長における核形成制御2013

    • 著者名/発表者名
      北川慎、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 年月日
      2013-03-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] AlNのMOVPE成長におけるSi取り込み量の転位密度依存性2013

    • 著者名/発表者名
      西尾剛、三宅秀人、平松和政、徳本有紀、米永一郎
    • 学会等名
      第5回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      大阪大学 銀杏会館
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] Selective-area growth of GaN on nonpolar substrates2013

    • 著者名/発表者名
      S. Okada, D. Jinno, M. Narukawa, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Enatsu, S. Nagao
    • 学会等名
      ISPlasma2013
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2013-01-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] AlNのMOVPE成長におけるSi取り込み量の転位密度依存性2013

    • 著者名/発表者名
      西尾剛、三宅秀人、平松和政、徳本有紀、米永一郎
    • 学会等名
      第5回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      大阪大学 銀杏会館
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] Si doped AIN growth on trench patterned template by MOVPE2013

    • 著者名/発表者名
      G. Nishio, M. Narukawa, H. Miyake, K. Hiramatsu
    • 学会等名
      ISPlasma2013
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2013-01-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] Epitaxy of AlGaN Multiple-Quantum Wells by MOVPE and Its Application of Ultraviolet Light Source2013

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, F. Fukuyo, S. Ochiai, K. Hiramatsu, H. Yoshida, Y. Kobayashi
    • 学会等名
      SPIE Photonics West
    • 発表場所
      サンフランシスコ(米国)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010
  • [学会発表] AlGaN多重量子井戸層からの電子線励起による発光における障壁層の影響2013

    • 著者名/発表者名
      中濱和大、福世文嗣、三宅秀人、平松和政、吉田治正、小林祐二
    • 学会等名
      第5回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      大阪大学 銀杏会館
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] Fabrication of high Al content AlGaN MQWs on AlN/sapphire by MOVPE2013

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, F. Fukuyo, S. Ochiai, M. Takagi, K. Hiramatsu, H. Yoshida, Y.Kobayashi
    • 学会等名
      European Materials Research Society
    • 発表場所
      ストラスブール
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010
  • [学会発表] 昇華法AlN基板の表面処理とHVPE法によるホモエピタキシャル成長2013

    • 著者名/発表者名
      渡邉祥順、三宅秀人、平松和政、永田俊郎
    • 学会等名
      第5回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      大阪大学 銀杏会館
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] Reflectance Characteristics at the Interface of GaP and Au Contact and the Exciting of the Surface Plasmon Polariton2012

    • 著者名/発表者名
      Shohei Nakamura, Atsushi Motogaito, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      The 2nd International Symposium for Sustainability By Engineering at MIU
    • 発表場所
      三重大学
    • 年月日
      2012-11-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] 溝加工AlN基板上へのAlNのMOVPE成長におけるSiドーピング効果2012

    • 著者名/発表者名
      西尾剛, 楊士波, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] HVPE法AlN成長におけるボイドを用いた歪み・転位低減技術2012

    • 著者名/発表者名
      三宅秀人,平松和政
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会(招待講演)
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] サファイアナノ構造を用いた深紫外光取り出し効率の向上2012

    • 著者名/発表者名
      高木麻有奈, 落合俊介, 福世文嗣, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第42回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      九州大学 筑紫キャンパス
    • 年月日
      2012-11-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] 減圧HVPE法を用いた6H-SiC基板上へのAIN厚膜成長2012

    • 著者名/発表者名
      北川慎, 強力尚紀, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第42回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      九州大学 筑紫キャンパス
    • 年月日
      2012-11-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] Effect of dislocation blocking on HVPE-grown AIN using the grooved seed in triangle-shaped stripe2012

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, T. Nomura, and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      4th International Symposium on Growth of III-Nitrides
    • 発表場所
      Hotel≪Saint-Petersburg≫, St. Petersburg, Russia
    • 年月日
      2012-07-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] Investigation of the surface plasmon polariton excitation conditions at a metal-semiconductor contact interface by simulation of reflectance characteristics2012

    • 著者名/発表者名
      Atsushi Motogaito, Shohei Nakamura, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      JSAP-OSA Joint Symosia
    • 発表場所
      愛媛大学
    • 年月日
      2012-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] MOVPE法によるAlN成長におけるサファイア界面制御とTEM観察2012

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 楊士波, 三宅秀人, 平松和政, 桑原崇彰, 光原昌寿, 桑野範之
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Selective area growth of semipolar(20-21) and (20-2-1) GaN by MOVPE2012

    • 著者名/発表者名
      Daiki Jinno, Bei Ma, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター
    • 年月日
      2012-10-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] a面・n面サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長2012

    • 著者名/発表者名
      強力尚紀, 高木雄太, 三宅秀人, 平松和政,江龍修
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] AIN grown on a-plane and n-plane Sapphire by Low-pressure HVPE2012

    • 著者名/発表者名
      Naoki Goriki, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター
    • 年月日
      2012-10-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] Optical analysis of indium incorporation of micro-facets grown on nonpolar GaN bulk substrate2012

    • 著者名/発表者名
      B. Ma, D. Jinno, H. Miyake, and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      第31回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺
    • 年月日
      2012-07-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] 窒化物半導体における特異構造の理解と制御2012

    • 著者名/発表者名
      平松和政
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会(招待講演)
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] 溝加工AlN基板上へのAlNのMOVPE成長におけるSiドーピング効果2012

    • 著者名/発表者名
      西尾剛, 楊士波, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] 窒化物半導体における特異構造の理解と制御2012

    • 著者名/発表者名
      平松和政
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス(招待講演)
    • 年月日
      2012-03-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Si-doped AlGaN量子井戸構造の減圧MOVPE法による成長と発光特性2012

    • 著者名/発表者名
      落合俊介, 福世文嗣, 三宅秀人, 平松和政, 吉田治正, 小林祐二
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] a面・n面サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長2012

    • 著者名/発表者名
      強力尚紀, 高木雄太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] MOVPE Growth of GaN on Off-Angle Trench-Patterned GaN/Sapphire Templates2012

    • 著者名/発表者名
      Zhi Cai, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      The 2nd International Symposium for Sustainability By Engineering at MIU
    • 発表場所
      三重大学
    • 年月日
      2012-11-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] Thick AIN Growth on 6H-SiC Substrate by Hydride Vapor Phase Epitaxy2012

    • 著者名/発表者名
      Shin Kitagawa, Naoki Gouriki, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      The 2nd International Symposium for Sustainability By Engineering at MIU
    • 発表場所
      三重大学
    • 年月日
      2012-11-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] Epitaxy of AlGaN Multiple-Quantum Wells by MOVPE and Its Application of Ultraviolet Light Source2012

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, S.Ochiai1,Y.Shimahara, K. Hiramatsu, F.Fukuyo, H.Yoshida, Y.Kobayashi
    • 学会等名
      Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
    • 発表場所
      フロリダ
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010
  • [学会発表] HVPE法AlN成長におけるボイドを用いた歪み・転位低減技術2012

    • 著者名/発表者名
      三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス(招待講演)
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] 3C-SiC/Si基板上GaN成長におけるAlN中間層の効果2012

    • 著者名/発表者名
      高谷佳史, 方浩, 三宅秀人, 平松和政, 浅村英俊, 川村啓介, 奥秀彦
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] MOVPE法によるm面GaN自立基板上へのGaN選択成長2012

    • 著者名/発表者名
      神野大樹, Bei Ma, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] 金属 -半導体接触の界面における反射特性と伝搬型表面プラズモンポラリトンの励起2012

    • 著者名/発表者名
      中村 将平, 元垣内 敦司, 三宅 秀人, 平松 和政
    • 学会等名
      日本光学会年次学術講演会
    • 発表場所
      タワーホール船堀
    • 年月日
      2012-10-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] MOVPE法によるAlN成長におけるサファイア界面制御とTEM観察2012

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 楊士波, 三宅秀人, 平松和政, 桑原崇彰, 光原昌寿, 桑野範之
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用2012

    • 著者名/発表者名
      落合俊介、高木麻有奈、福世文嗣、三宅秀人、平松和政、小林祐二、吉田治正
    • 学会等名
      電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス、電子デバイス、電子部品・材料研究会
    • 発表場所
      大阪市立大学
    • 年月日
      2012-11-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] HVPE法AlN成長におけるボイドを用いた歪み・転位低減技術2012

    • 著者名/発表者名
      三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス(招待講演)
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Improvement of GaN Quality by Maskless Epitaxy of Lateral Overgrowth on 3C-SiC/Si substrates2012

    • 著者名/発表者名
      Hao Fang, Yoshifumi Takaya, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Hidetoshi Asamura, Keisuke Kawamura and Hidehiko Oku
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター
    • 年月日
      2012-10-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長2012

    • 著者名/発表者名
      神野大樹、岡田俊祐、三宅秀人、平松和政、江夏悠貴、長尾 哲
    • 学会等名
      電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス、電子デバイス、電子部品・材料研究会
    • 発表場所
      大阪市立大学
    • 年月日
      2012-11-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] Facet Structures of Selective-Area-Grown GaN on Semipolar(20-21) and (20-2-1) Substrates2012

    • 著者名/発表者名
      Shunsuke Okada, Daiki Jinno, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      The 2nd International Symposium for Sustainability By Engineering at MIU
    • 発表場所
      三重大学
    • 年月日
      2012-11-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] 半極性(20-21), (20-2-1)GaN基板上へのMOVPE法による選択成長2012

    • 著者名/発表者名
      神野大樹, Bei Ma,三宅秀人, 平松和政, 江夏悠貴, 長尾哲
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      松山大学
    • 年月日
      2012-09-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] 非極性自立GaN結晶のラマン散乱分光による評価2012

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ, 神野大樹, 三宅秀人, 平松和政, 播磨弘
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Deep-Ultraviolet Emission Si-doped AlGaN Excited by Electron Beam2011

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, Y.Shimahara, S.Ochiai, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2011)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2011-03-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Fabrication of crack-free thick AlN film on a-plane sapphire by low-pressure HVPE2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Takagi, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      第30回電子材料シンポジウム(EMS-30)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖
    • 年月日
      2011-06-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] 高Al組成AlGaN混晶薄膜の励起子分子結合エネルギー2011

    • 著者名/発表者名
      橘高亮, 武藤弘貴, 室谷英彰, 倉井聡, 山田陽一, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(予稿集DVD)
    • 年月日
      2011-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Deep-Ultraviolet Emission Si-doped AlGaN Excited by Electron Beam2011

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, Y.Shimahara, S.Ochiai, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2011)
    • 発表場所
      名古屋工業大学
    • 年月日
      2011-03-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] Raman analysis of HVPE-grown free-standing gallium nitride with various orientations2011

    • 著者名/発表者名
      Ma, B; Jinno, D; Miyake, H; Hiramatsu, K; Harima, H
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
    • 発表場所
      Scottish Exhibition and Conference Center(グラスゴー・イギリス)
    • 年月日
      2011-07-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] エッチピット法によるAlNエビタキシャル膜中の貫通転位の評価2011

    • 著者名/発表者名
      野村拓也、三宅秀人、平松和政、龍祐樹、桑原崇彰、桑野範之
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      京都大学桂キャンパス桂ホール
    • 年月日
      2011-11-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] Al_xGa_<1-x>N混晶の組成決定2011

    • 著者名/発表者名
      金廷坤, 木村篤人, 亀井靖人, 蓮池紀幸, 木曽田賢治, 播磨弘, 島原佑樹, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(予稿集DVD)
    • 年月日
      2011-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 250 nm emission from Si-doped AlGaN and its quantum wells upon excitation by electron beam2011

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, Y.Shimahara, S.Ochiai, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida, T.Fujita, T.Kuwahara, N.Kuwano
    • 学会等名
      The 5th Asia-pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2011)
    • 発表場所
      鳥羽国際ホテル
    • 年月日
      2011-05-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Influence of carrier gas and growth temperature on MOVPE growth of AlN2011

    • 著者名/発表者名
      Miyagawa, R; Yang, S; Miyake, H; Hiramatsu, K
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
    • 発表場所
      Scottish Exhibition and Conference Center(グラスゴー・イギリス)
    • 年月日
      2011-07-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] AlNのMOVPE成長におけるキャリアガスの影響2011

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 楊士波, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス
    • 年月日
      2011-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Influence of carrier gas and growth temperature on MOVPE growth of AlN2011

    • 著者名/発表者名
      Miyagawa, R; Yang, S; Miyake, H; Hiramatsu, K
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
    • 発表場所
      Scottish Exhibition and Conference Center(グラスゴー・イギリス)
    • 年月日
      2011-07-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] Raman scattering spectroscopy for epitaxial AlN films2011

    • 著者名/発表者名
      S.Yang, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
    • 学会等名
      SPIE Photonic West
    • 発表場所
      アメリカサンフランシスコ
    • 年月日
      2011-01-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] Raman scattering spectroscopy for epitaxial AlN films2011

    • 著者名/発表者名
      S.Yang, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
    • 学会等名
      SPIE Photonic West
    • 発表場所
      アメリカ サンフランシスコ
    • 年月日
      2011-01-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] 減圧HVPE法によるAlNホモエピタキシャル成長2011

    • 著者名/発表者名
      野村拓也, 奥村健太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修, 福山博之
    • 学会等名
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(予稿集DVD)
    • 年月日
      2011-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価2011

    • 著者名/発表者名
      楊士波、宮川鈴衣奈、三宅秀人、平松和政、播磨弘
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス、電子部品・材料、シリコン材料・デバイス研究会
    • 発表場所
      名古屋大学東山キャンパスベンチャービジネスラボラトリー
    • 年月日
      2011-05-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] 減圧HVPE法を用いたAlN成長における転位密度の低減2011

    • 著者名/発表者名
      野村拓也, 藤田浩平, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス
    • 年月日
      2011-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Study on interface for AlN growth on sapphire substrate2011

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, S.Yang, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      The 5th Asia-pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2011)
    • 発表場所
      鳥羽国際ホテル
    • 年月日
      2011-05-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] 深い溝加工の6H-SiC基板を用いた減圧HVPE法によるAlN成長2011

    • 著者名/発表者名
      強力尚紀、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第3回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      九州大学筑紫キャンパス
    • 年月日
      2011-06-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Fabrication of crack-free thick AlN film on a-plane sapphire by low-pressure HVPE2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Takagi, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      第30回電子材料シンポジウム(EMS-30)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖
    • 年月日
      2011-06-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Raman scattering spectroscopy of residual stresses in epitaxial AlN films2011

    • 著者名/発表者名
      S.Yang, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
    • 学会等名
      The 5th Asia-pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2011)
    • 発表場所
      鳥羽国際ホテル
    • 年月日
      2011-05-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] AlNのMOVPE成長におけるキャリアガスの影響2011

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 楊士波, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス
    • 年月日
      2011-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] 3C-SiC/Si基板上AlGaN-buffer層を用いたGaN成長の歪み制御2011

    • 著者名/発表者名
      高谷佳史、大内澄人、方浩、三宅秀人、平松和政、浅村英俊、川村啓介
    • 学会等名
      第3回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      九州大学筑紫キャンパス
    • 年月日
      2011-06-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] 溝加工AlN上でのMOVPE法におけるAlN成長速度の異方性2011

    • 著者名/発表者名
      楊士波, 宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス
    • 年月日
      2011-08-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Fabrication of crack-free thick AlN film on a-plane sapphire by lowpressure HVPE2011

    • 著者名/発表者名
      Takagi, Y Miyagawa, R Miyake, H Hiramatsu, K
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
    • 発表場所
      Scottish Exhibition and Conference Center(グラスゴー・イギリス)
    • 年月日
      2011-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] Fabrication of crack-free thick AlN film on a-plane sapphire by lowpressure HVPE2011

    • 著者名/発表者名
      Takagi, Y Miyagawa, R Miyake, H Hiramatsu, K
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
    • 発表場所
      Scottish Exhibition and Conference Center(グラスゴー・イギリス)
    • 年月日
      2011-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Ultraviolet light source using MOVPE grown Si-doped AlGaN on AlN/sapphire2011

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, Y. Shimahara, S. Ochiai, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka, H. Yoshida
    • 学会等名
      E-MRS Spring Meeting(招待講演)
    • 発表場所
      ニース(フランス)
    • 年月日
      2011-05-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] AlN homo-epitaxial growth on sublimation-AlN substrate by low-pressure HVPE2011

    • 著者名/発表者名
      T.Nomura, K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu, O.Eryuu, Y.Yamada
    • 学会等名
      SPIE Photonic West
    • 発表場所
      アメリカ サンフランシスコ
    • 年月日
      2011-01-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価2011

    • 著者名/発表者名
      野村拓也、三宅秀人、平松和政、龍祐樹、桑原崇彰、桑野範之
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      京都大学桂キャンパス桂ホール
    • 年月日
      2011-11-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] AlGaN系量子井戸構造の内部量子効率に対するSi添加効果2011

    • 著者名/発表者名
      赤瀬大貴, 室谷英彰, 穴井恒二, 倉井聡, 山田陽一, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(予稿集DVD)
    • 年月日
      2011-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Deep-Ultraviolet Emission Si-doped AlGaN Excited by Electron Beam2011

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, Y Shimahara, S.Ochiai, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2011)
    • 発表場所
      名古屋工業大学
    • 年月日
      2011-03-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Raman scattering spectroscopy of residual stresses in epitaxial AlN films2011

    • 著者名/発表者名
      S.Yang, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
    • 学会等名
      The 5th Asia-pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2011)
    • 発表場所
      鳥羽国際ホテル
    • 年月日
      2011-05-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] Deep-Ultraviolet Emission Si-doped AlGaN Excited by Electron Beam2011

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, Y. Shimahara, S. Ochiai, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka and H. Yoshida
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials(ISPlasma 2011)
    • 発表場所
      名古屋工業大学
    • 年月日
      2011-03-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Si-doped AlGaN多重量子井戸の作製と発光特性2011

    • 著者名/発表者名
      落合俊介, 島原佑樹, 三宅秀人, 平松和政, 福世文嗣, 岡田知幸, 高岡秀嗣, 吉田治正
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス
    • 年月日
      2011-08-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] AlN/サファイア上の低?中Al組成AlGaN層の成長過程と転位の挙動2011

    • 著者名/発表者名
      桑野範之, 藤田智彰, 桑原崇彰, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(予稿集DVD)
    • 年月日
      2011-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Fabrication and emission properties of Si-doped AlGaN multiple quantum wells2011

    • 著者名/発表者名
      S.Ochiai, Y.Shimahara, H.Miyake, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada
    • 学会等名
      第30回電子材料シンポジウム(EMS-30)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖
    • 年月日
      2011-06-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Al_xGa_<1-x>N膜におけるLOフォノン-プラズモン結合モードの観測2011

    • 著者名/発表者名
      木村篤人, 金廷坤, 亀井靖人, 蓮池紀幸, 木曽田賢治, 播磨弘, 島原佑樹, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(予稿集DVD)
    • 年月日
      2011-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] MOVPE法による選択成長を用いたGaN基板の反り制御2011

    • 著者名/発表者名
      大内澄人, 直井弘之, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(予稿集DVD)
    • 年月日
      2011-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] サファイア上へのAlN成長における界面層の評価(2)2011

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(予稿集DVD)
    • 年月日
      2011-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御2011

    • 著者名/発表者名
      大内澄人、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      電子情報通信学会 電子デバイス、電子部品・材料、シリコン材料・デバイス研究会
    • 発表場所
      名古屋大学東山キャンパスベンチャービジネスラボラトリー
    • 年月日
      2011-05-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] 非極性自立基板を用いたGaNホモエピタキシャル成長2011

    • 著者名/発表者名
      神野大樹, Bei Ma, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス
    • 年月日
      2011-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Effects of carrier gas and temperature on MOVPE growth of AlN2011

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, S.Yang, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      第30回電子材料シンポジウム(EMS-30)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖
    • 年月日
      2011-06-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] AlN homo-epitaxial growth on sublimation-AlN substrate by low-pressure HVPE2011

    • 著者名/発表者名
      T.Nomura, K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu, O.Eryuu, Y.Yamada
    • 学会等名
      SPIE Photonic West
    • 発表場所
      アメリカ サンフランシスコ
    • 年月日
      2011-01-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Study on interface for AlN growth on sapphire substrate2011

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, S.Yang, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      The 5th Asia-pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2011)
    • 発表場所
      鳥羽国際ホテル
    • 年月日
      2011-05-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] Si-doped AlGaN超格子の作製と発光評価2011

    • 著者名/発表者名
      三宅秀人, 島原佑樹, 落合俊介, 平松和政, 福世文嗣, 岡田知幸, 高岡秀嗣, 吉田治正, 桑野範之
    • 学会等名
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(予稿集DVD)
    • 年月日
      2011-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いたHVPE法によるAlN厚膜成長2011

    • 著者名/発表者名
      高木雄太、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス、電子部品・材料、シリコン材料・デバイス研究会
    • 発表場所
      名古屋大学東山キャンパスベンチャービジネスラボラトリー
    • 年月日
      2011-05-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] Distribution of three-dimensional local strain in thick AlN film grown on a trenchpatterned AlN/α-Al_2O_3 template2011

    • 著者名/発表者名
      原田進司, 渡邉翔太, 吉川純, 中村芳明, 酒井朗, 三宅秀人, 平松和政, 今井康彦, 木村滋, 坂田修
    • 学会等名
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(予稿集DVD)
    • 年月日
      2011-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 周期溝加工c面AlN/a面Sapphire上への減圧HVPE法によるAlN成長2011

    • 著者名/発表者名
      高木雄太, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(予稿集DVD)
    • 年月日
      2011-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/a面Sapphire上への厚膜AIN成長2011

    • 著者名/発表者名
      高木雄太, 宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス
    • 年月日
      2011-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] 減圧HVPE法によるAlNホモエピタキシャル成長2011

    • 著者名/発表者名
      野村拓也, 奥村健太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修, 福山博之
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 年月日
      2011-03-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] MOVPE法による選択成長を用いたGaN基板の反り制御2011

    • 著者名/発表者名
      大内澄人, 直井弘之, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(予稿集DVD)
    • 年月日
      2011-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御2011

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈、楊士波、三宅秀人、平松和政、桑原崇彰、桑野範之、光原昌寿
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      京都大学桂キャンパス桂ホール
    • 年月日
      2011-11-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] AlN/サファイア上の低?中Al組成AlGaN層の成長過程と転位の挙動2011

    • 著者名/発表者名
      桑野範之, 藤田智彰, 桑原崇彰, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 年月日
      2011-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] サファイア上へのAlN成長における界面層の評価(2)2011

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 年月日
      2011-03-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] AlN homo-epitaxial growth on sublimation-AlN substrate by low-pressure HVPE2011

    • 著者名/発表者名
      T.Nomura, K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu, O.Eryuu, Y.Yamada
    • 学会等名
      SPIE Photonic West
    • 発表場所
      アメリカサンフランシスコ
    • 年月日
      2011-01-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] Si-doped AlGaN超格子の作製と発光評価2011

    • 著者名/発表者名
      三宅秀人, 島原佑樹, 落合俊介, 平松和政, 福世文嗣, 岡田知幸, 高岡秀嗣, 吉田治正, 桑野範之
    • 学会等名
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(予稿集DVD)
    • 年月日
      2011-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価2011

    • 著者名/発表者名
      楊士波、宮川鈴衣奈、三宅秀人、平松和政、播磨弘
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス、電子部品・材料、シリコン材料・デバイス研究会
    • 発表場所
      名古屋大学東山キャンパスベンチャービジネスラボラトリー
    • 年月日
      2011-05-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Deep-Ultraviolet Emission Si-doped AlGaN Excited by Electron Beam2011

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, Y.Shimahara, S.Ochiai, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2011)
    • 発表場所
      名古屋工業大学
    • 年月日
      2011-03-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Raman scattering spectroscopy for epitaxial AlN films2011

    • 著者名/発表者名
      S.Yang, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
    • 学会等名
      SPIE Photonic West 2011
    • 発表場所
      San Francisco, CA, USA
    • 年月日
      2011-01-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Control of AlN buffer/sapphire substrate interface for AlN growth2011

    • 著者名/発表者名
      R. Miyagawa, S. Yang, H. Miyake, and K. Hiramatsu, H. Miyake, K. Okumura, T. Nomura, K. Hiramatsu and Y. Yamada
    • 学会等名
      7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Wakayama, Japan
    • 年月日
      2011-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] Ultraviolet light source using MOVPE grown Si-doped AlGaN on AlN/sapphire2011

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, Y.Shimahara, S.Ochiai, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
    • 学会等名
      E-MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      Congress Center(ニース、フランス)(招待講演)
    • 年月日
      2011-05-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] 無極性・半極性自立基板を用いたGaNホモエピタキシャル成長2011

    • 著者名/発表者名
      神野大樹、馬ベイ、方浩、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第3回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      九州大学筑紫キャンパス
    • 年月日
      2011-06-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] X線マイクロ回折を用いたGaN自立基板の格子面傾斜ゆらぎの解析2011

    • 著者名/発表者名
      渡邉翔大, 原田進司, Thanh Khan Dinh, 吉川純, 中村芳明, 三宅秀人, 平松和政, 今井康彦, 木村滋, 坂田修身, 酒井朗
    • 学会等名
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(予稿集DVD)
    • 年月日
      2011-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いたHVPE法によるAlN厚膜成長2011

    • 著者名/発表者名
      高木雄太、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      電子情報通信学会 電子デバイス、電子部品・材料、シリコン材料・デバイス研究会
    • 発表場所
      名古屋大学東山キャンパスベンチャービジネスラボラトリー
    • 年月日
      2011-05-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] 減圧HVPE法によるAlNホモエピタキシャル成長2011

    • 著者名/発表者名
      野村拓也, 奥村健太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修, 福山博之
    • 学会等名
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(予稿集DVD)
    • 年月日
      2011-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 周期溝加工c面AlN/a面Sapphire上への減圧HVPE法によるAlN成長2011

    • 著者名/発表者名
      高木雄太, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(予稿集DVD)
    • 年月日
      2011-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 深い溝加工の6H-SiC基板を用いた減圧HVPE法によるAlN成長2011

    • 著者名/発表者名
      強力尚紀、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第3回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      九州大学筑紫キャンパス
    • 年月日
      2011-06-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] Growth of High-Quality Si-Doped AlGaN by Low-Pressure Metalorganic Vapor Phase Ultraviolet Light Source using MOVPE grown Si-doped AlGaN on AlN/Sapphire2011

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, Y. Shimahara, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka, H. Yoshida
    • 学会等名
      E-MRS 2011 Spring Meeting
    • 発表場所
      Nice, France
    • 年月日
      2011-05-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] 溝加工AlN上でのMOVPE法におけるAlN成長速度の異方性2011

    • 著者名/発表者名
      楊士波,宮川鈴衣奈,三宅秀人,平松和政
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス
    • 年月日
      2011-08-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] 周期溝加工c面AlN/a面Sapphire上への減圧HVPE法によるAlN成長2011

    • 著者名/発表者名
      高木雄太, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 年月日
      2011-03-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] Effects of carrier gas and temperature on MOVPE growth of AlN2011

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, S.Yang, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      第30回電子材料シンポジウム(EMS-30)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖
    • 年月日
      2011-06-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Raman scattering spectroscopy for epitaxial AlN films2011

    • 著者名/発表者名
      S.Yang, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
    • 学会等名
      SPIE Photonic West
    • 発表場所
      アメリカ サンフランシスコ
    • 年月日
      2011-01-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] PETフィルム上バイナリ型回折凸レンズにおける緑色光の配光制御2011

    • 著者名/発表者名
      元垣内敦司, 荒川和哉, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(予稿集DVD)
    • 年月日
      2011-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/a面Sapphire上への厚膜AlN成長2011

    • 著者名/発表者名
      高木雄太, 宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス
    • 年月日
      2011-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] サファイア上へのAlN成長における界面層の評価(2)2011

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(予稿集DVD)
    • 年月日
      2011-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] 自立GaN結晶を用いたラマン散乱分光の面方位依存性2011

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ、神野大樹、三宅秀人、平松和政、播磨弘
    • 学会等名
      第3回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      九州大学筑紫キャンパス
    • 年月日
      2011-06-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御2011

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈、楊士波、三宅秀人、平松和政、桑原崇彰、桑野範之、光原昌寿
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      京都大学桂キャンパス桂ホール
    • 年月日
      2011-11-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Strain control of GaN grown on 3C-SiC/Si substrate using AlGaN buffer layer2011

    • 著者名/発表者名
      Fang, H; Takaya, Y; Ohuchi, S; Miyake, H; Hiramatsu, K; Asamura, H; Kawamura, K
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
    • 発表場所
      Scottish Exhibition and Conference Center(グラスゴー・イギリス)
    • 年月日
      2011-07-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] r面サファイア上a面GaN成長における反りのその場観察2010

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ, 三宅秀人, 平松和政, 播磨弘
    • 学会等名
      応用物理学会結晶工学分科会 年末講演会
    • 発表場所
      学習院創立百周年記念会館
    • 年月日
      2010-12-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] HVPE Growth of Thick AlN on Trench-Patterned Sapphire Substrate2010

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, K.Okuura, K.Fujita, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
    • 発表場所
      Montpellier,France
    • 年月日
      2010-07-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Fabrication of Deep Ultra-violet Light Source using AlGaN on AlN/sapphire2010

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, H.Taketomi, Y.Shimahara, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Semiconduct or Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    • 発表場所
      中国 北京(招待講演)
    • 年月日
      2010-05-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価2010

    • 著者名/発表者名
      楊士波, 宮川鈴衣奈, 張紀才, 三宅秀人, 平松和政, 播磨弘
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] Fabrication Deep-violet Light Source using MOVPE-grown Si-doped AlGaN2010

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, Y.Shimahara, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
    • 学会等名
      Korea-Japan Workshop on Semiconductor for Energy Saving and Harvesting
    • 発表場所
      韓国 ソウル(招待講演)
    • 年月日
      2010-10-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Fabrication of Deep Ultra-violet Light Source using AlGaN on AlN/sapphire2010

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, H.Taketomi, Y.Shimahara, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    • 発表場所
      中国 北京(招待講演)
    • 年月日
      2010-05-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Evidence for Movement of Threading Dislocations in GaN Thin Layers during the VPE Growth2010

    • 著者名/発表者名
      N.Kuwano, T.Fujita, T.Ezaki, R.Miyagawa, S.Ohuchi, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
    • 発表場所
      フランス モンペリエ
    • 年月日
      2010-07-05
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 短焦点距離バイナリ型回折レンズにおける回折効率の周期内凸部占有率依存性2010

    • 著者名/発表者名
      荒川和哉, 元垣内敦司, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      日本光学会年次学術講演会
    • 発表場所
      中央大学 駿河台記念館
    • 年月日
      2010-11-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] サファイア上へのAlN成長における界面層の評価2010

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] 陽電子消滅によるAlGaN中の欠陥評価2010

    • 著者名/発表者名
      上殿明良, 三宅秀人, 平松和政, 石橋章司
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(招待講演)
    • 年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 電子線励起による深紫外光源用Si-doped AlGaNの作製2010

    • 著者名/発表者名
      島原佑樹, 三宅秀人, 平松和政, 福世文嗣, 岡田知幸, 高岡秀嗣, 吉田治正
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長2010

    • 著者名/発表者名
      奥村建太, 野村拓也, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
    • 学会等名
      電子情報通信学会研究会電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      2010-11-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] MOVPE growth of Si-doped AlGaN and its application for ultra-violet light source2010

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, Y.Shimahara, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      10th Akasaki Research Center Symposium
    • 発表場所
      ルブラ王山(名古屋市)(招待講演)
    • 年月日
      2010-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] AlN Growth on Trench-Patterned AlN/Sapphire by Low-Pressure HVPE2010

    • 著者名/発表者名
      藤田浩平, 奥浦一輝, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
    • 学会等名
      IS Plasma 2010
    • 発表場所
      名城大学
    • 年月日
      2010-03-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] HVPE growth of crack-free thick AlN film on trench-patterned AlN template2010

    • 著者名/発表者名
      K.Fujita, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu, J.Norimatsu, H.Hirayama
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Semiconduct or Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    • 発表場所
      中国 北京
    • 年月日
      2010-05-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] Structural study of selective-area grown a-plane GaN2010

    • 著者名/発表者名
      B.Ma, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      第29回電子材料シンポジウム(EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺
    • 年月日
      2010-07-16
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] HVPE Growth of Thick AlN on Trench-Patterned Sapphire Substrate2010

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, K.Okuura, K.Fujita, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
    • 発表場所
      フランス モンペリエ
    • 年月日
      2010-07-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における界面制御2010

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Fabrication of Deep Ultra-violet Light Source using AlGaN on AlN/sapphire2010

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, H. Taketomi, Y. Shimahara, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka and H. Yoshida
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices(ISSLED2010)(招待講演)
    • 発表場所
      北京(中国)
    • 年月日
      2010-05-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Fabrication and characterization of binary diffractive lens with the 100μm-order-focal length2010

    • 著者名/発表者名
      A. Motogaito, K. Arakawa, Y. Nakayama, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      16th Microoptics Conference(MOC2010)
    • 発表場所
      新竹(台湾)
    • 年月日
      2010-11-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] HVPE growth of c-plane AlN on a-plane sapphire using high-temperature buffer layer2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Takagi, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      The 37th International Conference on Compound Semiconductors (ISCS2010)
    • 発表場所
      高松シンボルタワー
    • 年月日
      2010-06-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] サファイア基板上AlN成長における界面層評価2010

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 楊士波, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      応用物理学会結晶工学分科会 年末講演会
    • 発表場所
      学習院創立百周年記念会館
    • 年月日
      2010-12-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのAlN横方向成長2010

    • 著者名/発表者名
      藤田浩平, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Low Pressure HVPE Growth of AlN on 6H-SiC2010

    • 著者名/発表者名
      奥村建太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
    • 学会等名
      IS Plasma 2010
    • 発表場所
      名城大学
    • 年月日
      2010-03-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] Study on Light Control and LED Lighting Application2010

    • 著者名/発表者名
      K. Hiramatsu and A. Motogaito
    • 学会等名
      Korea-Japan Workshop on Semiconductor for Energy Saving and Harvesting(招待講演)
    • 発表場所
      ソウル(韓国)
    • 年月日
      2010-10-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] サファイア上へのAlN成長における界面層の評価2010

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] Growth of High-Quality AlN on a-Plane Sapphire by HVPE2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Takagi, J.Wu, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      IS Plasma 2010
    • 発表場所
      名城大学
    • 年月日
      2010-03-08
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Si-doped AlGaNのMOVPE成長と光学特性評価2010

    • 著者名/発表者名
      島原佑樹, 武富浩幸, 三宅秀人, 平松和政, 他4名
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学 (平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Fabrication of Deep Ultra-violer Light Source using AlGaN on AlN/sapphire2010

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, H.Taketomi, Y.Shimahara, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    • 発表場所
      中国 北京(招待講演)
    • 年月日
      2010-05-18
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 溝加工6H-SiC基板上への減圧HVPE法によるAlN成長2010

    • 著者名/発表者名
      奥村建太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学 (平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN2010

    • 著者名/発表者名
      藤田浩平, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会研究会 電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      2010-11-11
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Interface Control of AlN Buffer and Sapphire Substrate for AlN Growth2010

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, S.Yang, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN-2010)
    • 発表場所
      アメリカ タンパ
    • 年月日
      2010-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] AIN Growth on Trench-Patterned AlN/Sapphire by Low-Pressure HVPE2010

    • 著者名/発表者名
      K.Fujita, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu, J.Norimatsu, H.Hirayama
    • 学会等名
      IS Plasma 2010
    • 発表場所
      名城大学
    • 年月日
      2010-03-08
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Study on AlN buffer layer for AlN growth on sapphire substrate by MOVPE2010

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      第29回電子材料シンポジウム(EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺
    • 年月日
      2010-07-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] HVPE growth of AlN on trench-patterned 6H-SiC substrates2010

    • 著者名/発表者名
      K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu, O.Eryu
    • 学会等名
      The 37th International Conference on Compound Semiconductors (ISCS2010)
    • 発表場所
      高松シンボルタワー
    • 年月日
      2010-06-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] Study on Light Control and LED Lighting Application2010

    • 著者名/発表者名
      K.Hiramatsu, A.Motogaito
    • 学会等名
      Korea-Japan Workshop on Semiconductor for Energy Saving and Harvesting
    • 発表場所
      韓国 ソウル(招待講演)
    • 年月日
      2010-10-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Low Pressure HVPE Growth of AIN on 6H-SiC2010

    • 著者名/発表者名
      奥村建太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
    • 学会等名
      IS Plasma 2010
    • 発表場所
      名城大学
    • 年月日
      2010-03-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Fabrication of Deep Ultra-violet Light Source using AlGaN on AlN/sapphire2010

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, H. Taketomi, Y. Shimahara, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka and H. Yoshida
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 年月日
      2010-05-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] Fabrication of Deep Ultra-violet Light Source using AlGaN on AlN/sapphire2010

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, H.Taketomi, Y.Shimahara, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    • 発表場所
      Beijing, China(招待講演)
    • 年月日
      2010-05-18
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価2010

    • 著者名/発表者名
      楊士波, 宮川鈴衣奈, 張紀才, 三宅秀人, 平松和政, 播磨弘
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Stress Analysis of a-plane GaN Grown on r-plane Sapphire Substrates2010

    • 著者名/発表者名
      B.Ma, J.Zhang, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN-2010)
    • 発表場所
      アメリカ タンパ
    • 年月日
      2010-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Fabrication Deep-violet Light Source using MOVPE-grown Si-doped AlGaN2010

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, Y. Shimahara, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka and H. Yoshida
    • 学会等名
      Korea-Japan Workshop on Semiconductor for Energy Saving and Harvesting
    • 発表場所
      Seoul Korea
    • 年月日
      2010-10-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] 高Al組成を有するAl_xGa_<1-x>Nの深い電子準位の評価2010

    • 著者名/発表者名
      奥崎慎也, 菅原克也, 武富浩幸, 三宅秀人, 平松和政, 橋詰保
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] MOVPE growth of Si-doped AlGaN and its application for ultra-violet light source2010

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, Y.Shimahara, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      10th Akasaki Research Center Symposium
    • 発表場所
      ルブラ王山(名古屋市)(招待講演)
    • 年月日
      2010-11-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 昇華法AlN基板上への減圧HVPE法によるAlNホモエピタキシャル成長2010

    • 著者名/発表者名
      野村拓也, 奥村建太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修, 山田陽一
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] HVPE Growth of Thick AlN on Trench-Patterned Sapphire Substrate2010

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, K.Okuura, K.Fujita, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
    • 発表場所
      フランスモンペリエ
    • 年月日
      2010-07-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] Growth of High-Quality AlN on a-Plane Sapphire by HVPE2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Takagi, J.Wu, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      IS Plasma 2010
    • 発表場所
      名城大学
    • 年月日
      2010-03-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] AlN Growth on Trench-Patterned AlN/Sapphire by Low-Pressure HVPE2010

    • 著者名/発表者名
      藤田浩平, 奥浦一輝, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
    • 学会等名
      IS Plasma 2010
    • 発表場所
      名城大学
    • 年月日
      2010-03-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Al_xGa_<1-x>N膜組成とバンドギャップ変化の分光評価2010

    • 著者名/発表者名
      木村篤人, 金廷坤, 亀井靖人, 蓮池紀幸, 木曽田賢治, 播磨弘, 島原佑樹, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Optical Polarization Properties of Si-doped AlGaN Ternary Alloy Epitaxial Layers2010

    • 著者名/発表者名
      H.Murotani, R.Kittaka, S.Kurai, Y.Yamada, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN-2010)
    • 発表場所
      アメリカ タンパ
    • 年月日
      2010-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] r面サファイア上a面GaNの反り異方性2010

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ, 張紀才, 三宅秀人, 平松和政, 播磨弘
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] AlGaN混晶の広領域での複素屈折率2010

    • 著者名/発表者名
      岩井浩紀, 小田哲, 福井一俊, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価2010

    • 著者名/発表者名
      楊士波, 宮川鈴衣奈, 張紀才, 三宅秀人, 平松和政, 播磨弘
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] LEDの配光制御とLED照明応用2010

    • 著者名/発表者名
      元垣内敦司、平松和政
    • 学会等名
      日本学術振興会真空ナノエレクトロニクス第158委員会第83回研究会(招待講演)
    • 発表場所
      三重大学工学部
    • 年月日
      2010-06-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] 電子線励起法による深紫外光源用Si-doped AlGaNの作製と特性評価2010

    • 著者名/発表者名
      島原佑樹, 三宅秀人, 平松和政, 福世文嗣, 岡田知幸, 高岡秀嗣, 吉田治正
    • 学会等名
      電子情報通信学会研究会 電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      2010-11-11
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Growth of High-Quality AlN on a-Plane Sapphire by HVPE2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Takagi, J.Wu, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      IS Plasma 2010
    • 発表場所
      名城大学
    • 年月日
      2010-03-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における界面制御2010

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学 (平塚市)
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Low Pressure HVPE Growth of AlN on 6H-SiC2010

    • 著者名/発表者名
      K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu, O.Eryuu
    • 学会等名
      IS Plasma 2010
    • 発表場所
      名城大学
    • 年月日
      2010-03-08
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN2010

    • 著者名/発表者名
      藤田浩平, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会研究会電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      2010-11-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] AlN/サファイア上AlGaN層の成長過程と貫通転位の挙動2010

    • 著者名/発表者名
      桑野範之, 藤田智彰, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(招待講演)
    • 年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] HVPE growth of crack-free thick AlN film on trench-patterned AlN template2010

    • 著者名/発表者名
      K.Fujita, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu, J.Norimatsu, H.Hirayama
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    • 発表場所
      中国 北京
    • 年月日
      2010-05-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Deep-ultraviolet luminescence from Si-doped AlGaN grown by low-pressure MOVPE2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Shimahara, H.Taketomi, H.Miyake, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    • 発表場所
      中国 北京
    • 年月日
      2010-05-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長2010

    • 著者名/発表者名
      奥村建太, 野村拓也, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
    • 学会等名
      電子情報通信学会研究会 電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      2010-11-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長2010

    • 著者名/発表者名
      奥村建太, 野村拓也, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
    • 学会等名
      電子情報通信学会研究会 電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      2010-11-11
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] LEDの配光制御とLED照明応用2010

    • 著者名/発表者名
      元垣内敦司、平松和政
    • 学会等名
      日本学術振興会真空ナノエレクトロニクス第158委員会 第83回研究会
    • 発表場所
      三重大学工学部(招待講演)
    • 年月日
      2010-06-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] HVPE growth of c-plane AlN on a-plane sapphire using high-temperature buffer layer2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Takagi, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      The 37th International Conference on Compound Semiconductors (ISCS2010)
    • 発表場所
      高松シンボルタワー
    • 年月日
      2010-06-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Recombination Dynamics of Localized Excitons in Al_xGa_<1-x>N (0.37<x<0.81) Ternary Alloys2010

    • 著者名/発表者名
      H.Murotani, R.Kittaka, S.Kurai, Y.Yamada, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN-2010)
    • 発表場所
      アメリカ タンパ
    • 年月日
      2010-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 昇華法AlN基板上への減圧HVPE法によるAlNホモエピタキシャル成長2010

    • 著者名/発表者名
      野村拓也, 奥村建太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修, 山田陽一
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] Fabrication and characterization of binary diffractive lens with the 100μm-order-focal length2010

    • 著者名/発表者名
      A.Motogaito, K.Arakawa, Y.Nakayama, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      16^<th> Microoptics Conference (MOC2010)
    • 発表場所
      台湾 新竹
    • 年月日
      2010-11-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] 電子線励起による深紫外光源用Si-doped AlGaNの作製2010

    • 著者名/発表者名
      島原佑樹, 三宅秀人, 平松和政, 福世文嗣, 岡田知幸, 高岡秀嗣, 吉田治正
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] HVPE growth of AlN on trench-patterned 6H-SiC substrates2010

    • 著者名/発表者名
      K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu, O.Eryu
    • 学会等名
      The 37th International Conference on Compound Semiconductors (ISCS2010)
    • 発表場所
      高松シンボルタワー
    • 年月日
      2010-06-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] 選択成長により形成されたボイドを利用したGaN膜の反り制御2010

    • 著者名/発表者名
      大内澄人, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Stress Analysis of a-plane GaN Grown on r-plane Sapphire Substrates2010

    • 著者名/発表者名
      B.Ma, J.Zhang, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN-2010)
    • 発表場所
      アメリカ タンパ
    • 年月日
      2010-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] サファイア基板上AlN成長における界面層評価2010

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 楊士波, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      応用物理学会結晶工学分科会 年末講演会
    • 発表場所
      学習院創立百周年記念会館
    • 年月日
      2010-12-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Si-doped AlGaNのMOVPE成長と光学特性評価2010

    • 著者名/発表者名
      島原佑樹, 武富浩幸, 三宅秀人, 平松和政, 他4名
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] AlNのサファイア上AlGaN層の成長過程と貫通転位の挙動2010

    • 著者名/発表者名
      桑野範之, 藤田智彰, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] Fabrication Deep-violet Light Source using MOVPE-grown Si-doped AlGaN2010

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, Y. Shimahara, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka and H. Yoshida
    • 学会等名
      Korea-Japan Workshop on Semiconductor for Energy Saving and Harvesting(招待講演)
    • 発表場所
      ソウル(韓国)
    • 年月日
      2010-10-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] HVPE Growth of Thick AlN on Trench-Patterned Sapphire Substrate2010

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, K.Okuura, K.Fujita, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
    • 発表場所
      フランス モンペリエ
    • 年月日
      2010-07-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] AlGaN混晶薄膜における偏光特性のSi濃度依存性2010

    • 著者名/発表者名
      室谷英彰, 橘高亮, 武藤弘貴, 倉井聡, 山田陽一, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 短焦点距離バイナリ型回折レンズの構造最適化2010

    • 著者名/発表者名
      荒川和哉、中山裕次、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第35回光学シンポジウム
    • 発表場所
      東京大学 生産技術研究所
    • 年月日
      2010-07-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Fabrication Deep-violet Light Source using MOVPE-grown Si-doped AlGaN2010

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, Y.Shimahara, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
    • 学会等名
      Korea-Japan Workshop on Semiconductor for Energy Saving and Harvesting
    • 発表場所
      韓国ソウル(招待講演)
    • 年月日
      2010-10-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] Interface Control of AlN Buffer and Sapphire Substrate for AlN Growth2010

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, S.Yang, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN-2010)
    • 発表場所
      アメリカ タンパ
    • 年月日
      2010-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Deep-ultraviolet luminescence from Si-doped AlGaN grown by low-pressure MOVPE2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Shimahara, H.Taketomi, H.Miyake, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Semiconduct or Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    • 発表場所
      中国 北京
    • 年月日
      2010-05-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 選択成長により形成されたボイドを利用したGaN膜の反り制御2010

    • 著者名/発表者名
      大内澄人, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] 選択成長を用いて形成したボイドによるGaN膜の反り制御2010

    • 著者名/発表者名
      大内澄人, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      応用物理学会結晶工学分科会 年末講演会
    • 発表場所
      学習院創立百周年記念会館
    • 年月日
      2010-12-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] サファイア上へのAlN成長における界面層の評価2010

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 選択成長を用いて形成したボイドによるGaN膜の反り制御2010

    • 著者名/発表者名
      大内澄人, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      応用物理学会結晶工学分科会 年末講演会
    • 発表場所
      学習院創立百周年記念会館
    • 年月日
      2010-12-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Interface Control of AlN Buffer and Sapphire Substrate for AlN Growth2010

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, S.Yang, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN-2010)
    • 発表場所
      アメリカタンパ
    • 年月日
      2010-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] Fabrication of 247nm Light-Source Using AlGaN on AlN/Sapphire2010

    • 著者名/発表者名
      島原佑樹, 武富浩幸, 三宅秀人, 平松和政, et al.
    • 学会等名
      IS Plasma 2010
    • 発表場所
      名城大学
    • 年月日
      2010-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] AlGaN混晶薄膜の励起スペクトル2010

    • 著者名/発表者名
      橘高亮, 室谷英彰, 武藤弘貴, 倉井聡, 山田陽一, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] HVPE growth of crack-free thick AlN film on trench-patterned AlN template2010

    • 著者名/発表者名
      K.Fujita, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu, J.Norimatsu, H.Hirayama
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    • 発表場所
      中国 北京
    • 年月日
      2010-05-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 昇華法AlN基板上への減圧HVPE法によるAlNホモエピタキシャル成長2010

    • 著者名/発表者名
      野村拓也, 奥村建太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修, 山田陽一
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] サファイア基板上AlN成長における界面層評価2010

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 楊士波, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      応用物理学会結晶工学分科会年末講演会
    • 発表場所
      学習院創立百周年記念会館
    • 年月日
      2010-12-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] 電子線励起による深紫外光源の開発2010

    • 著者名/発表者名
      福世文嗣, 岡田知幸, 高岡秀嗣, 吉田治正, 島原佑樹, 武富浩幸, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(招待講演)
    • 年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 電子線励起法による深紫外光源用Si-doped AlGaNの作製と特性評価2010

    • 著者名/発表者名
      島原佑樹, 三宅秀人, 平松和政, 福世文嗣, 岡田知幸, 高岡秀嗣, 吉田治正
    • 学会等名
      電子情報通信学会研究会 電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      2010-11-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Fabrication Deep-violet Light Source using MOVPE-grown Si-doped AlGaN2010

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, Y.Shimahara, K.Hiramatsu, F Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
    • 学会等名
      Korea-Japan Workshop on Semiconductor for Energy Saving and Harvesting
    • 発表場所
      韓国 ソウル(招待講演)
    • 年月日
      2010-10-11
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 溝加工6H-SiC基板上への減圧HVPE法によるAlN成長2010

    • 著者名/発表者名
      奥村建太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのAlN横方向成長2010

    • 著者名/発表者名
      藤田浩平, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] HVPE growth of c-plane AlN on a-plane sapphire using high-temperature buffer layer2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Takagi, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      The 37th International Conference on Compound Semiconductors (ISCS2010)
    • 発表場所
      高松シンボルタワー
    • 年月日
      2010-06-02
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] r面サファイア上a面GaNの反り異方性2010

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ, 張紀才, 三宅秀人, 平松和政, 播磨弘
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのAlN横方向成長2010

    • 著者名/発表者名
      藤田浩平, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Study on AlN buffer layer for AlN growth on sapphire substrate by MOVPE2010

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      第29回電子材料シンポジウム(EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺
    • 年月日
      2010-07-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] r面サファイア上a面GaN成長における反りのその場観察2010

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ, 三宅秀人, 平松和政, 播磨弘
    • 学会等名
      応用物理学会結晶工学分科会 年末講演会
    • 発表場所
      学習院創立百周年記念会館
    • 年月日
      2010-12-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] HVPE growth of AlN on trench-patterned 6H-SiC substrates2010

    • 著者名/発表者名
      K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu, O.Eryu
    • 学会等名
      The 37th International Conference on Compound Semiconductors (ISCS2010)
    • 発表場所
      高松シンボルタワー
    • 年月日
      2010-06-04
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN2010

    • 著者名/発表者名
      藤田浩平, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会研究会 電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      2010-11-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Study on AlN buffer layer for AlN growth on sapphire substrate by MOVPE2010

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      第29回電子材料シンポジウム(EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺
    • 年月日
      2010-07-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 溝加工6H-SiC基板上への減圧HVPE法によるAlN成長2010

    • 著者名/発表者名
      奥村建太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学 (平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] Structural study of selective-area grown a-plane GaN2010

    • 著者名/発表者名
      B.Ma, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      第29回電子材料シンポジウム(EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺
    • 年月日
      2010-07-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Deep-ultraviolet luminescence from Si-doped AlGaN grown by low-pressure MOVPE2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Shimahara, H.Taketomi, H.Miyake, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    • 発表場所
      中国 北京
    • 年月日
      2010-05-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Fabrication of 247 nm Light-Source Using AlGaN on AlN/Sapphire2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Shimahara, H.Taketomi, H.Miyake, K.Hiramatsu, et al.
    • 学会等名
      IS Plasma 2010
    • 発表場所
      名城大学
    • 年月日
      2010-03-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Effects of r-plane sapphire nitridation on a-plane GaN grown by MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      B.Ma, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      Asia-Pacific Workshop on wide gap Semiconductors (APWS 2009)
    • 発表場所
      張家界(中国)
    • 年月日
      2009-05-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 減圧HVPE法による溝加工基板上へのAlN成長2009

    • 著者名/発表者名
      奥浦一輝、藤田浩平、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2009-11-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 周期溝加工基板を用いた減圧HVPE法によるAlN厚膜成長2009

    • 著者名/発表者名
      平松和政, 三宅秀人, 奥浦一輝, 桑野範之
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] HVPE growth of AlN on trench patterned sapphire2009

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, Y. Katagiri, K. Okuura and K.Hiramatsu
    • 学会等名
      SPIE Photonic West
    • 発表場所
      San Jose, USA
    • 年月日
      2009-01-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [学会発表] MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長2009

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ, 宮川鈴衣奈, 胡衛国, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      電子情報通信学会 電子デバイス電子部品・材料シリコン材料・デバイス研究会
    • 発表場所
      豊橋技術科学大学
    • 年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Influence of off-cut angle of sapphire on the crystal quality of nonpolara-plane AlN by LP-HVPE2009

    • 著者名/発表者名
      J.Wu, Y.Katagiri, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      Asia-Pacific Workshop on wide gap Semiconductors (APWS 2009)
    • 発表場所
      張家界 (中国)
    • 年月日
      2009-05-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] MOVPE法による高温AlN成長2009

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2009-11-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] HVPE growth of AlN on trench patterned sapphire2009

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, Y.Katagiri, K.Okuura, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      SPIE Photonic West
    • 発表場所
      San Jose, CA, USA(招待講演)
    • 年月日
      2009-01-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] MOVPE法を用いたa面GaNの選択成長2009

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ、胡衛国、宮川鈴衣奈、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2009-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] The In-Plane Anisotropic and Polarized Raman-Active Modes Studies of Nonpolar AlN Grown on 6H-SiC by Low-Pressure HVPE2009

    • 著者名/発表者名
      J.Wu, K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      済州島 (韓国)
    • 年月日
      2009-10-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] 高Al組成AlGaNのAlN/sapphire上へのMOVPE成長と発光特性2009

    • 著者名/発表者名
      島原佑樹、武富浩幸、三宅秀人、平松和政, 他4名
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] MOVPE法を用いたa面GaNの選択成長2009

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ, 胡衛国, 宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2009-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAIN成長2009

    • 著者名/発表者名
      藤田浩平、奥浦一一輝、三宅秀人、平松和政、乗松潤、平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      徳島大学
    • 年月日
      2009-11-20
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 窒化物半導体のMOVPE成長におけるその場観察2009

    • 著者名/発表者名
      生川満久, 西村将太, 小川原悠哉, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第1回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東京農工大学
    • 年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] HVPE growth of AlN on trench patterned sapphire(招待講演)2009

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, Y. Katagiri, K. Okuura and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      SPIE Photonic West
    • 年月日
      2009-01-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長2009

    • 著者名/発表者名
      藤田浩平, 奥浦一輝, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] In situ monitoring on MOVPE growth of nitride semiconductors2009

    • 著者名/発表者名
      生川満久, 西村将太, 小川原悠哉, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第28回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖 (滋賀県守山市)
    • 年月日
      2009-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Mobility enhancement in MOVPE-grown AlGaN/AlN/GaN HEMT structures2009

    • 著者名/発表者名
      W.Hu, B.Ma, D.Li, R.Miyagawa, M.Narukawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      Asia-Pacific Workshop on wide gap Semiconductors (APWS 2009)
    • 発表場所
      張家界 (中国)
    • 年月日
      2009-05-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] r面サファイア上へのMOVPE法によるa面AlN, AlGaN成長2009

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第1回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東京農工大学
    • 年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] AlN/sapphhle上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性2009

    • 著者名/発表者名
      島原佑樹、武富浩幸、三宅秀人、平松和政, 他4名
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      徳島大学
    • 年月日
      2009-11-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 減圧HVPE法による溝加工基板上へのAlN成長2009

    • 著者名/発表者名
      奥浦一輝, 藤田浩平, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2009-11-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] The In-Plane Anisotropic and Polarized Raman-Active Modes Studies of Nonpolar AIN Grown on 6H-SiC by Low-Pressure HVPE2009

    • 著者名/発表者名
      J.Wu, K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semi conductors
    • 発表場所
      済州島(韓国)
    • 年月日
      2009-10-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] MOVPE Growth of AlGaN with AlN Mole-Fractiom Control Layer2009

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, H. Taketomi, Y. Shimahara, K. Hiramatsu, et al.
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(招待講演)
    • 発表場所
      済州島(韓国)
    • 年月日
      2009-10-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] A-Plane AlN and AlGaN Growth on R-Plane Sapphire by MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      済州島(韓国)
    • 年月日
      2009-10-22
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 減圧HVPE法による溝加工基板上へのAlN成長2009

    • 著者名/発表者名
      奥浦一輝, 藤田浩平, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2009-11-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] MOVPE Growth of AlGaN with AlN Mole-Fractiom Control Layer2009

    • 著者名/発表者名
      三宅秀人, 武富浩幸, 島原佑樹, 平松和政, et al.
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      済州島 (韓国)
    • 年月日
      2009-10-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] 減圧HVPE法による6H-SiC上へのAlN成長2009

    • 著者名/発表者名
      奥村建太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2009-11-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] MOVPE法による高温AlN成長2009

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2009-11-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 加工サファイア基板上へのMOVPE法によるGaN成長における反射・反りのその場観察2009

    • 著者名/発表者名
      西村将太、生川光久、三宅秀人、平松和政、深野敦之、谷口豊
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Low-Pressure HVPE growth of thick AlN on trench patterned Sapphire substrate2009

    • 著者名/発表者名
      K. Okuura, Y. Katagiri, H. Miyake and K.Hiramatsu
    • 学会等名
      First International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications
    • 発表場所
      名古屋
    • 年月日
      2009-03-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [学会発表] 高Al組成AlGaNのAlN/sapphire 上へのMOVPE成長と発光特性2009

    • 著者名/発表者名
      島原佑樹, 武富浩幸, 三宅秀人, 平松和政, 他4名
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] 減圧HVPE法による6H-SiC上へのAlN成長2009

    • 著者名/発表者名
      奥村建太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2009-11-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] 窒化物半導体のMOVPE成長におけるその場観察2009

    • 著者名/発表者名
      生川満久、西村将太、小川原悠哉、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第1回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東京農工大学
    • 年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] The In-Plane Anisotropic and Polarized Raman-Active Modes Studies of Nonpolar AlN Grown on 6H-SiC by Low-Pressure HVPE2009

    • 著者名/発表者名
      J.Wu, K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semi conductors
    • 発表場所
      済州島 (韓国)
    • 年月日
      2009-10-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長2009

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ、宮川鈴衣奈、胡衛国、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス電子部品・材料シリコン材料・デバイス研究会
    • 発表場所
      豊橋技術科学大学
    • 年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長2009

    • 著者名/発表者名
      藤田浩平、奥浦一輝、三宅秀人、平松和政、乗松潤、平山秀樹
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] HVPE growth of AlN on trench pat terned sapphire(招待講演)2009

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, Y. Katagiri, K. Okuura, K. Hiramatsu
    • 学会等名
      SPIE Photonic West
    • 発表場所
      San Jose, CA, USA
    • 年月日
      2009-01-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [学会発表] 電子線励起によるAlGaNを用いた深紫外光源2009

    • 著者名/発表者名
      武富浩幸, 島原佑樹, 三宅秀人, 平松和政, 他4名
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] The In-Plane Anisotropic and Polarized Raman-Active Modes Studies of Nonpolar AlN Grown on 6H-SiC by Low-Pressure HVPE2009

    • 著者名/発表者名
      J.Wu, K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 年月日
      2009-10-19
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] r面サファイア上へのMOVPE法によるa面AlN、 AlGaN成長2009

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第1回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東京農工大学
    • 年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 減圧HVPE法による6H-SiC上へのAlN成長2009

    • 著者名/発表者名
      奥村建太、三宅秀人、平松和政、江龍修
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2009-11-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] MOVPE Growth of AlGaN with AlN Mole-Fractiom Control Layer2009

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, H.Taketomi, Y.Shimahara, K.Hiramatsu, et al.
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semi conductors
    • 発表場所
      済州島(韓国)
    • 年月日
      2009-10-21
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長2009

    • 著者名/発表者名
      藤田浩平, 奥浦一輝, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21560014
  • [学会発表] 電子線励起によるAlGaNを用いた深紫外光源2009

    • 著者名/発表者名
      武富浩幸、島原佑樹、三宅秀人、平松和政, 他4名
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長2009

    • 著者名/発表者名
      藤田浩平, 奥浦一輝, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会 電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      徳島大学
    • 年月日
      2009-11-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Mobility enhancement in MOVPE-grown AlGaN/AlN/GaN HEMT structures2009

    • 著者名/発表者名
      W.Hu, B.Ma, D.Li, R.Miyagawa, M.Narukawa, H.Miyake K.Hiramatsu
    • 学会等名
      Asia-Pacific Workshop on wide gap Semiconductors (APWS 2009)
    • 発表場所
      張家界(中国)
    • 年月日
      2009-05-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] In situ monitoring on MOVPE growth of nitride semiconductors2009

    • 著者名/発表者名
      M. Narukawa, Y. Ogawahara, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      First International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications
    • 発表場所
      名古屋
    • 年月日
      2009-03-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [学会発表] Influence of off-cut angle of sapphire on the crystal quality of nonpolara-plane AIN by LP-HVPE2009

    • 著者名/発表者名
      J.Wu, Y.Katagiri, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      Asia-Pacific Workshop on wide gap Semiconductors (APWS 2009)
    • 発表場所
      張家界(中国)
    • 年月日
      2009-05-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Control of Facet Structures in Selective Area Growth (SAG) of a-plane GaN by MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      B.Ma, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      ボストン(米国)
    • 年月日
      2009-12-01
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光2009

    • 著者名/発表者名
      武富浩幸、三宅秀人、平松和政, 他4名
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス電子部品・材料シリコン材料・デバイス研究会
    • 発表場所
      豊橋技術科学大学(豊橋市)
    • 年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Growth of High Quality c-plane AlN on a-plane Sapphire2009

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, J.Wu, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      ボストン (米国)
    • 年月日
      2009-12-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] 周期溝加工基板を用いた減圧HVPE法によるAlN厚膜成長2009

    • 著者名/発表者名
      平松和政、三宅秀人、奥浦一輝、桑野範之
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] A-Plane AlN and AlGaN Growth on R-Plane Sapphire by MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      済州島 (韓国)
    • 年月日
      2009-10-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Control of Facet Structures in Selective Area Growth (SAG) of a-plane GaN by MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ, 宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      ボストン (米国)
    • 年月日
      2009-12-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] AlN/sapphire 上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光2009

    • 著者名/発表者名
      武富浩幸, 三宅秀人, 平松和政, 他4名
    • 学会等名
      電子情報通信学会 電子デバイス電子部品・材料シリコン材料・デバイス研究会
    • 発表場所
      豊橋技術科学大学 (豊橋市)
    • 年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] 加工サファイア基板上へのMOVPE法によるGaN成長における反射・反りのその場観察2009

    • 著者名/発表者名
      西村将太, 生川光久, 三宅秀人, 平松和政, 深野敦之, 谷口豊
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] Effects of r-plane sapphire nitridation on a-plane GaN grown by MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      Asia-Pacific Workshop on wide gap Semiconductors (APWS 2009)
    • 発表場所
      張家界 (中国)
    • 年月日
      2009-05-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] AlN/sapphire 上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性2009

    • 著者名/発表者名
      島原佑樹, 武富浩幸, 三宅秀人, 平松和政, 他4名
    • 学会等名
      電子情報通信学会 電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      徳島大学
    • 年月日
      2009-11-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360007
  • [学会発表] MOVPE Growth of AlGaN with AlN Mole-Fractiom Control Layer2009

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, H.Taketomi, Y.Shimahara, K.Hiramatsu, et al.
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 年月日
      2009-10-21
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] In situ monitoring on MOVPE growth of nitride semiconductors2009

    • 著者名/発表者名
      M.Narukawa, S.Nishimura, Y.Ogawahara, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      第28回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県守山市)
    • 年月日
      2009-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Growth of High Quality c-plane AlN on a-plane Sapphire2009

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, J.Wu, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      ボストン(米国)
    • 年月日
      2009-12-01
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] ファセット制御ELO法による窒化物半導体のエピタキシャル成長2008

    • 著者名/発表者名
      三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      日本学術振興会マイクロビームアナリシス第141委員会
    • 発表場所
      三重大学(招待講演)
    • 年月日
      2008-05-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Growth of crack-free AlGaN on selective area growth GaN2008

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, N. Masuda, Y. Ogawahara, M. Narukawa, K. Hiramatsu et al.
    • 学会等名
      14th International Conference on Metalorganic vapor phase epitaxy
    • 年月日
      2008-06-04
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] HVPE Growth of Crack-free Thick AlN Using Strain-Contrkl Technique2008

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, Y. Katagiri, S. Kishino, K. Okuura, K. Hiramatsu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
    • 発表場所
      Montreux, Swiss
    • 年月日
      2008-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [学会発表] The effects of growth temperature on the properties of nonpolar a-plane AlN by LP-HVPE2008

    • 著者名/発表者名
      J. Wu, Y. Katagiri, K. Okuura, D. Li, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
    • 発表場所
      Montreux, Switzerland
    • 年月日
      2008-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [学会発表] Fabrication of the binary blazed diffractive lens for controlling the luminous intensity distribution of LED light2008

    • 著者名/発表者名
      A. Motogaito, N. Machida, T. Morikawa, K. Manabe, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      6th International Conference on Optics-photonics Design & Fabrication
    • 発表場所
      Taipei, Taiwan
    • 年月日
      2008-06-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [学会発表] HVPE Growth of Crack-free Thick AlN Using Strain-Control Technique2008

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, Y. Katagiri, S. Kishino, K. Okuura, and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
    • 年月日
      2008-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Fabrication of the binary blazeddiffractiveeens for controling the luminous intensity distribution of LED light2008

    • 著者名/発表者名
      A. Motogaito, N. Machida, T. Morikawa, K. Manabe, H. Miyake, K. Hiramatsu
    • 学会等名
      6th Internat ional Conference on Optics-photonics Design and Fabrication
    • 発表場所
      Taipei, Taiwan
    • 年月日
      2008-06-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [学会発表] Growth of crack-free AlGaN on selective area growth GaN2008

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, N. Masuda, Y. Ogawahara, M. Narukawa, K. Hiramatsu et.al.
    • 学会等名
      14th International Conference on Metalorganic vapor phase epitaxy
    • 発表場所
      Metz, France
    • 年月日
      2008-06-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [学会発表] Growth of crack-free AlGaN on selective area growth GaN2008

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, N. Masuda, Y. Ogawahara, M.Narukawa, K.Hiramatsu, et.al.
    • 学会等名
      14th International Conference on Metal organic vapor phase epitaxy
    • 発表場所
      Metz, France
    • 年月日
      2008-06-04
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] HVPE Growth of Crack-free Thick AlN Using Strain-Control Technique2008

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, Y.Katagiri, S.Kishino, K.Okuura, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
    • 発表場所
      Montreux,Switzerland
    • 年月日
      2008-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Fabrication of the binary blazed diffractive lens for controlling the luminous intensity distribution of LED light2008

    • 著者名/発表者名
      A. Motogaito, N. Machida, T. Morikawa, K. Manabe, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      International Conference on Optics-photonics Design & Fabrication
    • 発表場所
      Taipei, Taiwan
    • 年月日
      2008-06-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [学会発表] Growth of crack-free AlGaN on selective area growth GaN2008

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, N.Masuda, Y.Ogawahara, M.Narukawa, K.Hiramatsu, et al.
    • 学会等名
      14th International Conference on Metalorganic vapor phase epitaxy
    • 発表場所
      Metz, France
    • 年月日
      2008-06-04
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] ファセット制御ELO法による窒化物半導体のエピタキシャル成長(招待講演)2008

    • 著者名/発表者名
      三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      日本学術振興会マイクロビームアナリシス第141委員会
    • 発表場所
      三重大学
    • 年月日
      2008-05-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [学会発表] HVPE Growth of Crack-free Thick AlN Using Strain-Control Technique2008

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, Y.Katagiri, S.Kishino, K.Okuura, and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2008
    • 発表場所
      Montreux, Swiss
    • 年月日
      2008-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] R面サファイア上へのA面GaN成長における成長圧力依存性(招待講演)2007

    • 著者名/発表者名
      三宅秀人, 宮川鈴衣奈, 生川満久、平松和政
    • 学会等名
      プレ・ISGN-2シンポジウム
    • 発表場所
      東京・田町
    • 年月日
      2007-12-19
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560010
  • [学会発表] R面サファイア上へのA面GaN成長における成長圧力依存性(招待講演)2007

    • 著者名/発表者名
      三宅 秀人, 宮川 鈴衣奈, 生川 満久、平松 和政
    • 学会等名
      プレ・ISGN・2シンポジウム
    • 発表場所
      東京・田町
    • 年月日
      2007-12-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560010
  • [学会発表] Optical characterization of Japanese papers for application to the LED lighting system with human sensitivity2007

    • 著者名/発表者名
      A.Motogaito, K.Manabe, Y.Yamanaka, N.Machida, H.Miyake and K.Hiramatsu
    • 学会等名
      1st International Conference on White LEDs and Solid State Lighting
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2007-11-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [学会発表] Selective area growth of III-nitride and their application for emitting Devices2007

    • 著者名/発表者名
      K.Hiramatsu, H.Miyake, D.Li
    • 学会等名
      1st International Conference on White LEDs and Solid State Lighting
    • 発表場所
      Tokyo, Japan(招待講演)
    • 年月日
      2007-11-28
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Selective area growth of III-nitride and their application for emitting Devices(招待講演)2007

    • 著者名/発表者名
      K.Hiramatsu, H.Miyake and D.Li
    • 学会等名
      1st International Conference on White LEDs andSolid State Lighting
    • 発表場所
      東京都港区
    • 年月日
      2007-11-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [学会発表] HVPE法によるGaN・AIN成長の現状と課題2007

    • 著者名/発表者名
      平松和政, 劉玉懐, 三宅秀人
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学(招待講演)
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Growth of High AIN Molar Fraction AlGaN on Selective-Area-Growth GaN2007

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, N. Masuda, K. Hiramatsu
    • 学会等名
      The Seventh International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7), P2
    • 発表場所
      Las Vegas, Nevada, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560010
  • [学会発表] HVPE法によるGaN・AIN成長の現状と課題(招待講演)2007

    • 著者名/発表者名
      平松和政, 劉 玉懐, 三宅秀人
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道札幌市手稲区
    • 年月日
      2007-09-06
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560010
  • [学会発表] Selective area growth of III-nitride and their application for emitting Devices2007

    • 著者名/発表者名
      K. Hiramatsu, H. Miyake and D. Li
    • 学会等名
      1st International Conference on White LEDs and Solid State Lighting
    • 発表場所
      東京(招待講演)
    • 年月日
      2007-11-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [学会発表] HVPE法によるGaN・AIN成長の現状と課題(招待講演)2007

    • 著者名/発表者名
      平松 和政, 劉 玉懐, 三宅 秀人
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道札幌市手稲区
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360008
  • [学会発表] HVPE法によるGaN・AIN成長の現状と課題(招待講演)2007

    • 著者名/発表者名
      平松和政, 劉 玉懐, 三宅秀人
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Selective area growth of III-nitride and their application for emitting Devices(招待講演)2007

    • 著者名/発表者名
      K. Hiramatsu, H. Miyake and D. Li
    • 学会等名
      1st International Conference on White LEDs and Solid State Lighting
    • 年月日
      2007-11-28
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069006
  • [学会発表] Optical Characterization of AIGaN grown on incline-grooved AIN epilayer2006

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, A. Ishiga, N. Umeda, T. Shibata, M. Tanaka, K. Hiramatsu
    • 学会等名
      1st International Symposium on Nitride Growth
    • 発表場所
      LinkoSping, Sweden
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560010
  • [学会発表] Blue Emission from InGaN/GaN Hexagonal Pyramid Structures2006

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, K. Nakao, K. Hiramatsu
    • 学会等名
      6th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanos-tructures
    • 発表場所
      Magdeburg, Germany
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560010
  • [学会発表] MOVPE growth of AlN and AlGaN multiple-quantum wells on sapphire for electron-beam-excitation UV light source

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, G. Nishio, S. Suzuki, F. Fukuyo, K. Hiramatsu, H. Yoshida, Y. Kobayashi, H. Fukuyama, Y. Tokumoto
    • 学会等名
      International Conference on Metamaterials and Nanophysics
    • 発表場所
      Varadera(Cuba)
    • 年月日
      2014-04-22 – 2014-05-01
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010
  • [学会発表] Fabrication of high quality AlN on sapphire for deep-UV-LED substrate

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, S. Suzuki, G. Nishio, K. Hiramatsu
    • 学会等名
      ISSLED2014
    • 発表場所
      Kaohsiung(Taiwan)
    • 年月日
      2014-12-14 – 2014-12-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010
  • [学会発表] Fabrication of AlN molar fraction in Si-doped AlGaN MQWs

    • 著者名/発表者名
      Kazuhiro Nakahama, Fumitsugu Fukuyo, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Harumasa Yoshida, and Yuji Kobayashi
    • 学会等名
      The 3rd International Symposium for Sustainability By Engieering at MIU (IS2EMU2013)
    • 発表場所
      三重大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] Controlling reflectance and transmittance in visible and infrared light region by using periodical metallic nano-structures

    • 著者名/発表者名
      Masanori Kito, Atsushi Motogaito, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      The 3rd International Symposium for Sustainability By Engieering at MIU (IS2EMU2013)
    • 発表場所
      三重大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] GaPとAuの接触を用いた伝搬型表面プラズモンセンサーによる高屈折率液体媒質の検出

    • 著者名/発表者名
      元垣内敦司、中村将平、宮崎 潤、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学淵野辺キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] 薄膜3C-SiC緩衝層を用いたSi基板上GaN成長

    • 著者名/発表者名
      片桐正義、泉 健太、三宅秀人、平松和政、奥 秀彦、浅村英俊・川村啓介
    • 学会等名
      電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス、電子デバイス、電子部品・材料研究会
    • 発表場所
      大阪大学 吹田キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] High-quality AlN growth on 6H-SiC substrate using three dimensional nucleation by Low-pressure HVPE

    • 著者名/発表者名
      Shin Kitagawa, Hideto Miyake and Kazumasa HIramatsu
    • 学会等名
      JSAP-MRS Joint Symosia
    • 発表場所
      同志社大学 京田辺キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] サファイア上AlN 緩衝層のN2-CO アニールとMOVPE 法によるAlN 成長

    • 著者名/発表者名
      西尾 剛、鈴木周平、三宅秀人、平松和政、福山博之、徳本有紀、山田陽一
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      名城大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] Optimazation of barrier hight in AlGaN multiple quantum wells

    • 著者名/発表者名
      Kazuhiro Nakahama, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      ISPlasma 2014
    • 発表場所
      名城大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] サファイア上AlGaN 多重量子井戸構造における格子緩和層の影響

    • 著者名/発表者名
      中濵和大,福世文嗣,三宅秀人,平松和政,吉田治正,小林祐二
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学、神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010
  • [学会発表] AlGaN Growth for Electron-Beam-Excitation Ultraviolet Light Source

    • 著者名/発表者名
      H. MIYAKE, F. Fukuyo, K. Hiramatsu, Y. Kobayashi
    • 学会等名
      CIMTEC2014
    • 発表場所
      Montecatini Terme (Italy)
    • 年月日
      2014-06-15 – 2014-06-19
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010
  • [学会発表] Impact of 3C-SiC intermediate-layer thickness on growth of GaN on Si substrate

    • 著者名/発表者名
      M. Katagiri, H. Fang, H. Miyake, K. Hiramatsu, H. Asamura, K. Kawamura and H. Oku
    • 学会等名
      The 6th Asia-Pacific workshop on Widegap Semiconductors (APWS2013)
    • 発表場所
      Fullon Hotel (台湾 台北)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] Fabrication of high quality AlN on sapphire for deep-UV-LED substrate

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, S. Suzuki, G. Nishio, K. Hiramatsu, H. Fukuyama
    • 学会等名
      2nd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductor
    • 発表場所
      東北大学 (仙台)
    • 年月日
      2014-10-30 – 2014-10-31
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010
  • [学会発表] Effects of threading dislocation on MOVPE growth of Si-doped AlN

    • 著者名/発表者名
      G. Nishio, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      第32回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] Surface treatment of sublimation-grown AlN substrate for homo-epitaxial growth by HVPE

    • 著者名/発表者名
      Yoshinobu Watanabe, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      ISPlasma 2014
    • 発表場所
      名城大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] サファイア上AlN成長におけるN2-COアニールによるAlN緩衝層制御

    • 著者名/発表者名
      西尾 剛、三宅秀人、平松和政、福山博之
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学 京田辺キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] スパッタ法AlNテンプレート基板を用いたAlNのHVPE成長

    • 著者名/発表者名
      安井大貴、三宅秀人、平松和政、岩谷素顕、赤﨑勇、天野浩
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] AlN growth on 6H-SiC substrate by low-pressure HVPE

    • 著者名/発表者名
      Shin Kitagawa, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      The 3rd International Symposium for Sustainability By Engieering at MIU (IS2EMU2013)
    • 発表場所
      三重大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] GaN自立基板のサーマルクリーニング

    • 著者名/発表者名
      岡田俊祐、三宅秀人、平松和政、宮川鈴衣奈、江龍 修
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学淵野辺キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] 二層型ワイヤーグリッド偏光子の特性周期及び高さ依存性

    • 著者名/発表者名
      森下 雄太、元垣内 敦司、三宅 秀人、平松和政
    • 学会等名
      日本光学会年次学術講演会(OPJ2013)
    • 発表場所
      奈良県新公会堂
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] サファイア上AlGaN 多重量子井戸構造における格子緩和層の影響

    • 著者名/発表者名
      中濱和大、福世文嗣、三宅秀人、平松和政、吉田治正、小林祐二
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学淵野辺キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] Growth of high-quality AlN on sapphire with thermally annealed AlN buffer layer in N2-CO

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, G. Nishio, S. Suzuki, K. Hiramatsu, and H. Fukuyama
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)
    • 発表場所
      Wroclaw (Poland)
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010
  • [学会発表] HVPE Homoepitaxy on Freestanding AlN Substrate with Trench Pattern

    • 著者名/発表者名
      Yoshinobu Watanabe, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Yosuke Iwasaki, Shunro Nagata
    • 学会等名
      5th International Symposium on Growth of III-Nitrides
    • 発表場所
      Atlanta (USA)
    • 年月日
      2014-05-19 – 2014-05-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010
  • [学会発表] Selective-area growth of GaN on non- and semi-polar bulk GaN substrates

    • 著者名/発表者名
      Shunsuke Okada , Hideto Miyake, kazumasa Hiramatsu , Yuuki Enatsu and Satoru Nagao
    • 学会等名
      JSAP-MRS Joint Symosia
    • 発表場所
      同志社大学 京田辺キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] Improvement of Light Extraction Efficiency with Periodic Light-extraction Structures on Sapphire Substrate for Electron-beam-pumped Deep-ultraviolet Light Sources

    • 著者名/発表者名
      F. Fukuyo, H. Miyake, K. Hiramatsu, H. Yoshida, Y. Kobayashi
    • 学会等名
      ISPlasma 2014
    • 発表場所
      名城大学
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010
  • [学会発表] Formation of atomic steps on sapphiresubstrates for AlN epitaxy

    • 著者名/発表者名
      C.-H. Lin, S. Suzuki, H. Miyake, K. Hiramatsu
    • 学会等名
      ISSLED2014
    • 発表場所
      Kaohsiung(Taiwan)
    • 年月日
      2014-12-14 – 2014-12-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010
  • [学会発表] 薄膜3C-SiC緩衝層を用いたGaN成長と評価

    • 著者名/発表者名
      片桐正義、方  浩、三宅秀人、平松和政、奥 秀彦、浅村英俊,川村啓介
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学 京田辺キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] MOVPE法による高品質AlGaNの成長

    • 著者名/発表者名
      三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      CRESTパワー・先端素子半導体に関するシンポジウム
    • 発表場所
      北海道大学
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010
  • [学会発表] Study on AlN growth conditions for hydride vapor phase epitaxy

    • 著者名/発表者名
      Daiki YASUI, Hideto MIYAKE, Kazumasa HIRAMATSU
    • 学会等名
      The 15th IUMRS-ICA (International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia)
    • 発表場所
      福岡大学 (福岡)
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010
  • [学会発表] The Excitation of the Surface Plasmon Polariton with the GaP-Au Contact and Application to Chemical Sensors

    • 著者名/発表者名
      S. Nakamura, A. Motogaito, H. Miyake, and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      2013 Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR)
    • 発表場所
      国立京都国際会館
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] Study on the Chemical Sensor Using Excitation of the Surface Plasmon Polariton with the GaP-Au Contact

    • 著者名/発表者名
      Shohei Nakamura, Atsushi Motogaito, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      JSAP-OSA Symposia 2013
    • 発表場所
      同志社大学 京田辺キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600090
  • [学会発表] Fabrication of InGaN MQWs on non-polar GaN substrates

    • 著者名/発表者名
      Shunsuke Okada, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      ISPlasma 2014
    • 発表場所
      名城大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] 減圧HVPE成長を用いた6H-SiC基板上へのAlN成長における核形成制御

    • 著者名/発表者名
      北川 慎、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス、電子デバイス、電子部品・材料研究
    • 発表場所
      大阪大学 吹田キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] HVPE growth of high quality AlN film on 6H-SiC substrate using three dimensional nucleation

    • 著者名/発表者名
      Shin Kitagawa, Hideto Miyake and Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      The 6th Asia-Pacific workshop on Widegap Semiconductors (APWS2013)
    • 発表場所
      Fullon Hotel (台湾 台北)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] MOVPE法によるAlGaN成長とその深紫外光源への応用

    • 著者名/発表者名
      三宅秀人、平松和政 、福世文嗣、吉田治正、小林祐二
    • 学会等名
      日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会
    • 発表場所
      明治大学
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010
  • [学会発表] Growth and characterization of Si-doped AlN films on sapphire

    • 著者名/発表者名
      Gou Nishio, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Yuki Tokumoto and Ichiro Yonenaga
    • 学会等名
      JSAP-MRS Joint Symosia
    • 発表場所
      同志社大学 京田辺キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] Thermal treatment of HVPE-grown GaN substrate surface

    • 著者名/発表者名
      Hideto Miyake, Shunsuke Okada, Kazumasa HIramatsu,
    • 学会等名
      WUPP 2014
    • 発表場所
      Bath (UK)
    • 年月日
      2014-08-20 – 2014-08-22
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010
  • [学会発表] Effects of threading dislocation on MOVPE growth of Si-doped AlN

    • 著者名/発表者名
      G. Nishio, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      第32回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] Study on Surface Thermal Stability of Free-Standing GaN Substrates

    • 著者名/発表者名
      Shunsuke Okada, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Reina Miyagawa, Osamu Eryu, Tamotsu Hashizume
    • 学会等名
      ISPlasma/IC-PLANTS
    • 発表場所
      名古屋大学 (名古屋)
    • 年月日
      2015-03-26 – 2015-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010
  • [学会発表] Study on facet structures of selective-area grown GaN on non- and semi-polar substrates

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, D. Jinno, S. Okada, K. Hiramatsu, Y. Enatsu and S. Nagao
    • 学会等名
      The 6th Asia-Pacific workshop on Widegap Semiconductors (APWS2013)
    • 発表場所
      Fullon Hotel (台湾 台北)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] Fabrication of high Al content AlGaN MQWs on AlN/sapphire by MOVPE

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, F. Fukuyo, S. Ochiai, M. Takagi, K. Hiramatsu, H. Yoshida, Y.Kobayashi
    • 学会等名
      E-MRS
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010
  • [学会発表] Effects of thermal cleaning on surface of free-standing GaN substrates

    • 著者名/発表者名
      Shunsuke Okada, Hideto Miyake, Kazumasa HIramatsu,
    • 学会等名
      The 15th IUMRS-ICA (International Union of Materials Research Societies, International Conference in Asia)
    • 発表場所
      福岡大学 (福岡)
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010
  • [学会発表] Growth of thick GaN on Si substrate with 3C-SiC intermediate layer

    • 著者名/発表者名
      M. Katagiri, H. Fang, H. Miyake, K. Hiramatsu, H. Oku and H. Asamura
    • 学会等名
      第32回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] Fabrication of AlGaN multiple quantum wells on sapphire with lattice-relaxation layer

    • 著者名/発表者名
      Kazuhiro Nakahama, Fumitsugu Fukuyo, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Harumasa Yoshida, Yuji Kobayashi
    • 学会等名
      5th International Symposium on Growth of III-Nitrides
    • 発表場所
      Atlanta (USA)
    • 年月日
      2014-05-19 – 2014-05-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010
  • [学会発表] Thermal cleaning of sublimation-grown AlN substrate for homo-epitaxial growth by HVPE

    • 著者名/発表者名
      Yoshinobu Watanabe, Gou Nishio, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu and Shunro Nagata
    • 学会等名
      The 3rd International Symposium for Sustainability By Engieering at MIU (IS2EMU2013)
    • 発表場所
      三重大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] サファイア上AlN緩衝層のN2-COアニールとMOVPE法による高温成長

    • 著者名/発表者名
      西尾 剛、鈴木周平、三宅秀人、平松和政、福山博之
    • 学会等名
      電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス、電子デバイス、電子部品・材料研究
    • 発表場所
      大阪大学 吹田キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] HVPE法による周期溝加工AlN自立基板へのホモエピタキシャル成長

    • 著者名/発表者名
      渡邉祥順、三宅秀人、平松和政、岩崎洋介、永田俊郎
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学淵野辺キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • [学会発表] MOVPE growth of high-quality AlGaN for Deep-ultraviolet Light Source

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, F. Fukuyo, Y. Kobayashi, K. Hiramatsu
    • 学会等名
      2014 Asia Communications and Photonics Conference
    • 発表場所
      Shanghai(China)
    • 年月日
      2014-11-09 – 2014-11-13
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560010
  • [学会発表] Studies on growth of GaN on Si substrate with 3C-SiC buffer layer

    • 著者名/発表者名
      Masayoshi Katagiri, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Hidehiko Oku, Hidetoshi Asamura, and Keisuke Kawamura
    • 学会等名
      The 3rd International Symposium for Sustainability By Engieering at MIU (IS2EMU2013)
    • 発表場所
      三重大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360008
  • 1.  三宅 秀人 (70209881)
    共同の研究課題数: 12件
    共同の研究成果数: 668件
  • 2.  元垣内 敦司 (00303751)
    共同の研究課題数: 10件
    共同の研究成果数: 120件
  • 3.  後藤 英雄 (00195942)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  直井 弘之 (10373101)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  天野 浩 (60202694)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  赤崎 勇 (20144115)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  澤木 宣彦 (70023330)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  伊藤 優佑
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 40件
  • 9.  渡邊 直也
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 8件
  • 10.  中嶋 智康
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 9件
  • 11.  水戸 慎也
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 11件
  • 12.  伊藤 智徳 (80314136)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 13.  秋山 亨 (40362363)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 14.  正直 花奈子 (60779734)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  河村 貴宏 (80581511)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  寒川 義裕 (90327320)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  宮川 鈴衣奈
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 33件
  • 18.  馬 ベイ
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 96件
  • 19.  劉 玉懐
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 20.  黎 大兵
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 22件
  • 21.  呉 潔君
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 11件
  • 22.  胡 衛国
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 10件
  • 23.  只友 一行
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 24.  林 家弘
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 19件
  • 25.  林 侑介
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 12件
  • 26.  XIAO SHIYU
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 27.  吉澤 涼
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 28.  岡田 俊祐
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 7件
  • 29.  河合 祥也
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 30.  福田 涼
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 31.  田中 襲一
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 32.  鈴木 周平
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 6件
  • 33.  中村 将平
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 34.  宮崎 潤
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 35.  森下 雄太
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 36.  鬼頭 壮宣
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 6件
  • 37.  辻村 一希
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 38.  山田 泰士
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 5件
  • 39.  デートプロム ティーラデ
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 40.  橋本 雅文
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 41.  羽豆 耕治
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 42.  福井 一俊
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 43.  FANG H.
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 12件
  • 44.  古澤 健太郎
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 45.  上殿 明良
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件
  • 46.  秩父 重英
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 1件

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