昌原明植 Masahara Meishoku

研究者番号	50357993
その他のID	https://orcid.org/0000-0003-4153-3885
所属 (現在)	2024年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 副研究部門長
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2015年度 – 2016年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究部門付き 2014年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究グループ長
審査区分/研究分野	研究代表者以外電子デバイス・電子機器
キーワード	研究代表者以外半導体超微細化 / 先端機能デバイス / FinFET / テラヘルツ波

テラヘルツ対応CMOS-FinFETを用いた低コストセキュリティ技術の確立
- 研究代表者
  
  松川貴
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  国立研究開発法人産業技術総合研究所

すべて 2017 2016 2015 2014

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Impact of residual defects caused by extension ion implantation in FinFETs on parasitic resistance and its fluctuation2017
- 著者名/発表者名
  T. Matsukawa, Y. Liu, T. Mori, Y. Morita, S. Otsuka, S. O’uchi, H. Fuketa, S. Migita, and M. Masahara
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics
  
  巻: 132 ページ: 103-108
- DOI
  10.1016/j.sse.2017.03.014
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289113
[雑誌論文] 先端CMOSトランジスタにおけるフリッカノイズ対策2015
- 著者名/発表者名
  松川貴、柳永勛、福田浩一、大内真一、昌原明植
- 雑誌名
  
  月刊EMC
  
  巻: 印刷中
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289113
[雑誌論文] Impact of granular work function variation in a gate electrodeon low-frequency noise for fin field-effect transistors2015
- 著者名/発表者名
  T. Matsukawa, K. Fukuda, Y.X. Liu, J. Tsukada, H. Yamauchi, K. Endo, Y. Ishikawa, S. O’uchi, S. Migita, Y. Morita, W. Mizubayashi, H. Ota, and M. Masahara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 8 号: 4 ページ: 044201-044201
- DOI
  10.7567/apex.8.044201
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289113
[雑誌論文] 先端CMOSトランジスタにおけるフリッカノイズ対策2015
- 著者名/発表者名
  松川　貴、柳　永勛、福田浩一、大内真一、昌原明植
- 雑誌名
  
  月刊EMC
  
  巻: 28巻11号ページ: 208-213
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289113
[雑誌論文] 非晶質金属ゲート電極FinFETによるばらつき・低周波ノイズ抑制とアナログ・デジタル回路のスケーリング限界の改善2015
- 著者名/発表者名
  松川貴、福田浩一、柳永勛、塚田順一、山内洋美、石川由紀、遠藤和彦、大内真一、右田真司、水林亘、森田行則、太田裕之、昌原明植
- 雑誌名
  
  シリコンテクノロジー
  
  巻: 177 ページ: 42-45
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289113
[雑誌論文] Scaling breakthrough for analog/digital circuits by suppressing variability and low-frequency noise for FinFETs by amorphous metal gate technology2014
- 著者名/発表者名
  T. Matsukawa, K. Fukuda, Y.X. Liu, J. Tsukada, H. Yamauchi, Y. Ishikawa, K. Endo, S. O’uchi, S. Migita, W. Mizubayashi, Y. Morita, H. O ta, and M. Masahara
- 雑誌名
  
  Technical Digest of 2014 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
  
  巻: - ページ: 299-312
- DOI
  10.1109/iedm.2014.7047035
- NAID
  110010010022
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289113
[学会発表] FinFET寄生抵抗ばらつきの解析：エクステンションドーピング条件の影響2016
- 著者名/発表者名
  松川貴，森貴洋，森田行則，大塚慎太郎, 柳永勛，大内真一，更田裕司，右田真司，昌原明植
- 学会等名
  2016年応用物理学会秋期学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289113
[学会発表] FinFETにおける特性ばらつきと低周波ノイズの抑制技術2015
- 著者名/発表者名
  松川貴、福田浩一、柳永勛、塚田順一、山内洋美、石川由紀、遠藤和彦、大内真一、右田真司、水林亘、森田行則、太田裕之、昌原明植
- 学会等名
  応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス（神奈川県）
- 年月日
  2015-03-11
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289113
[学会発表] 非晶質金属ゲート電極FinFETによるばらつき・低周波ノイズ抑制とアナログ・デジタル回路のスケーリング限界の改善2015
- 著者名/発表者名
  松川貴、福田浩一、柳永勛、塚田順一、山内洋美、石川由紀、遠藤和彦、大内真一、右田真司、水林亘、森田行則、太田裕之、昌原明植
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
- 発表場所
  機械振興会館（東京都）
- 年月日
  2015-01-27
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289113
[学会発表] CMOS FinFETによる低コストテラヘルツ波発生器の検討2014
- 著者名/発表者名
  松川貴、柳原昌志、柳永勛、大野守史、田所宏文、昌原明植
- 学会等名
  応用物理学会秋期学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道）
- 年月日
  2014-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289113
[学会発表] Scaling breakthrough for analog/digital circuits by suppressing variability and low-frequency noise for FinFETs by amorphous metal gate technology2014
- 著者名/発表者名
  T. Matsukawa, K. Fukuda, Y.X. Liu, J. Tsukada, H. Yamauchi, Y. Ishikawa, K. Endo, S. O’uchi, S. Migita, W. Mizubayashi, Y. Morita, H. Ota, and M. Masahara
- 学会等名
  2014 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
- 発表場所
  Hilton San Francisco Union Square (San Francisco, USA)
- 年月日
  2014-12-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289113
[学会発表] 金属ゲートの仕事関数ばらつきによるFinFETのDIBLばらつきの解析2014
- 著者名/発表者名
  松川貴、福田浩一、柳永勛、遠藤和彦、塚田順一、山内洋美、石川由紀、大内真一、右田真司、水林亘、森田行則、太田裕之、昌原明植
- 学会等名
  応用物理学会秋期学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道）
- 年月日
  2014-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289113

1. 松川貴 (70287986)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
2. 柳永勲 (90312610)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件

昌原 明植 Masahara Meishoku

研究課題

研究成果

共同研究者

テラヘルツ対応CMOS-FinFETを用いた低コストセキュリティ技術の確立

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Impact of residual defects caused by extension ion implantation in FinFETs on parasitic resistance and its fluctuation2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] 先端CMOSトランジスタにおけるフリッカノイズ対策2015

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Impact of granular work function variation in a gate electrodeon low-frequency noise for fin field-effect transistors2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] 先端CMOSトランジスタにおけるフリッカノイズ対策2015

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 非晶質金属ゲート電極FinFETによるばらつき・低周波ノイズ抑制とアナログ・デジタル回路のスケーリング限界の改善2015

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Scaling breakthrough for analog/digital circuits by suppressing variability and low-frequency noise for FinFETs by amorphous metal gate technology2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[学会発表] FinFET寄生抵抗ばらつきの解析：エクステンションドーピング条件の影響2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] FinFETにおける特性ばらつきと低周波ノイズの抑制技術2015

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] 非晶質金属ゲート電極FinFETによるばらつき・低周波ノイズ抑制とアナログ・デジタル回路のスケーリング限界の改善2015

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] CMOS FinFETによる低コストテラヘルツ波発生器の検討2014

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Scaling breakthrough for analog/digital circuits by suppressing variability and low-frequency noise for FinFETs by amorphous metal gate technology2014

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] 金属ゲートの仕事関数ばらつきによるFinFETのDIBLばらつきの解析2014

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

昌原明植 Masahara Meishoku