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赤堀 誠志  Akabori Masashi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 50345667
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジーセンター, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2018年度 – 2024年度: 北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジーセンター, 准教授
2015年度: 北陸先端科学技術大学院大学, 学内共同利用施設等, 准教授
2012年度 – 2015年度: 北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジーセンター, 准教授
2014年度: 北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジ-センター, 准教授
2010年度 – 2011年度: 北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジーセンター, 助教 … もっと見る
2007年度: 北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジーセンター, 助教
2003年度 – 2006年度: 北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジーセンター, 助手
2005年度: 北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジーセンター, 助教授 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 小区分21050:電気電子材料工学関連
研究代表者以外
中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 電子・電気材料工学 / 理工系 / 電子デバイス・電子機器
キーワード
研究代表者
InAs / MnAs / 分子線エピタキシー / ナノワイヤ / 選択成長 / 分子線エピタキシャル成長 / 歪み多層ヘテロ構造 / 化合物半導体 / 縦型ゲートオールアラウンド / 縦型スピンバルブデバイス … もっと見る / 非局所 / 面内スピン伝播 / 界面構造 / スピンバルブ素子 / MnAs/InAs / スピン軌道結合 / スピン / FET / MBE / トランジスタ / -110 / 電界効果トランジスタ / (110) / 金属被覆膜 / 電気化学プロセス / 半導体チューブ・コイル / ナノコイル / ナノリング / 薄膜金属電極 / 電子物性 / ナノチューブ … もっと見る
研究代表者以外
スピン軌道相互作用 / スピンFET / ヘリウムイオンビーム / グラフェン電界センサ / リモートセンシング / 原子層材料 / 可降水量 / 落雷予測 / グラフェン / 電界センサ / 多値論理素子 / InGaAs量子井戸 / スピンデバイス / スピン起動相互作用 / スピンバルブ特性 / 2次元電子ガス2層系 / 極低温測定 / スピンバルブ素子(SV)素子 / スピンFET(SFET)素子 / スピン論理素子 / 2層2次元電子ガス / スピン論理デバイス / ラシュバ分裂 / 2次元ホールガス / 2次元電子ガス / GaN / InGaAs / electron device / semiconductor physics / MBE. epitaxial / crystal growth / electronic materials / MBE、エゴタキシャル / 電子デバイス・機器 / 半導体物性 / MBE、エピタキシャル / 結晶工学 / 電子・電気材料 / quantum computing device / side-gate / spin transistor / narrow-gap semiconductor / zero-field spin-splitting / inverted heteroiunction / spin-injection / spin-orbit interaction / 2重バッファ構造 / 新狭ギャップヘテロ結合 / 電子ビーム蒸着 / スピン注入電極 / 新狭ギャップヘテロ接合 / 分子線エピタキシ / ヘテロ接合 / 細線 / 逆ヘテロ接合 / 量子計算素子 / サイドゲート / スピントランジスタ / 狭ギャップ半導体 / ゼロ磁場スピン分裂 / 逆構造ヘテロ接合 / スピン注入 / 半導体ヘテロ接合 / スピンエレクトロニクス / 論理回路 / インバータ / スピンFET論理回路 / 強磁性電極 / スピンバルブ素子 隠す
  • 研究課題

    (11件)
  • 研究成果

    (107件)
  • 共同研究者

    (7人)
  •  シングルV/mレベル高性能グラフェン電界センサによる襲雷予測基盤技術の創生

    • 研究代表者
      水田 博
    • 研究期間 (年度)
      2023 – 2026
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  縦型スピンデバイスに向けた(111)B上MnAs/III-V/MnAsヘテロ構造研究代表者

    • 研究代表者
      赤堀 誠志
    • 研究期間 (年度)
      2021 – 2023
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  InGaAs量子井戸2層電子系による多値論理素子開発の研究

    • 研究代表者
      山田 省二
    • 研究期間 (年度)
      2020 – 2022
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
    • 研究機関
      大阪工業大学
  •  (111)B上MnAs/III-V系ヘテロ構造における界面構造と面内スピン伝播研究代表者

    • 研究代表者
      赤堀 誠志
    • 研究期間 (年度)
      2018 – 2020
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  Datta-Das型スピン FETを用いた超省エネルギー論理回路実用化の研究

    • 研究代表者
      山田 省二
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      大阪工業大学
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  領域選択形成したInAsナノワイヤ/強磁性体複合構造によるスピンデバイス研究代表者

    • 研究代表者
      赤堀 誠志
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  (110)上の選択成長を利用した平面型並列ナノワイヤ電界効果トランジスタ研究代表者

    • 研究代表者
      赤堀 誠志
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2011
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  アンチモン系化合物半導体の結晶成長と高周波デバイス回路実装プロセス

    • 研究代表者
      鈴木 寿一
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2007
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  電気化学プロセスによる半導体機能性立体ナノ材料の金属被覆とナノ工学応用研究代表者

    • 研究代表者
      赤堀 誠志
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2006
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  化合物半導体歪み多層ヘテロ構造をベースとした機能性立体ナノ材料の形成と評価研究代表者

    • 研究代表者
      赤堀 誠志
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2004
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学
  •  強磁性体と半導体の複合系におけるスピン注入とそのデバイス応用の研究

    • 研究代表者
      山田 省二
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2005
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      北陸先端科学技術大学院大学

すべて 2024 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2008 2007 2006 2005 2004 その他

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Low-temperature grown MnAs/InAs/MnAs double heterostructure on GaAs (111)B by molecular beam epitaxy2024

    • 著者名/発表者名
      Islam Md Tauhidul、Kabir Md Faysal、Akabori Masashi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 63 号: 1 ページ: 01SP40-01SP40

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ad01c5

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04173
  • [雑誌論文] Raman spectroscopy of doubly aligned bilayer graphene2024

    • 著者名/発表者名
      Kareekunnan Afsal、Akabori Masashi、Watanabe Kenji、Taniguchi Takashi、Mizuta Hiroshi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 124 号: 9

    • DOI

      10.1063/5.0191121

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K20442, KAKENHI-PROJECT-23H00256
  • [雑誌論文] Incremental Analysis of Magnetic Domains in Multiple Types of Ferromagnetic CoFe Nanolayer Patterns2024

    • 著者名/発表者名
      Hara Shinjiro、Dai Wei、Horiguchi Ryoma、Kanetsuka Wataru、Akabori Masashi
    • 雑誌名

      physica status solidi (b)

      巻: 261 号: 3

    • DOI

      10.1002/pssb.202300529

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04173
  • [雑誌論文] Anomalous Random Telegraph Signal in Suspended Graphene with Oxygen Adsorption: Implications for Gas Sensing2023

    • 著者名/発表者名
      de Moraes Nogueira Alexandro、Kareekunnan Afsal、Akabori Masashi、Mizuta Hiroshi、Muruganathan Manoharan
    • 雑誌名

      ACS Applied Nano Materials

      巻: 6 号: 18 ページ: 17140-17148

    • DOI

      10.1021/acsanm.3c03348

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K20442, KAKENHI-PROJECT-23H00256
  • [雑誌論文] Growth temperature dependence of MnSb synthesis on GaAs (111) B using molecular beam epitaxy2023

    • 著者名/発表者名
      Kabir Md Faysal、Islam Md Tauhidul、Komatsu Soh、Akabori Masashi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 63 号: 1 ページ: 01SP37-01SP37

    • DOI

      10.35848/1347-4065/acffd1

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04173
  • [雑誌論文] Spin-filter device using the Zeeman effect with realistic channel and structure parameters2023

    • 著者名/発表者名
      Komatsu Soh、Akabori Masashi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 63 号: 2 ページ: 02SP14-02SP14

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ad0596

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04173
  • [雑誌論文] Berry Curvature Induced Valley Hall Effect in Non‐Encapsulated hBN/Bilayer Graphene Heterostructure Aligned with Near‐Zero Twist Angle2023

    • 著者名/発表者名
      Shintaku Teppei、Kareekunnan Afsal、Akabori Masashi、Watanabe Kenji、Taniguchi Takashi、Mizuta Hiroshi
    • 雑誌名

      Advanced Physics Research

      巻: 3 号: 1

    • DOI

      10.1002/apxr.202300064

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23H00256
  • [雑誌論文] Fabrication of Josephson junctions by single line etching of Nb thin films utilizing nitrogen-gas-field ion-source focused ion beam2022

    • 著者名/発表者名
      Sudo Shinya、Akabori Masashi、Uno Munenori
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 61 号: SB ページ: SB1016-SB1016

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac2ab4

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04173
  • [雑誌論文] Tailoring Magnetic Domains and Magnetization Switching in CoFe Nanolayer Patterns with Their Thickness and Aspect Ratio on GaAs (001) Substrate2022

    • 著者名/発表者名
      Teramoto Keigo、Horiguchi Ryoma、Dai Wei、Adachi Yusuke、Akabori Masashi、Hara Shinjiro
    • 雑誌名

      physica status solidi (b)

      巻: 259 号: 4 ページ: 2100519-2100519

    • DOI

      10.1002/pssb.202100519

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04173
  • [雑誌論文] Anomalous Hall effect in MnAs: Intrinsic contribution due to Berry curvature2021

    • 著者名/発表者名
      Helman C.、Camjayi A.、Islam E.、Akabori M.、Thevenard L.、Gourdon C.、Tortarolo M.
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 103 号: 13

    • DOI

      10.1103/physrevb.103.134408

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04227
  • [雑誌論文] Spin injection and detection in MnAs/GaAs/InAs hybrid system on GaAs(111)B through lateral non-local spin valve measurement at varied temperature2019

    • 著者名/発表者名
      Islam Md. Earul、Hayashida Kazuki、Akabori Masashi
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 9 号: 11 ページ: 115215-115215

    • DOI

      10.1063/1.5126242

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04227
  • [雑誌論文] High-In-content InGaAs quantum point contacts fabricated using focused ion beam system equipped with N2 gas field ion source2014

    • 著者名/発表者名
      M. Akabori, S. Hidaka, S. Yamada, T. Kozakai, O. Matsuda, and A. Yasaka
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 53 号: 11 ページ: 118002-118002

    • DOI

      10.7567/jjap.53.118002

    • NAID

      210000144607

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [雑誌論文] Verification of electrical spin injection into InGaAs two-dimensional electron gas from CoFe electrode by four-terminal non-local geometry2013

    • 著者名/発表者名
      S. Hidaka, T. Kondo, M. Akabori and S. Yamada
    • 雑誌名

      AIP Conf. Proc.

      巻: 1566 ページ: 329-330

    • DOI

      10.1063/1.4848419

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560368
  • [雑誌論文] Magneto-transport properties of InAs nanowires laterally-grown by selective area molecular beam epitaxy on GaAs (110) masked substrates2013

    • 著者名/発表者名
      M. Akabori and S. Yamada
    • 雑誌名

      AIP Conf. Proc.

      巻: 1566 ページ: 219-220

    • DOI

      10.1063/1.4848364

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560368
  • [雑誌論文] High-Efficiency Long-Spin-Coherence Electrical Spin Injection in CoFe/InGaAs Two-Dimensional Electron Gas Lateral Spin-Valve Devices2012

    • 著者名/発表者名
      Shiro Hidaka, Masashi Akabori, and Syoji Yamada
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 5 号: 11 ページ: 113001-113001

    • DOI

      10.1143/apex.5.113001

    • NAID

      10031126453

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560368
  • [雑誌論文] Selective area molecular beam epitaxy of InAs on GaAs(110) masked substrates for direct fabrication of planar nanowire field-effect transistors2012

    • 著者名/発表者名
      M. Akabori, T. Murakami, and S. Yamada
    • 雑誌名

      J. Crystal Growth

      巻: Vol.345 ページ: 22-26

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760228
  • [雑誌論文] Selective area molecular beam epitaxy of InAs on GaAs (110) masked substrates for direct fabrication of planar nanowire field-effect transistors2012

    • 著者名/発表者名
      M.Akabori, T.Murakami, S.Yamada
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth

      巻: 345 号: 1 ページ: 22-26

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2012.02.009

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760228
  • [雑誌論文] Epitaxial lift-off of InGaAs/InAlAs metamorphic high electron mobility heterostructures and their van der Waals bonding on AIN ceramic substrates2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Jeong, M. Shindo, M. Akabori, and T. Suzuki
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express 1

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560300
  • [雑誌論文] Epitaxial lift-off of hiGaAs/InAlAs metamorphic high electron mobility heterostructures and their van der Waals bonding on AIN ceramic substrates2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Jeong, M. Shindo, M. Akabori, T. Suzuki
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express vol. vol.1(referred)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560300
  • [雑誌論文] Structural,optical,and electrical characterizations of epitaxial lifted-offInGaAs/lnAIAs metamorphic heterostructures bonded on AIN ceramic substrates2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Jeong, M.Shindo, H.Takita, M.Akabori, and T.Suzuki
    • 雑誌名

      phys.stat.sol.(c)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560300
  • [雑誌論文] Structural, optical, and electrical characterizations of epitaxial lifted-off InGaAs/InAlAs metamorphic heterostructures bonded on AIN ceramic substrates2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Jeong, M. Shindo, H. Takita, M. Akabori, T. Suzuki
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) (in press)(referred)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560300
  • [雑誌論文] Spin-splitting analysis of a two-dimensional electron gas in almost strain-free In_<0.89> Ga_<0.11> Sb/In_<0.88> Al_<0.12>Sb by magnetoresistance measurements2008

    • 著者名/発表者名
      M.Akabori, V.A.Guzenko, T.Sato, Th.Schaepers, T.Suzuki, and S.Yamada
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560300
  • [雑誌論文] Epitaxial lift-off of InGaAs/lnAIAs metamorphic high electron mobility heterostructures and their vander Waals bonding on AIN ceramic substrates2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Jeong, M.Shindo, M.Akabori, and T.Suzuki
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Express 1

      ページ: 21201-21201

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560300
  • [雑誌論文] Structural, optical, and electrical characterizations of epitaxial lifted-off InGaAs/InAlAs metamorphic heterostructures bonded on AIN ceramic substrates2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Jeong, M. Shindo, H. Takita, M. Akabori, and T. Suzuki
    • 雑誌名

      phys. stat. sol.(c) (in press)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560300
  • [雑誌論文] Spin-splitting analysis of a two-dimensional electron gas in almost strain-free In_<o.89>Ga_<0.11>Sb/In_<0.88>Al_<0.12>Sb by magnetoresistance measurements2008

    • 著者名/発表者名
      M. Akabori, V. A. Guzenko, T. Sato, Th. Schaepers, T. Suzuki, and S. Yamada
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B 77

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560300
  • [雑誌論文] Spin-orbit interaction in high-In content InGaAs/InAlAs inverted heterojunctions for Rashba spintronics devices2007

    • 著者名/発表者名
      H.K.Choi, Y.Kitta, T.Kakegawa, Y.Jeong, M.Akabori, T.Suzuki, S.Yamada
    • 雑誌名

      Proc. 28th Int. Conf. on Physics of Semiconductors

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Spin-orbit interaction in high-In content in GaAs/InAlAs inverted heterojunctions for Rashba spintronics devices2007

    • 著者名/発表者名
      H.K.Choi, Y.Kitta, T.Kakegawa, Y.Jeong, M.Akabori, T.Suzuki, S.Yamada
    • 雑誌名

      Proc. 28^<th> Int Conf. on Physics of Semiconductors (印刷中)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Weak antilocalization measurements on a 2-dimensional electron gas in an InGaSb/InAlSb heterostructure2006

    • 著者名/発表者名
      V. A. Guzenko, M. Akabori, Th. Schapers, S. Cabanas, T. Sato, T. Suzuki, and S. Yamada
    • 雑誌名

      phys. stet. sol.(c) 3

      ページ: 4227-4230

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560300
  • [雑誌論文] Spin splitting in InGaSb/InAlSb 2DEG having high indium content2006

    • 著者名/発表者名
      M,. Akabori, T. Sunouchi, T. Kakegawa, T. Sato, T. Suzuki, S. Yamada
    • 雑誌名

      Physica E referred vol.34

      ページ: 413-416

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560300
  • [雑誌論文] Spin splitting in InGaSb/InAlSb 2DEG having high indium content2006

    • 著者名/発表者名
      M. Akabori, T. Sunouchi, T. Kakegawa, T. Sato, T. Suzuki, and S. Yamada
    • 雑誌名

      Physica E 34

      ページ: 413-416

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560300
  • [雑誌論文] Weak antilocalization measurements on a 2-dimensional electron gas in an InGaSb/InAlSb heterostructure2006

    • 著者名/発表者名
      V.A. Guzenko, M. Akabori, Th. Schapers, S. Cabanas, T. Sato, T. Suzuki, S. Yamada
    • 雑誌名

      phys. stat sol. (c) referred vol.3

      ページ: 4227-4230

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560300
  • [雑誌論文] Spin splitting in InGaSb/InAlSb 2DEG having high indium content2006

    • 著者名/発表者名
      M.Akabori, T.Sunouchi, T.Kakegawa, T.Sato, T.Suzuki, S.Yamada
    • 雑誌名

      Physica E 34

      ページ: 413-416

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560300
  • [雑誌論文] Weak antilocalization measurements on a 2-dimensional electron gas in an InGaSb/InAlSb heterostructure2006

    • 著者名/発表者名
      V.A.Guzenko, M.Akabori, Th.Schapers, S.Cabanas, T.Sato, T.Suzuki, S.Yamada
    • 雑誌名

      Phys. stat. sol.(c) 3

      ページ: 4227-4230

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560300
  • [雑誌論文] Spin-polarized transport in adiabatic quantum point contact with strong Rashba spin-orbit interaction2005

    • 著者名/発表者名
      T.Kita, T.Kakegawa, M.Akabori, S.Yamada
    • 雑誌名

      Sold State Commun. 136

      ページ: 479-483

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Side-gate control of Rashba spin-orbit interaction in InGaAs/InAlAs narrow channels2005

    • 著者名/発表者名
      S.Yamada, T.Kakegawa, M.Akabori
    • 雑誌名

      Proc., I.6, 12^<th> Int Conf. on Narrow Gap Semiconductors

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Side-Gate Control of Rashba Spin Splitting in a InGaAs/InALAs Heterojunction Narrow Channel : Toward Spin-Transistor-Based Qubits2005

    • 著者名/発表者名
      T.Kakegawa, M.Akabori, S.Yamada
    • 雑誌名

      Proc. of 27^<th> Int.Conf. on Physics of Semiconductors

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Clear Spin-Valve Signals in Conventional NiFe/InGaAs 2DEG Hybrid Two-Terminal Structures2005

    • 著者名/発表者名
      M.Akabori, K.Suzuki, S.Yamada
    • 雑誌名

      Proc. of 27^<th> Int.Conf. on Physics of Semiconductors

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Spin-polarized transport in adiabatic quantum point contact with strong Rashba spin-orbit interaction2005

    • 著者名/発表者名
      T.Kita, T.Kakegawa, M.Akabori, S.Yamada
    • 雑誌名

      Solid State Communi., 136,

      ページ: 479-483

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Spin-polarized transport in adiabatic quantum point contact with strong Rashba spin-orbit interaction2005

    • 著者名/発表者名
      T.Kita, T.Kakegawa, M.Akabori, S.Yamada
    • 雑誌名

      Solid State Communi., 136

      ページ: 479-483

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Clear Spin Valve Signals in Conventional NiFe/In0.75Ga0.25As-2DEG Hybrid Two-Terminal Structures2004

    • 著者名/発表者名
      M.Akabori, K.Suzuki, S.Yamada
    • 雑誌名

      Proceedings of 27th Int. Conf. on Semiconductors, Part B

      ページ: 1373-1374

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Side-gate control of Rashba spin splitting in a InGaAs/InAlAs heterojunction narrow channel : toward spin-transistor-based Qubits2004

    • 著者名/発表者名
      T.Kakegawa, M.Akabori, S.Yamada
    • 雑誌名

      Proc. 27^<th> Int. Conf. on Physics of Semiconductors Part B

      ページ: 1297-1298

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Clear Spin Valve Signals in Conventional NiFe/In_<0.75>Ga_<0.25>As-2DEG Hybrid Two-Terminal Structures2004

    • 著者名/発表者名
      M.Akabori, K.Suzuki, S.Yamada
    • 雑誌名

      Proc. 27^<th> Int. Conf. on Physics of Semiconductors Part B

      ページ: 1373-1374

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Side-gate control of Physics of Rashba spin splitting in a InGaAs/InAlAs heterojunction narrow channel : toward spin-transistor-based Qubits2004

    • 著者名/発表者名
      T.Kakegawa, M.Akabori, S.Yamada
    • 雑誌名

      Proceedings of 27th Int. Conf. on Semiconductors, Part B

      ページ: 1297-1298

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] High quality highly mismatched InSb films grown on GaAs substrate via thick AlSb and InAlSb step-graded buffers2004

    • 著者名/発表者名
      T.Sato, M.Akabori, S.Yamada
    • 雑誌名

      Proc. of 11^<th> Modulated Semiconductor Structures (MSS-11)

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Spin-polarized transport in Rashba quantum point contacts2004

    • 著者名/発表者名
      T.Kita, T.Kakegawa, M.Akabori, S.Yamada
    • 雑誌名

      Physica E 22

      ページ: 464-467

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-14076213
  • [雑誌論文] Spin-splitting analysis of a two-dimensional electron gas in almost strain-free In^<0.89>Ga^<0.11>Sb/In^<0.88>Sb by magnetoresistance measurements

    • 著者名/発表者名
      M. Akabori, V.A. Guzenko, T. Sato, Th. Schaepers, T.Suzuki, S. Yamada
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B referred vol.77

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18560300
  • [学会発表] Growth and characterization of MnSb and InSb on GaAs (111)B using molecular beam epitaxy for spin-FET application2024

    • 著者名/発表者名
      Md. F. Kabir, M. Akabori
    • 学会等名
      7th International Symposium on Frontiers in Materials Science
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04173
  • [学会発表] Electric-field Sensor based on MoS2 for Lightning Forecast2024

    • 著者名/発表者名
      Jiali Hu, Islam Mohammad Razzakul, Afsal Kareekunnan, Kuki Akihiro, Takeshi Kudo, Takeshi Maruyama, Masashi Akabori, Hiroshi Mizuta
    • 学会等名
      2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23H00256
  • [学会発表] Fabrication and Characterization of Vertical Spin Valve Devices Based on MnAs/InAs/MnAs/GaAs(111)B with several hundred nanometer width2024

    • 著者名/発表者名
      Thuan Van Pham, Md Tauhidul Islam, Soh Komatsu, Masashi Akabori
    • 学会等名
      第71回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04173
  • [学会発表] Molecular Beam Epitaxial Growth of MnSb, InSb and MnSb/InSb on GaAs (111) B for spin device application2024

    • 著者名/発表者名
      Faysal MD KABIR, Md Tauhidul Islam, Masashi Akabori
    • 学会等名
      第71回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04173
  • [学会発表] Growth and Structural Properties of Low-temperature grown InAs/MnAs Hybrid Structure on GaAs (111)B2023

    • 著者名/発表者名
      Md Tauhidul Islam, Masashi Akabori
    • 学会等名
      The 70th JSAP Spring Meeting 2023
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04173
  • [学会発表] H2SO4/H2O2 digital wet etching of GaAs and InAs for nanostructure fabrication2023

    • 著者名/発表者名
      Yingshu Ma, Masashi Akabori
    • 学会等名
      The 9th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04173
  • [学会発表] Magnetic Domain Analysis of CoFe/MgO Nanolayer Electrode Patterns for Spin-Injection into Semiconducting Nanowires2023

    • 著者名/発表者名
      S. Hara, M. Akabori
    • 学会等名
      The International Conference on PROCESSING & MANUFACTURING OF ADVANCED MATERIALS Processing, Fabrication, Properties, Applications (THERMEC 2023)
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04173
  • [学会発表] GaAs/InAs コアシェルナノワイヤを用いた スピンバルブデバイスの作製・評価2023

    • 著者名/発表者名
      田島 正啓、赤堀 誠志
    • 学会等名
      令和5年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04173
  • [学会発表] Lateral and Vertical Spin Valve Devices Using Molecular Beam Epitaxial Grown MnAs/InAs Hybrid Structures2023

    • 著者名/発表者名
      Md. T. Islam, T. V. Pham, Y Ma, M. Akabori
    • 学会等名
      The 8th International Workshop on Nanotechnology and Application
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04173
  • [学会発表] Growth temperature dependence of MnSb synthesis on GaAs (111)B using molecular beam epitaxy2023

    • 著者名/発表者名
      Md Faysal Kabir, Md Tauhidul Islam, Masashi Akabori
    • 学会等名
      The 9th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04173
  • [学会発表] Observation of topological valley current in non-encapsulated hBN/bilayer graphene heterostructure2023

    • 著者名/発表者名
      Afsal Kareekunnan, Teppei Shintaku, Masashi Akabori, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Hiroshi Mizuta
    • 学会等名
      Graphene 2023
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23H00256
  • [学会発表] Observation of Valley Hall effect in non-encapsulated bilayer graphene2023

    • 著者名/発表者名
      Teppei Shintaku, Kareekunnan Afsal, Masashi Akabori, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Hiroshi Mizuta
    • 学会等名
      The 64th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-23H00256
  • [学会発表] Fabrication and Measurement of Vertical Spin Valve Devices Based on MnAs/InAs/MnAs/GaAs(111)B2023

    • 著者名/発表者名
      Van Thuan Pham, Md. Tauhidul Islam, Masashi Akabori
    • 学会等名
      令和5年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04173
  • [学会発表] Design of semiconductor spin-polarizer utilizing the Zeeman effect2023

    • 著者名/発表者名
      Soh Komatsu, Masashi Akabori
    • 学会等名
      The 9th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04173
  • [学会発表] Low-temperature grown MnAs/InAs/MnAs double heterostructure on GaAs (111)B by molecular beam epitaxy2023

    • 著者名/発表者名
      Md Tauhidul Islam, Masashi Akabori
    • 学会等名
      The 9th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04173
  • [学会発表] Molecular beam epitaxial growth of MnAs/InAs and MnSb/InSb hybrid structures for spintronic device applications2023

    • 著者名/発表者名
      Md. T. Islam, Md. F. Kabir, M. Akabori
    • 学会等名
      The 4th International Workshop on Advanced Materials and Devices
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04173
  • [学会発表] InGaAs 2次元電子ガス 2層デバイスのスピン依存伝導2022

    • 著者名/発表者名
      山田省二、藤元章、赤堀誠志
    • 学会等名
      日本物理学会 2022年第77回年次大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K04631
  • [学会発表] Low Temperature Growth of InAs on GaAs (111)B2022

    • 著者名/発表者名
      Md Tauhidul Islam, Masashi Akabori
    • 学会等名
      JSAP Hokuriku-Shinetsu Chapter Annual Meeting 2022
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04173
  • [学会発表] CoFe-InGaAs複合系におけるスピンバルブ伝導の磁場方位・ゲート電圧依存性2021

    • 著者名/発表者名
      山田省二、藤元章、添田幸伸 赤堀誠志
    • 学会等名
      日本物理学会2021年第76回年次大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K04631
  • [学会発表] Lattice relaxation around heterointerfaces in MnAs/GaAs/InAs/GaAs(111)B grown by molecular beam epitaxy2021

    • 著者名/発表者名
      W. Kanetsuka, M. Akabori, T. Chen, Y. Oshima
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04173
  • [学会発表] InGaAs 2次元電子ガス2層系のスピンバルブ伝導2021

    • 著者名/発表者名
      山田省二、藤元章、赤堀誠志
    • 学会等名
      日本物理学会 2021年秋季大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K04631
  • [学会発表] Fabrication of Josephson junctions by single line etching of Nb thin films utilizing nitrogen gas field ion source focused ion beam2021

    • 著者名/発表者名
      S. Sudo, M. Akabori, M. Uno
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21K04173
  • [学会発表] 分子線エピタキシーにより成長したMnAs/GaAs/InAs/GaAs(111)Bハイブリッド構造における界面周辺での格子緩和2020

    • 著者名/発表者名
      金塚渉 、赤堀誠志 、陳桐民 、大島義文
    • 学会等名
      令和二年度 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04227
  • [学会発表] ゲート付きCoFe-InGaAsスピンバルブ素子における輸送解析2020

    • 著者名/発表者名
      山田省二、藤元章、添田幸伸 赤堀誠志
    • 学会等名
      日本物理学会2020年秋季大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20K04631
  • [学会発表] MATERIALS STUDY FOR SPIN FIELD EFFECT TRANSISTORS USING MOLECULAR BEAM EPITAXY2018

    • 著者名/発表者名
      Masashi Akabori, Md. Earul Islam, Dat Quoc Tran
    • 学会等名
      11th Scientific Conference of University of Science, Viet Nam National University Ho Chi Minh City
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18K04227
  • [学会発表] 表面反転層高In組成InGaAs2次元電子ガス2層系におけるサブバンド構造と量子ホール効果2016

    • 著者名/発表者名
      添田幸伸、赤堀誠志、藤元章、山田省二、今中康貴、竹端寛治
    • 学会等名
      日本物理学会第71回年次大会
    • 発表場所
      東北学院大学 泉キャンパス
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] InGaAs2次元電子ガス2層系における共鳴スピンホール効果測定2016

    • 著者名/発表者名
      山田省二、藤元章、添田幸伸、赤堀誠志
    • 学会等名
      日本物理学会第71回年次大会
    • 発表場所
      東北学院大学 泉キャンパス
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] 高In組成InGaAs2次元電子ガスにおけるスピンバルブ特性の結晶方位依存性2016

    • 著者名/発表者名
      添田幸伸、日高志郎、赤堀誠志、山田省二
    • 学会等名
      日本物理学会第71回年次大会
    • 発表場所
      東北学院大学 泉キャンパス
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] Fabrication and characterization of gated parallel wire structures having a metamorphic InGaAs/InAlAs heterojunction with high In content2015

    • 著者名/発表者名
      T. Ohori, M. Akabori, S. Hidaka, S. Yamada
    • 学会等名
      21st International Conference of Electronic Properties of Two-dimensional Systems
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2015-07-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] 高In組成メタモルフィックInGaAs/InAlAsヘテロ接合を用いたゲート付細線構造の評価2015

    • 著者名/発表者名
      大堀高寛、赤堀誠志、日高志郎、山田省二
    • 学会等名
      日本物理学会第70回年次大会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都新宿区)
    • 年月日
      2015-03-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] In-Plane Transport Properties of MnAs/InAs/ GaAs(111)B Grown by Molecular Beam Epitaxy2015

    • 著者名/発表者名
      Md. E. Islam, C. T. Nguyen, M. Akabori
    • 学会等名
      In-Plane Transport Properties of MnAs/InAs/ GaAs(111)B Grown by Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2015-11-19
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] Subband transport in two-dimensional electron gas bilayer system in narrow In]0.75]Ga[0.25]As well with center In[0.75]Al[0.25]As barrier2015

    • 著者名/発表者名
      K. Hu, S. Hidaka, H. Iwase, M. Akabori, S. Yamada
    • 学会等名
      21st International Conference of Electronic Properties of Two-dimensional Systems
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2015-07-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] 中心にInAlAs障壁層をもつInGaAs2次元電子ガス2層系のサブバンド輸送2015

    • 著者名/発表者名
      胡ガイ、張儲君、日高志郎、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二
    • 学会等名
      日本物理学会第70回年次大会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都新宿区)
    • 年月日
      2015-03-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] Traces of fractional quantum Hall plateaus in asymmetric two-dimensional bilayer system in wide In[0.75]Ga[0.25]As well2015

    • 著者名/発表者名
      S. Hidaka, H. Iwase, M. Akabori, S. Yamada, Y. Imanaka, K. Takehana
    • 学会等名
      21st International Conference of Electronic Properties of Two-dimensional Systems
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2015-07-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] 高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子ガス2層系共鳴スピンホール効果観測の基本検討2015

    • 著者名/発表者名
      山田省二、藤元章、赤堀誠志
    • 学会等名
      日本物理学会2015年秋季大会
    • 発表場所
      関西大学 千里山キャンパス
    • 年月日
      2015-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] Characterization of Spin-Orbit Coupling in Gated Wire Structures Using In0.75Ga0.25As/In0.75Al0.25As Inverted Heterojunctions2015

    • 著者名/発表者名
      T. Ohori, M. Akabori, S. Hidaka, and S. Yamada
    • 学会等名
      2nd International Symposium on Frontiers in Materials Science, R3-3-3
    • 発表場所
      Tokyo Japan
    • 年月日
      2015-11-19
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] Cyclotron resonance in InGaAs Rashba bilayer system2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Imanaka, K. Takehana, S. Hidaka, H. Iwase, M. Akabori, S. Yamada
    • 学会等名
      21st International Conference of Electronic Properties of Two-dimensional Systems
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2015-07-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] InGaAs/InAlAs2次元電子ガス2層系における分数量子ホールプラトーの痕跡2015

    • 著者名/発表者名
      山田省二、今中康貴、竹端寛治、赤堀誠志
    • 学会等名
      日本物理学会2015年秋季大会
    • 発表場所
      関西大学 千里山キャンパス
    • 年月日
      2015-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] In(Ga)As系2DEG・ナノワイヤにおける伝導電子のスピン物性2015

    • 著者名/発表者名
      赤堀誠志
    • 学会等名
      応用物理学会応用電子物性分科会研究例会
    • 発表場所
      首都大学東京秋葉原サテライトキャンパス(東京都千代田区)
    • 年月日
      2015-06-23
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560368
  • [学会発表] Nitrogen and helium gas field ion source for nanofabrication2015

    • 著者名/発表者名
      M. E. Schmidt, K. Nagahara, O. Takechi, M. Akabori, A. Yasaka, T. Shimoda and M. Mizuta
    • 学会等名
      AVS 62nd International Symposium & Exhibition 2015
    • 発表場所
      San Jose, California, USA
    • 年月日
      2015-10-18
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] InGaAs 2次元電子ガス2層系の サブバンド輸送解析 (2)2014

    • 著者名/発表者名
      胡ガイ,張儲君,日高志郎,岩瀬比宇麻,赤堀誠志,山田省二
    • 学会等名
      日本物理学会秋季大会
    • 発表場所
      中部大学(愛知県春日井市)
    • 年月日
      2014-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] 領域選択分子線エピタキシーによるGaAs(211)Bマスク基板上への面内配向InAsナノワイヤの形成2013

    • 著者名/発表者名
      赤堀誠志、村上達也、山田省二
    • 学会等名
      第74回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学 (京田辺)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560368
  • [学会発表] In-plane oriented InAs nanowire formation by selsctive area molecular beam epitaxy on GaAs (211)B substrates2013

    • 著者名/発表者名
      M. Akabori, T. Murakami, and S. Yamada
    • 学会等名
      the 16th International Conference on Modulated Semiconductor Structures
    • 発表場所
      Wroclaw University of Technology (Wroclaw, Poland)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560368
  • [学会発表] GaAs上の領域選択分子線成長による面内配向InAsナノワイヤの試作と電気的評価2013

    • 著者名/発表者名
      赤堀誠志、村上達也、山田省二
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      富山大学 (富山)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560368
  • [学会発表] 強磁性電極/高In組成InGaAs-2次元電子系接合における非局所スピン注入のゲート電圧依存性2012

    • 著者名/発表者名
      日高志郎、近藤太郎、赤堀誠志、山田省二
    • 学会等名
      日本物理学会2012秋季大会
    • 発表場所
      横浜
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560368
  • [学会発表] GaAs(110)上の選択成長により形成したInAsナノワイヤの電子輸送特性2012

    • 著者名/発表者名
      赤堀誠志、山田省二
    • 学会等名
      日本物理学会2012秋季大会
    • 発表場所
      横浜
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560368
  • [学会発表] Magneto-transport properties of InAs nanowires laterally-grown by selective area molecular beam epitaxy on GaAs (110) masked substrates2012

    • 著者名/発表者名
      M. Akabori and S. Yamada
    • 学会等名
      the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors
    • 発表場所
      Zurich, Switzerland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560368
  • [学会発表] Verification of electrical spin injection into InGaAs two-dimensional electron gas from CoFe electrode by four-terminal non-local geometry2012

    • 著者名/発表者名
      S. Hidaka, T. Kondo, M. Akabori, and S. Yamada
    • 学会等名
      the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors
    • 発表場所
      Zurich, Switzerland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560368
  • [学会発表] Magneto-transport properties of InAs nanowires laterally-grown by selective area molecular beam epitaxy on GaAs(110) masked substrates2012

    • 著者名/発表者名
      M. Akabori, and S. Yamada
    • 学会等名
      31st International Conference on Semiconductor Physics
    • 発表場所
      Zulich, Switzerland
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760228
  • [学会発表] Selective Area Molecular Beam Epitaxy of InAs Nanowires on Various Oriented GaAs Substrates2011

    • 著者名/発表者名
      M.Akabori, T.Murakami, S.Yamada
    • 学会等名
      The 15th International Conference on Modulated Semiconductor Structures
    • 発表場所
      Tallahassee, FL, USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760228
  • [学会発表] 領域選択分子線エピタキシーによるGaAs(001),(111) Bおよび(110)マスク基板上へのInAsナノワイヤ形成2011

    • 著者名/発表者名
      赤堀誠志、村上達也、山田省二
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形県山形市
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760228
  • [学会発表] 領域選択分子線エピタキシーによるGaAs(001),(111)Bおよび(110)マスク基板上へのInAsナノワイヤ形成2011

    • 著者名/発表者名
      赤堀誠志、村上達也、山田省二
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形市・山形大学小白川キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760228
  • [学会発表] Selective Area Molecular Beam Epitaxy of InAs Nanowires on Various Oriented GaAs Substrates2011

    • 著者名/発表者名
      M. Akabori, T. Murakami, and S. Yamada
    • 学会等名
      The 15th International Conference on Modulated Semiconductor Structures
    • 発表場所
      Tallahassee, FL, US
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760228
  • [学会発表] InGaAs2次元電子ガス2層系における量子ホール効果

    • 著者名/発表者名
      石田晋一、胡ガイ、張儲君、日高志郎、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二、今中康貴、高増 正
    • 学会等名
      日本物理学会第69回年次大会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] InGaAs2次元電子ガス2層系におけるサブバンド輸送と量子ホール効果

    • 著者名/発表者名
      日高志郎、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二、今中康貴,高増 正
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      富山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] 面内配向InAsナノワイヤのウェットエッチ狭窄

    • 著者名/発表者名
      グエン・コン・タン、赤堀誠志
    • 学会等名
      平成26年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会
    • 発表場所
      富山大学五福キャンパス(富山県富山市)
    • 年月日
      2014-11-07 – 2014-11-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560368
  • [学会発表] In-plane oriented InAs nanowire field-effect transistors formed by combination of selective area molecular beam epitaxy and wet-etch thinning process

    • 著者名/発表者名
      C. T. Nguyen and M. Akabori
    • 学会等名
      2014 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
    • 発表場所
      金沢市文化ホール(石川県金沢市)
    • 年月日
      2014-07-01 – 2014-07-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560368
  • [学会発表] Contact properties of MnAs/InAs grown on GaAs(111)B by molecular beam epitaxy

    • 著者名/発表者名
      Md. E. Islam, C. T. Nguyen, M. Akabori
    • 学会等名
      the 5th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県新潟市)
    • 年月日
      2015-06-16 – 2015-06-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560368
  • [学会発表] Top-down fabrication and electrical characterization of In0.75Ga0.25As/In0.75Al0.25As quantum nanostructures

    • 著者名/発表者名
      M. Akabori, T. Ohori, S. Hidaka, S. Yamada, and A. Yasaka
    • 学会等名
      International Symposium on Nano - Materials, Technology and Applications
    • 発表場所
      , Hanoi, Vietnam
    • 年月日
      2014-10-15 – 2014-10-17
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] 新構造InGaAs 2次元電子ガス2層系のサブバンド輸送解析

    • 著者名/発表者名
      胡ガイ、張儲君、日高志郎、岩瀬比宇麻、赤堀誠志、山田省二
    • 学会等名
      日本物理学会第69回年次大会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289100
  • [学会発表] Molecular beam epitaxial growth of MnAs/ InAs/GaAs(111)B heterostructure

    • 著者名/発表者名
      C. T. Nguyen, Md. E. Islam, M. Akabori
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス(神奈川県相模原市)
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560368
  • 1.  山田 省二 (00262593)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 46件
  • 2.  土家 琢磨 (40262597)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  鈴木 寿一 (80362028)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 15件
  • 4.  岩瀬 比宇麻 (10709132)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 8件
  • 5.  水田 博 (90372458)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 6件
  • 6.  郷右近 英臣 (10757777)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  KAREEKUNNAN Afsal (90910779)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 4件

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