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鳥海 明  TORIUMI Akira

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 50323530
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2020年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授
2016年度 – 2018年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授
2012年度 – 2015年度: 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
2009年度 – 2011年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授
2008年度: 東大, 工学(系)研究科(研究院), 教授
2007年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授
2001年度 – 2005年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 電子デバイス・電子機器 / 電子デバイス・機器工学
研究代表者以外
小区分21050:電気電子材料工学関連 / 金属物性
キーワード
研究代表者
ゲルマニウム / FET / 酸化 / 同位体 / 半導体物性 / 電子デバイス / 移動度 / 金属・絶縁体転移 / VO2 / 遷移金属酸化物 … もっと見る / High-k膜 / 高圧酸化 / ペンタセン / TFT / シリコン / 電子相関 / モット転移 / 遷移金属酸化薄膜 / SmNiO3 / Mott転移 / 水素 / 金属絶縁体転移 / n-MOSFET / GeOI / 酸素不純物 / 水素アニール / 原子層堆積法 / 絶縁膜 / ゲートスタック / 劣化 / Gバンド / ダングリングボンド / 酸素熱処理 / Dバンド / ラマン / グラフェン / 界面 / 同位体酸素 / Deal-Grove モデル / シリコン・ゲルマニウム / 酸化機構 / 2次元材料 / ランダムテレグラフィックシグナルズ / 原子層 / MoS2 / 遷移金属カルコゲナイド / amorphous / polarizability / germanium / silicon / lanthanum oxide / yttrium oxide / hafnium oxide / high-k dielectrics / MISキャパシタ / ゲート絶縁膜 / オフアクシススパッタリング / オープンサーキットポテンシャル / スパックリング / Open Circuit Potential法 / 分光エリプソメトリー / 斜入射X線反射率測定 / 原子状酸素 / 酸化レート / 界面制御 / 基板面方位 / 高誘電率膜 / 光学フォノン / シリケート / Y2O3 / HfO2 / 界面層 / Y_2O_3 on Ge / LaYO_3薄膜 / 遠赤外特性 / Y-doped HfO_2 / Y_2O_3 / La_2O_3 / HfO_2 / アモルファス / 分極率 / 酸化ランタン / 酸化イットリウム / 酸化ハフニウム / 高誘電率絶縁膜 / 界面散乱 / HFO / 酸化物 / HFO2 / TiO2 / HfLaOx / Si-doped HfO2 / Ge / ショットキーバリア高さ / ESR / Fermi-level Pinning / GeO2 / Higher-k膜 / 構造相転移 / XPS / 界面ダイポール / 表面・界面物性 / 超薄膜 / 誘電体物性 / 電気・電子材料 / 薄膜成長機構 / 誘電率 / 赤外特性 / 粒密度 / 臨界核サイズ / ペンタセン接触 / Au / インピーダンス / 高圧アニール / サブミクロン / 粒径 / モビリティ / 有機トランジスタ / 有機薄膜 / miniaturization / grain / hysteresis / degradation / oganic / Mobility / Pentacene … もっと見る
研究代表者以外
酸素イオン伝導機構 / 極薄電解質臨界膜厚 / 薄膜測定 / イオン輸送機構 / 等価回路 / YSZ / インピーダンススペクトル / 酸素空孔 / 高誘電率絶縁膜 / 伝導キャリア / イオン電導 / 電解質膜中の電気伝導 / 電解質膜 / 固体電解質材料 / 極薄YSZ膜 / 結晶構造 / キャリア拡散 / 電子伝導 / イオン伝導 / 極薄電解質膜 / Molecular Thin Film / Scanning Probe Microscopy / Crystal Growth / Thin Film / 分子膜 / 走査型トンネル顕微鏡 / 結晶成長 / 薄膜 隠す
  • 研究課題

    (14件)
  • 研究成果

    (430件)
  • 共同研究者

    (11人)
  •  固体酸化物形燃料電池の低温動作化に向けた極薄電解質膜におけるイオン輸送機構の研究

    • 研究代表者
      丹羽 正昭
    • 研究期間 (年度)
      2018 – 2020
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      東京大学
      東北大学
  •  Ge及びSiGeの酸化機構の研究研究代表者

    • 研究代表者
      鳥海 明
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2018
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  原子レベルに急峻な不純物プロファイルを持つMoS2 PN接合の形成と特性解析研究代表者

    • 研究代表者
      鳥海 明
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2016
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  酸化物薄膜における金属・絶縁体転移のサイズ効果研究代表者

    • 研究代表者
      鳥海 明
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2017
    • 研究種目
      特別研究員奨励費
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  Ge薄膜中キャリア輸送機構に及ぼす同位体および界面散乱に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      鳥海 明
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  極薄Geチャネルにおけるキャリア輸送機構の理解と制御研究代表者

    • 研究代表者
      鳥海 明
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2014
    • 研究種目
      特別研究員奨励費
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  遷移金属酸化物を用いた電界効果型スイッチの動作実証と輸送機構の解明研究代表者

    • 研究代表者
      鳥海 明
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2013
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  高性能グラフェンFETに向けたゲートスタック技術の研究研究代表者

    • 研究代表者
      鳥海 明
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      特別研究員奨励費
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      東京大学
  •  ナノメートル誘電体・薄膜の電子物性の理解と制御の研究研究代表者

    • 研究代表者
      鳥海 明
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2011
    • 研究種目
      基盤研究(S)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  有機薄膜の積層化による伝導キャリアの膜中蓄積効果の研究研究代表者

    • 研究代表者
      鳥海 明
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2004
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  シリコン基板上に作製した超薄膜・希土類金属酸化物の誘電率制御指針の構築研究代表者

    • 研究代表者
      鳥海 明
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  ナノ・プラスティックFETの研究開発研究代表者

    • 研究代表者
      鳥海 明
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      東京大学
  •  薄膜成長初期過程における二次元核の形状制御による薄膜の三次元構造の制御

    • 研究代表者
      弓野 健太郎
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      金属物性
    • 研究機関
      東京大学
  •  超薄高誘電率ゲート絶縁膜におけるシリコンとの界面制御の研究研究代表者

    • 研究代表者
      鳥海 明
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2005
    • 研究種目
      基盤研究(S)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      東京大学

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すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] 「Silicon-germanium(SiGe) nanostructures」 edited by Y.Shiraki and N.Usami Chapter 20 「High electron mobility germanium(Ge) metal oxide semiconductor field effect transistors(MPSFETs)」2011

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi(分担執筆)
    • 出版者
      WOODHEAD PUBLISHING IN MATERIALS
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [図書] Chap. 11 :"Interface Properties of High-k Dielectrics on Germanium Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors2007

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, K. Kita, M. Toyama and H. Nomura
    • 出版者
      Springer
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [図書] Materials Engineering of High-k Gate Dielectrics, "Dielectric Films for Advanced Microelectronics, " edited by M. Baklanov, M. Green and K. Maex2007

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, K. Kita
    • 総ページ数
      40
    • 出版者
      John Wiley & Sons, Ltd
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [図書] Materials Engineering of High-k Gate Dielectrics in "Dielectric Films for Advanced Microelectronics"(edited by M. Baklanov, M. Green and K. Maex)2007

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, K. Kita
    • 出版者
      John Wiley & Sons, Ltd
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [図書] Interface Properties of High-k Dielectrics On Germanium, Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors, " edited byA. Dimoulas, E. Gusev, P. AcIntyre, M. Heyns2007

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, K. Kita, M. Toyama, H. Nomura
    • 総ページ数
      11
    • 出版者
      Springer
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Germanium CMOS potential from material and process perspectives2018

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi and T. Nishimura
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 57 号: 1 ページ: 010101-010101

    • DOI

      10.7567/jjap.57.010101

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [雑誌論文] Rigidity Enhancement of GeO2 by Y-Doping for Reliable Ge Gate Stacks2018

    • 著者名/発表者名
      T. Nishimura, X. Tang, C. Lu, T. Yajima, A, Toriumi
    • 雑誌名

      IEEE J. Elec. Dev. Soc.

      巻: 6 ページ: 1212-1217

    • DOI

      10.1109/jeds.2018.2875927

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [雑誌論文] "Experimental detection of active defects in few layers MoS2 through random telegraphic signals analysis observed in its FET characteristics"2017

    • 著者名/発表者名
      N. Fang, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      2D Materials

      巻: 4 号: 1 ページ: 015035-015035

    • DOI

      10.1088/2053-1583/aa50c4

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13941, KAKENHI-PLANNED-25107004, KAKENHI-PROJECT-16K14446, KAKENHI-PROJECT-16H04343
  • [雑誌論文] Study of SiGe oxidation kinetics for preferential SiO2 formation under a low O2 pressure condition2017

    • 著者名/発表者名
      W. Song, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 122 号: 18

    • DOI

      10.1063/1.5009758

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [雑誌論文] Thermal oxidation kinetics of germanium2017

    • 著者名/発表者名
      X. Wang, T. Nishimura, T. Yajima, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      Applied physics Letters

      巻: 111 号: 5

    • DOI

      10.1063/1.4997298

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [雑誌論文] "Subthreshold transport in mono- and multilayered MoS2 FETs"2015

    • 著者名/発表者名
      N. Fang, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 8 号: 6 ページ: 065203-065203

    • DOI

      10.7567/apex.8.065203

    • NAID

      210000137562

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13941, KAKENHI-PROJECT-26630121, KAKENHI-PLANNED-25107004
  • [雑誌論文] "Reliability assessment of germanium gate stacks with promising initial characteristics. "2015

    • 著者名/発表者名
      Cimang Lu, Choong Hyun Lee, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, and Akira Toriumi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 8 号: 2 ページ: 021301-021301

    • DOI

      10.7567/apex.8.021301

    • NAID

      210000137374

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058, KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [雑誌論文] Non-destructive Characterization of Oxide/germanium Interface by Direct-gap Photoluminescence Analysis2015

    • 著者名/発表者名
      S. Kabuyanagi, T. Nishimura, T. Yajima and A. Toriumi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 8 号: 5 ページ: 051301-051303

    • DOI

      10.7567/apex.8.051301

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14J11196, KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [雑誌論文] Impacts of oxygen passivation on poly-crystalline germanium thin film transistor2014

    • 著者名/発表者名
      S. Kabuyanagi, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 557 ページ: 334-337

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2013.11.133

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14J11196, KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [雑誌論文] "Atomically flat planarization of Ge(100), (110), and (111) surfaces in H2 annealing. "2014

    • 著者名/発表者名
      Tomonori Nishimura, Shoichi Kabuyanagi, Wenfeng Zhang, Choong Hyun Lee, Takeaki Yajima, Kosuke Nagashio, and Akira Toriumi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 7 号: 5 ページ: 051301-051301

    • DOI

      10.7567/apex.7.051301

    • NAID

      210000137073

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058, KAKENHI-PROJECT-25249032, KAKENHI-PROJECT-25420320
  • [雑誌論文] "Structural and thermodynamic consideration of metal oxide doped GeO2 for gate stack formation on germanium."2014

    • 著者名/発表者名
      Cimang Lu, Choong Hyun Lee, Wenfeng Zhang, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, and Akira Toriumi
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 116 号: 17

    • DOI

      10.1063/1.4901205

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058, KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [雑誌論文] Enhancement of thermal stability and water resistance in yttrium-doped GeO2/Ge gate stack2014

    • 著者名/発表者名
      C. Lu, C. H. Lee, W. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 104 号: 9 ページ: 92909-92909

    • DOI

      10.1063/1.4868032

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12F02061, KAKENHI-PROJECT-13F03058, KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [雑誌論文] "Significant enhancement of High-Ns Electron Mobility in Ge n-MOSFETs with Atomically Flat Ge/GeO2 Interface."2014

    • 著者名/発表者名
      C. H. Lee, T. Nishimura, C. Lu, W. Zhang, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 61(3) 号: 3 ページ: 147-156

    • DOI

      10.1149/06103.0147ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058, KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [雑誌論文] "High Electron Mobility in Germanium Junctionless n-MOSFETs"2013

    • 著者名/発表者名
      S. Kabuyanagi, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 58(9) 号: 9 ページ: 309-315

    • DOI

      10.1149/05809.0309ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [雑誌論文] Conduction band offset at Ge02/Ge interface determined by internal photoemission and charge-corrected x-rav photoelectron spectroscopies2013

    • 著者名/発表者名
      W. F. Zhang
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 102 号: 10 ページ: 102106-1

    • DOI

      10.1063/1.4794417

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12F02061, KAKENHI-PROJECT-22656142, KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [雑誌論文] Characterization of electron mobility in ultrathin body germanium-on-insulator metal-insulator-semiconductor field-effect transistors2013

    • 著者名/発表者名
      C. H. Lee, T. Nishimura, T. Tabata, D. D. Zhao, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 102 号: 23

    • DOI

      10.1063/1.4810002

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058, KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [雑誌論文] "Atomically Flat Germanium (111) Surface by Hydrogen Annealing"2013

    • 著者名/発表者名
      T. Nishimura, S. Kabuyanagi, C. H. Lee, T. Yajima, K. Nagashio and A. Toriumi
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 58(9) 号: 9 ページ: 201-206

    • DOI

      10.1149/05809.0201ecst

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [雑誌論文] Counter Dipole Layer Formation in Multi-layer High-k Gate Stacks2012

    • 著者名/発表者名
      S. Hibino, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Opportunity for Phase-controlled Higher-k HfO_22011

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, Y. Nakajima, and K. Kita
    • 雑誌名

      ECS-Trans.

      巻: 41(7) ページ: 125-136

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Higher-k Scalability and Leakage Current Reduction of SiO2-Doped HfO2 in Direct Tunneling Regime2011

    • 著者名/発表者名
      K.Tomida, K.Kita, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 50 号: 11R ページ: 111502-111502

    • DOI

      10.1143/jjap.50.111502

    • NAID

      40019072737

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Interfacial Dipole at High-k Dielectrics/SiO2 Interface: X-ray Photoelectron Spectroscopy Characteristics2011

    • 著者名/発表者名
      L.Q.Zhu, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, S.K.Wang, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: Vol.50

    • NAID

      40018777874

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Higher-k Scalability and Leakage Current Reduction of SiO_2-Doped HfO_2 in Direct Tunneling Regime2011

    • 著者名/発表者名
      K. Tomida, K. Kita, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 50 ページ: 111502-111502

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Thermodynamic analysis of moisture absorption phenomena in high-permittivity oxides as gate dielectrics of advanced complementary-metal-oxide semiconductor devices2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Zhao, K.Kita, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Letters

      巻: 96

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Experimental Demonstration of Higher-k Phase HfO2 through Non equilibrium Thermal Treatment2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nakajima, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 28(2) ページ: 203-212

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Direct LaLuO3/Ge Gate Stack Formation by Interface Scavenging and Subsequent Low Temperature O2 Annealing2010

    • 著者名/発表者名
      T.Tabata, C.H.Lee, K.Kita, A.Toriumi
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 33(3) ページ: 375-382

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Oxidation, Diffusion and Desorption in Ge/GeO2 System2010

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi, S.K.Wang, C.H.Lee, M.Yoshida, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 28(2) ページ: 171-180

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Thermodynamic analysis of moistureabsorption phenomena in high-permittivity oxides as gate dielectrics of advanced complementary-metal-oxide-semiconductor devices2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Zhao, K. Kita, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 96 ページ: 242901-242901

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Feasibility of Ge CMOS for Beyond Si-CMOS2010

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi, C.H.Lee, T, Nishimura, K.Kita, S.K.Wang, M.Yoshida, K.Nagashio
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 33(6) ページ: 33-46

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Observation of Dipole Layer Formed at High-k Dielectrics/SiO2 Interface with X-ray Photoelectron Spectroscopy2010

    • 著者名/発表者名
      L.Q.Zhu, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, S.K.Wang, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: Vol.3

    • NAID

      210000014682

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Observation of Dipole Layer Formed at High-k Dielectrics/SiO_2 Interface with X-ray Photoelectron Spectroscopy2010

    • 著者名/発表者名
      L. Q. Zhu, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, S. K. Wang, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Exp.

      巻: 3 ページ: 61501-61501

    • NAID

      10027015062

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Formation of Dipole Layers at Oxide Interfaces in High-k Gate Stacks2010

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, L.Q.Zhu T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 33(6) ページ: 463-477

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Desorption kinetics of GeO from GeO2/Ge structure2010

    • 著者名/発表者名
      S.K.Wang, K.Kita, C.H.Lee, T.Tabata, T.Nishimura, K.Nagashio , A.Toriumi
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 108

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Ge/GeO2 Interface Control with High-Pressure Oxidation for Improving Electrical Characteristics2009

    • 著者名/発表者名
      C.H.Lee, T.Tabata, T.Nishimura, K.Nagashio, K.Kita, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 2

      ページ: 71404-71404

    • NAID

      210000014403

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Thermodynamics and kinetics for suppression of GeO desorption by high pressure oxidation of Ge2009

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, C.H.Lee, T.Nishimura, K.Kita, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Materials Research Society Symposium Proceedings 1155

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Origin of Electric Dipoles Formed at High-k/SiO_2 Interface2009

    • 著者名/発表者名
      K. Kita, A. Toriumi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett 94

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] On the Origin of anomalous VTH shift in high-k MOSFETs2009

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi, K.Kita
    • 雑誌名

      ECS Transactions 19(1)

      ページ: 243-252

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Thermodynamics and kinetics for suppression of GeO desorption by high pressure oxidation of Ge2009

    • 著者名/発表者名
      K. Nagashio, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      MRS Symp. Proc.

      巻: 1155 ページ: 6-2

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Dielectric and electrical properties of amorphous La1.xTaxOy films as higher-k gate insulators2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Zhao, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 105

      ページ: 42901-42901

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Origin of Electric Dipoles Formed at High-k/SiO2 Interface2009

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letter 94

      ページ: 132902-132902

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Control of Properties of GeO2 Films and Ge/GeO2 Interfaces by the Suppression of GeO Volatilization2009

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, C.H.Lee, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
    • 雑誌名

      ECS Transactions 19(2)

      ページ: 101-116

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Band gap enhancement and electrical properties of La_2O_3 films doped with Y_2O_3 as high-k gate insulators2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Zhao, K. Kita, K. Kyuno, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 94 ページ: 42901-42901

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Anomalous VFB Shift in High-k Gate Stacks-Is its origin at the top or bottom Interface?-2009

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi, T.Nabatame
    • 雑誌名

      ECS Transactions 25(6)

      ページ: 3-16

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Opportunities and challenges for Ge CMOS-Control of interfacing field on Ge is a key-2009

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi, T.Tabata, C.H.Lee, T.Nishimura, K.Kita, K.Nagashio
    • 雑誌名

      Microelectronic Engineering 86

      ページ: 1571-1576

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Ge/GeO2 Interface Control with High Pressure Oxidation for Improving Electrical Characteristics2009

    • 著者名/発表者名
      C.H.Lee, T.Tabata, T.Nishimura, K.Nagashio, K.Kita, A.Toriumi
    • 雑誌名

      ECS Transactions 19(1)

      ページ: 165-173

    • NAID

      210000014403

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Dielectric and electrical properties of amorphous La_<1-x> Ta_xO_y films as higher-k gate insulators2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Zhao, K. Kita, K. Kyuno, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 105 ページ: 34103-34103

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Band gap enhancement and electrical properties of La2O3 films doped with Y2O3 as high-k gate insulators2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Zhao, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letter 94

      ページ: 42901-42901

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] A Significant Shift of Schottky Barrier Heights at Strongly Pinned Metal/Germanium Interface by Inserting an Ultra-Thin Insulating Film2008

    • 著者名/発表者名
      T. Nishimura, K. Kita, A. Toriumi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Exp 1

    • NAID

      10025080321

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Control of high-k/germanium interface properties through selection of high-k materials and suppression of GeO volatilization2008

    • 著者名/発表者名
      K. Kita, T. Takahashi, H. Nomura, S. Suzuki, T. Nishimura and A. Toriumi
    • 雑誌名

      Appl. Surf. Sci.

      巻: 254 ページ: 6100-6105

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] A Significant Shift of Schottky Barrier Heights at Strongly Pinned Metal/Germanium Interface by Inserting an Ultra-Thin Insulating Film2008

    • 著者名/発表者名
      T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Exp.

      巻: 1

    • NAID

      10025080321

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Internal Photoemission over HfO_2 and Hf_<1-x> Si_xO_2 High-k Insulating Barriers : Band Offset and Interfacial Dipole Characterization2008

    • 著者名/発表者名
      J. Widiez, K. Kita, K. Tomida, T. Nishimura, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 47 ページ: 2410-2414

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Mechanisms of and Solutions to Moisture Absorption of Lanthanum Oxide as Highk Gate Dielectric2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Zhao, K. Kita, K. Kyuno, A. Toriumi
    • 雑誌名

      ECS Transaction 6(1)

      ページ: 141-148

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Eividence for strong Fermi-level pinning due to metal-induced gap states at metal/germanium interface2007

    • 著者名/発表者名
      T. Nishimura, K. Kita, A. Toriumi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letter 91

      ページ: 123123-123123

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Dramatic Improvement of GeO2/Ge MIS Characteristics by Suppression of GeO Volatilization2007

    • 著者名/発表者名
      K. Kita, S. Suzuki, H. Nomura, T. Takahashi, T. Nishimura, A. Toriumi
    • 雑誌名

      ECS Transaction 11(4)

      ページ: 461-469

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Evidence for strong Fermi-level pinning due to metal-induced gap states at metal/germanium interface2007

    • 著者名/発表者名
      T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 91 ページ: 123123-123123

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Current Status and Perspective of High-k Gate Stack Materials Engineering for Further Scaled CMOS2007

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi
    • 雑誌名

      ECS Transaction 11(6)

      ページ: 3-16

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Study of La-Induced Flat band Voltage Shift in Metal/HfLaO_x/SiO_2/Si Capacitors2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamamoto, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 46(11) ページ: 7251-7255

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Mechanisms of and Solutions to Moisture Absorption of Lanthanum Oxide as High k Gate Dielectric2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Zhao, K. Kita, K. Kyuno and A. Toriumi
    • 雑誌名

      ECS-Trans.

      巻: 6(1) ページ: 141-148

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Study of La-Induced Flatband Voltage Shift in Metal/HfLaOx/SiO2/Si Capacitors2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamamoto, K. Kita, K. Kyuno, A. Toriumi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46(11)

      ページ: 7251-7255

    • NAID

      40015705092

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Suppression of Leakage Current and Moisture Absorption of La2O3 Films with Ultraviolet Ozone Post Treatment2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Zhao, K. Kita, K. Kyuno, A. Toriumi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Pt. 1 46(7)

      ページ: 4189-4192

    • NAID

      40015465525

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [雑誌論文] Doped HfO_2 for Higher-k Dielectrics2006

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi, Y.Yamamoto, Y.Zhao, K.Tomida, K.Kita
    • 雑誌名

      ECS Transactions 1(to be published)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Origin of Permittivity Enhancement of HfSiO and HfON Film with High Temperature Annealing2006

    • 著者名/発表者名
      K.Tomida, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      International Conference on Microelectronics and Interfaces (ICMI'06)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Dielectric Properties of Metal-Doped HfO_2 for Higher-k Gate Insulators (invited paper)2006

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, K.Tomida, Y.Yamamoto, Y.Zhao, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      2006 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)

      ページ: 27-28

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Ge 系電子デバイスの展望2006

    • 著者名/発表者名
      鳥海 明
    • 雑誌名

      日本金属学会セミナー・非シリコン半導体の現状と展望

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Moisture-absorption-induced permittivity deterioration and surface roughness enhancement of lanthanum oxide films on silicon2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Zhao, M.Toyama, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 88(7)

      ページ: 72904-72904

    • NAID

      10022542508

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Design Methodology of Higher-k Ternary Dielectric Films with Polarizability Engineering2006

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, Y.Yamamoto, K.Tomida, Y.Zhao, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 11th Workshop on Gate Stacks -Physics in Materials, Fabrication Processes and Characterizations-

      ページ: 233-238

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Prospects of Ge Devices2006

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi
    • 雑誌名

      Present Status and Prospects of Non-Silicon Devices, The Japan Institute of Metals Seminar

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Doped HfO_2 for Higher-k Dielectrics2006

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi, Y.Yamamoto, Y.Zhao, K.Tomida, K.Kita
    • 雑誌名

      ECS Transactions 1(出版予定)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Moisture-absorption-induced permittivity deterioration and surface roughness enhancement of lanthanum oxide films on silicon2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Zhao, M.Toyama, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 88

      ページ: 72904-72904

    • NAID

      10022542508

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Doped HfO^2 for Higher-k Dielectrics2006

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi et al.
    • 雑誌名

      ECS Transactions 1(出版予定)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Evolution of Leakage Paths in HfO_2/SiO_2 Stacked Gate Dielectrics : A Stable Direct Observation by Ultrahigh Vacuum Conducting Atomic Force Microscopy2005

    • 著者名/発表者名
      K.Kyuno, K.Kita, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 86(6)

      ページ: 63510-63510

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Ion-Implanted p/n Junction Characteristics p- and n-type Germanium2005

    • 著者名/発表者名
      T.Nishimura, M.Toyama, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2005 Int.Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM)

      ページ: 520-521

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] High Crystallization Temperature and Low Fixed Charge Density of HfLaOx Films2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamamoto, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      36th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) 36

      ページ: 10-10

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] GIXR Analysis of High-k Multilayer Structure2005

    • 著者名/発表者名
      H.Shimizu, K.Tomida, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 10th Workshop on Gate Stacks -Physics in Materials, Fabrication Processes and Characterizations-

      ページ: 167-172

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Thermally Robust Y_2O_3/Ge MOS Capacitors2005

    • 著者名/発表者名
      H.Nomura, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2005 Int.Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM)

      ページ: 858-859

    • NAID

      10022543442

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Evolution of leakage paths in HfO_2/SiO_2 stacked gate dielectrics : A stable direct observation by ultrahigh vacuum conducting atomic force microscopy2005

    • 著者名/発表者名
      K.Kyuno, K.Kita, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 86(6)

      ページ: 63510-63510

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Effects of Germanium Surface Orientation on HfO_2/Ge Interface2005

    • 著者名/発表者名
      M.Toyama, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 10th Workshop on Gate Stacks -Physics in Materials, Fabrication Processes and Characterizations-

      ページ: 209-214

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Challenges and Prospect of High-k Gate Dielectrics Technology (invited paper)2005

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi
    • 雑誌名

      85th Spring Meeting of The Chemical Society of Japan 2L2-25

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Design Methodology for La_2O_3-Based Ternary Higher-k Dielectrics2005

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, Yi Zhao, Y.Yamamoto, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2005 Int.Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM)

      ページ: 252-253

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Design Methodology for La2O_3-Based Ternary Higher-k Dielectrics2005

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, Yi Zhao, Y.Yamamoto, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Extended Abstracts of 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials 2005

      ページ: 858-859

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Far- and Mid-Infrared Absorption Study of HfO_2/SiO_2/Si System2005

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi et al.
    • 雑誌名

      207th Meeting of the Electrochemical Society 207

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Polarity Dependence of Leakage Current in HfO_2/SiO_2 Stacked Structures : An Observation by UHV-C-AFM2005

    • 著者名/発表者名
      K.Kyuno, K.Kita, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 10th Workshop on Gate Stacks -Physics in Materials, Fabrication Processes and Characterizations-

      ページ: 309-314

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Moisture Absorption-Induced Permittivity Deterioration and Surface Roughness Enhancement of Lanthanum Oxide Films on Silicon2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Zhao, M.Toyama, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2005 Int.Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM)

      ページ: 546-547

    • NAID

      10022542508

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Annealing Effects on CVD-SiO_2 Films Characterized by OCP Measurement2005

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 10th Workshop on Gate Stacks -Physics in Materials, Fabrication Processes and Characterizations-

      ページ: 265-270

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Kinetic Model of Si Oxidation at HfO_2/Si Interface with Post Deposition Annealing2005

    • 著者名/発表者名
      H.Shimizu, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.Pt.1 44(8)

      ページ: 6131-6135

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Permittivity Enhancement of Hf_<(1-x)>Si_xO_2 Film with High Temperature Annealing2005

    • 著者名/発表者名
      K.Tomida, K.Kita, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2005 Int.Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM)

      ページ: 232-233

    • NAID

      10022541528

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] A New Hf-based Dielectric Member, HfLaO_x, for Amorphous High-k Gate Insulators in Advanced CMOS2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamamoto, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2005 Int.Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM)

      ページ: 254-255

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Kinetic Model of Si Oxidation at HfO_2/Si Interface with Post Deposition Annealing2005

    • 著者名/発表者名
      H.Shimizu, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics Pt.1,44

      ページ: 6131-6135

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Far- and Mid- Infrared Absorption Study of HfO_2/SiO_2/Si System (invited paper)2005

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi, K.Tomida, H.Shimizu, K.Kita, K.Kyuno
    • 雑誌名

      207th Meeting of the Electrochemical Society

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Challenges and Prospect of High-k Gate Dielectrics Technology2005

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi
    • 雑誌名

      Journal of The Surface Science Society of Japan HYOMEN KAGAKU 26(5)

      ページ: 242-248

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] High Crystallization Temperature and Low Fixed Charge Density of HfLaO_x Films2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Yamamoto, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      36th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) P-11

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Initial Growth Mechanism Difference between HfO_2 Films on Ge and Si Substrates2004

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, M.Sasagawa, M.Toyama, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 9th Workshop on Formation, Characterization and Reliability of Ultrathin Silicon Oxides

      ページ: 259-264

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Growth Mechanism Difference of Sputtered HfO_2 between on Ge and on Si2004

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 85(1)

      ページ: 52-54

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Materials Engineering for Hidh-k Gate Stack Technology2004

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext. Abst. of 2004 Int. Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices-Science and Technology 2004

      ページ: 3-4

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Retarded Growth of Sputtered HfO_2 films on Germanium2004

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions, MRS Symp.Proc. 811

      ページ: 169-174

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Generalized Model of Oxidation Mechanism at HfO_2/Si Interface with Post-Deposition Annealing2004

    • 著者名/発表者名
      H.Shimizu, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)

      ページ: 796-797

    • NAID

      10022540167

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Materials Engineering for High-k Gate Stack Technology2004

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. of 2004 Int. Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices - Science and Technology (IWDTF)

      ページ: 3-4

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Dielectric Constant Increase of Yttrium-Doped HfO_2 by Structural Phase Modification2004

    • 著者名/発表者名
      K Kita, K Kyuno, A Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)

      ページ: 794-795

    • NAID

      10022540160

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Oxidation Mechanism at HfO_2/Si Interface2004

    • 著者名/発表者名
      H.Shimizu, K.Tomida, M.Sasagawa, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 9th Workshop on Formation, Characterization and Reliability of Ultrathin Silicon Oxides

      ページ: 265-270

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Permittivity Increase of Yttrium-Doped HfO_2 through Structural Phase Transformation2004

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      35th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) LP-3

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Stable Observation of the Evolution of Leakage Spots in HfO_2/SiO_2 Stacked Structures2004

    • 著者名/発表者名
      K.Kyuno, K.Kita, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)

      ページ: 788-789

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] IR Absorption Study of HfO_2 and HfO_2/Si Interface Ranging from 200cm^<-1> to 2000cm^<-1>2004

    • 著者名/発表者名
      K.Tomida, H.Shimizu, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Integration of Advanced Micro- and Nanoelectronic Devices - Critical Issues and Solutions, MRS Symp.Proc. 811

      ページ: 319-324

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Difference between O_2 and N_2 Annealing Effects on CVD-SiO_2 Film Quality Studied by Open-Circuit Measurement2004

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)

      ページ: 786-787

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Far Infrared Study of Structural Distortion and Transformation of HfO_2 by Introducing a Slight Amount Si2004

    • 著者名/発表者名
      K.Tomida, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)

      ページ: 790-791

    • NAID

      10022540150

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Semiconducting Properties of Pentacene Thin Films Studied by Complex Impedance Analysis and Photo-induced Effects.2004

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi et al.
    • 雑誌名

      206^<th> Meeting of The Electrochemical Society,(Hawaii)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15656081
  • [雑誌論文] Permittivity Increase of Yttrium-Doped HfO_2 through Structural Phase Transformation2004

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 86(7)102906(2005).rface Specialists Conference (SISC) LP-3

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Advantages of Ge (111) Surface for High Quality HfO_2/Ge Interface2004

    • 著者名/発表者名
      M.Toyama, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)

      ページ: 226-227

    • NAID

      10022538299

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Post-Deposition Annealing Effects on Interface States Generation in HfO_2/SiO_2/Si MOS Capacitors2004

    • 著者名/発表者名
      M.Sasagawa, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2004 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)

      ページ: 534-535

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Oxidation-Induced Damages on Germanium MIS Capacitors with HfO_2 Gate Dielectrics2003

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, M.Sasagawa, K.Tomida, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst. 2003 Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)

      ページ: 292-293

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] New Method for Characterizing Dielectric Properties of High-k Films with Time-Dependent Open-Circuit Potential Measurement2003

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, M.Sasagawa, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 42,Pt.2(6B)

    • NAID

      10011259919

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] A New Characterization Technique for Depth-Dependent Dielectric Properties of High-k Films by Open-Circuit Potential Measurement2003

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, M.Sasagawa, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      2003 Int. Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology, AIP Conf.Proc. 550

      ページ: 166-170

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Further EOT Scaling of Ge/HfO_2 over Si/HfO_2 MOS Systems2003

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, M.Sasagawa, K.Tomida, M.Toyama, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Int. Workshop on Gate Insulator (IWGI)

      ページ: 186-191

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] Interface Oxidation Mechanism in HfO_2/Silicon System with Post-Deposition Annealing2003

    • 著者名/発表者名
      H.Shimizu, M.Sasagawa, K.Kita, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst.Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)

      ページ: 486-487

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [雑誌論文] New method for Characterizing Dielectric Properties of High-k Films Using Time-Dependent Open-Circuit Potential Measurement2002

    • 著者名/発表者名
      K.Kita M.Sasagawa, K.Kyuno, A.Toriumi
    • 雑誌名

      Ext.Abst.Int.Conf. Solid State Dev.Mater. (SSDM)

      ページ: 66-67

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [産業財産権] 特許2007

    • 発明者名
      鳥海明, 西村知紀
    • 権利者名
      東京大学
    • 産業財産権番号
      2007-227480
    • 出願年月日
      2007-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [産業財産権] 半導体装置及びその製造方法2007

    • 発明者名
      鳥海明, 西村知紀
    • 権利者名
      東京大学
    • 産業財産権番号
      2007-227480
    • 出願年月日
      2007-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [産業財産権] 特許2005

    • 発明者名
      鳥海明 他3名
    • 権利者名
      国立大学法人東京大学
    • 出願年月日
      2005-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [産業財産権] 特許2005

    • 発明者名
      鳥海明, 喜多浩之, 富田一行, 山本芳樹
    • 権利者名
      国立大学法人東京大学
    • 出願年月日
      2005-08-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [産業財産権] 半導体装置及びその製造方法2004

    • 発明者名
      鳥海 明, 喜多 浩之
    • 権利者名
      国立大学法人東京大学
    • 産業財産権番号
      2004-250393
    • 出願年月日
      2004-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [産業財産権] 特許2004

    • 発明者名
      鳥海明, 喜多浩之
    • 権利者名
      国立大学法人東京大学
    • 産業財産権番号
      2004-250393
    • 出願年月日
      2004-08-30
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13852009
  • [学会発表] Geの酸化機構はSiと何が異なるのだろうか?2019

    • 著者名/発表者名
      王 旭, 西村 知紀, 鳥海 明
    • 学会等名
      第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] Germaniumの高圧酸素熱酸化機構と形成されたGeO2膜の性質2019

    • 著者名/発表者名
      王 旭、西村 知紀、鳥海 明
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] アモルファスネットワーク構造の安定性から見たGeO2の脆弱性2019

    • 著者名/発表者名
      謝 敏, 西村 知紀, 矢嶋 赳彬, 鳥海 明
    • 学会等名
      第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] Is crystallization of GeO2 on Ge really triggered by GeO desorption?2018

    • 著者名/発表者名
      Min Xie, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Akira Toriumi
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] Thermal oxidation kinetics of Ge under high pressure O22018

    • 著者名/発表者名
      X. Wang, T. Nishimura, T. Yajima, and A. Toriumi
    • 学会等名
      SSDSM2018
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] Network reinforcement of amorphous GeO2 by Y doping for highly reliable Ge gate stacks2018

    • 著者名/発表者名
      T. Nishimura, X. Tang, C. Lu, T. Yajima, and A. Toriumi
    • 学会等名
      20th Workshop on Dielectrics in Microelectronics (W0DIM 2018)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] Thermal oxidation kinetics of Ge under high O2 pressure2018

    • 著者名/発表者名
      X. Wang、T. Nishimura、T. Yajima、A. Toriumi
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] Recent Achievements and Challenges in Ge-MOSFETs2018

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi
    • 学会等名
      1st Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] ゲルマニウム電子デバイスに向けた界面制御2018

    • 著者名/発表者名
      鳥海明
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] How Ge atoms behave in thermal oxidation of SiGe?2018

    • 著者名/発表者名
      X. Li、Y. Noma、W. Song、T. Nishimura、A. Toriumi
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] SiGeの熱酸化機構2018

    • 著者名/発表者名
      宋 宇振, 李 秀妍, 野間 勇助, 西村 知紀, 鳥海 明
    • 学会等名
      第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] Atomically flat interface formation on Ge(111) in oxidation process2018

    • 著者名/発表者名
      T. Nishimura, S. Takemura, X. Wang, S. Shibayama, T. Yajima, and A. Toriumi
    • 学会等名
      SSDM2018
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] Interface Reaction, Bulk Crystallization and Electrical Degradation of GeO2 on Ge2018

    • 著者名/発表者名
      S. Takemura, T. Nishimura, A. Toriumi
    • 学会等名
      IEEE SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP 2018(SNW2018)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] Opportunities and Challengies in Ge CMOS2018

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi
    • 学会等名
      ENGE 2018
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] Why GeO2 growth on Ge is suppressed and GeO2/Ge stack is much improved in high pressure O2 oxidation?2018

    • 著者名/発表者名
      X. Wang and A. Toriumi
    • 学会等名
      2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2018)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] ふり返るにはまだ早い2018

    • 著者名/発表者名
      鳥海明
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] Impact of “struggle for oxygen” at oxidized interface on SiGe gate stacks2018

    • 著者名/発表者名
      X. Li, Y. Noma, W. Song, T. Nishimura, and A. Toriumi
    • 学会等名
      SSDM2018
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] Recent achievements and remaining challenges in Ge-MOSFETs from interface2018

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi
    • 学会等名
      ICSICT 2018
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] Why don’t you enjoy Ge CMOS more2018

    • 著者名/発表者名
      鳥海明
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] Ge酸化に伴う表面平坦性の劣化と酸化機構の変化2017

    • 著者名/発表者名
      竹村 千里、柴山 茂久、西村 知紀、矢嶋 赳彬、鳥海 明
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] "Relationship between initial properties and reliability of Ge gate stacks"2017

    • 著者名/発表者名
      Tang Xiaoyu, 鳥海 明
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜 (神奈川県 横浜市)
    • 年月日
      2017-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] Impact of reaction kinetics at GeO2/Si for highperformance SiGe gate stacks2017

    • 著者名/発表者名
      W. Song, A. Toriumi
    • 学会等名
      SSDM2017
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] "Atomic exchange between Ge and Si at GeO2/Si interface"2017

    • 著者名/発表者名
      宋 宇振, 鳥海 明
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜 (神奈川県 横浜市)
    • 年月日
      2017-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] SiGeの熱酸化によって界面に形成されるGe層の析出機構2017

    • 著者名/発表者名
      野間 勇祐、宋 宇振、西村 知紀、矢嶋 赳彬、鳥海 明
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] "Study of Thermal Oxidation Mechanism of Germanium"2017

    • 著者名/発表者名
      Wang Xu, 西村 知紀, 矢嶋 赳彬, 鳥海 明
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜 (神奈川県 横浜市)
    • 年月日
      2017-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] Role of Y-doping into GeO2 in Ge gate stack reliability2017

    • 著者名/発表者名
      X. Tang and A. Toriumi
    • 学会等名
      SSDM2017
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] Ge for CMOS applications2017

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi
    • 学会等名
      INFOS 2017
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] Materials fundamentals for germanium CMOS2017

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi
    • 学会等名
      The 1st International Semiconductor Conference for Global Challenges (ISCGC 2017)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] Interface Control for High Performance N-Channel Ge FETs2017

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi
    • 学会等名
      232nd ECS Meeting
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] A new kinetic model for thermal oxidation of Ge2017

    • 著者名/発表者名
      X. Wang, T. Nishimura, T. Yajima, A. Toriumi
    • 学会等名
      SSDM2017
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] 「界面ダイポール密度の制御による金属/Ge界面のフェルミレベルピンニング緩和の試み」2016

    • 著者名/発表者名
      西村 知紀、矢嶋 赳彬、鳥海 明
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都・目黒区)
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 「知っておくと得するゲルマニウム制御の三つの基本」2016

    • 著者名/発表者名
      鳥海 明
    • 学会等名
      電子デバイス界面テクノロジー研究会(第21回)
    • 発表場所
      東レ研修センター(静岡県・三島市)
    • 年月日
      2016-01-22
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 「Geにおける正孔と電子のフォノン周波数に対する影響の違い」2016

    • 著者名/発表者名
      株柳 翔一、西村 知紀、矢嶋 赳彬、鳥海 明
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都・目黒区)
    • 年月日
      2016-03-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "GeO2 reduction and Si oxidation at SiGe/GeO2 interface in UHV annealing"2016

    • 著者名/発表者名
      宋 宇振, 鳥海 明
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ、新潟市 新潟県
    • 年月日
      2016-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] "Random telegraphic signals observed in atomically thin MoS2 FETs"2016

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, N. Fang and K. Nagashio
    • 学会等名
      5th International Symposium on Graphene Devices(ISGD 5)
    • 発表場所
      Brisbane (Australia)
    • 年月日
      2016-07-11
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13941
  • [学会発表] "Characterization of defects in Ge substrates using deep-level transient spectroscopy (DLTS)"2016

    • 著者名/発表者名
      H. Ikegaya, T. Nishimura, and A. Toriumi
    • 学会等名
      9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration
    • 発表場所
      東北大学(宮城県・仙台市)
    • 年月日
      2016-01-11
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Materials And Process Controls For Scalable and Reliable Germanium Gate Stacks"2016

    • 著者名/発表者名
      Akira. Toriumi
    • 学会等名
      The IEEE 13th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (2016 ICSICT)
    • 発表場所
      Hangzhou (China)
    • 年月日
      2016-10-27
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] "Defect position analysis in MoS2 FETs by random telegraphic signals"2016

    • 著者名/発表者名
      方 楠、長汐 晃輔、鳥海 明
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都 目黒区)
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13941
  • [学会発表] "Experimental and Thermodynamic Investigation of SiGe Oxidation and GeO Desorption for Controlled SiGe Gate Stack Formation"2016

    • 著者名/発表者名
      Woojin Song, Akira Toriumi
    • 学会等名
      7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces(ISCSI-VII)/International SiGe Technology and Device Meeting(ISTDM 2016)
    • 発表場所
      名古屋大学 野依記念学術交流館 (愛知県 名古屋市)
    • 年月日
      2016-06-10
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] "Oxygen-bond switching at GeO2/Si interface in UHV annealing"2016

    • 著者名/発表者名
      Woojin Song, Akira. Toriumi
    • 学会等名
      47th IEEE Semiconductor Interface Spesialists Congerence(SISC)
    • 発表場所
      San Diego (USA)
    • 年月日
      2016-12-09
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16H02331
  • [学会発表] 「イオン注入操作によって単結晶ゲルマニウム中に生じる欠陥のDLTSによる解析」2016

    • 著者名/発表者名
      池谷 大樹、西村 知紀、矢嶋 赳彬、鳥海 明
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都・目黒区)
    • 年月日
      2016-03-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Study of Raman Peak Shift in Heavily Doped Germanium - A new research opportunity using ultra-thin GeOI"2015

    • 著者名/発表者名
      Shoichi Kabuyanagi, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, and Akira Toriumi
    • 学会等名
      8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar
    • 発表場所
      TOHOKU University (Miyagi,Sendai)
    • 年月日
      2015-01-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Materials and Process Controls in Germanium Gate Stacks"2015

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi
    • 学会等名
      46th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference(SISC)
    • 発表場所
      Arlington, VA (USA)
    • 年月日
      2015-12-04
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Effects of free-carriers on rigid band and bond descriptions in germanium - Key to designing and modeling in Ge nano-devices -"2015

    • 著者名/発表者名
      S. Kabuyanagi, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2015 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM)
    • 発表場所
      Washington D.C. (USA)
    • 年月日
      2015-12-09
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Dielectric Film Engineering for Ge-rich SiGe MOS Gate Stacks"2015

    • 著者名/発表者名
      C-T. Chang, T. Nishimura and A. Toriumi
    • 学会等名
      8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar
    • 発表場所
      TOHOKU University (Miyagi,Sendai)
    • 年月日
      2015-01-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 「Design of High-k and Interfacial Layer on Germanium for 0.5nm EOT」2015

    • 著者名/発表者名
      Cimang Lu, Choong Hyun Lee, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi
    • 学会等名
      2015 第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス(神奈川県・平塚市)
    • 年月日
      2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] "Structural coordination of rigidity with flexibility in gate dielectric films for sub-nm EOT Ge gate stack reliability"2015

    • 著者名/発表者名
      C. Lu, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2015 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM)
    • 発表場所
      Washington D.C. (USA)
    • 年月日
      2015-12-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 「Non-destructive Characterization of Oxide/Ge Interface by Photoluminescence Measurement」2015

    • 著者名/発表者名
      Shoichi Kabuyanagi, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Akira Toriumi
    • 学会等名
      2015 第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス(神奈川県 平塚市)
    • 年月日
      2015-03-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Impact of Hydrogen-induced Out-diffusion of Oxygen from Ge Surface on Junction Leakage and Electron Mobility in Ge n-MOSFETs"2015

    • 著者名/発表者名
      C. H. Lee, T. Nishimura, C. Lu, S. Kabuyanagi, and A. Toriumi
    • 学会等名
      8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar
    • 発表場所
      TOHOKU University (Miyagi,Sendai)
    • 年月日
      2015-01-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 「どこまでGe-CMOS技術は進んでいるのか - イントロダクション -」2015

    • 著者名/発表者名
      鳥海 明
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会, シンポジウム(Ge-CMOSはどこまで進んでいるのか)
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-13
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Effects of Ge Substrate Annealing in H2 on Electron Mobility and on Junction Leakage in n-Channel Ge Mosfets"2015

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, C. Lee, and T. Nishimura
    • 学会等名
      228th ECS Meeting
    • 発表場所
      Phoenix, AZ (USA)
    • 年月日
      2015-10-14
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 「Critical Roles of Doped-Metal Cation in GeO2 for Gate Stack Formation on Ge」2015

    • 著者名/発表者名
      Cimang Lu, Choong Hyun Lee, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi
    • 学会等名
      第20回ゲートスタック研究会
    • 発表場所
      東レ研修センター(静岡県・三島市)
    • 年月日
      2015-01-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] "H2 Annealing Effects of Ge Substrate both on Electron Mobility and on Junction Leakage in Ge n-MOSFETs"2015

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, C. H. Lee, and T. Nishimura
    • 学会等名
      The 2015 E-MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      Lille (France)
    • 年月日
      2015-05-14
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Thermodynamic Knob for High Performance SiGe Gate Stack Formation"2015

    • 著者名/発表者名
      C.T. Chang, T. Nishimura, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2015 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター(北海道・札幌市)
    • 年月日
      2015-09-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Direct Evidence of Defect-defect Correlation in Atomically Thin MoS2 Layer by Random Telegraphic Signals Observed in Back-gated FETs"2015

    • 著者名/発表者名
      N.Fang, K.Nagashio, and A.Toriumi
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2015)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター(北海道 札幌市)
    • 年月日
      2015-09-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13941
  • [学会発表] "Interface-aware high-k dielectric designing for deep sub-nm EOT Ge gate stack"2015

    • 著者名/発表者名
      C. Lu, C. Lee, T. Nishimura, and A. Toriumi
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-14
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Design and Demonstration of Reliability-Aware Ge Gate Stacks with 0.5 nm EOT"2015

    • 著者名/発表者名
      C. Lu, C. H. Lee, T. Nishimura, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2015 Symposium on VLSI Technology
    • 発表場所
      リーガロイヤルホテル京都(京都府・京都市)
    • 年月日
      2015-06-16
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Observation of Plastic and Elastic Deformations in Ge Films of Bonded GeOI"2015

    • 著者名/発表者名
      T. Nishimura, T. Nakamura, T. Yajima, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2015 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター(北海道・札幌市)
    • 年月日
      2015-09-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 「n+Si/pGe Heterojunctions Fabricated by Narrow Membrane Bonding」2015

    • 著者名/発表者名
      Chi Liu, Shoichi Kabuyanagi, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi
    • 学会等名
      2015 第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス(神奈川県 平塚市)
    • 年月日
      2015-03-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Fabrication and Characterization of n+Si/pGe Heterojunctions by Narrow Membrane Bonding"2015

    • 著者名/発表者名
      Tony C. Liu, Shoichi Kabuyanagi, Tomonori Nishimura, and Akira Toriumi
    • 学会等名
      8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar
    • 発表場所
      TOHOKU University (Miyagi,Sendai)
    • 年月日
      2015-01-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 「電子濃度および界面の境界条件に強く依存したGeの電子構造」2015

    • 著者名/発表者名
      株柳 翔一, 西村 知紀, 矢嶋 赳彬, 鳥海 明
    • 学会等名
      第20回ゲートスタック研究会
    • 発表場所
      東レ研修センター(静岡県 三島市)
    • 年月日
      2015-01-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 「Phonon-softening in Germanium by Free Carrier Accumulation -Experimental Distinction between Impurity and Free Carrier Effect-」2015

    • 著者名/発表者名
      Shoichi Kabuyanagi, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Akira Toriumi
    • 学会等名
      2015 第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス(神奈川県 平塚市)
    • 年月日
      2015-03-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Recent progress of Ge junction technology"2015

    • 著者名/発表者名
      T. Nishimura, C. H. Lee, T. Nakamura, T. Yajima, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi
    • 学会等名
      15th International Workshop on Junction Technology (IWJT2015)
    • 発表場所
      京都大学宇治キャンパス(京都府・宇治市)
    • 年月日
      2015-06-12
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Effect of Free Carrier Accumulation or Depletion on Zone-center Vibrational Mode in Ge"2015

    • 著者名/発表者名
      S. Kabuyanagi, T. Nishimura, T. Yajima, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2015 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      リーガロイヤルホテル京都(京都府・京都市)
    • 年月日
      2015-06-15
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "How to secure both sufficient passivation and long term reliability in Ge gate stack -The key is to keep a proper network structure of oxides-"2015

    • 著者名/発表者名
      C. Lu, T. Nishimura, and A. Toriumi
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会, シンポジウム(Ge-CMOSはどこまで進んでいるのか)
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-13
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Preferential oxidation of Si in SiGe for shaping Ge-rich SiGe gate stacks"2015

    • 著者名/発表者名
      C.T. Chang, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2015 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM)
    • 発表場所
      Washington D.C. (USA)
    • 年月日
      2015-12-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 「Design of High-k and Interfacial Layer on Germanium for 0.5nm EOT」2015

    • 著者名/発表者名
      Cimang Lu, Choong Hyun Lee, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi
    • 学会等名
      2015 第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス(神奈川県 平塚市)
    • 年月日
      2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Gate-Bias Dependent Phonon Softening Observed in Ge Mosfets"2015

    • 著者名/発表者名
      S. Kabuyanagi, T. Nishimura, T. Yajimia, and A. Toriumi
    • 学会等名
      228th ECS Meeting
    • 発表場所
      Phoenix, AZ (USA)
    • 年月日
      2015-10-13
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 「Ge基板中酸素の役割-良いこと、悪いこと-」2015

    • 著者名/発表者名
      鳥海 明
    • 学会等名
      NWDTF2015 in KOCHI
    • 発表場所
      高知工科大学(高知県・高知市)
    • 年月日
      2015-12-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Direct Evidence of Freecarrier Induced Bandgap Narrowing in Ge"2015

    • 著者名/発表者名
      S. Kabuyanagi, T. Nishimura, T. Yajimia, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2015 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター(北海道・札幌市)
    • 年月日
      2015-09-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 「2-nm-EOT Y-Si-O Gate Stack Formation on Si0.5Ge0.5」2015

    • 著者名/発表者名
      CheTsung Chang, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi
    • 学会等名
      2015 第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス(神奈川県 平塚市)
    • 年月日
      2015-03-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 「Inspection of elastic stress and generated defects in thin Ge filmon GeOI wafer」2015

    • 著者名/発表者名
      Toshimitsu Nakamura, Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, Akira Toriumi
    • 学会等名
      2015 第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス(神奈川県 平塚市)
    • 年月日
      2015-03-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 「Critical Roles of Doped-Metal Cation in GeO2 for Gate Stack Formation on Ge」2015

    • 著者名/発表者名
      Cimang Lu, Choong Hyun Lee, Tomonori Nishimura, Akira Toriumi
    • 学会等名
      第20回ゲートスタック研究会
    • 発表場所
      東レ研修センター(静岡県 三島市)
    • 年月日
      2015-01-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 「Reliability-aware Germanium Gate Stack Formation by GeO2 Network Modification」2015

    • 著者名/発表者名
      Cimang Lu, Choong Hyun Lee, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi
    • 学会等名
      2015 第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス(神奈川県・平塚市)
    • 年月日
      2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] "Impact of Hydrogen-induced Out-diffusion of Oxygen from Ge Surface on Junction Leakage and Electron Mobility in Ge n-MOSFETs. "2015

    • 著者名/発表者名
      C. H. Lee, T. Nishimura, C. Lu, S. Kabuyanagi, and A. Toriumi
    • 学会等名
      8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar
    • 発表場所
      Tohoku University (Sendai, Miyagi)
    • 年月日
      2015-01-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] 「フリーキャリア密度に依存したGeの電子物性およびフォノン物性」2015

    • 著者名/発表者名
      株柳 翔一、西村 知紀、矢嶋 赳彬、鳥海 明
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Opportunities of high performance Ge CMOS"2015

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi
    • 学会等名
      Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors V
    • 発表場所
      Lake Tahoe, California (USA)
    • 年月日
      2015-06-17
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 「Ge-CMOSのためのGeO2/Ge界面制御」2015

    • 著者名/発表者名
      鳥海 明
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会, シンポジウム(越境する絶縁膜/半導体界面技術 ~ Si から Non-Si へ)
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-14
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Beyond GeO2 on Ge: Network Modification of GeO2 for Reliable Ge Gate Stacks"2015

    • 著者名/発表者名
      C. Lu, C.H. Lee, T. Nishimura, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2015 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター(北海道・札幌市)
    • 年月日
      2015-09-29
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 「1T-TaS2の相転移に対する温度およびゲートバイアス変調効果」2015

    • 著者名/発表者名
      柴山 茂久、方 楠、矢嶋 赳彬、西村 知紀、長汐 晃輔、鳥海 明
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県 名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13941
  • [学会発表] 「Reliability-aware Germanium Gate Stack Formation by GeO2 Network Modification」2015

    • 著者名/発表者名
      Cimang Lu, Choong Hyun Lee, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi
    • 学会等名
      2015 第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス(神奈川県 平塚市)
    • 年月日
      2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] Surface Cleaning of (100) n-Ge by H2O2 Aqueous Solution2014

    • 著者名/発表者名
      W. F. Zhang, C. M. Lu, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2014年 第74回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス(相模原)
    • 年月日
      2014-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] "Interface Friendly High-k Dielectrics for Sub-nm EOT Gate Stacks Formation on Germanium. "2014

    • 著者名/発表者名
      C. Lu, C. H. Lee, T. Nishimura, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2014 IEEE 45th SISC
    • 発表場所
      San Diego (USA)
    • 年月日
      2014-12-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] "Impact of YScO3 on Ge Gate Stack in Terms of EOT Reduction as Well as Interface. "2014

    • 著者名/発表者名
      C. Lu, C.H. Lee, T. Nishimura1,2, K. Nagashio and A. Toriumi
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014)
    • 発表場所
      Tsukuba International Congress Center(Tsukuba, Ibaraki)
    • 年月日
      2014-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] TiO2チャネルTFTの電界効果移動度に対する表面・粒界吸着効果の重要性2014

    • 著者名/発表者名
      矢嶋赳彬, 小池豪, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      2014年第74回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県)
    • 年月日
      2014-03-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656200
  • [学会発表] "Interface Friendly High-k Dielectrics for Sub-nm EOT Gate Stacks Formation on Germanium"2014

    • 著者名/発表者名
      C. Lu, C. H. Lee, T. Nishimura, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2014 IEEE 45th SISC
    • 発表場所
      San Diego (USA)
    • 年月日
      2014-12-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] Network modification of GeO2 by trivalent metal oxide doping2014

    • 著者名/発表者名
      C. Lu, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2014年 第74回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス(相模原)
    • 年月日
      2014-03-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] 「Improvement of High-Ns Electron Mobility in Ge n-MOSFETs with Atomically Flat GeO2/Ge Interface」2014

    • 著者名/発表者名
      李 忠賢, 西村 知紀、魯 辞莽、張 文峰、長汐 晃輔、鳥海 明
    • 学会等名
      2014年 第74回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県 相模原市)
    • 年月日
      2014-03-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 「Conduction Band Tail States at GeO2/Ge Interface Probed by InternalPhotoemission Spectroscopy」2014

    • 著者名/発表者名
      W.F. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2014年 第74回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県 相模原市)
    • 年月日
      2014-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] Mobility Enhancement in TiO2-Channel TFTs by Decreasing in-gap states in the Film and Mitigating Grain Boundary Adsorption2014

    • 著者名/発表者名
      矢嶋赳彬,小池豪,西村知紀,長汐晃輔,鳥海明
    • 学会等名
      第74回応用物理学会春期学術講演
    • 発表場所
      青山学院大学,神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656200
  • [学会発表] "Thermally Robust CMOS-aware Ge MOSFETs with High Mobility at High-carrier Densities on a Single Orientation Ge Substrate"2014

    • 著者名/発表者名
      C. H. Lee, C. Lu, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      Symposium on VLSI Technology (VLSI)
    • 発表場所
      Hawaii (USA)
    • 年月日
      2014-06-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] Mobility Enhancement in TiO2 Channel TFTs by Decreasing In-Gap States in The Film and Mitigating Grain Boundary Adsorption2014

    • 著者名/発表者名
      矢嶋赳彬, 小池豪, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      2014年第74回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県)
    • 年月日
      2014-03-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656200
  • [学会発表] "High electron mobility n-channel Ge MOSFETs with sub-nm EOT"2014

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, C. H. Lee, C. Lu, and T. Nishimura
    • 学会等名
      International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)
    • 発表場所
      Singapore
    • 年月日
      2014-06-02
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Advanced Gate Stacks on Column IV Semiconductors from Materials Perspective"2014

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi
    • 学会等名
      International Conference on IC Design and Technology (ICICDT 2014)
    • 発表場所
      Austin (USA)
    • 年月日
      2014-05-28
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Defect Generation in Mono-layer Graphene in O2-PDA and FGA. "2014

    • 著者名/発表者名
      W.J. Liu, K. Nagashio, T. Nishimura, and A. Toriumi
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014)
    • 発表場所
      Tsukuba International Congress Center(Tsukuba, Ibaraki)
    • 年月日
      2014-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12F02364
  • [学会発表] "Dramatic Effects of Hydrogen-induced Out-diffusion of Oxygen from Ge Surface on Junction Leakage as well as Electron Mobility in n-channel Ge MOSFETs"2014

    • 著者名/発表者名
      C. H. Lee, T. Nishimura, C. Lu, S. Kabuyanagi and A. Toriumi
    • 学会等名
      IEDM 2014
    • 発表場所
      San Francisco (USA)
    • 年月日
      2014-12-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] Thermodynamic selection of the desirable doping materials in GeO22014

    • 著者名/発表者名
      C. Lu, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2014年 第74回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス(相模原)
    • 年月日
      2014-03-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] Record-high Electron Mobility in Sub-nm EOT Ge n-MOSFETs with Y-dooed GeO2 Interfacial Layer2014

    • 著者名/発表者名
      李忠賢, 魯辞莽, 張文峰, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      2014年 第74回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス(相模原)
    • 年月日
      2014-03-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] 「Multiple Origins of Direct-gap Modulation in Ultra-thin Highly-doped GeOI」2014

    • 著者名/発表者名
      株柳翔一, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      2014年 第74回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県 相模原市)
    • 年月日
      2014-03-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] TiO2チャネルTFTの電界効果移動度に対する表面・粒界吸着効果の重要性2014

    • 著者名/発表者名
      矢嶋赳彬,小池豪,西村知紀,長汐晃輔,鳥海明
    • 学会等名
      第74回応用物理学会春期学術講演
    • 発表場所
      青山学院大学,神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656200
  • [学会発表] "Origin of Self-limiting Oxidation of Ge in High-Pressure O2 at Low Temperature. "2014

    • 著者名/発表者名
      C.H. Lee, T. Nishimura1,2, K. Nagashio and A. Toriumi
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014)
    • 発表場所
      Tsukuba International Congress Center(Tsukuba, Ibaraki)
    • 年月日
      2014-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] "Merits and demerits of H2-annealing in GeO2/Ge gate stacks. "2014

    • 著者名/発表者名
      T. Nishimura, S. Kabuyanagi, C. H. Lee, T. Yajima, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration
    • 発表場所
      Leuven (Belgium)
    • 年月日
      2014-11-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] 界面制御に依るVO2極薄膜の相転移温度変調2014

    • 著者名/発表者名
      矢嶋赳彬, 二宮裕磨, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      2014年第74回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県)
    • 年月日
      2014-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656200
  • [学会発表] エピタキシャルVO2薄膜中の転移応力に起因する不均質な電子層ドメイン構造2014

    • 著者名/発表者名
      二宮裕磨、矢嶋赳彬、西村知紀、長汐晃輔、鳥海明
    • 学会等名
      第74回応用物理学会春期学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学,神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656200
  • [学会発表] 「Record-high Electron Mobility in Sub-nm EOT Ge n-MOSFETs with Y-doped GeO2 Interfacial Layer」2014

    • 著者名/発表者名
      李 忠賢,魯 辞莽、張 文峰、西村 知紀、長汐 晃輔、鳥海 明
    • 学会等名
      2014年 第74回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県 相模原市)
    • 年月日
      2014-03-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 「Electron Mobility and Leakage Current in Double-gated Ge Junctionless n-MOSFETs」2014

    • 著者名/発表者名
      株柳翔一, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      2014年 第74回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県 相模原市)
    • 年月日
      2014-03-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 「Pをイオン注入したGeにおける不純物活性化と結晶性の回復過程」2014

    • 著者名/発表者名
      中村俊允、西村友紀、長汐晃輔、鳥海明
    • 学会等名
      2014年 第74回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県 相模原市)
    • 年月日
      2014-03-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 「Thermodynamic selection of the desirable doping materials in GeO2」2014

    • 著者名/発表者名
      C. Lu, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2014年 第74回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県 相模原市)
    • 年月日
      2014-03-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] Selection of desirable trivalent metal oxides as doping material into GeO22014

    • 著者名/発表者名
      C. Lu, C. H. Lee, W. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi
    • 学会等名
      7th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      東北大学、宮城県
    • 年月日
      2014-01-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] 「Surface Cleaning of (100) n-Ge by H2O2 Aqueous Solution 」2014

    • 著者名/発表者名
      W.F. Zhang, C.M. Lu, C.H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2014年 第74回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県 相模原市)
    • 年月日
      2014-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 「Network modification of GeO2 by trivalent metal oxide doping」2014

    • 著者名/発表者名
      C. Lu, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2014年 第74回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県 相模原市)
    • 年月日
      2014-03-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Atomic-scale planarization of Ge (111), (110) and (100) surfaces"2014

    • 著者名/発表者名
      T. Nishimura, C. Lee, T. Yajima, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)
    • 発表場所
      Singapore
    • 年月日
      2014-06-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] Enhancement of High-Ns Electron Mobility in Ge (111) n-MOSFETs by the Formation of Atomically Flat GeO2/Ge Interface2014

    • 著者名/発表者名
      C. H. Lee, T. Nishimura, C. Lu, W. F. Zhang, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      7th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      東北大学、宮城県
    • 年月日
      2014-01-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] "Merits and demerits of H2-annealing in GeO2/Ge gate stacks"2014

    • 著者名/発表者名
      T. Nishimura, S. Kabuyanagi, C. H. Lee, T. Yajima, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration
    • 発表場所
      Leuven (Belgium)
    • 年月日
      2014-11-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] Defect generation in mono-and bi-layer graphene in O2 annealing2014

    • 著者名/発表者名
      W. J. Liu, K. Nagashio, A. Toriumi
    • 学会等名
      2014年 第74回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県)
    • 年月日
      2014-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12F02364
  • [学会発表] "Be more positive about Ge FETs"2014

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi
    • 学会等名
      AWAD 2014
    • 発表場所
      Kanazawa Bunka Hall (Ishikawa, Kanazawa)
    • 年月日
      2014-07-03
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] " Thermally Robust CMOS-aware Ge MOSFETs with High Mobility at High-carrier Densities on a Single Orientation Ge Substrate"2014

    • 著者名/発表者名
      C. H. Lee, C. Lu, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      Symposium on VLSI Technology (VLSI)
    • 発表場所
      Honolulu (USA)
    • 年月日
      2014-06-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] Improvement of High-Ns Electron Mobility in Ge n-MOSFETs with Atomically Flat GeO2/Ge Interface2014

    • 著者名/発表者名
      李忠賢, 西村知紀, 魯辞莽, 張文峰, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      2014年 第74回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス(相模原)
    • 年月日
      2014-03-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] "High Electron Mobility n-Channel Ge MOSFETs with Sub-Nm EOT"2014

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, C. Lee, C. Lu, and T. Nishimura
    • 学会等名
      ECS 226th Meeting
    • 発表場所
      Cuncun (Mexico)
    • 年月日
      2014-10-06
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Dramatic Effects of Hydrogen-induced Out-diffusion of Oxygen from Ge Surface on Junction Leakage as well as Electron Mobility in n-channel Ge MOSFETs. "2014

    • 著者名/発表者名
      C. H. Lee, T. Nishimura, C. Lu, S. Kabuyanagi and A. Toriumi
    • 学会等名
      IEDM 2014
    • 発表場所
      San Francisco (USA)
    • 年月日
      2014-12-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] 界面制御によるVO2薄膜の相転移温度変調2014

    • 著者名/発表者名
      矢嶋赳彬、二宮裕磨、西村知紀、長汐晃輔、鳥海明
    • 学会等名
      第74回応用物理学会春期学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学,神奈川
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656200
  • [学会発表] エピタキシャルVO2薄膜中の転移応力に起因する不均質な電子相ドメイン構造2014

    • 著者名/発表者名
      二宮裕磨, 矢嶋赳彬, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      2014年第74回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県)
    • 年月日
      2014-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656200
  • [学会発表] " Significant enhancement of High-Ns Electron Mobility in Ge n-MOSFETs with Atomically Flat Ge/GeO2 Interface"2014

    • 著者名/発表者名
      C. H. Lee, T. Nishimura, C. Lu, W. Zhang, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      The 225th Electrochemical Society Meeting (ECS)
    • 発表場所
      Orlando (USA)
    • 年月日
      2014-05-13
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] 「Atomically Flat Planarization of Ge (110) and (100) Surface by H2 Annealing」2013

    • 著者名/発表者名
      西村知紀, 矢嶋赳彬, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス(京都府, 京田辺市)
    • 年月日
      2013-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Enhancement of High-Ns Electron Mobility in Sub-nm EOT Ge n-MOSFETs"2013

    • 著者名/発表者名
      C.H. Lee, C. Lu, T. Tabata, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2013 Symposia on VLSI Technology
    • 発表場所
      Rihga Royal Hotel (Kyoto, Kyoto)
    • 年月日
      2013-06-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 酸素雰囲気熱処理によるTiO2チャネルTFT閾値電圧の大幅減少2013

    • 著者名/発表者名
      小池豪, 矢嶋赳彬, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      2013年第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(神奈川県)
    • 年月日
      2013-03-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656200
  • [学会発表] "Atomically Flat Germanium (111) Surface by Hydrogen Annealing"2013

    • 著者名/発表者名
      T. Nishimura, S. Kabuyanagi, C. H. Lee, T. Yajima, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      224th ECS Meeting
    • 発表場所
      San Francisco (USA)
    • 年月日
      2013-10-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 「Oxygen Potential Lowering in N-doped GeO2 for Ge MIS Gate Stack Design in Extremely Thin EOT Region 」2013

    • 著者名/発表者名
      田畑俊行, 李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス(京都府, 京田辺市)
    • 年月日
      2013-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Oxygen Potential Engineering of Interfacial Layer for Deep Sub-nm EOT High-k Gate Stacks on Ge"2013

    • 著者名/発表者名
      C.-H. Lee, C. Lu, T. Tabata, W. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio, A. Toriumi
    • 学会等名
      IEEE International Electron Device Meeting (IEDM)
    • 発表場所
      Washington DC (USA)
    • 年月日
      2013-12-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 相選択エッチングによる100nm幅VO2ナノワイヤの作製2013

    • 著者名/発表者名
      矢嶋赳彬、二宮裕磨、西村知紀、長汐晃輔、鳥海明
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋期学術講演会
    • 発表場所
      同志社大,京都
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656200
  • [学会発表] 相選択エッチングによる100nm幅VO2ナノワイヤの作製2013

    • 著者名/発表者名
      矢嶋赳彬, 二宮裕磨, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス(京都府)
    • 年月日
      2013-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656200
  • [学会発表] "Reconsideration of Electron Mobility in Ge n-MOSFETs from Ge Substrate Side -Atomically Flat Surface Formation, Layer-by-Layer Oxidation, and Dissolved Oxygen Extraction-"2013

    • 著者名/発表者名
      C.H. Lee, T. Nishimura, T.Tabata, C. Lu, W. Zhang, K. Nagashio, A. Toriumi
    • 学会等名
      IEEE International Electron Device Meeting (IEDM)
    • 発表場所
      Washington DC (USA)
    • 年月日
      2013-12-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] High-mobility TiO2-channel TFTs with Optimized Anatase Microstructures2013

    • 著者名/発表者名
      T. Yajima, G. Oike, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi
    • 学会等名
      International Conference on Solid-state Devices and Materials
    • 発表場所
      Hilton Fukuoka Sea Hawk , Fukuoka
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656200
  • [学会発表] アナターゼ結晶相の微細構造制御によるTiO2チャネルTFTの高移動度化2013

    • 著者名/発表者名
      矢嶋赳彬, 小池豪, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      2013年第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(神奈川県)
    • 年月日
      2013-03-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656200
  • [学会発表] Effects of the Interface-related and Bulk-fixed Charges in Ge/GeO2 Stack on Band Bending of Ge Studied by X-ray Photoemission Spectroscopy2013

    • 著者名/発表者名
      W. F. Zhang, C. H. Lee, C. M. Lu, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita and A. Toriumi
    • 学会等名
      2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      ヒルトン福岡シーホーク(福岡)
    • 年月日
      2013-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] "Effects of the Interface-related and Bulk-fixed Charges in Ge/GeO2 Stack on Band Bending of Ge Studied by X-ray Photoemission Spectroscopy"2013

    • 著者名/発表者名
      W.F. Zhang, C.H. Lee, C.M. Lu, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita and A. Toriumi
    • 学会等名
      2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      Hilton Fukuoka Sea Hawk (Fukuoka, Fukuoka)
    • 年月日
      2013-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Charge neutrality level shift in the Bardeen limit of Fermi-level pinning at atomically flat Ge/metal interface"2013

    • 著者名/発表者名
      T. Nishimura, T. Nakamura, T. Yajima, K. Nagashio and A.Toriumi
    • 学会等名
      2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      Hilton Fukuoka Sea Hawk (Fukuoka, Fukuoka)
    • 年月日
      2013-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] Atomically Flat Germanium (111) Surface by Hydrogen Annealing2013

    • 著者名/発表者名
      T. Nishimura, S. Kabuyanagi C. H. Lee, T. Yajima, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      224th ECS Meeting
    • 発表場所
      サンフランシスコ、USA
    • 年月日
      2013-10-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] "Effects of PDA Ambient on Leakage Current in Poly-Ge TFTs"2013

    • 著者名/発表者名
      S. Kabuyanagi, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      ICSI-8 and ISCSI-VI
    • 発表場所
      Kyushu University School of Medicine (Fukuoka, Fukuoka)
    • 年月日
      2013-06-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] Ion Implantation-Induced Defects Generated in PN Junction For mation of Germanium2013

    • 著者名/発表者名
      C. H. Lee, T. Nishimura, T., Tabata, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      ICSI-8 and ISCSI-VI
    • 発表場所
      九州大学(福岡)
    • 年月日
      2013-06-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] Effect of Oxygen Potential Lowering in N-doped GeO2 on Suppression of GeO Desorption and Planarization of Ge Interface2013

    • 著者名/発表者名
      T. Tabata, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi
    • 学会等名
      2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      ヒルトン福岡シーホーク(福岡)
    • 年月日
      2013-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] 「多結晶Ge薄膜トランジスタの電気特性に及ぼす水素および酸素の影響」2013

    • 著者名/発表者名
      株柳翔一, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス(京都府, 京田辺市)
    • 年月日
      2013-09-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] High-Mobility TiO2-Channel TFTs with Optimized Anatase Microstructures2013

    • 著者名/発表者名
      T. Yajima, G. Oike, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi
    • 学会等名
      2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      Hilton Fukuoka Sea Hawk(Fukuoka)
    • 年月日
      2013-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656200
  • [学会発表] Significant Enhancement of High-Ns electron mobility in Ge n-MOSFETs2013

    • 著者名/発表者名
      李忠賢, 魯辞莽, 田畑俊行, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス(京都))
    • 年月日
      2013-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] Significant Conductivity Enhancement of TiO2 Films by Both Field Effect and Chemical Doping2013

    • 著者名/発表者名
      G. Oike, T. Yajima, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi
    • 学会等名
      2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      Hilton Fukuoka Sea Hawk(Fukuoka)
    • 年月日
      2013-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656200
  • [学会発表] Arスパッタによって形成されたHfO2薄膜中のArが結晶化相変態に与える影響2013

    • 著者名/発表者名
      岩井貴雅, 矢嶋赳彬, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第18回研究会)
    • 発表場所
      ニューウェルシティ湯河原(神奈川県)
    • 年月日
      2013-01-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656200
  • [学会発表] "Ion Implantation-Induced Defects Generated in PN Junction Formation of Germanium"2013

    • 著者名/発表者名
      C. H. Lee, T. Nishimura, T. Tabata, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      ICSI-8 and ISCSI-VI
    • 発表場所
      Kyushu University School of Medicine (Fukuoka, Fukuoka)
    • 年月日
      2013-06-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] Ultra-thin GeO2 Formation by Oxygen Radicals (0*) for Advanced Ge Gate Stacks - Reaction kinetics, film quality and MIS characteristics -2013

    • 著者名/発表者名
      W. J. Song, W. F. Zhang, C. H. Lee, T. Nishimura, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2013 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      リーガロイヤルホテル京都(京都)
    • 年月日
      2013-06-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] "Thermodynamic consideration and experimental demonstration for solving the problems of GeO2 solubility in H2O and GeO desorption from GeO2/Ge"2013

    • 著者名/発表者名
      C. Lu, C.H. Lee, W.F.Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      Hilton Fukuoka Sea Hawk (Fukuoka, Fukuoka)
    • 年月日
      2013-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Study of Strong Fermi Level Pinning at Metal/Germanium Interface Based on the Impact of Ultra-thin Insulator Insertion"2013

    • 著者名/発表者名
      T. Nishimura, T. Nakamura, and A. Toriumi
    • 学会等名
      ICSI-8 and ISCSI-VI
    • 発表場所
      Kyushu University School of Medicine (Fukuoka, Fukuoka)
    • 年月日
      2013-06-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] cubic相HfO2薄膜の室温における安定化機構の検討2013

    • 著者名/発表者名
      岩井貴雅, 矢嶋赳彬, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      2013年第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(神奈川県)
    • 年月日
      2013-03-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656200
  • [学会発表] High Electron Mobility (>16 cm2/Vsec) FETs with High On/Off Ratio (>106) and Highly Conductive Films (σ>102 S cm) by Chemical Doping in Very Thin (~20 nm) TiO2 Films on Thermally Grown SiO22013

    • 著者名/発表者名
      G. Oike, T. Yajima, T. Nishimura, K. Nagashio, A. Toriumi
    • 学会等名
      IEDM 2013
    • 発表場所
      Washington DC, USA.
    • 年月日
      2013-12-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656200
  • [学会発表] "Demonstration of High Electron Mobility in Germanium n-channel Junctionless FETs"2013

    • 著者名/発表者名
      S. Kabuyanagi, T. Nishimura, K.Nagashio and A.Toriumi
    • 学会等名
      2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      Hilton Fukuoka Sea Hawk (Fukuoka, Fukuoka)
    • 年月日
      2013-09-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Layer-by-Layer GeO2 Formation in the Self-Limited Oxidation Regime of Ge"2013

    • 著者名/発表者名
      C.H. Lee, T. Nishimura, T. Tabata, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      Hilton Fukuoka Sea Hawk (Fukuoka, Fukuoka)
    • 年月日
      2013-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] Enhancement of High-Ns Electron Mobility in Sub-nm EOT Ge n-MOSFETs2013

    • 著者名/発表者名
      C. H. Lee, C. Lu, T. Tabata, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2013 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      リーガロイヤルホテル京都(京都
    • 年月日
      2013-06-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] High Mobility Polycrystalline TiO2-Channel Field Effect Transistor2013

    • 著者名/発表者名
      T. Yajima, G. Oike, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi
    • 学会等名
      Workshop on Oxide Electronics20
    • 発表場所
      Singapore
    • 年月日
      2013-09-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656200
  • [学会発表] High mobility Polyrystalline TiO2 Channel Field Effect Transistor2013

    • 著者名/発表者名
      T. Yajima, G. Oike, T. Nishimura, K. Nagashio, A. Toriumi
    • 学会等名
      Workshop on Oxide Electronics 20 (WOE20)
    • 発表場所
      National University, Singapore
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656200
  • [学会発表] "High Electron Mobility in Germanium Junctionless n-MOSFETs"2013

    • 著者名/発表者名
      Shoichi Kabuyanagi, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio and Akira Toriumi
    • 学会等名
      224th ECS Meeting
    • 発表場所
      San Francisco (USA)
    • 年月日
      2013-10-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] Singnificant Conductivity Enhancement of TiO2 Films by Both Field Effect and Chemical Doping2013

    • 著者名/発表者名
      G. Oike, T. Yajima, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi
    • 学会等名
      International Conference on Solid-state Devices and Materials
    • 発表場所
      Hilton Fukuoka Sea Hawk , Fukuoka
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656200
  • [学会発表] TiO2チャネルTFT特性に及ぼす酸素雰囲気熱処理の特異な効果2013

    • 著者名/発表者名
      小池豪, 矢嶋赳彬, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第18回研究会)
    • 発表場所
      ニューウェルシティ湯河原(神奈川県)
    • 年月日
      2013-01-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656200
  • [学会発表] Layer-by-Layer GeO2 Formation in the Self-Limited Oxidation Regime of Ge2013

    • 著者名/発表者名
      C. H. Lee, T. Nishimura, T. Tabata, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      ヒルトン福岡シーホーク(福岡)
    • 年月日
      2013-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] Thermodynamic consideration and experimental demonstration for solving the problems of GeO2 solubility in H2O and GeO desorption from GeO2/Ge2013

    • 著者名/発表者名
      C. Lu, C. H. Lee, W. F. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      ヒルトン福岡シーホーク(福岡)
    • 年月日
      2013-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] Y ドープGeO2 界面層のY 濃度に依存した界面酸化膜形成2013

    • 著者名/発表者名
      Lu Cimang, 李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス(京都))
    • 年月日
      2013-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] High Electron Mobility (>16 cm2/Vsec) FETs with High On/Off Ratio (>106)2013

    • 著者名/発表者名
      G. Oike, T. Yajima, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi
    • 学会等名
      International Electron Device Meeting (IEDM)
    • 発表場所
      Wshington.D.C, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656200
  • [学会発表] 「Y ドープGeO2 界面層のY 濃度に依存した界面酸化膜形成」2013

    • 著者名/発表者名
      Lu Cimang, 李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス(京都府, 京田辺市)
    • 年月日
      2013-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "High performance Ge n- and p-MOSFETs for advanced CMOS"2013

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, C. H. Lee, T. Tabata, and T. Nishimura
    • 学会等名
      E-MRS 2013 SPRING MEETING
    • 発表場所
      Strasbourg (France)
    • 年月日
      2013-05-27
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Ultra-thin GeO2 Formation by Oxygen Radicals (O*) for Advanced Ge Gate Stacks - Reaction kinetics, film quality and MIS characteristics -"2013

    • 著者名/発表者名
      W. J. Song, W. F. Zhang, C. H. Lee, T. Nishimura, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2013 Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Rihga Royal Hotel (Kyoto, Kyoto)
    • 年月日
      2013-06-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 「Significant Enhancement of High-Ns electron mobility in Ge n-MOSFETs」2013

    • 著者名/発表者名
      李忠賢, 魯辞莽, 田畑俊行, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス(京都府, 京田辺市)
    • 年月日
      2013-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] High performance Ge n- and p-MOSFETs for advanced CMOS2013

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, C. H. Lee, T. Tabata, and T. Nishimura
    • 学会等名
      E-MRS 2013 SPRING MEETING
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • 年月日
      2013-05-27
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] "Effect of Oxygen Potential Lowering in N-doped GeO2 on Suppression of GeO Desorption and Planarization of Ge Interface",2013

    • 著者名/発表者名
      T. Tabata, C.H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi
    • 学会等名
      2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      Hilton Fukuoka Sea Hawk (Fukuoka, Fukuoka)
    • 年月日
      2013-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] Epitaxial CVD graphene growth on Cu/mica for gate stack research2013

    • 著者名/発表者名
      J. L. Qi, K. Nagashio1, W. J. Liu, T. Nishimura and A. Toriumi
    • 学会等名
      2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      ヒルトン福岡シーホーク(福岡県)
    • 年月日
      2013-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12F02364
  • [学会発表] Oxygen Potential Lowering in N-doped GeO2 for Ge MIS Gate Stack Desian in Extremely Thin EOT Region2013

    • 著者名/発表者名
      田畑俊行, 李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス(京都))
    • 年月日
      2013-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-13F03058
  • [学会発表] "Impact of Oxidation Pressure on the Band Alignment at GeO2/GeProbed by Internal Photoemission Spectroscopy"2013

    • 著者名/発表者名
      W.F. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi
    • 学会等名
      ICSI-8 and ISCSI-VI
    • 発表場所
      Kyushu University School of Medicine (Fukuoka, Fukuoka)
    • 年月日
      2013-06-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] 熱処理雰囲気の違いによる結晶化HfO2薄膜相変態速度への影響2012

    • 著者名/発表者名
      岩井貴雅, 中嶋泰大, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Role of Ar on Structual Phase Transformation of Sputtered HfO22012

    • 著者名/発表者名
      T. Iwai, Y. Nakajima, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      京都国際会館(京都府)
    • 年月日
      2012-09-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656200
  • [学会発表] SiO2/high-k/SiO2/Siゲートスタック構造による界面ダイポール効果の打ち消し-カウンターダイポール効果の実証-2012

    • 著者名/発表者名
      日比野真也, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
    • 学会等名
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] HfO2におけるcubic相からmonoclinic相への結晶相変態過程の速度論的解析2012

    • 著者名/発表者名
      中嶋泰大, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第17回研究会)
    • 発表場所
      東レ総合研究センター(静岡県)(招待講演)
    • 年月日
      2012-01-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] 速度論的考察に基づく良好なSiC/SiO2界面形成2012

    • 著者名/発表者名
      中坪俊, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
    • 学会等名
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] HfO2のcubic相からmonoclinic相への相変態機構に及ぼす酸素の効果2012

    • 著者名/発表者名
      中嶋泰大, 岩井貴雅, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2012-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] AlN/Ge MISゲートスタックにおける高圧窒素アニールの効果2012

    • 著者名/発表者名
      田畑俊行, 李忠賢, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
    • 学会等名
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Counter Dipole Layer Formation in SiO2/High-­k/SiO2/Si Gate Stacks2012

    • 著者名/発表者名
      S. Hibino, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2012 IEEE Silicon Nano electronics Workshop
    • 発表場所
      Hilton Hawaiian Village ,Hawaii, U.S.A.
    • 年月日
      2012-01-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656200
  • [学会発表] Control of Ge/High-k Interface for Ge CMOS Technology2012

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, S.K.Wang, T.Tabata, C.H.Lee, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
    • 学会等名
      39th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-39)
    • 発表場所
      La Fonda Hotel, Santa Fe (U.S.A.)(招待講演)
    • 年月日
      2012-01-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Control of Ge/High-k Interface for Ge CMOS Technology(invited)2012

    • 著者名/発表者名
      K. Kita, S. K. Wang, T. Tabata, C. H. Lee, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi
    • 学会等名
      39th Conf. Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces,(PCSI-39)
    • 発表場所
      Santa Fe, USA
    • 年月日
      2012-01-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Counter Dipole Layer Formation in SiO_2/High-k/SiO_2/Si Gate Stacks2012

    • 著者名/発表者名
      S. Hibino, T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita and A. Toriumi
    • 学会等名
      Silicon Nanoelectronics Workshop(2012)
    • 発表場所
      Honolulu, USA
    • 年月日
      2012-06-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Thermodynamic Control of Interface Layer Formation in High-k Gate Stacs on 4H-SiC2011

    • 著者名/発表者名
      S.Nakatsubo, T.Nishimura, K.Kita, K.Nagashio, A.Toriumi
    • 学会等名
      2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      WINC AICHI, Nagoya (Aichi)
    • 年月日
      2011-09-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] lnterface Layer Scavenging and Defect Generation in LaLuO3/Ge MIS Gate Stack2011

    • 著者名/発表者名
      T.Tabata, C.H.Lee, K.Kita, A.Toriumi
    • 学会等名
      2011 International Workshop on Dielectric Thin Film for Future Electron Devices(IWDTF2011)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2011-01-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Demonstration of Very High-k HfO2(k~50)by Suppressing Martensitic Transformation in Thin Dielectric Films2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Nakajima, K.Kita, T, Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
    • 学会等名
      2011 International Workshop on Dielectric Thin Film for Future Electron Devices(IWDTF2011)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2011-01-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Material Potential and Scalability Challenges of Germanium CMOS2011

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi, C.H.Lee, S.K.Wang, T.Tabata, M.Yoshida, D.D.Zhao, T.Nishimura, K.Kita, K.Nagashio
    • 学会等名
      2011 IEEE International Electron Device Meeting (IEDM2011)
    • 発表場所
      Hilton Washington Hotel, Washington DC (U.S.A.)(招待講演)
    • 年月日
      2011-12-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Phase Transformation Kinetics of HfO_2 Polymorphs in Ultra-Thin Region2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Nakajima, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      2011 Symposia on VLSI Technology
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      2011-06-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Phase Transformation Kinetics of HfO2 Polymorphs in Ultra-Thin Region2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Nakajima, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
    • 学会等名
      2011 Symposia on VLSI Ttechnology
    • 発表場所
      Rihga Royal Hotel Kyoto, (Kyoto)
    • 年月日
      2011-06-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Material Potential and Scalability Challenges of Germanium CMOS2011

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, C. H. Lee, S. K. Wang, T. Tabata, M. Yoshida, D. D. Zhao, T. Nishimura, K. Kita, and K. Nagashio
    • 学会等名
      2011 IEEE International Electron Device Mtg.(IEDM2011)
    • 発表場所
      Washington DC, USA
    • 年月日
      2011-12-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Opportunities for Phase-controlled Higher-k HfO22011

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi, Y.Nakajima, K.Kita
    • 学会等名
      220th ECS Meeting
    • 発表場所
      Westin Boston Waterfront, Boston (U.S.A.)(招待講演)
    • 年月日
      2011-10-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] 1.2 nm-EOT Al2O3 /Ge Gate Stack with GeO X-free Interface2011

    • 著者名/発表者名
      T.Tabata, C.H.Lee, T.Nishimura, S.K.Wang, K.Kita, A.Toriumi
    • 学会等名
      2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      WINC AICHI, Nagoya (Aichi)
    • 年月日
      2011-09-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Kinetic Effects of Oxygen Vacancy Formed by GeO2/Ge Interfacial Reaction2011

    • 著者名/発表者名
      S.K.Wang, K.Kita, T, Nishimura, K.Nagashio, A, Toriumi
    • 学会等名
      2011 International Workshop on Dielectric Thin Film for Future Electron Devices(IWDTF2011)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2011-01-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Design of Interfacing Fields for Advanced Electron Devices2010

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi
    • 学会等名
      International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics(ISTESNE)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2010-06-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Direct LaLuO3/Ge Gate Stack Formation by Interface Layer Scavenging and Subsequent Low Temperature O2 Annealing2010

    • 著者名/発表者名
      T.Tabata, C.H.Lee, K.Kita, A.Toriumi
    • 学会等名
      The 218th Electrochemical Society Meeting
    • 発表場所
      Las Vegas, U.S.A
    • 年月日
      2010-10-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] XPSで決定するHigh-k絶縁膜価電子帯エネルギー準位の定量的再検討2010

    • 著者名/発表者名
      近田侑吾, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
    • 発表場所
      三島
    • 年月日
      2010-01-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Experimental Demonstration of Higher-k Phase Hf02 through Non-equilibrium Thermal Treatment2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nakajima, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
    • 学会等名
      217th ECS Meeting
    • 発表場所
      Vancouver, Canada
    • 年月日
      2010-04-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Effects of GeO2-Metal Interaction on VFB of GeO2 MIS Gate Stacks2010

    • 著者名/発表者名
      F.I.Alzakia, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Devices andMaterials(SSDM)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Formation of Dipole Layers at Oxide Interfaces in High-k Gate Stacks2010

    • 著者名/発表者名
      K. Kita, L. Q. Zhu, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      218th ECS Mtg.
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • 年月日
      2010-10-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] High-k材料固有のバンド端エネルギー準位のXPSによる定量的評価2010

    • 著者名/発表者名
      近田侑吾, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川
    • 年月日
      2010-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] UV分光エリプソメトリを用いた複素屈折率測定に基づくGe上GeO2薄膜の欠陥評価2010

    • 著者名/発表者名
      吉田まほろ, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
    • 発表場所
      三島
    • 年月日
      2010-01-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Ge/GeO2界面から脱離するGeOのTDSによる解析2010

    • 著者名/発表者名
      王盛凱, 喜多浩之, 田畑俊行, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
    • 発表場所
      三島
    • 年月日
      2010-01-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] 極薄TiO2膜の挿入による金属/n-Ge接合におけるオーミック接合の形成2010

    • 著者名/発表者名
      西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of dipole Effects at High-k/SiO2 Interface2010

    • 著者名/発表者名
      L..Q.Zhu, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, S.K.Wang, A.Toriumi
    • 学会等名
      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
    • 発表場所
      三島
    • 年月日
      2010-01-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] GeO Desorption Mechanism from GeO2/Ge Stack Determined by 73Ge Labeling Technique in Thermal Desorption Spectroscopy(TDS)Analysis2010

    • 著者名/発表者名
      S.K.Wang, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] GeO2形成時の高圧酸化と1気圧酸化の本質的な違い-バルクGeO2膜とGeO2/Ge界面の独立な制御-2010

    • 著者名/発表者名
      李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
    • 学会等名
      2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] TO-and LO-mode analyses in asymmetric stretching vibrations in ultra thinthermally grown GeO2 on Ge substrate2010

    • 著者名/発表者名
      M.Yoshida, T.Nishimura, C.H.Lee, K.Kita, K.Nagashio , A.Toriumi
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2010-09-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] 「High-k/SiO2界面に形成されるダイポールの起源」(招待)2010

    • 著者名/発表者名
      喜多浩之, 鳥海明
    • 学会等名
      ゲートスタック研究-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
    • 発表場所
      三島
    • 年月日
      2010-01-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Interfacial dipoles at high-k/SiO2 interface observed by X-ray Photoelectron Spectroscopy2010

    • 著者名/発表者名
      竺立強, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川
    • 年月日
      2010-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Internal Photo Emission測定における絶縁膜電界の決定方法2010

    • 著者名/発表者名
      鷹本靖欣, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Stability origin of metastable higher-k phase HfO2 at room temperature2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nakajima, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2010-09-23
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Advantage of High-pressure Oxidation for Ge/GeO2 Stack Formation2010

    • 著者名/発表者名
      C.H.Lee, T.Nishimura, T.Tabata, S.Wang, K.Nagashio, K.Kita, A.Toriumi
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Devices andMaterials(SSDM)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2010-09-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Oxidation, Diffusion and Desorption in Ge/GeO2 System2010

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi, S.K.Wang, C.H.Lee, M.Yoshida, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio
    • 学会等名
      217th ECS Meeting
    • 発表場所
      Vancouver, Canada
    • 年月日
      2010-04-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Formation of Dipole Layers at Oxide Interfaces in High-k Gate Stacks2010

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, L.Q.Zhu T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
    • 学会等名
      The 218th Electrochemical Society Meeting
    • 発表場所
      Las Vegas, U.S.A
    • 年月日
      2010-10-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] GeO2 MISスタックのフラットバンド電圧に対するGeO2/メタル界面の影響2010

    • 著者名/発表者名
      喜多浩之, 西村知紀, 李忠賢, アルザキアファド, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Direct LaLuO3/Ge Gate Stack Formation by Interface Layer Scavenging and Subsequent Low Temperature O2 Annealing2010

    • 著者名/発表者名
      T. Tabata, C. H. Lee, K. Kita, and A. Toriumi
    • 学会等名
      218th ECS Mtg.
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • 年月日
      2010-10-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] 高圧O2熱処理がGe/GeO2に及ぼす影響2010

    • 著者名/発表者名
      吉田まほろ, 喜多浩之, 李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Ge/GeO2界面反応の理解に基づいたGeO2膜物性の制御とGe-MOSFETの性能向上2010

    • 著者名/発表者名
      喜多浩之, 王盛凱, 李忠賢, 吉田まほろ, 西村知紀, 長汐晃浦, 鳥海明
    • 学会等名
      電気気学会 電子デバイス研究会 EDD-10-037
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2010-03-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] ヘテロ界面に於けるバンドオフセットの決定に向けたInternal Photo Emission法の詳細検討2010

    • 著者名/発表者名
      鷹本靖欣, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜之浩之, 鳥海明
    • 学会等名
      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第16回研究会)
    • 発表場所
      三島
    • 年月日
      2010-01-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Experimental Demonstration of Higher-k Phase HfO2 through non-equilibrium Thermal Treatment2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Nakajima, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      217th ECS Mtg.
    • 発表場所
      Vancouver, Canada
    • 年月日
      2010-04-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] 「Ge CMOSの可能性と課題」(招待)2010

    • 著者名/発表者名
      鳥海明, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃浦
    • 学会等名
      2010春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川
    • 年月日
      2010-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Feasibility of Ge CMOS for Beyond Si-CMOS2010

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi, C.H.Lee, T.Nishimura, K.Kita, S.K.Wang, M.Yoshida, K.Nagashio
    • 学会等名
      The 218th Electrochemical Society Meeting
    • 発表場所
      Las Vegas, U.S.A
    • 年月日
      2010-10-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] 低圧酸素雰囲気下におけるGe表面の活性酸化2010

    • 著者名/発表者名
      王盛凱, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川
    • 年月日
      2010-03-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] X-ray Photoelectron spectroscopy study of dipole effects at HfO2/SiO2/Si stacks2009

    • 著者名/発表者名
      L.Q.Zhu, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, S.K.Wang, A.Toriumi
    • 学会等名
      Int.conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      2009-10-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] 「Ge-CMOSをめざした固相界面場制御」(招待)2009

    • 著者名/発表者名
      鳥海明, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔
    • 学会等名
      2009年秋季70回応用物理学会学術講演会 シンポジウム『シリコンナノエレクトロニクスの新展開』
    • 発表場所
      富山
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] 180 isotope tracing of GeO Desorption from GeO2/Ge Structure2009

    • 著者名/発表者名
      S.Wang, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
    • 学会等名
      Int.conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      2009-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Thermodynamics and kinetics for suppression of GeO desorption by high pressure oxidation of Ge2009

    • 著者名/発表者名
      K.Nagashio, T.Nishimura, K.Kita, A.Toriumi
    • 学会等名
      MRS spring meeting
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • 年月日
      2009-04-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] GeO2膜のサブギャップ光吸収とGeO脱離量の相関の考察2009

    • 著者名/発表者名
      喜多浩之, 吉田まほろ, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      2009年秋季 70回 応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山
    • 年月日
      2009-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] On the Origin of Anomalous VTH Shift in high-k MOSFETs2009

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi and K. Kita
    • 学会等名
      215th ECS Mtg.
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • 年月日
      2009-05-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Ge高圧酸化におけるGeO脱離抑制に対する全圧と分圧の違い2009

    • 著者名/発表者名
      李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
    • 学会等名
      2009年秋季 70回 用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山
    • 年月日
      2009-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] GeO2膜のアニール後に観測されるサブギャップ抑制のための高圧酸素圧力の定量化2009

    • 著者名/発表者名
      吉田まほろ, 喜多浩之, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      2009年秋季 70回 応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山
    • 年月日
      2009-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Sub-gap Formation and Its Annihilation in Energy Band Gap of GeO2 by Changing O2 Pressure in PDA Process2009

    • 著者名/発表者名
      M.Yoshida, K.Kita, K.Nagashio, T.Nishimura, A.Toriumi
    • 学会等名
      40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference(SISC2009)
    • 発表場所
      Arlington, USA
    • 年月日
      2009-12-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Ge/GeO2からのGeO脱離における活性化エネルギーのTDSによる評価2009

    • 著者名/発表者名
      王盛凱, 喜多浩之, 李忠賢, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
    • 学会等名
      2009年秋季 70回 応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山
    • 年月日
      2009-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Local GeO2 Doping at LaLuO3/Ge Interface for Direct High-k/Ge Gate Stacks2009

    • 著者名/発表者名
      T.Tabata, C.H.Lee, K.Kita, A.Toriumi
    • 学会等名
      40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference(SISC2009)
    • 発表場所
      Arlington, USA
    • 年月日
      2009-12-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Ge/GeO2 Interface Control with High Pressure Oxidation for Improving Electrical Characteristics2009

    • 著者名/発表者名
      C.H.Lee, T.Tabata, T.Nishimura, K.Nagashio, K.Kita, A.Toriumi
    • 学会等名
      215th Meeting, The Electrochemical Society
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • 年月日
      2009-05-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] "Material Science of Metal/High-k Gate Stack for Advanced CMOS"(invited)2009

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi
    • 学会等名
      1st International Workshop on Si based nano-electronics and-photonics
    • 発表場所
      Vigo, Spain
    • 年月日
      2009-09-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Kinetic Study of GeO Desorption from Ge/GeO2 system2009

    • 著者名/発表者名
      S.K.Wang, K.Kita, C.H.Lee, T.Tabata, K.Nagashio, T.Nishimura, A.Toriumi
    • 学会等名
      40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference(SISC2009)
    • 発表場所
      Arlington, USA
    • 年月日
      2009-12-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] "Control of Properties of GeO2 Films and Ge/GeO2 Interfaces by the Suppression of GeO Volatilization"(invited)2009

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, C.Lee, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
    • 学会等名
      215th Meeting, The Electrochemical Society
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • 年月日
      2009-05-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] "Anomalous VFB Shift in High-k Gate Stacks-Is its origin at the top or bottom interface?-"(invited)2009

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi, T.Nabatame
    • 学会等名
      216th The Electrochemical Society Meeting
    • 発表場所
      Vienna, Austria
    • 年月日
      2009-10-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Study of La-doped GeO2 Films from Defect Annihilation Viewpoint2009

    • 著者名/発表者名
      T.Tabata, K.Kita, A.Toriumi
    • 学会等名
      Int.conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      2009-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] 「Much More Mooreに向けたHigh-k技術」(招待)2009

    • 著者名/発表者名
      鳥海明
    • 学会等名
      2009年秋季 70回 用物理学会学術講演会 シンポジウム『High-kゲートスタック研究を振り返り次のステップヘ』
    • 発表場所
      富山
    • 年月日
      2009-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] "Opportunities and Challenges for Ge CMOS-Control of interfacing fields on Ge is a key-"(invited)2009

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi, T.Tabata, C.H.Lee, T.Nishimura, K.Kita, K.Nagashio
    • 学会等名
      INFOS2009
    • 発表場所
      Cambridge, UK
    • 年月日
      2009-06-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] On the Origin of Anomalous VTH Shift in high-k MOSFETs2009

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, K. Kita
    • 学会等名
      215th Meeting, The Electrochemical Society
    • 発表場所
      USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] 金属/Ge界面におけるショットキー障壁高さのGeO2導入効果-膜厚及び金属による違い-2009

    • 著者名/発表者名
      西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
    • 学会等名
      2009年秋季 70回 用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Anomalous VFB Shift in High-k Gate Stacks-Is its origin at the top or bottom interface?2009

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi and T. Nabatame
    • 学会等名
      216th ECS Mtg.
    • 発表場所
      Vienna, Austria
    • 年月日
      2009-10-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] 金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性2009

    • 著者名/発表者名
      西村知紀, 長汐晃輔, 喜多浩之, 鳥海明
    • 学会等名
      ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会)、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展-Ge系材料を中心に」との合同開催
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2009-06-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Record-high Electron Mobility in Ge n-MOSFETs Exceeding Si Universality2009

    • 著者名/発表者名
      C.H.Lee, T.Nishimura, N.Saido, K.Nagashio, K.Kita, A.Toriumi
    • 学会等名
      2009IEEE International Electron Device Meeting(IEDM)
    • 発表場所
      Baltimore, USA
    • 年月日
      2009-12-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] High Electron Mobility Ge n-Channel MOSFETs with GeO2 grown by High Pressure Oxidation2009

    • 著者名/発表者名
      C.H.Lee, T.Nishimura, T.Tabata, K.Nagashio, K.Kita, A.Toriumi
    • 学会等名
      Int.conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      2009-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] XPS Analysis of High-k/SiO2/Si Stacks through Grounded Gate Metal-Estimation of Energy Levels of Electronic Structures of High-k Dielectric Films2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Chikata, K.Kita, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
    • 学会等名
      40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2009)
    • 発表場所
      Arlington, USA
    • 年月日
      2009-12-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Spectroscopic Ellipsometry Study on Defects Generation in GeO2/Ge stacks2009

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, M.Yoshida, T.Nishimura, K.Nagashio, A.Toriumi
    • 学会等名
      Int.conf.on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      2009-10-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Comprehensive Study of GeO2 Oxidation, GeO Desorption and GeO2-Metal Interaction. Understanding of Ge Processing Kinetics for Perfect Interface Control-2009

    • 著者名/発表者名
      K.Kita, S.K.Wang, M.Yoshida, C.H.Lee, K.Nagashio, T.Nishimura, A.Toriumi
    • 学会等名
      2009IEEE International Electron Device Meeting(IEDM)
    • 発表場所
      Baltimore, USA
    • 年月日
      2009-12-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] "On the Origin of Anomalous VTH Shift in high-k MOSFETs"(invited)2009

    • 著者名/発表者名
      A.Toriumi, K.Kita
    • 学会等名
      215th Meeting, The Electrochemical Society
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • 年月日
      2009-05-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Intrinsic Origin of Electric Dipoles Formed at High-k/SiO_2 Interface2008

    • 著者名/発表者名
      K. Kita and A. Toriumi
    • 学会等名
      2010 IEEE International Electron Device Mtg.(IEDM)
    • 発表場所
      San Diego, USA
    • 年月日
      2008-12-15
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] アモルファス希土類High-k膜LaLuO3の基本特性とGeMISへの適用2008

    • 著者名/発表者名
      田畑俊行, 喜多浩之, 鳥海明
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      習志野
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] 次世代High-k絶縁膜へ向けた三元系酸化物の材科設計(依頼)2008

    • 著者名/発表者名
      喜多浩之, 鳥海明
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      習志野
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] 金属/ゲルマニウム接合におけるフェルミレベルピンニングの起源と制御2008

    • 著者名/発表者名
      西村知紀, 高橋俊岳, 喜多浩之, 鳥海明
    • 学会等名
      応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会
    • 発表場所
      三島
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] GeO2/Ge界面からのGeO脱離の抑制によるGeO2/Ge界面特性の向上2008

    • 著者名/発表者名
      喜多浩之, 鈴木翔, 能村英之, 高橋俊岳, 西村知紀, 鳥海明
    • 学会等名
      応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会
    • 発表場所
      三島
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Application of Advanced Atomic Layer Deposition for Understanding and Control of VTH and EOT in Metal/High-k Gate Stacks2008

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, T. Nabatame and H. Ota
    • 学会等名
      Pacific Rim Mtg. on Electrochemical and Solid-State Science
    • 発表場所
      Honolulu, USA
    • 年月日
      2008-10-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] On the control of GeO2 and metal/Ge interfaces for metal source/drain Ge CMOS (Invited)2008

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, T. Nishimura, T. Takahashi, K. Kita
    • 学会等名
      2008 Materials Research Society Spring Metting
    • 発表場所
      San Francisco
    • 年月日
      2008-03-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] 微量SiO2添加に伴うHfO2の正方晶構造安定化の起源に関する考察2008

    • 著者名/発表者名
      富田一行, 喜多浩之, 鳥海明
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      習志野
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Ge/絶縁膜およびGe/金属界面を制御したGe-MOSFET技術(依頼)2008

    • 著者名/発表者名
      鳥海明, 喜多浩之, 西村知紀
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      習志野
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] 金属/極薄絶縁膜/Ge接合におけるショットキー障壁変調量の絶縁膜による違い2008

    • 著者名/発表者名
      西村知紀, 高橋俊岳, 喜多浩之, 鳥海明
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      習志野
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Phase Controlled HfO_2 for Higher-k Dielectrics2008

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, K. Kita, S. Migita and Y. Watanabe
    • 学会等名
      Higher-k Workshop
    • 発表場所
      Stanford Univ., USA
    • 年月日
      2008-08-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] 基板加熱スパッタリング法により成膜されたHfO2薄膜の誘電緩和とその起源(若手奨励賞のため招待)2008

    • 著者名/発表者名
      富田一行, 喜多浩之, 鳥海明
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      習志野
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] 金属/Ge接合界面への極薄GeOxの導入によるフェルミレベルピンニングの緩和2007

    • 著者名/発表者名
      西村知紀, 喜多浩之, 鳥海明
    • 学会等名
      応用物理学会 秋季講演会
    • 発表場所
      札幌
    • 年月日
      2007-09-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Interfacing Control of Dielectric Films and Metals on Germanium for CMOS Application (Invited)2007

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, K. Kita, T. Nishimura, T. Takahashi
    • 学会等名
      The 34th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      京都
    • 年月日
      2007-10-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Thermally Robust Germanium MIS Gate Stacks with LaYO3 Dielectrics Films2007

    • 著者名/発表者名
      T. Takahashi, Y. Zhao, T. Nishimura, K. Kita, A. Toriumi
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      筑波
    • 年月日
      2007-09-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Current Status and Perspective of High-k Gate Stack Materials Engineering for Further Scaled CMOS2007

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi
    • 学会等名
      212th ECS Mtg.
    • 発表場所
      Washington DC, USA
    • 年月日
      2007-10-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Materials Science-based Device Performance Engineering for Metal Gate High-k CMOS (Invited)2007

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, K. Kita, K. Tomida, Y. Zhao, J. Widiez, T. Nabatame, H. Ota, M. Hirose
    • 学会等名
      2007 International Electron Device Meeting (IEDM)
    • 発表場所
      Washington, D. C., USA
    • 年月日
      2007-12-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Control of Fermi-Level Pinning at Metal/Germanium. Interface by Inserting Ultra-thin Oxides2007

    • 著者名/発表者名
      T. Nishimura, K. Kita, A. Toriumi
    • 学会等名
      5th International Symposium on Control of Semiconductor Interface (ISCSI-V)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2007-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Direct Evidence of GeO Volatilization from GeO2 Films and Impact of Its Suppression on GeO2/Ge MIS Characteristics2007

    • 著者名/発表者名
      S. Suzuki, K. Kita, H. Nomura, T. Nishimura, A. Toriumi
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      筑波
    • 年月日
      2007-09-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] 基板加熱スパッタによるHfO2膜の結晶化促進と著しい誘電分散の出現2007

    • 著者名/発表者名
      富田一行, 喜多浩之, 鳥海明
    • 学会等名
      応用物理学会 秋季訓演会
    • 発表場所
      札幌
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] High-k Dielectrics and Metals on Germanium2007

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, K. Kita and T. Nishimura
    • 学会等名
      International Workshop on High-k Dielectrics on High Electron Mobility Channel Materials
    • 発表場所
      Taiwan
    • 年月日
      2007-05-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Interface Properties of Ge with Dielectrics and Metals (Invited)2007

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, H. Nomura, S. Suzuki, T. Nishimura, K. Kita
    • 学会等名
      5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI)
    • 発表場所
      Marseille, France
    • 年月日
      2007-05-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Advanced Characterization of High-k Gate Stack by Internal Photo Emission (IPE): Interfacial Dipole and Band Diagram in Al/Hf(Si)O2/Si MOS Structure2007

    • 著者名/発表者名
      J. Widiez, K. Kita, T. Nishimura, A. Toriumi
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSD)
    • 発表場所
      筑波
    • 年月日
      2007-09-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Control of High-k/Ge Interface Properties through Selection of High-k Materials and Suppression of GeO Volatilization (Invited)2007

    • 著者名/発表者名
      K. Kita, T. Takahashi, H. Nomura, S. Suzuki, T. Nishimura, A. Toriumi
    • 学会等名
      5th International Symposium on Control of Semiconductor Interface (ISCSI-V)
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2007-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] A Significant Shift of Strongly Pinned Charge Neutrality Level at Metal/Germanium Interface by Inserting Ultra-thin Oxides2007

    • 著者名/発表者名
      T. Nishimura, K. Kita, A. Toriumi
    • 学会等名
      38th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference(SISC2007)
    • 発表場所
      Arlington, USA
    • 年月日
      2007-12-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] On the control of GeO2/Ge and metal/Ge interfaces (Invited)2007

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, T. Nishimura, K. Kita
    • 学会等名
      3rd International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      仙台
    • 年月日
      2007-11-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] High-k dielectric films for advanced microelectronics2007

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi
    • 学会等名
      International Conf.<Micro-and Nanoelectronics 2007>
    • 発表場所
      Moscow, Russia
    • 年月日
      2007-10-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Effect of Ultra-thin Al2O3 Insertion on Fermi-level Pinning at Metal/Ge Interface2007

    • 著者名/発表者名
      T. Nishimura, K. Kita, A. Toriumi
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      筑波
    • 年月日
      2007-09-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Mechanisms of and Solutions to Moisture Absorption of Lanthanum Oxide as Highk Gate Dielectric2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Zhao, K. Kita, K. Kyuno, A. Toriumi
    • 学会等名
      211th Meeting of The Electrochemical Society (ECS)
    • 発表場所
      Chicago, USA
    • 年月日
      2007-05-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Proof of Ge-Interfacing Concepts for Metal/High-k/Ge CMOS-Ge-intimate Material Selection and Interface Conscious Process Flow2007

    • 著者名/発表者名
      T. Takahashi, T. Nishimura, L. Chen, S. Sakata, K. Kita, A. Toriumi
    • 学会等名
      2007 International Electron Device Meeting (IEDM)
    • 発表場所
      Washington, D. C., USA
    • 年月日
      2007-12-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] High-k dielectric films for advanced microelectronics2007

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi
    • 学会等名
      International Conf.<Micro-and Nanoelectronics 2007>
    • 発表場所
      Washington DC, USA
    • 年月日
      2007-10-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Materials Science-based Device Performance Engineering for Metal Gate High-k CMOS2007

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, K. Kita, K. Tomida, Y. Zhao, J. Widiez, T. Nabatame, H. Ota and M. Hirose
    • 学会等名
      2007 International Electron Device Mtg.(IEDM)
    • 発表場所
      Washington DC, USA
    • 年月日
      2007-12-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Ternary High-k Dielectrics for Advanced CMOS2007

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi and K. Kita
    • 学会等名
      International Workshop on High-k Dielectrics on High Electron Mobility Channel Materials
    • 発表場所
      Taiwan
    • 年月日
      2007-05-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Ternary High-k Dielectrics for Advanced CMOS (Invited)2007

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, K. Kita
    • 学会等名
      International Workshop on High-k Dielectrics on High Electron Mobility Channel Materials
    • 発表場所
      Taiwan
    • 年月日
      2007-05-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御2007

    • 著者名/発表者名
      喜多浩之, 能村英幸, 鈴本翔, 高橋俊岳, 西村知紀, 鳥海明
    • 学会等名
      応用物理学会・シリコンテクノロジー分科会 第93回研究集会「ゲートスタツク構造の新展開」
    • 発表場所
      東広島
    • 年月日
      2007-06-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Origin of Structural Phase Transformation of SiO2-doped HfO22007

    • 著者名/発表者名
      K. Tomida, K. Kita, A. Toriumi
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      筑波
    • 年月日
      2007-09-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] High-k dielectric films for advanced microelectronics (Invited)2007

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi
    • 学会等名
      International Conference <Micro- and Nanoelectronics 2007>
    • 発表場所
      Moscow, Russia
    • 年月日
      2007-10-02
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] High-k Dielectrics and Metals on Germanium (Invited)2007

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, K. Kita, T. Nishimura
    • 学会等名
      International Workshop on High-k Dielectrics on High Electron Mobility Channel Materials
    • 発表場所
      Taiwan
    • 年月日
      2007-05-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] A Significant Shift of Strongly Pinned Charge Neutrality Level at Metal/Germanium Interface by Inserting Ultra-thin Oxides2007

    • 著者名/発表者名
      T. ishimura, K. Kita, A. Toriumi
    • 学会等名
      38th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference International (SISC2007)
    • 発表場所
      Arlington, USA
    • 年月日
      2007-12-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Dramatic Improvement of GeO2/Ge MIS Characteristics by Suppression of GeO Volatilization2007

    • 著者名/発表者名
      K. Kita, S. Suzuki, H. Nomura, T. Takahashi, T. Nishimura, A. Toriumi
    • 学会等名
      212th Electrochemical Society Meeting
    • 発表場所
      Washington, D. C., USA
    • 年月日
      2007-10-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] Current Status and Perspective of High-k Gate Stack Materials Engineering for Further Scaled CMOS (Invited)2007

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi
    • 学会等名
      212th Electrochemical Society Meeting
    • 発表場所
      Washington, D. C., USA
    • 年月日
      2007-10-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19106005
  • [学会発表] "Conduction-band Tail States of Thermally Grown GeO2 on Ge Detected by Internal Photoemission Spectroscopy"

    • 著者名/発表者名
      W.F. Zhang, C.H. Lee, T.Nishimura,and A. Toriumi
    • 学会等名
      2014 Silicon nanoelectronic workshop
    • 発表場所
      Hawaii (USA)
    • 年月日
      2014-06-08 – 2014-06-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Validity of Direct-gap Photoluminescence Analysis for Nondestructive Characterization of Oxide/Germanium Interface"

    • 著者名/発表者名
      S. Kabuyanagi, T. Nishimura, T. Yajima, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014)
    • 発表場所
      Tsukuba International Congress Center(Ibaraki, Tsukuba)
    • 年月日
      2014-09-08 – 2014-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Impact of YScO3 on Ge Gate Stack in Terms of EOT Reduction as Well as Interface"

    • 著者名/発表者名
      C. Lu, C.H. Lee, T. Nishimura1,2, K. Nagashio and A. Toriumi
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014)
    • 発表場所
      Tsukuba International Congress Center(Ibaraki, Tsukuba)
    • 年月日
      2014-09-08 – 2014-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Toward 1-nm-EOT Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Films"

    • 著者名/発表者名
      T. Nishimura, T. Yajima, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014)
    • 発表場所
      Tsukuba International Congress Center(Ibaraki, Tsukuba)
    • 年月日
      2014-09-08 – 2014-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Selection of desirable trivalent metal oxides as doping material into GeO2"

    • 著者名/発表者名
      C. Lu, C. H. Lee, W. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio and A. Toriumi
    • 学会等名
      7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      TOHOKU University(Sendai, Miyagi)
    • 年月日
      2014-01-27 – 2014-01-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Origin of Self-limiting Oxidation of Ge in High-Pressure O2 at Low Temperature"

    • 著者名/発表者名
      C.H. Lee, T. Nishimura1,2, K. Nagashio and A. Toriumi
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014)
    • 発表場所
      Tsukuba International Congress Center(Ibaraki, Tsukuba)
    • 年月日
      2014-09-08 – 2014-09-11
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Thermodynamically Controlled GeO2 by Introducing M2O3 for Ultra-thin EOT Ge Gate Stacks"

    • 著者名/発表者名
      Cimang Lu, Choong Hyun Lee, Wenfeng Zhang, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, and Akira Toriumi
    • 学会等名
      2014 MRS Spring
    • 発表場所
      San Francisco (USA)
    • 年月日
      2014-04-21 – 2014-04-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Enhancement of High-Ns Electron Mobility in Ge(111) n-MOSFETs by the Formation of Atomically Flat GeO2/Ge Interface"

    • 著者名/発表者名
      C. H. Lee, T. Nishimura, C. Lu, W. F. Zhang, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      TOHOKU University(Sendai, Miyagi)
    • 年月日
      2014-01-27 – 2014-01-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Robust Interfacial Layer Y-doped GeO2 for Scalable EOT Ge Gate Stacks"

    • 著者名/発表者名
      C. H. Lee, C. Lu, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
    • 発表場所
      Arlington (USA)
    • 年月日
      2013-12-05 – 2013-12-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Direct Band Gap Modulation in Ultra-thin Highly Doped n-type GeOI"

    • 著者名/発表者名
      S. Kabuyanagi, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
    • 発表場所
      TOHOKU University(Sendai, Miyagi)
    • 年月日
      2014-01-27 – 2014-01-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Time-evolution of Roughening Process on Atomically Flat Ge (111) Surface by Diluted H2O2 Solution"

    • 著者名/発表者名
      W.F. Zhang, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
    • 発表場所
      Arlington (USA)
    • 年月日
      2013-12-05 – 2013-12-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • [学会発表] "Significant enhancement of High-Ns Electron Mobility in Ge n-MOSFETs with Atomically Flat Ge/GeO2 Interface"

    • 著者名/発表者名
      C. H. Lee, T. Nishimura, C. Lu, W. Zhang, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 学会等名
      The 225th Electrochemical Society Meeting (ECS)
    • 発表場所
      Orlando (USA)
    • 年月日
      2014-05-11 – 2014-05-15
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25249032
  • 1.  喜多 浩之 (00343145)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 196件
  • 2.  弓野 健太郎 (40251467)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 41件
  • 3.  西村 知紀 (10396781)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 105件
  • 4.  LIU Wenjun
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 9件
  • 5.  LEE Choong Hyun
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 60件
  • 6.  CHEN JIKUN
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  丹羽 正昭 (90608936)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  大畠 昭子 (00301747)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  内山 潔 (80403327)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  蓮沼 隆 (90372341)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  ZHANG Wenfeng
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 4件

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