佐藤威友 Sato Taketomo

… 別表記

佐藤威人友 SATO Taketomo

研究者番号	50343009
その他のID
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所属 (現在)	2025年度: 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2015年度 – 2024年度: 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 准教授 2014年度: 北海道大学, 学内共同利用施設等, 准教授 2007年度 – 2013年度: 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 准教授 2004年度 – 2006年度: 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 助教授 2002年度 – 2003年度: 北海道大学, 大学院・工学研究科, 助手 2002年度: 北海道大学, 電子情報工学専攻, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子・電気材料工学研究代表者以外電子・電気材料工学 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 理工系 / 理工系 / 電子・電気材料工学 / 薄膜・表面界面物性
キーワード	研究代表者窒化物半導体 / 多孔質構造 / 窒化ガリウム / ナノ材料 / ウェットエッチング / 電気化学反応 / トランジスタ / 半導体物性 / エネルギー変換 / 光電気化学 … もっと見る / 化学センサ / 半導体ナノ構造 / 電気化学 / 表面・界面物性 / 電子・電気材料 / 量子ナノ構造 / 分子線エピタキシャル成長 / 界面制御 / 窒化物半導 / 電子デバイス / 低損傷エッチング / 電気化学プロセス / 新エネルギー / 光物性 / 半導体超微細化 / 高電子移動度トランジスタ / 低損傷プロセス / 機能修飾 / 太陽電池 / 光吸収率 / 陰極分解 / 陽極酸化 / インジウムリン / 高密度ナノ構造 / ポーラス構造 / 量子閉じ込め / 自己組織化 / 表面不活性化技術 / 選択成長 / III-V族化合物半導体 / フェルミ準位ピンニング / 計算機シミュレーション / 量子集積回路 / 選択成長法 / ナノショットキー接触 / ガリウムヒソ … もっと見る研究代表者以外 GaN / AlGaN / DLTS / 選択成長 / HEMT / 界面準位 / 有機金属気相成長 / 深い準位 / 表面準位 / Selective Area Growth / MOVPE Growth / フォトニック結晶 / C-V / 電子準位 / AlInN / 電気化学酸化 / 光電気化学エッチング / 欠陥準位 / MOSFET / MOS構造 / ヘテロ接合FET / AlN / ワイドバンドギャップ / 高周波トランジスタ / パワートランジスタ / 窒化物半導体 / 電子捕獲準位 / 周期的ナノチャネル / CV解析 / 界面制御 / 電気化学エッチング / MOS / 異種接合 / Schottky interface / surface control / carbon diffusion / deep level / AIGaN / MIS構造 / 漏れ電流 / 酸素不純物 / 窒素空孔欠陥 / プラズマ処理 / ショットキー接合 / 表面制御 / 炭素拡散 / Photonic Bands / Line defect / Point / Light Extraction Efficiency / Photoluminescence / Photonics Crystal Slabs / Photonics Crystals / whispering gallery mode / 点欠陥共振器 / 線欠陥導波路 / 時間領域差分(FDTD)法 / フォトニックバンド / 線欠陥・点欠陥導入構造 / 光取り出し効率 / フォトルミネセンス / フォトニック結晶スラブ / Photonic Bandgap / Photonic Crystal / Masked Substrate / TM偏光・TE偏光 / 3角格子 / 2次元フォトニック結晶スラブ / 再成長 / マスクパターン / フォトニックバンドギャップ / プラズマ支援分子線エピタキシー法 / 光電極 / 光支援電気化学エッチング / プラズマ支援分子線エピタキシー / InGaN / 多孔質構造 / 半導体ナノワイヤ / 電流コラプス / 多重台形チャネル / 窒素空孔 / ドライエッチング / ICP / ALD / へテロ接合 / MMC / トランジスタ / 絶縁膜 / 表面・界面 / 窒化ガリウム / バンド不連続量 / 表面フェルミ準位 / フェルミ準位安定化エネルギー / 表面酸化 / 電気化学プロセス / 表面伝導 / ガリウムナイトライド / ガリウムヒソ / 2次元電子ガス / インターディジタル型遅波構造 / テラヘルツデバイス / 半導体プラズマ / 進行波型半導体デバイス隠す

界面制御による反転型nチャネル窒化ガリウムMOSFETの電子実効移動度向上
- 研究代表者
  
  赤澤正道
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  北海道大学
窒化物半導体異種界面パラレル伝導制御とマルチチャネル高周波トランジスタの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  佐藤威友
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  北海道大学
超ワイドギャップAlN系半導体を用いたパワートランジスタの開発
- 研究代表者
  
  三好実人
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  名古屋工業大学
強力な酸化剤を用いた窒化物半導体ウェットエッチング技術の開発とトランジスタ応用研究代表者
- 研究代表者
  
  佐藤威友
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  北海道大学
自己停止酸化機構を利用した窒化物半導体低損傷加工プロセスの開発とトランジスタ応用研究代表者
- 研究代表者
  
  佐藤威友
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
特異構造を含む異種接合の界面制御と電子デバイス展開
- 研究代表者
  
  橋詰保
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2020
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  北海道大学
窒化物半導体周期的ナノ構造を基盤とした可視光応答型光触媒の開発と人工光合成応用研究代表者
- 研究代表者
  
  佐藤威友
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
低損傷プロセスによる窒化物半導体表面のナノスケール制御と高感度化学センシング研究代表者
- 研究代表者
  
  佐藤威友
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
半導体ナノワイヤを基盤とする水素発生用材料の開拓
- 研究代表者
  
  本久順一
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2013
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
窒化物半導体混晶のバルク準位評価とナノ構造表面制御
- 研究代表者
  
  橋詰保
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2010
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  北海道大学
電子準位制御と新ゲート構造による窒化ガリウム系トランジスタの高信頼化
- 研究代表者
  
  橋詰保
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  北海道大学
化合物半導体配列ナノ構造を基盤とする超接合光吸収体の創成と太陽電池応用研究代表者
- 研究代表者
  
  佐藤威友
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2010
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
半導体多孔質構造を利用した機能的ナノ界面の高密度形成と高感度化学センシング技術研究代表者
- 研究代表者
  
  佐藤威友
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2012
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
III族窒化物半導体混晶の欠陥準位・表面準位の評価と制御
- 研究代表者
  
  橋詰保
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  北海道大学
化合物半導体ナノポーラス構造を基盤とした量子ナノ構造の3次元ネットワーク化技術研究代表者
- 研究代表者
  
  佐藤威友
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
半導体2次元電子ガスのプラズマ波によるミリ波・テラヘルツ進行波デバイスの研究
- 研究代表者
  
  長谷川英機
- 研究期間 (年度)
  2005
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
欠陥制御・界面制御に基づく窒化ガリウム系デバイス構造の高信頼化
- 研究代表者
  
  橋詰保
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
ギガ・ノード超高密度量子ナノ集積構造の作製と表面制御技術の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  佐藤威友
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2005
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
有機金属気相選択成長によるフォトニック結晶の作製とデバイス応用に関する研究
- 研究代表者
  
  本久順一
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
量子集積回路の実現に向けた高性能ナノショットキーゲート電極の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  佐藤威友
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
選択成長によるフォトニック結晶の作製と応用に関する研究
- 研究代表者
  
  本久順一
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学

[雑誌論文] n型GaN基板上に形成されたp型GaN層に対する低損傷光電気化学エッチングとその電気化学的評価2023
- 著者名/発表者名
  髙津海、久保広大、佐藤威友
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 123 ページ: 28-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26131
[雑誌論文] Investigation of dominance in near-surface region on electrical properties of AlGaN/GaN heterostructures using TLM, XPS, and PEC etching techniques2023
- 著者名/発表者名
  Ochi Ryota、Togashi Takuya、Osawa Yoshito、Horikiri Fumimasa、Fujikura Hajime、Fujikawa Kazunari、Furuya Takashi、Isono Ryota、Akazawa Masamichi、Sato Taketomo
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 16 号: 9 ページ: 091002-091002
- DOI
  10.35848/1882-0786/acf644
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23KJ0042, KAKENHI-PROJECT-23K26131
[雑誌論文] 電気化学反応を利用した窒化ガリウムのウェットエッチングと機能性材料2022
- 著者名/発表者名
  佐藤威友、渡久地政周
- 雑誌名
  
  信学技報 IEICE Technical Report
  
  巻: 122 ページ: 25-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[雑誌論文] Self-terminating contactless photo-electrochemical (CL-PEC) etching for fabricating highly uniform recessed-gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs)2021
- 著者名/発表者名
  Toguchi Masachika、Miwa Kazuki、Horikiri Fumimasa、Fukuhara Noboru、Narita Yoshinobu、Ichikawa Osamu、Isono Ryota、Tanaka Takeshi、Sato Taketomo
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 130 号: 2 ページ: 024501-024501
- DOI
  10.1063/5.0051045
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175, KAKENHI-PROJECT-20J14520
[雑誌論文] Self-termination of contactless photo-electrochemical (PEC) etching on aluminum gallium nitride/gallium nitride heterostructures2020
- 著者名/発表者名
  2.K. Miwa, Y. Komatsu, M. Toguchi, F. Horikiri, N. Fukuhara, Y. Narita, O. Ichikawa, R. Isono, T. Tanaka, and T. Sato
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 2 ページ: 026508-026508
- DOI
  10.35848/1882-0786/ab6f28
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421, KAKENHI-PROJECT-17H03224
[雑誌論文] Thermal-assisted contactless photoelectrochemical etching for GaN2020
- 著者名/発表者名
  Horikiri Fumimasa、Fukuhara Noboru、Ohta Hiroshi、Asai Naomi、Narita Yoshinobu、Yoshida Takehiro、Mishima Tomoyoshi、Toguchi Masachika、Miwa Kazuki、Ogami Hiroki、Sato Taketomo
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 4 ページ: 046501-046501
- DOI
  10.35848/1882-0786/ab7e09
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[雑誌論文] Depth profiling of surface damage in n-type GaN induced by inductively coupled plasma reactive ion etching using photo-electrochemical techniques2020
- 著者名/発表者名
  Yamada Shinji、Takeda Kentaro、Toguchi Masachika、Sakurai Hideki、Nakamura Toshiyuki、Suda Jun、Kachi Tetsu、Sato Taketomo
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 13 号: 10 ページ: 106505-106505
- DOI
  10.35848/1882-0786/abb787
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421, KAKENHI-PROJECT-20J14520
[雑誌論文] Gate controllability of HfSiOx/AlGaN/GaN MOS high-electron-mobility transistor2020
- 著者名/発表者名
  Ochi Ryota、Maeda Erika、Nabatame Toshihide、Shiozaki Koji、Sato Taketomo、Hashizume Tamotsu
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 10 号: 6 ページ: 065215-065215
- DOI
  10.1063/5.0012687
- NAID
  120006869887
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[雑誌論文] Simple wet-etching technology for GaN using an electrodeless photo-assisted electrochemical reaction with a luminous array film as the UV source2019
- 著者名/発表者名
  Horikiri Fumimasa、Fukuhara Noboru、Ohta Hiroshi、Asai Naomi、Narita Yoshinobu、Yoshida Takehiro、Mishima Tomoyoshi、Toguchi Masachika、Miwa Kazuki、Sato Taketomo
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 12 号: 3 ページ: 031003-031003
- DOI
  10.7567/1882-0786/ab043c
- NAID
  210000135635
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[雑誌論文] Photoelectrochemical Etching Technology for Gallium Nitride Power and RF Devices2019
- 著者名/発表者名
  Horikiri Fumimasa、Sato Taketomo、Fukuhara Noboru、Ohta Hiroshi、Asai Naomi、Narita Yoshinobu、Yoshida Takehiro、Mishima Tomoyoshi、Toguchi Masachika、Miwa Kazuki
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
  
  巻: 32 号: 4 ページ: 489-495
- DOI
  10.1109/tsm.2019.2944844
- NAID
  120006783673
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[雑誌論文] Effect of photoelectrochemical etching and post-metallization annealing on gate controllability of AlGaN/GaN high electron mobility transistors2019
- 著者名/発表者名
  Uemura Keisuke、Deki Manato、Honda Yoshio、Amano Hiroshi、Sato Taketomo
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 58 号: SC ページ: SCCD20-SCCD20
- DOI
  10.7567/1347-4065/ab06b9
- NAID
  210000156115
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[雑誌論文] Electrodeless photo-assisted electrochemical etching of GaN using a H3PO4-based solution containing S2O8 2? ions2019
- 著者名/発表者名
  Toguchi Masachika、Miwa Kazuki、Horikiri Fumimasa、Fukuhara Noboru、Narita Yoshinobu、Yoshida Takehiro、Sato Taketomo
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 12 号: 6 ページ: 066504-066504
- DOI
  10.7567/1882-0786/ab21a1
- NAID
  120006847765
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[雑誌論文] Anisotropic Electrochemical Etching of Porous Gallium Nitride by Sub-Bandgap Absorption Due to Franz-Keldysh Effect2019
- 著者名/発表者名
  M. Toguchi, K. Miwa, T. Sato
- 雑誌名
  
  Journal of The Electrochemical Society
  
  巻: 166 号: 12 ページ: H510-H512
- DOI
  10.1149/2.0551912jes
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421, KAKENHI-PROJECT-17H03224
[雑誌論文] Low-Damage Etching for AlGaN/GaN HEMTs Using Photo-Electrochemical Reactions2019
- 著者名/発表者名
  T. Sato, M. Toguchi, Y. Komatsu, and K. Uemur
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
  
  巻: 32 号: 4 ページ: 483-488
- DOI
  10.1109/tsm.2019.2934727
- NAID
  120006783672
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421, KAKENHI-PROJECT-17H03224
[雑誌論文] Effects of a photo-assisted electrochemical etching process removing dry-etching damage in GaN2018
- 著者名/発表者名
  S. Matsumoto, M. Toguchi, K. Takeda, T. Narita, T. Kachi, and T. Sato
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 57 号: 12 ページ: 121001-121001
- DOI
  10.7567/jjap.57.121001
- NAID
  120006764183
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421, KAKENHI-PROJECT-17H03224
[雑誌論文] Precise Structural Control of GaN Porous Nanostructures Utilizing Anisotropic Electrochemical and Chemical Etching for the Optical and Photoelectrochemical Applications2017
- 著者名/発表者名
  Kumazaki Yusuke、Matsumoto Satoru、Sato Taketomo
- 雑誌名
  
  Journal of The Electrochemical Society
  
  巻: 164 号: 7 ページ: H477-H483
- DOI
  10.1149/2.0771707jes
- NAID
  120006313473
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224, KAKENHI-PROJECT-15K13937
[雑誌論文] 光電気化学反応を利用した窒化物半導体の低損傷エッチングと電子デバイスへの応用2017
- 著者名/発表者名
  植村圭佑，松本悟，渡久地政周，伊藤圭亮，佐藤威友
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 117 ページ: 23-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[雑誌論文] Precise thickness control in recess etching of AlGaN/GaN hetero-structure using photocarrier-regulated electrochemical process2017
- 著者名/発表者名
  Kumazaki Yusuke、Uemura Keisuke、Sato Taketomo、Hashizume Tamotsu
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 121 号: 18 ページ: 184501-184501
- DOI
  10.1063/1.4983013
- NAID
  120006463556
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421, KAKENHI-PROJECT-17H03224, KAKENHI-PROJECT-15K13937
[雑誌論文] Formation of GaN porous structures with improved structural controllability by photoassisted electrochemical etching2016
- 著者名/発表者名
  Y. Kumazaki, Z. Yatabe, and T. Sato
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 4S ページ: 04EJ12-04EJ12
- DOI
  10.7567/jjap.55.04ej12
- NAID
  120005981365
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937, KAKENHI-PROJECT-14J01371, KAKENHI-PROJECT-25289079
[雑誌論文] Large photocurrents in GaN porous structures with a redshift of the photoabsorption edge2016
- 著者名/発表者名
  T. Sato, Y. Kumazaki, H. Kida, A. Watanabe, Z. Yatabe and S. Matsuda
- 雑誌名
  
  Semiconductor Science and Technology
  
  巻: 31 号: 1 ページ: 014012-014012
- DOI
  10.1088/0268-1242/31/1/014012
- NAID
  120005905606
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937, KAKENHI-PROJECT-14J01371, KAKENHI-PROJECT-25289079
[雑誌論文] 電気化学加工技術を利用したAlGaN/GaNヘテロ構造の低損傷リセスエッチング2016
- 著者名/発表者名
  熊崎祐介, 植村圭佑, 佐藤威友
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会信学技報
  
  巻: 116 ページ: 45-50
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[雑誌論文] Electrochemical formation of N-type GaN and N-type InP porous structures for chemical sensor applications2016
- 著者名/発表者名
  T. Sato, X. Zhang, K. Ito, S. Matsumoto and Y. Kumazaki
- 雑誌名
  
  Proceeding of 2016 IEEE SENSORS
  
  巻: 2016 ページ: 7808443-7808443
- DOI
  10.1109/icsens.2016.7808443
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[雑誌論文] 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と紫外光応答特性2015
- 著者名/発表者名
  喜田弘文, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友
- 雑誌名
  
  信学技報
  
  巻: 115-170 ページ: 51-54
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[雑誌論文] Bias-dependent Photoabsorption Properties of GaN Porous Structures under Back-side Illumination2015
- 著者名/発表者名
  T. Sato, H. Kida, Y. Kumazaki, and Z. Yatabe
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 69 号: 2 ページ: 161-166
- DOI
  10.1149/06902.0161ecst
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937, KAKENHI-PROJECT-14J01371, KAKENHI-PROJECT-25289079
[雑誌論文] Formation of GaN-Porous Structures Using Photo-Assisted Electrochemical Process in Back-Side Illumination Mode2015
- 著者名/発表者名
  A. Watanabe, Y. Kumazaki, Z. Yatabe, and T. Sato
- 雑誌名
  
  ECS Electrochemical Letters
  
  巻: 4 号: 5 ページ: H11-H13
- DOI
  10.1149/2.0031505eel
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14J01371, KAKENHI-PROJECT-25289079
[雑誌論文] 分光電気化学法によるGaN/電解液界面の評価とナノ構造形成への応用2015
- 著者名/発表者名
  熊崎祐介, 渡部晃生, 谷田部然治, 佐藤威友
- 雑誌名
  
  信学技報
  
  巻: 115-63 ページ: 63-66
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[雑誌論文] 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と紫外光応答特性2015
- 著者名/発表者名
  喜田弘文, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友
- 雑誌名
  
  信学技報
  
  巻: 115-170 ページ: 51-54
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[雑誌論文] Correlation between Structural and Photoelectrochemical Properties of GaN Porous Nanostructures Formed by Photo-Assisted Electrochemical Etching2014
- 著者名/発表者名
  Y. Kumazaki, A. Watanabe, Z. Yatabe, and T. Sato
- 雑誌名
  
  Journal of The Electrochemical Society
  
  巻: 141 号: 10 ページ: H705-H709
- DOI
  10.1149/2.1101410jes
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-14J01371, KAKENHI-PROJECT-25289079
[雑誌論文] Formation and Photoelectrical Measurements of Pt Schottky Interfaces on InP Porous Structures2013
- 著者名/発表者名
  R. Jinbo, Y. Kumazaki, Z. Yatabe and T. Sato
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 50 ページ: 247-252
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[雑誌論文] 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換2013
- 著者名/発表者名
  熊崎祐介, 神保亮平, 谷田部然治, 佐藤威友
- 雑誌名
  
  信学技報
  
  巻: vol. 113, no. 39, ED2013-27 ページ: 61-64
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[雑誌論文] Investigation on Optical Absorption Properties of Electrochemically Formed Porous InP using Photoelectric Conversion Devices2013
- 著者名/発表者名
  Y. Kumazaki, T. Kudo, Z. Yatabe and T. Sato
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science
  
  巻: 279 ページ: 116-120
- DOI
  10.1016/j.apsusc.2013.04.046
- NAID
  120005322421
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[雑誌論文] Investigation on Optical Absorption Properties of Electrochemically Formed Porous InP using Photoelectric Conversion Devices2013
- 著者名/発表者名
  Y. Kumazaki, T. Kudo, Z. Yatabe and T. Sato
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science
  
  巻: 印刷中
- NAID
  120005322421
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[雑誌論文] Large photocurrent-response observed at Pt/InP Schottky interface formed on anodic porous structure2012
- 著者名/発表者名
  R. Jinbo, T. Kudo, Z. Yatabe, T. Sato
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: vol. 520 号: 17 ページ: 5710-5714
- DOI
  10.1016/j.tsf.2012.04.031
- NAID
  120004405512
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[雑誌論文] Electrochemical Functionalization of InP Porous Nanostructures with a GOD Membrane for Amperometric Glucose Sensors2010
- 著者名/発表者名
  T.Sato, A.Mizohata, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Journal of The Electrochemical Society 157
- NAID
  120001788352
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[雑誌論文] Low Reflectance Surface Observed on InP Porous Structures after Photoelectrochemical Etching2010
- 著者名/発表者名
  T.Sato, N.Yoshizawa, H.Okazaki, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 25 ページ: 83-88
- NAID
  120003783345
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[雑誌論文] Low Reflectance Surface Observed on InP Porous Structures after Photo electrochemical Etching2010
- 著者名/発表者名
  T.Sato, N.Yoshizawa, H. Okazaki, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 25 ページ: 83-88
- NAID
  120003783345
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[雑誌論文] Realization of an extremely low reflectance surface based on InP porous nanostru ctures for application to photoelectrochemical solar cells2010
- 著者名/発表者名
  T.Sato, N.Yoshizawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Thin solid films 未定(掲載決定)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[雑誌論文] Realization of an extremely low reflectance surface based on InP porous nanostructures for application to photoelectrochemical solar cells2010
- 著者名/発表者名
  T.Sato, N.Yoshizawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Thin solid films (掲載決定)
- NAID
  120002208930
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[雑誌論文] Realization of an extremely low reflectance surface based on InP porous nanostructures for application to photoelectrochemical solar cells2010
- 著者名/発表者名
  T.Sato, N.Yoshizawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 518 ページ: 4399-4402
- NAID
  120002208930
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[雑誌論文] Realization of an extremely low reflectance surface based on InP porous nanostructures for application to photoelectrochemical solar cells2010
- 著者名/発表者名
  T.Sato, N.Yoshizawa T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 518 ページ: 4399-4402
- NAID
  120002208930
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[雑誌論文] Realization of an extremely low reflectance溶液pHとの関係(デバイスDSB)。surface based on InP porous nanostructuresfor application to photoelectrochemical solar cells2010
- 著者名/発表者名
  T. Sato, N. Yoshizawa, T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: vol. 518 号: 15 ページ: 4399-4402
- DOI
  10.1016/j.tsf.2010.02.029
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[雑誌論文] Electrochemical Functionalization of InP Porous Nanostructures with a GOD Membrane for Amperometric Glucose Sensors2010
- 著者名/発表者名
  T. Sato, A. Mizohata, T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Journal of The Electrochemical Society
  
  巻: vol. 157 号: 2 ページ: H165-H165
- DOI
  10.1149/1.3264634
- NAID
  120001788352
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[雑誌論文] Low Reflectance Surface Observed on InP Porous Structures after Photoelectrochemical Etching2010
- 著者名/発表者名
  T. Sato, N. Yoshizawa, H. Okazaki, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: vol.25,no.42 号: 42 ページ: 83-88
- DOI
  10.1149/1.3416205
- NAID
  120003783345
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[雑誌論文] Fundamental Study of InP-Based Open-Gate Field Effect Transistors for Application to Liquid-Phase Chemical Sensors2009
- 著者名/発表者名
  N.Yoshizawa, T.Sato, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 48
  
  ページ: 91102-91102
- NAID
  120001821841
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[雑誌論文] Fundamental Study of InP-Based Open-Gate Field Effect Transistors for Application to Liquid-Phase Chemical Sensors2009
- 著者名/発表者名
  N. Yoshizawa, T. Sato, T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: vol. 48 号: 9 ページ: 91102-91102
- DOI
  10.1143/jjap.48.091102
- NAID
  120001821841
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[雑誌論文] Electrochemical formation of InP porous nano structures and its application to amperometric chemical sensors2008
- 著者名/発表者名
  T. Sato, A. Mizohata, N. Yos hizawa, T. Hashizume
- 雑誌名
  
  phys. stat. sol.(c) 5
  
  ページ: 3475-3478
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[雑誌論文] Amperometric detection of hydrogen peroxide using InP porous nanostructures2008
- 著者名/発表者名
  T. Sato, A. Mizohata, N. Yos hizawa, T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 1
  
  ページ: 51202-51202
- NAID
  10025080209
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[雑誌論文] Photoelectrochemical Etching and Removal of the Irregular Top Layer Formed on InP Porous Nanostructures2008
- 著者名/発表者名
  T. Sato, A. Mizohata
- 雑誌名
  
  Electrochemical and Solid-State Letters 11
- NAID
  120000952703
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[雑誌論文] Photoelectrochemical Etching and Removal of the Irregular Top Layer Formed on InP Porous Nanostructures2008
- 著者名/発表者名
  T. Sato, A. Mizohata
- 雑誌名
  
  Electrochemical and Solid-State Letters vol.11, no.5
  
  ページ: 111-113
- NAID
  120000952703
- URL
  http://eprints.lib.hokudai.ac.jp/dspace/handle/2115/33871
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[雑誌論文] Amperometric detection of hydrogen peroxide using InP porous nanostructures2008
- 著者名/発表者名
  T. Sato, A. Mizohata, N. Yoshizawa, T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express vol.1, no.5
  
  ページ: 51202-51202
- NAID
  10025080209
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[雑誌論文] Formation of Thin Native Oxide Layer on n-GaN by Electrochemical Process in Mixed Solution with Glycol and Water2007
- 著者名/発表者名
  N. Shiozaki, T. Sato, T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46
  
  ページ: 1471-1473
- NAID
  10018900586
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[雑誌論文] Electrochemical Formation of Size-Controlled InP Nanostructures Using Anodic and Cathodic Reactions2007
- 著者名/発表者名
  T. Sato, T. Fujino, T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Electrochemical and Solid-State Letters vol.10, no.5
  
  ページ: 153-155
- NAID
  120000968293
- URL
  http://eprints.lib.hokudai.ac.jp/dspace/handle/2115/20209
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[雑誌論文] Formation of Thin Native Oxide Layer on n-GaN by Electrochemical Process in Mixed Solution with Glycol and Water2007
- 著者名/発表者名
  Nanako Shiozaki, Taketomo Sato, Tamotsu Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 46(in press)
- NAID
  10018900586
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Size-Controlled Porous Nanostructures Formed on InP(001) Substrates by Two-Step Electrochemical Process2007
- 著者名/発表者名
  T. Fujino, T. Sato, T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol. 46, No. 7A
  
  ページ: 4375-4380
- NAID
  40015465563
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[雑誌論文] Size-Controlled Porous Nanostructures Formed on InP (001) Substrates by Two-Step Electrochemical Process2007
- 著者名/発表者名
  T. Fujino, T. Sato, T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46
  
  ページ: 4375-4380
- NAID
  40015465563
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[雑誌論文] Formation of Thin Native Oxide Layer on n-GaN by Electrochemical Process in Mixed Solution with Glycol and Water2007
- 著者名/発表者名
  N.Shiozaki, T.Sato, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 46
  
  ページ: 1471-1473
- NAID
  10018900586
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Electrochemical Formation of Size-Controlled InP Nanostructures Using Anodic and Cathodic Reactions2007
- 著者名/発表者名
  T. Sato, T. Fujino, T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Electrochemical and Solid-State Letters 10
- NAID
  120000968293
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[雑誌論文] Formation of Thin Native Oxide Layer on n-GaN by Electrochemical Process in Mixed Solution with Glycol and Water2007
- 著者名/発表者名
  Nanako Shiozaki, Taketomo Sato, Tamotsu Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 46
  
  ページ: 1471-1473
- NAID
  10018900586
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Formation of Thin Native Oxide Layer on n-GaN by Electrochemical Process in Mixed Solution With Glycol and Water2007
- 著者名/発表者名
  N. Shiozaki, T. Sato, T. Hashizume
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 46
  
  ページ: 1471-1473
- NAID
  10018900586
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[雑誌論文] Selective molecular beam epitaxy growth of size- and position-controlled GaN/AlGaN nanowires on nonplanar (0001) substrates and its growth mechanism2006
- 著者名/発表者名
  T.Sato, T.Oikawa, H.Hasegawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol B 24
  
  ページ: 2087-2092
- NAID
  120000959106
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Growth Simulation and Actual MBE Growth of Triangular GaAs Nanowires on Patterned(111)B Substrates2006
- 著者名/発表者名
  I.Tamai, T.Sato, H.Hasegawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  e-Journal of Surface Science and Nanotechnology Vol.4
  
  ページ: 19-24
- NAID
  130004933903
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656099
[雑誌論文] Liquid-phase sensors using open-gate AlGaN/GaN high electron mobility transistor structure2006
- 著者名/発表者名
  T.Kokawa, T.Sato, H.Hasegawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol. B 24
  
  ページ: 1972-1976
- NAID
  120000956602
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Electrochemical Formation of Chaotic and Regular Nanostructures on (001) and (111)B InP Substrates and Their Photoluminescence Characterizations2006
- 著者名/発表者名
  T.Fujino, T.Kimura, T.Sato, H.Hasegawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  e-Journal of Surface Science and Nanotechnology Vol.4
  
  ページ: 184-191
- NAID
  130004438993
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760239
[雑誌論文] Selective molecular beam epitaxy growth of size-and position-controlled GaN/AlGaN nanowires on nonplanar (0001) substrates and its growth mechanism2006
- 著者名/発表者名
  T.Sato, T.Oikawa, H.Hasegawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol. B 24
  
  ページ: 2087-2092
- NAID
  120000959106
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Liquid Phase Sensors Using Open-Gate AlGaN/GaN HEMT Structure2006
- 著者名/発表者名
  T.Kokawa, T.Sato, H.Hasegawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  J.Vac.Sci.Technol B 26(in press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Liquid-phase sensors using open-gate AlGaN/GaN high electron mobility transistor structure2006
- 著者名/発表者名
  T.Kokawa, T.Sato, H.Hasegawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol B 24
  
  ページ: 1972-1976
- NAID
  120000956602
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Growth Simulation and Actual MBE Growth of Triangular GaAs Nanowires on Patterned (111)B Substrates2006
- 著者名/発表者名
  I.Tamai, T.Sato, H.Hasegawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  e-Journal of Surface Science and Nanotechnology Vol.4
  
  ページ: 19-24
- NAID
  130004933903
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760239
[雑誌論文] Electrochemicai Formation of Chaotic and Regular Nanostractures on (001) and (111)B InP Substrates and Their Photpluminescence Characterizations2006
- 著者名/発表者名
  T.Fujino, T.Kimura, T.Sato, H.Hasegawa, T.Hashizume
- 雑誌名
  
  e-Journal of Surface Science and Nanotechnology Vol.4
  
  ページ: 184-191
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656099
[雑誌論文] Growth kinetics and theoretical modeling of selective molecular beam epitaxy for growth of GaAs nanowires on nonplanar (001) and (111)B substrates2005
- 著者名/発表者名
  T.Sato, I.Tamai, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 23(4)
  
  ページ: 1706-1713
- NAID
  120000958805
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760239
[雑誌論文] Cross-sectional Evolution and Its Mechanism during Selective MBE Growth of GaAs Quantum Wires on (111)B Substrates2005
- 著者名/発表者名
  I.Tamai, T.Sato, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 44(4B)
  
  ページ: 2652-2656
- NAID
  10022540457
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656099
[雑誌論文] Effects of surface states and Si-interlayer based surface passivation on GaAs quantum wires grown by selective molecular beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  N.Shiozaki, T.Sato, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 23(4)
  
  ページ: 1714-1721
- NAID
  120000961770
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656099
[雑誌論文] Electrochemical processes for formation, processing and gate control of III-V semiconductor nanostructures2005
- 著者名/発表者名
  H.Hasegawa, T.Sato
- 雑誌名
  
  ELECTROCHIMICAACTA 50(15)
  
  ページ: 3015-3027
- NAID
  120000964124
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760239
[雑誌論文] Cross-sectional Evolution and Its Mechanism during Selective MBE Growth of GaAs Quantum Wires on (111)B Substrates2005
- 著者名/発表者名
  I.Tamai, T.Sato, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS (in press)
- NAID
  10022540457
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760239
[雑誌論文] Study on ECR Dry Etching and Selective MBE Growth of AlGaN/GaN for Fabrication of Quantum Nanostructures on GaN(0001) Substrates2005
- 著者名/発表者名
  T.Oikawa, F.Ishikawa, T.Sato, T.Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Appl. Sur. Sci. 244
  
  ページ: 84-87
- NAID
  120000953792
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Growth kinetics and theoretical modeling of selective molecular beam epitaxy for growth of GaAs nanowires on nonplanar (001) and (111)B substrates2005
- 著者名/発表者名
  T.Sato, I.Tamai, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 23(4)
  
  ページ: 1706-1713
- NAID
  120000958805
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656099
[雑誌論文] Study on ECR Dry Etching and Selective MBE Growth of AlGaN/GaN for Fabrication of Quantum Nanostructures on GaN(000l) Substrates2005
- 著者名/発表者名
  T.Oikawa, F.Ishikawa, T.Sato, T.Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Appl. Sur. Sci. 244
  
  ページ: 84-87
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Surface-related reduction of photoluminescence in GaAs quantum wires and its recovery by new passivation2005
- 著者名/発表者名
  N.Shiozaki, S.Anantathanasarn, T.Sato, T.Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science (in press)
- NAID
  120000955195
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760239
[雑誌論文] Effects of surface states and Si-interlayer based surface passivation on GaAs quantum wires grown by selective molecular beam epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  N.Shiozaki, T.Sato, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 23(4)
  
  ページ: 1714-1721
- NAID
  120000961770
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760239
[雑誌論文] Study on ECR Dry Etching and Selective MBE Growth of AlGaN/GaN for Fabrication of Quantum Nanostructures on GaN (0001) Substrates2005
- 著者名/発表者名
  T.Oikawa, F.Ishikawa, T.Sato, T.Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 244(1-4)
  
  ページ: 84-87
- NAID
  120000953792
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760239
[雑誌論文] Study on ECR Dry Etching and Selective MBE Growth of AlGaN/GaN for Fabrication of Quantum Nanostructures on GaN (0001) Substrates2005
- 著者名/発表者名
  T.Oikawa, F.Ishikawa, T.Sato, T.Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science (in press)
- NAID
  120000953792
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760239
[雑誌論文] Growth of AlGaN/GaN Quantum Wire Structures by RF-Radical Assisted MBE on Pre-Patterned Substrates2005
- 著者名/発表者名
  T.Sato, T.Oikawa, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 44(4B)
  
  ページ: 2487-2491
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656099
[雑誌論文] Growth of AlGaN/GaN Quantum Wire Structures by RF-Radical Assisted MBE on Pre-Patterned Substrates2005
- 著者名/発表者名
  T.Sato, T.Oikawa, T.Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS (in press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760239
[雑誌論文] Study on ECR Dry Etching and Selective MBE Growth of AlGaN/GaN for Fabrication of Quantum Nanostructures on GaN (0001) Substrates2005
- 著者名/発表者名
  T.Oikawa, F.Ishikawa, T.Sato, T.Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 244(1-4)
  
  ページ: 84-87
- NAID
  120000953792
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656099
[雑誌論文] Surface-related reduction of photoluminescence in GaAs quantum wires and its recovery by new passivation2005
- 著者名/発表者名
  N.Shiozaki, S.Anantathanasarn, T.Sato, T.Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 244(1-4)
  
  ページ: 71-74
- NAID
  120000955195
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656099
[雑誌論文] Electrochemical processes for formation, processing and gate control of III-V semiconductor nanostructures2005
- 著者名/発表者名
  H.Hasegawa, T.Sato
- 雑誌名
  
  ELECTROCHIMICA ACTA 50(15)
  
  ページ: 3015-3027
- NAID
  120000964124
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656099
[雑誌論文] Growth of AlGaN/GaN Quantum Wire Structures by RF-Radical Assisted MBE on Pre-Patterned Substrates2005
- 著者名/発表者名
  T.Sato, T.Oikawa, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 44(4B)
  
  ページ: 2487-2491
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760239
[雑誌論文] Study on ECR Dry Etching and Selective MBE Growth of AlGaN/GaN for Fabrication of Quantum Nanostructures on GaN(0001) Substrates2005
- 著者名/発表者名
  T.Oikawa, F.Ishikawa, T.Sato, T.Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Appl.Sur.Sci 244
  
  ページ: 84-87
- NAID
  120000953792
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17360133
[雑誌論文] Surface-related reduction of photoluminescence in GaAs quantum wires and its recovery by new passivation2005
- 著者名/発表者名
  N.Shiozaki, S.Anantathanasarn, T.Sato, T.Hashizume, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 244(1-4)
  
  ページ: 71-74
- NAID
  120000955195
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760239
[雑誌論文] Cross-sectional Evolution and Its Mechanism during Selective MBE Growth of GaAs Quantum Wires on (111)B Substrates2005
- 著者名/発表者名
  I.Tamai, T.Sato, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 44(4B)
  
  ページ: 2652-2656
- NAID
  10022540457
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760239
[雑誌論文] Hexagonal binary decision diagram quantum circuit approach for ultra-low power III-V quantum LSIs2004
- 著者名/発表者名
  H.Hasegawa, S.Kasai, T.Sato
- 雑誌名
  
  IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E87C
  
  ページ: 1757-1768
- NAID
  110003214788
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760239
[雑誌論文] Selective molecular beam epitaxy growth of GaAs hexagonal nanowire networks on (III)B patterned substrates2004
- 著者名/発表者名
  S.Yoshida, I.Tamai, T.Sato, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 43(4B)
  
  ページ: 2064-2068
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760239
[雑誌論文] Evolution mechanism of heterointerface cross-section during growth of GaAs ridge quantum wires by selective molecular beam epitaxy2004
- 著者名/発表者名
  T.Sato, I.Tamai, S.Yoshida, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  APPLIED SURFACE SCIENCE 234
  
  ページ: 11-15
- NAID
  120000956218
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760239
[雑誌論文] Growth kinetics and modeling of selective molecular beam epitaxial growth of GaAs ridge quantum wires on pre-patterned nonplanar substrates2004
- 著者名/発表者名
  T.Sato, I.Tamai, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 22
  
  ページ: 2266-2274
- NAID
  120000954829
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760239
[雑誌論文] Formation of high-density GaAs hexagonal nano-wire networks by selective MBE growth on pre-patterned (001) substrates2004
- 著者名/発表者名
  I.Tamai, T.Sato, H.Hasegawa
- 雑誌名
  
  PHYSICA E 21
  
  ページ: 521-526
- NAID
  120000954915
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16760239
[産業財産権] 構造体の製造方法および中間構造体2019
- 発明者名
  堀切文正，福原昇，佐藤威友，渡久地政周
- 権利者名
  堀切文正，福原昇，佐藤威友，渡久地政周
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2019
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[産業財産権] 構造体の製造方法と製造装置および中間構造体2019
- 発明者名
  堀切文正，福原昇，佐藤威友，渡久地政周
- 権利者名
  堀切文正，福原昇，佐藤威友，渡久地政周
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2019
- 取得年月日
  2020
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[産業財産権] エッチング方法及びエッチング装置2017
- 発明者名
  佐藤威友、熊崎祐介、橋詰保
- 権利者名
  佐藤威友、熊崎祐介、橋詰保
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2017-095458
- 出願年月日
  2017
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[産業財産権] エッチング方法及びエッチング装置2017
- 発明者名
  佐藤威友、熊崎祐介、橋詰保
- 権利者名
  佐藤威友、熊崎祐介、橋詰保
- 産業財産権種類
  特許
- 出願年月日
  2017
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[産業財産権] センサ及びセンサの製造方法2010
- 発明者名
  佐藤威友
- 権利者名
  国立大学法人北海道大学
- 産業財産権番号
  2010-094012
- 出願年月日
  2010-04-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] Photoelectrochemical Etching of III-Nitride Semiconductors for Nanostructure Fabrication2024
- 著者名/発表者名
  T. Sato
- 学会等名
  International Conference on Advanced Functional Materials and Devices (AFMD2024)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26131
[学会発表] Effects of SiO2-Cap Annealing Prior to Interface Formation on Properties of Al2O3/p-type GaN Interfaces2024
- 著者名/発表者名
  Y. Jiao, T. Nukariya, U. Takatsu, T. Sato, and M. Akazawa
- 学会等名
  16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26131
[学会発表] コンタクトレスPECエッチングを用いたAlGaN/GaN HFETの素子間分離2023
- 著者名/発表者名
  沖勇吾，富樫拓也，越智亮太，佐藤威友
- 学会等名
  第84 回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26131
[学会発表] Low-damage Photo-electrochemical Etching and Electrochemical Characterization of p-GaN Surface2023
- 著者名/発表者名
  U. Takatsu, K. Kubo, and T. Sato
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26131
[学会発表] Mgドープp-GaNを用いたMOS構造のサブバンドギャップ光支援C-V特性2023
- 著者名/発表者名
  忽滑谷崇秀、玉村祐也、高津海、佐藤威友、赤澤正道
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] Current Non-linearity of GaN-based MIS HEMTs in Forward Bias Region2023
- 著者名/発表者名
  T. Sato, and R. Ochi
- 学会等名
  The International Conference on Materials and Systems for Sustainability (ICMaSS2023)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26131
[学会発表] n型GaN基板上に形成されたp型GaN層に対する低損傷光電気化学エッチングとその電気化学的評価2023
- 著者名/発表者名
  髙津海、久保広大、佐藤威友
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26131
[学会発表] 光電気化学エッチングを施したp-GaN MOS界面の特性に対する界面形成プロセスの影響2023
- 著者名/発表者名
  焦一寧, 忽滑谷崇秀, 高津海, 佐藤威友, 赤澤正道
- 学会等名
  第71 回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26131
[学会発表] AlGaN/GaN ヘテロ構造の光電気化学エッチングと反応速度の制御2023
- 著者名/発表者名
  富樫拓也、沖勇吾、大澤由斗、越智亮太、佐藤威友
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] 光電気化学エッチングを施したp-GaNを用いたMOS構造のサブバンドギャップ光支援C-V測定2023
- 著者名/発表者名
  忽滑谷崇秀, 焦一寧，高津海, 佐藤威友, 赤澤正道
- 学会等名
  第84 回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26131
[学会発表] AlGaN/GaN HEMTsにおけるフェルミレベルピンニングに対するPECエッチングの効果2023
- 著者名/発表者名
  越智亮太、富樫拓也、大澤由斗、堀切文正、福原昇、赤澤正道、佐藤威友
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] AlGaN/GaNヘテロ構造の光電気化学エッチングと反応速度の制御2023
- 著者名/発表者名
  富樫拓也、沖勇吾、大澤由斗、越智亮太、赤澤正道、佐藤威友
- 学会等名
  第84 回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26131
[学会発表] Interface Properties of p-type GaN MOS Structures Examined by Sub-Bandgap-Light-Assisted Capacitance-Voltage Measurement2023
- 著者名/発表者名
  T. Nukariya, J. Yining, U. Takatsu, T. Sato, and M. Akazawa
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26131
[学会発表] Influence of the parallel conduction on the current non-linearity of GaN based MIS-HEMTs in the forward bias region2023
- 著者名/発表者名
  R. Ochi, and T. Sato
- 学会等名
  46th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26131
[学会発表] MOS technologies for GaN power transistors2023
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume, and T. Sato
- 学会等名
  023 Asia-Pacific Workshop on Advanced Semiconductor Devices (AWAD)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26131
[学会発表] GaNのコンタクトレス光電気化学（CL-PEC）エッチングにおける溶液pHの影響2023
- 著者名/発表者名
  大澤由斗、赤澤正道、佐藤威友
- 学会等名
  第84 回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26131
[学会発表] p-GaN表面層に対する低損傷PECエッチングとその電気化学的評価(2)2023
- 著者名/発表者名
  高津海、佐藤威友
- 学会等名
  第84 回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26131
[学会発表] p-GaN 表面層に対する低損傷 PEC エッチングとその電気化学的評価2023
- 著者名/発表者名
  高津海、久保広太、佐藤威友
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] Contactless-Photoelectrochemical (CL-PEC) etching on process-damaged n-GaN surface2022
- 著者名/発表者名
  Yoshito Osawa, Hiroki Ogami, Masachika Toguchi, Fumimasa Horikiri, Noboru Fukuhara, and Taketomo Sato
- 学会等名
  14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] 光電気化学(PEC)エッチングの自己停止とAlGaN/GaN HEMTのゲートリセス加工2022
- 著者名/発表者名
  富樫拓也、伊藤滉朔、越智亮太、佐藤威友
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] AlGaN/GaN MIS-HEMTsにおけるパラレル伝導評価2022
- 著者名/発表者名
  越智亮太，橋詰保，佐藤威友
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] Self-terminating photo-electrochemical (PEC) etching for recessed-gate fabrication on AlGaN/GaN HEMTs2022
- 著者名/発表者名
  Takuya Togashi, Kosaku Ito and Taketomo Sato
- 学会等名
  2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] n-GaN加工表面に対するコンタクトレス光電気化学(CL-PEC)エッチング (2)2022
- 著者名/発表者名
  大澤由斗、大神洸貴、越智亮太、堀切文正、福原昇、佐藤威友
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] Effect of the parallel conduction on the current linearity in AlGaN/GaN MIS-HEMTs2022
- 著者名/発表者名
  Ryota Ochi, Taketomo Sato
- 学会等名
  The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] Fabrication of Recessed-gate AlGaN/GaN HEMTs by Low-Damage Contactless Photo-Electrochemical Etching2022
- 著者名/発表者名
  M. Toguchi, K. Miwa, F. Horikiri, N. Fukuhara, Y. Narita, O. Ichikawa, R. Isono, T. Tanaka, and T. Sato
- 学会等名
  14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, online
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] 電気化学反応を利用した窒化ガリウムのウェットエッチングと機能性材料2022
- 著者名/発表者名
  佐藤威友、渡久地政周
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] Mgドープp-GaNを用いたMOS構造のC-V特性に対する光電気化学エッチングの効果2022
- 著者名/発表者名
  忽滑谷崇秀、玉村祐也、久保広大、佐藤威友、赤澤正道
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] n型及びp型GaN表面の電気化学的評価2022
- 著者名/発表者名
  高津海、久保広太、佐藤威友
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] Effect of parallel conduction on the current linearity of AlGaN/GaN MIS-HEMTs2022
- 著者名/発表者名
  Ryota Ochi, Tamotsu Hashizume, Taketomo Sato
- 学会等名
  14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] Low-Damage Etching of Nitride Semiconductors Utilizing Photo-Electrochemical Reactions2022
- 著者名/発表者名
  Taketomo Sato
- 学会等名
  The AVS 68th International Symposium & Exhibition
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] n-GaN加工損傷面に対するコンタクトレス光電気化学（CL-PEC）エッチング2022
- 著者名/発表者名
  大神洸貴，大澤由斗，渡久地政周，堀切文正，福原昇，佐藤威友
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] 光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaNリセスゲートHFETの作製2021
- 著者名/発表者名
  伊藤滉朔，小松裕斗，渡久地政周，井上暁喜，三好実人，佐藤威友
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Precise control in threshold voltage of AlGaN/GaN HEMTs utilizing a photoelectrochemical (PEC) etching2021
- 著者名/発表者名
  T. Sato, M. Toguchi, K. Itoh, T. Hashizume
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] n+GaN基板上n-GaN層の光電気化学(PEC)エッチング時のカソード電極2021
- 著者名/発表者名
  福原昇，堀切文正，渡久地政周，三輪和希，大神洸貴，佐藤威友
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] 電子情報通信学会電子デバイス研究会2021
- 著者名/発表者名
  渡久地政周、三輪和希、堀切文正、福原昇、成田好伸、市川磨、磯野僚多、田中丈士、佐藤威友
- 学会等名
  低損傷コンタクトレス光電気化学エッチングを利用したリセスゲーAlGaN/GaN HEMTsの作製
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] コンタクトレス光電気化学エッチングによるリセスゲートAlGaN/GaN HEMT の作製2021
- 著者名/発表者名
  渡久地政周，三輪和希，堀切文正，福原昇，成田好伸，吉田丈洋，佐藤威友
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] Precise control in threshold voltage of AlGaN/GaN HEMTs utilizing a photoelectrochemical (PEC) etching2021
- 著者名/発表者名
  T. Sato, M. Toguchi, K. Itoh, T. Hashizume
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] コンタクトレス光電気化学エッチングによるリセスゲートAlGaN/GaN HEMT の作製2021
- 著者名/発表者名
  渡久地政周，三輪和希，堀切文正，福原昇，成田好伸，吉田丈洋，佐藤威友
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] 電子情報通信学会電子デバイス研究会2021
- 著者名/発表者名
  伊藤滉朔、小松裕斗、渡久地政周、井上暁喜、田中さくら、三好実人、佐藤威友
- 学会等名
  光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] HfSiOx-gate GaN MOS-HEMTs for RF power transistor2021
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume, R. Ochi, E. Maeda, T. Nabatame, K. Shiozaki and T. Sato
- 学会等名
  Society of Photographic Instrumentation Engineers (SPIE), Photonics West 2021, Gallium Nitride Materials and Devices XVI
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] 光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaNリセスゲートHFETの作製2021
- 著者名/発表者名
  伊藤滉朔，小松裕斗，渡久地政周，井上暁喜，三好実人，佐藤威友
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] HfSiOx-gate AlGaN/GaN MOS HEMTs with improved operation stability2021
- 著者名/発表者名
  R. Ochi, T. Nabatame, T. Hashizume, T. Sato
- 学会等名
  2021 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] 光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製2021
- 著者名/発表者名
  伊藤滉朔、小松祐斗、渡久地政周、井上暁喜、田中さくら、三好実人、佐藤威友
- 学会等名
  電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21H01389
[学会発表] GaN Wet Etching Process for HEMT Devices2020
- 著者名/発表者名
  F. Horikiri, N. Fukuhara, M. Toguchi, and T. Sato
- 学会等名
  12th International symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] 加熱による硫酸ラジカルの生成とn-GaN光電気化学（PEC）エッチングへの応用2020
- 著者名/発表者名
  三輪和希，大神洸貴，渡久地政周，堀切文正，福原昇，成田好伸，吉田丈洋，佐藤威友
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] Fabrication of Recessed-Gate AlGaN/GaN HEMTs Utilizing Contactless Photo-Electrochemical (CLPEC) Etching2020
- 著者名/発表者名
  M. Toguchi, K. Miwa, F. Horikiri, N. Fukuhara, Y. Narita, O. Ichikawa, R. Isono, T. Tanaka, and T. Sato
- 学会等名
  2020 Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science (PRiME 2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Photo-Electrochemical Etching and Porosification of III-Nitride Semiconductors2020
- 著者名/発表者名
  T. Sato, and M. Toguchi
- 学会等名
  2020 Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science (PRiME 2020)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] 電気化学的手法を用いたICP-RIE加工n-GaN表面の評価2020
- 著者名/発表者名
  武田健太郎，山田真嗣，渡久地政周，加地徹，佐藤威友
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] コンタクトレス光電気化学エッチングによるリセスゲート AlGaN/GaN HEMT の作製2020
- 著者名/発表者名
  渡久地政周，三輪和希，堀切文正，福原昇，成田好伸，市川磨，磯野僚多，田中丈士，佐藤威友
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] Photo-Electrochemical Etching and Porosification of III-Nitride Semiconductors2020
- 著者名/発表者名
  T. Sato, and M. Toguchi
- 学会等名
  2020 Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science (PRiME 2020)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] GaN の光電気化学(PEC)エッチングが有する可能性③加熱によるエッチング速度の向上2020
- 著者名/発表者名
  堀切文正，福原昇，太田博，浅井直美，成田好伸，吉田丈洋，三島友義，渡久地政周，三輪和希，大神洸貴，佐藤威友
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] Fabrication of Recessed-Gate AlGaN/GaN HEMTs Utilizing Contactless Photo-Electrochemical (CLPEC) Etching2020
- 著者名/発表者名
  M. Toguchi, K. Miwa, F. Horikiri, N. Fukuhara, Y. Narita, O. Ichikawa, R. Isono, T. Tanaka, and T. Sato
- 学会等名
  2020 Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science (PRiME 2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02175
[学会発表] Low-damage wet etching for AlGaN/GaN recessed-gate HEMTs using photo-electrochemical reactions2019
- 著者名/発表者名
  K. Uemura, Y. Komatsu, and T. Sato
- 学会等名
  11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitride and Nanomaterials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] GaNの光電気化学（PEC）エッチングが有する可能性②コンタクトレスでのエッチング2019
- 著者名/発表者名
  堀切文正，福原昇，太田博，浅井直美，成田好伸，吉田丈洋，三島友義，渡久地政周，三輪和希，佐藤威友
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] III-V族化合物半導体のウェットエッチング～窒化物半導体に関する最近の話題を中心に～2019
- 著者名/発表者名
  佐藤威友，渡久地政周
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] GaN Wet Etching Process2019
- 著者名/発表者名
  F. Horikiri, N. Fukuhara, H. Ohta, N. Asai, Y. Narita, T. Yoshida, T. Mishima, M. Toguchi, K. Miwa, and T. Sato
- 学会等名
  13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] Precise Control in Threshold Voltage of AlGaN/GaN HEMTs by Photoelectrochemical Etching2019
- 著者名/発表者名
  Y. Komatsu, M. Toguchi, and T. Sato
- 学会等名
  Materials Research Meeting 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] 高濃度n型GaN基板に対する光電気化学(PEC)エッチングの調査2019
- 著者名/発表者名
  三輪和希，渡久地政周，佐藤威友
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] Damage-less Wet Etching for Normally-off AlGaN/GaN HEMTs using Photo-electrochemical Reactions2019
- 著者名/発表者名
  T. Sato, K. Uemura, and M. Toguchi
- 学会等名
  2019 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] 電気化学インピーダンス法を用いたn-GaN加工表面の評価 (2)2019
- 著者名/発表者名
  武田健太郎，渡久地政周，佐藤威友
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] AlGaInN/AlGaNヘテロ構造の光電気化学エッチング(2)2019
- 著者名/発表者名
  小松祐斗，渡久地政周，斉藤早紀，三好実人，佐藤威友
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] GaN Wet Etching Process for Power and RF Devices2019
- 著者名/発表者名
  F. Horikiri, N. Fukuhara, H. Ohta, N. Asai, Y. Narita, T. Yoshida, T. Mishima, M. Toguchi, K. Miwa, and T. Sato
- 学会等名
  2019 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Contactless Photoelectrochemical Etching of n-GaN in K2S2O8 solution2019
- 著者名/発表者名
  M. Toguchi, K. Miwa, F. Horikiri, N. Fukuhara, Y. Narita, T. Yoshida, and T. Sato
- 学会等名
  Materials Research Meeting 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] K2S2O8/H3PO4 混合溶液を用いた n-GaN のコンタクトレスエッチング2019
- 著者名/発表者名
  渡久地政周，三輪和希，堀切文正，福原昇，成田好伸，吉田丈洋，佐藤威友
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] GaN Wet Etching Process for Power and RF Devices2019
- 著者名/発表者名
  F. Horikiri, N. Fukuhara, H. Ohta, N. Asai, Y. Narita, T. Yoshida, T. Mishima, M. Toguchi, K. Miwa, and T. Sato
- 学会等名
  2019 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] AlGaInN/AlGaNヘテロ構造の光電気化学エッチング2019
- 著者名/発表者名
  小松祐斗、植村圭佑、佐藤威友
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] Damage-less Wet Etching for Normally-off AlGaN/GaN HEMTs using Photo-electrochemical Reactions2019
- 著者名/発表者名
  T. Sato, K. Uemura, and M. Toguchi
- 学会等名
  2019 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Photo-electrochemical etching optimized for high-doped n-type GaN2019
- 著者名/発表者名
  K. Miwa, M. Toguchi, T. Sato
- 学会等名
  13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] ペルオキソ二硫酸イオン(S2O82-)含有電解液におけるGaNの電気化学特性2019
- 著者名/発表者名
  渡久地政周, 三輪和希, 堀切文正, 福原昇, 成田好伸, 吉田丈洋, 佐藤威友
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] Evaluation of Radical Production Rate from S2O82- ions for GaN Etching2019
- 著者名/発表者名
  M. Toguchi, K. Miwa, F. Horikiri, N. Fukuhara, Y. Narita, T. Yoshida, and T. Sato
- 学会等名
  The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] Simple Photoelectrochemical Etching of GaN for RF Application2019
- 著者名/発表者名
  F. Horikiri, N. Fukuhara, Y. Narita, T. Yoshida, M. Toguchi, K. Miwa, and T. Sato
- 学会等名
  Materials Research Meeting 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] GaN Wet Etching Process for Power and RF Devices2019
- 著者名/発表者名
  F. Horikiri, N. Fukuhara, H. Ohta, N. Asai, Y. Narita, T. Yoshida, T. Mishima, M. Toguchi, K. Miwa, and T. Sato
- 学会等名
  2019 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] Interface control of Al2O3-based MOS structures for advanced GaN transistors2019
- 著者名/発表者名
  T. Hashizume and T. Sato
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Characterization of processing-damage induced on n-GaN surface utilizing electrochemical methods2019
- 著者名/発表者名
  K. Takeda, M. Toguchi, T. Sato
- 学会等名
  13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] Precise control in recessed-gate etching for AlGaN/GaN HEMTs by utilizing photo- electrochemical reactions2019
- 著者名/発表者名
  Y. Komatsu, M. Toguchi, and T. Sato
- 学会等名
  The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] Simple Photoelectrochemical Etching for GaN HEMT Application2019
- 著者名/発表者名
  F. Horikiri, N. Fukuhara, Y. Narita, T. Yoshida, M. Toguchi, K. Miwa, and T. Sato
- 学会等名
  The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] Electrochemical characterization of etching damage induced to n-GaN surface2019
- 著者名/発表者名
  K. Takeda, M. Toguchi, and T. Sato
- 学会等名
  11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitride and Nanomaterials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] AlGaN/GaNへテロ構造トランジスタを基盤とする高感度化学センサの検討2018
- 著者名/発表者名
  小松祐斗、植村圭佑、渡久地政周、佐藤威友
- 学会等名
  2018 年電気化学秋季大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] Precisely-controlled etching of gallium nitride utilizing electrochemical reactions2018
- 著者名/発表者名
  T. Sato and M. Toguchi
- 学会等名
  Nanotech Malaysia 2018
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] 電気化学インピーダンス法を用いたn-GaN加工表面の評価2018
- 著者名/発表者名
  武田健太郎, 渡久地政周,佐藤威友
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] Recessed-gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) Prepared by Photo-electrochemical Etching and Post-metallization Annealing2018
- 著者名/発表者名
  K. Uemura, M. Deki, Y. Honda, H. Amano, and T. Sato
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] Effect of Photo-electrochemical Etching and Post-metallization Annealing on Gate-controllability of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors2018
- 著者名/発表者名
  K. Uemura, M. Deki, Y. Honda, H. Amano, and T. Sato
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] 窒化ガリウム加工基板に対する選択的光電気化学エッチングの検討”2018
- 著者名/発表者名
  渡久地政周, 武田健太郎, 佐藤威友
- 学会等名
  2018 年電気化学秋季大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] Control of Pore Depth in GaN Porous Structures Utilizing a Photoabsorption Process Under below-Bandgap Illumination2018
- 著者名/発表者名
  M. Toguchi, S. Matsumoto, and T. Sato
- 学会等名
  233rd ECS Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] Low-damage Etching for GaN-based Electronic Devices utilizing Photo-electrochemical Reactions2018
- 著者名/発表者名
  T. Sato
- 学会等名
  4th Intensive Discussion on Growht of Nitride Semiconductors
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] Electrochemical Formation and Application of Porous Gallium Nitride2018
- 著者名/発表者名
  T. Sato and M. Toguchi
- 学会等名
  Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMES 2018)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] 電気化学堆積法によるCu2O/InPヘテロ界面の形成(3)2017
- 著者名/発表者名
  近江沙也夏、熊崎祐介、佐藤威友
- 学会等名
  第64回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜，横浜市
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] 光電気化学(PEC)反応を利用したリセスゲートAlGaN/GaN HEMTの作製2017
- 著者名/発表者名
  植村圭佑、佐藤威友、橋詰保
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] 表面加工を施した窒化ガリウムの特異的光吸収特性と光電気化学エッチングの制御2017
- 著者名/発表者名
  渡久地政周，松本悟，佐藤威友
- 学会等名
  2018年電気化学会第85回大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] Removal of reactive-ion-etching damage from n-GaN surface using a photoelectrochemical process2017
- 著者名/発表者名
  S. Matsumoto, M. Toguchi, and T. Sato
- 学会等名
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] 光電気化学(PEC)反応を利用したリセスゲートAlGaN/GaN HEMTの作製2017
- 著者名/発表者名
  植村圭佑、佐藤威友、橋詰保
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Highly-controllable etching for AlGaN/GaN recessed-gate structures utilizing low-damage electrochemical reactions2017
- 著者名/発表者名
  K. Uemura, Y. Kumazaki, T. Sato, and T. Hashizume
- 学会等名
  12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] Photo-electrochemical Formation of Porous Nanostructures on n-type GaN utilizing Franz-Keldysh Effect2017
- 著者名/発表者名
  M. Toguchi, S. Matsumoto, and T. Sato
- 学会等名
  The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] GaN多孔質構造の形状およびキャリア濃度の違いとインピーダンス特性について2017
- 著者名/発表者名
  伊藤圭亮、張笑逸、熊崎祐介、佐藤威友
- 学会等名
  第64回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜，横浜市
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] 光電気化学反応を利用したn-GaN表面層の低損傷エッチング2017
- 著者名/発表者名
  松本悟，佐藤威友，成田哲生，加地徹，橋詰保
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] 光電気化学反応を利用したn-GaN表面ダメージ層の除去2017
- 著者名/発表者名
  松本悟、枝元将彰、熊崎祐介、佐藤威友
- 学会等名
  第64回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜，横浜市
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] Precise thickness control in recess-etching for normally-off AlGaN/GaN HEMTs using a low damage photo-electrochemical reaction2017
- 著者名/発表者名
  Taketomo Sato, Keisuke Uemura, Yusuke Kumazaki, Tamotsu Hashizume
- 学会等名
  12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Franz-Keldysh効果を用いた窒化ガリウムの光電気化学反応制御2017
- 著者名/発表者名
  渡久地政周,佐藤威友
- 学会等名
  2017年電気化学会秋季大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] Precise thickness control in recess-etching for normally-off AlGaN/GaN HEMTs using a low damage photo-electrochemical reaction2017
- 著者名/発表者名
  T. Sato, K. Uemura, Y. Kumazaki, and T. Hashizume
- 学会等名
  12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 12)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] Improved wet-etching processes for GaN-based electron devices2017
- 著者名/発表者名
  T. Sato, K. Uemura and T. Hashizume
- 学会等名
  2017 Materials Research Society Fall Meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] 光電気化学反応を利用したn-GaN表面層の低損傷エッチング2017
- 著者名/発表者名
  松本悟、佐藤威友、成田哲生、加地徹、橋詰保
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06421
[学会発表] Improved wet-etching processes for GaN-based electron devices2017
- 著者名/発表者名
  T. Sato, K. Uemura, and T. Hashizume
- 学会等名
  2017 MRS Fall Meeting and Exhibit
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03224
[学会発表] Improved wet-etching processes for GaN-based electron devices2017
- 著者名/発表者名
  T. Sato, K. Uemura, and T. Hashizume
- 学会等名
  2017 MRS Fall Meeting and Exhibit
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] Removal of reactive-ion-etching damage from n-GaN surface using a photoelectrochemical process2017
- 著者名/発表者名
  S. Matsumoto, M. Toguchi, and T. Sato
- 学会等名
  2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] Precise Structural Tuning of Porous GaN Using Two-Step Anisotropic Etching for Optical and Photo-Electric Applications2016
- 著者名/発表者名
  Y. Kumazaki, S. Matsumoto, and T. Sato
- 学会等名
  2016 Pacific Rim Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (PRiME 2016)
- 発表場所
  Hawaii Convention Center, Honolulu, USA
- 年月日
  2016-10-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] 電気化学堆積法による Cu2O/InP ヘテロ界面の形成2016
- 著者名/発表者名
  近江沙也夏，熊崎祐介，佐藤威友
- 学会等名
  第63回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学大岡山キャンパス，東京都目黒区
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] 電気化学堆積法による Cu2O/InP 多孔質構造ヘテロ界面の形成2016
- 著者名/発表者名
  近江沙也夏、熊崎祐介、佐藤威友
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ, 新潟市
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] AlGaN/GaNヘテロ構造の光電気化学特性と低損傷加工技術への応用2016
- 著者名/発表者名
  熊崎祐介, 植村圭佑, 佐藤威友
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ, 新潟市
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] 金属有機化合物分解法によるGaN表面へのNiO粒子の形成(2)2016
- 著者名/発表者名
  喜田弘文、伊藤圭亮、熊崎祐介、佐藤威友、渡久地政周
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ, 新潟市
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] 異方性ウェットエッチングによるGaN多孔質構造の作製と光学特性評価2016
- 著者名/発表者名
  熊崎祐介，松本悟，佐藤威友
- 学会等名
  第63回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学大岡山キャンパス，東京都目黒区
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Electrochemical Formation and Characterization of Cu2O Films on n-type InP Porous Structures2016
- 著者名/発表者名
  S. Omi, Y. Kumazaki, and T. Sato
- 学会等名
  2016 Pacific Rim Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (PRiME 2016)
- 発表場所
  Hawaii Convention Center, Honolulu, USA
- 年月日
  2016-10-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] GaN多孔質構造の選択領域形成に関する検討2016
- 著者名/発表者名
  松本悟、熊崎祐介、佐藤威友
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ, 新潟市
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] 金属有機化合物分解法によるGaN表面へのNiO粒子の形成2016
- 著者名/発表者名
  喜田弘文，伊藤圭亮，熊崎祐介，佐藤威友
- 学会等名
  第63回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学大岡山キャンパス，東京都目黒区
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] 電気化学インピーダンス分光法によるGaN多孔質構造の評価2016
- 著者名/発表者名
  伊藤圭亮、張笑逸、喜田弘文、熊崎祐介、佐藤威友
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ, 新潟市
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] Electrochemical characterization of GaN porous structures for photochemical sensor application2016
- 著者名/発表者名
  Xiaoyi Zhang、Keisuke Ito、Hirofumi Kida、Yusuke Kumazaki、Taketomo Sato
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ, 新潟市
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] Electrochemical formation of N-type GaN and N-type InP porous structures for chemical sensor applications2016
- 著者名/発表者名
  T. Sato, X. Zhang, K. Ito, S. Matsumoto and Y. Kumazaki
- 学会等名
  IEEE SENSORS 2016
- 発表場所
  Caribe Royale All-Suite Hotel and Convention Center, Orlando, USA
- 年月日
  2016-10-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] AlGaN/GaNヘテロ構造の光電気化学特性と低損傷加工技術への応用2016
- 著者名/発表者名
  熊崎祐介, 植村圭佑,佐藤威友
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  京都大学, 京都市
- 年月日
  2016-12-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] Fabrication of GaN Porous Structures Using Photo-Electrochemical Etching and Electrode Response2016
- 著者名/発表者名
  張笑逸、伊藤圭亮、喜田弘文、熊崎祐介、佐藤威友
- 学会等名
  第63回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学大岡山キャンパス，東京都目黒区
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 光電気化学反応を利用したGaN表面の陽極酸化2016
- 著者名/発表者名
  枝元将彰，熊崎祐介，佐藤威友
- 学会等名
  第63回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学大岡山キャンパス，東京都目黒区
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] nterface control technologies for high-power GaN transistors: Self-stopping etching of p-GaN layers utilizing electrochemical reactions2016
- 著者名/発表者名
  T. Sato, Y. Kumazaki, M. Edamoto, M. Akazawa and T. Hashizume
- 学会等名
  SPIE Photonics West 2016
- 発表場所
  The Moscone Center, San Francisco, USA
- 年月日
  2016-02-13
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Photoelectrochemical characterization of n-type GaN porous structures for use in photocatalytic water-splitting system2015
- 著者名/発表者名
  H. Kida, Y. Kumazaki, Z. Yatabe and T. Sato
- 学会等名
  11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015)
- 発表場所
  Hida Hotel Plaza, Takayama
- 年月日
  2015-08-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] 裏面光照射電気化学法によるGaN陽極酸化表面の分析2015
- 著者名/発表者名
  枝元将彰, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場，名古屋市
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Cu2O/GaNヘテロ構造の電気化学形成と光学的特性評価2015
- 著者名/発表者名
  熊崎祐介, 近江沙也夏, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場，名古屋市
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] Formation of Self-aligned Pore Arrays on n-GaN Substrates by Photo-assisted Electrochemical Etching Process2015
- 著者名/発表者名
  Y. Kumazaki, T. Sato and Z. Yatabe
- 学会等名
  2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015)
- 発表場所
  Sapporo Convention Center, Sapporo
- 年月日
  2015-09-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と紫外光応答特性2015
- 著者名/発表者名
  喜田弘文, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会/電気学会フィジカルセンサ/バイオ・マイクロシステム合同研究会
- 発表場所
  機会振興会館, 東京都芝区
- 年月日
  2015-08-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] Effect of High Electric Field on Photoabsorption Properties of GaN Porous Structures2015
- 著者名/発表者名
  T. Sato, Y. Kumazaki and Z. Yatabe
- 学会等名
  11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015)
- 発表場所
  Hida Hotel Plaza, Takayama
- 年月日
  2015-08-23
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と紫外光応答特性2015
- 著者名/発表者名
  喜田弘文, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会/電気学会フィジカルセンサ/バイオ・マイクロシステム合同研究会
- 発表場所
  機会振興会館, 東京都芝区
- 年月日
  2015-08-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Electrochemical formation of GaN porous structures for photocatalytic applications2015
- 著者名/発表者名
  T. Sato, Y. Kumazaki and Z. Yatabe
- 学会等名
  11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015)
- 発表場所
  Hida Hotel Plaza, Takayama
- 年月日
  2015-08-23
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] 分光電気化学法によるGaN/電解液界面の評価とナノ構造形成への応用2015
- 著者名/発表者名
  熊崎祐介, 渡部晃生, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  豊橋技術科学大学, 豊橋市
- 年月日
  2015-05-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Electrochemical Formation of Cu2O Films on n-type InP and n-type GaN Substrates2015
- 著者名/発表者名
  S. Omi, Y. Kumazaki, Z. Yatabe and T. Sato
- 学会等名
  11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015)
- 発表場所
  Hida Hotel Plaza, Takayama
- 年月日
  2015-08-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] Size-controlled formation of high-aspect ratio porous nanostructures on GaN substrates utilizing photo-assisted electrochemical etching for photovoltaic applications2015
- 著者名/発表者名
  Y. Kumazaki, Z. Yatabe and T. Sato
- 学会等名
  2015 MRS Fall Meeting & Exhibit
- 発表場所
  Hynes Convention Center, Boston, USA
- 年月日
  2015-11-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] Effect of High Electric Field on Photoabsorption Properties of GaN Porous Structures2015
- 著者名/発表者名
  T. Sato, Y. Kumazaki, Z. Yatabe
- 学会等名
  228th ECS meeting
- 発表場所
  Hyatt Regency Phoenix and Phoenix Convention Center, Phoenix, USA
- 年月日
  2015-10-11
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] Influence of dry etching on Al2O3/AlGaN/GaN MOS interface properties2015
- 著者名/発表者名
  Z. Yatabe, J. Ohira, T. Sato and T. Hashizume
- 学会等名
  11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015)
- 発表場所
  Hida Hotel Plaza, Takayama
- 年月日
  2015-08-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Photoelectric energy conversion in GaN porous nanostructures formed by electrochemical process2015
- 著者名/発表者名
  T. Sato, Y. Kumazaki and T. Hashizume
- 学会等名
  Energy, Materials and Nanotechnology: The Collaborative Conference on Crystal Growth 2015 (EMN-3CG 2015)
- 発表場所
  Eaton Hotel, Hong Kong, China
- 年月日
  2015-12-09
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] Effect of High Electric Field on Photoabsorption Properties of GaN Porous Structures2015
- 著者名/発表者名
  T. Sato, Y. Kumazaki, Z. Yatabe
- 学会等名
  228th ECS meeting
- 発表場所
  Hyatt Regency Phoenix and Phoenix Convention Center, Phoenix, USA
- 年月日
  2015-10-11
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 光触媒水分解システムを用いたn-GaN多孔質構造の光電気化学的評価2015
- 著者名/発表者名
  喜田弘文, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場，名古屋市
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] Size-controlled formation of high-aspect ratio porous nanostructures on GaN substrates utilizing photo-assisted electrochemical etching for photovoltaic applications2015
- 著者名/発表者名
  Y. Kumazaki, Z. Yatabe and T. Sato
- 学会等名
  2015 MRS Fall Meeting & Exhibit
- 発表場所
  Hynes Convention Center, Boston, USA
- 年月日
  2015-11-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 電気化学堆積法によるCu2O/InPヘテロ構造の形成と特性評価2015
- 著者名/発表者名
  近江沙也夏, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場，名古屋市
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K13937
[学会発表] High-selective etching of p-GaN layers on AlGaN/GaN heterostructures by electrochemical process2015
- 著者名/発表者名
  M. Edamoto, Y. Kumazaki, Z. Yatabe, T. Sato and T. Hashizume
- 学会等名
  11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015)
- 発表場所
  Hida Hotel Plaza, Takayama
- 年月日
  2015-08-23
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 界面・バルク電子準位がGaNトランジスタの動作特性に与える影響2014
- 著者名/発表者名
  橋詰保, 西口賢弥, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  第1回先進パワー半導体分科会研究会「ワイドギャップ半導体パワーデバイスの信頼性」
- 発表場所
  東京工業大学（東京都目黒区）
- 年月日
  2014-07-30
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 窒化物半導体異種接合の評価と制御2014
- 著者名/発表者名
  佐藤威友, 赤澤正道, 橋詰保
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学（神奈川県相模原市）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] AlGaN/GaN ヘテロ構造上に形成したp-GaN層の選択的電気化学エッチング2014
- 著者名/発表者名
  熊崎祐介, 佐藤威友, 橋詰保
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学（神奈川県相模原市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 電気化学的手法によるIII-V族半導体多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用2014
- 著者名/発表者名
  佐藤威友, 渡部晃生，熊崎祐介
- 学会等名
  公益社団法人電気化学会第81回大会
- 発表場所
  関西大学（大阪府吹田市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] III-V族化合物半導体多孔質構造の形成と機能素子への応用2014
- 著者名/発表者名
  佐藤威友，熊崎祐介, 渡部晃生
- 学会等名
  表面技術協会第129回講演大会
- 発表場所
  東京理科大学（千葉県野田市）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Structural and Optical Characterization of GaN Porous Structures Formed by Photo-assisted Electrochemical Process2013
- 著者名/発表者名
  Y. Kumazaki, A. Watanabe, Z. Yatabe and T. Sato
- 学会等名
  224th ECS meeting
- 発表場所
  Hilton Hotel（San Francisco, USA）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Photoabsorption and Photoelectric Conversion Properties of InP Porous Structures Formed by Electrochemical Process2013
- 著者名/発表者名
  T. Sato, Y. Kumazaki, R. Jinbo and Z. Yatabe
- 学会等名
  224th ECS meeting
- 発表場所
  Hilton Hotel（San Francisco, USA）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性2013
- 著者名/発表者名
  熊崎祐介, 渡部晃生, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  大阪大学（大阪府吹田市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] GaN多孔質ナノ構造の表面形状と光電気化学特性2013
- 著者名/発表者名
  熊崎祐介, 渡部晃生, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学（京都府京田辺市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 電気化学的手法と裏面光照射法によるGaN多孔質ナノ構造の形成2013
- 著者名/発表者名
  渡部晃生, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学（京都府京田辺市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光学特性の評価2013
- 著者名/発表者名
  熊崎祐介，渡部晃生, 谷田部然治, 神保亮平, 佐藤威友
- 学会等名
  平成２５年春期応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学（神奈川県厚木市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] InP多孔質構造孔壁表面の機能化による光電変換素子への応用2013
- 著者名/発表者名
  神保亮平，渡部晃生, 佐藤威友
- 学会等名
  第48回応用物理学会北海道支部/第９回日本光学会北海道地区合同学術講演会
- 発表場所
  釧路市生涯学習センター（北海道釧路市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] Electrochemical Formation and Optical Characterization of GaN Porous Structures2013
- 著者名/発表者名
  Y. Kumazaki, A. Watanabe, R. Jinbo, Z. Yatabe and T. Sato
- 学会等名
  The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013)
- 発表場所
  神戸コンベンションセンター（神戸市、兵庫県）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] GaN多孔質構造の形状制御と化学センサへの応用2013
- 著者名/発表者名
  渡部晃生, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  第49回応用物理学会北海道支部学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道札幌市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Selective etching of p-GaN layers for normally-off AlGaN/GaN HEMTs by electrochemical process2013
- 著者名/発表者名
  3. Y. Kumazaki, N. Azumaishi, H. Ueda, M. Kanechika, H. Tomita, T. Sato and T. Hashizume
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Gaylord National Hotel and Convention Center Washington (Washington DC, USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換2013
- 著者名/発表者名
  熊崎祐介, 神保亮平, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  静岡大学（静岡県浜松市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Electrochemical Formation and Optical Characterization of GaN Porous Structures2013
- 著者名/発表者名
  Y. Kumazaki, A. Watanabe, R. Jinbo, Z. Yatabe and T. Sato
- 学会等名
  32nd Electronic Materials Symposium (EMS32)
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺（滋賀県守山市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Photoelectric-conversion Devices Based on InP Porous Structure2012
- 著者名/発表者名
  T. Sato, R. Jinbo and Z. Yatabe
- 学会等名
  2012 Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science
- 発表場所
  ハワイコンベンションセンター（ホノルル、米国）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] pn接合基板上に形成したInP多孔質構造の光学特性評価2012
- 著者名/発表者名
  工藤智人, 佐藤威友
- 学会等名
  第47回応用物理学会北海道支部/第8回日本光学会北海道地区合同学術講演会
- 発表場所
  北海道大学(札幌市)
- 年月日
  2012-01-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] Optical Absorption Properties of InP Porous Structures Formed by Electrochemical Process2012
- 著者名/発表者名
  Y. Kumazaki, T. Kudo, Z. Yatabe, T.Sato
- 学会等名
  2012International Conference on Solid StateDevices and Materials
- 発表場所
  国立京都国際会館(京都府左京区)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] High-sensitive ISFETs Based on Semiconductor Porous Nanostructures2012
- 著者名/発表者名
  T. Sato
- 学会等名
  BIT's 3rd Annual World Congress of NanoMedicine-2012
- 発表場所
  深センコンベンションセンター(中国)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] Optical Absorption Properties of InP Porous Structures Formed by Electrochemical Process2012
- 著者名/発表者名
  Y. Kumazaki, T. Kudo, Y. Yatabe and T. Sato
- 学会等名
  2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  国立京都国際会館（京都市左京区）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] Characterization and control of dry-etched AlGaN surfaces2012
- 著者名/発表者名
  Z.Yatabe, Y.Hori, T.Sato, T.Hashizume
- 学会等名
  2012 RCIQE International Workshop for Green Electronics
- 発表場所
  北海道大学(札幌市)
- 年月日
  2012-03-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] Photo-electrical response of InP porous structures and their application to photo-electric conversion devices2012
- 著者名/発表者名
  R.Jinbo, T.Kudo, Y.Imai, Z.Yatabe, T.Sato
- 学会等名
  2012 RCIQE International Workshop for Green Electronics
- 発表場所
  北海道大学(札幌市)
- 年月日
  2012-03-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] High-sensitive ISFETs Based on Semiconductor Porous Nanostructures2012
- 著者名/発表者名
  T. Sato
- 学会等名
  BIT’s 3rd Annual World Congress of NanoMedicine-2012
- 発表場所
  深センコンベンションセンター（深セン、中国）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] 電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と孔の位置制御2012
- 著者名/発表者名
  神保亮平, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  平成24年春期応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  早稲田大学(東京都)
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] ポリスチレン微小球の自己組織化配列とリソグラフィ技術を利用した半導体加工基板の作製2012
- 著者名/発表者名
  神保亮平，今井雄大、谷田部然治、佐藤威友
- 学会等名
  平成２４年秋期第７３回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学（愛媛県松山市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] pn接合基板上に形成したInP多孔質構造の光学応答特性の評価2012
- 著者名/発表者名
  熊崎祐介，工藤智人，谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  平成２４年秋期第７３回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学（愛媛県松山市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] ポリスチレン微小球の自己組織化配列とリソグラフィ技術を利用した多孔質構造の形成と位置制御2012
- 著者名/発表者名
  今井雄大, 神保亮平, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  第47回応用物理学会北海道支部/第8回日本光学会北海道地区合同学術講演会
- 発表場所
  北海道大学(札幌市)
- 年月日
  2012-01-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] Photo-electrical response of InP porous structures formed on pn substrates2011
- 著者名/発表者名
  T.Kudo, T.Sato
- 学会等名
  International Symposium on Surface Science
- 発表場所
  タワーホール船堀(東京都)
- 年月日
  2011-12-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] ドライエッチしたGaNおよびAlGaN表面の評価と制御2011
- 著者名/発表者名
  谷田部然治, 東石直樹, 佐藤威友, 橋詰保
- 学会等名
  平成23年秋期第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形市)
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] Photo-electrical response of InP porous structures formed on pn substrates2011
- 著者名/発表者名
  T. Kudo, T. Sato
- 学会等名
  2011 International Symposium on Surface Science
- 発表場所
  タワーホール船橋(東京都江戸川区)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] ポリスチレン微小球の自己組織化配列とリソグラフィ技術を利用した多孔質構造の形成2011
- 著者名/発表者名
  今井雄大, 神保亮平, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  平成23年秋期第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形市)
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] Photoelectric Conversion Devices based on InP Porous Structures2011
- 著者名/発表者名
  R.Jinbo, T.Kudo, T.Sato
- 学会等名
  2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  愛知県産業労働センター(名古屋市)
- 年月日
  2011-09-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] 電気化学的手法を用いたInP多孔質構造の形成と光電変換素子への応用2011
- 著者名/発表者名
  神保亮平, 岡崎拓行, 佐藤威友
- 学会等名
  平成23年秋期第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形市)
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] Characterization and control of dry-etched GaN surfaces2011
- 著者名/発表者名
  Z.Yatabe, S.-S.Kim, N.Azumaishi, T.Sato, T.Hashizume
- 学会等名
  6th Interbnnational Symposium on Surface Science (ISSS-6)
- 発表場所
  タワーホール船堀(東京)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246007
[学会発表] pn接合基板上に形成した畑多孔質構造の光応答特性2011
- 著者名/発表者名
  工藤智人, 岡崎拓行, 佐藤威友
- 学会等名
  第46回応用物理学会北海道支部/第7回日本光学会北海道地区合同学術講演会
- 発表場所
  室蘭工業大学、室蘭市
- 年月日
  2011-01-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] ポリスチレン微小球の自己組織化配列とリソグラフィ技術を利用した半導体パターニング技術2011
- 著者名/発表者名
  今井雄大, 岡崎拓行, 佐藤威友
- 学会等名
  平成23年春期応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  (講演会中止)(発表成立)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] InP多孔質構造を利用した光電変換素子の検討2011
- 著者名/発表者名
  工藤智人, 岡崎拓行, 佐藤威友
- 学会等名
  平成23年春期応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  (講演会中止)(発表成立)
- 年月日
  2011-03-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] pn接合基板に形成したInP多孔質構造の光応答特性2011
- 著者名/発表者名
  工藤智人, 佐藤威友
- 学会等名
  平成23年秋期第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学(山形市)
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] ポリスチレン微小球の自己組織化配列を利用した半導体マイクロパターニング技術2011
- 著者名/発表者名
  今井雄大, 岡崎拓行, 佐藤威友
- 学会等名
  第46回応用物理学会北海道支部/第7回日本光学会北海道地区合同学術講演会
- 発表場所
  室蘭工業大学(室蘭市)
- 年月日
  2011-01-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] Characterization and control of dry-etched GaN surfaces2011
- 著者名/発表者名
  Z.Yatabe, S.Kim, N.Azumaishi, T.Sato, T.Hashizume
- 学会等名
  International Spmposium on Surface Science
- 発表場所
  タワーホール船堀(東京都)
- 年月日
  2011-12-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] pn接合基板上に形成したInP多孔質構造の光応答特性2011
- 著者名/発表者名
  工藤智人, 岡崎拓行, 佐藤威友
- 学会等名
  第46回応用物理学会北海道支部/第7回日本光学会北海道地区合同学術講演会
- 発表場所
  室蘭工業大学(室蘭市)
- 年月日
  2011-01-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] ポリスチレン微小球の自己組織化配列を利用した半導体マイクロパターニング技術2011
- 著者名/発表者名
  今井雄大, 岡崎拓行, 佐藤威友
- 学会等名
  第46回応用物理学会北海道支部/第7回日本光学会北海道地区合同学術講演会
- 発表場所
  室蘭工業大学、室蘭市
- 年月日
  2011-01-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] 電気化学的手法によるInPポーラス孔壁表面の機能化と電気的特性の評価2011
- 著者名/発表者名
  岡崎拓行, 神保亮平, 佐藤威友
- 学会等名
  化学系学協会北海道支部2011年冬季研究発表会
- 発表場所
  北海道大学(札幌市)
- 年月日
  2011-02-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] 電気化学的手法によるInPポーラス孔壁表面の機能化と電気的特性の評価2011
- 著者名/発表者名
  岡崎拓行, 神保亮平, 佐藤威友
- 学会等名
  化学系学協会北海道支部2011年冬季研究発表会
- 発表場所
  北海道大学、札幌市
- 年月日
  2011-02-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] 電気化学的手法を用いて形成したInPポーラス構造の電気的特性2010
- 著者名/発表者名
  岡崎拓行, 吉澤直樹, 佐藤威友, 橋詰保
- 学会等名
  平成22年春期応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学、神奈川県平塚市
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] InP多孔質構造の光吸収特性と光電変換2010
- 著者名/発表者名
  佐藤威友, 岡崎拓行
- 学会等名
  平成22年秋期応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎市)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] Electrochemical formation of InP porous structures for their application to photoelectric conversion devices2010
- 著者名/発表者名
  H.Okazaki, T.Sato, T.Has hizume
- 学会等名
  2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD)
- 発表場所
  東京工業大学、東京都目黒区
- 年月日
  2010-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] High-Sensitive ISFETs based on InP Porous Structures2010
- 著者名/発表者名
  T.Sato, N.Yoshizawa
- 学会等名
  The 61^<st> Annual Meeting of the International Soci ety of Electrochemistry (ISE)
- 発表場所
  Acropolis会議場、ニース、フランス
- 年月日
  2010-09-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] pn接合基板上に形成したInP多孔質構造の電気的評価2010
- 著者名/発表者名
  工藤智人, 岡崎拓行, 佐藤威友
- 学会等名
  平成22年秋期応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎市)
- 年月日
  2010-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] Optical and Electrical Properties of InP Porous Structures Formed on p-n Substrates2010
- 著者名/発表者名
  T.Sato, A.Mizohata, N.Yoshizawa, T.Hashizume
- 学会等名
  2010 International RCIQE/CREST Joint Workshop
- 発表場所
  北海道大学、札幌市
- 年月日
  2010-03-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] 電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と孔壁表面の機能化2010
- 著者名/発表者名
  岡崎拓行, 佐藤威友
- 学会等名
  平成22年秋期応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎市)
- 年月日
  2010-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] InP-pn接合基板へのポーラス構造作製と形状および位置の制御2010
- 著者名/発表者名
  岡崎拓行, 吉澤直樹, 佐藤威友
- 学会等名
  平成22第45回応用物理学会北海道支部/第6回日本光学会北海道支部合同学術講演
- 発表場所
  北海道大学、札幌市
- 年月日
  2010-01-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] ポリスチレン微小球の自己組織化配列を利用したマイクロパターニングと半導体微細加工への応用2010
- 著者名/発表者名
  今井雄大, 岡崎拓行, 佐藤威友
- 学会等名
  平成22年秋期応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎市)
- 年月日
  2010-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] Electrochemical formation of InP porous structures for their application to photoelectric conversion devices2010
- 著者名/発表者名
  H.Okazaki, T.Sato, T.Hashizume
- 学会等名
  2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD)
- 発表場所
  東京工業大学(東京都)
- 年月日
  2010-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] Optical and Electrical Properties of InP Porous Structures Formed on p-n Substrates2010
- 著者名/発表者名
  T.Sato, A.Mizohata, N.Yoshizawa, T.Hashizume
- 学会等名
  2010 International RCIQE/CREST Joint Workshop
- 発表場所
  北海道大学、札幌市
- 年月日
  2010-03-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] InP多孔質構造の光吸収特性と光電変換2010
- 著者名/発表者名
  佐藤威友, 岡崎拓行
- 学会等名
  平成22年秋期応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学、長崎市
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] InP-pn接合基板へのポーラス構造作製と形状および位置の制御2010
- 著者名/発表者名
  岡崎拓行, 吉澤直樹, 佐藤威友
- 学会等名
  平成22第45回応用物理学会北海道支部/第6回日本光学会北海道支部合同学術講演
- 発表場所
  北海道大学、札幌市
- 年月日
  2010-01-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] pn接合基板上に形成した回多孔質構造の電気的評価2010
- 著者名/発表者名
  工藤智人, 岡崎拓行, 佐藤威友
- 学会等名
  平成22年秋期応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学、長崎市
- 年月日
  2010-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] 多孔質構造を有するイオン感応性電界効果トランジスタ2010
- 著者名/発表者名
  佐藤威友, 岡崎拓行
- 学会等名
  平成22年秋期応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学、長崎市
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] 電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と孔壁表面の機能化2010
- 著者名/発表者名
  岡崎拓行, 佐藤威友
- 学会等名
  平成22年秋期応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学、長崎市
- 年月日
  2010-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] 電気化学的手法を用いて形成したInPポーラス構造の電気的特性2010
- 著者名/発表者名
  岡崎拓行, 吉澤直樹, 佐藤威友, 橋詰保
- 学会等名
  平成22年春期応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学、神奈川県平塚市
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] Optical and Electrical Properties of InP Porous Structures Formed on P-N Substrates2010
- 著者名/発表者名
  H.Okazaki, T.Sato, N.Yoshizawa, T.Hashizume
- 学会等名
  2010 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM)
- 発表場所
  高松シンボルタワー(高松市)
- 年月日
  2010-06-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] Optical and Electrical Properties of InP Porous Structures Formed on P-N Substrates2010
- 著者名/発表者名
  H.Okazaki, T.Sato, N.Yoshiza wa, T.Hashaume
- 学会等名
  2010 International Conference on Indium Phosphi de and Related Materials (IPRM)
- 発表場所
  高松シンボルタワー、高松市
- 年月日
  2010-06-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] InP-pn接合基板へのポーラス構造形成および電気的特性評価2010
- 著者名/発表者名
  吉澤直樹, 岡崎拓行, 佐藤威友, 橋詰保
- 学会等名
  平成22第45回応用物理学会北海道支部/第6回日本光学会北海道支部合同学術講演-
- 発表場所
  北海道大学、札幌市
- 年月日
  2010-01-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] 電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用2010
- 著者名/発表者名
  佐藤威友, 吉澤直樹, 岡崎拓行, 橋詰保
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  北陸先端科学技術大学院大学(能美市)
- 年月日
  2010-06-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] High-Sensitive ISFETs based on InP Porous Structures2010
- 著者名/発表者名
  T. Sato, N. Yoshizawa
- 学会等名
  The 61st Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry (ISE)
- 発表場所
  Acropolisコンベンションセンター(フランス)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] 電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用2010
- 著者名/発表者名
  佐藤威友, 吉澤直樹, 岡崎拓行, 橋詰保
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  北陸先端科学技術大学、能美市
- 年月日
  2010-06-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] InP-pn接合基板へのポーラス構造形成および電気的特性評価2010
- 著者名/発表者名
  吉澤直樹, 岡崎拓行, 佐藤威友, 橋詰保
- 学会等名
  平成22第45回応用物理学会北海道支部/第6回日本光学会北海道支部合同学術講演
- 発表場所
  北海道大学、札幌市
- 年月日
  2010-01-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] ポリスチレン微小球の自己組織化配列を利用したマイクロパターニングと半導体微細加工への応用2010
- 著者名/発表者名
  今井雄大, 岡崎拓行, 佐藤威友
- 学会等名
  平成22年秋期応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学、長崎市
- 年月日
  2010-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] 多孔質構造を有するイオン感応性電界効果トランジスタ2010
- 著者名/発表者名
  佐藤威友, 岡崎拓行
- 学会等名
  平成22年秋期応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(長崎市)
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] High-Sensitive ISFETs based on InP Porous Structures2010
- 著者名/発表者名
  T.Sato, N.Yoshizawa
- 学会等名
  The 61st Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry (ISE)
- 発表場所
  Acropolis Conference Center(フランス)
- 年月日
  2010-09-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] Low Reflectance Surface Observed on InP Porous Structures after Photoelectroche mical Etching2009
- 著者名/発表者名
  佐藤威友, 吉澤直樹, 岡崎拓行, 橋詰保
- 学会等名
  216th Meeting of the Electrochemical Society
- 発表場所
  Austria Center Vienna、ウィーン、オーストリア
- 年月日
  2009-10-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] InP-pn接合基板へのポーラス構造作製と形状制御2009
- 著者名/発表者名
  岡崎拓行, 吉澤直樹, 佐藤威友
- 学会等名
  平成21年秋期応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学、富山県富山市
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] Formation and application of InP porous structures on p-n substrates2009
- 著者名/発表者名
  佐藤威友, 吉澤直樹, 岡崎拓行, 橋詰保
- 学会等名
  2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Appli cations of Advanced Semiconductor Devices(AWAD)
- 発表場所
  Hae-un-dae Grand Hotel、釜山、韓国
- 年月日
  2009-06-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] ポーラス構造を形成したInP-pn接合基板の電気的特性2009
- 著者名/発表者名
  吉澤直樹, 岡崎拓行, 佐藤威友, 橋詰保
- 学会等名
  平成21年秋期応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学、富山県富山市
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] Electrochemical formation and sensor application of InP porousna nostructures2009
- 著者名/発表者名
  T. Sato, A. Mizohata, N. Yoshizawa and T. Hashizume
- 学会等名
  2009 RCIQE International Seminar on "Advan ced Semiconductor Materials and Devices"
- 発表場所
  北海道大学札幌市
- 年月日
  2009-03-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[学会発表] Formation and application of InP porous structures on p-n substrates2009
- 著者名/発表者名
  T.Sato, N.Yoshizawa, H.Okazaki, T.Hashizume
- 学会等名
  2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD)
- 発表場所
  Hae-un-dae Grand Hotel、釜山、韓国
- 年月日
  2009-06-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] InP-pn接合基板へのポーラス構造作製と形状制御2009
- 著者名/発表者名
  岡崎拓行, 吉澤直樹, 佐藤威友
- 学会等名
  平成21年秋期応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学、富山県富山市
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] Low Reflectance Surface Observed on InP Porous Structures after Photoelectrochemical Etching2009
- 著者名/発表者名
  T. Sato, N. Yoshizawa, H. Okazaki and T.Hashizume
- 学会等名
  216th Meeting of the Electrochemical Society (ECS)
- 発表場所
  Austria Center Viena(オーストリア)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] pH Response Characteristics of Liquid-phase Chemical Sensors using InP Onen-aate FETs2009
- 著者名/発表者名
  N. Yoshizawa, T. Sato, A. Mizohata and T. Hashizume
- 学会等名
  2009 RCIQE International Seminar on "Advanced Semiconductor Materials and Devices"
- 発表場所
  北海道大学札幌市
- 年月日
  2009-03-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[学会発表] Low Reflectance Surface Observed on InP Porous Structures after Photoelectrochemical Etching2009
- 著者名/発表者名
  T.Sato, N.Yoshizawa, H.Okazaki, T.Hashizume
- 学会等名
  216th Meeting of the Electrochemical Society
- 発表場所
  Austria Center Vienna、ウィーン、オーストリア
- 年月日
  2009-10-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21656078
[学会発表] ポーラス構造を形成したInP-pn接合基板の電気的特性2009
- 著者名/発表者名
  吉澤直樹, 岡崎拓行, 佐藤威友, 橋詰保
- 学会等名
  平成21年秋期応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学、富山県富山市
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21686028
[学会発表] Liquid-phase Chemical Sensors using InP-based Open-gate FETs2008
- 著者名/発表者名
  N. Yoshizawa, T. Sato, A. Mizohata and T. Hashizume
- 学会等名
  THE SEVENTH IEEE CONFERENCE ON S ENSORS(IEEE SENSORS 2008)
- 発表場所
  Grand Hotel Tizianoレッチェ、イタリア
- 年月日
  2008-10-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[学会発表] pH Sensitivity of Liquid-phase Chemical Sensors using InP Open-gate FETs2008
- 著者名/発表者名
  N. Yoshizawa, T. Sato, A. Mizohata and T. Hashizume
- 学会等名
  International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS5)
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[学会発表] pH Sensitivity of Liquid-phase Chemical Sensors using InP Open-eate FETs2008
- 著者名/発表者名
  N. Yoshizawa, T. Sato, A. Mizohata and T. Hashizume
- 学会等名
  International Symposium on Surface Science and Nanotechnology(ISSS5)
- 発表場所
  早稲田大学東京都
- 年月日
  2008-11-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[学会発表] 電気化学プロセスによるInPポーラス構造の形成と縦および横方向へのエッチング制御2008
- 著者名/発表者名
  佐藤威友、溝畑彰規、吉澤直樹、橋詰保
- 学会等名
  平成20年秋期応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学愛知県春日井市
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[学会発表] InPイオン感応性電界効果トランジスタのpH応答特性2008
- 著者名/発表者名
  吉澤直樹、溝畑彰規、佐藤威友、橋詰保
- 学会等名
  平成20年秋期応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学愛知県春日井市
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[学会発表] Complete Removal of Irregular Top Layer forSensor Applications of InP Porous Nanostructures2008
- 著者名/発表者名
  T. Sato, A. Mizohata, N. Yoshizawa and T. Hashizume
- 学会等名
  214th Meeting of the Electrochemical Society
- 発表場所
  Honolulu, Hawaii
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[学会発表] 電気化学的手法によるInP表面の機能性修飾と化学センサへの応用2008
- 著者名/発表者名
  溝畑彰規、佐藤威友、橋詰保
- 学会等名
  第43回応用物理学会北海道支部学術講演会
- 発表場所
  札幌市
- 年月日
  2008-01-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[学会発表] Electrochemical formation and sensor application of highly-ordered InP nanostructures2008
- 著者名/発表者名
  T. Sato, A. Mizohata, N. Yoshizawa T. Hashizume
- 学会等名
  2008 RCIQE International seminar on "Advanced Semiconductor Materials and Devices"
- 発表場所
  札幌市
- 年月日
  2008-03-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[学会発表] InPポーラス構造を基盤とする電流検出型化学センサの作製2008
- 著者名/発表者名
  溝畑彰規、吉澤直樹、佐藤威友、橋詰保
- 学会等名
  平成20年秋期応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学愛知県春日井市
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[学会発表] Control of Electronic States at n-GaN Surfaces by Photoelectrochemical Oxidation in Glycol Solution2008
- 著者名/発表者名
  Nanako Shiozaki, Taketomo Sato, Tamotsu Hashizume
- 学会等名
  2008 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2008)
- 発表場所
  Montreux, Swizerland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19032001
[学会発表] Electrochemical formation and functionalization of InP porous nano structures and their application to chemical sensors2008
- 著者名/発表者名
  A. Mizohata, N. Yoshizawa, T.Sato and T. Hashizume
- 学会等名
  2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  かでる2・7会議場札幌市
- 年月日
  2008-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[学会発表] Complete Removal of Irregular Top Layer forSensor Applications of InP Porous Nanostructures2008
- 著者名/発表者名
  T. Sato, A. Mizohata, N. Yoshizawa and T. Hashizume
- 学会等名
  214th Meeting of the Electrochemical Society
- 発表場所
  Hilton Hotelホノルル、米国
- 年月日
  2008-10-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[学会発表] Electrochemical formation and functionalization of InP porous nanostructures and their application to chemical sensors2008
- 著者名/発表者名
  A. Mizohata, N. Yoshizawa, T.Sato and T. Hashizume
- 学会等名
  2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[学会発表] グリコール水溶液を用いた陽極酸化によるGaN表面の電気的・光学的安定化2008
- 著者名/発表者名
  塩崎奈々子、佐藤威友、橋詰保
- 学会等名
  平成20年秋期応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学愛知県春日井市
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[学会発表] Liquid-phase Chemical Sensors using InP-based Open-gate FETs2008
- 著者名/発表者名
  N. Yoshizawa, T. Sato, A. Mizohata and T. Hashizume
- 学会等名
  THE SEVENTH IEEE CONFERENCE ON SENSORS (IEEE SENSORS 2008)
- 発表場所
  Lecce, Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[学会発表] Electrochemical formation and sensor application of InP porous nanostructures2007
- 著者名/発表者名
  T. Sato, T. Fujino, T. Hashizume
- 学会等名
  2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  慶州,韓国
- 年月日
  2007-06-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[学会発表] Electrochemical formation and sensor application of InP porous nanostructures2007
- 著者名/発表者名
  T.Sato, T. Fujino, T. Hashizume
- 学会等名
  2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD)
- 発表場所
  Kyongju, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[学会発表] 電気化学的手法によるInPポーラスナノ構造の形成と化学センサへの応用2007
- 著者名/発表者名
  佐藤威友、溝畑彰規、橋詰保
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会(2007年秋期)
- 発表場所
  札幌市
- 年月日
  2007-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[学会発表] Electrochemical formation of InP porous nanostructures and its application to amperometric chemical sensors2007
- 著者名/発表者名
  T. Sato, T. Fujino, A. Mizohata, T. Hashizume
- 学会等名
  2007 European Materials Research Society (E-MRS) Fall Meeting : Symposium B
- 発表場所
  ワルシャワ,ポーランド
- 年月日
  2007-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[学会発表] Electrochemical formation of InP porous nanostructures and its application to amperometric chemical sensors2007
- 著者名/発表者名
  T.Sato, T. Fujino, A. Mizohata, T. Hashizume
- 学会等名
  European Materials Research Society Fall Meeting
- 発表場所
  Warsaw, Poland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19760208
[学会発表] III-V族化合物半導体の電気化学エッチングと微細加工への応用
- 著者名/発表者名
  佐藤威友, 熊崎祐介, 渡部晃生，谷田部然治
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋期学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 電気化学堆積法によるCu2O/GaNヘテロ構造の形成と特性評価
- 著者名/発表者名
  熊崎祐介, 近江沙也夏, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 電気化学エッチングによるGaN多孔質構造の形成
- 著者名/発表者名
  渡部晃生, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  第50回応用物理学会北海道支部学術講演会
- 発表場所
  旭川市勤労者福祉会館（北海道旭川市）
- 年月日
  2015-01-09 – 2015-01-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Electrochemical Formation of III-V Semiconductor Porous Nanostructures
- 著者名/発表者名
  T. Sato, Y. Kumazaki, A. Watanabe, Z. Yatabe
- 学会等名
  The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference 2014
- 発表場所
  北海道大学（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-07-28 – 2014-07-31
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Structural control of GaN porous structures for high-sensitive chemical sensors
- 著者名/発表者名
  A. Watanabe, Y. Kumazaki, Z. Yatabe, T. Sato
- 学会等名
  The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference 2014
- 発表場所
  北海道大学（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-07-28 – 2014-07-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Electrochemical Formation of GaN Porous Structures Under UV-Light Irradiation for Photoelectrochemical Application
- 著者名/発表者名
  T. Sato, A. Watanabe, Y. Kumazaki, Z. Yatabe
- 学会等名
  The 2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting
- 発表場所
  Moon Palace Resort (Cancun, Mexico)
- 年月日
  2014-10-05 – 2014-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Correlation between Structural and Optical Properties of GaN Porous Structures Formed by Photo-assisted Electrochemical Etching
- 著者名/発表者名
  Y. Kumazaki, A. Watanabe, Z. Yatabe, T. Sato
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
- 発表場所
  Wroclaw Congress Center (WROCLAW, POLAND)
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] Structural Properties and Control of GaN Porous Nanostructures Formed by Photo-assisted Electrochemical Process
- 著者名/発表者名
  A. Watanabe, Y. Kumazaki, Z. Yatabe and T. Sato
- 学会等名
  The 7th International symposium on Surface Science
- 発表場所
  くにびきメッセ（島根県松江市）
- 年月日
  2014-11-02 – 2014-11-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] ドライエッチングがAl2O3/AlGaN/GaN MOS界面特性に与える影響
- 著者名/発表者名
  谷田部然治, 大平城二, 佐藤威友, 橋詰保
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 電気化学エッチングによるGaN多孔質構造の形成と形状制御の向上
- 著者名/発表者名
  熊崎祐介, 渡部晃生，谷田部然治, 佐藤威友
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋期学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079
[学会発表] 電気化学エッチングを用いた窒化物半導体多孔質構造の形成
- 著者名/発表者名
  渡部晃生，熊崎祐介，谷田部然治，佐藤威友
- 学会等名
  2014年電気化学会秋期大会
- 発表場所
  北海道大学（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-09-27 – 2014-09-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289079

1. 橋詰保 (80149898)

共同の研究課題数: 11件

共同の研究成果数: 52件
2. 本久順一 (60212263)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 0件
3. 赤澤正道 (30212400)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 6件
4. 古賀裕明 (80519413)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
5. 三好実人 (30635199)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 3件
6. 葛西誠也 (30312383)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
7. 金子昌充 (70374709)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
8. 久保俊晴 (10422338)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 谷田部然治 (00621773)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 35件
10. 福井孝志 (30240641)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 佐野栄一 (10333650)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 楊林 (60374708)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 長谷川英機 (60001781)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 9件
14. 賈鋭 (30374606)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 藤倉序章 (70271640)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 韓哲九

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 安海岩

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. プリミーラモハン

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

佐藤 威友 Sato Taketomo

佐藤 威人友 SATO Taketomo

研究課題

研究成果

共同研究者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

窒化物半導体異種界面パラレル伝導制御とマルチチャネル高周波トランジスタの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

強力な酸化剤を用いた窒化物半導体ウェットエッチング技術の開発とトランジスタ応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

自己停止酸化機構を利用した窒化物半導体低損傷加工プロセスの開発とトランジスタ応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

窒化物半導体周期的ナノ構造を基盤とした可視光応答型光触媒の開発と人工光合成応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

低損傷プロセスによる窒化物半導体表面のナノスケール制御と高感度化学センシング研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

化合物半導体配列ナノ構造を基盤とする超接合光吸収体の創成と太陽電池応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体多孔質構造を利用した機能的ナノ界面の高密度形成と高感度化学センシング技術研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

佐藤威友 Sato Taketomo

佐藤威人友 SATO Taketomo