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蔵之内 真一  KURANOUCHI Shin-ichi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 50225249
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1993年度 – 1996年度: 長野工業高等専門学校, 電気工学科, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
エネルギー学一般・原子力学
研究代表者以外
エネルギー学一般・原子力学
キーワード
研究代表者
CIS / ケミカルバス法 / 電気めっき / 電着法 / one-step deposition / 半導体薄膜 / 太陽電池
研究代表者以外
CIS / CBD / Electrodeposition … もっと見る / One-step deposition / Smiconductor film / Solar cell / C-V特性 / Cd(Zn)S / 電気めっき法 / one-step dcposition / ケミカルバス法 / 電気めっき / 電着法 / one-step deposition / 半導体薄膜 / 太陽電池 隠す
  • 研究課題

    (2件)
  • 共同研究者

    (1人)
  •  化合物半導体薄膜太陽電池の大面積化に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      蔵之内 真一
    • 研究期間 (年度)
      1996
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      エネルギー学一般・原子力学
    • 研究機関
      長野工業高等専門学校
  •  高効率太陽電池用半導体薄膜材料の開発に関する基礎研究

    • 研究代表者
      中澤 達夫
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      エネルギー学一般・原子力学
    • 研究機関
      長野工業高等専門学校
  • 1.  中澤 達夫 (70126689)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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