福田幸夫 Fukuda Yukio

研究者番号	50367546
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2014年度 – 2016年度: 諏訪東京理科大学, 工学部, 教授 2008年度 – 2012年度: 諏訪東京理科大学, システム工学部, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学研究代表者以外電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者 MIS構造 / 誘電体物性 / MOS構造 / プラズマ酸化 / 超薄膜 / 表面・界面物性 / 誘電体薄膜 / ＭＩＳ構造 / ラジカル酸化 / ゲルマニウム … もっと見る / 金属ジャーマネイト / 原子層堆積法 / プラズマ成膜 / 原子層堆積 / 酸化アルミニウム / 酸化ハフニウム / 原子層堆積法 / MOS 構造 … もっと見る研究代表者以外誘電体薄膜 / ゲート膜 / プラズマ成膜 / 作成評価技術 / 誘電体 / ECRプラズマ / 低温形成 / MIS / 作成・評価技術隠す

新規ジャーマネイト系高誘電率ゲート絶縁膜材料の探索と低温直接形成法に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  福田幸夫
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  諏訪東京理科大学
PA-ALD法による高誘電体薄膜の低温形成と欠陥・界面制御に関する基盤研究研究代表者
- 研究代表者
  
  福田幸夫
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  諏訪東京理科大学
ECRスパッタ法による酸窒化誘電体薄膜の低温形成と高品質化プロセスの研究
- 研究代表者
  
  小野俊郎
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  弘前大学

すべて 2016 2015 2013 2012 2011 2010 2009 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Role of low-energy ion irradiation in the formation of an aluminum germanate layer on a germanium substrate by radical-enhanced atomic layer deposition2016
- 著者名/発表者名
  Y. Fukuda, D. Yamada, T. Yokohira, K. Yanachi, C. Yamamoto, B. Yoo, J. Yamanaka, T. Sato, T. Takamatsu, and H. Okamoto
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science & Technology A
  
  巻: 34 号: 2
- DOI
  10.1116/1.4932039
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281
[雑誌論文] Interface State Density Evaluation of p-Type and n-Type Ge/GeNx Structures by Conductance Technique2015
- 著者名/発表者名
  T. Iwasaki, T. Ono, Y. Otani, Y. Fukuda, and H. Okamoto
- 雑誌名
  
  Electronics and Communications in Japan
  
  巻: 98 号: 6 ページ: 8-15
- DOI
  10.1002/ecj.11655
- NAID
  210000188429
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281
[雑誌論文] SpontaneousformationofaluminumgermanateonGe(100)byatomiclayerdepositionwithtrimethylaluminumandmicrowave-generatedatomicoxygen2013
- 著者名/発表者名
  Y.Fukuda,H.Ishizaki,Y.Otani,C.Yamamoto,J.Yamanaka,T.Sato,T.Takamatsu,H.Okamoto,andH.Narita
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett
  
  巻: 102
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[雑誌論文] Spntaneous formation of aluminum germanate on Ge(100) by atomic layer deposition with trimethylaluminum and microwave-generated atomic oxygen2013
- 著者名/発表者名
  Yukio Fukuda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 102 号: 13
- DOI
  10.1063/1.4801471
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[雑誌論文] Thermal Improvement and Stability of Si_3N_4/GeN_x/p- and n-Ge Structures Prepared by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma Nitridation and Sputtering at Room Temperature2012
- 著者名/発表者名
  Y.Fukuda,H.Okamoto,T.Iwasaki,K.Izumi,Y.Otani,H.Ishizaki,andT.Ono
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 51 号: 9R ページ: 090204-090204
- DOI
  10.1143/jjap.51.090204
- NAID
  40019424880
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[雑誌論文] TrapdensityofGeNx/Geinterfacefabricatedbyelectroncyclotronresonanceplasmanitridation2011
- 著者名/発表者名
  Y.Fukuda,Y.Otani,H.Toyota,andT.Ono
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett.
  
  巻: 99 号: 2
- DOI
  10.1063/1.3611581
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[雑誌論文] Effects of postdeposition annealing ambient on hysteresis in an Al2O3/GeO2 gate-dielectric stack on Ge2011
- 著者名/発表者名
  Y.Fukuda,Y.Otani,T.Sato,H.Toyota,001100203040andT.Ono
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys
  
  巻: 110 号: 2 ページ: 110026108-110026108
- DOI
  10.1063/1.3610796
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[雑誌論文] Surface passivation of p-type Ge substrate with high-quality GeN_x layer formed by electron cyclotron resonance plasmanitridation at low temperature2011
- 著者名/発表者名
  Y.Fukuda,H.Okamoto,T.Iwasaki,Y.Otani,andT.Ono
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett
  
  巻: 99 号: 13
- DOI
  10.1063/1.3647621
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[雑誌論文] Formation of Al_2O_3 Film on Si Substrate by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition Technique2010
- 著者名/発表者名
  H.Ishizaki, Y.Otani, Y.Fukuda, T.Sato, T.Takamatsu, T.Ono
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society, Trans.
  
  巻: 33 ページ: 227-233
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[雑誌論文] Formation of Al2O3 Film on Si Substrate by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition2010
- 著者名/発表者名
  H. Ishizaki, Y. Otani, Y. Fukuda, T.Sato, T. Takamatsu, and T. Ono
- 雑誌名
  
  ECS Trans
  
  巻: 33 ページ: 227-233
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[雑誌論文] Low-Temperature Formation of High-Quality GeO_2 Interlayerfor High-k Gate Dielectrics/Ge by Electron Cyclotron Resonance Plasma Techniques2010
- 著者名/発表者名
  Y.Fukuda, Y.Yazaki, Y.Otani, T.Sato, H.Toyota, T.Ono
- 雑誌名
  
  IEEE Trans.Electron Devices 57(1)
  
  ページ: 282-287
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[雑誌論文] Formation of Al_2O_3 Film on Si Substrate by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition Technique2010
- 著者名/発表者名
  H.Ishizaki, Y.Otani, Y.Fukuda, T.Sato, T.Takamatsu, T.Ono
- 雑誌名
  
  Electrochem.Soc.Trans. 33
  
  ページ: 227-233
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[雑誌論文] Low-Temperature Formation of High-Quality GeO_2 Interlayer for High-k Gate Dielectrics/Ge by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma Techniques.2010
- 著者名/発表者名
  Y.Fukuda, Y.Yazaki, Y.Otani, T.Sato, H.Toyota, T.Ono
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices 57(1)
  
  ページ: 282-287
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[雑誌論文] Formation of Al_2O_3 Film on Si Substrate by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition Technique2010
- 著者名/発表者名
  H.Ishizaki, M.Iida, Y.Otani, Y.Fukuda, T.Sato, T.Takamatsu, T.Ono
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Transactions
  
  巻: 33(6) ページ: 227-233
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[学会発表] ラジカル援用原子層堆積法で形成したAl2O3/GeO2/p-Ge基板上のゲート電極金属が電気的特性に及ぼす影響2016
- 著者名/発表者名
  山田大地、王谷洋平、山本千綾、山中淳二、佐藤哲也、岡本浩、福田幸夫
- 学会等名
  応用物理学会北陸・信越支部第3回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム
- 発表場所
  石川県政記念しいのき迎賓館
- 年月日
  2016-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281
[学会発表] Effects of gate-electrode metals and postdeposition treatments on the electrical properties of Al2O3/GeO2 gate stack grown on Ge substrate by radical-enhanced atomic layer deposition2016
- 著者名/発表者名
  Yukio Fukuda, Daichi Yamada, Yohei Otani, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, Tetsuya Sato, Hiroshi Okamoto
- 学会等名
  ALD 2016 Ireland
- 発表場所
  Dublin Convention Center, Dublin
- 年月日
  2016-07-24
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281
[学会発表] Effects of postdeposition treatments on the electrical properties of Al2O3/GeO2 gate stack grown on Ge substrate by radical enhanced atomic layer deposition2016
- 著者名/発表者名
  H. Okamoto, D. Yamada, H. Narita, Y. Otani, C. Yamamoto, J. Yamanaka, T. Sato, and Y. Fukuda
- 学会等名
  9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Tohoku University
- 年月日
  2016-01-11
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281
[学会発表] REALD形成Al2O3/GeO2/p-GeMOSキャパシターの電気的特性に及ぼすゲート電極金属の影響2016
- 著者名/発表者名
  山田大地、王谷洋平、山本千綾、山中淳二、佐藤哲也、岡本浩、福田幸夫
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  新潟市・朱鷺メッセ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281
[学会発表] Radical-enhanced ALD法によるGe-MIS構造の欠陥評価(2)2016
- 著者名/発表者名
  成田英史、山田大地、福田幸夫、岡本浩
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281
[学会発表] Role of low-energy ion irradiation in the formation of aluminum germanate layer on germanium substrate by radical-enhanced atomic layer deposition2015
- 著者名/発表者名
  T. Yokohira, K. Yanachi, D. Yamada, C. Yamamoto, B. Yoo, J. Yamanaka, T. Sato, T. Takamatsu, H. Okamoto, and Y. Fukuda
- 学会等名
  The 13th International Symposium on Sputtering and Plasma Process
- 発表場所
  Kyoto　Research Park
- 年月日
  2015-07-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281
[学会発表] RE-ALD形成Al2O3/GeO2/p-Geの電気的特性に及ぼす熱処理と酸素ラジカル照射の効果2015
- 著者名/発表者名
  梁池昂生、横平知也、山田大地、王谷洋平、柳炳學、関渓太、佐藤哲也、福田幸夫
- 学会等名
  応用物理学会第20回ゲートスタック研究会
- 発表場所
  三島
- 年月日
  2015-01-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281
[学会発表] Radical-enhanced ALD法によるGe-MIS構造の欠陥評価2015
- 著者名/発表者名
  成田英史、山田大地、福田幸夫、鹿糠洋介、岡本浩
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281
[学会発表] Radical-enhanced ALD法によって形成したAlジャーマネイト/Ge界面とその近傍の欠陥評価2015
- 著者名/発表者名
  成田英史、山田大地、福田幸夫、鹿糠洋介、岡本浩
- 学会等名
  電子通信情報学会電子部品・材料研究会(CPM)
- 発表場所
  弘前大学
- 年月日
  2015-08-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281
[学会発表] InsituformationofhafniumsilicateonSisubstratebyatomiclayerdepositionwithtetrakis(dimethylamino)hafniumandmicrowave-generatedatomicoxygen2013
- 著者名/発表者名
  H.Ishizaki,Y.Otani,C.Yamamoto,J.Yamanaka,T.Sato,T.Takamatsu,andY.Fukuda
- 学会等名
  the8thInternationalConferenceonSiliconEpitaxyandHeterostructures
- 発表場所
  Fukuoka(Japan)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[学会発表] Insituformationofaluminumgermanateinterlayerforhigh-k/Gemetal-oxide-semiconductorstructuresbyatomiclayerdepositionwithtrimethylaluminumandmicrowave-generatedatomicoxygen2013
- 著者名/発表者名
  T.Hanada,K.Yanachi,H.Ishizaki,Y.Otani,C.Yamamoto,J.Yamanaka,T.Sato,T.Takamatsu,andY.Fukuda
- 学会等名
  the12thInternationalSymposiumonSputtering&PlasmaProcesses
- 発表場所
  Kyoto(Japan),tobepresented
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[学会発表] 極薄TiOx層を挿入したAl/n-Ge(100)接触特性のPMA処理温度依存性2012
- 著者名/発表者名
  和光賢司、花田毅広、石崎博基、王谷洋平、佐藤哲也、岡本浩、小野俊郎、福田幸夫
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[学会発表] FormationandCharacterizationofElectronCyclotronResonancePlasma-derivedGermaniumNitrideforGe-basedCMOSapplications2012
- 著者名/発表者名
  Y.Fukuda,Y.Otani,T.Sato,H.Okamoto,andT.Ono
- 学会等名
  BIT'sAnnualWorldCongressofAdvancedMaterials-2012
- 発表場所
  Beijing(China)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[学会発表] Formation and Characterization of Electron-cyclotron-resonance Plasma-derived Germanium Nitride for Ge-based CMOS Applications2012
- 著者名/発表者名
  Yukio Fukuda
- 学会等名
  BIT's Annual World Congress of Advanced Materials-2012
- 発表場所
  Beijing
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[学会発表] マイクロ波生成リモートプラズマ支援ALD法によるSi基板上へのHfSixOy薄膜の低温形成2012
- 著者名/発表者名
  石崎博基、飯田真正、王谷洋平、山本千綾、山中淳二、佐藤哲也、福田幸夫
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[学会発表] マイクロ波生成プラズマ支援ALD法によるSi基板上HfO_2薄膜の形成2011
- 著者名/発表者名
  飯田真正、石崎博樹、王谷洋平、森田直樹、佐藤哲也、岡本浩、小野俊郎、福田幸夫
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[学会発表] Interface properties of GeNx/Ge fabricated by electron-cyclotron-resonance plasma nitridation2011
- 著者名/発表者名
  Y.Otani, Y.Fukuda, T.Sato, H.Toyota, H.Okamoto, T.Ono
- 学会等名
  Materials Research Society-2011 MRS Spring Meeting and Exhibit
- 発表場所
  San Francisco
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[学会発表] InterfacepropertiesofGeNx/Gefabricatedbyelectroncyclotronresonanceplasmanitridation2011
- 著者名/発表者名
  Y.Otani,Y.Fukuda,T.Sato,H.Toyota,H.Okamoto,andT.Ono
- 学会等名
  MaterialsResearchSocietySpringMeetingandExhibit
- 発表場所
  SanFrancisco(USA)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[学会発表] Formation of Al_2O_3 Film on Si Substrate by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition Technique2010
- 著者名/発表者名
  H.Ishizaki, M.Iida, Y.Otani, Y.Fukuda, T.Sato, T.Takamatsu, T.Ono
- 学会等名
  218^<th> Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Las Vegas, USA
- 年月日
  2010-10-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[学会発表] Effective passivation of Ge surface by high-quality GeO2 formed by Electron-Cyclotron-Resonance plasma oxidation for Ge-based electronic and photonic devices2010
- 著者名/発表者名
  Y.Fukuda, Y.Otani, T.Sato, H.Toyota, T.Ono
- 学会等名
  5th Int.Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  東北大学
- 年月日
  2010-01-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] Effective passivation of Ge surface by high quality GeO_2 formed by Electron Cyclotron Resonance plasma oxidation for Ge-based electronic and photonic devices2010
- 著者名/発表者名
  Y.Fukuda, Y.Otani, T.Sato, H.Toyota, T.Ono
- 学会等名
  5th Int.Workshop on New Group IV Semiconductor Nano-electronics
- 発表場所
  Tohoku University, Sendai
- 年月日
  2010-01-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] ECRプラズマ法によるSiN/GeN/Ge-MIS界面のDLTS評価2010
- 著者名/発表者名
  佐藤真哉,岩崎拓郎,鈴木聡一郎,小野俊郎,福田幸夫,岡本浩
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] ECRイオンアシスト加工におけるMIS界面制御の検討2010
- 著者名/発表者名
  泉康平,豊田宏,福田幸夫,室田淳一,櫻庭政夫,小野俊郎
- 学会等名
  2010精密工学会東北支部学術講演会
- 発表場所
  岩手県工業技術センター
- 年月日
  2010-11-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] マイクロ波リモートプラズマを用いた原子層堆積法によるSi基板上へのAl_2O_3薄膜の堆積2010
- 著者名/発表者名
  石崎博基、飯田真正、王谷洋平、福田幸夫、佐藤哲也、高松利行、小野俊郎
- 学会等名
  第71回応肋理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] FormationofAl2O3FilmonSiSubstratebyMicrowaveGeneratedRemotePlasmaAssistedAtomicLayerDepositionTechnique2010
- 著者名/発表者名
  H.Ishizaki,YOtani,Y.Fukuda,T.Sato,T.Takamatsu,andT.Ono
- 学会等名
  218thElectrochemicalSocietyMeeting
- 発表場所
  LasVegas(USA)
- 年月日
  2010-10-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[学会発表] Formation of Al_2O_3 Film on Si Substrate by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition Technique2010
- 著者名/発表者名
  H.Ishizaki, Y.Otani, Y.Fukuda, T.Sato, T.Takamatsu, T.Ono
- 学会等名
  218th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Riviera Hotel, LA(USA)
- 年月日
  2010-10-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] Formation of Al_2O_3 Film on Si Substrate by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition Technique2010
- 著者名/発表者名
  H.Ishizaki, Y.Otani, Y.Fukuda, T.Sato, T.Takamatsu, T.Ono
- 学会等名
  218th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Riviera Hotel, (LA, USA)
- 年月日
  2010-10-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] マイクロ波リモートプラズマを用いた原子層堆積法によるSi基板上へのAl_2O_3薄膜の形成2010
- 著者名/発表者名
  石崎博基、飯田真正、王谷洋平、福田幸夫、佐藤哲也、高松利行、小野俊郎
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560307
[学会発表] IPE法によるECRプラズマ酸化GeO2-Ge構造のバンドアライメントの検討2009
- 著者名/発表者名
  福田幸夫、矢崎祐那、王谷洋平、佐藤哲也、豊田宏、小野俊郎
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] ECRスパッタ成膜誘電体を用いたMISキャパシタの電気特性安定化2009
- 著者名/発表者名
  小野俊郎,豊田宏,有原浩之,福田幸夫,室田淳一,櫻庭政夫
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] ECRプラズマ法によるAl_2O_3/GeO_2/Ge-MOSキャパシタの電気特性に及ぼすPDA処理雰囲気の影響2009
- 著者名/発表者名
  福田幸夫,王谷洋平,佐藤哲也,有原浩之,豊田宏,小野俊郎
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-03-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] An electrical chracterization of metal oxy-nitrides deposited by an ECR sputtering for MIS gates.2009
- 著者名/発表者名
  H.Arihara, H.Toyota, J.Murota, M.Sakuraba, Y.Fukuda, T.Ono
- 学会等名
  The 10th International Symposium on Sputtering and Plasma Processes
- 発表場所
  金沢国際ホテル
- 年月日
  2009-07-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] An electrical characterization of metal oxy-nitrides deposited by an ECR sputtering for MIS gates2009
- 著者名/発表者名
  H.Arihara, H.Toyota, J.Murota, M.Sakuraba, Y.Fukuda, T.Ono
- 学会等名
  The 10th International Symposium on Sputtering and Plasma Processes
- 発表場所
  Kanazawa Intern'l Hotel, Kanazawa
- 年月日
  2009-07-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560287
[学会発表] Formation of Metal Germanate Interlayer for High-k/Ge Metal-Oxide-Semiconductor Structures by Atomic Layer Deposition Assisted by Microwave-generated Atomic Oxygen
- 著者名/発表者名
  Y. Otani, K. Yanachi, H. Ishizaki, Y. Fukuda, C. Yamamoto, J. Yamanaka, and T.Sato
- 学会等名
  The 14th International Conference on Atomic Layer Deposition
- 発表場所
  Kyoto
- 年月日
  2014-06-15 – 2014-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281
[学会発表] Radical-Enhanced ALD法によるGe基板上Alジャーマネイトの形成機構に関する検討
- 著者名/発表者名
  横平知也、梁池昂生、柳炳學、山本千綾、山中淳二、佐藤哲也、岡本浩、福田幸夫
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281
[学会発表] ALD形成Al2O3/GeO2/p-Geの電気的特性に及ぼす熱処理効果の検討
- 著者名/発表者名
  梁池昂生、横平知也、山田大地、王谷洋平、関渓太、佐藤哲也、福田幸夫
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281
[学会発表] Formation mechanism of aluminum germanate layer on germanium substrate by radical-enhanced atomic layer deposition
- 著者名/発表者名
  H. Okamoto, T. Yokohira, K. Yanachi, C. Yamamoto, B. Yoo, J. Yamanaka, T. Takamatsu, H. Narita, and Y. Fukuda
- 学会等名
  The 8th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2015-01-29 – 2015-01-30
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281
[学会発表] Al2O3/GeO2/p-Geの電気的特性に及ぼす酸素ラジカル照射の効果
- 著者名/発表者名
  王谷洋平、梁池昂生、横平知也、山田大地、関渓太、佐藤哲也、福田幸夫
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420281

1. 王谷洋平 (40434485)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 27件
2. 小野俊郎 (30374812)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 16件
3. 豊田宏 (90400126)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 10件
4. 石崎博基 (20383507)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
5. 岡本浩 (00513342)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
6. 佐藤哲也 (60252011)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 11件

福田 幸夫 Fukuda Yukio

研究課題

研究成果

共同研究者

新規ジャーマネイト系高誘電率ゲート絶縁膜材料の探索と低温直接形成法に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

PA-ALD法による高誘電体薄膜の低温形成と欠陥・界面制御に関する基盤研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ECRスパッタ法による酸窒化誘電体薄膜の低温形成と高品質化プロセスの研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Role of low-energy ion irradiation in the formation of an aluminum germanate layer on a germanium substrate by radical-enhanced atomic layer deposition2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Interface State Density Evaluation of p-Type and n-Type Ge/GeNx Structures by Conductance Technique2015

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] SpontaneousformationofaluminumgermanateonGe(100)byatomiclayerdepositionwithtrimethylaluminumandmicrowave-generatedatomicoxygen2013

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Spntaneous formation of aluminum germanate on Ge(100) by atomic layer deposition with trimethylaluminum and microwave-generated atomic oxygen2013

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Thermal Improvement and Stability of Si_3N_4/GeN_x/p- and n-Ge Structures Prepared by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma Nitridation and Sputtering at Room Temperature2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] TrapdensityofGeNx/Geinterfacefabricatedbyelectroncyclotronresonanceplasmanitridation2011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Effects of postdeposition annealing ambient on hysteresis in an Al2O3/GeO2 gate-dielectric stack on Ge2011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Surface passivation of p-type Ge substrate with high-quality GeN_x layer formed by electron cyclotron resonance plasmanitridation at low temperature2011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Formation of Al_2O_3 Film on Si Substrate by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition Technique2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Formation of Al2O3 Film on Si Substrate by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Low-Temperature Formation of High-Quality GeO_2 Interlayerfor High-k Gate Dielectrics/Ge by Electron Cyclotron Resonance Plasma Techniques2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Formation of Al_2O_3 Film on Si Substrate by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition Technique2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Low-Temperature Formation of High-Quality GeO_2 Interlayer for High-k Gate Dielectrics/Ge by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma Techniques.2010

福田幸夫 Fukuda Yukio