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比嘉 晃  Higa Akira

ORCIDORCID連携する *注記
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北嘉 晃  ヒガ アキラ

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研究者番号 50228699
その他のID
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 琉球大学, 工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2008年度: 国立大学法人 琉球大学, 工学部, 教授
2007年度 – 2008年度: 琉球大学, 工学部, 教授
2002年度 – 2003年度: 琉球大学, 工学部, 助教授
1997年度 – 1999年度: 琉球大学, 工学部, 助教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学
研究代表者以外
電子デバイス・機器工学 / 電子・電気材料工学
キーワード
研究代表者
化学ドーピング法 / ヨウ素ドーピング / 化学ドーピング / アモルファス炭素薄膜 / ヘテロエピタキシャル成長 / 直流アークプラズマジェットCVD法 / バイアス印加処理 / ダイヤモンド薄膜
研究代表者以外
X-ray diffraction / Scanning electron microscope … もっと見る / Self-cloning / Selective anodization / Current density modulation / 3-dimensional photonic crystal / Porous silicon / X線2結晶法 / X線ロッキングカーブ / 陽極化成 / 3次元周期構造 / フォトニック結晶 / 電流密度変調法 / X線回折 / 走査電子顕微鏡 / 自己クローニング / 選択陽極化成 / 電流密度変調 / 3次元フォトニック結晶 / 多孔質シリコン / SUBSTRATE BIAS / PLASMA TREATMENT / HYDOROGEN PARTIAL PRESSURE / SPUTTERING / VHF PLASMA / HYDROGENATED AMORPHOUS CARBON THIN FILM / 基板バイアス / プラズマ処理 / 水素分圧 / スパッタリング法 / VHFプラズマ / a-C:H薄膜 隠す
  • 研究課題

    (4件)
  • 研究成果

    (7件)
  • 共同研究者

    (4人)
  •  電子デバイス応用のためのアモルファス炭素薄膜のドーピング技術の開発研究代表者

    • 研究代表者
      比嘉 晃
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      琉球大学
  •  多孔質シリコン3次元周期構造作製その構造・特性評価

    • 研究代表者
      前濱 剛廣
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      琉球大学
  •  水素化アモルファス炭素薄膜の形成過程と物性

    • 研究代表者
      渡久地 實
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 1999
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      琉球大学
  •  直流アークプラズマジェットCVD法によるヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜の合成研究代表者

    • 研究代表者
      北嘉 晃 (比嘉 晃)
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      琉球大学

すべて 2009 2008 2007

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Dedoping phenomenon of iodine-doped a-C:H films2008

    • 著者名/発表者名
      Masaaki Yamazato, Yukihiro Saida, Akira Higa
    • 雑誌名

      Diamond & Related Materials 17

      ページ: 1652-1654

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560319
  • [学会発表] RF スパッタリング法で作製したa-C:H 薄膜へのヨウ素ドーピング(v)2009

    • 著者名/発表者名
      遠江栄希,増田幸久,山里将朗,比嘉晃
    • 学会等名
      第56 回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560319
  • [学会発表] RF スパッタリング法で作製したa-C:H 薄膜へのヨウ素ドーピング(III)2008

    • 著者名/発表者名
      斉田幸宗,遠江栄希,山里将朗,比嘉晃
    • 学会等名
      第55 回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学
    • 年月日
      2008-03-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560319
  • [学会発表] RF スパッタリング法で作製したa-C:H 薄膜へのヨウ素ドーピング(IV)2008

    • 著者名/発表者名
      遠江栄希,山里将朗,比嘉晃
    • 学会等名
      第69 回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2008-09-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560319
  • [学会発表] RF スパッタリング法で作製したa-C:H 薄膜へのヨウ素ドーピング(II)2007

    • 著者名/発表者名
      斉田幸宗,佐藤政峰,遠江栄希,山里将朗,比嘉晃
    • 学会等名
      第68 回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • 年月日
      2007-09-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560319
  • [学会発表] スパッタ法で作製したa-C:H 薄膜へのヨウ素ドーピング効果2007

    • 著者名/発表者名
      斉田幸宗 ,遠江栄希,山里将朗,比嘉晃
    • 学会等名
      第21 回ダイヤモンドシンポジウム
    • 発表場所
      長岡技術科学大学
    • 年月日
      2007-11-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560319
  • [学会発表] edoping phenomenon of iodine-doped a-C:H films, 18th European Conference on Diamond2007

    • 著者名/発表者名
      M. Yamazato, Y. Saida, A. Higa, M.Toguchi
    • 学会等名
      Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides
    • 発表場所
      Berlin (Germany)
    • 年月日
      2007-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19560319
  • 1.  山里 将朗 (10322299)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 7件
  • 2.  曽根川 富博 (20295299)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  前濱 剛廣 (60045044)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  渡久地 實 (10163982)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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