矢口裕之 Yaguchi Hiroyuki

研究者番号	50239737
その他のID	https://orcid.org/0000-0003-0621-3501
所属 (現在)	2024年度: 埼玉大学, 理工学研究科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2024年度: 埼玉大学, 理工学研究科, 教授 2018年度 – 2021年度: 埼玉大学, 理工学研究科, 教授 2009年度 – 2016年度: 埼玉大学, 理工学研究科, 教授 2009年度 – 2012年度: 埼玉大学, 大学院・理工学研究科, 教授 2007年度: 埼玉大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 … もっと見る 2006年度: 埼玉大学, 大学院理工学研究科, 助教授 2005年度: 埼玉大学, 工学部, 助教授 2001年度 – 2002年度: 埼玉大学, 工学部, 助教授 1998年度 – 1999年度: 埼玉大学, 工学部, 助教授 1995年度 – 1997年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手 1996年度: 東京大学, 工学系研究科, 助手 1994年度: 東京大学, 工学部, 助手 1992年度: 東京大学, 工学部, 助手隠す
審査区分/研究分野	研究代表者応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 小区分30010:結晶工学関連研究代表者以外応用物性・結晶工学 / 応用物性・結晶工学 / 結晶工学 / 小区分30010:結晶工学関連 / 電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 理工系 / 応用光学・量子光工学
キーワード	研究代表者単一光子 / 光物性 / 太陽電池 / 等電子トラップ / エピタキシャル成長 / MBE、エピタキシャル / 応用光学・量子光工学 / 結晶工学 / エピタキシャル / 半導体物性 … もっと見る / フォトルミネッセンス / フォトリフレクタンス / 化合物半導体 / 非発光再結合中心 / 非発光再結合 / 二波長励起フォトルミネッセンス / アップコンバージョン発光 / 電子局在状態 / 第一原理計算 / 希釈窒化物半導体 / isoelectronic trap / single photon / optical properties / advanced functional device / light source technology / crystal engineering / epitaxial / 先端機能デバイス / 光源技術 / 原子層ドーピング / 励起子分子 / 応用光学・量子光光学 / 量子もつれ光子対 / 量子光学 / 半導体 / MBE,エピタキシャル / 応用光学・量子光工学MBE / ヘテロ構造 / 短周期超格子 / 分子線セル / ゲルマニウム / シリコン / 光第2高調波発生 / 固体ソース / 分子線エピタキシ- / 有機金属気相エピタキシ- / 偏光 / 歪 / 半導体レーザ / 半導体量子細線 / バンドラインアップ / ガリウム砒素リン / 半導体超格子 / トランスジェニック植物 / 耐冷性 / 脂肪酸組成 / 葯 / 遺伝子導入 / ガリウム砒素燐 / シリコン・ゲルマニウム / 間接遷移型半導体 / ヘテロ界面平坦性 / バンド不連続量 … もっと見る研究代表者以外窒化物半導体 / 転位 / MOVPE / 結晶成長 / エピタキシャル成長 / AlGaP / SiGe / 分光偏光解析 / フォトルミネッセンス / 電子顕微鏡 / 格子欠陥 / 劣化 / 発光デバイス / 半導体物性 / 結晶工学 / 量子ドット / 差周波発生 / 光第2高調波発生 / 波長変換 / 非線形光学 / 高効率化 / 動作時の欠陥検出 / 紫外LED / 緑色LED / 青色LED / 禁制帯内励起光 / 非発光再結合 / 欠陥準位 / 青～緑色LED / UV-LED / infrared reflectance spectroscopy / ultraviolet photoemission spectroscopy / x-ray photoemission spectroscopy / spectropic ellipsometry / interface / oxide films / SiC / IV semiconductors / 分光エリプソメトリ / 赤外反射分光 / 紫外光電子分光 / X線光電子分光 / 界面 / 酸化膜 / 炭化珪素(SiC) / IV族半導体 / resistance against oxidation / magnesia / epitaxial growth / pulsed laser ablation / ferroelectric oxides / nitride semiconductors / ferroelectric waveguides / blue laser diodes / チタン酸ジルコン酸鉛 / バッファ層 / 耐酸化性 / 酸化マグネシウム / レーザアブレーション / 酸化物強誘電体 / 窒化物系半導体 / 強誘電体光導波路 / 青色半導体レーザ / no phonon transition / neighboring confinement structure / indireck semiconductors / アルミニウムガリウム燐 / シリコンゲルマニウム / 無フォノン発光 / 隣接閉じ込め構造 / 間接遷移型半導体 / Antiphase Domain / Quasi Phase Matching / Sublattice Reversal / Domain Inversion / Compound Semiconductor / Second-Harmonic Generation / Frequency Conversion / Nonlinear Optics / 差調波発生 / アンチフェイズドメイン / 疑似位相整合 / 副格子交換 / 分極反転 / 化合物半導体 / METALORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY / GALLIUM NITRADE / GALLIUM PHOSPHIDE / METASTABLE ALLOY SEMICONDUCTOR / WIDEGAP COMPOUND SEMICONDUCTOR / GaPN ALLOY / NITRIDE ALLOY SEMICONDUCTOR / MOVPE法 / 有機金属気相成長法 / 窒化ガリウム / ガリウムリン / 準安定混晶半導体 / ワイドギャップ化合物半導体 / GaPN混晶 / 窒化物混晶半導体 / 点欠陥 / 光照射 / 欠陥 / 希釈窒化物半導体 / フォノン局在制御 / 時間分解計測 / 時間分解PL / 太陽電池 / 量子井戸 / フォノン / キャリアダイナミクス / フォノンダイナミクス / 光物性 / 結晶欠陥 / 励起子 / フォノンエンジニアリング / 炭化ケイ素半導体 / SiおよびC原子放出現象 / 酸化界面 / 積層欠陥 / 熱酸化 / 炭化ケイ素(SiC)半導体 / 長寿命化 / 信頼性 / III族窒化物半導体 / 立方晶III族窒化物 / MBE / III-N半導体 / 立方晶III-N半導体 / 立方晶窒化物半導体 / 窒化インジウム / 希薄窒化物 / 自己形成量子ドット / ジメチルヒドラジン / InGaAsN / 量子ナノ構造 / III-V-N混晶 / 希薄窒化物半導体 / 励起子共鳴 / 非対称構造 / 半導体量子井戸 / GaPN / GaAsN / エピタキシー機構 / 構造変換 / ヘテロエピタキシー / 立方晶GaN / GaN / ナイトライド隠す

バンドテイルを経由した２段階光吸収を利用する太陽電池の高効率化研究代表者
- 研究代表者
  
  矢口裕之
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  埼玉大学
希釈窒化物半導体における電子局在状態を活用する高効率太陽電池への展開研究代表者
- 研究代表者
  
  矢口裕之
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  埼玉大学
紫外LED動作時の禁制帯内励起光照射による欠陥準位の検出・評価手法の確立
- 研究代表者
  
  鎌田憲彦
- 研究期間 (年度)
  2018 – 2020
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  埼玉大学
希釈窒化物半導体中の欠陥の挙動およびデバイスの信頼性向上に関する研究
- 研究代表者
  
  上田修
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  金沢工業大学
非熱平衡状態フォノン輸送制御による半導体光素子の新展開
- 研究代表者
  
  石谷善博
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  千葉大学
局所ドーピング構造半導体による量子相関光子の生成および制御研究代表者
- 研究代表者
  
  矢口裕之
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  埼玉大学
炭化ケイ素半導体の酸化誘因欠陥の形成メカニズム解明
- 研究代表者
  
  土方泰斗
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  埼玉大学
高相純度立方晶III族窒化物半導体薄膜成長とヘテロ構造の物性応用
- 研究代表者
  
  尾鍋研太郎
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
次世代発光デバイス用新材料および量子ドット構造への光照射劣化の研究
- 研究代表者
  
  上田修
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  金沢工業大学
有機N原料によるInNおよび関連混晶薄膜のMOVPE成長
- 研究代表者
  
  尾鍋研太郎
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
局所ドーピング構造半導体による単一光子発生に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  矢口裕之
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  埼玉大学
狭バンドギャップIII-V-N混晶半導体量子ナノ構造の作製と物性応用
- 研究代表者
  
  尾鍋研太郎
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
等電子トラップを利用した単一光子発生素子の作製研究代表者
- 研究代表者
  
  矢口裕之
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  埼玉大学
IV族半導体の極薄酸化膜の界面評価に関する研究
- 研究代表者
  
  吉田貞史
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  埼玉大学
青色半導体レーザと強誘電体光導波路の一体型新規光学素子のための複合材料創製
- 研究代表者
  
  増田淳
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  北陸先端科学技術大学院大学
シリコン・ゲルマニウム規則混晶からの光第二高調波発生に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  矢口裕之
- 研究期間 (年度)
  1996
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
非対称構造半導体量子井戸の2次非線形光学特性の研究
- 研究代表者
  
  近藤高志
- 研究期間 (年度)
  1996
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用光学・量子光工学
- 研究機関
  東京大学
分極反転エピタクシーの研究と波長変換素子への応用
- 研究代表者
  
  伊藤良一
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
新しい超構造を有する間接遷移型半導体の光学遷移に関する研究
- 研究代表者
  
  白木靖寛
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
歪導入による半導体量子ナノ構造の偏光特性の制御研究代表者
- 研究代表者
  
  矢口裕之
- 研究期間 (年度)
  1995
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
ガリウム砒素リン系半導体超格子構造による高効率発光素子材料の実現研究代表者
- 研究代表者
  
  矢口裕之
- 研究期間 (年度)
  1994
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
窒化物系準安定混晶半導体の作製と物性に関する研究
- 研究代表者
  
  尾鍋研太郎
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
フォトリフレタンス分光法による間接遷移型半導体を材料とした超構造半導体の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  矢口裕之, 鳥山欽哉
- 研究期間 (年度)
  1993
- 研究種目
  
  奨励研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
   東北大学
ナイトライド系化合物半導体の立方晶構造変換ヘテロエピタキシー機構の研究
- 研究代表者
  
  尾鍋研太郎
- 研究期間 (年度)
  1992
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  東京大学

[図書] Nondestructive and Contactless Characterization Method for Spatial Mapping of the Thickness and Electrical Properties in Homo-Epitaxially Grown SiC Epilayers Using Infrared Reflectance Spectroscopy2013
- 著者名/発表者名
  S. Yoshida, Y. Hijikata, and H. Yaguchi
- 総ページ数
  26
- 出版者
  INTECH open access publisher
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[図書] Thermal Oxidation Mechanism of Silicon Carbide2013
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata, S. Yagi, H. Yaguchi, and S. Yoshida
- 総ページ数
  26
- 出版者
  INTECH open access publisher
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[雑誌論文] Influence of Laser Irradiation on the Photoluminescence Intensity of InGaAsN Quantum Wells2021
- 著者名/発表者名
  Md. Zamil Sultan, Shuhei Yagi, Kengo Takamiya, Hiroyuki Yaguchi and Osamu Ueda
- 雑誌名
  
  North American Academic Research Journal
  
  巻: 4 ページ: 240-251
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02612
[雑誌論文] Detection of Nonradiative Recombination Centers in GaPN by Combining Two‐Wavelength Excited Photoluminescence and Time‐Resolved Photoluminescence2021
- 著者名/発表者名
  Sanjida Ferdous, Hiroki Iwai, Norihiko Kamata, Hiroyuki Yaguchi, Shuhei Yagi
- 雑誌名
  
  physica status solidi (b)
  
  巻: 258 号: 11
- DOI
  10.1002/pssb.202100119
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02612
[雑誌論文] Detection of nonradiative recombination centers in GaPN (N:0.105%) by below-gap excitation light2020
- 著者名/発表者名
  S. Ferdous, N. Kamata, S. Yagi, and H. Yaguchi
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi B
  
  巻: 257 号: 2 ページ: 1900377-1900377
- DOI
  10.1002/pssb.201900377
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17KK0127, KAKENHI-PROJECT-19H02612
[雑誌論文] Photoluminescence intensity change of GaP1-xNx alloys by laser irradiation2020
- 著者名/発表者名
  Sultan Md. Zamil、Shiroma Akinori、Yagi Shuhei、Takamiya Kengo、Yaguchi Hiroyuki
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 10 号: 9 ページ: 095302-095302
- DOI
  10.1063/5.0020793
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02612, KAKENHI-PROJECT-17KK0127
[雑誌論文] Self-organized growth of cubic InN dot arrays on cubic GaN using MgO (001) vicinal substrates2017
- 著者名/発表者名
  K. Ishii, S. Yagi, and H. Yaguchi
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi B
  
  巻: 254 号: 2 ページ: 1600542-1600542
- DOI
  10.1002/pssb.201600542
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048, KAKENHI-PROJECT-26390057
[雑誌論文] Spectral change of intermediate band luminescence in GaP:N due to below-gap excitation: Discrimination from thermal activation2016
- 著者名/発表者名
  N. Kamata, M. Suetsugu, D. Haque, S. Yagi, H. Yaguchi, F. Karlsson, P.O. Holtz
- 雑誌名
  
  Physica Stat. Solidi. B
  
  巻: 254 号: 2 ページ: 1600566-1600566
- DOI
  10.1002/pssb.201600566
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16H05895, KAKENHI-PROJECT-26390057
[雑誌論文] Photoluminescence Study of Oxidation-Induced Stacking Faults in 4H-SiC Epilayers2015
- 著者名/発表者名
  Y. Miyano, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 821-823 ページ: 327-330
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.327
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[雑誌論文] Microstructures of InN films on 4H-SiC (0001) substrate grown by RF-MBE2015
- 著者名/発表者名
  P. Jantawongrit, S. Sanorpim, H. Yaguchi, M. Orihara, and P. Limsuwan
- 雑誌名
  
  J. Semicond.
  
  巻: 36 号: 8 ページ: 083002-083002
- DOI
  10.1088/1674-4926/36/8/083002
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390057
[雑誌論文] Growth temperature dependence of the surface segregation of Er atoms in GaAs during molecular beam epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  R. G. Jin, S. Yagi, Y. Hijikata, and H. Yaguchi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 54 号: 5 ページ: 051201-051201
- DOI
  10.7567/jjap.54.051201
- NAID
  210000145121
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004, KAKENHI-PROJECT-26390057
[雑誌論文] Differences in SiC thermal oxidation process between crystalline surface orientations observed by in-situ spectroscopic ellipsometry2015
- 著者名/発表者名
  D. Goto, Y. Hijikata, S. Yagi, and H. Yaguchi
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 117 号: 9 ページ: 095306-095306
- DOI
  10.1063/1.4914050
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[雑誌論文] Molecular beam epitaxial growth of intermediate-band materials based on GaAs:N δ-doped superlattices2015
- 著者名/発表者名
  T. Suzuki, K. Okada, S. Yagi, S. Naitoh, Y. Shoji, Y. Hijikata, Y. Okada, and H. Yaguchi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 54 号: 8S1 ページ: 08KA07-08KA07
- DOI
  10.7567/jjap.54.08ka07
- NAID
  210000145536
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390057, KAKENHI-PROJECT-25286048
[雑誌論文] Surface orientation dependence of SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry2015
- 著者名/発表者名
  D. Goto, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 821-823 ページ: 371-374
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[雑誌論文] Control of intermediate-band configulation in GaAs:N δ-doped superlattice2015
- 著者名/発表者名
  K. Osada, T. Suzuki, S. Yagi, S. Naitoh, Y. Shoji, Y. Y. Hijikata, Y. Okada, and H. Yaguchi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 54 号: 8S1 ページ: 08KA04-08KA04
- DOI
  10.7567/jjap.54.08ka04
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390057, KAKENHI-PROJECT-25286048
[雑誌論文] First-principles study on the conduction band electron states of GaAsN alloys2014
- 著者名/発表者名
  K. Sakamoto and H. Yaguchi
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 11 号: 3-4 ページ: 911-913
- DOI
  10.1002/pssc.201300531
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004, KAKENHI-PROJECT-26390057
[雑誌論文] Photoreflectance study of the temperature dependence of excitonic transitions in dilute GaAsN alloys2014
- 著者名/発表者名
  W. Okubo, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe, and H. Yaguchi
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi A
  
  巻: 211 号: 4 ページ: 752-755
- DOI
  10.1002/pssa.201300462
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004, KAKENHI-PROJECT-25286048, KAKENHI-PROJECT-26390057
[雑誌論文] Enhanced optical absorption due to E+-related band transition in GaAs:N2014
- 著者名/発表者名
  S. Yagi, S. Noguchi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, Y. Okada, and H.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 7 号: 10 ページ: 102301-102301
- DOI
  10.7567/apex.7.102301
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048, KAKENHI-PROJECT-26390057
[雑誌論文] Si emission into the oxide layer during oxidation of silicon carbide2014
- 著者名/発表者名
  Yasuto Hijikata, Yurie Akasaka, Shuhei Yagi, and Hiroyuki Yaguchi
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 778-780 ページ: 553-556
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.553
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[雑誌論文] RF-MBE growth of cubic AlN on MgO (001) substrates via 2-step c-GaN buffer2013
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya、R. Katayama, H. Yaguchi, K. Onabe
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: In Press
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[雑誌論文] Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (001) substrates2013
- 著者名/発表者名
  RG Jin, S Yagi, Y Hijikata, S Kuboya, K Onabe, R Katayama, H Yaguchi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 378 ページ: 85-87
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2012.12.043
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24360004
[雑誌論文] RF-MBE growth of cubic AlN on MgO (001) substrates via 2-step c-GaN2013
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya, R. Katayama, H. Yaguchi, K. Onabe
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 378 ページ: 307-309
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[雑誌論文] Model calculations of SiC oxide growth rates at sub-atmospheric pressures using the Si and C emission model2013
- 著者名/発表者名
  Yasuto Hijikata, Shuhei Yagi, Hiroyuki Yaguchi, and Sadafumi Yoshida
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 740-742 ページ: 833-836
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[雑誌論文] RF-MBE growth of cubic AlN on MgO(001) substrates via 2-step c-GaN buffer2013
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya、R. Katayama, H. Yaguchi, K. Onabe,
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: (In Press)
- URL
  http://www.sciencedirect.com/science/journal/00220248?oldURL=y
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[雑誌論文] Biexciton emission from single isoelectronic traps formed by nitrogen-nitrogen pairs in GaAs2013
- 著者名/発表者名
  Kengo Takamiya, Toshiyuki Fukushima, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Toshimitsu Mochizuki, Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Ryuji Katayama, Hiroyuki Yaguchi
- 雑誌名
  
  THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: Proceedings of the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) 2012
  
  巻: 1566 (1) ページ: 538-539
- DOI
  10.1063/1.4848523
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24360004
[雑誌論文] RF-MBE growth of cubic InN nano-scale dots on cubic GaN2013
- 著者名/発表者名
  J. Suzuki, M. Orihara, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 378 ページ: 454-458
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[雑誌論文] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2012
- 著者名/発表者名
  K. Takamiya, Y.Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H. Yaguchi
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: Vol.706-709 ページ: 2916-2921
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[雑誌論文] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2012
- 著者名/発表者名
  K.Takamiya, Y.Endo, T.Fukushima, S.Yagi, Y.Hijikata, T.Mochizuki, M.Yoshita, H. Akiyama, S.Kuboya, K.Onabe, R.Katayama, H.Yaguchi
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 706-709 ページ: 2916-2921
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[雑誌論文] Oxygen partial pressure dependence of the SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry2012
- 著者名/発表者名
  Keiko Kouda, Yasuto Hijikata, Shuhei Yagi, and Hiroyuki Yaguchi
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 112 号: 2 ページ: 24502-24502
- DOI
  10.1063/1.4736801
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[雑誌論文] Micro-Photoluminescence study on the influence of oxidation on stacking faults in 4H-SiC epilayers2012
- 著者名/発表者名
  Hikaru Yamagata, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, and Hiroyuki Yaguchi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 5 号: 5 ページ: 51302-51302
- DOI
  10.1143/apex.5.051302
- NAID
  10030593386
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[雑誌論文] Biexciton Luminescence from Individual Isoelectronic Traps in NitrogenDelta-DopedGaAs2012
- 著者名/発表者名
  K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. Yaguchi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 5 号: 11 ページ: 111201-111201
- DOI
  10.1143/apex.5.111201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-20104004, KAKENHI-PROJECT-23360135, KAKENHI-PROJECT-23686010, KAKENHI-PROJECT-24360004
[雑誌論文] Single photon emission from nitrogen delta-doped semiconductors2011
- 著者名/発表者名
  H.Yaguchi
- 雑誌名
  
  Proc.of SPIE
  
  巻: 7945
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[雑誌論文] Single photon emission from nitrogen delta-doped semiconductors2011
- 著者名/発表者名
  H. Yaguchi
- 雑誌名
  
  SPIE
  
  巻: Vol.7945 ページ: 79452F-79452F
- DOI
  10.1117/12.865770
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[雑誌論文] A simple theoretical approach to analyze polarization properties insemipolar and nonpolar InGaN quantum wells2011
- 著者名/発表者名
  Atsushi A. Yamaguchi and K. Kojima
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: 98
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[雑誌論文] Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-dopedGaAs grown on GaAs(111)A2010
- 著者名/発表者名
  T.Fukushima, Y.Hijikata, H.Yaguchi, S.Yoshida, M.Okano, M.Yoshita, H.Akiyama, S.Kuboya, R.Katayama, K.Onabe
- 雑誌名
  
  Physica E(掲載確定)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[雑誌論文] Photoluminescence from single is electronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A2010
- 著者名/発表者名
  T. Fukushima, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Okano, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
- 雑誌名
  
  Physica
  
  巻: Vol.42, No10 号: 10 ページ: 2529-2531
- DOI
  10.1016/j.physe.2009.12.011
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[雑誌論文] Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A2010
- 著者名/発表者名
  T.Fukushima, Y.Hijikata, H.Yaguchi, S.Yoshida, M.Okano, M.Yoshita, H.Akiyama, S.Kuboya, R.Katayama, K.Onabe
- 雑誌名
  
  Physica E
  
  巻: 42 ページ: 2529-2531
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[雑誌論文] Photoluminescence study of isoelectronic traps in dilute GaAsN alloys2007
- 著者名/発表者名
  H.Yaguchi et al.
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) (未定)(to be published)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560004
[雑誌論文] Photoluminescence study of isoelectronic traps in dilute GaAsN alloys2007
- 著者名/発表者名
  H.Yaguchi et al.
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) to be published
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560004
[雑誌論文] Photo-induced improvement of radiative efficiency and structural changes in GaAsN alloys2006
- 著者名/発表者名
  H.Yaguchi et al.
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (b) (to be published)(未定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560004
[雑誌論文] Photo-induced improvement of radiative efficiency and structural changes in GaAsN alloys2006
- 著者名/発表者名
  H.Yaguchi et al.
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) Vol.3, No. 6
  
  ページ: 1907-1910
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560004
[雑誌論文] Photo-induced improvement of radiative efficiency and structural changes in GaAsN alloys2006
- 著者名/発表者名
  H.Yaguchi et al.
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) Vol.3 No.6
  
  ページ: 1907-1910
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560004
[雑誌論文] Photo-induced improvement of radiative efficient and structural changes in GaAsN alloys2006
- 著者名/発表者名
  H.Yaguchi et al.
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (c) Vol.e,No.6
  
  ページ: 1907-1910
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560004
[学会発表] First-Principles Study of the Band Tail States and Optical Properties of Gallium Phosphide Nitride Alloys2022
- 著者名/発表者名
  Hiroyuki Yaguchi
- 学会等名
  International Conference on the Physics of Semiconductors 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02612
[学会発表] Arsenic Composition Dependence of Up-Conversion Luminescence of GaPAsN Alloys2022
- 著者名/発表者名
  Kengo Takamiya, Sultan Md. Zamil, Shuhei Yagi, Hiroyuki Yaguchi
- 学会等名
  International Conference on the Physics of Semiconductors 2022
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02612
[学会発表] 中間バンド型GaPN混晶のキャリア再結合過程の光学的評価：窒素濃度1.4％と3.2％の比較2021
- 著者名/発表者名
  岩井　宏樹、フェルドス　サンジーダ、鎌田　憲彦、八木　修平、矢口　裕之
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会、19p-Z29-1
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04954
[学会発表] InGaN-LED動作時の禁制帯内励起光照射による非発光再結合準位の検出2021
- 著者名/発表者名
  千代田　夏樹、鎌田　憲彦、矢口　裕之
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会、19p-Z29-2
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04954
[学会発表] 第一原理計算を用いたGaPN混晶のバンドテイルによる光吸収についての検討2021
- 著者名/発表者名
  矢口裕之
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02612
[学会発表] Optical Characterization of Carrier Recombination Process in GaPN Alloys: Excitation Source and Nitrogen Concentration Dependence2021
- 著者名/発表者名
  Hiroki Iwai, Sanjida Ferdous, Norihiko Kamata, Shuhei Yagi, Hiroyuki Yaguchi
- 学会等名
  2021 MRS Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02612
[学会発表] 中間バンド型GaPN混晶のキャリア再結合過程の光学的評価：窒素濃度1.4%と3.2%の比較2021
- 著者名/発表者名
  岩井広樹, フェルドスサンジーダ, 鎌田憲彦, 八木修平, 矢口裕之
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02612
[学会発表] GaPN混晶のアップコンバージョン発光へのバンドギャップエネルギーを超える励起光の影響2020
- 著者名/発表者名
  相良鋼, 高宮健吾, 八木修平, 矢口裕之
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02612
[学会発表] 第一原理計算によるGaPN 混晶におけるバンドテイル状態の検討2020
- 著者名/発表者名
  矢口裕之
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02612
[学会発表] Photoluminescence Intensity Change of InGaAsN Quantum Well by Laser Irradiation2020
- 著者名/発表者名
  Md Zamil Sultan, Shuhei Yagi, Kengo Takamiya, Hiroyuki Yaguchi
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02612
[学会発表] Laser Induced Degradation of Photoluminescence Intensity in GaPN2019
- 著者名/発表者名
  Md Zamil Sultan, Akinori Shiroma, Shuhei Yagi, Kengo Takamiya, Hiroyuki Yaguchi
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02612
[学会発表] Photoluminescence Intensity Change of GaPN by Laser Irradiation2019
- 著者名/発表者名
  Sultan Md. Zamil, Akinori Shiroma, Shuhei Yagi, Kengo Takamiya, and Hiroyuki Yaguchi
- 学会等名
  7th International Workshop on Eptaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02612
[学会発表] Two-Wavelength Excited Photoluminescence Study of Upconversion Photoluminescence from GaPN Alloys2019
- 著者名/発表者名
  Hiroyuki Yaguchi, Wataru Takahashi, Kengo Takamiya, Shuhei Yagi, Norihiko Kamata, Yuji Hazama and Hidefumi Akiyama
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02612
[学会発表] Upconversion Luminescence from GaPN Alloys with Various N Compositions2019
- 著者名/発表者名
  Kengo Takamiya, Wataru Takahashi, Shuhei Yagi, Norihiko Kamata, Yuji Hazama, Hidefumi Akiyama, and Hiroyuki Yaguchi
- 学会等名
  7th International Workshop on Eptaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02612
[学会発表] 中間バンド型GaPN混晶でのキャリア再結合過程の光学的評価2017
- 著者名/発表者名
  根岸知華、ドゥラルハク、鎌田憲彦、矢口裕之
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県・横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390057
[学会発表] 1 eV帯InGaAs:N δドープ超格子の作製2017
- 著者名/発表者名
  梅田峻平，八木修平，宮下直也，岡田至崇，矢口裕之
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[学会発表] n型GaAs:N δドープ超格子の電気的特性評価2017
- 著者名/発表者名
  加藤諒，八木修平，岡田至崇，矢口裕之
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[学会発表] Properties of dilute nitride pseudo-alloys grown using a nitrogen delta-doping technique2017
- 著者名/発表者名
  S. Yagi, Y. Okada, H. Yaguchi
- 学会等名
  SPIE Photonics West OPTO (10099-14)
- 発表場所
  San Francisco, USA
- 年月日
  2017-01-31
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[学会発表] レーザ照射によるGaInNAs半導体の発光効率への影響2016
- 著者名/発表者名
  米倉成一、高宮健吾、八木修平、上田修、矢口裕之
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
- 年月日
  2016-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390057
[学会発表] Growth of InN/GaN Dots on 4H‐SiC(0001) 4° off Vicinal Substrates by Molecular Beam Epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  K. Matsuoka, S. Yagi, H. Yaguchi
- 学会等名
  19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2016-09-05
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[学会発表] Optical Characterization of Carrier Recombination Processes in GaPN by Two-Wavelength Excited Photoluminescence2016
- 著者名/発表者名
  M. Suetsugu, N. Kamata, S. Yagi, H. Yaguchi, T. Fukuda, F. Karlsson, and P. -O. Holtz
- 学会等名
  43rd International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  富山国際会議場（富山県・富山市）
- 年月日
  2016-06-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390057
[学会発表] Nano-Structural Characterization of Cubic InN Dots Grown on Single-Domain Cubic GaN by Transmission Electron Microscopy2016
- 著者名/発表者名
  S. Yagi, K. Ishii, H. Yaguchi
- 学会等名
  19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2016-09-05
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[学会発表] Effect of Low Temperature Growth and a Distributed Bragg Reflector on the emission　from Molecular Beam Epitaxy‐Grown Er δ‐doped GaAs2016
- 著者名/発表者名
  K. Takamiya, M. Suto, K. Iimura, S. Yagi, H. Yaguchi
- 学会等名
  19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2016-09-05
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[学会発表] Self-Organized Growth of Cubic InN Dot Arrays on MgO (001) Vicinal Substrates2016
- 著者名/発表者名
  K. Ishii, S. Yagi, and H. Yaguchi
- 学会等名
  43rd International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Toyama, Japan
- 年月日
  2016-06-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[学会発表] 4H-SiC微傾斜基板上に作製した自己組織化InN/GaNドットの配列性制御2016
- 著者名/発表者名
  松岡圭佑，八木修平，矢口裕之
- 学会等名
  第78回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[学会発表] 第一原理計算によるInAsN混晶の伝導帯の解析2015
- 著者名/発表者名
  宮崎貴史, 八木修平, 矢口裕之
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[学会発表] 第一原理計算によるGaAs:N δドープ超格子における光学遷移に関する研究2015
- 著者名/発表者名
  吉川洋生, 八木修平, 矢口裕之
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[学会発表] 第一原理計算によるInAsN混晶のバンド構造に関する研究2015
- 著者名/発表者名
  宮崎貴史, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県・平塚市)
- 年月日
  2015-03-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] Nonradiative recombination pathway via the intermediate band in GaP1-xNx studied by below-gap excitation2015
- 著者名/発表者名
  M. Suetsugu, M. Eriksson, K. F. Karlsson, P. O. Holtz, N. Kamata, S. Yagi, and H. Yaguchi
- 学会等名
  28th Int. Conf. Defects in Semiconductors
- 発表場所
  Espoo(Finland)
- 年月日
  2015-07-31
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390057
[学会発表] GaAs:N δドープ超格子を有する太陽電池の二段階吸収2015
- 著者名/発表者名
  鈴木智也, 八木修平, 土方泰斗, 岡田至崇, 矢口裕之
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県・平塚市）
- 年月日
  2015-03-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390057
[学会発表] Lateral alignment of InN nano-scale dots grown on 4H-SiC (0001)2015
- 著者名/発表者名
  S. Mori, S. Yagi, M. Orihara, K. Takamiya and H. Yaguchi
- 学会等名
  11th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Beijin, China
- 年月日
  2015-08-30
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[学会発表] Epitaxial relationship of GaN grown on GaAs (110) by RF-molecular beam2015
- 著者名/発表者名
  T. Ikarashi, M. Orihara, S. Yagi, S. Kuboya, R. Katayama, and H. Yaguchi
- 学会等名
  11th Int. Conf. Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Beijing(China)
- 年月日
  2015-09-01
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390057
[学会発表] Optical and Structural Characterization of GaAs:N δ-Doped Superlattices Grown by Molecular Beam Epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  S. Yagi, Y. Sato, N. Ueyama, T. Suzuki, K. Osada, Y. Okada, and H. Yaguchi
- 学会等名
  5th Int. Workshop Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 発表場所
  Hsinchu(Taiwan)
- 年月日
  2015-09-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390057
[学会発表] Lateral alignment of InN nano-scale dots grown on 4H-SiC (0001) vicinal substrates2015
- 著者名/発表者名
  S. Mori, S. Yagi, M. Orihara, K. Takamiya, and H. Yaguchi
- 学会等名
  11th Int. Conf. Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Beijing(China)
- 年月日
  2015-09-01
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390057
[学会発表] Luminescence and Quenching Properties in GaPN Revealed by Below-Gap Excitation2014
- 著者名/発表者名
  M. Suetsugu, A. Z. M. Touhidul Islam, T. Hanaoka, T. Fukuda, N. Kamata, S. Yagi, and H. Yaguchi
- 学会等名
  The 14th International Symposium on the Science and Technology of Lighting
- 発表場所
  コモ(イタリア)
- 年月日
  2014-06-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] Photoluminescence Study of Oxidation-Induced Stacking Faults in 4H-SiC Epilayers2014
- 著者名/発表者名
  Y. Miyano, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi
- 学会等名
  10th Europian Concerence on Silicon Carbide and Related Materilas
- 発表場所
  Grenoble, France
- 年月日
  2014-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] Molecular Beam Epitaxy Growth of Intermediate Band Materials Based on GaAs:N δ-Doped Superlattices2014
- 著者名/発表者名
  T. Suzuki, K. Osada, S. Yagi, S. Naito, Y. Hijikata, Y. Okada, and H. Yaguchi
- 学会等名
  6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion
- 発表場所
  国立京都国際会館（京都府・京都市）
- 年月日
  2014-11-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390057
[学会発表] Control of Intermediate Band Configuration in GaAs:N δ-doped Superlattice2014
- 著者名/発表者名
  K. Osada, T, Suzuki, S. Yagi, S. Naito, Y. Shoji, Y. Okada, Y. Hijikata, and H. Yaguchi
- 学会等名
  6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion
- 発表場所
  国立京都国際会館（京都府・京都市）
- 年月日
  2014-11-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390057
[学会発表] Anomalous excitation power dependence of the luminescence from GaAsN/GaAs quantum well2014
- 著者名/発表者名
  Y. Yamazaki, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe, H. Yaguchi
- 学会等名
  The 41st International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  モンペリエ(フランス)
- 年月日
  2014-05-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] Resonant tunneling of electrons through cubic-InN quantum dots embedded2014
- 著者名/発表者名
  S. Yagi, J. Suzuki, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi
- 学会等名
  The 41st International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2014-05-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[学会発表] Surface orientation dependence of SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry2014
- 著者名/発表者名
  D. Goto, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi
- 学会等名
  10th Europian Concerence on Silicon Carbide and Related Materilas
- 発表場所
  Grenoble, France
- 年月日
  2014-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] フォトルミネッセンス法による4H-SiCエピ層中の酸化誘因欠陥の観察2014
- 著者名/発表者名
  宮野祐太郎、八木修平、土方泰斗、矢口裕之
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第１回講演会
- 発表場所
  ウインクあいち（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2014-11-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] SiC酸化へのArアニール導入による酸化膜成長速度の変化2014
- 著者名/発表者名
  今野良太郎，八木修平，土方泰斗，矢口裕之
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道・札幌市）
- 年月日
  2014-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] In-situ分光エリプソメータによるSiC酸化過程の面方位依存性測定 (II)2014
- 著者名/発表者名
  後藤大祐、八木修平、土方泰斗、矢口裕之
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第１回講演会
- 発表場所
  ウインクあいち（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2014-11-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] 中間バンド型太陽電池に向けたGaAs:Nδドープ超格子のMBE成長2014
- 著者名/発表者名
  鈴木智也, 長田一輝, 八木修平, 内藤俊弥, 土方泰斗, 岡田至崇, 矢口裕之
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道・札幌市）
- 年月日
  2014-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390057
[学会発表] Degradation of InGaN/GaN SQW Structure under Optical Irradiation2014
- 著者名/発表者名
  O. Ueda, A. A. Yamaguchi, S. Tanimoto, S. Nishibori, K. Kumakura, and H. Yamamoto
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors IWN 2014
- 発表場所
  Wroclaw (Poland)
- 年月日
  2014-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390057
[学会発表] Anomalous excitation power dependence of the luminescence from2014
- 著者名/発表者名
  Y. Yamazaki, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe, H. Yaguchi
- 学会等名
  The 41st International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2014-05-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[学会発表] Anomalous excitation power dependence of the luminescence from GaAsN/GaAs quantum well2014
- 著者名/発表者名
  Y. Yamazaki, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe, and H. Yaguchi
- 学会等名
  The 41st International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Montpellier (France)
- 年月日
  2014-05-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390057
[学会発表] Y立方晶AlNおよび高Al濃度立方晶AlGaNのRF-MBE成長2013
- 著者名/発表者名
  角田雅弘,森川生,窪谷茂幸,片山竜二,矢口裕之,尾鍋研太郎
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(神奈川)
- 年月日
  2013-03-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] InN/GaNドット多重積層構造に向けたGaNキャップ層成長条件の検討2013
- 著者名/発表者名
  徳田英俊, 折原操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[学会発表] 窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップからの発光のフォトルミネッセンス励起分光測定2012
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学(愛媛県)
- 年月日
  2012-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] Biexciton Emission from Single Isoelectronic Traps Formed by Nitrogen-Nitrogen Pairs in GaAs2012
- 著者名/発表者名
  K. Takamiya, T. Fukushima. S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe. R. Katayama, and H. Yaguchi
- 学会等名
  31st International Conference on the Physics of Semiconductors
- 発表場所
  スイス連邦工科大学チューリッヒ校(スイス)
- 年月日
  2012-08-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] Growth of Cubic AlN Films on MgO substrates by MBE2012
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya,R. Katayama, H. Yaguchi, K. Onabe,
- 学会等名
  GCOE International Sympsium on Physical Sciences Frontier
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-12-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] GaAs中窒素δドープ超格子のエネルギー構造評価2012
- 著者名/発表者名
  野口駿介, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 窒素δドープGaAsにおける単一等電子トラップからの励起子分子発光2012
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] First Principles Study on the Effect of the Position of Nitrogen Atoms on the Electronic Structure of GaAsN2012
- 著者名/発表者名
  K. Sakamoto and H. Yaguchi
- 学会等名
  31st International Conference on the Physics of Semiconductors
- 発表場所
  スイス連邦工科大学チューリッヒ校(スイス)
- 年月日
  2012-07-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] 窒素δドープGaAs中の窒素原子対が形成する単一の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響2012
- 著者名/発表者名
  新井佑也, 星野真也, 高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京)
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (001) substrates2012
- 著者名/発表者名
  R. G. Jin, S. Yagi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama and H. Yaguchi
- 学会等名
  17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
- 発表場所
  奈良県新公会堂(奈良県)
- 年月日
  2012-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] MBE法によるGaAs(001)基板上へのErGaAs混晶の成長2012
- 著者名/発表者名
  金日国, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学(愛媛県)
- 年月日
  2012-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] 第一原理計算によるGaAsNの電子構造に対する原子配置の影響に関する研究2012
- 著者名/発表者名
  坂元圭, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学(愛媛県)
- 年月日
  2012-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2011
- 著者名/発表者名
  K.Takamiya, Y.Endo, T.Fukushima, S.Yagi, Y.Hijikata, T.Mochizuki, M.Yoshita, H.Akiyama, S.Kuboya, K.Onabe, R.Katayama, H.Yaguchi
- 学会等名
  7th International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials
- 発表場所
  Quebec City Convention Centre (Quebec, Canada)(招待講演)
- 年月日
  2011-08-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Biexciton Emission from Single Isoelectronic Traps in Nitrogen Atomic-Layey-Doped GaAs2011
- 著者名/発表者名
  K.Takamiya, T.Fukushima, S.Yagi, Y.Hijikata, T.Mochizuki, M.Yoshita, H.Akiyama, S.Kuboya, K.Onabe, R.Katayama, H.Yaguchi
- 学会等名
  3rd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 発表場所
  International Academy Traunkirchen (Traunkirchen, Austria)
- 年月日
  2011-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Single photon emission from nitrogen delta-doped semiconductors2011
- 著者名/発表者名
  H. Yaguchi
- 学会等名
  SPIE Photonics West OPTO
- 発表場所
  Moscone Center (San Francisco, USA)
- 年月日
  2011-01-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] GaAs(110)基板上に作製した窒素δドープGaAsにおける等電子トラップからの発光特性評価2011
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(神奈川県)
- 年月日
  2011-03-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2011
- 著者名/発表者名
  K. Takamiya, Y. Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H.Yaguchi
- 学会等名
  The 7th International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials
- 発表場所
  Quebec City Convention Centre (Quebec,Canada)
- 年月日
  2011-08-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Biexciton Emission from Single Is oelectronic Traps in Nitrogen Atomic-Layey-Doped GaAs2011
- 著者名/発表者名
  K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H. Yaguchi
- 学会等名
  The 3rd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 発表場所
  International Academy Traunkirchen (Traunkirchen, Austria)
- 年月日
  2011-09-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 窒素δドープGaAs(110)中の単一等電子トラップからの発光の偏光特性2011
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形県)
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Single photon emission from nitrogen delta-doped semiconductors2011
- 著者名/発表者名
  H.Yaguchi
- 学会等名
  SPIE Photonics West OPTO
- 発表場所
  Mosone Center (San Francisco, USA)
- 年月日
  2011-01-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響2010
- 著者名/発表者名
  新井佑也, 遠藤雄太, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光特性評価2010
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 遠藤雄太, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, サノーピンサクンタム, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 極低窒素濃度GaAsNのフォトリフレクタンススペクトル2010
- 著者名/発表者名
  大久保航, 石川輝, 八木修平, 土方泰斗, 吉田貞史, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光特性評価2010
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 遠藤雄太, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, サノーピンサクンタム, 矢口裕之, サノーピンサクンタム, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 窒素δドープGaAs中の等電子トラップを形成する窒素原子対配列に関する研究2010
- 著者名/発表者名
  星野真也, 遠藤雄太, 福島俊之, 高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光(III)2010
- 著者名/発表者名
  福島俊之, 高宮健吾, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県)
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 極低窒素濃度GaAsNにおける窒素ペアからの発光の窒素濃度依存性2010
- 著者名/発表者名
  石川輝, 八木修平, 土方泰斗, 吉田貞史, 岡野真人, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎県)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響2010
- 著者名/発表者名
  新井佑也, 遠藤雄太, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Photoluminescence from single is oelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A2009
- 著者名/発表者名
  T. Fukushima, M. Ito, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Okano, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
- 学会等名
  The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures
- 発表場所
  神戸国際会議場 (兵庫県)
- 年月日
  2009-07-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Polarization properties of photoluminescence from individual isoelectronic traps in nitrogen delta-doped semiconductors : effect of host crystals2009
- 著者名/発表者名
  矢口裕之
- 学会等名
  The Second International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 発表場所
  徳島県・阿南工業高等専門学校
- 年月日
  2009-08-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 極低窒素濃度GaAsNのフォトルミネッセンス励起分光測定2009
- 著者名/発表者名
  石川輝, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学(富山県)
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] GaAs(001)および(111)面基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光2009
- 著者名/発表者名
  福島俊之, 矢口裕之
- 学会等名
  第5回量子ナノ材料セミナー
- 発表場所
  埼玉県・埼玉大学
- 年月日
  2009-07-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 極低窒素濃度GaAsNのフォトルミネッセンス励起分光測定2009
- 著者名/発表者名
  石川輝, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山県・富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] 窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光2009
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 遠藤雄太, 福島俊之, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山県・富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] InP(001)板上へのInPN薄膜のMOVPE成長2009
- 著者名/発表者名
  関裕紀,窪谷茂幸,ティユクァントゥ,片山竜二,矢口裕之,尾鍋研太郎
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] 様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光(III)2009
- 著者名/発表者名
  福島俊之, 高宮健吾, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山県・富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-dopedGaAs grown on GaAs(111)A2009
- 著者名/発表者名
  福島俊之, M.Ito, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, S.Kuboys, 片山竜二, 尾鍋研太郎
- 学会等名
  The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures
- 発表場所
  兵庫県・神戸国際会議場
- 年月日
  2009-07-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] InP(001)基板上へのInPN薄膜のMOVPE成長2009
- 著者名/発表者名
  関裕紀, 窪谷茂幸, ティユクァントゥ, 片山竜二, 矢口裕之, 尾鍋研太郎
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学 (茨城)
- 年月日
  2009-03-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] Polarization properties of photoluminescence from individual is oelectronic traps in nitrogen delta-doped semiconductors : effect of host crystals2009
- 著者名/発表者名
  H. Yaguchi
- 学会等名
  The Second International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 発表場所
  阿南工業高等専門学校 (徳島県)
- 年月日
  2009-08-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21360004
[学会発表] ラマン分光を用いたGaInAsN混晶の発光効率の変化に関する研究2008
- 著者名/発表者名
  谷岡健太郎, 堀口歩, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 吉田正裕, 秋山英文
- 学会等名
  2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学(千葉)
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] ラマン分光を用いたGaInAsN混晶の発光効率の変化に関する研究2008
- 著者名/発表者名
  谷岡健太郎, 堀口歩, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 吉田正裕, 秋山英文
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学 (千葉)
- 年月日
  2008-03-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] 光照射によるGaInAsN混晶の発光効率向上に関する研究2007
- 著者名/発表者名
  谷岡健太郎, 遠藤雄太, 伊藤正俊, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 吉田正裕, 秋山英文
- 学会等名
  2007年秋季第68回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学 (北海道)
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] 光照射によるGaInAsN混晶の発光効率向上に関する研究2007
- 著者名/発表者名
  谷岡健太郎, 遠藤雄太, 伊藤正俊, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 吉田正裕, 秋山英文
- 学会等名
  2007年秋季第68回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学(北海道)
- 年月日
  2007-09-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19360003
[学会発表] Growth of Cubic AlN Films on MgO substrates by MBE
- 著者名/発表者名
  M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya, R. Katayama, H. Yaguchi, K. Onabe
- 学会等名
  GCOE International Sympsium on Physical Sciences Frontier
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] Stacked Structure of Self-Organized Cubic InN Nano-Scale Dots Grown by
- 著者名/発表者名
  S. Yagi, J. Suzuki, M. Orihara, Y. Hijikata, and H. Yaguchi
- 学会等名
  The 40th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Kobe, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048
[学会発表] 立方晶AlNおよび高Al濃度立方晶AlGaNのRF-MBE成長
- 著者名/発表者名
  角田雅弘、森川生、窪谷茂幸、片山竜二、矢口裕之、尾鍋研太郎
- 学会等名
  2013年第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学（厚木市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360005
[学会発表] 堆積と熱酸化による4H-SiC MOS 構造の作製(II)
- 著者名/発表者名
  大谷篤志, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
- 学会等名
  SiC及び関連半導体研究第22回講演会
- 発表場所
  埼玉会館（埼玉県さいたま市浦和区）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] 堆積と熱酸化による4H-SiC MOS 構造の作製
- 著者名/発表者名
  大谷篤志，八木修平，土方泰斗，矢口裕之
- 学会等名
  第21回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
- 発表場所
  大阪（大阪市中央公会堂）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] 窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光の時間分解フォトルミネッセンス測定
- 著者名/発表者名
  高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学（京都府）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] Model calculations of SiC oxide growth rates at sub-atmospheric pressures using the Si and C emission model
- 著者名/発表者名
  Y. Hijikata, S. Yagi, H. Yaguchi, and S. Yoshida
- 学会等名
  9th European Conference of SiC and Related Matterials
- 発表場所
  Russia (Saint-Petersburg)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] 第一原理計算によるGaAsN混晶の伝導帯の解析に関する研究
- 著者名/発表者名
  坂本圭, 矢口裕之
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学（京都府）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] In-situ分光エリプソメーターによるSiC酸化過程の面方位依存性測定
- 著者名/発表者名
  後藤大祐, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
- 学会等名
  SiC及び関連半導体研究第22回講演会
- 発表場所
  埼玉会館（埼玉県さいたま市浦和区）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] 堆積と熱酸化による4H-SiC MOS 構造の作製
- 著者名/発表者名
  大谷篤志，八木修平，土方泰斗，矢口裕之
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山（愛媛/松山大学）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] First Principles Study on the Conduction Band Electron States of GaAsN Alloys
- 著者名/発表者名
  K. Sakamoto and H. Yaguchi
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors 2013
- 発表場所
  ゲイロード・ナショナル・リゾート・アンド・コンベンション・センター（アメリカ合衆国）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] Si emission into the oxide layer during oxidation of silicon carbide
- 著者名/発表者名
  Yasuto Hijikata, Yurie Akasaka, Shuhei Yagi, and Hiroyuki Yaguchi
- 学会等名
  International Conference on SiC and Related Materials (ICSCRM2013)
- 発表場所
  Seagaia Convention Center (宮崎県宮崎市)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] Photoreflectance Study of the Temperature Dependence of Excitonic Transitions in Dilute GaAsN Alloys
- 著者名/発表者名
  W. Okubo, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe and H. Yaguchi
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors 2013
- 発表場所
  ゲイロード・ナショナル・リゾート・アンド・コンベンション・センター（アメリカ合衆国）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] Excitation power dependence of the emission from various N-N pairs in N δ-doped GaAs
- 著者名/発表者名
  K. Takamiya, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe, and H. Yaguchi
- 学会等名
  4th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
- 発表場所
  UCLAコンファレンス・センター（アメリカ合衆国）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360004
[学会発表] 4H-SiCエピ膜中積層欠陥への熱酸化の影響について
- 著者名/発表者名
  宮野祐太郎，矢口裕之，土方泰斗，八木修平
- 学会等名
  第60回春季応用物理学会講演会
- 発表場所
  厚木（神奈川工科大学）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] スパッタ薄膜成長による4H-SiC 基板中の非発光再結合中心生成
- 著者名/発表者名
  加藤寿悠，八木修平，土方泰斗，矢口裕之
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山（愛媛/松山大学）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560365
[学会発表] 第一原理計算によるInAsN混晶のバンド構造に関する研究
- 著者名/発表者名
  宮崎貴史, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学、神奈川
- 年月日
  2015-03-12 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25286048

1. 尾鍋研太郎 (50204227)

共同の研究課題数: 11件

共同の研究成果数: 49件
2. 近藤高志 (60205557)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 0件
3. 白木靖寛 (00206286)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
4. 片山竜二 (40343115)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 46件
5. 土方泰斗 (70322021)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 62件
6. 伊藤良一 (40133102)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
7. 八木修平 (30421415)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 46件
8. 窪谷茂幸 (70583615)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 38件
9. 秋山英文 (40251491)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 31件
10. 上田修 (50418076)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
11. 池永訓昭 (30512371)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
12. 宇佐美徳隆 (20262107)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
13. 吉田貞史 (70302510)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
14. 深津晋 (60199164)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
15. 高宮健吾 (70739458)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 9件
16. 山本剛久 (20220478)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 山口敦史 (60449428)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
18. 佐久間芳樹 (60354346)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 五神真 (70161809)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 吉本昌広 (20210776)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 石谷善博 (60291481)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 森田健 (30448344)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
23. 馬ベイ (90718420)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
24. 長田俊人 (00192526)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
25. 増田淳 (30283154)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
26. 清水立生 (30019715)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
27. 森本章治 (60143880)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
28. 鎌田憲彦 (50211173)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
29. 鳥山欽哉 (20183882)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
30. 篠塚雄三 (30144918)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
31. 平山秀樹 (70270593)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
32. サクンタムサノーピン

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
33. 大木健輔

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
34. MA BEI

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 3件

矢口 裕之 Yaguchi Hiroyuki

研究課題

研究成果

共同研究者

バンドテイルを経由した２段階光吸収を利用する太陽電池の高効率化研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

希釈窒化物半導体における電子局在状態を活用する高効率太陽電池への展開研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

局所ドーピング構造半導体による量子相関光子の生成および制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

局所ドーピング構造半導体による単一光子発生に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

等電子トラップを利用した単一光子発生素子の作製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

矢口裕之 Yaguchi Hiroyuki