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鎌田 憲彦  KAMATA Norihiko

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 50211173
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2009年度 – 2020年度: 埼玉大学, 理工学研究科, 教授
2011年度: 埼玉大学, 大学院・理工学研究科, 教授
2007年度: 埼玉大学, 大学院・理工学研究科, 教授
2006年度: 埼玉大学, 大学院理工学研究科, 教授
2004年度 – 2005年度: 埼玉大学, 工学部, 教授 … もっと見る
1998年度 – 2003年度: 埼玉大学, 工学部, 助教授
2000年度 – 2001年度: 埼玉大学, 工学部・機能材料工学科, 助教授
1994年度 – 1996年度: 埼玉大学, 工学部, 助教授 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 応用光学・量子光工学 / 小区分30010:結晶工学関連 / 結晶工学 / 無機材料・物性
研究代表者以外
電子・電気材料工学 / 電子デバイス・機器工学 / 結晶工学 / 理工系
キーワード
研究代表者
フォトルミネッセンス / 非発光再結合準位 / photoluminescence / GaN / nonradiative recombination center / 量子井戸 / internal quantum efficiency / quantum well / below-gap state / non-radiative recombination center … もっと見る / 2波長励起フォトルミネッセンス / 内部量子効率 / 量子井戸構造 / 禁制帯内準位 / 欠陥準位 / 光物性 / 高効率化 / 動作時の欠陥検出 / 紫外LED / 緑色LED / 青色LED / 禁制帯内励起光 / 非発光再結合 / 青~緑色LED / UV-LED / quantum wel / optical properties / characterization / 量子閉じ込め / 結晶評価 / quantum dot / UV-and blue-light emitting materials / 量子ドット / 紫外・青色発光材料 / galium nitride / blue-light emitting semiconductor / two-wavelength excited phptoluminescence / ガリウムナイトライド / 窒化ガリウム / 青色発光半導体 / non-radiative recombination parameters / light emitting devices / band-to-band emission / 非発光再結合パラメータ / 非発光再結合パラメーター / 非発光最結合パラメーター / 半導体発光デバイス / バンド間発光 / Concentration Quenching / Phosphor / Resonant-Energy Transfer / Fluorescent Glasses / Rare-Earth Ions / 濃度消光 / 蛍光体 / 共鳴エネルギー移動 / 蛍光ガラス / 希土類イオン / 禁制帯内励起 / 結晶工学 / 光学評価 / 半導体 / 非接触測定 / 2波長励起 / 光導電膜 / 無機有機ハイブリッド / ゾルゲル法 / ポリシラン … もっと見る
研究代表者以外
結晶成長 / EL素子 / エネルギー移動 / ポリシラン / 量子カスケードレーザ / バンド内遷移 / バンド内遷位発光 / 超格子 / バンド内遷位 / テラヘルツ / サブバンド間遷移 / 未開拓波長 / 窒化物半導体 / 量子カスケードレーザー / 量子エレクトロニクス / 深紫外LD / THz-QCL / テラヘルツQCL / THz-QCL / テラヘルツ量子カスケードレーザ / 深紫外LED / 特異構造結晶 / Energy Transfer / Organic Dyes / Electroluminescence / Sol-Gel Glass / Water Soluble / Polysilane / 有機色素混合薄膜 / ポリシラン封止ガラス / ポリジフェニルシラン / 可溶性、水溶性 / シクロデキストリン / ゾルーゲルガラス / ゾル-ゲルガラス / 有機色素 / ゾルゲルガラス / 水溶性 / white luminescence / EL devices / energy transfer / spin-coated film / Soluble polydiphenylsilane / polysilane / 発光素子 / ポリシラン合成 / 発光 / 白色発光 / 可溶性ポリジフェニルシラン / ジフェニルポリシラン / マイクロマシン / シリコンエッチング / フラットディスプレイ / LED / フォトエッチング / ゾル・ゲル法 / 鉛ガラス / 感光性ガラス / 2次電子増倍 / マイクロチャネルプレート 隠す
  • 研究課題

    (16件)
  • 研究成果

    (352件)
  • 共同研究者

    (15人)
  •  紫外LED動作時の禁制帯内励起光照射による欠陥準位の検出・評価手法の確立研究代表者

    • 研究代表者
      鎌田 憲彦
    • 研究期間 (年度)
      2018 – 2020
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分30010:結晶工学関連
    • 研究機関
      埼玉大学
  •  特異構造結晶の特性を生かした新機能発光デバイスの研究

    • 研究代表者
      平山 秀樹
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2020
    • 研究種目
      新学術領域研究(研究領域提案型)
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      国立研究開発法人理化学研究所
  •  窒化物半導体を用いた未開拓波長量子カスケードレーザの研究

    • 研究代表者
      平山 秀樹
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2019
    • 研究種目
      基盤研究(S)
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      国立研究開発法人理化学研究所
  •  非発光再結合準位のエネルギー分布測定が可能な革新的蛍光顕微鏡の開発研究代表者

    • 研究代表者
      鎌田 憲彦
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      埼玉大学
  •  電極が不要な禁制帯内の包括的マルチレベル分光手法の開拓研究代表者

    • 研究代表者
      鎌田 憲彦
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      埼玉大学
  •  ディープレベル顕微鏡による欠陥準位のエネルギー及び空間分布解析手法の確立研究代表者

    • 研究代表者
      鎌田 憲彦
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2011
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      埼玉大学
  •  2段階ゾルゲル法による広波長帯域の光導電性複合薄膜研究代表者

    • 研究代表者
      鎌田 憲彦
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2006
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      無機材料・物性
    • 研究機関
      埼玉大学
  •  実時間2波長励起フォトルミネッセンス法による非発光再結合準位の動的挙動計測研究代表者

    • 研究代表者
      鎌田 憲彦
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2007
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      埼玉大学
  •  非発光再結合準位分布の2波長励起による汎用定量分光計の開発研究代表者

    • 研究代表者
      鎌田 憲彦
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      埼玉大学
  •  ガラス封止一体型可溶性ポリシラン/有機色素混合EL素子の開発

    • 研究代表者
      照沼 大陽
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2004
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      埼玉大学
  •  2波長励起による青色発光半導体の非発光再結合準位スペクトロスコピー研究代表者

    • 研究代表者
      鎌田 憲彦
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      埼玉大学
  •  分子間の高効率エネルギー移動を利用したポリシラン薄膜発光素子

    • 研究代表者
      照沼 大陽
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      埼玉大学
  •  発行デバイス用半導体の非発光再結合準位スペクトロスコピー研究代表者

    • 研究代表者
      鎌田 憲彦
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用光学・量子光工学
    • 研究機関
      埼玉大学
  •  高密度集積化フルカラーLEDディスプレイの開発

    • 研究代表者
      高橋 幸郎
    • 研究期間 (年度)
      1996
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      埼玉大学
  •  ゾル・ゲル法による2次電子増倍膜を用いたMCPの開発

    • 研究代表者
      高橋 幸郎
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      埼玉大学
  •  希土類添加蛍光ガラスの赤外光照射による可変色化に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      鎌田 憲彦
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用光学・量子光工学
    • 研究機関
      埼玉大学

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すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] 新編「照明専門講座テキスト」第35期2019

    • 著者名/発表者名
      鎌田憲彦、神野雅文、清水恵一、八田章光、松島公嗣、宇山徹、池田紘一、入倉隆、佐々木淳、別所誠、鵜川浩一、上谷芳昭、田淵義彦、吉澤望、松下美紀、河合悟、稲森真、近藤俊幸、鯨井政祐、土井正、村上克介、木下忍、桑原克佳、長篤志、橋本和明
    • 出版者
      一般社団法人照明学会, 印刷所㈱サンワ
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [図書] 新編「照明専門講座テキスト」第34期2018

    • 著者名/発表者名
      鎌田分担執筆
    • 総ページ数
      19
    • 出版者
      一般社団法人照明学会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [図書] 信学技報2016

    • 著者名/発表者名
      大島一晟、定昌史、前田哲利、鎌田憲彦、平山秀樹
    • 総ページ数
      111
    • 出版者
      電子情報通信学会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [図書] 新編「照明専門講座テキスト」第31期2015

    • 著者名/発表者名
      鎌田憲彦,池田紘一, 稲森真, 入倉隆, 上谷芳昭, 鵜川浩一, 宇山徹, 垣谷勉,河合悟, 木下忍, 坂本政佑, 佐藤孝, 神野雅文, 田淵義彦, 長篤志, 土井正, 橋本和明, 八田章光, 松島公嗣, 村上克介
    • 総ページ数
      374
    • 出版者
      一般社団法人照明学会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [図書] 「光エレクトロニクス 展開編」2014

    • 著者名/発表者名
      多田邦雄, 神谷武志(監訳), 鎌田憲彦, 石川卓也, 板谷太郎, 伊藤文彦, 岡田至崇, 土屋昌弘, 中野義昭, 中林隆志, 林秀樹(共訳)
    • 出版者
      丸善出版株式会社
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [図書] 新編「照明専門講座テキスト」2014

    • 著者名/発表者名
      鎌田憲彦,池田紘一, 稲森真, 入倉隆, 上谷芳昭, 鵜川浩一, 宇山徹, 垣谷勉,河合悟, 木下忍, 坂本政佑, 佐藤孝, 神野雅文, 田淵義彦, 長篤志, 土井正, 橋本和明, 八田章光, 松島公嗣, 村上克介(分担執筆)
    • 出版者
      一般社団法人照明学会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [図書] ヤリ―ヴ‐イェー 「光エレクトロニクス展開編」2014

    • 著者名/発表者名
      多田邦雄, 神谷武志(監訳), 鎌田憲彦, 石川卓也, 板谷太郎, 伊藤文彦, 岡田至崇, 土屋昌弘, 中野義昭, 中林隆志, 林秀樹(共訳)
    • 出版者
      丸善出版株式会社
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [図書] 新編「照明専門講座テキスト」2014

    • 著者名/発表者名
      鎌田憲彦,池田紘一, 稲森真, 入倉隆, 上谷芳昭, 鵜川浩一, 宇山徹, 垣谷勉,河合悟, 木下忍, 坂本政佑, 佐藤孝, 神野雅文, 田淵義彦, 長篤志, 土井正, 橋本和明, 八田章光, 松島公嗣, 村上克介(分担執筆)
    • 出版者
      一般社団法人照明学会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [図書] 薄膜の評価技術ハンドブック2013

    • 著者名/発表者名
      金原粲監修, 吉田貞史他編集(鎌田分担執筆)
    • 総ページ数
      620
    • 出版者
      テクノシステム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [図書] 薄膜の評価技術ハンドブック2013

    • 著者名/発表者名
      金原粲監修, 吉田貞史他編集(鎌田分担執筆)
    • 総ページ数
      620
    • 出版者
      テクノシステム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [図書] 薄膜の評価技術ハンドブック2013

    • 著者名/発表者名
      金原粲監修, 吉田貞史, 他編集(鎌田分担執筆)
    • 総ページ数
      620
    • 出版者
      テクノシステム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [図書] 光エレクトロニクス基礎編(2010年8月刊)2010

    • 著者名/発表者名
      Amnon Yariv, Pochi Yeh著多田邦雄・神谷武志監訳(鎌田憲彦分担訳)
    • 総ページ数
      541
    • 出版者
      丸善(株)出版事業部
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [図書] 電子材料ハンドブック (木村忠正他編著)2006

    • 著者名/発表者名
      鎌田憲彦(「半導体材料」主査)
    • 出版者
      朝倉書店
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [図書] 電子材料ハンドブック(2006.11.30刊行)(木村忠正他編著)2006

    • 著者名/発表者名
      鎌田憲彦(「半導体材料」主査)
    • 出版者
      朝倉書店
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656210
  • [図書] 電子材料ハンドブック(木村忠正他編著)2006

    • 著者名/発表者名
      鎌田憲彦(「半導体材料」主査)
    • 出版者
      朝倉書店(最終校正中)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656210
  • [図書] 電子材料ハンドブック(木村忠正他編著)2006

    • 著者名/発表者名
      鎌田 憲彦(「半導体材料」主査)
    • 出版者
      朝倉書店(最終校正中)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [図書] 電子材料ハンドブック(木村忠正, 八百隆文, 奥村次徳, 豊田太郎編集)2005

    • 著者名/発表者名
      鎌田憲彦(3章編集主査)
    • 出版者
      朝倉書店(現在編集校正中)(編集中)
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350002
  • [雑誌論文] Spectroscopy of Nonradiative Recombination Levels by Two‐Wavelength Excited Photoluminescence2020

    • 著者名/発表者名
      Kamata Norihiko
    • 雑誌名

      physica status solidi (b)

      巻: 258 号: 2

    • DOI

      10.1002/pssb.202000370

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [雑誌論文] Temperature dependence of nonradiative recombination processes in UV-B AlGaN quantum well revealed by below-gap excitation light2020

    • 著者名/発表者名
      M. Ismail Hossain, Yuri Itokazu, Shunsuke Kuwaba, Norihiko Kamata, and Hideki Hirayama
    • 雑誌名

      Optical Materials

      巻: 105 ページ: 109878-109878

    • DOI

      10.1016/j.optmat.2020.109878

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [雑誌論文] Superlattice period dependence on nonradiative recombination centers in the n-AlGaN layer of UV-B region revealed by below-gap excitation light2020

    • 著者名/発表者名
      M. Ismail Hossain, Yuri Itokazu, Shunsuke Kuwaba, Norihiko Kamata, Noritoshi Maeda, and Hideki Hirayama
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 10 号: 3

    • DOI

      10.1063/1.5134698

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [雑誌論文] Nonradiative recombination centers in deep UV-wavelength AlGaN quantum wells detected by below-gap excitation light2019

    • 著者名/発表者名
      Hossain M. Ismail、Itokazu Yuri、Kuwaba Shunsuke、Kamata Norihiko、Maeda Noritoshi、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: SC ページ: SCCB37-SCCB37

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab1069

    • NAID

      210000156272

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420, KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [雑誌論文] Influence of the nucleation conditions on the quality of AlN layers with high-temperature annealing and regrowth processes2019

    • 著者名/発表者名
      Itokazu Yuri、Kuwaba Shunsuke、Jo Masafumi、Kamata Norihiko、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 号: SC ページ: SC1056-SC1056

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab1126

    • NAID

      210000156252

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] Milliwatt power UV-A LEDs developed by using n-AlGaN superlattice buffer layers grown on AlN templates2019

    • 著者名/発表者名
      Matsumoto Takuma、Ajmal Khan M、Maeda Noritoshi、Fujikawa Sachie、Kamata Norihiko、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      Journal of Physics D: Applied Physics

      巻: 52 号: 11 ページ: 115102-115102

    • DOI

      10.1088/1361-6463/aaf60a

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] Study of Nonradiative Recombination Centers in n-GaN Grown on LT-GaN and AlN Buffer Layer by Below-Gap Excitation2018

    • 著者名/発表者名
      M. D. Haque, M. Julkarnain, A. Z. M. Touhidul Islam, N. Kamata and T. Fukuda
    • 雑誌名

      Advances in Material Physics and Chemistry

      巻: 8 号: 03 ページ: 143-155

    • DOI

      10.4236/ampc.2018.83010

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [雑誌論文] Impact of thermal treatment on the growth of semipolar AlN on m-plane sapphire2018

    • 著者名/発表者名
      Jo Masafumi、Morishita Naoki、Okada Narihito、Itokazu Yuri、Kamata Norihiko、Tadatomo Kazuyuki、Hirayama Hideki
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 8 号: 10 ページ: 105312-105312

    • DOI

      10.1063/1.5052294

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] AlGaN-Based Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes2017

    • 著者名/発表者名
      Hirayama Hideki、Kamata Norihiko、Tsubaki Kenji
    • 雑誌名

      III-Nitride Based Light Emitting Diodes and Applications

      巻: 133 ページ: 267-299

    • DOI

      10.1007/978-981-10-3755-9_10

    • ISBN
      9789811037542, 9789811037559
    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [雑誌論文] Structural and electrical properties of semipolar (11-22) AlGaN grown on m -plane (1-100) sapphire substrates2017

    • 著者名/発表者名
      Masafumi Jo, Issei Oshima, Takuma Matsumoto, Noritoshi Maeda, Norihiko Kamata and Hideki Hirayama
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi (c)

      巻: - 号: 8

    • DOI

      10.1002/pssc.201600248

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420, KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [雑誌論文] Trap and nonradiative centers in Ba3Si6O12N2:Eu2+phosphors observed by thermoluminescence and two-wavelength excited photoluminescence methods2015

    • 著者名/発表者名
      T. Li, N. Kamata, Y. Kotsuka, T. Fukuda, Z. Honda and T. Kurushima
    • 雑誌名

      Opt. Express

      巻: 23

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [雑誌論文] Nonradiative centers in deep-UV AlGaN-based quantum wells revealed by two-wavelength excited photoluminescence2015

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, A. Z. M. Touhidul Islam, M. Julkarnain, N. Murakoshi, T. Fukuda, and H. Hirayama
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi B

      巻: 252 号: 5 ページ: 936-939

    • DOI

      10.1002/pssb.201451582

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005, KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [雑誌論文] Dominant nonradiative centers in InGaN single quantum well by time-resolved and two-wavelength excited photoluminescence2015

    • 著者名/発表者名
      M. Julkarnain, N. Murakoshi, A. Z. M. Touhidul Islam, T. Fukuda, N. Kamata, and Y. Arakawa
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi B

      巻: 252 号: 5 ページ: 952-955

    • DOI

      10.1002/pssb.201451499

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005, KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [雑誌論文] Below-gap emission bands in undoped GaN and its excitation density dependence2015

    • 著者名/発表者名
      M. Julkarnain, T. Fukuda, N. Kamata. and Y. Arakawa
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi C

      巻: 1-3 号: 5-6 ページ: 10190-10190

    • DOI

      10.1002/pssc.201510190

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [雑誌論文] Direct growth and controlled coalescence of thick AlN template on micro-circle patterned Si substrate2015

    • 著者名/発表者名
      B. T. Tran, H. Hirayama, N. Maeda, M. Jo, S. Toyoda and N. Kamata
    • 雑誌名

      Scientific Report

      巻: 5 号: 1 ページ: 14734-14734

    • DOI

      10.1038/srep14734

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733, KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [雑誌論文] Photoluminescence Characterization of Nonradiative Recombination Centers in Light Emitting Materials by Utilizing Below-Gap Excitation, A Mini Review of Two-Wavelength Excited Photoluminescence2015

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, Abu Zafor Md. Touhidul Islam
    • 雑誌名

      Rajshahi University Journal of Science and Engineering

      巻: 43 ページ: 1-9

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [雑誌論文] 第14回照明の科学と技術に関する国際シンポジウム(LS14)に参加して2015

    • 著者名/発表者名
      大森信哉, 明石行生, 鎌田憲彦, 神野雅文
    • 雑誌名

      照明学会誌論文号

      巻: 99 ページ: 90-93

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [雑誌論文] A direct evidence of allocating yellow luminescence band in undoped GaN by two-wavelength excited photoluminescence2015

    • 著者名/発表者名
      M.Julkarnain, T.Fukuda, N. Kamata and Y. Arakawa
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 107 号: 21

    • DOI

      10.1063/1.4936243

    • 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [雑誌論文] 深紫外LEDの光取出し効率の向上に向けて2015

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、定昌史、前田哲利、鹿嶋行雄、鎌田憲彦
    • 雑誌名

      月刊OPTRONICS 11月号特集「深紫外LEDの効率向上と市場展開への期待」

      巻: 34 ページ: 101-105

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [雑誌論文] Optical detection of nonradiative recombination centers in AlGaN quantum wells for deep UV region2014

    • 著者名/発表者名
      A. Z. M. Touhidul Islam, Naoki Murakoshi, Takeshi Fukuda, Hideki Hirayama, and Norihiko Kamata
    • 雑誌名

      Phys. Status Soldi C

      巻: 11 ページ: 832-835

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [雑誌論文] Optical detection of nonradiative recombination centers in AlGaN quantum wells for deep UV region2014

    • 著者名/発表者名
      A. Z. M. Touhidul Islam, Naoki Murakoshi, Takeshi Fukuda, Hideki Hirayama, and Norihiko Kamata
    • 雑誌名

      Phys. Status Soldi C

      巻: 11 ページ: 832-835

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [雑誌論文] Optical detection of nonradiative recombination centers in AlGaN quantum wells for deep UV region2014

    • 著者名/発表者名
      59) A.Z.M.Touhidul Islam,N.Murakoshi,T.Fukuda, H.Hirayama,and N.Kamata
    • 雑誌名

      Phys.Status.Solidi C

      巻: C 11 ページ: 832-835

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [雑誌論文] 素子透明化によるAlGaN深紫外LEDの光取出し効率の高効率化2014

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、前田哲利、藤川紗知恵、豊田史郎、鎌田憲彦
    • 雑誌名

      OPTRONICS

      巻: 386 ページ: 58-66

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [雑誌論文] MOCVDを用いたGaN/ALGaNテラヘルツ量子カスケードレーザー(THz-QCL)の作製と7THz発振動作2014

    • 著者名/発表者名
      豊田史朗, 寺嶋亘, 鎌田憲彦, 平山秀樹
    • 雑誌名

      電子情報通信学会, 信学技報

      巻: ED2014-84 ページ: 1-4

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [雑誌論文] MOCVDを用いたGaN/ALGaNテラヘルツ量子カスケードレーザー(THz-QCL)の作製と7THz発振動作2014

    • 著者名/発表者名
      豊田史朗, 寺嶋亘, 鎌田憲彦, 平山秀樹
    • 雑誌名

      電子情報通信学会, 信学技報

      巻: ED2014-84 ページ: 1-3

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [雑誌論文] Optical Detection of Nonradiative Recombination Centers in AlGaN Quantum Wells for Deep UV Region2014

    • 著者名/発表者名
      A. Z. M. Touhidul Islam, N. Murakoshi, T. Fukuda, H. Hirayama and N. Kamata
    • 雑誌名

      Phys. Stat. Sol. C

      巻: 11 ページ: 832-835

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [雑誌論文] 「第14回照明の科学と技術に関する国際シンポジウム(LS14)に参加して」2014

    • 著者名/発表者名
      大森信哉,明石行生,鎌田憲彦,神野雅文
    • 雑誌名

      照明学会誌論文号

      巻: 99 ページ: 90-93

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [雑誌論文] Direct Evidence of Carrier Excitation from Intermediate Band States in GaPN by Two-Wavelength Excited Photoluminescence2013

    • 著者名/発表者名
      Abu Zafor Muhammad Touhidul Islam, Tsukasa Hanaoka, Kentaro Onabe, Shuhei Yagi, Norihiko Kamata, and Hiroyuki Yaguchi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 6, 092401 ページ: 3-3

    • NAID

      10031199865

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [雑誌論文] AlGaN系率紫外LEDの進展2013

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、藤川紗知恵、鎌田憲彦
    • 雑誌名

      電気学会論文誌 C

      巻: 133 ページ: 1-3

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [雑誌論文] (Zn1-xMx)3V2O8蛍光体の作製とフォトルミネッセンス評価2013

    • 著者名/発表者名
      李 廷廷, 本多 善太郎, 福田 武司, 羅 交;蓮, 鎌田 憲彦
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告

      巻: 112 ページ: 33-36

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [雑誌論文] (Zn1-xMx)3V2O8蛍光体の作製とフォトルミネッセンス評価2013

    • 著者名/発表者名
      李 廷廷, 本多 善太郎, 福田 武司, 羅 交蓮, 鎌田 憲彦
    • 雑誌名

      信学技報

      巻: 112 ページ: 33-36

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [雑誌論文] 照明機器を活用した技術の評価・活用に関する教具開発と授業実践2012

    • 著者名/発表者名
      山本利二, 玉川拓実, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      教材学研究

      巻: 23 ページ: 189-196

    • NAID

      130007812425

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [雑誌論文] Ba3Si6O12N2:Eu2+蛍光体の2波長励起フォトルミネッセンス評価2012

    • 著者名/発表者名
      石岡亮, 五十嵐航平, 福田武司, 下村康夫, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      信学技報, EID2011-19

      巻: Vol.111 ページ: 21-24

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] Growth of flat p-GaN contact layer by pulse flow method for high light-extraction AlGaN deep-UV LEDs with Al-based electrode2012

    • 著者名/発表者名
      M. Akiba, H. Hirayama, Y. Tomita, Y. Tsukada, N. Maeda, and A. Kamata
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi C

      巻: 9 ページ: 806-809

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [雑誌論文] Ba_3Si_6O_12N_2:Eu^<2+>蛍光体の2波長励起フォトルミネッセンス評価2012

    • 著者名/発表者名
      石岡亮、五十嵐航平、福田武司、下村康夫、鎌田憲彦
    • 雑誌名

      電子情報通信学会 信学技報 電子ディスプレイ研究会EID2011-19 (2012.1.27)

      巻: 111 ページ: 21-24

    • NAID

      10030321971

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] Ba_3Si_6O_<12>N_2 : Eu^<2+>蛍光体のフォトー及び熱ルミネッセンス評価2011

    • 著者名/発表者名
      石岡亮, 五十嵐航平, 福田武司, 木島直人, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      電子情報通信学会EID2010-28

      ページ: 25-28

    • NAID

      10027800099

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] AlGaN系深紫外LEDの進展と展望2011

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、藤川紗千恵、塚田悠介、鎌田憲彦
    • 雑誌名

      応用物理

      巻: 80(Invited Review) ページ: 319-324

    • NAID

      10027969857

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] AlGaN系深紫外LEDの進展と展望(Invited Review)2011

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹, 藤川紗千恵, 塚田悠介, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      応用物理

      巻: Vol.80, No.4 ページ: 319-324

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] 222nm Deep-Ultraviolet AlGaN Quantum WelLight-Emitting Diode with Vertical Emission Properties2010

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹, N.Noguchi, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Exp. 3

      ページ: 32102-32102

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] Marked Enhancement in the Efficiency of Deep-Ultraviolet AlGaN LEDs by Using a Multiquantum-Barrier Electron Blocking Layer2010

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, Y. Tsukada, T. Maeda, N. Kamata
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Exp.

      巻: 3

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] Ba_3Si_6O_<12>N_2:Eu^<2+>蛍光体のフォトー及び熱ルミネッセンス評価2010

    • 著者名/発表者名
      石岡亮、五十嵐航平、福田武司、木島直人、鎌田憲彦
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告(EID2010-28)

      巻: Vol.110,No.404 ページ: 25-28

    • NAID

      10027800099

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] 深紫外域AlGaN-LEDの高品質化2010

    • 著者名/発表者名
      鎌田憲彦, 乗松潤, 塚田悠介, 秋葉雅弘, 福田武司, 平山秀樹
    • 雑誌名

      Proc.Human Photonics Forum

      ページ: 22-27

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] 222nm Deep-Ultraviolet AlGaN QW Light-Emitting Diode with Vertical Emission Properties2010

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, N. Noguchi, N. Kamata
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Exp.

      巻: 3

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価2010

    • 著者名/発表者名
      五十嵐航平、石岡亮、塚田悠介、福田武司、本多善太郎、平山秀樹、鎌田憲彦
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告(EID2010-31)

      巻: Vol.110,No.404 ページ: 41-44

    • NAID

      10027800136

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] Marked Enhancement in the Efficiency of Deep-Ultraviolet AlGaN Light-Emitting Diodes by Using a Multiquantum-Barrier Electron Blocking Layer2010

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹, 塚田悠介, T.Maeda, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Exp. 3

      ページ: 31002-31002

    • NAID

      10027013818

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] Fabrication of a low threading dislocation density ELO-AlN template for application to deep-UV LEDs2010

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹, S.Fujikawa, 乗松潤, T.Takano, K.Tsubaki, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.(c) (in press)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] Fabrication of Low Threading Dislocation Density ELO-AlN Template for Application to Deep-UV LEDs2009

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, S. Fujikawa, J. Norimatsu, T. Takano, K. Tsubaki, N. Kamata
    • 雑誌名

      Phys. Stat. Sol.(c)

      巻: 6, Issue S2

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] 222nm single-peaked deep-UV LED with thin AlGaN quantum well layer2009

    • 著者名/発表者名
      N.Noguchi, 平山秀樹, T.Yatabe, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.(c) 6

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] 222-282nm AlGaN and InAlGaN-based deep-UV LEDs fabricated on high-quality AlN on sapphire2009

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹, S.Fujikawa, N.Noguchi, 乗松潤, T.Takano, K.Tsubaki, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A 206

      ページ: 1176-1182

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] 222-282 nm AlGaN and InAlGaN-based deep-UV LEDs fabricated on high-quality AlN on sapphire2009

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, S. Fujikawa, N. Noguchi, J. Norimatsu, T. Takano, K. Tsubaki, N. Kamata
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (a)

      巻: 206 ページ: 1176-1182

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] Fabrication of low threading dislocation density ELO-AlN template for application to deep-UV LEDs2009

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, S. Fujikawa, J. Norimatsu, T. Takano, K. Tsubaki, N. Kamata
    • 雑誌名

      Phys. Stat. Sol.(c)

      巻: Vol.6, Issue S2

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] 深紫外域組成InAlGaNの結晶成長とLEDの作製2008

    • 著者名/発表者名
      鎌田憲彦
    • 雑誌名

      第2回フロンティアフォトニクスフォーラム No.10

      ページ: 33-35

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] 顕微光学系によるLED用結晶の2波長励起フォトルミネッセンス評価2008

    • 著者名/発表者名
      内山直威、山口朋彦、小川博久、鎌田憲彦
    • 雑誌名

      電子情報通信学会電子ディスプレイ研究会 EID2007-70

      ページ: 41-44

    • NAID

      10025648416

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] Laser-Induced Formation of Nonradiative Centers Observed by Two-Wavelength Excited Photoluminescence2008

    • 著者名/発表者名
      H. Ogawa, N. Uchiyama, N. Kamata and Y. Arakawa
    • 雑誌名

      Special Issue in Physica Status Solidi (Accepted for publication)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] 顕微光学系によるLED用結晶の2波長励起フォトルミネッセンス評価2008

    • 著者名/発表者名
      内山 直威, 山口 朋彦, 小州 博久, 鎌田 憲彦
    • 雑誌名

      電子情報通信学会電子ディスプレイ研究会 EID2007-70

      ページ: 41-44

    • NAID

      10025648416

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] Characterization of Crystals for LEDs by Two-Wavelength excited Photoluminescence with Microscopic Optics2008

    • 著者名/発表者名
      N. Uchiyama, T. Yamaguchi, H. Ogawa and N. Kamata
    • 雑誌名

      Electronic Display Conf. of IEICE, Jpn. E1D2007-70

      ページ: 41-44

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] Growth of InAlGaN Crystals and Fabrication of Deep-UV LEDs2008

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata
    • 雑誌名

      Proc. 2nd Frontier Photonics Forum

      ページ: 33-35

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] 深紫外域組成lnAIGaNの結晶成長とLEDの作製2008

    • 著者名/発表者名
      鎌田 憲彦
    • 雑誌名

      第2回フロンティアフォトニクスフォーラム 10

      ページ: 33-35

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] 231-261nm AlGaN Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on AlN Multilayer Buffers Grown by Ammonia Pulse-Flow Method on Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Yatabe, N. Noguchi, T. Ohashi, and N. Kamata
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 91

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] AINバッファー高品質化によるAlGaN量子井戸深紫外発光の飛躍的高効率化2007

    • 著者名/発表者名
      谷田部透, 大橋智昭, 平山秀樹, 野口憲路, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      応用物理学関係連合講演会予稿集第1分冊 27a-ZM-3

      ページ: 372-372

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] NH_3交互供給法による紫外LED用高品質AINバッファー層の実現2007

    • 著者名/発表者名
      大橋智昭, 平山秀樹, 谷田部透, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      応用物理学関係連合講演会予稿集第1分冊 27a-ZM-4

      ページ: 372-372

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] TMAIのパルス状供給による極性制御及びAIN/AIGaNテンプレートの高品質化2007

    • 著者名/発表者名
      野口憲路, 大橋智昭, 平山秀樹, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      応用物理学関係連合講演会予稿集第1分冊 27a-ZM-2

      ページ: 371-371

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] 導電性高分子/有機色素混合薄膜素子のEL特性2007

    • 著者名/発表者名
      山口廣信, 鎌田憲彦, 伊賀貴浩, 河本雄二, 小森谷光央, 小原秀彦, 横尾敏明, 木島直人
    • 雑誌名

      電子情報通信学会電子ディスプレイ研究会 EID2006-56

      ページ: 49-52

    • NAID

      10018500187

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656210
  • [雑誌論文] 高品質AINバッファー層を用いた深紫外250nmシングルピーク発光LED2007

    • 著者名/発表者名
      大橋智昭, 平山秀樹, 谷田部透, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      応用物理学関係連合講演会予稿集第1分冊 30p-ZM-8

      ページ: 419-419

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] 250-280nm深紫外LEDに向けた高内部量子効率AlGaN量子井戸の実現2007

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹, 大橋智昭, 谷田部透, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      応用物理学関係連合講演会予稿集第1分冊 30p-ZM-9

      ページ: 419-419

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] Nonradiative centers in InAs quantum dots revealed by two-wavelength excited photoluminescence2006

    • 著者名/発表者名
      Kamata N., Saravanan S., Zanardi Ocampo J. M., Vaccaro P. 0., Arakawa Y.
    • 雑誌名

      Physica B 376-377

      ページ: 849-852

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] Nonradiative centers in InAs quantum dots revealed by two-wavelength excited photoluminescence2006

    • 著者名/発表者名
      Kamata N., Saravanan S., Zanardi Ocampo J.M., Vaccaro P.O., Arakawa Y.
    • 雑誌名

      Physica B 376-377

      ページ: 849-852

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] Nonradiative centers in InAs quantum dots revealed by two-wavelength excited photoluminescence2006

    • 著者名/発表者名
      N.Kamata, S.Saravanan, J.M.Zanardi Ocampo, P.O.Vaccaro, Y.Arakawa
    • 雑誌名

      Physica B in Press

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] Encapsulation and Stabilization of Emissive Molecules by Sol-Gel Glass2006

    • 著者名/発表者名
      E.Kin, T.Harada, N.Kamata, H.Ohara, T.Yokoo, N.Kijima
    • 雑誌名

      Proc. 13^<th> Int. Workshop on Inorganic and Organic Electro-luminescence and 2006 Int. Conf. on the Science and Technology of Emissive Displays and Lighting (Jeju, Korea, 18-22 Sept.) Fr3-4

      ページ: 449-450

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656210
  • [雑誌論文] ゾルーゲルガラスの作製と発光特性2006

    • 著者名/発表者名
      鎌田憲彦
    • 雑誌名

      技術情報協会「ゾルーゲル法による光機能性材料の作成とその応用展開」セミナー No. 612427

      ページ: 2-36

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656210
  • [雑誌論文] Nonradiative centers in InAs quantum dots revealed by two-wavelength excited photoluminescence2006

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, S. Saravanan, J. M. Zanardi Ocampo, P. O. Vaccaro, Y. Arakawa
    • 雑誌名

      Physica B. 376-377

      ページ: 849-852

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] Frontier Photonics by advanced Materials2006

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata
    • 雑誌名

      Project Res. Report of General Res. Institute vol. 4

      ページ: 39-42

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] Multilayered Electroluminescence Device by Wet Process2006

    • 著者名/発表者名
      M.Komoriya, T.Iga, Y.kawamoto, N.Kamata
    • 雑誌名

      Proc. 13^<th> Int. Workshop on Inorganic and Organic Electro-luminescence and 2006 Int. Conf. on the Science and Technology of Emissive Displays and Lighting (Jeju, Korea, 18-22 Sept.) P-I-A13

      ページ: 90-91

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656210
  • [雑誌論文] Color Controllability of Polysilane-Based Electroluminescence Device2006

    • 著者名/発表者名
      M.Komoriya, A.Matsumoto, Kamata, H.Ohara, T.Yokoo, N.Kijima
    • 雑誌名

      Proc. 13^<th> Int. Workshop on Inorganic and Organic Electro-luminescence and 2006 Int. Conf on the Science and Technology of Emissive Displays and Lighting (Jeju, Korea, 18-22 Sept.) Tu3-5

      ページ: 40-41

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656210
  • [雑誌論文] Nonradiative centers in InAs quantum dots revealed by two-wavelength excited photoluminescence2005

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, S. Saravanan, J. M. Zanardi Ocampo, P. O. Vaccaro, Y. Arakawa
    • 雑誌名

      Proc. 23rd Int. Conf. on Defects in semiconductors (ICDS-23), Awaji ThM2.3C

      ページ: 105-105

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] ゾルゲルガラスによる発光性分子の封止機能2005

    • 著者名/発表者名
      金永模, 鎌田憲彦, 尾島健太郎, 原田竜二, 幡野健, 照沼大陽, 小原秀彦, 木島直人
    • 雑誌名

      電子情報通信学会シリコンフォトニクス研究会 SIPH2004-8

      ページ: 35-40

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656210
  • [雑誌論文] Observation of High Internal-Quantum-Efficiency from InAlGaN Quantum Wells Emitting 330nm Wavelength Light2005

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Takano, T. Ohashi, S. Fujikawa, N. Kamata, Y. Kondo,
    • 雑誌名

      Electronic Device Conf. of IEICE, Jpn. Vol. 105, No. 326

      ページ: 67-72

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] Nonradiative centers in InAs quantum dots revealed by two-wavelength excited photoluminescence2005

    • 著者名/発表者名
      N.Kamata, S.Saravanan, J.M.Zanardi Ocampo, P.O.Vaccaro, Y.Arakawa
    • 雑誌名

      Proc.23^<rd> Int.Conf.on Defects in semiconductors (ICDS-23), Awaji ThM2.3C

      ページ: 105-105

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] Remarkable Increase of Deep UV Emission from Quaternary InAlGaN by Reducing Oxygen and Carbon Impurities2005

    • 著者名/発表者名
      T.Ohashi, H.Hirayama, K.Ishibashi, N.Kamata
    • 雑誌名

      Proc.Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] Photoconductive Properties of Organic Film onto CMOS Readout Circuit (Invited)2005

    • 著者名/発表者名
      Aihara S., Watanabe T., Egami N., Kubota M., Tanioka K., Kamata N., Terunuma D.
    • 雑誌名

      Proc.12^<th> Int.Display Workshops in conjunction with Asia Display 2005 (IDW/AD'05) IDS2-3

      ページ: 2057-2060

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656210
  • [雑誌論文] InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討2005

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹, 大橋智昭, 石橋幸治, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告「電子デバイス」ED2005-32、CPM2005-24、SDM2005-32 105

      ページ: 91-96

    • NAID

      10016151747

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討2005

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、大橋智昭、石橋幸治、鎌田憲彦
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告「電子デバイス」ED2005-32、CPM2005-24、SDM2005-32 105

      ページ: 91-96

    • NAID

      10016151747

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] Improved Efficiency of InAlGaN Quaternary UV-LEDs2005

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Ohashi, K. Ishibashi and N. Kamata
    • 雑誌名

      Electronic Device Conf. of IEICE, Jpn. Vol. 105, No. 89

      ページ: 91-96

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] ゾルゲル法によるポリシラン-シリカハイブリッド材料の作製2005

    • 著者名/発表者名
      尾島健太郎, 金永模, 鎌田憲彦, 幡野 健, 照沼 大陽
    • 雑誌名

      電子情報通信学会シリコンフォトニクス研究会 SIPH2004-23

      ページ: 1-5

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656210
  • [雑誌論文] 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測2005

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹, 高野隆義, 大橋智昭, 藤川紗千恵, 鎌田憲彦, 近藤行廣
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告「電子デバイス」 105

      ページ: 67-72

    • NAID

      110003500207

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] CMOS Image Sensor Overlaid with an Organic Photoconductive Film2005

    • 著者名/発表者名
      Watanabe T., Aihara S., Egami N., Kubota M., Tanioka K., Kamata N., Terunuma D.
    • 雑誌名

      Proc.IEEE Workshop on CCDs and AIS

      ページ: 48-51

    • NAID

      110004046077

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656210
  • [雑誌論文] 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測2005

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、高野隆義、大橋智昭、藤川紗千恵、鎌田憲彦、近藤行廣
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告「電子デバイス」 105

      ページ: 67-72

    • NAID

      110003500207

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] Photoconductive Properties of Organic Films Based on Porphine Complex Evaluated with Image Pickup Tube2005

    • 著者名/発表者名
      Aihara S., Miyakawa K., Ohkawa Y., Matsubara T., Takahata T., Suzuki S., Kubota M., Tanioka K., Kamata N., Terunuma D.
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 44

      ページ: 3743-3747

    • NAID

      10016440748

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656210
  • [雑誌論文] ポリシラン/有機色素混合薄膜による光機能素子2005

    • 著者名/発表者名
      河本雄二, 鎌田憲彦, 松本晃, 幡野健, 照沼大陽, 相原聡
    • 雑誌名

      電子情報通信学会シリコンフォトニクス研究会 SIPH2004-9

      ページ: 41-45

    • NAID

      120006388534

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17656210
  • [雑誌論文] Remarkable Increase of Deep UV Emission from Quaternary InAlGaN by Reducing Oxygen and Carbon Impurities2005

    • 著者名/発表者名
      T. Ohashi, H. Hirayama, K. Ishibashi and N. Kamata
    • 雑誌名

      Proc. Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston FF3.2

      ページ: 784-784

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] Nonradiative centers InAs quantum dots revealed by two-wavelength excited photoluminescence2005

    • 著者名/発表者名
      N.Kamata, S.Saravanan, J.M.Z.Ocampo, Y.Arakawa
    • 雑誌名

      Int.Conf.on Defects in Semiconductors

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350002
  • [雑誌論文] Formation of Eu^<2+> in SiO_2 Al_2O_3 Glass During Thermal Treatment in Sol-Gel Process2004

    • 著者名/発表者名
      N.Kamata, K.Tosaka, Z.Honda, K.Yamada
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 43

    • NAID

      10012705011

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350002
  • [雑誌論文] Effect of modulation-doping on luminescence properties of plasma assisted MBE-grown GaN/AlGaN quantum well2004

    • 著者名/発表者名
      N.Kamata, H.Klausing, T.Someya, Y.Arakawa et al.
    • 雑誌名

      The European Phys.J.-Applied Physics 27

      ページ: 271-273

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350002
  • [雑誌論文] Effect of modulation-doping on luminescence properties of plasma assisted MBE-grown GaN/AlGaN quantum well2004

    • 著者名/発表者名
      N.Kamata, H.Klausing, T.Someya, Y.Arakawa et al.
    • 雑誌名

      The European Phys.J.-Applied Phys. 27

      ページ: 271-273

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350002
  • [雑誌論文] Effect of Modulation-Doping on Luminescence Properties of Plasma Assisted MBE-Growm GaN/AlGaN Quantum Well2004

    • 著者名/発表者名
      N.Kamata, H.Klausing, T.Someya, Y.Arakawa et al.
    • 雑誌名

      The European Phys.J.-Appl.Phys. 27

      ページ: 271-273

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350002
  • [雑誌論文] BaMgAl_<10>O_<17>:Eu^<2+>蛍光体の熱及び光ルミネッセンス2004

    • 著者名/発表者名
      馬峰治, 鎌田憲彦, 木島直人, 下村康夫, 小原秀彦
    • 雑誌名

      埼玉大学地域共同研究センター紀要 No.4

      ページ: 75-78

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350002
  • [雑誌論文] Effect of modulation-doping on luminescence properties of plasma assisted MBE-grown GaN/AlGaN quantum well2003

    • 著者名/発表者名
      N.Kamata, H.Klausing, T.Someya, Y.Arakawa et al.
    • 雑誌名

      10^<th> Int.Conf.on Defects : Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors 10

      ページ: 35-35

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350002
  • [雑誌論文] Improved quality of plasma assisted MBE-grown GaN/AlGaN quantum wells revealed by two-wavelength excited photoluminescence2003

    • 著者名/発表者名
      H.Klausing, N.Kamata, T.Someya, T.Arakawa et al.
    • 雑誌名

      Techn.Digest,5^<th> Int, Conf.on Nitride Semiconductors 5

      ページ: 253-253

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350002
  • [雑誌論文] Improved quality of plasma assisted MBE-grown GaN/AlGaN quantum wells revealed by two-wavelength excited photoluminescence2003

    • 著者名/発表者名
      H.Klausing, N.Kamata, T.Someya, Y.Arakawa et al.
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol.(c) 0

      ページ: 2658-2661

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350002
  • [雑誌論文] Wavelength selectivities of organic photoconductive films : Dye-doped polysilanes and zinc p hthalocyanine/tris-8-hydroquinoline aluminum double layer2003

    • 著者名/発表者名
      S.Aihara, Y.Hirano, T.Tajima, K.Tanioka, M.Abe, N.Saito, N.Kamata, D.Terunuma
    • 雑誌名

      Applied Physics Lett. 82

      ページ: 511-513

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350158
  • [雑誌論文] Wavelength selectivities of organic photoconductive films : Dye-doped polysilanes and zinc phthalocyanine/tris-8-hydroquinoline aluminum double layer2003

    • 著者名/発表者名
      S.Aihara, Y.Hirano, T.Tajima, K.Tanioka, M.Abe, N.Saito, N.Kamata, D.Terunuma
    • 雑誌名

      Applied Physics Lett. 82

      ページ: 511-513

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350158
  • [雑誌論文] Image picup from zinc phtarocyanine/bathocuproine double-layer film using picup tube2003

    • 著者名/発表者名
      S.Aihara, K.Tanioka, N.Kamata, D.Terunuma, et al.
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 42

      ページ: 801-803

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350158
  • [雑誌論文] Efficient energy transfer from polysilane molecules and its application to electroluminescence2003

    • 著者名/発表者名
      N.Kamata, D.Terunuma, R.Ishii, H.Satoh, S.Aihara, Y.Yaoita, S.Tonsy
    • 雑誌名

      J.Organometallic Chemistry 685

      ページ: 235-242

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350158
  • [雑誌論文] Improved quality of plasma assisted MBE-grown GaN/AlGaN quantum wells revealed by two-wavelength excited photoluminescence2003

    • 著者名/発表者名
      H.Klausing, N.Kamata, T.Someya, Y.Arakawa et al.
    • 雑誌名

      Techn.Digest, 5^<th> Int, Conf.on Nitride Semiconductors 5

      ページ: 253-253

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350002
  • [雑誌論文] Image picup from zinc phtarocyanine/bathocuproine double-layer film using picup tube2003

    • 著者名/発表者名
      S.Aihara, K.Tanioka, N.Kamata, D.Terunuma, et al.
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl. Phys. 42

      ページ: 801-803

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350158
  • [雑誌論文] Image picup from zinc phtarocyanine/bathocuproine double-layer film using picup tube.2003

    • 著者名/発表者名
      S.Aihara, K.Tanioka, N.Kamata, D.Terunuma, et al.
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 42

      ページ: 801-803

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350158
  • [雑誌論文] Below-gap recombination dynamics in GaN revealed by time-resolved and two-wavelength excited photoluminescence2002

    • 著者名/発表者名
      N.Kamata, J.M.Z.Ocampo, T.Someya, Y.Arakawa et al.
    • 雑誌名

      Materials Science and Engineering B91-92

      ページ: 290-293

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350002
  • [雑誌論文] Temperature dependence of photoluminescence intensity change due to below-gap excitation in GaN2002

    • 著者名/発表者名
      N.Kamata, J.M.Z.Ocampo, T.Someya
    • 雑誌名

      Inst.Phys.Conf.Ser. No.170

      ページ: 843-848

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350002
  • [雑誌論文] Temperature dependence of photoluminescence intensity change due to below-gap excitation in GaN2002

    • 著者名/発表者名
      N.Kamata, J.M.Z.Ocampo, T.Someya, et al.
    • 雑誌名

      Inst.Phys.Conf.Ser. No.170

      ページ: 843-848

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350002
  • [雑誌論文] Laser-Induced Formation of Nonradiative Centers Observed by Two-Wavelength Excited Photoluminescence

    • 著者名/発表者名
      H.Ogawa, N.Uchiyama, N.Kamata and Y.Arakawa
    • 雑誌名

      Special Issue in Physica Status Solidi (Accepted for publication )

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] Photoconductive Properties of Organic Films Based on Porphine Complex Evaluated with Image Pickup Tubes

    • 著者名/発表者名
      S.Aihara, K.Miyakawa, Y.Ohkawa, T.Matsubara, T.Takahata, S.Suzuki, M.Kubota, K.Tanioka, N.Kamata, D.Terunuma
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl. Phys. (In press)

    • NAID

      10016440748

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350158
  • [雑誌論文] 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価

    • 著者名/発表者名
      五十嵐航平, 石岡亮, 塚田悠介, 福田武司, 本多善太郎, 平山秀樹, 鎌田憲彦
    • 雑誌名

      電子情報通信学会EID2010-31

      ページ: 41-44

    • NAID

      10027800136

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [雑誌論文] Photoconductive Properties of Organic Films Based on Porphine Complex Evaluated with Image pickup Tube

    • 著者名/発表者名
      相原, 宮川, 大川, 松原, 高畠, 鈴木, 久保田, 谷岡, 鎌田, 照沼
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. (in press)

    • NAID

      10016440748

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350158
  • [雑誌論文] Nonradiative centers InAs quantum dots revealed by two-wavelength excited photoluminescence

    • 著者名/発表者名
      N.Kamata, S.Saravanan, J.M.Z.Ocampo, Y.Arakawa
    • 雑誌名

      Proc.Int.Conf.on Defects in Semiconductors (accepted)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350002
  • [雑誌論文] Laser-Induced Formation of Nonradiative Centers Observed by Two-Wavelength Excited Photoluminescence

    • 著者名/発表者名
      H. Ogawa, N. Uchiyama, N. Kamata and Y. Arakawa
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (accepted for publication)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [雑誌論文] Photoconductive Properties of Organic Films Based on Porphine Complex Evaluated with Image Pickup Tube

    • 著者名/発表者名
      相原, 宮川, 大川, 松原, 高畠, 鈴木, 久保田, 谷岡, 鎌田, 照沼
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. In press

    • NAID

      10016440748

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14350158
  • [産業財産権] 顕微フォトルミネッセンス測定装置及び測定方法2010

    • 発明者名
      鎌田憲彦, 大木孝一
    • 権利者名
      鎌田憲彦, 大木孝一
    • 取得年月日
      2010-01-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [産業財産権] 顕微フォトルミネッセンス測定装置及び測定方法2010

    • 発明者名
      鎌田憲彦、大木孝一
    • 権利者名
      鎌田憲彦、大木孝一
    • 出願年月日
      2010-01-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [産業財産権] 光半導体素子及びその製造方法2010

    • 発明者名
      平山秀樹, 大橋智明, 鎌田憲彦
    • 権利者名
      平山秀樹, 大橋智明, 鎌田憲彦
    • 取得年月日
      2010-06-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [産業財産権] 光半導体素子およびその製造方法2007

    • 発明者名
      平山 秀樹, 大橋 智昭, 鎌田 憲彦
    • 権利者名
      理研、埼玉大学
    • 出願年月日
      2007-08-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [産業財産権] 光半導体素のおよびその製造方法2007

    • 発明者名
      平山 秀樹, 大橋 智昭, 鎌田 憲彦
    • 権利者名
      理研、埼玉大学
    • 出願年月日
      2007-08-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [産業財産権] 光半導体素子およびその製造方法2007

    • 発明者名
      平山秀樹、大橋智昭、鎌田憲彦
    • 権利者名
      理研、埼玉大学
    • 産業財産権番号
      2007-219890
    • 出願年月日
      2007-08-27
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [産業財産権] 光半導体素子およびその製造方法2007

    • 発明者名
      平山秀樹、大橋智昭、鎌田憲彦
    • 権利者名
      理研、埼玉大学
    • 産業財産権番号
      2007-219910
    • 出願年月日
      2007-08-27
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] InGaN-LED動作時の禁制帯内励起光照射による非発光再結合準位の検出2021

    • 著者名/発表者名
      千代田 夏樹、鎌田 憲彦、矢口 裕之
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会、19p-Z29-2
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] 中間バンド型GaPN混晶のキャリア再結合過程の光学的評価:窒素濃度1.4%と3.2%の比較2021

    • 著者名/発表者名
      岩井 宏樹、フェルドス サンジーダ、鎌田 憲彦、八木 修平、矢口 裕之
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会、19p-Z29-1
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] 電流注入と光励起を用いた UV-LED 内の欠陥準位の検出2020

    • 著者名/発表者名
      白井 草汰、千代田 夏樹、鎌田 憲彦、糸数 雄吏、山初 駿太、平山 秀樹
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会、14p-PB2-6、(2020.3.14)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] 電流注入と光励起を用いたUV-LED内の欠陥準位の検出2020

    • 著者名/発表者名
      白井草汰,千代田夏樹,鎌田憲彦,糸数雄吏,山初駿太,平山秀樹
    • 学会等名
      第67回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] AlGaN歪制御に向けたAlGaN/AlN界面構造とアニール効果の検討2019

    • 著者名/発表者名
      糸数雄吏,桑葉俊輔,定昌史,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Nonradiative Recombination Centers in UVB AIGaN Quantum Well and Their Temperature Dependence Revealed by Below-Gap Excitation Light2019

    • 著者名/発表者名
      M. Ismail Hossain, Yuri Itokazu, Shunsuke Kuwaba, Norihiko Kamata, Noritoshi Maeda and Hideki Hirayama
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), MoP-CH-12(Poster), Okinawa, Nov.11, 2019
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] Carrier Recombination Processes in GaAs- and GaN-Based Semiconductors and Optical Characterization of Defect Levels,2019

    • 著者名/発表者名
      Norihiko Kamata
    • 学会等名
      5th Int. Conf. on Computer, Communication, Chemical, Materials & Electronic Engineering (IC4ME2), Keynote-2 (Invited), Rajshahi (Bangladesh), July 12, 2019
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] AlGaN UVC LEDs directly grown on DC-sputtered and high temperature annealed AlN templates2019

    • 著者名/発表者名
      S. Kuwaba, Y. Itokazu, S. Motegi, Y. Mogami, A. Osawa, K. Osaki, Y. Tamioka, A. Maeoka, M. Jo, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Nonradiative recombination centers in UVB AlGaN quantum well and their temperature dependence revealed by below-gap excitation light2019

    • 著者名/発表者名
      M. I. Hossain, Y. Itokazu, S. Kuwaba, N. Kamata, N. Maeda, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Detection of Nonradiative Recombination Levels in UV-LEDs by Irradiating Below-Gap Excitation Light2019

    • 著者名/発表者名
      Norihiko Kamata, Ken Matsuda, Sota Shirai, Zentaro Honda, and Hideki Hirayama
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week (CSW) 2019, TuP-D-11 (Poster), Nara, May 21, 2019
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] Nonradiative Recombination Centers in UV-LED Chips Detected by Below-Gap Excitation Light,2019

    • 著者名/発表者名
      Ken Matsuda, Sota Shirai, Zentaro Honda, and Norihiko Kamata,
    • 学会等名
      2019 Asia-Pacific Conf. on Engineering and Natural Sciences (APICENS)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] Investigation of AlGaN/AlN interface structure and annealing effect for control of strain re- laxation2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Itokazu, S. Kuwaba, M. Jo, N. Kamata, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Influence of the strain relaxation on the optical property of AlGaN quantum wells2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Itokazu, Y. Mogami, S. Kuwaba, S. Motegi, A. Osawa, K. Osaki, Y. Tamioka, M. Jo, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 固体の中の光と影 -光の科学と固体光源の可能性を拓く技術-2019

    • 著者名/発表者名
      鎌田憲彦
    • 学会等名
      2019年度(第52回)照明学会全国大会(招待講演), 九州大学伊都キャンパス, 2019年9月12日
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] Characterization of AIGaN based lower bound (280-300nm) UVB LED device grown by MOCVD2018

    • 著者名/発表者名
      M. A. Khan, Y. Itokazu, T. Matsumoto, S. Minami, N. Maeda, M. Jo, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      11th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2018/IC-PLANTS2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 深紫外AlGaN発光ダイオード特性のp-AlGaN膜厚依存性2018

    • 著者名/発表者名
      桑葉 俊輔、糸数 雄吏、定 昌史、鎌田 憲彦、平山 秀樹
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] Milliwatt Power UVA LEDs Developed by Using AlGaN Superlattice (SL) Buffer Layers Fabricated on AlN/Sapphire Templates2018

    • 著者名/発表者名
      Muhammad Ajmal Khan, Takuma Matsumoto, Yuri Itokazu, Noritoshi Maeda, Masafumi Jo, Norihiko Kamata, and Hideki Hirayama
    • 学会等名
      The 19th Int. Conf. on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy ICMOVPE
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] 高温アニール処理AlN上に作製したUVC-LEDの高効率動作2018

    • 著者名/発表者名
      糸数雄吏,桑葉俊輔,定昌史,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      日本学術振興会162委員会第110回研究会・特別公開シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 深紫外AlGaN発光ダイオード特性のp-AlGaN膜厚依存性2018

    • 著者名/発表者名
      桑葉俊輔,糸数雄吏,定昌史,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 半極性AIN/サファイアの結晶成長とUVC-LED実現へのアプローチ2018

    • 著者名/発表者名
      定昌史, 糸数雄吏, 桑葉俊輔, 鎌田憲彦, 平山秀樹
    • 学会等名
      独立行政法人日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会, 第110回研究会・特別公開シンポジウム「紫外発光デバイスの最前線と将来展望」
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] 325nm emission from highly transparent AlGaN UVA LEDs grown on AlN template in the LP-MOCVD2018

    • 著者名/発表者名
      M. A. Khan, T. Matsumoto, Y. Itokazu, N. Maeda, M. Jo, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Efficient carrier injection in UVC AlGaN LEDs with thick p-AlGaN layers2018

    • 著者名/発表者名
      Shunsuke Kuwaba, Yuri Itokazu, Masafumi Jo, Norihiko Kamata, and Hideki Hirayama
    • 学会等名
      The Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] Narrow band milliwatts power operation of AlGaN based UVB LED for medical applications2018

    • 著者名/発表者名
      M. A. Khan, T. Matsumoto, N. Maeda, M. Jo, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Conference on UV LED Technologies & Applications (ICULTA-2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] UVCレーザダイオード実現へのアプローチ2018

    • 著者名/発表者名
      前田哲利,定昌史,松本卓磨,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      日本学術振興会162委員会第110回研究会・特別公開シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 高温アニール・再成長により作製したAlNの結晶性に及ぼす核形成条件の影響2018

    • 著者名/発表者名
      糸数 雄吏、桑葉 俊輔、定 昌史、鎌田 憲彦、平山 秀樹
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] 半極性AlN/サファイアの結晶成長とUVC-LED実現へのアプローチ2018

    • 著者名/発表者名
      定昌史,糸数雄吏,桑葉俊輔,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      日本学術振興会162委員会第110回研究会・特別公開シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 高温アニール・再成長により作製したAlNの結晶性に及ぼす核形成条件の影響2018

    • 著者名/発表者名
      糸数雄吏,桑葉俊輔,定昌史,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 325nm Emission From Highly Transparent AlGaN UVA LEDs Grown on AlN Template in the LP-MOCVD2018

    • 著者名/発表者名
      Muhammad Ajmal Khan, Takuma Matsumoto, Yuri Itokazu, Noritoshi Maeda, Masafumi Jo, Norihiko Kamata, and Hideki Hirayama
    • 学会等名
      The 19th Int. Conf. on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] Recent Progress of high-efficiency AlGaN Deep-UV LEDs2018

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, M. Jo, N. Maeda, and N. Kamata
    • 学会等名
      16th Symposium on the Science and Technology of Lighting (LS-16)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Optical Characterization of Defect Levels in AlGaN Multiple Quantum Wells by Using Below-Gap Excitation Light2018

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, Y. Itokazu, Md H. Ismail, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 2018 Int. Symp. for Advanced Materials Research (ISAMR 2018)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] Influence of the nucleation condetions on the quality of AlN layers with high-temperature annealing and regrowth processes2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Itokazu, S. Kuwaba, M. Jo, N. Kamata, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Investigation of crystallinity and current injection issue in 310 nm AlGaN UVB LED grown on AlN template in LP-MOVPE2018

    • 著者名/発表者名
      M. A. Khan, T. Matsumoto, N. Maeda, M. Jo, Y. Yamada, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Nonradiative Recombination Centers in AlGaN Deep UV-LEDs Detected by Below Gap Excitation Light2018

    • 著者名/発表者名
      M. Ismail Hossain, Yuri Itokazu, Shunsuke Kuwaba, Norihiko Kamata, Noritoshi Maeda, and Hideki Hirayama
    • 学会等名
      The Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] Nonradiative recombination centers in AlGaN deep UV-LEDs detected by below-gap excitation light2018

    • 著者名/発表者名
      M. I. Hossain, Y. Itokazu, S. Kuwaba, N. Kamata, N. Maeda, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Milliwatt power UVA LEDs developed by using AlGaN superlattice (SL) buffer layers fabricated on AlN/sapphire templates2018

    • 著者名/発表者名
      M. A. Khan, T. Matsumoto, Y. Itokazu, N. Maeda, M. Jo, N. Kamata, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Improved Arrangement of Deep UV LEDs for Water-Purification System2018

    • 著者名/発表者名
      T. Miya, and N. Kamata
    • 学会等名
      The 2018 Int. Symp. for Advanced Materials Research (ISAMR 2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] Efficient carrier injection in UVC AlGaN LEDs with thick p-AlGaN layers2018

    • 著者名/発表者名
      S. Kuwaba, Y. Itokazu, M. Jo, N. Kamata, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Nonradiative Recombination Centers in UV-LEDs Detected by Below-Gap Excitention Light Under Current Injection2018

    • 著者名/発表者名
      Sota Shirai, Ken Matsuda, Norihiko Kamata, and Zentaro Honda
    • 学会等名
      The Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] Optical characterization of defect levels in AlGaN multiple quantum wells by using below-gap excitation light2018

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, Y. Itokazu, Md H. Ismail, and H. Hirayama
    • 学会等名
      The 2018 Int. Symp. for Advanced Materials Research (ISAMR 2018)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Influence of the nucleation conditions on the quality of AlN layers with high temperature annealing and regrowth processes2018

    • 著者名/発表者名
      Yuri Itokazu, Shunsuke Kuwaba, Masafumi Jo, Norihiko Kamata, and Hideki Hirayama
    • 学会等名
      The Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04954
  • [学会発表] Exceeding 30% IQE of AlGaN quantum well 304 nm UVB emission and single peak operation of 326nm UV LED2017

    • 著者名/発表者名
      M. A. Khan, Y. Itokazu, T. Matsumoto, N. Maeda, M. Jo, H. Hirayama and N. Kamata
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Nonradiative recombination centers in UV-LEDs reveled by below-gap excitation light at low current injection2017

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, K. Matsuda, T. Fukuda and Z. Honda
    • 学会等名
      The 11th Int. Symp. on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Over 10 % EQE AlGaN Deep-UV LED developed by using Transparent p-AlGaN Contact Layer2017

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Takano, Jun. Sakai, T. Mino, K. Tsubaki, N. Maeda, M. Jo, I. Ohshima, T. Matsumoto and N. Kamata
    • 学会等名
      SPIE Photonic West, Gallium Nitride Materials and Devices XII (OE107)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Development of UVB LED for medical applications2017

    • 著者名/発表者名
      M. Ajmal Khan, Y. Itokazu, T. Matsumoto, S. Minami, N. Maeda, M. Jo, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      理研シンポジウム 第5回「光量子工学」
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Recent Progress of AlGaN Deep-UV LEDs2016

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, M. Jo, N. Maeda and N. Kamata
    • 学会等名
      Int. Symp. on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nano Materials / Int. Conf. on Plasma-Nano Technology & Science (IS-Plasma 2016 / IC-PLANTS2016)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-03-06
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] Recent Progress of AlGaN Deep-UV LEDs2016

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, M. Jo, N. Maeda and N. Kamata
    • 学会等名
      Int. Symp. on the Science and Technology of Lighting (LS-15)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      2016-05-22
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] m面サファイア基板上半導性AlGaN/AlNの結晶成長と量子井戸発光特性2016

    • 著者名/発表者名
      大島一晟,定昌史,前田哲利,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会 レーザエレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      京都大学桂キャンパス(京都府京都市)
    • 年月日
      2016-12-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Recent Progress of AlGaN Deep-UV LEDs2016

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, M. Jo, N. Maeda and N. Kamata
    • 学会等名
      IS-Plasma 2016 / IC-PLANTS2016
    • 発表場所
      名古屋大学東山キャンパス(名古屋市千種区)
    • 年月日
      2016-03-08
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 光取出し効率改善による高効率(>10%)深紫外LEDの実現2016

    • 著者名/発表者名
      前田哲利,定昌史,高野隆好,阪井淳,美濃卓哉,椿健治,大島一晟,松本卓磨,鎌田憲彦,鹿島行雄,松浦恵理子,平山秀樹
    • 学会等名
      第4回「光量子工学研究 - 若手・中堅研究者から見た光量子工学の展開 -」
    • 発表場所
      理化学研究所(埼玉県和光市
    • 年月日
      2016-11-01
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Structural and electrical properties of semipolar (11-22) AlGaN grown on m-plane (1-100) sapphire substrates2016

    • 著者名/発表者名
      I. Oshima, T. Matsumoto, N. Maeda, M. Jo, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016)
    • 発表場所
      Orland, USA.
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Structural and electrical properties of semipolar (11-22) AlGaN grown on m-plane (1-100) sapphire substrates2016

    • 著者名/発表者名
      I. Oshima, T. Matsumoto, N. Maeda, M. Jo, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016)
    • 発表場所
      Orland, USA.
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] AlGaN系深紫外LEDの進展と展望2016

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、高野隆好、阪井淳、美濃卓哉、椿健治、定昌史、前田哲利、大島一晟、松本卓磨、鎌田憲彦、鹿嶋行雄、松浦恵里子
    • 学会等名
      電子情報通信学会
    • 発表場所
      北海道大学( 北海道札幌市)
    • 年月日
      2016-09-20
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] AlGaN系深紫外レーザーダイオード(LD)実現への進展2016

    • 著者名/発表者名
      松本卓磨, 大島一晟, 前田哲利, 定昌史, 鎌田憲彦, 平山秀樹
    • 学会等名
      第4回「光量子工学研究 - 若手・中堅研究者から見た光量子工学の展開 -」
    • 発表場所
      理研和光地区
    • 年月日
      2016-11-01
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Two-Wavelength Excited Photoluminescence in 4H-SiC Substrate -Dependence on BGE Power Density-2016

    • 著者名/発表者名
      K. Kondo, N. Kamata, S. Yagi, H. Yaguchi, T. Fukuda and Z. Honda
    • 学会等名
      Int. Symp. on Compound Semiconductors 2016
    • 発表場所
      Toyama, Japan
    • 年月日
      2016-06-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] Progress of THz Quantum Cascade Laser using Nitride Semiconductor2016

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, W. Terashima, S. Toyoda and N. Kamata
    • 学会等名
      74th Device Research Conference (DRC 2016)
    • 発表場所
      Newark, USA.
    • 年月日
      2016-06-19
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Growth of deep-UV (11-22) AlGaN quantum wells on m-plane (1-100) sapphire substrates2016

    • 著者名/発表者名
      T. Matsumoto, I. Oshima, N. Maeda, M. Jo, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016)
    • 発表場所
      Orland, USA.
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Two Wavelength Excited Photoluminescence in K2SiF6:Mn4+ Phosphor2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Kotsuka, T. Fukuda, Z. Honda, N. Kamata, M. Kaneyoshi
    • 学会等名
      Int. Symp. on the Science and Technology of Lighting (LS-15)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      2016-05-22
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] Approaches towards realizing Deep-UV Laser Diodes (LDs) by controlling p-AlGaN Layers2016

    • 著者名/発表者名
      T. Matsumoto, N. Maeda, M. Jo, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      RAPAC2016
    • 発表場所
      ヒルトン東京(東京都新宿区)
    • 年月日
      2016-08-02
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Below-gap radiative and nonradiative channels in undoped GaN epilayers -Growth temperature dependence of buffer layer2016

    • 著者名/発表者名
      M. Julkarnain, N. Kamata, T. Fukuda and Y. Arakawa
    • 学会等名
      Int. Symp. on the Science and Technology of Lighting (LS-15)
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      2016-05-22
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] AlGaN系深紫外LD実現へ向けた試み2016

    • 著者名/発表者名
      松本卓磨, 大島一晟, 前田哲利, 定昌史, 鎌田憲彦, 平山秀樹
    • 学会等名
      第5回結晶工学未来塾
    • 発表場所
      東京農工大学(東京都府中市)
    • 年月日
      2016-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] UVC-LDエピ構造への高密度電流注入の試み2016

    • 著者名/発表者名
      松本卓磨、大島一晟、前田哲利、定昌史、鎌田憲彦、平山秀樹
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Realization of Over 10 % EQE AlGaN Deep-UV LED by using Transparent p-AlGaN Contact Layer2016

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Takano, J. Sakai, T. Mino, K. Tsubaki, N. Maeda, M. Jo, Y. Kanazawa, I. Ohshima, T. Matsumoto, and N. Kamata
    • 学会等名
      The 25th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2016)
    • 発表場所
      神戸マリンパークオリエンタルホテル(兵庫県神戸市)
    • 年月日
      2016-09-12
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] m面サファイア基板上半極性AlGaN/AlN層の結晶成長とドーピング及び量子井戸発光特性2016

    • 著者名/発表者名
      大島一晟,定昌史,前田哲利,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学大岡山キャンパス(東京都目黒区)
    • 年月日
      2016-03-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] m面サファイア基板上半導性AlGaN/AlNの結晶成長と量子井戸発光特性2016

    • 著者名/発表者名
      大島一晟,定昌史,前田哲利,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会 レーザエレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      京都大学桂キャンパス(京都府京都市)
    • 年月日
      2016-12-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 半極性結晶を用いたUVC-LEDへの進展2016

    • 著者名/発表者名
      大島一晟,定昌史,前田哲利,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      第5回結晶工学未来塾
    • 発表場所
      東京農工大学(東京都府中市)
    • 年月日
      2016-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Non-radiative Recombination Centers in AlGaN Quantum Well Characterized by Two-Wavelength Excited Photoluminescence2016

    • 著者名/発表者名
      M. Julkarnain, T. Fukuda, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      Int. Symp. on Compound Semiconductors 2016
    • 発表場所
      Toyama, Japan
    • 年月日
      2016-06-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] 半極性AlN基板を用いた高効率LEDの開発2016

    • 著者名/発表者名
      大島一晟,定昌史,前田哲利,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      第4回「光量子工学研究 - 若手・中堅研究者から見た光量子工学の展開 -」
    • 発表場所
      理研和光地区
    • 年月日
      2016-11-01
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] 半極性AlN基板を用いた高効率LEDの開発2016

    • 著者名/発表者名
      大島一晟,定昌史,前田哲利,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      第4回「光量子工学研究-若手・中堅研究者から見た光量子工学の展開-」
    • 発表場所
      理化学研究所(埼玉県和光市)
    • 年月日
      2016-11-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Growth of deep-UV (11-22) AlGaN quantum wells on m-plane (1-100) sapphire substrates2016

    • 著者名/発表者名
      T. Matsumoto, I. Oshima, N. Maeda, M. Jo, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016)
    • 発表場所
      Orland, USA.
    • 年月日
      2016-10-02
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-16H06420
  • [学会発表] Optical Characterization of Carrier Recombination Processes in GaPN by Two-Wavelength Excited Photoluminescence2016

    • 著者名/発表者名
      M. Suetsugu, *N. Kamata, S. Yagi, H. Yaguchi, T. Fukuda, F. Karlsson and Per-Olof Holtz
    • 学会等名
      Int. Symp. on Compound Semiconductors 2016
    • 発表場所
      Toyama, Japan
    • 年月日
      2016-06-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] ウェットエッチングによるサファイア表面加工基板(PSS)を用いた深紫外LED用高品質AlNテンプレートの作製2015

    • 著者名/発表者名
      金沢 裕也、豊田 史朗、大島 一晟、鎌田 憲彦、鹿嶋 行雄、松浦 恵里子、嶋谷 聡、小久保 光典、田代 貴晴、大川 貴史、上村 隆一郎、長田 大和、平山 秀樹
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      12p-B1-5, 東海大学
    • 年月日
      2015-03-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] サファイア加工基板上AlNの結晶成長とそれを用いた深紫外LEDの実現2015

    • 著者名/発表者名
      金沢裕也,松本卓磨,鎌田憲彦,前田哲利,定昌史,平山秀樹
    • 学会等名
      理研シンポジウム第3回「光量子工学研究」
    • 発表場所
      理化学研究所和光地区(埼玉県和光市)
    • 年月日
      2015-11-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 特異構造結晶の導入による高効率深紫外デバイスとTHz-QCLの開発2015

    • 著者名/発表者名
      平山 秀樹、前田 哲利、定 昌史、寺嶋 亘、豊田 史朗、鎌田 憲彦
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会(シンポジウム講演)
    • 発表場所
      14p-B1-6, 東海大学
    • 年月日
      2015-03-14
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] 無極性m面サファイア上AlGaN/AlNの結晶成長と深紫外発行特性2015

    • 著者名/発表者名
      大島一晟,定昌史,前田哲利,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      理研シンポジウム第3回「光量子工学研究」
    • 発表場所
      理化学研究所和光地区(埼玉県和光市)
    • 年月日
      2015-11-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] High-quality AlN template for deep-UV LEDs grown on facet controlled patterned sapphire substrate (FC-PSS)2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Kanazawa, H. Hirayama, N. Maeda, M. Jo, N. Kamata, Y. Kashima, E. Matsuura, S. Shimatani, M. Kokubo, T. Tashiro, T. Ohkawa, R. Kamimura and Y. Osada
    • 学会等名
      ISGN-6
    • 発表場所
      アクトシティ浜松(静岡県浜松市)
    • 年月日
      2015-11-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Growth and optical properties of semi-polar AlN/AlGaN layers grown on m-plane sapphire substrates2015

    • 著者名/発表者名
      I. Ohshima, M. Jo, N. Maeda, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      ISGN-6
    • 発表場所
      アクトシティ浜松(静岡県浜松市)
    • 年月日
      2015-11-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Below-gap recombination channels in GaN revealed by two-wavelength excited photoluminescence2015

    • 著者名/発表者名
      M. Julkarnain, T. Fukuda, N. Kamata and Y. Arakawa
    • 学会等名
      Int. Conf. on Defects in Semiconductors (ICDS-2015)
    • 発表場所
      Espoo, Finland
    • 年月日
      2015-07-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] m 面サファイア基板上半極性AlN/AlGaN 層の結晶成長と光学特性2015

    • 著者名/発表者名
      大島一晟,定昌史,前田哲利,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Optical study on solution-processed organic thin films of energy donor-acceptor pair molecules2015

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, T. Ohtake, Y. Ishimaru and T. Fukuda
    • 学会等名
      Int. Conf. on Defects in Semiconductors (ICDS-2015)
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 年月日
      2015-07-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] Terahertz Qunatum-Cascade Laser based on III-nitride Semiconductors2015

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, W. Terashima, S. Toyoda and N. Kamata
    • 学会等名
      Int. Symp. on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2015-11-08
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] Progress of THz Quantum Cascade Laser Using Nitride Semiconductor2015

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, W. Terashima, S. Toyoda and N. Kamata
    • 学会等名
      Int. Conf. on Nitride Semiconductors (ICNS 2015)
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 年月日
      2015-08-30
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] Below-Gap Emission Bands in Undoped GaN and Its Excitation Density Dependence2015

    • 著者名/発表者名
      M. Julkarnain, T. Fukuda, N. Kamata and Y. Arakawa
    • 学会等名
      Int. Conf. on Nitride Semiconductors (ICNS 2015)
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 年月日
      2015-08-30
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] ファセット表面加工基板上に成長した深紫外LED 用高品質AlN テンプレート2015

    • 著者名/発表者名
      金沢裕也,平山秀樹,前田哲利,定昌史,鎌田憲彦,鹿嶋行雄,松浦恵里子,嶋谷聡,小久保光典,田代貴晴,大川貴史,上村隆一郎,長田大和
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Photoluminescence Characterization of Nonradiative Recombination Centers in Light Emitting Materials by Utilizing Below-Gap Excitation, : A Mini Review of Two-Wavelength Excited Photolumineascemce2015

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata and A. Z. M. T. Islam
    • 学会等名
      ICMEIE-2015
    • 発表場所
      Rajshahi,Bangladesh
    • 年月日
      2015-06-05
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] m面サファイア上AlGaN/AlNの結晶成長と光学特性2015

    • 著者名/発表者名
      大島一晟,定昌史,前田哲利,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪市立大学(大阪府大阪市)
    • 年月日
      2015-11-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Trap centers and photostimulated-luminescence in Ba3Si6O12N2:Eu2+ phosphor revealed by below-gap excitation2015

    • 著者名/発表者名
      ・T. Li, Y. Kotsuka, N. Kamata, T. Fukuda, Z. Honda and T. Kurushima
    • 学会等名
      Int. Conf. on Defects in Semiconductors (ICDS-2015)
    • 発表場所
      Espoo, Finland
    • 年月日
      2015-07-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] Progress of GaN-based THz Quantum Cascade Lasers2015

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, W. Terashima, S. Toyoda and N. Kamata
    • 学会等名
      Asian Pacific Workshop on Nitride Semiconductors (APWS 2015)
    • 発表場所
      Seoul, Korea
    • 年月日
      2015-05-17
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] THz quantum cascade lasers using nitride semiconductors2015

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, W. Terashima, S. Toyoda and N. Kamata
    • 学会等名
      VI Workshop on Physics and Technologies of Semiconductor Lasers
    • 発表場所
      Krakow, Poland
    • 年月日
      2015-10-12
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Ba3Si6O12N2:Eu2+蛍光体の2波長励起PL測定ーAGEの前照射時間依存性2015

    • 著者名/発表者名
      高塚 洋右、李 延延、福田 武司、本多 善太郎、来島 友幸、鎌田 憲彦
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      11a-A25-4, 東海大学
    • 年月日
      2015-03-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] Nonradiative recombination pathway via the intermediate band in GaP1-xNx studied by below-gap excitation2015

    • 著者名/発表者名
      ・M. Suetsugu, M. Eriksson, K. F. Karlsson, P. O. Holtz, N. Kamata, S. Yagi and H.Yaguchi
    • 学会等名
      Int. Conf. on Defects in Semiconductors (ICDS-2015)
    • 発表場所
      Espoo, Finland
    • 年月日
      2015-07-27
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] AlGaN系深紫外LED高効率化の進展と展望2015

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹,前田哲利,定昌史,鎌田憲彦
    • 学会等名
      第143回結晶工学分科会研究会
    • 発表場所
      東京都市大学(東京都世田谷区)
    • 年月日
      2015-06-05
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] Precise Growth Control for AlGaN/GaN Superlattices by MBE and MOCVD for Developing GaN-based THz Quantum Cascade Lasers2015

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, W. Terashima, S. Toyoda and N. Kamata
    • 学会等名
      Energy Materials and Nanotechnology Collaborative Conference on Crystal Growth (EMN3CG) 2015
    • 発表場所
      Hong Kong, China
    • 年月日
      2015-12-14
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] THz Quantum Cascade Lasers using Nitirde Semiconductors2015

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, W. Terashima, S. Toyoda and N. Kamata
    • 学会等名
      Workshop on Physics and Technologies of Semiconductor Lasers
    • 発表場所
      Krakow, Poland
    • 年月日
      2015-10-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] Terahertz quantum-cascade laser based on III-nitride semiconductors2015

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama and W. Terashima, S. Toyoda and N. Kamata
    • 学会等名
      ISGN-6
    • 発表場所
      アクトシティ浜松(静岡県浜松市)
    • 年月日
      2015-11-12
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15H05733
  • [学会発表] 二波長励起PL法によるBa3Si6O12N2:Eu2+の非発光再結合準位評価2014

    • 著者名/発表者名
      李廷廷,福田武司,本多善太郎,鎌田憲彦,来島友幸
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      18p-PB8-8,北海道大学
    • 年月日
      2014-09-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] MOCVDを用いたGaN系QCLの結晶成長と評価2014

    • 著者名/発表者名
      豊田史朗,寺嶋亘,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] 二波長PL測定によるGaPN混晶の中間バンドの観測2014

    • 著者名/発表者名
      末次麻希子,トウヒドルイスラム,村越尚輝,花岡司,鎌田憲彦,矢口裕之
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] エネルギードナー・アクセプター発光による有機薄膜中の分子凝集の評価2014

    • 著者名/発表者名
      大竹隆明,鎌田憲彦,福田武司
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      17a-PA1-7,北海道大学
    • 年月日
      2014-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] Optical Detection of Nonradiative Recombination Centers in AlGaN Quantum Wells for Deep UV Region2013

    • 著者名/発表者名
      A. Z. M. Touhidul Islam, N. Murakoshi, T. Fukuda, H. Hirayama and N. Kamata
    • 学会等名
      10th Int.ernational Conference on Nitride Semiconductors 2013
    • 発表場所
      Washington DC, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] Directing a Spotlight on to Nonradiative Recombintion Centers2013

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata
    • 学会等名
      Special Lecture Series
    • 発表場所
      国立台湾大学
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] 二波長励起PL 法を用いたInAlGaNの非発光再結合準位評価2013

    • 著者名/発表者名
      村越尚樹,イスラム トウヒドル,福田武司,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] Optical Detection of Nonradiative Recombination Centers in AlGaN Quantum Wells for Deep UV Region2013

    • 著者名/発表者名
      A. Z. M. Touhidul Islam, N. Murakoshi, T. Fukuda, H. Hirayama and N. Kamata
    • 学会等名
      10th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Wsshington.DC, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] Directing a Spotlight on to Nonradiative Recombination Centers2013

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata
    • 学会等名
      Special Lecture Series
    • 発表場所
      国立台湾大学
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] 二波長励起PL 法を用いたInAlGaNの非発光再結合準位評価2013

    • 著者名/発表者名
      村越尚樹,イスラム トウヒドル,福田武司,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] 深紫外LED用結合ピラーAINバッファーの改善2013

    • 著者名/発表者名
      豊田史朗,水澤克哉,鎌田憲彦,平山秀樹
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] 深紫外LEDバッファー用結合ピラーAINの結晶成長技術の開拓2012

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、富田優志、藤川紗千恵、豊田史朗、鎌田憲彦
    • 学会等名
      第5回公開シンポジウム 光・光量子科学技術の新展開
    • 発表場所
      富士ソフトアキバプラザ(東京)
    • 年月日
      2012-11-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] Optical Characterization of Non-Radiative Recombination Centers in InGaAs/AlGaAs Quantum Wells by Below-Gap Excitation2012

    • 著者名/発表者名
      A. Z. M. Touhidul Islam, K. Hatta, N. Murakoshi, T. Fukuda, T. Takada, T. Itatani and N. Kamata
    • 学会等名
      The 13^<th> Int. Symp. on Science and Technology of Lighting (LS-13)
    • 発表場所
      Troy, NY, USA
    • 年月日
      2012-06-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] AlGaN 系深紫外LEDの高効率化への取り組み2012

    • 著者名/発表者名
      富田優志、平山秀樹、藤川紗千恵、水澤克哉、豊田史朗、鎌田憲彦
    • 学会等名
      第5回公開シンポジウム 光・光量子科学技術の新展開
    • 発表場所
      富士ソフトアキバプラザ(東京)
    • 年月日
      2012-11-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] High-Efficiency AlGaN-based Deep-UV LEDs Realized by Improving Injection and Light-Extraction Efficiency2012

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, M. Akiba, Y. Tomita, S. Fujikawa and N. Kamata
    • 学会等名
      The 13^<th> Int. Symp. on Science and Technology of Lighting (LS-13),
    • 発表場所
      Troy, NY, USA(招待講演)
    • 年月日
      2012-06-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] 結合ピラーAINバッファーを用いた高効率深紫外LEDの検討2012

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、富田優志、藤川紗千恵、豊田史朗、鎌田憲彦
    • 学会等名
      第5回公開シンポジウム 光・光量子科学技術の新展開
    • 発表場所
      富士ソフトアキバプラザ(東京)
    • 年月日
      2012-11-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] 多重量子障壁を用いた230nm帯短波長・高効率深紫外LEDの実現2012

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、藤川紗千恵、鎌田憲彦
    • 学会等名
      第5回公開シンポジウム 光・光量子科学技術の新展開
    • 発表場所
      富士ソフトアキバプラザ(東京)
    • 年月日
      2012-11-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] 220-350mm帯AlGaN系深紫外LEDのこれまでの進展2012

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、藤川紗千恵、前田哲利、富田優志、水澤克哉、豊田史朗、鎌田憲彦
    • 学会等名
      第5回公開シンポジウム 光・光量子科学技術の新展開
    • 発表場所
      富士ソフトアキバプラザ(東京)
    • 年月日
      2012-11-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] Optical Characterization of Non-Radiative Centers and Improvement in Light Extraction Efficiency of Deep UV-LEDs2012

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, A. Z. M. Touhidul Islam, M. Akiba, K. Igarashi, N. Murakoshi, T. Fukuda and H. Hirayama
    • 学会等名
      Proc. 5th Lighting Conf. of China, Japan and Korea
    • 発表場所
      東海大学高輪キャンパス(招待講演)
    • 年月日
      2012-08-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] Optical Characterization with Below-Gap Excitation and Improvements on Deep-UV LEDs (Invited)2011

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata
    • 学会等名
      Asia Pacific Light Sources Workshop (APLSW) 2011
    • 発表場所
      Taipei, Taiwan
    • 年月日
      2011-04-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Reduction of Macro-Step Geometry and Abnormal Nuclei on AlN/Sapphire for use as Deep-UV LED Templates2011

    • 著者名/発表者名
      N.Maeda, H.Hirayama, M.Akiba, N.Kamata
    • 学会等名
      9^<th> International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9), PA1.18
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • 年月日
      2011-07-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Optical Characterization with Below Gap Excitation and Improvements on Deep-UV LEDs2011

    • 著者名/発表者名
      N.Kamata
    • 学会等名
      Asia Pacific Light Sources Workshop (APLSW)2011
    • 発表場所
      Taipei, Taiwan(Invited)
    • 年月日
      2011-04-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Growth of Flat p-GaN Contact Layer by Pulse-Flow Method for High Light-Extraction AlGaN Deep-UV LEDs with Al Electrode2011

    • 著者名/発表者名
      M. Akiba, Y. Tomita, Y. Tsukada, H. Hirayama, N. Maeda, N. Kamata
    • 学会等名
      Asian Pacific Workshop on Nitride Semiconductors (APWS2011)
    • 発表場所
      Toba, Mie, Japan
    • 年月日
      2011-05-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] High-Efficiency Short-Wavelength AlGaN DUV LEDs Realized by Improving Injection Efficiency with MQB2011

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, Y. Tsukada, M. Akiba, Y. Tomita, S. Fujikawa, N. Maeda, N. Kamata
    • 学会等名
      Asian Pacific Workshop on Nitride Semiconductors (APWS2011)
    • 発表場所
      Toba, Mie, Japan
    • 年月日
      2011-05-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Reduction of Macro-Step Geometry and Abnormal Nuclei on AlN/Sapphire for use as Deep-UV LED Templates2011

    • 著者名/発表者名
      N. Maeda, H. Hirayama, M. Akiba, N. Kamata
    • 学会等名
      9th Int. Conf. on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • 年月日
      2011-07-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Growth of Flat and Thin p-GaN Contact Layer by NH3 Pulse-flow Method for High Light-Extraction AlGaN Deep-UV LEDs2011

    • 著者名/発表者名
      M.Akiba,Y.Tomita, H.Hirayama, Y.Tsukada, N.Maeda, N.Kamata
    • 学会等名
      9^<th> International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9), F5.2
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • 年月日
      2011-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Marked Increase of Injection Efficiency in AlGaN Deep-UV LEDs2011

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, Y. Tsukada, M. Akiba, Y. Tomita, S. Fujikawa, N. Maeda, N. Kamata
    • 学会等名
      9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • 年月日
      2011-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Marked Increase of Injection Efficiency in AlGaN Deep-UV LEDs2011

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Tsukada, M.Akiba, Y.Tomita, S.Fujikawa, N.Maeda, N.Kamata
    • 学会等名
      9^<th> International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9), F4.1
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • 年月日
      2011-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Ba_3Si_6O_<12>N_2:Eu^<2+>蛍光体のフォト-及び熱ルミネッセンス評価2011

    • 著者名/発表者名
      石岡亮、五十嵐航平、福田武司、木島直人、鎌田憲彦
    • 学会等名
      発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会
    • 発表場所
      高知工科大学
    • 年月日
      2011-01-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Growth of Flat p-GaN Contact Layer by Pulse-Flow Method for Hig Light-Extraction AlGaN Deep-UV LEDs with Al Electrode2011

    • 著者名/発表者名
      M.Akiba, Y.Tomita, Y.Tsukada, H.Hirayama, N.Maeda, N.Kamata
    • 学会等名
      Asian Pacific Workshop on Nitride Semiconductors (APWS2011)
    • 発表場所
      Toba, Mie, Japan
    • 年月日
      2011-05-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価2011

    • 著者名/発表者名
      五十嵐航平、石岡亮、塚田悠介、福田武司、本多善太郎、平山秀樹、鎌田憲彦
    • 学会等名
      発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会
    • 発表場所
      高知工科大学
    • 年月日
      2011-01-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Growth of Flat and Thin p-GaN Contact Layer by NH3 Pulse-flow Method for High Light-Extraction AlGaN Deep-UV LEDs2011

    • 著者名/発表者名
      M. Akiba, Y. Tomita, H. Hirayama, Y. Tsukada, N. Maeda, N. Kamata
    • 学会等名
      9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • 年月日
      2011-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Progress of AlGaN-based Deep-UV LEDs using High-Quality AlN on Sapphire2010

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, Y. Tsukada, N. Kamata
    • 学会等名
      22th Int. Semiconductor Laser Conf.(ISLC2010)
    • 発表場所
      Kyoto
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] AlGaN Deep-UV LEDs using Multiquantum-Barrier2010

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, Y. Tsukada, N. Maeda, N. Kamata
    • 学会等名
      The 8th Int. Symp. on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    • 発表場所
      Beijing China
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] High-Power Short-Wavelength AlGaN Deep-UV LEDs Realized by Improving Injection Efficiency2010

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, Y. Tsukada, M. Akiba, N. Maeda, N. Kamata
    • 学会等名
      Int. Workshop on Nitride Semicond.(IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] High-Power Short-Wavelength AlGaN Deep-UV LEDs Realized by Improving Injection Efficiency2010

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Tsukada, M.Akiba, N.Maeda, N.Kamata
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Efficiency Enhance-ment in 250 nm-band AlGaN Deep-UV LEDs using Multiquantum-Barrier2010

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, Y. Tsukada, N. Maeda, N. Kamata
    • 学会等名
      The 3rd Int. Symp. on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
    • 発表場所
      Montpellier, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Efficiency Enhancement in AlGaN Deep-UV LEDs using High-Reflectivity Al-based p-type Electrode(IWN2010ベストポスター賞)2010

    • 著者名/発表者名
      M. Akiba, H. Hirayama, Y. Tsukada, N. Maeda, N. Kamata
    • 学会等名
      Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] 247-262 nm A1GaN Deep-UVLEDs using Multiquantum-Barrier2010

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Tsukada, N.Maeda, N.Kamata
    • 学会等名
      The 8^<th> International Symposium on Semiconduc tors Light Emitting Devices (ISSLED2010), E3
    • 発表場所
      Beijing China
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Efficiency Enhancement in AlGaN Deep-UV LEDs using High-Refle ctivity Al-based p-type Electrode (IWN2010ベストポスター賞受賞)2010

    • 著者名/発表者名
      M.Akiba, H.Hirayama, Y.Tsukada N.Maeda, N.Kamata
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Efficiency Enhancement in 250 nm-band AlGaN Deep-UV LEDs using Multiquantum-Barrier2010

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Tsukada, N.Maeda, N.Kamata
    • 学会等名
      The 3^<rd> International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
    • 発表場所
      Montpellier, France
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Energy distribution of below-gap states in InGaN quantum wells revealed by two-wavelength excited photoluminescence2010

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, T. Yamaguchi, T. Fukuda, Y. Arakawa
    • 学会等名
      Proc. 12th Int. Symp. on the Science and Technology of Light Sources and Int. Conf. on White LEDs and Solid State Lighting (LS-WLED2010)
    • 発表場所
      Eindhoven, Netherland
    • 年月日
      2010-07-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Design of Multiquantum-barrier Electron-Blocking Layer for 230-280 nm-band AlGaN Deep-UV LEDs2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Tsukada, H.Hirayama, N.Kamata
    • 学会等名
      The 8^<th> International Symposium on Semiconduc tors Light Emitting Devices (ISSLED2010),I5
    • 発表場所
      Beijing China
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Marked Efficiency Enhancement of AlGaN-based Deep-UV LEDs using Multiquantum-Barrier2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Tsukada, H. Hirayama, N. Kamata
    • 学会等名
      22th Int. Semiconductor Laser Conf.(ISLC2010)
    • 発表場所
      Kyoto
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Optimization of Multiquantum-barrier (MQB) Structure of AlGaN Deep-UV LEDs for Realizing High Injection Efficiency2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Tsukada, H.Hirayama, N.Kamata
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Design of Multiquantum-barrier Electron-Blocking Layer for 230-280 nm-band AlGaN Deep-UV LEDs2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Tsukada, H. Hirayama, N. Kamata
    • 学会等名
      The 8th Int. Symp. on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    • 発表場所
      Beijing China
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Energy distribution of below-gap states in InGaN quantum wells revealed by two-wavelength excited photoluminescence2010

    • 著者名/発表者名
      N.Kamata, T.Yamaguchi, T.Fukuda, Y.Arakawa
    • 学会等名
      Proc.12^<th> Int.Symp.on the Science and Technology of Light Sources and the 3^<rd> Int.Conf.on White LEDs and Solid State Lighting (LS-WLED2010), CP020
    • 発表場所
      Eindhoven, Netherland
    • 年月日
      2010-07-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Progress of AIGaN-based Deep-UV LEDs using High-Quality AIN on Sapphire2010

    • 著者名/発表者名
      H.Hirayama, Y.Tsukada, N.Kamata
    • 学会等名
      22th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2010)
    • 発表場所
      Kyoto
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Marked Efficiency Enhancement of AlGaN-based Deep-UV LEDs using Multiquantum-Barrier2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Tsukada, H.Hirayama, N.Kamata
    • 学会等名
      22th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2010)
    • 発表場所
      Kyoto
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Optical Detection of Nonradiative Centers in GaN-Based Crystals by Photoluminescence with Below-Gap Excitation2009

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, T. Yamaguchi, T. Fukuda, Y. Arakawa
    • 学会等名
      The 2nd Int. Conf. on White LEDs and Solid State Lighting
    • 発表場所
      Taipei (Taiwan)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] 240nm AlGaN-LEDのCW1.2mW出力動作2009

    • 著者名/発表者名
      乗松潤、平山秀樹、塚田悠介、鎌田憲彦
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会、11p-X-3
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Siドーピングによる250nm帯InドープAlGaN量子井戸LED高効率化の検討2009

    • 著者名/発表者名
      塚田悠介、藤川紗千恵、平山秀樹、乗松潤、鎌田憲彦
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会、11p-X-2
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] 二波長励起PL法を用いたInGaAs-HEMT結晶の禁制帯内準位の測定-組織依存性-2009

    • 著者名/発表者名
      山口朋彦、五十嵐航平、福田武司、高田朋幸、板谷太郎、本多善太郎、鎌田憲彦
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会、10a-TC-3
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] Optical detection of nonradiative centers in GaN-based crystals by photoluminescence with below-gap excitation2009

    • 著者名/発表者名
      鎌田憲彦, 山口朋彦, 福田武司 Y.Arakawa
    • 学会等名
      The 2^<nd> Int.Conf.on White LEDs and Solid State Lighting, MA1-6,(査読有)
    • 発表場所
      Taipei(Taiwan)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] In混入AlGaNの発光およびp型特性と高効率深紫外LEDへの応用2009

    • 著者名/発表者名
      藤川紗千恵、塚田悠介、乗松潤、高野隆好、野口憲路、椿健治、鎌田憲彦
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会、9p-X-7
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] 二波長励起PL法を用いたInGaAs-HEMT結晶の禁制帯内準位の測定-組成依存性-2009

    • 著者名/発表者名
      山口朋彦, 五十嵐航平, 福田武司, 高田朋幸, 板谷太郎, 本多善太郎, 鎌田憲彦
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] K1, 222-273 nm AlGaN Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on High-Quality AlN Buffer on Sapphire2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Yatabe, N. Noguchi, N. Kamata
    • 学会等名
      International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED)
    • 発表場所
      Invited.
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] 248nm ALGaN深紫外LEDの室温CWミリワット出力動作鎌田憲彦、2008

    • 著者名/発表者名
      谷田部透、平山秀樹、野月憲路、乗松潤、鎌田憲彦て
    • 学会等名
      応用物理学関係連合講演会 30a-B-10
    • 発表場所
      日大舟橋
    • 年月日
      2008-03-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] 222nm AlGaN深紫外LKDのシングルピーク発光動作2008

    • 著者名/発表者名
      野口憲路、平山秀樹、谷田部透、鎌田憲彦
    • 学会等名
      応用物理学関係連合講演会 30a-B-11
    • 発表場所
      日大舟橋
    • 年月日
      2008-03-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] アンモニアパルス供給多層成長法を用いた深紫外LED用AINバッファーの進展2008

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、谷田部透、野口憲路、乗松潤、鎌田憲彦
    • 学会等名
      応用物理学関係連合講演会 29p-B-8
    • 発表場所
      日大舟橋
    • 年月日
      2008-03-29
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] 230-350nm窒化物深紫外LEDの進展と今後の展望2007

    • 著者名/発表者名
      平山 秀樹, 谷田 部透, 野口 憲路, 藤州 紗千恵, 高野 隆好, 鎌田 憲彦, 近藤 行廣
    • 学会等名
      応用物理学会学術講演会「窒化物光半導体のフロンティア」シンポジウム(招待)5p-ZR-8
    • 発表場所
      北海道工大
    • 年月日
      2007-09-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] Control of Polarity and Reduction of Threading Dislocations density (TDD) of AlN/AlGaN Buffer on Sapphire by Using TMAl Pulse Supply Method2007

    • 著者名/発表者名
      N. Noguchi, T. Ohashi, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on Nitride Semicond., (MP75)
    • 発表場所
      Las Vegas
    • 年月日
      2007-09-17
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] Remarkable Enhancement of 254-280 nm Deep UV Emission from AlGaN Quantum Wells by Using High-Quality AIN Buffer on Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      T. Yatabe, H. Hirayama, T. Ohashi and N. Kamata
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on Nitride Semicond., WP92(査読有)
    • 発表場所
      Las Vegas (USA)
    • 年月日
      2007-09-19
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] Remarkable-Enhancement of 254-288 nm Deep UV Emission from AlGaN Quantum Wells by Using High-Quality AIN Buffer on Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      T. Yatabe, N. Noguchi, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on White LEDs and Solid State Lighting P29(査読有)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2007-11-29
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] High-Quality AlN Buffer Fabricated on Sapphire by NH3 Pulse-Flow Multi-Layer Growth Method for Application to Deep UV-LEDs2007

    • 著者名/発表者名
      N. Noguchi, T. Yatabe, T. Ohashi, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on White LEDs and Solid State Lighting, (P28)
    • 発表場所
      Tokyo
    • 年月日
      2007-11-28
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] High-Quality AIN Buffer Fabrieated on Sapphire by NH3 Pulse-Flow Multi-Layer Growth Method for Apphication to Deep UV-LEDs,2007

    • 著者名/発表者名
      N. Noguchi, T. Yatabe, T, Ohashi N. Kamata and H.Hirayama
    • 学会等名
      Proc.Int.Conf.on White LEDs and Solid State Lighting, P28(査読有)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2007-11-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] アンモニアパルス供給多層成長法を用いた深紫外LED用ALNバッファーの進展2007

    • 著者名/発表者名
      平山 秀樹, 谷田 部透, 野口 憲路, 乗松 澗, 鎌田 憲彦
    • 学会等名
      応用物理学関係連合講演会29p-B-8
    • 発表場所
      日大舟橋
    • 年月日
      2007-03-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] 248nm AlGaN深紫外LEDの室温CWミリワット出力動作鎌田憲彦、2007

    • 著者名/発表者名
      谷田 部透, 平山 秀樹, 野口 憲路, 乗松 澗, 鎌田 憲彦
    • 学会等名
      応用物理学関係連合講演会30a-B-10
    • 発表場所
      日大舟橋
    • 年月日
      2007-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] High-Quality AIN Buffer Fabricated on Sapphire by NH3 Pulse-Flow Multi-Layer Growth Method for Application to Deep UV-LEDs2007

    • 著者名/発表者名
      N. Noguchi, T. Yatabe, T. Ohashi, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on White LEDs and Solid State Lighting P28(査読有)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2007-11-28
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] Laser-Induced Formation of Nonradiative Centers Observed by Two-Wavelength Excited Photoluminescence, 2007.10.15(Kyoto2007

    • 著者名/発表者名
      H. Ogawa, N. Uchiyama, N. Kamata and Y. Arakawa
    • 学会等名
      Proc. Int. Symp.on Compound Semicond., MoE P4(査読有)
    • 発表場所
      京都
    • 年月日
      2007-10-15
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] 231nm AlGaN量子井戸深紫外LEDのシングルピーク発光動作、2007

    • 著者名/発表者名
      野口 憲路, 谷田 部透, 鎌田 憲彦, 平山 秀樹
    • 学会等名
      応用物理学会学術講演会8p-ZR-8
    • 発表場所
      北海道工大
    • 年月日
      2007-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] 227-261 nm AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting-Diodes Fabricated on High-Quality AlN Buffer on Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Yatabe, N. Noguchi and N. Kamata
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on White LEDs and Solid State Lighting, (Th-O-9)
    • 発表場所
      Tokyo
    • 年月日
      2007-11-29
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] 高品質AlNバッファー層を用いた深紫外250nmシングルピーク発光LED2007

    • 著者名/発表者名
      大橋智昭、平山秀樹、谷田部透、鎌田憲彦
    • 学会等名
      応用物理学関係連合講演会予稿集第1分冊
    • 発表場所
      青山学院大学(相模原キャンパス)
    • 年月日
      2007-03-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] TMA1のパルス状供給による極性制御及びAlN/AlGaNテンプレートの高品質化2007

    • 著者名/発表者名
      野口憲路、大橋智昭、平山秀樹、鎌田憲彦
    • 学会等名
      応用物理学関係連合講演会予稿集第1分冊
    • 発表場所
      青山学院大学(相模原キャンパス)
    • 年月日
      2007-03-27
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] Development and Perspective of 230-350nm Nitride Deep-UV LEDs2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Yatabe, N. Noguchi, S. Fujikawa, T. Takano, N. Kamata and Y. Kondo
    • 学会等名
      Conf. of Jpn. Soc. Applied Physics, Symp. on "Frontier of Nitride Semiconductors" , (5p-ZR-8)
    • 発表場所
      Invited, in Japanese
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] Laser-Induced Formation of Nonradiative Centers Observed by Two-Wavelength Excited Photoluminescence2007

    • 著者名/発表者名
      H. Ogawa, N. Uchiyama, N. Kamata and Y. Arakawa
    • 学会等名
      Proc. Int. Symp. on Compound semiconductors, (MoE P4)
    • 発表場所
      Kyoto
    • 年月日
      2007-10-15
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] Control of Polarity and Reduction of Threading Dislocations density (TDD) of AlN/AlGaN Buffer on Sapphire by Using TMA1 Pulse Supply Method2007

    • 著者名/発表者名
      N. Noguchi, T. Ohashi, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on Nitride Semicond., MP75(査読有)
    • 発表場所
      Las Vegas (USA)
    • 年月日
      2007-09-17
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] Remarkable-Enhancement of 254-288 nm Deep UV Emission from AlGaN Quantum Wells by Using High-Quality AlN Buffer on Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      T. Yatabe, N. Noguchi, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on White LEDs and Solid State Lighting, (P29)
    • 発表場所
      Tokyo
    • 年月日
      2007-11-29
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] 245-250 nm AIGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on High-Quality AIN Buffer on Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Ohashi, T. Yatabe and N. Kamata
    • 学会等名
      Proc.Int.Conf.on Nitride Semicond., ThP29(査読有)
    • 発表場所
      Las Vegas(USA)
    • 年月日
      2007-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] Remarkable-Enhancement of 254-288 nm Deo UV Emission from AlGaN Quantum Wells by Using High Quality AIN Buffer on Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      T. Yatabe, N. Noguchi, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      proc, Int, Conf, in White LEDs and Solid State Lighting, P29(査読有)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2007-11-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] High-Quality AIN Buffer Fabricated on Sapphire by NH3 Pulse Flow Multi-Layer Growth Method for Application to Deep UTV-LEDs2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Ohashi and N. Kamata
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on Nitride Semicond., M2(査読有)
    • 発表場所
      Las Vegas (USA)
    • 年月日
      2007-09-18
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] NH_3交互供給法による紫外LED用高品質AlNバッファー層の実現2007

    • 著者名/発表者名
      大橋智昭、平山秀樹、谷田部透、鎌田憲彦
    • 学会等名
      応用物理学関係連合講演会予稿集第1分冊
    • 発表場所
      青山学院大学(相模原キャンパス)
    • 年月日
      2007-03-27
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] Control of Polarity and Reduction of Threading Disslocations density (TDD) of AIN/AIGaN Buffer on Sapphire by Using TMAI Pulse Supply Method2007

    • 著者名/発表者名
      N. Noguchi, T. Ohashi, N. Kamata and H.Hirayama
    • 学会等名
      Proc.Int.Conf.on Nitride Semicond., MP75(査読有)
    • 発表場所
      Las Vegas(USA)
    • 年月日
      2007-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] High-Quality AIN Buffer Fabricated on Sapphire by NH3 Pulse Flow Multi-Layer Growth Method for Application to Deep UV-LEDs2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Ohashi and N. Kamata
    • 学会等名
      Proc.Int.Cokf.on Nitride Semicond., M2(査読有)
    • 発表場所
      Las Vegas(USA)
    • 年月日
      2007-09-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] 230-350nm窒化物深紫外LEDの進展と今後の展望2007

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、谷田部透、野口憲路、藤川紗千恵、高野隆好、鎌田憲彦、近藤行廣
    • 学会等名
      応用物理学会学術講演会 「窒化物光半導体のフロンティア」シンポジウム(招待) 5p-ZR-8
    • 発表場所
      北海道工大
    • 年月日
      2007-09-05
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] High-Quality AlN Buffer Fabricated on Sapphire by NH3 Pulse Flow Multi-Layer Growth Method for Application to Deep UV-LEDs2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Ohashi and N. Kamata
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on Nitride Semicond., (M2)
    • 発表場所
      Las Vegas
    • 年月日
      2007-09-18
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] 250-280nm深紫外LEDに向けた高内部量子効率AlGaN量子井戸の実現2007

    • 著者名/発表者名
      平山秀樹、大橋智昭、谷田部透、鎌田憲彦
    • 学会等名
      応用物理学関係連合講演会予稿集第1分冊
    • 発表場所
      青山学院大学(相模原キャンパス)
    • 年月日
      2007-03-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] 261nm AlGaN量子井戸深紫外LEDのCWミリワット動作、2007

    • 著者名/発表者名
      谷田 部透, 野口 憲路, 鎌田 憲彦, 平由 秀樹
    • 学会等名
      応用物理学会学術誰演会8p-ZR-7
    • 発表場所
      北海道工大
    • 年月日
      2007-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] AlNバッファー高品質化によるAlGaN量子井戸深紫外発光の飛躍的高効率化2007

    • 著者名/発表者名
      谷田部透、大橋智昭、平山秀樹、野口憲路、鎌田憲彦
    • 学会等名
      応用物理学関係連合講演会予稿集第1分冊
    • 発表場所
      青山学院大学(相模原キャンパス)
    • 年月日
      2007-03-27
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] 222nm AlGaN深紫外LEDのシングルピーク発光動作2007

    • 著者名/発表者名
      野口 憲路, 平由 秀樹, 谷田 部透, 鎌田 憲彦
    • 学会等名
      応用物理学関係連合講演会30a-B-11
    • 発表場所
      日大舟橋
    • 年月日
      2007-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] 245-250 nm AIGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on High-Quality AIN Buffer on Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Ohashi, T. Yatabe and N.Kamata
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on Nitride Semicond., ThP29(査読有)
    • 発表場所
      Las Vegas (USA)
    • 年月日
      2007-09-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] Remarkable Enhancement of 254-280 nm Deep UV Emission from AIGa N Quantum Wbls by Using High-Quality AIN Buffer on Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      T. Yatabe, H. HLirayama, T. Ohashi and N. Kamata
    • 学会等名
      Proc.Int.Conf.on Nitride Semicond., WP92(査読有)
    • 発表場所
      Las Vegas(USA)
    • 年月日
      2007-09-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] 245-250nm AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on High-Quality AlN Buffer on Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Ohashi, T. Yatabe and N. Kamata
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on Nitride Semicond., (ThP29)
    • 発表場所
      Las Vegas
    • 年月日
      2007-09-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] 231nm AlGaN量子井戸深紫外LEDのシングルピーク発光動作、2007

    • 著者名/発表者名
      野口憲路、谷田部透、鎌田簿彦、平山秀樹
    • 学会等名
      応用物理学会学術講演会 8p-ZR-8
    • 発表場所
      北海道工大
    • 年月日
      2007-09-08
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] Remarkable-Enhancement of 254-280 nm Deep UV Emission from AlGaN Quantum Wells by Using High-Quality AlN Buffer on Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      T. Yatabe, N. Noguchi, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on Nitride Semicond., (WP92)
    • 発表場所
      Las Vegas
    • 年月日
      2007-09-19
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] 227-261 nm AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting-Diodes Fabricated on High-Quality AIN Buffer on Sapphire2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hirayama, T. Yatabe, T. Ohashi and N. Kamata
    • 学会等名
      Proc. Int. Conf. on White LEDs and Solid State Lighting(査読有)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2007-11-29
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] 261nm AlGaN量子井戸深紫外LEDのCWミリワット動作、2007

    • 著者名/発表者名
      谷田部透、野口憲路、鎌田憲彦、平山秀樹
    • 学会等名
      応用物理学会学術講演会 8p-ZR-7
    • 発表場所
      北海道工大
    • 年月日
      2007-09-08
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] Laser-Induced Formation of Nonradiative Centers Observed by Two-Wavelength Excited Photoluminescence,2007.10.15(Klyoto2007

    • 著者名/発表者名
      H. Ogawa, N. Uchiyama, N. Kamata and Y. Arakawa
    • 学会等名
      proc.Int.Symp.on Compound Semicond., MoE P4(査読有)
    • 発表場所
      京都
    • 年月日
      2007-10-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] Nonradiative centers in InAs quantum dots revealed by two-wavelength excited photoluminescence2005

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, S. Saravanan, J. M. Zanardi Ocampo, P. 0. Vaccaro, Y. Arakawa
    • 学会等名
      23rd Int. Conf. on Defects in Semiconductors (ICDS-23)
    • 発表場所
      Awaj ThM2. 3C
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] Remarkable Increase of Deep UV Emission from Quaternary InAlGaN by Reducing Oxygen and Carbon Impurities2005

    • 著者名/発表者名
      T. Ohashi, H. Hirayama, K. Ishibashi and N. Kamata
    • 学会等名
      Materials Research Society (MRS) Fall Meeting 2005, (FF3. 2)
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17360006
  • [学会発表] Nonradiative Recombination Process in AlGaN Quantum Well and Its Excitation Density Dependence

    • 著者名/発表者名
      M. Julkarnain, A. Z. M. Touhidul Islam, T. Fukuda, N. Kamata, and H. Hirayama
    • 学会等名
      Int. Symp. on the Science and Technology of Lighting, (LS14)
    • 発表場所
      Como, Italy
    • 年月日
      2014-06-22 – 2014-06-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] Optical Characterization of Non-Radiative Recombination Centers in InGaAs/AlGaAs Quantum Wells by Below-Gap Excitation

    • 著者名/発表者名
      A. Z. M. Touhidul Islam, K. Hatta, N. Murakoshi, T. Fukuda, T. Takada, T. Itatani, N. Kamata
    • 学会等名
      Int. Symp. on Science and Technology of Lighting
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] MOCVD Growth and Characterization of THz Quantum Cascade Structure

    • 著者名/発表者名
      S. Toyoda, W. Terashima, N. Kamata, H. Hirayama
    • 学会等名
      Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] Dominant Nonradiative Centers in InGaN Single Quantum Well by Time-Resolved and Two-Wavelength Excited Photoluminescence

    • 著者名/発表者名
      M. Julkarnain, N. Murakoshi, A. Z. M. T. Islam, T. Fukuda, N. Kamata and Y. Arakawa
    • 学会等名
      Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2014-08-27 – 2014-08-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] Nonradiative Recombination Process in AlGaN Quantum Well and Its Excitation Density Dependence

    • 著者名/発表者名
      M. Julkarnain, A. Z. M. Touhidul Islam, T. Fukuda, N. Kamata, and H. Hirayama
    • 学会等名
      Int. Symp. on the Science and Technology of Lighting, (LS14)
    • 発表場所
      Como, Italy
    • 年月日
      2014-06-22 – 2014-06-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] Luminescence and Quenching Properties in GaPN Revealed by Below-Gap Excitation

    • 著者名/発表者名
      M. Suetsugu, A. Z. M. Touhidul Islam, T. Hanaoka, T. Fukuda, N. Kamata, S. Yagi,and H. Yaguchi
    • 学会等名
      Int. Symp. on the Science and Technology of Lighting, (LS14)
    • 発表場所
      Como, Italy
    • 年月日
      2014-06-22 – 2014-06-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] Dominant Nonradiative Centers in InGaN Single Quantum Well by Time-Resolved and Two-Wavelength Excited Photoluminescence

    • 著者名/発表者名
      M. Julkarnain, N. Murakoshi, A. Z. M. T. Islam, T. Fukuda, N. Kamata and Y. Arakawa
    • 学会等名
      Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] Optical Characterization of Non-Radiative Centers and Improvement in Light Extraction Efficiency of Deep UV-LEDs

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, A. Z. M. Touhidul Islam, M. Akiba, K. Igarashi, N. Murakoshi, T. Fukuda, H. Hirayama
    • 発表場所
      Jpn-China-Korea Conf.
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21360003
  • [学会発表] MOCVD Growth and Characterization of THz Quantum Cascade Structure

    • 著者名/発表者名
      S. Toyoda, W. Terashima, N. Kamata, H. Hirayama
    • 学会等名
      Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2014-08-27 – 2014-08-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] Nonradiative and Trap Centers in Ba3Si6O12N2:Eu2+Phosphors Observed by Thermal and Below-Gap Excitation

    • 著者名/発表者名
      T. Li, N. Kamatam, T. Fukuda, and T. Kurushima
    • 学会等名
      Int. Symp. on the Science and Technology of Lighting, (LS14)
    • 発表場所
      Como, Italy
    • 年月日
      2014-06-22 – 2014-06-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] Nonradiative Centers in Deep-UV AlGaN-Based Quantum Wells Revealed by Two-Wavelength Excited Photoluminescence

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, A. Z. M. T. Islam, M. Julkarnain, N. Murakoshi, T. Fukuda and H. Hirayama
    • 学会等名
      Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] 267 nm AlGaN UVC LED using p-AlGaN superlattice transparent hole-spreading contact layer

    • 著者名/発表者名
      Y. Kanazawa, J. Yun、S. Toyoda, N. Maeda, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      Int. Symp. on the Science and Technology of Lighting, (LS14)
    • 発表場所
      Como, Italy
    • 年月日
      2014-06-22 – 2014-06-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] Nonradiative Centers in Deep-UV AlGaN-Based Quantum Wells Revealed by Two-Wavelength Excited Photoluminescence

    • 著者名/発表者名
      N. Kamata, A. Z. M. T. Islam, M. Julkarnain, N. Murakoshi, T. Fukuda and H. Hirayama
    • 学会等名
      Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] Microscopic Configuration of Energy Donor-Acceptor Pairs in Organic Thin Films Studied by Selectively excited Photoluminescence

    • 著者名/発表者名
      T. Otake, Y. Ishimaru, N. Kamata, and T. Fukuda
    • 学会等名
      International Conference Materials Science and Technology
    • 発表場所
      Bangkok, Thailand
    • 年月日
      2014-12-15 – 2014-12-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] Microscopic Configuration of Energy Donor-Acceptor Pairs in Organic Thin Films Studied by Selectively excited Photoluminescence

    • 著者名/発表者名
      T. Otake, Y. Ishimaru, N. Kamata, and T. Fukuda
    • 学会等名
      International Conference Materials Science and Technology (MSAT-8)
    • 発表場所
      Bangkok, Thailand
    • 年月日
      2014-12-15 – 2014-12-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • [学会発表] Nonradiative and Trap Centers in Ba3Si6O12N2:Eu2+Phosphors Observed by Thermal and Below-Gap Excitation

    • 著者名/発表者名
      T. Li, N. Kamatam, T. Fukuda, and T. Kurushima
    • 学会等名
      Int. Symp. on the Science and Technology of Lighting, (LS14)
    • 発表場所
      Como, Italy
    • 年月日
      2014-06-22 – 2014-06-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] 267 nm AlGaN UVC LED using p-AlGaN superlattice transparent hole-spreading contact layer

    • 著者名/発表者名
      Y. Kanazawa, J. Yun、S. Toyoda, N. Maeda, N. Kamata and H. Hirayama
    • 学会等名
      Int. Symp. on the Science and Technology of Lighting, (LS14)
    • 発表場所
      Como, Italy
    • 年月日
      2014-06-22 – 2014-06-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25600087
  • [学会発表] Luminescence and Quenching Properties in GaPN Revealed by Below-Gap Excitation

    • 著者名/発表者名
      M. Suetsugu, A. Z. M. Touhidul Islam, T. Hanaoka, T. Fukuda, N. Kamata, S. Yagi,and H. Yaguchi
    • 学会等名
      Int. Symp. on the Science and Technology of Lighting, (LS14)
    • 発表場所
      Como, Italy
    • 年月日
      2014-06-22 – 2014-06-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24360005
  • 1.  平山 秀樹 (70270593)
    共同の研究課題数: 5件
    共同の研究成果数: 140件
  • 2.  本多 善太郎 (30332563)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 1件
  • 3.  高橋 幸郎 (10124596)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  荒川 泰彦 (30134638)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 23件
  • 5.  染谷 隆夫 (90292755)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 10件
  • 6.  照沼 大陽 (10008857)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 9件
  • 7.  福田 武司 (40509121)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 32件
  • 8.  寺嶋 亘 (30450406)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 3件
  • 9.  イズラム トウヒドゥル (90646358)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 9件
  • 10.  山口 克彦 (30251143)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  山田 興治 (30008875)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  幡野 健 (40332316)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  平塚 信之 (20114217)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  外岡 和彦 (00357568)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  矢口 裕之 (50239737)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件

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