牧本俊樹 Makimoto Toshiki

研究者番号	50374070
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 早稲田大学, 理工学術院, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2019年度 – 2023年度: 早稲田大学, 理工学術院, 教授 2014年度 – 2016年度: 早稲田大学, 理工学術院, 教授 2009年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 部長 2007年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 企画担当, 主幹研究員 2006年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主幹研究員
審査区分/研究分野	研究代表者小区分30010:結晶工学関連 / 結晶工学研究代表者以外応用物性・結晶工学
キーワード	研究代表者 MBE / 光学特性 / 結晶成長 / 電気伝導特性 / Nクラスター / 局在準位 / S-shape特性 / バンドギャップエネルギー / 有効質量 / 光伝導特性 … もっと見る / エキシトン / 電気伝導 / AlGaAsN / 超格子 / 光伝導 / PL / 励起子 / GaAsN / XPS / BAlN / BGaN / B固体ソース / RFプラズマ / ダメージ / ホール / ラマン / 窒素プラズマ / BN / AlN / 窒化物半導体 / グラフェン … もっと見る研究代表者以外エピタキシャル成長 / 光物性 / 半導体物性 / 結晶成長 / 半導体隠す

高品質GaAsN系超格子の成長と励起子に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  牧本俊樹
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  早稲田大学
RF-MBE法によるグラフェン上へのエピタキシャルBN成長研究代表者
- 研究代表者
  
  牧本俊樹
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  早稲田大学
六方晶BN窒化物半導体に関する研究
- 研究代表者
  
  小林康之
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

すべて 2023 2022 2021 2020 2019 2015 2008 2007

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Recombination mechanism of heavily Be-doped GaAsN by time-resolved photoluminescence2023
- 著者名/発表者名
  Takashi Tsukasaki, Hisashi Sumikura, Takuma Fujimoto, Miki Fujita, and Toshiki Makimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science & Technology A
  
  巻: 41 号: 5 ページ: 052702-052702
- DOI
  10.1116/6.0002522
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05295
[雑誌論文] Electrical properties of heavily Si-doped GaAsN after annealing2022
- 著者名/発表者名
  Tsukasaki Takashi、Mochida Naoki、Fujita Miki、Makimoto Toshiki
- 雑誌名
  
  Physica B: Condensed Matter
  
  巻: 625 ページ: 413482-413482
- DOI
  10.1016/j.physb.2021.413482
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05295
[雑誌論文] Photoluminescence Mechanism in Heavily Si-Doped GaAsN2021
- 著者名/発表者名
  Takashi Tsukasaki, Ren Hiyoshi, Miki Fujita, and Toshiki Makimoto
- 雑誌名
  
  Crystal Research Technology
  
  巻: 56 号: 3 ページ: 2000143-2000143
- DOI
  10.1002/crat.202000143
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05295
[雑誌論文] Hexagonal boron nitride grown by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, T. Akasaka, T. Makimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 5048-5052
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Hexogonal boron nitride grown by MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi、T. Akasaka、T. Makimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.310
  
  ページ: 5048-5052
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Nonpolar A1BN(1120) and(1100) films grown on SiC substrates2007
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka, Y. Kobayashi, T. Makimoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 91
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Ultraviolet luminescence from hexagonal boron nitride heteroepitaxial layers on Ni(111) grown by flow-rate modulation epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Y.Kobayashi, T.Nakamura, T.Akasaka, T.Makimoto, N.Matsumoto
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi (b) 244
  
  ページ: 1789-1792
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Nonpolar AlBN (1120) and (1100) films grown on SiC substrate2007
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、Y. Kobayashi、T. Makimoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.91
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Ultraviolet luminescence from hexagonal boron nitride heteroepitaxial layers on Ni(111)grown by flow-rate modulation epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, T. Nakamura, T. Akasaka, T. Makimoto, N. Matsumoto
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(b) Vol.244
  
  ページ: 1789-1792
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Boron Nitride Thin Films Grown on Graphitized <6H-SiC> Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Y.Kobayashi, H.Hibino, T.Nakamura, T.Akasaka, T.Makimoto, N.Matsumoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46
  
  ページ: 2554-2557
- NAID
  210000062433
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Boron Nitride Thin Films Grown on Graphitized 6H-SiC Substrates by Metalorganic Vapor phase Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, H. Hibino, T. Nakamura, T. Akasaka, T. Makimoto, N. Matsumoto
- 雑誌名
  
  Japanese Jounal of Applied Physics Vol.46
  
  ページ: 2554-2557
- NAID
  210000062433
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] BGaN micro-islands as novel buffers for growth of high-quality GaN on sapphire2007
- 著者名/発表者名
  T.Akasaka, Y.Kobayashi, T.Makimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 298
  
  ページ: 320-324
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] BGaN micro-islands as novel buffers fro growth of high quality GaN on sapphire2007
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、Y. Kobayashi、T. Makimoto
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Vol.298
  
  ページ: 320-324
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Ultraviolet luminescence from hexagonal boron nitride heteroepitaxial layers on Ni(111) grown by flow-rate modulation epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi、T. Nakamura、T. Akasaka、T. Makimoto、N. Matsumoto
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(b) Vol.244
  
  ページ: 1789-1792
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[雑誌論文] Nonpolar AlBN(1120)and(1100)films grown on SiC substrates2007
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka, Y. Kobayashi, T. Makimoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Vol.91
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] RF-MBE 法て成長した AlGaAsN のフォトルミネッセンス発光2023
- 著者名/発表者名
  南奈津、井上洸、塚崎貴司、藤田美樹、牧本俊樹
- 学会等名
  第84回秋季応用物理学会講演会　22p-P10-15　(2023年9月)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05295
[学会発表] High Thermal Coefficient Resistance for Heavily Si-doped GaAsN after Annealing2023
- 著者名/発表者名
  Takashi Tsukasaki, Hirokazu Sasaki, Miki Fujita, Toshiki Makimoto
- 学会等名
  14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS14), MoP-CH-22, Fukuoka (November 2023).
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05295
[学会発表] フォトルミネッセンス特性を用いたSiドープGaAsNにおける有効質量の評価2022
- 著者名/発表者名
  南奈津、塚崎貴司、藤田実樹、牧本俊樹
- 学会等名
  第83回秋季応用物理学会講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05295
[学会発表] Slow Photoluminescence Lifetime of Heavily Be-doped GaAsN2022
- 著者名/発表者名
  T. Tsukasaki, H. Sumikura; T. Fujimoto; M. Fujita, and T. Makimoto
- 学会等名
  36th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05295
[学会発表] X線逆格子マッピングによる不純物ドープGaAsNの評価2022
- 著者名/発表者名
  井上洸、角田拓優、塚崎貴司、藤田実樹、牧本俊樹
- 学会等名
  第83回秋季応用物理学会講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05295
[学会発表] 光伝導測定によるSi-GaAsNの評価2021
- 著者名/発表者名
  山田唯人、塚崎貴司、清水光一郎、牧本俊樹
- 学会等名
  第82回秋季応用物理学会講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05295
[学会発表] 高濃度BeドープGaAsNにおけるBe-N形成2020
- 著者名/発表者名
  角田拓優、塚崎貴司、椎野直樹、藤田実樹、牧本俊樹
- 学会等名
  第81回秋季応用物理学会講演会　9p-Z01-1　(2020年9月)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05295
[学会発表] RF-MBE法で成長したGaAsNにおけるEgのN組成依存性2020
- 著者名/発表者名
  藤森郁男、塚崎貴司、藤田実樹、牧本俊樹
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会　 13p-PA5-2
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05295
[学会発表] 高濃度BeドープGaAsNのフォトルミネッセンス特性2020
- 著者名/発表者名
  藤本卓雅、塚崎貴司、椎野直樹、藤田実樹、牧本俊樹
- 学会等名
  第81回秋季応用物理学会講演会　9p-Z01-2　(2020年9月)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05295
[学会発表] PL測定を用いたアンドープGaAsNにおける局在準位の評価2019
- 著者名/発表者名
  大竹浩二朗、清水光一郎、塚崎貴司、藤田実樹、牧本俊樹
- 学会等名
  第80回秋季応用物理学会講演会　19a-PB5-2
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K05295
[学会発表] RF-MBE法によるエピタキシャルグラフェン上へのAlN成長2015
- 著者名/発表者名
  山崎隆弘、畑泰希、山根悠介、関根佳明、前田文彦、日比野浩樹、藤田実樹、牧本俊樹
- 学会等名
  第76回秋季応用物理学会講演会　14p-PB12-15　(2015年9月).
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26600088
[学会発表] Nonpolar AlBN (1120) and (1100) films grown on SiC substrates2007
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka、Y. Kobayashi、T. Makimoto
- 学会等名
  7th International Conference of Nitride semiconductors
- 発表場所
  アメリカ、ラスベガス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] Nonpolar A1BN(1120) and(1100) films grown on SiC substrates2007
- 著者名/発表者名
  T. Akasaka, Y. Kobayashi, T. Makimoto
- 学会等名
  7th International Conference of Nitride Semiconductors
- 発表場所
  アメリカ、ラスベガス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] In-situ monitoring of hexagonal BN flow-rate modulation epitaxy by shallow-angle reflectance using ultraviolet light2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, M. Miyamoto, T. Akasaka, T. Makimoto, N. Matsumoto
- 学会等名
  The 15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  アメリカ,ソルトレイクシティ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004
[学会発表] In-situ monitoring of hexagonal BN flow-rate modulation epitaxy by shallow-angle reflectance using ultraviolet light2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi、T. Miyamoto、T. Akasaka、T. Makimoto、N. Matsumoto
- 学会等名
  The 15th International Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  アメリカ、ソルトレイク
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18206004

1. 小林康之 (90393727)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 16件
2. 赤坂哲也 (90393735)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 16件
3. 西川敦 (60417095)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 中野秀俊 (90393793)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 後藤秀樹 (10393795)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 俵毅彦 (40393798)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 眞田治樹 (50417094)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 堀越佳治 (60287985)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 藤田実樹 (60386729)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
10. 日比野浩樹 (60393740)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
11. 前田文彦 (70393741)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
12. 関根佳明 (70393783)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件

牧本 俊樹 Makimoto Toshiki

研究課題

研究成果

共同研究者

高品質GaAsN系超格子の成長と励起子に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

RF-MBE法によるグラフェン上へのエピタキシャルBN成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

六方晶BN窒化物半導体に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Recombination mechanism of heavily Be-doped GaAsN by time-resolved photoluminescence2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Electrical properties of heavily Si-doped GaAsN after annealing2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Photoluminescence Mechanism in Heavily Si-Doped GaAsN2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Hexagonal boron nitride grown by MOVPE2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Hexogonal boron nitride grown by MOVPE2008

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Nonpolar A1BN(1120) and(1100) films grown on SiC substrates2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Ultraviolet luminescence from hexagonal boron nitride heteroepitaxial layers on Ni(111) grown by flow-rate modulation epitaxy2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Nonpolar AlBN (1120) and (1100) films grown on SiC substrate2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Ultraviolet luminescence from hexagonal boron nitride heteroepitaxial layers on Ni(111)grown by flow-rate modulation epitaxy2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Boron Nitride Thin Films Grown on Graphitized <6H-SiC> Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2007

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Boron Nitride Thin Films Grown on Graphitized 6H-SiC Substrates by Metalorganic Vapor phase Epitaxy2007

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] BGaN micro-islands as novel buffers for growth of high-quality GaN on sapphire2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] BGaN micro-islands as novel buffers fro growth of high quality GaN on sapphire2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Ultraviolet luminescence from hexagonal boron nitride heteroepitaxial layers on Ni(111) grown by flow-rate modulation epitaxy2007

牧本俊樹 Makimoto Toshiki