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岩野 博隆  IWANO Hirotaka

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 50252268
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1998年度: 名古屋大学, 工学研究科, 助手
1997年度: 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助手
1993年度 – 1996年度: 名古屋大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学
研究代表者以外
表面界面物性 / 応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学 / 応用物性
キーワード
研究代表者
クーロンブロッケード現象 / 三端子構造 / 多重トンネル接合 / ホッピング伝導 / 集束イオンビーム
研究代表者以外
エピタキシャル成長 / ULSI / SiGe / コンタクト / Ge … もっと見る / epitaxial growth / surface migration / 高分解能電子エネルギー損失分光法 / 表面反応 / Schottky barrier / Si interface / Metal / Contact / 水素終端効果 / 自然酸化膜の抑制 / 水素同時添加効果 / Si(100)成長 / Si構造 / 超低抵抗コンタクト / コンタクト抵抗率 / 界面固相反応 / ショットキ障壁高さ / ショットキコンタクト特性 / Coシリサイド / Si界面 / ショットキー障壁 / Si 界面 / 金属 / H-termination / contact / tunneling spectroscopy / interface / silicide / 水素終端 / トンネル分光法 / 界面 / シリサイド / Two-step growth method / Strain-relaxed Si_<1-x>Ge_x layrs / Band splittings / Impurity doping / Growth of Si_<1-x>Ge_x layrs / 磁気抵抗効果 / 不純物濃度制御 / 歪量子井戸構造 / 東縛励起子発光 / 不純物ドープ / 低温成長 / SiGe薄膜 / 二段階成長法 / 無歪基板形成技術 / バンドスプリット / 不純物ド-ピング技術 / SiGe膜成長 / surface segregation / Si epitaxy / hydrogen / high-resolution electron energy loss spectroscopy / 表面反応過程 / ダイハイドライド構造 / 未結合手 / 水素終端シリコン表面 / 初期酸化 / 高分解能電子エネルギー損失分光 / 表面偏析 / 表面拡散 / 水素 / SiGe thin film / Anderson localization / negative magnetoresistance / 1D-VRH / p-Si wire / 磁気抵抗 / 1次元ホッピング伝導 / 不純物伝導 / 擬1次元キャリア / SiGe混晶膜 / アンダーソン局在 / 負の磁気抵抗 / 一次元可変領域ホッピング伝導 / p型Si細線 / dynamic process RHEED oscillation / surface reaction / 時間分解測定 / RHEED振動 / 動的素過程 / 表面泳動 / 水素終端面 / 水素ラジカル 隠す
  • 研究課題

    (8件)
  • 共同研究者

    (5人)
  •  次世代ULSI用超低抵抗コンタクト材料の開発

    • 研究代表者
      安田 幸夫
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  Si量子トランジスタデバイスの開発とクーロンブロッケードに関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      岩野 博隆
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  トンネル分光法を用いたシリサイド/シリコン界面の評価と水素終端効果の研究

    • 研究代表者
      財満 鎮明 (財満 鎭明)
    • 研究期間 (年度)
      1995 – 1996
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  電子エネルギー損失分光法を用いた薄膜成長機構に与える水素原子の役割に関する研究

    • 研究代表者
      安田 幸夫
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  シリコンゲルマニウム量子井戸構造を用いた赤外発光素子の開発

    • 研究代表者
      安田 幸夫
    • 研究期間 (年度)
      1994 – 1995
    • 研究種目
      試験研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  電子エネルギー損失分光法を用いたフリーラジカルと半導体表面の相互作用の研究

    • 研究代表者
      安田 幸夫
    • 研究期間 (年度)
      1993
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  エピタキシャル成長の動的素過程の時間分解測定法の開発と反応種の表面泳動の研究

    • 研究代表者
      財満 鎭明
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(A)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      名古屋大学
  •  パルスレーザー飛行時間法を用いたシリコン擬1次元キャリア系の量子輸送機構の研究

    • 研究代表者
      安田 幸夫
    • 研究期間 (年度)
      1992 – 1993
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      名古屋大学
  • 1.  財満 鎭明 (70158947)
    共同の研究課題数: 7件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  安田 幸夫 (60126951)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  小出 康夫 (70195650)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  恩賀 伸二
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  須黒 恭一
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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