藤岡洋 Fujioka Hiroshi

研究者番号	50282570
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所属 (現在)	2025年度: 東京大学, 生産技術研究所, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2016年度 – 2025年度: 東京大学, 生産技術研究所, 教授 2012年度 – 2014年度: 東京大学, 生産技術研究所, 教授 2004年度 – 2010年度: 東京大学, 生産技術研究所, 教授 1999年度 – 2003年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教授 1998年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 講師
審査区分/研究分野	研究代表者理工系 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 機能材料・デバイス / 無機工業化学 / 無機工業材料 / 理工系研究代表者以外応用物性・結晶工学 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者先端機能デバイス / 格子欠陥 / 半導体物性 / 電子・電気材料 / 特異構造 / 結晶工学 / 窒化ガリウム / GaN / 電磁鋼板 / PLD … もっと見る / MBE / エピタキシャル成長 / 窒化物半導体 / 高周波素子 / パワーエレクトロニクス / ワイドギャップ半導体 / 結晶成長 / Silicon / Universal crystal growth / Steel / Gallium nitride / Epitaxial growth / シリコン / ユニバーサル結晶成長 / Interface Buffer Layers / Display Devices / Epitaxial Growth / Quasi-Single Crystal Substrates / Light Emitting Devices / Mgドーピング / 窒化アルミニウム / ディスプレー / ホトルミネッセンス / 発光ダイオード / 界面バッファー層 / 表示素子 / 擬似単結晶 / 発光素子 / スパッタ / フレキシブルエレクトロニクス / 雲母 / 高速電子素子 / 赤外発光素子 / 窒化インジウム / 低温成長 / パルス励起堆積法 / III族窒化物 … もっと見る研究代表者以外 MBE / MnAs / photoelectron spectroscopy / Si / 光電子分光 / 放射光 / combinatorial analysis / strongly correlated oxides / photoelectron emission microscopy / magnetic nanostructures / synchrotron radiation / スピン制御 / 自己組織化 / 磁性ドット / 量子ナノ構造 / 酸化物磁性体 / 磁性超微粒子 / MBE成長 / FLAPW法 / コンビナトリアル解析 / 強相関酸化物 / 光電子顕微鏡 / 磁性ナノ構造 / oxinitride / oxide / non-destructive analysis / gate insulators / electrical measurements / Synchrotron radiation / 密度内関数法 / ゲート酸化膜 / MOSトランジスタ / シンクロトロン放射光 / ULSI / シリコン / 酸窒化膜 / 酸化膜 / 非破壊分析 / ゲート絶縁膜 / 電気測定隠す

縮退窒化物のMB効果を用いたAlGaN二次元電子ガスへのコンタクトとHEMT応用研究代表者
- 研究代表者
  
  藤岡洋
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京大学
特異構造の結晶科学：完全性と不完全性の協奏で拓く新機能エレクトロニクス領域代表者
- 領域代表者
  
  藤岡洋
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2020
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
総括班研究代表者
- 研究代表者
  
  藤岡洋
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2020
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
非平衡状態の時間ドメイン制御による特異構造の創製研究代表者
- 研究代表者
  
  藤岡洋
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2020
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
国際活動支援班研究代表者
- 研究代表者
  
  藤岡洋
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2023
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
雲母を基板とするフレキシブルエレクトロニクスの創成研究代表者
- 研究代表者
  
  藤岡洋
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  無機工業材料
- 研究機関
  東京大学
パルス励起堆積法による窒化インジウム系半導体の低温成長研究代表者
- 研究代表者
  
  藤岡洋
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京大学
電磁鋼板上の単結晶シリコン電子デバイスの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  藤岡洋
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  機能材料・デバイス
- 研究機関
  東京大学
擬似単結晶金属基板を用いたGaN発光素子に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  藤岡洋
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  無機工業化学
- 研究機関
  東京大学
半導体/磁性複合量子ナノ構造を用いた光・スピン制御素子
- 研究代表者
  
  尾嶋正治
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学
次世代超高密度デバイス用極薄絶縁膜の開発
- 研究代表者
  
  尾嶋正治
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京大学

[雑誌論文] Heavily Si-doped pulsed sputtering deposited GaN for tunneling junction contacts in UV-A light emitting diodes2021
- 著者名/発表者名
  Fudetani Taiga、Ueno Kohei、Kobayashi Atsushi、Fujioka Hiroshi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 118 号: 7 ページ: 072101-072101
- DOI
  10.1063/5.0040500
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] Vertical p-type GaN Schottky barrier diodes with nearly ideal thermionic emission characteristics2021
- 著者名/発表者名
  Ueno Kohei、Shibahara Keita、Kobayashi Atsushi、Fujioka Hiroshi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 118 号: 2 ページ: 022102-022102
- DOI
  10.1063/5.0036093
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] Autonomous growth of NbN nanostructures on atomically flat AlN surfaces2020
- 著者名/発表者名
  Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 117 号: 23 ページ: 231601-231601
- DOI
  10.1063/5.0031604
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] Combined infrared reflectance and Raman spectroscopy analysis of Si-doping limit of GaN2020
- 著者名/発表者名
  Ma Bei、Tang Mingchuan、Ueno Kohei、Kobayashi Atsushi、Morita Ken、Fujioka Hiroshi、Ishitani Yoshihiro
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 117 号: 19 ページ: 192103-192103
- DOI
  10.1063/5.0023112
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PLANNED-16H06414, KAKENHI-PLANNED-16H06425
[雑誌論文] Coherent epitaxial growth of superconducting NbN ultrathin films on AlN by sputtering2020
- 著者名/発表者名
  Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 6 ページ: 061006-061006
- DOI
  10.35848/1882-0786/ab916e
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] Growth of InN ultrathin films on AlN for the application to field-effect transistors2020
- 著者名/発表者名
  Jeong Dayeon, Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 10 号: 12 ページ: 125221-125221
- DOI
  10.1063/5.0035203
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] Characteristics of unintentionally doped and lightly Si-doped GaN prepared via pulsed sputtering2019
- 著者名/発表者名
  Kohei Ueno、Atsushi Kobayashi、Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 9 号: 7 ページ: 075123-075123
- DOI
  10.1063/1.5103185
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] Wide range doping controllability of p-type GaN films prepared via pulsed sputtering2019
- 著者名/発表者名
  Fudetani Taiga、Ueno Kohei、Kobayashi Atsushi、Fujioka Hiroshi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 114 号: 3 ページ: 032102-032102
- DOI
  10.1063/1.5079673
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] Improving the electron mobility of polycrystalline InN grown on glass substrates using AlN crystalline orientation layers2019
- 著者名/発表者名
  Masumi Sakamoto、Atsushi Kobayashi、Yoshino K. Fukai、Kohei Ueno、Yuki Tokumoto、Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 126 号: 7 ページ: 075701-075701
- DOI
  10.1063/1.5117307
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] AlN/InAlN thin-film transistors fabricated on glass substrates at room temperature2019
- 著者名/発表者名
  Kyohei Nakamura、Atsushi Kobayashi、Kohei Ueno、Jitsuo Ohta、Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 9 号: 1 ページ: 6254-6254
- DOI
  10.1038/s41598-019-42822-6
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] Optical characteristics of highly conductive n-type GaN prepared by pulsed sputtering deposition2019
- 著者名/発表者名
  Kohei Ueno、Taiga Fudetani、Atsushi Kobayashi、Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 9 号: 1 ページ: 20242-20242
- DOI
  10.1038/s41598-019-56306-0
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PROJECT-19K05292, KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] Growth of Si-doped AlN on sapphire (0001) via pulsed sputtering2018
- 著者名/発表者名
  Sakurai Yuya、Ueno Kohei、Kobayashi Atsushi、Ohta Jitsuo、Miyake Hideto、Fujioka Hiroshi
- 雑誌名
  
  APL Materials
  
  巻: 6 号: 11 ページ: 111103-111103
- DOI
  10.1063/1.5051555
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18K04955, KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] パルススパッタ堆積法によるサファイア基板上N極性面InGaN LEDの作製2018
- 著者名/発表者名
  上野耕平、岸川英司、太田実雄、藤岡洋
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌
  
  巻: 45 号: 1 ページ: n/a
- DOI
  10.19009/jjacg.3-45-1-02
- NAID
  130006727549
- ISSN
  0385-6275, 2187-8366
- 言語
  日本語
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] N-polar InGaN-based LEDs fabricated on sapphire via pulsed sputtering2017
- 著者名/発表者名
  Kohei Ueno, Eiji Kishikawa, Jitsuo Ohta, and Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  APL Materials
  
  巻: 5 号: 2 ページ: 026102-026102
- DOI
  10.1063/1.4975617
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] Low-temperature pulsed sputtering growth of InGaN multiple quantum wells for photovoltaic devices2017
- 著者名/発表者名
  Yasuaki Arakawa, Kohei Ueno, Hidenari Noguchi, Jitsuo Ohta, and Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 3 ページ: 031002-031002
- DOI
  10.7567/jjap.56.031002
- NAID
  210000147457
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] Epitaxial growth of semipolar InAlN films on yttria-stabilized zirconia2017
- 著者名/発表者名
  Masaaki Oseki, Atsushi Kobayashi, Jitsuo Ohta, Masaharu Oshima, and Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi B
  
  巻: 254 号: 10 ページ: 1700211-1700211
- DOI
  10.1002/pssb.201700211
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] Highly conductive Ge-doped GaN epitaxial layers prepared by pulsed sputtering2017
- 著者名/発表者名
  Kohei Ueno, Yasuaki Arakawa, Atsushi Kobayashi, Jitsuo Ohta, and Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 10 号: 10 ページ: 101002-101002
- DOI
  10.7567/apex.10.101002
- NAID
  210000135984
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] Fabrication of full-color GaN-based light-emitting diodes on nearly lattice-matched flexible metal foils2017
- 著者名/発表者名
  H. Kim, J. Ohta, K. Ueno, A. Kobayashi, M. Morita, Y. Tokumoto, and H. Fujioka
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 7 号: 1 ページ: 2112-2112
- DOI
  10.1038/s41598-017-02431-7
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] Pulsed sputtering epitaxial growth of m-plane InGaN lattice-matched to ZnO2017
- 著者名/発表者名
  Atsushi Kobayashi, Jitsuo Ohta, and Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 7 号: 1 ページ: 12820-12820
- DOI
  10.1038/s41598-017-12518-w
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] Epitaxial Growth of Thick Polar and Semipolar InN Films on Yttria‐Stabilized Zirconia Using Pulsed Sputtering Deposition2017
- 著者名/発表者名
  Atsushi Kobayashi, Masaaki Oseki, Jitsuo Ohta, and Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi B
  
  巻: 255 号: 3 ページ: 1700320-1700320
- DOI
  10.1002/pssb.201700320
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] Electrical properties of Si-doped GaN prepared using pulsed sputtering2017
- 著者名/発表者名
  Yasuaki Arakawa, Kohei Ueno, Hideyuki Imabeppu, Atsushi Kobayashi, Jitsuo Ohta, and Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 110 号: 4 ページ: 042103-042103
- DOI
  10.1063/1.4975056
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] Electron transport properties of degenerate n-type GaN prepared by pulsed sputtering2017
- 著者名/発表者名
  Kohei Ueno, Taiga Fudetani, Yasuaki Arakawa, Atsushi Kobayashi, Jitsuo Ohta, and Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  APL Materials
  
  巻: 5 号: 12 ページ: 126102-126102
- DOI
  10.1063/1.5008913
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] Characterization of GaN films grown on hafnium foils by pulsed sputtering deposition2017
- 著者名/発表者名
  H. Kim, J. Ohta, K. Ueno, A. Kobayashi, and H. Fujioka
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi A
  
  巻: 214 号: 10 ページ: 1700244-1700244
- DOI
  10.1002/pssa.201700244
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[雑誌論文] Dramatic reduction in process temperature of InGaN-based light-emitting diodes by pulsed sputtering growth technique2014
- 著者名/発表者名
  中村英司、上野耕平
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letter
  
  巻: 104 号: 5 ページ: 051121-051121
- DOI
  10.1063/1.4864283
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-11J09592, KAKENHI-PROJECT-24245040
[雑誌論文] Theoretical Investigation of the Polarity Determination for c-plane InN Grown on Yttria-Stabilized Zirconia (111) Substrates with Yttrium Surface Segregation2013
- 著者名/発表者名
  Y. Guo, S. Inoue, A. Kobayashi, J. Ohta, and H. Fujioka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 6-021002 号: 2 ページ: 1-3
- DOI
  10.7567/apex.6.021002
- NAID
  10031152671
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[雑誌論文] Structural properties of m-plane InAlN films grown on ZnO substrates with room-temperature GaN buffer layers2013
- 著者名/発表者名
  T. Kajima, A. Kobayashi, K. Uen, J. Ohta, H. Fujioka, and M. Oshima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 6-021003 号: 2 ページ: 1-3
- DOI
  10.7567/apex.6.021003
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[雑誌論文] Band Configuration of SiO2/m-Plane ZnO Heterointerface Correlated with Electrical Properties of Al/SiO2/ZnO Structures2013
- 著者名/発表者名
  J. Liu, A. Kobayashi, K. Ueno, J. Ohta, H. Fujioka, and M. Oshima
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52-011101 号: 1R ページ: 1-4
- DOI
  10.7567/jjap.52.011101
- NAID
  210000141719
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[雑誌論文] Theoretical study on initial stage of InN growth on cubic zirconia (111) substrates2013
- 著者名/発表者名
  Y. Guo, S. Inoue, A. Kobayashi, J. Ohta, and H. Fujioka
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi RRL
  
  巻: 7 号: 3 ページ: 207-210
- DOI
  10.1002/pssr.201206465
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[雑誌論文] Electron mobility of ultrathin InN grown on yttria-stabilized zirconia with two-dimensionally grown initial layers2013
- 著者名/発表者名
  K. Okubo, A. Kobayashi, J. Ohta, M. Oshima, and H. Fujioka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 102-022103 号: 2 ページ: 1-3
- DOI
  10.1063/1.4776210
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[雑誌論文] Polarity control and growth mode of InN on yttria-stabilized zirconia (111) surfaces2012
- 著者名/発表者名
  A.Kobayashi, K.Ohkubo, J. Ohta, M. Oshima, and H. Fujioka
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi A
  
  巻: 209 号: 11 ページ: 2251-2254
- DOI
  10.1002/pssa.201228287
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[雑誌論文] Fabrication of densely packed array of GaN nanostructures on nano-imprinted substrates.2011
- 著者名/発表者名
  F.Shih, A.Kobayashi, S.inoue, J.Ohta, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 319 ページ: 102-105
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Coherent growth of r-plane GaN films on ZnO substrates at room temperature2011
- 著者名/発表者名
  A.Kobayashi, K.Ueno, J.Ohta, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi A
  
  ページ: 1-4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Characteristics of AlN Films Grown on Thermally-Nitrided Sapphire Substrates2011
- 著者名/発表者名
  K.Ueno, J.Ohta, H.Fujioka, H.Fukuyama
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 4
- NAID
  10027782707
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Room-temperature epitaxial growth of high quality m-plane InAlN films on nearly lattice-matched ZnO substrates2010
- 著者名/発表者名
  T.Kajima, A.Kobayashi, K.Ueno, K.Shimomoto, T.Fujii, J.Ohta, H.Fujioka, M.Oshima
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 49
- NAID
  40017216057
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Characteristics of thick m-plane InGaN films grown on ZnO substrates using room temperature epitaxial buffer layers2010
- 著者名/発表者名
  K.Shimomoto, A.Kobayashi, K.Ueno, J.Ohta, M.Oshima, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Exp. 3
  
  ページ: 61001-61001
- NAID
  10027014931
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Structural Characteristics of GaN/InN Heterointerfaces Fabricated at Low Temperatures by Pulsed Laser Deposition2010
- 著者名/発表者名
  T.Fujii, A.Kobayashi, K.Shimomoto, J.Ohta, M.Oshima, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Exp. 3
  
  ページ: 21003-21003
- NAID
  10027013296
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Structural properties of semipolar AlxGa1-xN (1_103) films grown on ZnO substrates using room temperature epitaxial buffer layers2010
- 著者名/発表者名
  K.Ueno, A.Kobayashi, J.Ohta, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi A
  
  巻: 207 ページ: 2149-2152
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Structural characteristics of semipolar InN (11 21) films grown on yttria stabilized zirconia substrates2010
- 著者名/発表者名
  T.Fujii, A.Kobayashi, J.Ohta, M.Oshima, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi A
  
  巻: 207 ページ: 2269-2271
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Optical polarization characteristics of m-plane InGaN films coherently grown on ZnO substrates2010
- 著者名/発表者名
  A.Kobayashi, K.Shimomoto, J.Ohta, H.Fujioka, M.Oshima
- 雑誌名
  
  Phys.Status Solidi (RRL) 4
  
  ページ: 188-188
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Structural and optical properties of nonpolar AlN (11_20) films grown on ZnO (11_20) substrates with a room-temperature GaN buffer layer2010
- 著者名/発表者名
  K.Ueno, A.Kobayashi, J.Ohta, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Growth Orientation Control of Semipolar InN Films Using Yttria-Stabilized Zirconia Substrates2010
- 著者名/発表者名
  T.Fujii, K.Shimomoto, J.Ohta, M.Oshima, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 49
  
  ページ: 80204-80204
- NAID
  40017253748
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Optical polarization characteristics of m-plane InGaN films coherently grown on ZnO substrates2010
- 著者名/発表者名
  A.Kobayashi, K.Shimomoto, J.Ohta, H.Fujioka, M.Oshima
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (RRL)
  
  巻: 4 ページ: 188-190
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Growth orientation control of semipolar InN films using yttria-stabilized zirconia substrates2010
- 著者名/発表者名
  T.Fujii, K.Shimomoto, J.Ohta, M.Oshima, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 49
- NAID
  40017253748
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Improvement in the crystalline quality of semipolar AlN (1_102) films using ZnO substrates with self-organized nanostripes2010
- 著者名/発表者名
  K.Ueno, A.Kobayashi, J.Ohta, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Investigation on the conversion efficiency of InGaN solar cells fabricated on GaN and ZnO substrates2010
- 著者名/発表者名
  S.Inoue, M.Katoh, A.Kobayashi, J.Ohta, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi RRL
  
  巻: 4 ページ: 88-90
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Improvements in optical properties of semipolar r-plane GaN films grown using atomically flat ZnO substrates and room temperature epitaxial buffer layers2010
- 著者名/発表者名
  A.Kobayashi, S.Kawano, K.Ueno, J.Ohta, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 49
- NAID
  40017341189
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Characteristics of m-Plane InN Films Grown on ZnO Substrates at Room Temperature by Pulsed Laser Deposition2010
- 著者名/発表者名
  K.Shimomoto, A.Kobayashi, K.Mitamura, K.Ueno, J.Ohta, M.Oshima, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 49
  
  ページ: 80202-80202
- NAID
  40017253746
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Characteristics of m-plane InN films grown on ZnO substrates at room temperature by pulsed laser deposition2010
- 著者名/発表者名
  K.Shimomoto, A.Kobayashi, K.Mitamura, K.Ueno, J.Ohta, M.Oshima, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 49
- NAID
  40017253746
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Band Offsets of Polar and Nonpolar GaN/ZnO Heterostructures Determined by Synchrotron Radiation Photoemission Spectroscopy2010
- 著者名/発表者名
  J.W.Liu, A.Kobayashi, S.Toyoda, H.Kamada, A.Kikuchi, J.Ohta, H.Fujioka.
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi B
  
  ページ: 1-4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Characteristics of thick m-plane InGaN films grown on ZnO substrates using room temperature epitaxial buffer layers2010
- 著者名/発表者名
  K.Shimomoto, A.Kobayashi, K.Ueno, J.Ohta, M.Oshima, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 3
- NAID
  10027014931
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Epitaxial growth of high purity cubic InN films on MgO substrates using HfN buffer layers by pulsed laser deposition2009
- 著者名/発表者名
  R.Ohba, J.Ohta, K.Shimomoto, T.Fujii, K.Okamoto, A.Aoyama, T.Nakano, A.Kobayashi, H.Fujioka, M.Oshima
- 雑誌名
  
  J.Solid State Chemistry 182
  
  ページ: 2887-2887
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Room-Temperature Epitaxial Growth of High Quality AlN on SiC by Pulsed Sputtering Deposition2009
- 著者名/発表者名
  K. Sato, J. Ohta, S. Inoue, A. Kobayashi, and H. Fujioka
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Exp. 2
  
  ページ: 11003-11003
- NAID
  10025083938
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Fabrication and Characterization of AlN/InN Heterostructures2009
- 著者名/発表者名
  T.Fujii, K.Shimomoto, R.Ohba, Y.Toyoshima, K.Horiba, J.Ohta, H.Fujioka, M.Oshima, S.Ueda, H.Yoshikawa, K.Kobayashi
- 雑誌名
  
  Appl Phys.Exp. 2
  
  ページ: 11002-11002
- NAID
  10025083913
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Low-temperature growth of high quality AlN films on carbon face 6H-SiC2008
- 著者名/発表者名
  M.-H.Kim, J.Ohta, A.Kobayashi, H.Fujioka, M.Oshima
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 2
  
  ページ: 13-13
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Low temperature Epitaxial Growth of GaN films on LiGaO2 substrates2007
- 著者名/発表者名
  K.Sakurada, A.Kobayashi, Y.Kawaguchi, J.Ohta, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters (accepted for press)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] Growth temperature dependence of structural properties for AlN films on ZnO (000-1) substrates2007
- 著者名/発表者名
  K.Ueno, A.Kobayashi, J.Ohta, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 90
  
  ページ: 141908-141908
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] Room temperature epitaxial growth of m-plane GaN on lattice-matched ZnO substrates2007
- 著者名/発表者名
  A. Kobayashi, S. Kawano, Y. Kawaguchi, J. Ohta, and H. Fujioka
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 90
  
  ページ: 41908-41908
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Epitaxial growth mechanisms of AlN on SiC substrates at room temperature2007
- 著者名/発表者名
  M.H.Kim, J.Ohta, A.Kobayashi, H.Fujioka, M.Oshima
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 91
  
  ページ: 151903-151903
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Low temperature Epitxial Growth of GaN films on LiGa02 substrates2007
- 著者名/発表者名
  K.Sakurada, A.Kobayashi, Y.Kawaguchi, J.Ohta, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters (accepted for press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] Growth of InN films on spinel substrates by pulsed laser deposition2007
- 著者名/発表者名
  K. Mitamura, J. Ohta, H. Fujioka, and M. Oshima
- 雑誌名
  
  physica status solidi (rapid research letters) 5
  
  ページ: 211-211
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[雑誌論文] Growth temperature dependence of structural properties for A1N films on ZnO (000-1) substrates2007
- 著者名/発表者名
  K.Ueno, A.Kobayashi, J.Ohta, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 90
  
  ページ: 141908-141908
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] Room temperature epitaxial growth of m-plane GaN on lattice-matched ZnO substrates2007
- 著者名/発表者名
  A.Kobayashi, S.Kawano, Y.Kawaguchi, J.Ohta, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 90
  
  ページ: 41908-41908
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] Epitaxial growth of AlN on Cu(111) substrates using pulsed laser deposition2006
- 著者名/発表者名
  S.Inoue, K.Okamoto, N.Matsuki, T.-W.Kim, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 289
  
  ページ: 574-574
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] Characteristics of single crystalline AlN films grown on Ru(0001) substrates2006
- 著者名/発表者名
  S.Inoue, K.Okamoto, T.Nakano, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 297
  
  ページ: 317-317
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] Epitaxial growth of GaN on copper substrates2006
- 著者名/発表者名
  S.Inoue, K.Okamoto, N.Matsuki, T.W.Kim, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 88
  
  ページ: 261910-261910
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] Characteristics of single crystalline A1N films grown on Ru(0001) substrates2006
- 著者名/発表者名
  S.Inoue, K.Okamoto, T.Nakano, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 297
  
  ページ: 317-317
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] Epitaxial growth of A1N on Cu(111) substrates using pulsed laser deposition2006
- 著者名/発表者名
  S.Inoue, K.Okamoto, N.Matsuki, T.-W.Kim, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 289
  
  ページ: 574-574
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] P-type activation of AlGaN by hydrogen desorption using catalytic Ni films2006
- 著者名/発表者名
  T.Naono, H.Fujioka, J.Okabayashi, M.Oshima, H.Miki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 88
  
  ページ: 152114-152114
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] P-type activation of A1GaN by hydrogen desorption using catalytic Ni films2006
- 著者名/発表者名
  T.Naono, H.Fujioka, J.Okabayashi, M.Oshima, H.Miki
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 88
  
  ページ: 152114-152114
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] Heteroepitaxial growth of gallium nitride on muscovite mica plates by pulsed laser deposition2005
- 著者名/発表者名
  N.Matsuki, T.-W.Kim, J.Ohta, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Solid State Communications 136
  
  ページ: 338-338
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] Characteristics of single-crystal AIN films grown on ferromagnetic metal substrates2005
- 著者名/発表者名
  K.Okamoto, S.Inoue, N.Matsuki, T.-W.Kim, H.Fujioka, M.Oshima
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a) 202
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] GaN Heteroepitaxial Growth on LiTaO3(0001) Step Substrates by Pulsed Laser Deposition2005
- 著者名/発表者名
  Y.Tsuchiya, A.Kobayashi, J.Ohta, H.Fujioka, M.Oshima
- 雑誌名
  
  Jap. J. of Appl. Phys. 44
- NAID
  130004533880
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] Room-temperature epitaxial growth of GaN on lattice-matched ZrB_2 substrates by pulsed-laser deposition2005
- 著者名/発表者名
  Y.Kawaguchi, J.Ohta, A.Kobayashi, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Applied Phyics Letters 87
  
  ページ: 221907-221907
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] Photoemission study on interfacial reaction of Ti/n-type GaN2005
- 著者名/発表者名
  T.Naono, J.Okabayashi, S.Toyoda, H.Fujioka, M.Oshima, H.Hamamatsu
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 244
  
  ページ: 277-277
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] Room-temperature epitaxial growth of GaN on lattice-matched ZrB_2 substrates by pulsed-laser deposition2005
- 著者名/発表者名
  Y.Kawaguchi, J.Ohta, A.Kobayashi, H.Fujioka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 87
  
  ページ: 221907-221907
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] Photoemission study on interfacial reaction of Ti/n-type GaN2005
- 著者名/発表者名
  T.Naono, J.Okabayashi, S.Toyoda, H.Fujioka, M.Oshima, H.Hamamatsu
- 雑誌名
  
  Applied Scurface Science 244
  
  ページ: 277-277
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] GaN heteroepitaxial growth on LiNbO3(0001) step substrates with AlN buffer layers2005
- 著者名/発表者名
  Y.Tsuchiya, A.Kobayashi, J.Ohta, H.Fujioka, M.Oshima
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a) 202
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] GaN Heteroepitaxial Growth on LiTaO3(0001) Step Substrates by Pulsed Laser Deposition2005
- 著者名/発表者名
  Y.Tsuchiya, A.Kobayashi, J.Ohta, H.Fujioka, M.Oshima
- 雑誌名
  
  Jap.J.of Appl.Phys. 44
- NAID
  130004533880
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] Characteristics of single-crystal AlN films grown on ferromagnetic metal substrates2005
- 著者名/発表者名
  K.Okamoto, S.Inoue, N.Matsuki, T.-W.Kim, H.Fujioka, M.Oshima
- 雑誌名
  
  physica status solidi (a) 202
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] Epitaxial growth of InN on nearly lattice-matched (Mn,Zn)Fe2O42005
- 著者名/発表者名
  J.Ohta, K.Mitamura, A.Kobayashi, T.Honke, H.Fujioka, M.Oshima
- 雑誌名
  
  Solid State Communications 137
  
  ページ: 208-208
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] Synchrotron-radiation deep level transient spectroscopy for defect characterization of semiconductors2004
- 著者名/発表者名
  H.Fujioka, T.Sekiya, Y.Kuzuoka, M.Oshima, H.Usuda, N.Hirashita, M.Niwa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 85
  
  ページ: 413-413
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] InN epitaxial growths on Yttria stabilized Zirconia (111) step substrates2004
- 著者名/発表者名
  T.Honke, H.Fujioka, J.Ohta, M.Oshima
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science and Technology A 22
  
  ページ: 2487-2487
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] Experimental and theoretical investigation on structural properties of InN grown on sapphire2004
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, A.Ishii, J.Ohta, H.Fujioka, M.Oshima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 464/465
  
  ページ: 112-112
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] A pulsed laser ablaion/plasma chemical vapor deposition tandem system for combinatorial device fabrication2004
- 著者名/発表者名
  N.Matsuki, Y.Abiko, M.Kobayashi, H.Fujioka, H.Koinuma
- 雑誌名
  
  Applied Physics 79
  
  ページ: 1413-1413
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] Epitaxial Growth of InN on c-Plane Sapphire by PLD with RF Nitrogen Radical Source2004
- 著者名/発表者名
  J.Ohta, T.Honke, H.Fujioka, M.Oshima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 457
  
  ページ: 109-109
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] A pulsed laser ablation / plasma chemical vapor deposition tandem system for combinatorial device fabrication2004
- 著者名/発表者名
  N.Matsuki, Y.Abiko, M.Kobayashi, H.Fujioka, H.Koinuma
- 雑誌名
  
  Applied Physics 79
  
  ページ: 1413-1413
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] Synchrotron-radiation deep level transient spectroscopy for defect characterization of semiconductors2004
- 著者名/発表者名
  H.Fujioka et al.
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 85
  
  ページ: 413-413
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] Structural characterizationof group III nitrides grown by PLD2004
- 著者名/発表者名
  H.Takahashi, J.Ohta, H.Fujioka, M.Oshima, M.Kimura
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 457
  
  ページ: 114-114
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] Synchrotron-radiation deep level transient spectroscopy for defect characterization of semiconductors2004
- 著者名/発表者名
  H.Fujioka, T.Sekiya, Y.Kuzuoka, M.Oshima, H.Usuda, N.Hirashima
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 85
  
  ページ: 413-413
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[雑誌論文] Experimental and theoretical investigation on structural properties of InN grown on sapphire2004
- 著者名/発表者名
  K.Fujiwara, A.Ishii, J.Ohta, H.Fujioka, M.Ohsima
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 464/465
  
  ページ: 112-112
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[産業財産権] GaN膜生成方法及び半導体素子2005
- 発明者名
  藤岡洋, 小林篤
- 権利者名
  神奈川科学技術アカデミー, 東京大学
- 産業財産権番号
  2005-024034
- 出願年月日
  2005-01-31
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16205022
[学会発表] トンネル接合を用いたモノリシック多色 LED の作製と評価2021
- 著者名/発表者名
  森川創一朗、上野耕平、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Epitaxial growth of NbN superconductors on AlN by sputtering2021
- 著者名/発表者名
  Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, and Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] 縦型p型GaN SBD構造を用いたショットキー障壁高さの評価2021
- 著者名/発表者名
  青山航平、上野耕平、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Control of point defects in nitride semiconductors2021
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka, Kohei Ueno, and Atushi Kobayashi
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] コヒーレントAlN/AlGaNヘテロ構造の作製とトランジスタ応用2021
- 著者名/発表者名
  前田亮太、上野耕平、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] 非平衡状態を利用した窒化物結晶の合成と応用2021
- 著者名/発表者名
  藤岡洋、上野耕平、小林篤
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] PSD法を用いたマイクロLEDディスプレイ実現に向けた取り組み2021
- 著者名/発表者名
  藤岡洋、上野耕平、小林篤
- 学会等名
  日本金属学会 2021年春期第168回講演大会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Superconducting NbN/AlN Nanostructures Prepared by Sputtering2021
- 著者名/発表者名
  Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Sciense
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] 表面処理を施したAlN上に成長させたNbNの結晶方位解析2021
- 著者名/発表者名
  紀平俊矢、小林篤、上野耕平、藤岡洋
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] AlN原子ステップを利用したNbNナノ構造の自己組織化2021
- 著者名/発表者名
  小林篤、上野耕平、藤岡洋
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] 縦型p型GaNSBDを用いたショットキー障壁高さの評価2020
- 著者名/発表者名
  柴原啓太、上野耕平、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] 低濃度p型GaN縦型ショットキーバリアダイオード構造の作製と評価2020
- 著者名/発表者名
  上野耕平、柴原啓太、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] スパッタ法による窒化物半導体への不純物添加制御とデバイス応用2020
- 著者名/発表者名
  上野耕平, 小林篤, 藤岡洋
- 学会等名
  第49回結晶成長国内会議（JCCG-49)
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] トンネル接合を用いた低濃度p型GaN縦型SBD構造の作製2020
- 著者名/発表者名
  柴原啓太、上野耕平、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] AlGaN系透明結晶の欠陥と電気特性の制御2020
- 著者名/発表者名
  藤岡洋、上野耕平、小林篤
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] スパッタ法によるAIN上へのNbN極薄膜エピタキシャル成長2020
- 著者名/発表者名
  小林篤、上野耕平、藤岡洋
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] マイクロLEDディスプレイ実現に向けた取り組み2020
- 著者名/発表者名
  藤岡洋
- 学会等名
  日本金属学会2020年春期第166回講演大会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] パルススパッタ堆積法によるAlN/AlGaNヘテロ構造の作製と評価2020
- 著者名/発表者名
  前田亮太、上野耕平、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] AlN上にコヒーレント成長したNbN極薄膜の超電導特性2020
- 著者名/発表者名
  小林篤、上野耕平、藤岡洋
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Growth of ultrathin InN films on Al-polar AlN and its application to field-effect transistors2020
- 著者名/発表者名
  ジョン・ダヨン、小林篤、上野耕平、藤岡洋
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Field-effect transistors of ultrathin InN grown on AlN2020
- 著者名/発表者名
  Dayeon Jeong, Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] スパッタ法によるGaNへの不純物添加と素子応用2020
- 著者名/発表者名
  上野耕平、森川創一朗、柴原啓太、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] GaNの酸化膜形成2段階ウェットエッチング法における酸化膜の電気的評価2019
- 著者名/発表者名
  清藤泰旦、牧繪哲男、藤岡洋、前田就彦
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] 非平衡性制御による結晶成長の可能性2019
- 著者名/発表者名
  藤岡洋、上野耕平、小林篤
- 学会等名
  日本結晶成長学会第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Sputtering of III-Nitrides and Device Performance of Sputtered Material2019
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 13)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Basic properties of GaN grown by pulsed sputtering2019
- 著者名/発表者名
  Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  SPIE. Photonics West OPTO 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Preparation of High-Quality Nitride films and Devices with Pulsed Sputtering2019
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  2nd International Conference on Radiation and Emission in Materials (ICREM-2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] 高濃度SiドープGaNの深さ方向結晶性の赤外およびラマン分光評価2019
- 著者名/発表者名
  湯明川, 馬ベイ, 森田健, 上野耕平, 小林篤, 藤岡洋, 石谷善博
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] スパッタ法により形成したサファイア上SiドープAlNの電気特性2019
- 著者名/発表者名
  櫻井悠也, 上野耕平, 小林篤, 上杉謙次郎, 三宅秀人, 藤岡洋
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Basic characteristics of ultrathin InN layers prepared by sputtering on various AlN templates2019
- 著者名/発表者名
  Dayeon Jeong, Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] AlN系バッファー層上に成長した多結晶InNの特性2019
- 著者名/発表者名
  坂本真澄, 小林篤, 上野耕平, 藤岡洋
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Basic characteristics of ultra-thin InN grown on AlN2019
- 著者名/発表者名
  Dayeon Jeong, Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] GaNの薄膜低温結晶成長技術とデバイス応用2019
- 著者名/発表者名
  藤岡洋
- 学会等名
  応用物理学会　薄膜・表面物理分科会　第47回　薄膜・表面物理セミナー
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Ⅳ族結晶配向層を用いたガラス基板上への窒化物半導体成長2019
- 著者名/発表者名
  小林篤、中野はるか、上野耕平、藤岡洋
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] スパッタリングによるフレキシブルマイクロLEDディスプレイの可能性2019
- 著者名/発表者名
  藤岡洋
- 学会等名
  OPIE2019　マイクロLEDセミナー
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] スパッタリング法によるGaN p-n+接合タイオードの作製2019
- 著者名/発表者名
  柴原啓太、上野耕平、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Sputtering epitaxial growth of nitrides and its application to optical and electron devices2019
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  SPIE. Photonics West OPTO 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] 高濃度Si添加半極性面GaN(2021)薄膜の作製と評価2019
- 著者名/発表者名
  森川創一朗、上野耕平、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] ガラス基板上に形成した窒化物結晶成長用配向制御層の評価2019
- 著者名/発表者名
  中野はるか、小林篤、上野耕平、藤岡洋
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] 窒化物成長用結晶配向層としてのグラフェンおよびGeの評価2019
- 著者名/発表者名
  中野はるか、小林篤、上野耕平、藤岡洋
- 学会等名
  日本結晶成長学会第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] スパッタエピによる半極性面緑色 InGaN LED上へのトンネル接合コンタクトの形成2019
- 著者名/発表者名
  上野耕平、森川創一朗、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  日本結晶成長学会第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Preparation of nitride materials for micro LED displays2019
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  8th International Symposium on Optical Materials (IS-OM 8)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] スパッタリング法により形成したGaNトンネル接合コンタクトの評価2019
- 著者名/発表者名
  筆谷大河, 上野耕平, 小林篤, 藤岡洋
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Characteristics of GaN Tunnel Junction Contacts for LEDs Prepared by Pulsed Sputtering2019
- 著者名/発表者名
  Taiga Fudetani, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, and Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] 非平衡条件下での窒化物成長とその素子応用2019
- 著者名/発表者名
  藤岡洋
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノエピ分科会第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Structural and Electrical Properties of AlN Films Prepared on Sapphire Substrates with Sputtering Technique2019
- 著者名/発表者名
  Yuya Sakurai, Kohei Ueno, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake, and Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Preparation of III-Nitrides with Sputtering for Micro LED Applications2019
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  20th International Workshop on The Physics of Semiconductor Devices (IWPSD2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Characteristics of ultra-thin InN films grown on AlN2019
- 著者名/発表者名
  Dayeon Jeong, Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] トンネル接合コンタクトを用いた半極性面（20-21）緑色LEDの作製2019
- 著者名/発表者名
  上野耕平、森川創一朗、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] スパッタリング法により形成したp型GaN薄膜の深い準位の評価2019
- 著者名/発表者名
  柴原啓太, 上野耕平, 小林篤, 藤岡洋
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] パルススパッタ堆積法により作製した AlN 及び AlGaN の特性評価2018
- 著者名/発表者名
  櫻井悠也、上野耕平、小林篤、三宅秀人、藤岡洋
- 学会等名
  日本結晶成長学会　第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] PSD法により形成した高濃度n型ドープGaN薄膜の特性評価2018
- 著者名/発表者名
  上野耕平、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Characteristics of highly conductive p-type GaN films prepared by pulsed sputtering2018
- 著者名/発表者名
  Taiga Fudetani, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, and Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] バッファー層挿入によるガラス基板上多結晶 InN の電気特性の改善2018
- 著者名/発表者名
  坂本真澄、小林篤、上野耕平、藤岡洋
- 学会等名
  日本結晶成長学会　第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] パルススパッタ堆積法による高電子移動度n型GaN薄膜の成長と評価2018
- 著者名/発表者名
  上野耕平、柴原啓太、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Nitride Based Devices Prepared on Large Area Substrates2018
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  Electrical Engineering Seminar
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] GaNの酸化膜形成2段階ウェットエッチング法の提案2018
- 著者名/発表者名
  清藤泰旦、牧繪哲男、藤岡洋、前田就彦
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] フレキシブルマイクロLEDの可能性2018
- 著者名/発表者名
  藤岡洋
- 学会等名
  日本表面真空学会機能薄膜部会ナノ構造機能創成専門部会第9回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Feasibility of Future GaN Large Area Light Emitting Devices2018
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka, Kohei Ueno, and Atsushi Kobayashi
- 学会等名
  14th International Conference on Modern Materials and Technologies (CIMTEC 2018) -8th Forum on New Materials-
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] PSD 法を用いた高濃度 p 型ドープ GaN 薄膜の物性評価2018
- 著者名/発表者名
  筆谷大河、上野耕平、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  日本結晶成長学会　第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] PSD 成長した Mg ドープ GaN 薄膜の特性2018
- 著者名/発表者名
  筆谷大河、上野耕平、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Room-temperature preparation of InGaN for thin-film transistors2018
- 著者名/発表者名
  Kyohei Nakamura, Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Jitsuo Ohta, Yuki Tokumoto, and Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  SPIE. Photonics West OPTO 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] ペロブスカイト型遷移金属酸化物ヘテロ界面における電荷移動のメカニズム2018
- 著者名/発表者名
  北村未歩、小林正起、簔原誠人、坂井延寿、藤岡洋、堀場弘司、組頭広志
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Tunneling contacts for LEDs with heavily Si doped GaN prepared by pulsed sputtering2018
- 著者名/発表者名
  Taiga Fudetani, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, and Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] イントロダクトリートーク：窒化物半導体特異構造の科学2018
- 著者名/発表者名
  藤岡　洋
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-ORGANIZER-16H06413
[学会発表] AlGaN/GaNヘテロ構造上Ti/Al/Ti/Auオーミック電極の高温接触抵抗評価2018
- 著者名/発表者名
  牧繪哲男、渡辺雄太朗、藤岡洋、前田就彦
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] 欠陥擬フェルミレベル制御による低補償窒化物成長の可能性2018
- 著者名/発表者名
  藤岡洋、上野耕平、小林篤
- 学会等名
  日本結晶成長学会第47回結晶成長国内会議（JCCG-47）
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Feasibility of Nitride Micro-LEDs Prepared by Sputtering2018
- 著者名/発表者名
  H. Fujioka, K. Ueno, and A. Kobayashi
- 学会等名
  THE 25TH INTERNATIONAL DISPLAY WORKSHOPS (IDW ’18)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] 窒化物半導体特異構造の科学　～窒化物プロセス技術の新展開～ AlGaN系窒化物スパッタエピプロセスの開発2018
- 著者名/発表者名
  藤岡洋、櫻井悠也、上野耕平、小林篤
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Improvement of electron mobility of polycrystalline InN on glass substrates by AlN buffer layers2018
- 著者名/発表者名
  Masumi Sakamoto, Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, and Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Sputtering Epitaxial Growth of Nitride Materials for UV Applications2018
- 著者名/発表者名
  H. Fujioka, T. Fudetani, K. Ueno, and A. Kobayashi
- 学会等名
  International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD-2018)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] PSD法による高電子移動度n型GaN薄膜成長2018
- 著者名/発表者名
  上野耕平、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  日本結晶成長学会第47回結晶成長国内会議（JCCG-47）
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] PSD法による高濃度n型ドープ窒化物半導体結晶成長2018
- 著者名/発表者名
  上野耕平、筆谷大河、櫻井悠也、荒川靖章、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  日本学術振興会　ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第１６２委員会第110回研究会・特別公開シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] YSZ基板上InGaNおよびInAlN薄膜の成長とMISFET応用2018
- 著者名/発表者名
  中村享平、小林篤、上野耕平、藤岡洋
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Preparation of GaN for micro-LED displays2018
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  International Conference on Radiation and Emission in Materials (ICREM-2018)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Materials Science and Advanced Electronics Created in Singularity Project2018
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  The 6th Japan-China Symposium on Crystal Growth and Crystal Technology
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] ガラス基板上に成長させたc軸配向InN薄膜の電気特性2018
- 著者名/発表者名
  坂本真澄、小林篤、上野耕平、藤岡洋
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Proposal of GaN oxide-formed two-step wet etching process2018
- 著者名/発表者名
  Yasuharu Kiyoto, Tetsuo Makie, Hiroshi Fujioka, and Narihiko Maeda
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] パルススパッタ堆積法によるGaN pn接合ダイオードの作製2018
- 著者名/発表者名
  今別府秀行、上野耕平、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Characteristics of n-type GaN prepared by PSD2018
- 著者名/発表者名
  Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Jitsuo Ohta, and Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  SPIE. Photonics West OPTO 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] InN transistors prepared on glass substrates with AlN buffer layers2018
- 著者名/発表者名
  Masumi Sakamoto, Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, and Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Sputtering Epitaxial Growth of III Nitrides and Its Device Applications2018
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week (CSW 2018)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Feasibility of Low Cost Micro LEDs Prepared by Pulsed Sputtering2018
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka, Kohei Ueno, and Atsushi Kobayashi
- 学会等名
  The 18th International Meeting on Information Display (iMiD 2018)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] パルススパッタ堆積法による高Al組成AlGaN薄膜成長2018
- 著者名/発表者名
  櫻井悠也、上野耕平、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] PSD成長した高濃度不純物添加GaNのトンネル接合への応用2018
- 著者名/発表者名
  筆谷大河、上野耕平、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] 高移動度薄膜トランジスタ作製に向けた非晶質基板上へのInN結晶成長2018
- 著者名/発表者名
  小林篤、坂本真澄、中村享平、ライ・ケーシン、伊藤剛輝、上野耕平、藤岡洋
- 学会等名
  日本学術振興会　ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第１６２委員会第110回研究会・特別公開シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Structural and Electrical Properties of AlN and AlGaN Prepared by Pulsed Sputtering2018
- 著者名/発表者名
  Yuya Sakurai, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hideto Miyake, and Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] PSD法により形成したGaN薄膜の深い準位の評価2018
- 著者名/発表者名
  柴原啓太、上野耕平、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] 合成石英ガラス上に成長したInNの配向制御2018
- 著者名/発表者名
  坂本真澄、小林篤、上野耕平、藤岡洋
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] High electron mobility n-type GaN grown by pulsed sputtering and its application to electron devices2018
- 著者名/発表者名
  Kohei Ueno, Hideyuki Imabeppu, Atsushi Kobayashi, and Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] 金属フォイル上フレキシブルμLEDディスプレーの可能性2018
- 著者名/発表者名
  藤岡洋
- 学会等名
  高分子学会フォトニクスポリマー研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] GaN devices prepared on large area substrates2018
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka, Kohei Ueno, and Atsushi Kobayashi
- 学会等名
  EMN Angkor Meeting 2018
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Integration of III Nitrides with Foreign Substrates by Pulsed Sputtering2017
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, and Jitsuo Ohta
- 学会等名
  9th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] PSD法によるn型GaNショットキーダイオードの物性評価2017
- 著者名/発表者名
  今別府秀行、上野耕平、小林篤、太田実雄、藤岡洋
- 学会等名
  日本結晶成長学会　第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Basic characteristics of GaN prepared by pulsed sputtering deposition2017
- 著者名/発表者名
  Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Jitsuo Ohta, Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  SPIE Photonics West OPTO 2017
- 発表場所
  The Moscone Center, San Francisco, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] 不純物添加GaNの位置選択エピ成長技術の開発2017
- 著者名/発表者名
  上野耕平、今別府秀行、小林篤、太田実雄、藤岡洋
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] 非晶質基板上への結晶性グラフェン膜の直接形成とGaN薄膜成長用バッファ層への応用2017
- 著者名/発表者名
  小林広師、太田実雄、上野耕平、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  日本結晶成長学会　第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] PSD法による高濃度n型ドープGaNの開発と応用2017
- 著者名/発表者名
  上野耕平、荒川靖章、筆谷大河、小林篤、太田実雄、藤岡洋
- 学会等名
  第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] 室温成長 InGaN をチャネル層とした薄膜トランジスタの作製2017
- 著者名/発表者名
  中村享平、小林篤、伊藤剛輝、ライ・ケーシン、森田眞理、上野耕平、太田実雄、徳本有紀、藤岡洋
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜、神奈川
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] PSD法によるn型GaNショットキーダイオードの作製2017
- 著者名/発表者名
  今別府秀行、上野耕平、小林篤、太田実雄、藤岡洋
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Characteristics of GaN films prepared by pulsed sputtering2017
- 著者名/発表者名
  H. Fujioka, K. Ueno, A. Kobayashi, and J. Ohta
- 学会等名
  The 8th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] 低温パルススパッタ法を用いた窒化物系新規ヘテロ構造の作製2017
- 著者名/発表者名
  太田実雄、小林篤、上野耕平、藤岡洋
- 学会等名
  日本結晶成長学会　第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] 転写フリーグラフェンバッファ層を用いた非晶質基板上へのGaN薄膜成長2017
- 著者名/発表者名
  小林広師、太田実雄、上野耕平、小林篤、藤岡洋
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Development of Si-doping techniqeu for AlN by pulsed sputtering2017
- 著者名/発表者名
  Y. Sakurai, K. Ueno, A. Kobayashi, J. Ohta, and H. Fujioka
- 学会等名
  The International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] パルススパッタ堆積法によるSiドープAlN薄膜成長2017
- 著者名/発表者名
  櫻井悠也、上野耕平、小林篤、太田実雄、藤岡洋
- 学会等名
  第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Highly conductive n-type GaN with high electron mobility prepared by pulsed sputtering2017
- 著者名/発表者名
  Kohei Ueno, Yasuaki Arakawa, Atsushi Kobayashi, Jitsuo Ohta, and Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 12)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] PSD法による高濃度高移動度n型GaNの開発2017
- 著者名/発表者名
  上野耕平、荒川靖章、小林篤、太田実雄、藤岡洋
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜、神奈川
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] YSZ基板上へのInN系窒化物半導体の結晶成長2017
- 著者名/発表者名
  小林篤、中村享平、上野耕平、太田実雄、藤岡洋
- 学会等名
  第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] ガラス基板上に室温成長させたInGaNの特性と薄膜トランジスタ応用2017
- 著者名/発表者名
  中村享平、小林篤、上野耕平、太田実雄、徳本有紀、藤岡洋
- 学会等名
  日本結晶成長学会　第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] チャネル層にInAlNを用いた薄膜トランジスタの作製2017
- 著者名/発表者名
  中村享平、小林篤、上野耕平、太田実雄、徳本有紀、藤岡洋
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Fabrication of GaN-based LEDs by pulsed sputtering2017
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  The Energy and Materials Research Conference (EMR 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] PSD growth of nitride materials on bulk GaN2017
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, and Jitsuo Ohta
- 学会等名
  10th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-X)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Recent progress on growth of GaN by pulsed sputtering2017
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices (WOCSEMMAD 2017)
- 発表場所
  Safety Harbor, USA
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] イントロダクトリートーク：窒化物半導体特異構造の科学2017
- 著者名/発表者名
  藤岡　洋
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-ORGANIZER-16H06413
[学会発表] Recent Progress in PVD Preparation of GaN2017
- 著者名/発表者名
  H. Fujioka, K. Ueno, and A. Kobayashi
- 学会等名
  The XIX International Workshop on The Physics of Semiconductor Devices (IWPSD 2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] 非平衡状態の時間ドメイン制御による特異構造の創製2016
- 著者名/発表者名
  藤岡洋、上野耕平、小林篤、太田実雄
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ、新潟市
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-ORGANIZER-16H06413
[学会発表] ハフニウム上に作製したGaN薄膜の特性評価2016
- 著者名/発表者名
  金惠蓮、太田実雄、小林篤、上野耕平、藤岡洋
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ、新潟
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] PSD法によるGaNへのn型ドーピング技術の開発2016
- 著者名/発表者名
  上野耕平、荒川靖章、今別府秀行、小林篤、太田実雄、藤岡洋
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ、新潟
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] Challenge of GaN Substrates for Power Devices2016
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  Workshop on Ultra-Precision Processing for Wide Bandgap Semiconductors (WUPP-2016)
- 発表場所
  Fleurlis Hotel, Taiwan
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] 非平衡状態の時間ドメイン制御による特異構造の創製2016
- 著者名/発表者名
  藤岡洋、上野耕平、小林篤、太田実雄
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ, 新潟
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] High Hole Mobility p-Type GaN with Extremely Low Residual Hydrogen Concentration Prepared by Pulsed Sputtering2016
- 著者名/発表者名
  Kohei Ueno, Yasuaki Arakawa, Atsushi Kobayashi, Jitsuo Ohta, and Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016)
- 発表場所
  Hilton Orland Lake Buena Vista, Florida, USA
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06414
[学会発表] N 極性InGaN/GaN 量子井戸構造の作製および評価2013
- 著者名/発表者名
  岸川英司，上野耕平，井上　茂，太田実雄，藤岡　洋
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] 安定化ジルコニア基板上へのN 極性InN 薄膜の成長2013
- 著者名/発表者名
  大関正彬，大久保佳奈，小林　篤，太田実雄，尾嶋正治，藤岡　洋
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] 窒化物LED 低温製造プロセスの開発2013
- 著者名/発表者名
  中村英司，上野耕平，井上　茂，太田実雄，藤岡　洋，尾嶋正治
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] 絶縁膜/ 極薄InN/YSZ 構造の作製と評価2013
- 著者名/発表者名
  大久保佳奈，小林　篤，太田実雄，尾嶋正治，藤岡　洋
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] Si(110) 基板上へのGaN 薄膜成長と中間層の効果2013
- 著者名/発表者名
  近藤尭之，上野耕平，太田実雄，藤岡　洋
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] 窒化物発光素子製造プロセスの低温化2013
- 著者名/発表者名
  中村英司，上野耕平，太田実雄，藤岡洋，尾嶋正治
- 学会等名
  第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
- 発表場所
  長野市生涯学習センター
- 年月日
  2013-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] PSD 法によるパターンサファイア基板上GaN 薄膜成長2013
- 著者名/発表者名
  上野耕平，井上　茂，太田実雄，藤岡　洋，尾嶋正治
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] PSD 法によるC ドープGaN 薄膜の成長2013
- 著者名/発表者名
  渡辺拓人，丹所昂平，井上　茂，太田実雄，藤岡　洋
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] ポリマーを出発材料に用いたグラファイトシート上への窒化物薄膜結晶成長と発光素子への応用2013
- 著者名/発表者名
  太田実雄，金子俊郎，平崎哲郎，植　仁志，児玉昌也，藤岡　洋
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] Characteristics of GaN devices prepared by pulsed sputtering2013
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)
- 発表場所
  Nagoya, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] GaN growth on graphene by pulsed sputtering deposition2013
- 著者名/発表者名
  Jeongwoo Shon，太田実雄，上野耕平，藤岡　洋
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] 非晶質基板上へ成長したInN の特性評価2013
- 著者名/発表者名
  伊藤剛輝，小林　篤，太田実雄，藤岡　洋，尾嶋正治
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] ZnO基板上へコヒーレント成長させた窒化物半導体薄膜の特性2012
- 著者名/発表者名
  小林篤，梶間智文，玉木啓晶，太田実雄，尾嶋正治，藤岡洋
- 学会等名
  第42回結晶成長国内会議
- 発表場所
  九州大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] 高速エピタキシャル成長させたInN薄膜の特性評価2012
- 著者名/発表者名
  大関正彬、大久保佳奈、小林篤、太田実雄、尾嶋正治、藤岡洋
- 学会等名
  秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] InGaN prepared by pulsed sputtering and its application to solar cells2012
- 著者名/発表者名
  K. Morita, M. Katoh, J. Ohta, S. Inoue, H.Fujioka
- 学会等名
  4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4)
- 発表場所
  St. Petersburg, Russia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] YSZ(111)基板上に作製したInN薄膜の特性2012
- 著者名/発表者名
  大久保佳奈，大関正彬，小林　篤，太田実雄，尾嶋正治，藤岡　洋
- 学会等名
  秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] Improvement in crystalline quality of GaN prepared by pulsed sputtering by the use of SiNx islands2012
- 著者名/発表者名
  T. Kondo, J. Ohta, S. Inoue, A. Kobayashi, and H. Fujioka
- 学会等名
  4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4)
- 発表場所
  St. Petersburg, Russia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] Feasibility of large area nitride devices prepared by pulsed sputtering2012
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012　（IWN2012）
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] YSZ基板を用いたc面InN薄膜の高品質化2012
- 著者名/発表者名
  大久保佳奈，大関正彬，小林篤，太田実雄，尾嶋正治，藤岡洋
- 学会等名
  第42回結晶成長国内会議
- 発表場所
  九州大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] Characteristics of InN and Related Materials with Various Surface Orientations2012
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka, Kana Ohkubo, Masaaki Ooseki, Atsushi Kobayashi and Masaharu Oshima
- 学会等名
  2012 Electronic Materials Conference (EMC2012)
- 発表場所
  Pennsylvania, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] Crystal Growth of Nitride Semiconductors on Large Substrates2012
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  CCCG-16
- 発表場所
  Hefei, China
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] YSZ基板上への酸窒化インジウム混晶薄膜の作製2012
- 著者名/発表者名
  小林篤、伊藤剛輝、太田実雄、尾嶋正治、藤岡洋
- 学会等名
  秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] Comprehensive study of polarity flip mechanism at　thermally-oxidized AlN layers2012
- 著者名/発表者名
  Eiji Kishikawa, Kohei Ueno, Shigeru Inoue, Jitsuo Ohta, Masaharu Oshima, and Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012　（IWN2012）
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] Low-temperature growth of semipolar InAlN on YSZ substrates2012
- 著者名/発表者名
  M. Oseki, A. Kobayashi, J. Ohta, H. Fujioka, and M. Oshima
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012　（IWN2012）
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] Future prospect of large area nitride devices prepared by pulsed sputtering deposition2012
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4)
- 発表場所
  St. Petersburg, Russia
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] Nitride Devices Fabricated with Pulsed Sputtering Depositon2012
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Sendai, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] Feasibility of Large Area Nitride Semiconductor Devices2012
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  The 1st International Symposium on Single Crystals and Wafers for LEDs
- 発表場所
  Wonju, Korea
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] Feasibility of III-Nitride LEDs prepared on large area substrates2012
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  2012 International Symposium on Crystal Growth
- 発表場所
  Seoul, Korea
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] Epitaxial growth of semipolar InAlN with high In concentrations on yttria-stabilized zirconia substrates2012
- 著者名/発表者名
  M. Oseki, A. Kobayashi, J. Ohta, H. Fujioka, and M. Oshima
- 学会等名
  4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4)
- 発表場所
  St. Petersburg, Russia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] Polarity inversion mechanism at oxidized AlN layers2012
- 著者名/発表者名
  E. Kishikawa, K. Ueno, S. Inoue, J. Ohta, H. Fujioka, and M. Oshima
- 学会等名
  4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4)
- 発表場所
  St. Petersburg, Russia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] Si(110)基板上GaN薄膜の極性制御2012
- 著者名/発表者名
  近藤尭之、太田実雄、井上茂、藤岡洋
- 学会等名
  秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] Optical and structural characteristics of nonpolar InGaN and InAlN films grown on ZnO substrates2012
- 著者名/発表者名
  Atsushi Kobayashi, Hiroaki Tamaki, JitsuoOhta, Masaharu Oshima, and Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012　（IWN2012）
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] Pulsed sputtering deposition of high-quality AlN on　thermally-nitrided sapphire substrates2012
- 著者名/発表者名
  Kohei Ueno, Eiji Kishikawa, Shigeru Inoue, Jitsuo Ohta, Hiroshi Fujioka, Masaharu Oshima, and Hiroyuki Fukuyama
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012　（IWN2012）
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] パルススパッタ法によるSi(110)基板上へのGaN薄膜成長と構造特性評価2012
- 著者名/発表者名
  近藤尭之，井上茂，太田実雄，藤岡洋
- 学会等名
  第42回結晶成長国内会議
- 発表場所
  九州大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] パルススパッタ堆積法によるサファイア基板上GaN(000-1)薄膜の高品質化2012
- 著者名/発表者名
  上野耕平，中村英司，岸川英司，井上茂，太田実雄，藤岡洋，尾嶋正治
- 学会等名
  第42回結晶成長国内会議
- 発表場所
  九州大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] Characterization of ultrathin InN films grown on YSZ substrates2012
- 著者名/発表者名
  K. Okubo, A. Kobayashi, J. Ohta, M. Oshima, and H. Fujioka
- 学会等名
  4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4)
- 発表場所
  St. Petersburg, Russia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] マイカ基板を用いたIII族窒化物LEDの作製2011
- 著者名/発表者名
  野村周平, 田村和也, 太田実雄, 井上茂, 藤岡洋
- 学会等名
  春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  (予稿集DVD(震災のため学会が中止となった。既に予稿集DVDが発行済みであったため、学会事務局の判断で発表の扱いとなった。))
- 年月日
  2011-03-24
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] 窒化サファイア基板上に成長したAlN薄膜の微細構造観察2011
- 著者名/発表者名
  上野耕平, 太田実雄, 藤岡洋, 福山博之
- 学会等名
  春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  (予稿集DVD(震災のため学会が中止となった。既に予稿集DVDが発行済みであったため、学会事務局の判断で発表の扱いとなった。))
- 年月日
  2011-03-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] グラファイトシート上GaN青色LEDの作製2011
- 著者名/発表者名
  金子俊郎, 太田実雄, 井上茂, 藤岡洋
- 学会等名
  春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  (予稿集DVD(震災のため学会が中止となった。既に予稿集DVDが発行済みであったため、学会事務局の判断で発表の扱いとなった。))
- 年月日
  2011-03-24
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Al2O3/InN界面の電子状態評価2011
- 著者名/発表者名
  大久保佳奈, 小林篤, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治
- 学会等名
  春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  (予稿集DVD(震災のため学会が中止となった。既に予稿集DVDが発行済みであったため、学会事務局の判断で発表の扱いとなった。))
- 年月日
  2011-03-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] ZnO基板上への全組成域m面InAlN薄膜のエピタキシャル成長2011
- 著者名/発表者名
  梶間智文, 上野耕平, 小林篤, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治
- 学会等名
  春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  (予稿集DVD(震災のため学会が中止となった。既に予稿集DVDが発行済みであったため、学会事務局の判断で発表の扱いとなった。))
- 年月日
  2011-03-27
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] 無極性面・半極性面ZnO基板上InGaNの偏光スイッチング2011
- 著者名/発表者名
  玉木啓晶, 小林篤, 太田実雄, 尾嶋正治, 藤岡洋
- 学会等名
  春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  (予稿集DVD(震災のため学会が中止となった。既に予稿集DVDが発行済みであったため、学会事務局の判断で発表の扱いとなった。))
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] PSD法により成長したGaN薄膜の電気特性2011
- 著者名/発表者名
  丹所昂平, 井上茂, 太田実雄, 藤岡洋
- 学会等名
  春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  (予稿集DVD(震災のため学会が中止となった。既に予稿集DVDが発行済みであったため、学会事務局の判断で発表の扱いとなった。))
- 年月日
  2011-03-27
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] 原子散乱表面分光法による半極性面AlN/ZnOの極性判定2011
- 著者名/発表者名
  小林篤, 上野耕平, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治, 中西繁光, 東堤秀明
- 学会等名
  春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  (予稿集DVD(震災のため学会が中止となった。既に予稿集DVDが発行済みであったため、学会事務局の判断で発表の扱いとなった。))
- 年月日
  2011-03-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] 高In濃度InGaNを用いた太陽電池の試作2010
- 著者名/発表者名
  井上茂, 太田実雄, 加藤雅樹, 田村和也, 藤岡洋
- 学会等名
  秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学文教キャンパス
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Development of Future large area Group III nitride devices2010
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  2010 International Symposium on Crystal Growth
- 発表場所
  seoul, Korea
- 年月日
  2010-11-08
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Smart Sheet Technology for Optical and PV Devices2010
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  The 2010 USTO Photovoltaics Energy Workshop
- 発表場所
  Algiers, Algeria
- 年月日
  2010-05-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] ZnO基板上半極性面AlGaN薄膜の偏光特性評価2010
- 著者名/発表者名
  上野耕平, 小林篤, 太田実雄, 藤岡洋
- 学会等名
  秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学文教キャンパス
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] 窒化物半導体太陽電池の将来2010
- 著者名/発表者名
  藤岡洋
- 学会等名
  GaN系プラネットコンシャスデバイス・材料の現状
- 発表場所
  東北大学多元物質科学研究所
- 年月日
  2010-11-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Growth Orientation Control of InN by Pulsed Excitation Deposition2010
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka, Tomoaki Fujii, Atsushi Kobayashi, Jitsuo Ohta, Masaharu Oshima
- 学会等名
  ELECTRONIC MATERIALS CONFERENCE
- 発表場所
  South Bend, U.S.A
- 年月日
  2010-06-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] PSD法による高品質窒化物成長の検討2010
- 著者名/発表者名
  藤岡洋
- 学会等名
  第3回窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用
- 発表場所
  東北大学金属材料研究所
- 年月日
  2010-10-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Future large area nitride devices fabricated with low temperature PXD process2010
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride semiconductors 2010(Invited)
- 発表場所
  U.S.A
- 年月日
  2010-09-21
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Growth Orientation Control of InN by Pulsed Excitation Deposition2010
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  Electronic Materials Conference(Invited)
- 発表場所
  U.S.A
- 年月日
  2010-06-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] サハラソーラーブリーダー計画2010
- 著者名/発表者名
  藤岡洋
- 学会等名
  JST-SNTTワークショップ「開発途上国の持続可能な資源開発」
- 発表場所
  JSTホール(東京)
- 年月日
  2010-10-06
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Feasibility study on Future large area nitride devices2010
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  The European Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits
- 発表場所
  Darmstadt/Seeheim, Germany
- 年月日
  2010-05-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] 放射光光電子分光による極性面・無極性面GaN/ZnOヘテロ界面の解析2010
- 著者名/発表者名
  劉江偉, 小林篤, 豊田智史, 菊池亮, 太田実雄, 藤岡洋, 組頭広志, 尾嶋正治
- 学会等名
  秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学文教キャンパス
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] ZnO基板上への高In組成m面InAlN薄膜の成長2010
- 著者名/発表者名
  梶間智文, 上野耕平, 小林篤, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治
- 学会等名
  秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学文教キャンパス
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] ZnO基板上高In組成m面InGaN薄膜の偏光特性2010
- 著者名/発表者名
  玉木啓晶、小林篤、太田実雄、尾嶋正治、藤岡洋
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催2010年・年末講演会「エレクトロニクスの将来ビジョン～発展史マップとアカデミックロードマップ～&若手ポスター発表会」
- 発表場所
  学習院大学
- 年月日
  2010-12-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Rh(111)基板上への窒化物成長初期過程の解析2010
- 著者名/発表者名
  岡野雄幸, 井上茂, 上野耕平, 小林篤, 太田実雄, 尾嶋正治, 藤岡洋
- 学会等名
  秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学文教キャンパス
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] FUTURE LARGE AREA NITRIDE DEVICES FABRICATED WITH LOW TEMPERATURE PXD PROCESS2010
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride semiconductors 2010 (IWN2010)
- 発表場所
  Tampa Florida, USA
- 年月日
  2010-09-21
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] 半極性面AlV/InNヘテロ構造の作製と評価2010
- 著者名/発表者名
  小林篤, 藤井智明, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治
- 学会等名
  第29回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺
- 年月日
  2010-07-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] ZnO基板上への無極性面・半極性面InAlN薄膜の成長2010
- 著者名/発表者名
  梶間智文, 上野耕平小林篤, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治
- 学会等名
  第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学
- 年月日
  2010-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Possibility of Large Area III-V Semiconductor Devices2010
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
- 発表場所
  Miami, Florida, US
- 年月日
  2010-11-29
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] パルススパッタ法による太陽電池用InGaN薄膜の作製2010
- 著者名/発表者名
  加藤雅樹, 田村和也, 井上茂, 太田実雄, 藤岡洋
- 学会等名
  第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学
- 年月日
  2010-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] BNTCA-BPTAポリマー焼結グラファイトシート上へのGaN薄膜成長2010
- 著者名/発表者名
  金子俊郎, 太田実雄, 藤岡洋, 山下順也, 羽鳥浩章, 児玉昌也, 平崎哲郎, 植仁志
- 学会等名
  第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学
- 年月日
  2010-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Feasibility study on Future large area nitride devices2010
- 著者名/発表者名
  Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  The European Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits(Invited)
- 発表場所
  Germany
- 年月日
  2010-05-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Improvement in crystalline quality of semipolar AlN (1-102) films by using ZnO substrates with self-organized nanostripes2010
- 著者名/発表者名
  Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Jitsuo Ohta, Hiroshi Fujioka
- 学会等名
  The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2010-07-06
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] ZnO基板から異方的歪みを受けたm面InGaN薄膜の偏光特性2010
- 著者名/発表者名
  玉木啓晶, 小林篤, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治
- 学会等名
  第2回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  三重大学
- 年月日
  2010-05-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] ZnO基板上半極性面AlGaN/AlNヘテロ構造の作製と光学特性評価2010
- 著者名/発表者名
  上野耕平、小林篤、太田実雄、藤岡洋
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会主催2010年・年末講演会「エレクトロニクスの将来ビジョン～発展史マップとアカデミックロードマップ～&若手ポスター発表会」
- 発表場所
  学習院大学
- 年月日
  2010-12-17
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] ZnO基板から異方的歪みを受けたm面InGaN薄膜の偏光特性2010
- 著者名/発表者名
  玉木啓晶, 小林篤, 太田実雄, 尾嶋正治, 藤岡洋
- 学会等名
  第29回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺
- 年月日
  2010-07-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] YSZ基板上に成長したInNの極性制御と成長モード2010
- 著者名/発表者名
  小林篤, 大久保佳奈, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治
- 学会等名
  秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学文教キャンパス
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] ZnO基板上高In組成m面InGaN薄膜の構造特牲及び偏光特性2010
- 著者名/発表者名
  玉木啓晶, 小林篤, 太田実雄, 尾嶋正治, 藤岡洋
- 学会等名
  秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学文教キャンパス
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Room temperature epitaxial growth of group III nitride semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  藤岡洋
- 学会等名
  ROMANIAN CONFERENCE ON ADVANCED MATERIALS
- 発表場所
  Bucharest, Romania
- 年月日
  2009-08-28
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] High Quality Group III Nitrides Grown on ZnO Substrates2009
- 著者名/発表者名
  H. Fujioka
- 学会等名
  OPT02009
- 発表場所
  San Jose, USA
- 年月日
  2009-01-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] 大面積化合物半導体エレクトロニクスの可能性2009
- 著者名/発表者名
  藤岡洋
- 学会等名
  第13回名古屋大学VBLシンポジウム
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2009-11-10
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Room temperature growth of group III nitride crystals2009
- 著者名/発表者名
  藤岡洋
- 学会等名
  2009 Japan-China Crystal Grows and Crystal Technology Symposium
- 発表場所
  Suita, Osaka Japan
- 年月日
  2009-07-23
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Fabrication of flexible devices with low temperature epitaxial growth technique2009
- 著者名/発表者名
  藤岡洋
- 学会等名
  MNC2009
- 発表場所
  Sapporo, Hokkaidou Japan
- 年月日
  2009-11-16
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] PSD法を用いた大面積窒化物素子作製の可能性2009
- 著者名/発表者名
  藤岡洋
- 学会等名
  第2回窒化物半導体ワークショップ
- 発表場所
  東北大学
- 年月日
  2009-12-22
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] 大面積単結晶エレクトロニクスの展望2009
- 著者名/発表者名
  藤岡洋
- 学会等名
  ポストシリコン物質・デバイス創製基盤技術アライアンス「新機能ナノエレクトロニクス」グループ分科会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2009-10-09
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Room temperature epitaxial growth of InGaN and its Application to Solar Cells2009
- 著者名/発表者名
  藤岡洋
- 学会等名
  ICAM2009
- 発表場所
  Rio de Janeiro, Brazil
- 年月日
  2009-09-23
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Development of room temperature epitaxial growth technique for nitride optical devices2009
- 著者名/発表者名
  藤岡洋
- 学会等名
  5th International Symposium on Laser, Scintillator and Non Linear Optical Materials
- 発表場所
  Pisa, Italy
- 年月日
  2009-09-05
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Room Temperature Epitaxial Growth of Nitride Semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  藤岡洋
- 学会等名
  NMDT-NGPC
- 発表場所
  Algiers, Algeria
- 年月日
  2009-05-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Feasibility study on large area nitride devices2009
- 著者名/発表者名
  藤岡洋
- 学会等名
  Satellite Workshop on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Seoul, Korea
- 年月日
  2009-10-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Low Temperature Epitaxial Growth of Group III Nitrides by Pulsed Excitation Deposition2009
- 著者名/発表者名
  H. Fujioka
- 学会等名
  OPT02009
- 発表場所
  San Jose, USA
- 年月日
  2009-01-26
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Fabrication of semiconductor nanostructures by room temperature epitaxial growth techniques2008
- 著者名/発表者名
  H. Fujioka
- 学会等名
  Thin Films 2008
- 発表場所
  Singapore, Singapore
- 年月日
  2008-09-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Low Temperature Epitaxial Growth of Semiconductors on Metal Substrates2008
- 著者名/発表者名
  H. Fujioka
- 学会等名
  SSDM2008
- 発表場所
  Tsukuba Japan
- 年月日
  2008-09-25
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Group III nitride Nanostructures Prepared by Room Temperature Epitaxial Growth2008
- 著者名/発表者名
  H. Fujioka
- 学会等名
  CGCT4
- 発表場所
  Sendai, Japan
- 年月日
  2008-05-24
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Growth of cubic InN with high phase purity by pulsed laser deposition2008
- 著者名/発表者名
  A. Kobayashi, R. Ohba, J. Ohta, H. Fujioka, and M. Oshima
- 学会等名
  2nd International symposium on growth of nitrides
- 発表場所
  Shuzenji, Japan
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] パルス励起堆積(PXD)法によるInN系薄膜の低温成長2007
- 著者名/発表者名
  藤岡洋
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Room Temperature Epitaixial Growth of Group III Nitrides2007
- 著者名/発表者名
  H. Fujioka
- 学会等名
  The Second Polish-Japanese German Crystal Growth Meeting
- 発表場所
  USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Growth of High Quality Non-polar and Semi-polar GaN on Nearly Lattice Matched ZnO Substrates2007
- 著者名/発表者名
  H. Fujioka
- 学会等名
  14th Semiconducting and Insulating Materials Conference
- 発表場所
  USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] パルス励起堆積(PXD)法による窒化物室温エピタキシャル成長2007
- 著者名/発表者名
  藤岡洋
- 学会等名
  応用物理学会応用電子物性分科会研究例会
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Room Temperature Epitaixial Growth of Group III Nitrides2007
- 著者名/発表者名
  H. Fujioka, S. Inoue, T. Nakano, and J. Ohta
- 学会等名
  15th International conference on crystal growth
- 発表場所
  Salt lake city, USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] 窒化物半導体結晶の室温成長技術2007
- 著者名/発表者名
  藤岡洋
- 学会等名
  プレISGN-2シンポジウム「未来を切り開く窒化物半導体結晶」
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Room Temperature Epitaixial Growth of Group III Nitrides2007
- 著者名/発表者名
  H. Fujioka
- 学会等名
  15th International conference on crystal growth
- 発表場所
  USA
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Room Temperature Epitaxial Growth of Group III Nitrides by Pulsed Excitation Deposition2007
- 著者名/発表者名
  H. Fujioka
- 学会等名
  1st China-Japan Crystal Growth & Technology Symposium
- 発表場所
  China
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Low temperature epitaxial growth of high quality GaN2007
- 著者名/発表者名
  H. Fujioka
- 学会等名
  1st International Conference on White LEDs and Solid State Lighting
- 発表場所
  Japan
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-18069003
[学会発表] Characteristics of GaN Films Prepared by PXD and Their Device Applications
- 著者名/発表者名
  H. Fujioka
- 学会等名
  ICMAT2013
- 発表場所
  Suntec International Convention & Exhibition Centre, Singapore
- 年月日
  2013-06-30 – 2013-07-05
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] PSD法により成長したInGaN薄膜の光学特性評価
- 著者名/発表者名
  上野耕平，野口英成，太田実雄，藤岡　洋，尾嶋正治
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- 年月日
  2014-03-17 – 2014-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] Pulsed Sputtering Technique for Fabrication of Future Nitride Devices
- 著者名/発表者名
  H. Fujioka
- 学会等名
  E-MRS 2014 SPRING MEETING, SYMPOSIUM K
- 発表場所
  Congress Center, Lille, France
- 年月日
  2014-05-26 – 2014-05-30
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] Nitride Materials and Devices Prepared by Pulsed Sputtering
- 著者名/発表者名
  H. Fujioka
- 学会等名
  International Conference on Metamaterials and Nanophysics
- 発表場所
  Hotel Melia Varadero, Cuba
- 年月日
  2014-04-22 – 2014-05-01
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] PSD 法により作製した高In 組成InGaN 薄膜の光学定数評価
- 著者名/発表者名
  野口英成, 上野耕平, 太田実雄, 小林篤, 藤岡洋
- 学会等名
  第6回　窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  名城大学
- 年月日
  2014-07-25 – 2014-07-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] Preparation of Nitride Devices by Plasma Processing
- 著者名/発表者名
  H. Fujioka
- 学会等名
  ISPlasma 2014
- 発表場所
  名古屋大学
- 年月日
  2014-03-02 – 2014-03-06
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040
[学会発表] Fabrication of Nitride Devices by Pulsed Sputtering Deposition
- 著者名/発表者名
  H. Fujioka
- 学会等名
  CIMTEC2014
- 発表場所
  Montecatini Terme, Italy
- 年月日
  2014-06-15 – 2014-06-19
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24245040

1. 太田実雄 (60392924)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 54件
2. 尾嶋正治 (30280928)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
3. 小野寛太 (70282572)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
4. 三宅秀人 (70209881)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
5. 大渕博宣 (40312996)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 酒井朗 (20314031)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 川上養一 (30214604)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 小出康夫 (70195650)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 橋詰保 (80149898)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 徳本有紀 (20546866)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
11. 上山智 (10340291)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 上野耕平

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 6件
13. 小林篤

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 9件

藤岡 洋 Fujioka Hiroshi

研究課題

研究成果

共同研究者

縮退窒化物のMB効果を用いたAlGaN二次元電子ガスへのコンタクトとHEMT応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

特異構造の結晶科学：完全性と不完全性の協奏で拓く新機能エレクトロニクス領域代表者

領域代表者

研究期間 (年度)

研究種目

総括班研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

非平衡状態の時間ドメイン制御による特異構造の創製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

国際活動支援班研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

雲母を基板とするフレキシブルエレクトロニクスの創成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

パルス励起堆積法による窒化インジウム系半導体の低温成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

電磁鋼板上の単結晶シリコン電子デバイスの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

擬似単結晶金属基板を用いたGaN発光素子に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体/磁性複合量子ナノ構造を用いた光・スピン制御素子

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

次世代超高密度デバイス用極薄絶縁膜の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Heavily Si-doped pulsed sputtering deposited GaN for tunneling junction contacts in UV-A light emitting diodes2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Vertical p-type GaN Schottky barrier diodes with nearly ideal thermionic emission characteristics2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Autonomous growth of NbN nanostructures on atomically flat AlN surfaces2020

著者名/発表者名

藤岡洋 Fujioka Hiroshi