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岸野 正剛  KISHINO Seigo

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 50201455
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2002年度: 姫路工業大学, 大学院・工学研究科, 教授
2002年度: 姫路工業大学, 工学研究科, 教授
2001年度: 姫路工業大学, 工学部, 教授
1998年度 – 1999年度: 姫路工業大学, 工学部, 教授
1995年度 – 1996年度: 姫路工業大学, 工学部, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性・結晶工学
研究代表者以外
応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者
SPV / ICTS / localized state / 局在準位 / contactless measurement / MOS diode / carrier lifetime / interface trap / SPV法 / ICTS法 … もっと見る / 再結合ライフタイム / 生成ライフタイム / 非接触測定 / MOSダイオード / キャリアライフタイム / 界面トラップ / variable hopping conduction / proximity effect / oxide high temperature superconductor / ホッピング伝導 / 近接効果 / 酸化物高温超伝導体 … もっと見る
研究代表者以外
SOI Wafer / Water Mapping / Capacitance-frequency Method / Capacitance Transient / Capacitance-Voltage Method / Lifetime / Localized States / ContactLess Characterization / SOI / 走査型容量顕微鏡 / 局在凖位 / 容量-周波数特性 / 容量-電圧特性 / SOIウェーハ / ウェーハマッピング / 容量-周波数法 / 過渡容量分光法 / 容量-電圧法 / ライフタイム / 局在準位 / 非接触評価 隠す
  • 研究課題

    (3件)
  • 共同研究者

    (4人)
  •  走査型形接触過渡容量分光法の開発及び極薄酸化膜-シリコン界面特性の評価

    • 研究代表者
      吉田 晴彦
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      姫路工業大学
  •  キャリアのライフタイムとMOSデバイスの界面トラップの相関関係に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      岸野 正剛
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      姫路工業大学
  •  長距離近接効果現象の発生メカニズムの解明に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      岸野 正剛
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      姫路工業大学
  • 1.  吉田 晴彦 (90264837)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  松田 哲郎 (10047582)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  内橋 貴之 (30326300)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  SOHRODER D.K
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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