武山昭憲 Takeyama Akinori

研究者番号	50370424
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子技術基盤研究所量子機能創製研究センター, 主幹研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2024年度 – 2025年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子技術基盤研究所量子機能創製研究センター, 主幹研究員 2022年度 – 2023年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所量子機能創製研究センター, 主幹研究員 2021年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所先端機能材料研究部, 主幹研究員 2020年度: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所先端機能材料研究部, 主幹研究員(定常)
審査区分/研究分野	研究代表者小区分31010:原子力工学関連研究代表者以外大区分C / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
キーワード	研究代表者金属酸化物 / 極限半導体デバイス / 極限環境 / 原子スイッチ / 耐放射線 / 高温 / ガンマ線研究代表者以外耐放射線 / CMOS集積回路 / ワイドバンドギャップ半導体 … もっと見る / 高温 / SiC / 高温動作集積回路 / 耐放射線集積回路 / 電子デバイス / 耐放射線デバイス / 高温動作 / シリコンカーバイド半導体 / 極限環境エレクトロニクス隠す

原子スイッチによる極限環境用デジタル回路の実現研究代表者
- 研究代表者
  
  武山昭憲
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分31010:原子力工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
人類のフロンティア拡大を支えるSiC極限環境エレクトロニクスの確立
- 研究代表者
  
  黒木伸一郎
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2028
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 審査区分
  
  大区分C
- 研究機関
  広島大学
原子スイッチによる極限半導体デバイスの実現研究代表者
- 研究代表者
  
  武山昭憲
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分31010:原子力工学関連
- 研究機関
  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
シリコンカーバイド極限環境エレクトロニクスのIoTプラットフォーム形成
- 研究代表者
  
  黒木伸一郎
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  広島大学

すべて 2023 2022 2021 2020

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Influence of Gate Depletion Layer Width on Radiation Resistance of Silicon Carbide Junction Field-Effect Transistors2023
- 著者名/発表者名
  Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Yasunori Tanaka, Shin-Ichiro Kuroki, Takeshi Ohshima
- 雑誌名
  
  Quantum Beam Science
  
  巻: 7巻号: 4 ページ: 31-31
- DOI
  10.3390/qubs7040031
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04955
[雑誌論文] Integrated 4H-SiC Photosensors With Active Pixel Sensor-Type Circuits for MGy-Class Radiation Hardened CMOS UV Image Sensor2023
- 著者名/発表者名
  Masayuki Tsutsumi, Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 44 号: 1 ページ: 100-103
- DOI
  10.1109/led.2022.3226494
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[雑誌論文] Threshold voltage instability and hysteresis in gamma-rays irradiated 4H-SiC junction field effect transistors2022
- 著者名/発表者名
  Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Yasunori Tanaka, Shin-Ichiro Kuroki, and Takeshi Ohshima
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 131 号: 24 ページ: 244503-244503
- DOI
  10.1063/5.0095841
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[雑誌論文] Hybrid Pixels With Si Photodiode and 4H-SiC MOSFETs Using Direct Heterogeneous Bonding Toward Radiation Hardened CMOS Image Sensors2022
- 著者名/発表者名
  Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, Shin-Ichiro Kuroki
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 43 号: 10 ページ: 1713-1716
- DOI
  10.1109/led.2022.3200124
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] ガンマ線照射した4H-SiC JFETのしきい値電圧シフトに空乏層電荷が及ぼす影響2023
- 著者名/発表者名
  武山昭憲、牧野高紘、田中保宣、黒木伸一郎、大島武
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会　第10回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04955
[学会発表] SiC CMOS Integrated Circuits and Image Sensors for Extreme Environment Applications2023
- 著者名/発表者名
  Shin-Ichiro Kuroki, Toya Kai, Masayuki Tsutsumi, Tatsuya Meguro, Vuong Van Cuong, Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima
- 学会等名
  7th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (IEEE EDTM2023)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] SiC半導体による極限環境エレクトロニクス構築2022
- 著者名/発表者名
  黒木伸一郎, 志摩拓真, 目黒達也, Vuong Van Cuong, 武山昭憲, 牧野高紘, 大島武, 児島一聡, 田中保宣
- 学会等名
  2022年電子情報通信学会総合大会シンポジウム「極限環境で動作する集積回路」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 4H-SiC CMOS UVイメージセンサ画素デバイスの200℃高温動作2022
- 著者名/発表者名
  堤将之, 目黒達也, 武山昭憲, 大島武, 田中保宣, 黒木伸一郎
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第 9回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] Output Characteristics of 4H-SiC Pixel Devices for Radiation Hardened UV CMOS Image Sensors2022
- 著者名/発表者名
  Kenta Nishigaito, Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- 学会等名
  European Conference on Silicon Carbide and Related Materials2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 4H-SiC CMOS UVイメージセンサ画素デバイスの200℃高温動作2022
- 著者名/発表者名
  堤将之、目黒達也、武山昭憲、大島武、田中保宣、黒木伸一郎
- 学会等名
  2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] シリコンカーバイド極限環境用集積回路および画素デバイスの研究2022
- 著者名/発表者名
  黒木伸一郎, 志摩拓真, 目黒達也, Vuong Van Cuong, 武山昭憲, 牧野高紘, 大島武, 児島一聡, 田中保宣
- 学会等名
  電気学会電子デバイス研究会「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用（第2期）」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 高線量ガンマ線照射した 4H-SiC JFET のしきい値電圧安定性2022
- 著者名/発表者名
  武山昭憲, 牧野高紘, 田中保宣, 黒木伸一郎, 大島武
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第 9回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] Output Characteristics of SOI-Si/4H-SiC Hybrid Pixel Device for Radiation Hardend CMOS Image Sensors2022
- 著者名/発表者名
  Tatsuya Meguro, Fumiaki Hasebe, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- 学会等名
  European Conference on Silicon Carbide and Related Materials2021
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] Operating Characteristics of 4H-SiC 3T/4T- Active Pixel Sensors2022
- 著者名/発表者名
  Masayuki Tsutsumi, Tatsuya Meguro, Akinori Takeyama, Takeshi Ohsima, Yasunori Tanaka, and Shin-Ichiro Kuroki
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022 (ICSCRM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] フル4H-SiC画素デバイスの紫外線照射下動作特性2021
- 著者名/発表者名
  黒木伸一郎, 西垣内健汰, 目黒達也, 武山　昭憲, 大島　武, 田中保宣
- 学会等名
  第82回　応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04955
[学会発表] SiC 耐放射線イメージセンサの研究開発2021
- 著者名/発表者名
  黒木伸一郎, 目黒達也, 西垣内健汰, 武山昭憲, 牧野高紘, 大島武,田中保宣
- 学会等名
  公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会第 19 回研究会　「ワイドバンドギャップ半導体を用いた極限環境エレクトロニクス」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 耐放射線性炭化ケイ素半導体デバイスの開発2021
- 著者名/発表者名
  大島　武, 武山　昭憲, 牧野　高紘, 黒木　伸一郎, 田中　保宣
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04955
[学会発表] SiC半導体による極限環境エレクトロニクス構築2021
- 著者名/発表者名
  黒木　伸一郎, 志摩　拓真, 目黒　達也, Vuong Van Cuong, 武山　昭憲, 牧野　高紘, 大島　武, 児島　一聡, 田中　保宣
- 学会等名
  電子情報通信学会総合大会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04955
[学会発表] サブバンドギャップ光を用いたガンマ線照射4H-SiC JFETのキャラクタリゼーション2021
- 著者名/発表者名
  武山　昭憲, 牧野　高紘, 大島　武, 黒木伸一郎 , 田中保宣
- 学会等名
  第82回　応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04955
[学会発表] 耐放射線 CMOSイメージセンサに向けたSOI Si/4H SiC ハイブリッド画素素子の出力特性2021
- 著者名/発表者名
  目黒達也, 堤将之, 武山昭憲, 大島　武, 田中保宣, 黒木伸一郎
- 学会等名
  第82回　応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04955
[学会発表] SiC MOSFETへのガンマ線照射効果研究2021
- 著者名/発表者名
  牧野　高紘, 武山　昭憲, 小野田　忍, 土方泰斗, 大島　武
- 学会等名
  第82回　応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04955
[学会発表] 耐放射線性炭化ケイ素半導体デバイスの開発2021
- 著者名/発表者名
  大島武, 武山昭憲、牧野高紘、黒木伸一郎、田中保宣
- 学会等名
  2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム「福島第1原発廃炉と福島復興　－応用物理学会の会員として，私たちに何ができるか－」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] Output Characteristics of 4H-SiC Pixel Devices for Radiation Hardened UV CMOS Image Sensors2021
- 著者名/発表者名
  Shin-Ichiro Kuroki, Kenta Nishigaito, Tatsuya Meguro, Takeyama Akinori, Ohshima Takeshi, Yasunori Tanaka
- 学会等名
  13th Europian Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2020-2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04955
[学会発表] SiC 耐放射線イメージセンサの研究開発2021
- 著者名/発表者名
  黒木伸一郎, 目黒達也，西垣内健汰，武山昭憲，牧野高紘，大島武，田中保宣
- 学会等名
  応用物理学会・先進パワー半導体分科会第19回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] シリコンカーバイド（SiC）極限環境エレクトロニクスの研究開発：原子炉廃炉対応から医療応用まで2021
- 著者名/発表者名
  黒木伸一郎, 目黒達也, Vuong Van Cuong, 武山昭憲, 牧野高紘, 大島武,田中保宣
- 学会等名
  文部科学省共同利用・共同研究拠点生体医歯工学共同研究拠点　令和2年度成果報告会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] シリコンカーバイド極限環境用集積回路および画素デバイスの研究2021
- 著者名/発表者名
  黒木伸一郎, 志摩拓真, 目黒達也, Vuong Van Cuong, 武山昭憲, 牧野　高紘, 大島　武, 児島一聡, 田中保宣
- 学会等名
  電気学会電子デバイス研究会「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用（第2期）」
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04955
[学会発表] デバイス構造が4H-SiC JFETのMGyガンマ線耐性に及ぼす影響2020
- 著者名/発表者名
  武山昭憲，清水奎吾, 牧野高紘, 山崎雄一, 大島武, 黒木伸一郎, 田中保宣
- 学会等名
  公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会第 7回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252
[学会発表] 耐放射線イメージセンサに向けたSOI-Si/4H-SiC画素プロセス2020
- 著者名/発表者名
  目黒達也，武山昭憲，大島武，田中保宣，黒木伸一郎
- 学会等名
  公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会第 7回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H00252

1. 牧野高紘 (80549668)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 10件
2. 黒木伸一郎 (70400281)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 18件
3. 田中保宣 (20357453)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 17件
4. 児島一聡 (40371041)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
5. 大島武 (50354949)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 17件
6. 竹内浩造 (00870255)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 坂本敬太 (60867985)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 坂口将尊 (70626796)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

武山 昭憲 Takeyama Akinori

研究課題

研究成果

共同研究者

原子スイッチによる極限環境用デジタル回路の実現研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

人類のフロンティア拡大を支えるSiC極限環境エレクトロニクスの確立

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

原子スイッチによる極限半導体デバイスの実現研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

シリコンカーバイド極限環境エレクトロニクスのIoTプラットフォーム形成

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] Influence of Gate Depletion Layer Width on Radiation Resistance of Silicon Carbide Junction Field-Effect Transistors2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Integrated 4H-SiC Photosensors With Active Pixel Sensor-Type Circuits for MGy-Class Radiation Hardened CMOS UV Image Sensor2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Threshold voltage instability and hysteresis in gamma-rays irradiated 4H-SiC junction field effect transistors2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Hybrid Pixels With Si Photodiode and 4H-SiC MOSFETs Using Direct Heterogeneous Bonding Toward Radiation Hardened CMOS Image Sensors2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[学会発表] ガンマ線照射した4H-SiC JFETのしきい値電圧シフトに空乏層電荷が及ぼす影響2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] SiC CMOS Integrated Circuits and Image Sensors for Extreme Environment Applications2023

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] SiC半導体による極限環境エレクトロニクス構築2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 4H-SiC CMOS UVイメージセンサ 画素デバイスの200℃高温動作2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] Output Characteristics of 4H-SiC Pixel Devices for Radiation Hardened UV CMOS Image Sensors2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 4H-SiC CMOS UVイメージセンサ 画素デバイスの200℃高温動作2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] シリコンカーバイド極限環境用集積回路および画素デバイスの研究2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

[学会発表] 高線量ガンマ線照射した 4H-SiC JFET のしきい値電圧安定性2022

著者名/発表者名

学会等名

データソース

武山昭憲 Takeyama Akinori

[学会発表] 4H-SiC CMOS UVイメージセンサ画素デバイスの200℃高温動作2022

[学会発表] 4H-SiC CMOS UVイメージセンサ画素デバイスの200℃高温動作2022

[学会発表] サブバンドギャップ光を用いたガンマ線照射4H-SiC JFETのキャラクタリゼーション2021