角嶋邦之 Kakushima Kuniyuki

研究者番号	50401568
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 東京科学大学, 工学院, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2016年度 – 2023年度: 東京工業大学, 工学院, 准教授 2015年度: 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 准教授 2014年度 – 2015年度: 東京工業大学, 総合理工学研究科(研究院), 准教授 2010年度 – 2011年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 准教授 2007年度 – 2009年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教 2006年度: 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連研究代表者以外小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / ナノマイクロシステム / 電子・電気材料工学 / 理工系 / 薄膜・表面界面物性 / 理工系
キーワード	研究代表者強誘電体研究代表者以外 FinFET / GaN / パワーデバイス / 立体チャネル / 選択成長 / 電気・電子材料 / 半導体 / トランジスタ / Fin FET … もっと見る / 窒化ガリウム / マイクロナノデバイス / 培養チャンバ / マイクロ流路 / ナノバイオ / マイクロ・ナノデバイス / MEMS液体セル / 動態観察 / 細菌 / 液体セル / 電子顕微鏡 / MEMS / 結晶成長 / 電子デバイス / GaNデバイス / 窒化ガリウムGaN / ボロン / 半導体デバイス / 活性サイト / 半導体の不純物 / 硫化モリブデン / 二硫化モリブデン / 砒素 / シリコン / 半導体物性 / 二硫化モリブデン（MoS2） / ヒ素（As） / シリコン（Si） / 光電子回折 / 層状物質 / 電子状態 / 原子ホログラフィー / 電気的活性化 / 原子配列構造 / 二硫化モリブデン(MoS2) / ヒ素(As) / シリコン(Si) / 不純物 / 光電子ホログラフィー / 界面制御 / 不純物ドーピング / 表面・界面物性 / 固定電荷 / 価数変化 / シリケート / 界面ダイポール / 高誘電体薄膜 / Niシリサイド / 短チャネル効果 / エネルギー障壁 / drain / Schottky source / しきい値 / 三次元構造MOSFET / 数値解析 / ショットキー接合 / 3次元 / MOSFET / オン電流 / ショットキー / 特性ばらつき / ロバストネス / 3次元構造 / 感度解析 / シリサイド / ダブルゲート / CMOS / ゆらぎ / ばらつき隠す

強誘電体の電極界面付近の分極反転に伴う欠陥形成とその制御法研究代表者
- 研究代表者
  
  角嶋邦之
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  東京工業大学
選択成長Fin構造による動作形態の異なるGaN系立体チャネルトランジスタの研究
- 研究代表者
  
  筒井一生
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  東京工業大学
選択成長法を用いたGaN系立体チャネル型トランジスタの研究
- 研究代表者
  
  筒井一生
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京工業大学
ナノバイオロジーのためのMEMS電子顕微鏡技術の確立と細菌の動態研究への応用
- 研究代表者
  
  石田忠
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  ナノマイクロシステム
- 研究機関
  東京工業大学
半導体中不純物の3D構造制御と低損失・高効率デバイスの開発
- 研究代表者
  
  筒井一生
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2018
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京工業大学
絶縁膜と半導体における界面ダイポールの定量的把握とモデル化に関する研究
- 研究代表者
  
  岩井洋
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  東京工業大学
3次元構造MOSFETのロバストネス
- 研究代表者
  
  岩井洋
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2009
- 研究種目
  
  特定領域研究
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京工業大学

[雑誌論文] Identification of compressive strain in thin ferroelectric Al1-xScN films by Raman spectroscopy2024
- 著者名/発表者名
  Tokita Yukimura、Hoshii Takuya、Wakabayashi Hitoshi、Tsutsui Kazuo、Kakushima Kuniyuki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 63 号: 4 ページ: 04SP31-04SP31
- DOI
  10.35848/1347-4065/ad2f16
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04237
[雑誌論文] Reactive sputtering of ferroelectric AlScN films with H2 gas flow for endurance improvement2024
- 著者名/発表者名
  Chen Si-Meng、Hoshii Takuya、Wakabayashi Hitoshi、Tsutsui Kazuo、Chang Edward Yi、Kakushima Kuniyuki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 63 号: 3 ページ: 03SP45-03SP45
- DOI
  10.35848/1347-4065/ad21bd
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04237
[雑誌論文] Low-Temperature MoS2 Film Formation Using Sputtering and H2S Annealing2019
- 著者名/発表者名
  Shimizu Jun'ichi、Ohashi Takumi、Matsuura Kentaro、Muneta Iriya、Kuniyuki Kakushima、Tsutsui Kazuo、Ikarashi Nobuyuki、Wakabayashi Hitoshi
- 雑誌名
  
  IEEE Journal of the Electron Devices Society
  
  巻: 7 ページ: 2-6
- DOI
  10.1109/jeds.2018.2854633
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[雑誌論文] Sputter-Deposited-MoS2 nMISFETs With Top-Gate and Al2O3 Passivation Under Low Thermal Budget for Large Area Integration2018
- 著者名/発表者名
  Matsuura Kentaro、Shimizu Jun'Ichi、Toyama Mayato、Ohashi Takumi、Muneta Iriya、Ishihara Seiya、Kakushima Kuniyuki、Tsutsui Kazuo、Ogura Atsushi、Wakabayashi Hitoshi
- 雑誌名
  
  IEEE Journal of the Electron Devices Society
  
  巻: 6 ページ: 1246-1252
- DOI
  10.1109/jeds.2018.2883133
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105014, KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719
[雑誌論文] Low-Carrier-Density Sputtered MoS2 Film by Vapor-Phase Sulfurization2018
- 著者名/発表者名
  K. Matsuura, J. Shimizu, M. Toyama, T. Ohashi, I. Muneta, S. Ishihara, K. Kakushima, K. Tsutsui, A. Ogura, and H. Wakabayashi
- 雑誌名
  
  Journal of Electronic Materials
  
  巻: －号: 7 ページ: 1-5
- DOI
  10.1007/s11664-018-6191-z
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16J11377, KAKENHI-PLANNED-26105014
[雑誌論文] Ohmic contact between titanium and sputtered MoS2 films achieved by forming-gas annealing2018
- 著者名/発表者名
  Toyama Mayato、Ohashi Takumi、Matsuura Kentaro、Shimizu Jun’ichi、Muneta Iriya、Kakushima Kuniyuki、Tsutsui Kazuo、Wakabayashi Hitoshi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 57 号: 7S2 ページ: 07MA04-07MA04
- DOI
  10.7567/jjap.57.07ma04
- NAID
  210000149377
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105014, KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719
[雑誌論文] Individual Atomic Imaging of Multiple Dopant Sites in As-Doped Si Using Spectro-Photoelectron Holography2017
- 著者名/発表者名
  Tsutsui Kazuo、Matsushita Tomohiro、Natori Kotaro、Muro Takayuki、Morikawa Yoshitada、Hoshii Takuya、Kakushima Kuniyuki、Wakabayashi Hitoshi、Hayashi Kouichi、Matsui Fumihiko、Kinoshita Toyohiko
- 雑誌名
  
  Nano Letters
  
  巻: 17 号: 12 ページ: 7533-7538
- DOI
  10.1021/acs.nanolett.7b03467
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-INTERNATIONAL-15K21719, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105007, KAKENHI-PLANNED-26105013, KAKENHI-PLANNED-26105014, KAKENHI-PROJECT-15KK0167, KAKENHI-PLANNED-26105010, KAKENHI-PROJECT-17H02911
[雑誌論文] Quantitative analysis of sputter-deposited MoS2 properties on SiO2 substrate roughness2017
- 著者名/発表者名
  Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kentaro Matsuura, Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, and Hitoshi Wakabayashi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express (APEX)
  
  巻: 10
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[雑誌論文] High-Mobility and Low-Carrier-Density Sputtered-MoS2 Film by Introducing Residual Sulfur during Low-Temperature in 3%-H2 Annealing for 3D-ICs2017
- 著者名/発表者名
  Jun’ichi Shimizu, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui and Hitoshi Wakabayashi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[雑誌論文] Quantitative relationship between sputter-deposited-MoS2 properties and underlying-SiO2 surface roughness2017
- 著者名/発表者名
  Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kentaro Matsuura, Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, and Hitoshi Wakabayashi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 10 号: 4 ページ: 0412021-0412024
- DOI
  10.7567/apex.10.041202
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16J11377, KAKENHI-PLANNED-26105014
[雑誌論文] La2O3 gate dielectrics for AlGaN/GaN HEMT2016
- 著者名/発表者名
  J. Chen, T. Kawanago, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, D. Nohata, H. Nohira, K. Kakushima
- 雑誌名
  
  Microelectronics Reliability
  
  巻: 60 ページ: 16-19
- DOI
  10.1016/j.microrel.2016.02.004
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105014
[雑誌論文] Dependence of ohmic contact properties on AlGaN layer thickness for AlGaN/GaN high electron mobility transistors2016
- 著者名/発表者名
  Y. Takei, K. Tsutsui, W. Saito, K. Kakushima, H. Wakabayashi, H. Iwai
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55-4 号: 4 ページ: 040306-040306
- DOI
  10.7567/jjap.55.040306
- NAID
  210000146222
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105014
[雑誌論文] Multi-layered MoS2 film formed by high-temperature sputtering for enhancement-mode nMOSFETs2015
- 著者名/発表者名
  Takumi Ohashi, Kohei Suda, Seiya Ishihara, Naomi Sawamoto, Shimpei Yamaguchi, Kentaro Matsuura, Kuniyuki Kakushima, Nobuyuki Sugii, Akira Nishiyama, Yoshinori Kataoka, Kenji Natori, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Atsushi Ogura and Hitoshi Wakabayashi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 54 号: 4S ページ: 04DN08-04DN08
- DOI
  10.7567/jjap.54.04dn08
- NAID
  210000145087
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25889022, KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105014
[雑誌論文] Reduction of Contact Resistance on AlGaN/GaN HEMT Structures by Introducing Uneven AlGaN Layers2014
- 著者名/発表者名
  Y. Takei, M. Kamiya, K. Tsutsui, W. Saito, K. Kakushima, H. Wakabayashi, Y. Kataoka, H. Iwai
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi A
  
  巻: - 号: 5 ページ: 1104-1109
- DOI
  10.1002/pssa.201431645
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-ORGANIZER-26105001, KAKENHI-PLANNED-26105014
[雑誌論文] Ohmic Contact Properties Depending on AlGaN Layer Thickness for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Structures2014
- 著者名/発表者名
  Y. Takei, M. Okamoto, W. Saito, K. Tsutsui, K. Kakushima, H. Wakabayashi, Y. Kataoka H. Iwai
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 61 ページ: 265-270
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[雑誌論文] Covalent Nature in La-Silicate Gate Dielectrics for Oxygen Vacancy Removal2012
- 著者名/発表者名
  T.Kawanago, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, A.Nishiyama, N.Sugii, K.Natori, T.Hattori, H.Iwai
- 雑誌名
  
  IEEE Electron Device Letters
  
  巻: 33 号: 3 ページ: 423-425
- DOI
  10.1109/led.2011.2178111
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] CovalentNature in La-Silicate Gate Dielectrics for Oxygen Vacancy Removal2012
- 著者名/発表者名
  T. Kawanago, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai
- 雑誌名
  
  IEEEElectron Dev. Lett
  
  巻: Vol.33 ページ: 423-425
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] EOT of 0.62 nm and High Electron Mobility in La-silicate/Si Structure Based nMOSFETs Achieved by Utilizing Metal-Inserted Poly-Si Stacks and Annealing at High Temperature2012
- 著者名/発表者名
  T.Kawanago, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, A.Nishiyama, N.Sugii, K.Natori, T.Hattori, H.Iwai
- 雑誌名
  
  IEEE Transactions on Electron Devices
  
  巻: 59 号: 2 ページ: 269-276
- DOI
  10.1109/ted.2011.2174442
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Valence number transition and silicate formation of cerium oxide films onSi(100)2012
- 著者名/発表者名
  M. Mamatrishat, M. Kouda, K. Kakushima, H. Nohira, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiiyama, K. Tsutsui, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai
- 雑誌名
  
  Vacuum
  
  巻: Vol.86 ページ: 1513-1516
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Properties of CeO_x/La_2O_3 gate dielectric and its effects on the MOS transistor characteristics2012
- 著者名/発表者名
  H. Wong, B. L. Yang, K. Kakushima, P. Ahmet, H. Iwai
- 雑誌名
  
  Vacuum
  
  巻: Vol.86 ページ: 990-993
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Valence number transition and silicate formation of cerium oxide films on Si(100)2012
- 著者名/発表者名
  M. Mamatrishat
- 雑誌名
  
  Vacuum
  
  巻: 86(10) 号: 10 ページ: 1513-1516
- DOI
  10.1016/j.vacuum.2012.02.050
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246003, KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] EOT of 0. 62 nm and High Electron Mobility in La-silicate/Si Structure Based nMOSFETs Achieved by Utilizing Metal-Inserted Poly-Si Stacks and Annealing at High Temperature2012
- 著者名/発表者名
  T. Kawanago, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai
- 雑誌名
  
  IEEE Trans. Electron Devices
  
  巻: Vol.59 ページ: 269-276
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Properties of CeOx/La2O3 gate dielectric and its effects on the MOS transistor characteristics2012
- 著者名/発表者名
  H.Wong, B.L.Yang, K.Kakushima, P.Ahmet, H.Iwai
- 雑誌名
  
  Vacuum
  
  巻: 86 ページ: 990-993
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Compensation of oxygen defects in La-silicate gate dielectrics for improving effective mobility in high-k/metal gate MOSFET using oxygen annealing process2011
- 著者名/発表者名
  T. Kawanago, Y. Lee, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai
- 雑誌名
  
  Solid-StateElectron
  
  巻: Vol.68 ページ: 68-72
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Interface and electrical properties of Tm2O3 gate dielectrics for gate oxide scaling in MOS devices2011
- 著者名/発表者名
  M.Kouda, T.Kawanago, P.Ahmet, K.Natori,T.Hattori, H.Iwai, K.Kakushima, A.Nishiyama, N.Sugii, K.Tsutsui
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science & Technology
  
  巻: 29 号: 6 ページ: 62202-62202
- DOI
  10.1116/1.3660800
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Rareearth oxide capping effect on La_2O_3 gatedielectrics for equivalent oxidethickness scaling toward 0. 5 nm2011
- 著者名/発表者名
  M. Kouda, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: Vol.50
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Rare earth oxide capping effect on La2O3 gate dielectrics for equivalent oxide thickness scaling toward 0.5 nm2011
- 著者名/発表者名
  M.Kouda, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, A.Nishiyama, N.Sugii, K.Natori, T.Hattori, H.Iwai
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physcis
  
  巻: 50
- NAID
  210000071407
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Compensation of oxygen defects in La-silicate gate dielectrics for improving effective mobility in high-k/metal gate MOSFET using oxygen annealing process2011
- 著者名/発表者名
  T.Kawanago, Y.Lee, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, A.Nishiyama, N.Sugii, K.Natori, T.Hattori, H.Iwai
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics
  
  巻: 68 ページ: 68-72
- DOI
  10.1016/j.sse.2011.10.006
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Interface and electrical properties of Tm_2O_3 gate dielectrics for gate oxide scaling in MOS devices2011
- 著者名/発表者名
  M. Kouda, T. Kawanago, P. Ahmet, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, K. Kakushima, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol. B
  
  巻: Vol.29 ページ: 62202-62202
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Analysis of Threshold Voltage Variation in Fin Field Effect Transistors : Separation of Short Channel Effects2010
- 著者名/発表者名
  Y.Kobayashi, K.Tsutsui, K.Kakushima, P.Ahmet, V.P.Rao, H.Iwai
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 49(掲載決定)
- NAID
  40017085077
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Analysis of Dependence of Short-channel Effects in Double-gate MOSFETs on Channel Thickness2010
- 著者名/発表者名
  Y.Kobayashi, K.Kakushima, P.Ahmet, V.R.Rao, K.Tsutui, H.Iwai
- 雑誌名
  
  Microelectronics Reliability 50
  
  ページ: 332-337
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Electrical Characteristics of Rare Earth(La, Ce, Pr and Tm) Oxides/Silicates Gate Dielectric2010
- 著者名/発表者名
  K. Matano, K. Funamizu, M. Kouda, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai
- 雑誌名
  
  ECSTrans
  
  巻: Vol.27 ページ: 1120-1134
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Analysis of Threshold Voltage Variation in Fin Field Effect Transistors: Separation of Short Channel Effects2010
- 著者名/発表者名
  Y. Koyabashi, K. Tsutsui, K. Kakushima, P. Ahmet, V.R. Rao, H. Iwai
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys Vol.49
  
  ページ: 44201-44201
- NAID
  40017085077
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Characterization of flatband voltage roll-off and roll-up behavior in La_2O_3/silicat gate dielectric2010
- 著者名/発表者名
  K. Kakushima, T. Koyanagi, K. Tachi, J. Song, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai
- 雑誌名
  
  Solid-State Electron
  
  巻: Vol54 ページ: 720-723
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Characterization of flatband voltage roll-off and roll-up behavior in La_2 O_3/silicate gate dielectric2010
- 著者名/発表者名
  K.Kakushima, et al.
- 雑誌名
  
  Solid-State Electronics (in press)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Analysis of Dependence of Short-channel Effects in Double-gate MOSFETs on Channel Thickness2010
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayasih, K. Kakushima, P. Ahmet, V.R. Rao, K. Tsutsui, H. Iwai
- 雑誌名
  
  Microelectronics Reliability Vol.50
  
  ページ: 332-337
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  K. Noguchi, W. Hosoda, K. Matano, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, A. Ch, orkar, T. Hattori, H. Iwai
- 雑誌名
  
  ECS Trans Vol.16
  
  ページ: 29-34
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  K.Noguchi, W.Hosoda, K.Matano, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, N.Sugii, A.N.Chandorkar, T.Hattori, H.Iwai
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 16
  
  ページ: 29-34
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Crystallographic Orientation Dependent Electrical Characteristics of La_2O_3 MOS Capacitors2009
- 著者名/発表者名
  H. Nakayama, K. Kakushima, P. Ahmet, E. Ikenaga, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai
- 雑誌名
  
  ECS Trans
  
  巻: Vol.25 ページ: 339-345
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[雑誌論文] Analysis of irregular increase in sheet resistance of Ni silicides on transition from NiSi to NiSi_22008
- 著者名/発表者名
  Kazuo Tsutsui, Ruifei Xiang, Koji Nagahiro, Takashi Shiozawa, Parhat Ahmet, Yasutoshi Okuno, Michikazu Matsumoto, Masafumi Kubota, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Iwai
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 85
  
  ページ: 315-319
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Thermal Stability of Ni-silicide Films on Heavily Doped n^+ and P^+ Si Substrates2008
- 著者名/発表者名
  Parhat Ahmet, Takashi Shiozawa, Koji Nagahiro, Takahiro Nagata, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Toyohiro Chikyow and Hiroshi Iwai
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering in press
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Thermal Stability of Ni silicide Films on Heavily Doped n+ and p+ Si Substrates2008
- 著者名/発表者名
  P. Ahmet, T. Shiozawa, K. Nagahiro, T. Nagata, K. Kakushima, K. Tsutsui, T. Chikyo, H. Iwai
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering Vol.85
  
  ページ: 1642-1645
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Parasitic effects in multi-gate MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  Yusuke Kobayashi, C. Raghunathan Manoj, Kazuo Tsutsui, Venkanarayan Hariharan, Kuniyuki Kakushima, V. Ramgopal Rao, Parhat Ahmet, and Hiroshi Iwai
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions E90-C
  
  ページ: 2051-2056
- NAID
  110007541196
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Parasitic Effects Depending on Shape of Spacer Region on FinFETs2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, K. Tsutsui, K. Kakushima, V. Hariharan, V. R. Rao, P. Ahmet, and H. Iwai
- 雑誌名
  
  ECS Transaction Vol. 6, No. 4
  
  ページ: 83-88
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Parasitic Effects Depending on Shape of Spacer Region on FinFETs2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, K. Tsutsui, K. Kakushima, V. Hariharan, V. R. Rao, P. Ahmet, H. Iwai
- 雑誌名
  
  ECS Transaction 6
  
  ページ: 83-88
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Parasitic Effects Depending on Shape of Spacer Region on FinFETs2007
- 著者名/発表者名
  Y.Kobahashi, K.Tsutsui, K.Kakushima, V.Hariharan, V.R.Rao, P.Ahmet, H.Iwai
- 雑誌名
  
  SOI Device Technology 13 (ECS Transaction-Chicago) 3(出版予定)(掲載決定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Parasitic Effects in Multi-gate MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, V.R. Manoj, K. Tsutsui, V. Hariharan, K. Kakushima, V.R. Rao, P. Ahmet, H. Iwai
- 雑誌名
  
  IEICE Trans. on Electronics Vol.E90-C
  
  ページ: 2051-2056
- NAID
  110007541196
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Improvement of Thermal Stability of Ni Silcide by Additive Metals with Specific Introduction Processes2007
- 著者名/発表者名
  K. Tsutsui, K. Nagahiro, T. Shiozawa, P. Ahmet, K. Kakushima and H. Iwai
- 雑誌名
  
  ECS Transaction 11
  
  ページ: 207-213
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Parasitic Effects in Multi-gate MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  Y.Kobayashi, C.R.Manoj, K.Tsutsui, V.Hariharan, K.Kakushima, V.R.Rao, P.Ahmet, H.Iwai
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions on Electronics (出版予定)(掲載決定)
- NAID
  110007541196
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[雑誌論文] Parasitic effects in multi-gate MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  Yusuke Kobayashi, C. Raghunathan Manoj, Kazuo Tsutsui, Venkanarayan Hariharan, Kuniyuki Kakushima, V. Ramgopal Rao, Parhat Ahmet, and Hiroshi Iwai
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions vol. E90-C, No.10
  
  ページ: 2051-2056
- NAID
  110007541196
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Thickness-dependent Strain Measurement of Ferroelectric AlScN Films2023
- 著者名/発表者名
  Y. Tokita, SL. Tsai, T. Hoshii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Kakushima
- 学会等名
  International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04237
[学会発表] Thickness-Dependent Flat-Band Voltage of Ferroelectric Al0.7Sc0.3N Films on SiO2/Si Substrate2023
- 著者名/発表者名
  R. Nonaka, T. Hoshii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Kakushima
- 学会等名
  243rd ECS Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04237
[学会発表] A Ferroelectric Property Tailoring Method of Al0.7Sc0.3n Films by Sputter-Deposition Pressure2023
- 著者名/発表者名
  Y. Tokita, K. Tsutsui, K. Kakushima. H. Wakabayashi, T. Hoshii
- 学会等名
  243rd ECS meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04237
[学会発表] Thickness-Dependent Flat-Band Voltage of Ferroelectric Al0.7Sc0.3n Films on SiO2/Si Substrate2023
- 著者名/発表者名
  R. Nonaka, T. Hoshii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Kakushima
- 学会等名
  243rd ECS meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04237
[学会発表] A Ferroelectric Property Tailoring Method of Al0.7Sc0.3n Films by Sputter-Deposition Pressure2023
- 著者名/発表者名
  Y. Tokita, T. Hoshii, K. Tsutsui, H. Wakabayashi, K. Kakushima
- 学会等名
  243rd ECS Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04237
[学会発表] 選択成長法を用いたGaN FinFETの作製：成長窓形成プロセス改善2022
- 著者名/発表者名
  久恒悠介、太田貴士、佐々木満孝、高橋言緒、井手利英、清水三聡、星井拓也、角嶋邦之、若林整、筒井一生
- 学会等名
  2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02192
[学会発表] 高自発分極AlScN膜の導入によるGaN HEMTのしきい値変化2022
- 著者名/発表者名
  野中隆聖, 星井拓也, 若林整, 筒井一生, 角嶋邦之
- 学会等名
  第88回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04237
[学会発表] スパッタリング時の圧力によるAlScN膜への影響2022
- 著者名/発表者名
  時田幸村, Tsai Sung-Lin, 星井拓也, 若林整, 筒井一生, 角嶋邦之
- 学会等名
  第88回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04237
[学会発表] 横型GaN系FinFETにおける異なるチャネル伝導形態の比較検討2021
- 著者名/発表者名
  久恒悠介、星井拓也、角嶋邦之、若林整、筒井一生
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02192
[学会発表] GaN FinFETの低オン抵抗・高耐圧化に向けたドリフト領域拡幅の検討2021
- 著者名/発表者名
  久恒悠介、星井拓也、角嶋邦之、若林整、筒井一生
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02192
[学会発表] 選択成長法を用いたGaN 系FinFET2021
- 著者名/発表者名
  筒井一生,濱田拓也,高山研,金相佑,星井拓也,角嶋邦之,若林整,高橋言緒,井手利英,清水三聡
- 学会等名
  電気学会電子デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02192
[学会発表] 選択成長法を用いたGaN FinFETの作製：成長窓形成プロセスの検討2021
- 著者名/発表者名
  太田貴士、佐々木満考、高山研、濱田拓也、高橋言緒、井出利英、清水三聡、星井拓也、角嶋邦之、若林整、筒井一生
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02192
[学会発表] 横型GaN FinFETの構造最適化についての検討2020
- 著者名/発表者名
  久恒悠介、金相佑、星井拓也、角嶋邦之、若林整、筒井一生
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02192
[学会発表] 選択成長法を用いたGaN FinFETの作製:リーク電流抑制の改良2020
- 著者名/発表者名
  高山研、太田貴士、佐々木満孝、向井勇人、濱田拓也、高橋言雄、井出利英、清水三聡、星井拓也、角嶋邦之、若林整、筒井一生
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02192
[学会発表] 光電子ホログラフィーによる半導体中の不純物の3Ｄ原子イメージング2019
- 著者名/発表者名
  筒井一生、松下智裕、名取鼓太朗、小川達博、室隆桂之、森川良忠、星井拓也、角嶋邦之、若林整、林好一、松井文彦、木下豊彦
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] High Hall-Effect Mobility of Atomic-Layered Polycrystalline-ZrS2 Film using Sputtering and Sulfur Annealing2019
- 著者名/発表者名
  Masaya Hamada, Kentaro Matsuura, Takuro Sakamoto, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  3rd Electron Devices Technology and Manufactureing Conference (EDTM2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] FinFET応用に向けた選択成長GaNチャネルの電気特性2019
- 著者名/発表者名
  濱田拓也、向井勇人、高橋言緒、井手利英、清水三聡、星井拓也、角嶋邦之、若林整、岩井洋、筒井一生
- 学会等名
  第66回応用物理学会春期学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03972
[学会発表] Quantitative evaluation of interfacial charges at GaN/AlGaN interfaces2019
- 著者名/発表者名
  Takuya Hoshii, Akira Nakajima, Shin-ichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, and Kazuo Tsutsui
- 学会等名
  13tu Int. Conf. on Nitride Semiconductor (ICNS)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02192
[学会発表] 光電子ホログラフィー法によるシリコン中にドープされた不純物の三次元原子配列構造の解析2019
- 著者名/発表者名
  筒井一生, 松下智裕, 室隆桂之, 森川良忠, 名取鼓太郎, 小川達博, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 林好一, 松井文彦, 木下豊彦
- 学会等名
  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究集会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Evaluation of Interfacial Charges at GaN/AlGaN Interfaces Grown by MOVPE using Triethylgallium2019
- 著者名/発表者名
  Takuya Hoshii, Hiromasa Okita, Taihei Matsuhashi, Indraneel Sanyal, Yu-Chih Chen, Ying-Hao Ju, Akira Nakajima, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Jen-Inn Chyi, and Kazuo Tsutsui
- 学会等名
  The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02192
[学会発表] GaN Fin構造選択成長における低抵抗領域の発生原因の検討2019
- 著者名/発表者名
  高山研、向井勇人、濱田拓也、高橋言緒、井手利英、清水三総、星井拓也、角嶋邦之、若林整、岩井洋、筒井一生
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02192
[学会発表] 大面積集積化に向けたスパッタMoS2薄膜を用いたTop-Gate nMISFETs2019
- 著者名/発表者名
  松浦賢太朗、清水淳一、外山真矢人、大橋匠、宗田伊理也、石原聖也、角嶋邦之、筒井一生、小椋厚志、若林整
- 学会等名
  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究集会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] F.G.アニールによるMoSi2/スパッタMoS2界面コンタクト抵抗低減2019
- 著者名/発表者名
  松浦賢太朗、濱田昌也、坂本拓朗、谷川晴紀、宗田伊理也、石原聖也、角嶋邦之、筒井一生、小椋厚志、若林整
- 学会等名
  第66回応用物理学会春期学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 選択成長法を用いたGaN FinFETの作製2019
- 著者名/発表者名
  向井勇人、髙山研、濱田拓也、高橋言緒、井手利英、清水三聡、星井拓也、角嶋邦之、若林整、岩井洋、筒井一生
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02192
[学会発表] 光電子分光ホログラフィーによるAsドープSi中のドーパント複数サイトの原子配列イメージング2019
- 著者名/発表者名
  筒井一生、松下智裕、名取鼓太朗、室隆桂之、森川良忠、星井拓也、角嶋邦之、若林整、林好一、松井文彦、木下豊彦
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] FinFET応用に向けた選択成長GaNチャネルの電気特性2018
- 著者名/発表者名
  濱田拓也, 向井勇人, 高橋言緒, 井手利英, 清水三聡, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋, 筒井一生
- 学会等名
  第82回半導体・集積回路シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03972
[学会発表] 絶縁膜を通した硫黄粉末アニールによるスパッタMoS2膜の結晶性改善2018
- 著者名/発表者名
  濱田昌也、松浦賢太郎、谷川晴紀、大橋匠、角嶋邦之、筒井一生、若林整
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 保護膜を通したフォーミングガスアニールによるスパッタMoS2 膜の結晶性改善2018
- 著者名/発表者名
  五十嵐智、松浦賢太朗、濱田昌也、谷川晴紀、坂本拓朗、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、若林整
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 立体チャネルトランジスタ応用に向けた選択成長GaNの貫通転位の低減2018
- 著者名/発表者名
  濱田拓也、黒岩宏紀、高橋言緒、井手利英、清水三聡、星井拓也、角嶋邦之、若林整、岩井洋、筒井一生
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03972
[学会発表] Chip-Level-Integrated nMISFETs with Sputter-Deposited-MoS2 Thin Channel Passivated by Al2O3 Film and TiN Top Gate2018
- 著者名/発表者名
  Kentaro Matsuura, Jun’ichi Shimizu, Mayato Toyama, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Seiya Ishihara, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, and Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] スパッタMoS2膜の HfO2膜越し硫化における表面残留硫黄除去2018
- 著者名/発表者名
  谷川晴紀、松浦賢太朗、濱田昌也、坂本拓朗、宗田伊理也、星井拓也、角嶋邦之、筒井一生、若林整
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 立体チャネルトランジスタ応用に向けた選択成長GaNの異方性エッチング2018
- 著者名/発表者名
  向井勇人、濱田拓也、高橋言緒、井出利英、清水三聡、星井拓也、角嶋邦之、若林整、岩井洋、筒井一生
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03972
[学会発表] Atomic Sites of Dopants in Si Visualized by Spectro-Photoelectron Holography2018
- 著者名/発表者名
  Kazuo Tsutsui, Tomohiro Matsushita, Takayuki Muro, Yoshitada Morikawa, Kotaro Natori, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Kouichi Hayashi, Fumihiko Matsui, Toyohiko Kinoshita
- 学会等名
  2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Electrical properties of selectively grown GaN channel for FinFETs2018
- 著者名/発表者名
  Takuya Hamada, Hayato Mukai, Tokio Takahashi, Toshihide Ide, Mitsuaki Shimizu, Hiroki Kuroiwa, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Hiroshi Iwai, and Kazuo Tsutsui
- 学会等名
  Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03972
[学会発表] Migration制御したスパッタリング法による2次元層状MoS2成膜2018
- 著者名/発表者名
  大橋匠、坂本拓朗、松浦賢太朗、清水淳一、外山真矢人、石原聖也、日比野祐介、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、小椋厚志、若林整
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] フラッシュランプアニールおよびポストアニールで活性/不活性化したSi中Asの軟X線光電子分光による評価2018
- 著者名/発表者名
  小川達博、名取鼓太郎、星井拓也、仲武昌史、渡辺義夫、永山勉、樋口隆弘、加藤慎一、谷村英昭、角嶋邦之、若林整、筒井一生
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Analyses of 3D Atomic Arrangements of Impurity Atoms Doped in Silicon by Spectro-Photoelectron Holography Technique2018
- 著者名/発表者名
  Kazuo Tsutsui, Tomohiro Matsushita, Takayuki Muro, Yoshitada Morikawa, Kotaro Natori, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Kouichi Hayashi, Fumihiko Matsui, and Toyohiko Kinoshita
- 学会等名
  18th Int. Workshop on Junction Technology (IWJT2018)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Status of photoelectron holography at SPring-8:Experimental setup for time- and space-resolved technique and application to individual atomic imaging of multiple dopant sites2018
- 著者名/発表者名
  Toyohiko Kinoshita, Tomohiro Matsushita, Takayuki Muro, Takuo Ohkochi, Hitoshi Osawa, Kouichi Hayashi, Fumihiko Matsui, Kazuo Tsutsui, Kotaro Natori, Yoshitada Morikawa, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, 他12名
- 学会等名
  14th Int. Conf. on Electron Spectroscopy and Structure (ICEESS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Hall-Effect Mobility Enhancement of Sputtered MoS2 Film by Vapor Phase Sulfurization through Al2O3 Passivation Film2018
- 著者名/発表者名
  M. Hamada, K. Matsuura, T. Sakamoto, H. Tanigawa, T. Ohashi, I. Muneta, T. Hoshii, K. Kakushima, K. Tsutsui, H. Wakabayashi
- 学会等名
  IEEE S3S Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 大面積集積化に向けたスパッタMoS2薄膜を用いたTop-Gate nMISFETs2018
- 著者名/発表者名
  松浦賢太朗、清水淳一、外山真矢人、大橋匠、宗田伊理也、石原聖也、角嶋邦之、筒井一生、小椋厚志、若林整
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] スパッタの低パワー化によるMoS2薄膜のキャリヤ濃度低減2018
- 著者名/発表者名
  坂本拓朗、大橋匠、松賢太朗、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、若林整
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Mechanism for High Hall-Effect Mobility in Sputtered-MoS2 Film Controlling Particle Energy2018
- 著者名/発表者名
  T. Sakamoto, T. Ohashi, K. Matsuura, I. Muneta, K. Kakushima, K. Tsutsui, Y. Suzuki, N. Ikarashi H. Wakabayashi
- 学会等名
  IEEE S3S Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] スパッタ堆積MoS2膜の下地材料依存性2017
- 著者名/発表者名
  大橋匠、宗田伊理也、石原聖也、日比野祐介、角嶋邦之、筒井一生、小椋厚志、若林整
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 立体チャネルトランジスタ応用に向けた選択成長GaNの形状制御2017
- 著者名/発表者名
  黒岩宏紀、濱田拓也、高橋言緒、井出利英、清水三聡、星井拓也、角嶋邦之、若林整、岩井洋、筒井一生
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03972
[学会発表] Si結晶中にドープされたAsの異なる原子配列構造と深さ分布2017
- 著者名/発表者名
  小川達博、名取鼓太郎、星井拓也、仲武昌史、渡辺義夫、角嶋邦之、若林整、筒井一生
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] スパッタリング法で堆積したMoS2薄膜へのコンタクト抵抗と熱処理依存性2017
- 著者名/発表者名
  外山真矢人、大橋匠、松浦賢太朗、清水淳一、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、若林整
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] SiにドープされたAsの光電子ホログラフィー評価と電気的活性化との関係2017
- 著者名/発表者名
  名取鼓太郎、筒井一生、松下智裕、室隆桂之、星井拓也、角嶋邦之、若林整、林好一、松井文彦、森川良忠、下村勝、木下豊彦
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] MoS2ターゲット高温スパッタ法のロングスロー化によるMoS2膜結晶性向上2017
- 著者名/発表者名
  坂本拓朗、大橋匠、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、若林整
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] nMOSFET応用に向けた窒化ハフニウムの硫化による二硫化ハフニウム膜の作製2017
- 著者名/発表者名
  篠原健朗、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、若林整
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] AlGaN/GaN HEMT構造におけるドット形凹凸AlGaN層形成によるコンタクト抵抗低減の検討2017
- 著者名/発表者名
  渡部拓巳、久永真之祐、星井拓也、角嶋邦之、若林整、岩井洋、筒井一生
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Crystallinity Improvement using Migration Enhancement Method for Sputtered-MoS2 Film2017
- 著者名/発表者名
  Shin Hirano, Jun’ichi Shimizu, Kentaro Matsuura, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui and Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  Electron Devices Technoogy and Manufuctureing Conference (EDTM2017)
- 発表場所
  富山国際会議場（富山市）
- 年月日
  2017-02-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Low-carrier density sputtered-MoS2 film by H2S annealing for normally-off accumulation-mode FET2017
- 著者名/発表者名
  Jun’ichi Shimizu, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Nobuyuki Ikarashi and Hitoshi Wakabayashi
- 学会等名
  Electron Devices Technoogy and Manufuctureing Conference (EDTM2017)
- 発表場所
  富山国際会議場（富山市）
- 年月日
  2017-02-28
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] スパッタMoS2膜上ALD-Al2O3膜の成長過程観察2017
- 著者名/発表者名
  谷川晴紀、大橋匠、松浦賢太朗、清水淳一、外山真矢人、早川直希、宗田伊理也、角嶋邦之、筒井一生、若林整
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] トンネル電極を形成したスパッタMoS2膜における電流の障壁膜厚依存性2017
- 著者名/発表者名
  早川直希、宗田伊理也、大橋匠、松浦賢太朗、清水淳一、角嶋邦之、筒井一生、若林整
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] TiN/Ti Ohmic Contact for Sputtered-MoS2 Film using Forming-Gas Annealing2017
- 著者名/発表者名
  M. Toyama, T. Ohashi, K. Matsuura, J. Shimizu, I. Muneta, K. Kakushima, K. Tsutsui, and H. Wakabayashi
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Atomic scale analyses of As doped in Si by soft X-ray photoelectron spectroscopy and spectro-photoelectron holography2017
- 著者名/発表者名
  Kotaro Natori, Tatsuhiro Ogawa, Takuya Hoshii, Tomohiro Matsushia, Takayuki Muro, Toyohiko Kinoshita, Yoshitada Morikawa, Kuniyuki Kakushima, Fumihiko Matsui, Kouichi Hayashi, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui
- 学会等名
  11th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices ’17
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] SiにドープされたAsの光電子ホログラフィーによる評価2016
- 著者名/発表者名
  名取鼓太郎、筒井一生、松下智裕、室隆桂之、木下豊彦、星井拓也、角嶋邦之、若林整、松井文彦、下村勝
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟市）
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] デバイス高性能化に向けたSi中ドーパントサイトの研究2016
- 著者名/発表者名
  筒井一生, 松下智裕, 名取鼓太郎, 室隆桂之, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 林好一, 松井文彦, 木下豊彦
- 学会等名
  物性研究所短期研究会「原子層上の活性サイトで発現する局所機能物性」
- 発表場所
  東京大学物性研究所（柏市）
- 年月日
  2016-12-20
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Sulfurization in Sulfur Vapor for Sputtered-MoS2 Film2016
- 著者名/発表者名
  K. Matsuura, T. Ohashi, I. Muneta S. Ishihara, N. Sawamoto, K. Kakushima, K. Tsutsui, A. Ogura and H. Wakabayashi
- 学会等名
  47th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2016)
- 発表場所
  San Diego, USA
- 年月日
  2016-12-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] TFT応用に向けたRFマグネトロンスパッタリング法によるMoS2膜の形成2016
- 著者名/発表者名
  大橋匠、松浦賢太朗、石原聖也、日比野裕介、澤本直美、角嶋邦之、筒井一生、小椋厚志、若林整
- 学会等名
  電子情報通信学会　シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  キャンパス・イノベーションセンター（東京）
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 立体チャネルトランジスタ応用に向けたGaN選択成長の検討2016
- 著者名/発表者名
  黒岩宏紀、武井優典、高橋言緒、井手利英、清水三聡、筒井一生、角嶋邦之、若林整、岩井洋
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03972
[学会発表] High-Mobility and Low-Carrier-Density Sputtered-MoS2 Film by Low-Temperature Forming- Gas Annealing for 3D-IC2016
- 著者名/発表者名
  J. Shimizu, T. Ohashi, K. Matsuura, I. Muneta, K. Kakushima, K. Tsutsui, H. Wakabayashi
- 学会等名
  2016 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2016)
- 発表場所
  つくば国際会議場（つくば市）
- 年月日
  2016-09-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 光電子ホログラフィーによる Si 中ドーパントサイトの研究2016
- 著者名/発表者名
  筒井一生, 松下智裕, 名取鼓太郎, 室隆桂之, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 林好一, 松井文彦, 木下豊彦
- 学会等名
  第10回物性科学領域横断研究会
- 発表場所
  神戸大学（神戸市）
- 年月日
  2016-12-09
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] スパッタMoS2膜のフォーミングガス雰囲気ポストアニーリングによる電気特性向上2016
- 著者名/発表者名
  清水淳一、大橋匠、松浦賢太朗、角嶋邦之、筒井一生、若林整
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗低減効果のメカニズム解明2016
- 著者名/発表者名
  武井優典、下田智裕、高橋昌靖、筒井一生、齋藤渉、角嶋邦之、若林整、岩井洋
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] S/Mo比増加によるMoS2膜の低キャリア濃度化2016
- 著者名/発表者名
  大橋匠、松浦賢太朗、石原聖也、日比野祐介、澤本直美、角嶋邦之、筒井一生、小椋厚志、若林整
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗低減効果の凹凸構造サイズ依存性2015
- 著者名/発表者名
  下田智裕、武井優典、筒井一生、齋藤渉、角嶋邦之、若林整、岩井洋
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Lowering Contact Resistances on AlGaN/GaN HEMT Structures by Introducing Uneven AlGaN Layers: Effects of Configuration and Size of Lateral Patterns2015
- 著者名/発表者名
  Yusuke Takei, Tomohiro Shimoda, Wataru Saito, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai
- 学会等名
  2015 MRS Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- 年月日
  2015-11-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 硫黄粉末アニールの減圧化によるスパッタMoS2薄膜の結晶性向上2015
- 著者名/発表者名
  松浦賢太朗、大橋匠、石原聖也、澤本直美、日比野祐介、須田耕平、角嶋邦之、筒井一生、小椋厚志、若林整
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] ランタン酸化膜を用いたhigh-k/Si直接接合2012
- 著者名/発表者名
  角嶋邦之
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
- 発表場所
  静岡
- 年月日
  2012-01-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[学会発表] ランタン酸化膜を用いたhigh-k/Si直接接合2012
- 著者名/発表者名
  角嶋邦之
- 学会等名
  ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
- 発表場所
  三島、静岡県
- 年月日
  2012-01-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21246008
[学会発表] Er Inserted Ni Silicide Metal Source/Drain for Schottky MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  P. Ahmet, W. Hosoda, K. Noguchi, Y. Ohishi, K. Kakushima, K. Tsutsui, H. Iwai
- 学会等名
  10th Int. Workshop on Junction Technology (IWJT2010)
- 発表場所
  Shanghai, China
- 年月日
  2010-05-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Fabrication of SB-MOSFETs on SOI Substrate Using Ni Silicide Containing Er Interlayer2010
- 著者名/発表者名
  W.Hosoda, K.Ozawa, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, A.Nishiyama, N.Sugii, K.Natori, T.Hattori, H.Iwai
- 学会等名
  China Semiconductor Technology International Conference(CSTIC)
- 発表場所
  上海、中国
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] 酸化膜中のSiナノワイヤにおけるNi拡散の制御2010
- 著者名/発表者名
  茂森直登, 新井英明, 佐藤創志, 角嶋クニユキ, アヘメトパールハット, 西山彰, 筒井一生, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  平塚市
- 年月日
  2010-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] A Study of Schottky Barrier Height Modulation of NiSi by Interlayer In sertion and Its Application to SOI SB-MOSFETs2009
- 著者名/発表者名
  W.Hosoda, K.Ozawa, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, A.Nishiyama, N.Sugii, K.Natori, T.Hattori, H.Iwai
- 学会等名
  G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices
- 発表場所
  Tokyo Institute of Technology, Japan
- 年月日
  2009-10-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] FinFETの構造ばらつきによるオン電流のばらつきの検討2009
- 著者名/発表者名
  小林勇介、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、ラオ・ラムゴパル、筒井一生、岩井洋
- 学会等名
  2009春季第56回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Annealing Reaction for Ni Silicidation of Si Nanowire2009
- 著者名/発表者名
  H.Arai, H.Kamimura, S.Sato, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, N.Sugii, K.Natori, T.Hattori, H.Iwai
- 学会等名
  216^<th> Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Vienna, Austria
- 年月日
  2009-10-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] 2stepアニールを用いた酸化膜中のSiナノワイヤへのNiシリサイド化2009
- 著者名/発表者名
  茂森直登, 新井英朗, 佐藤創志, 角嶋邦之, アヘメトパールハット, 西山彰, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  第70回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  富山市
- 年月日
  2009-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] 異種金属界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調とSB一MOSFETへの応用2009
- 著者名/発表者名
  細田亘, 野口浩平, 角嶋邦之, パールハット・アヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  2009春季第56回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-03-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] 異種金属界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調とSB-MOSFETへの応用II2009
- 著者名/発表者名
  小澤健児, 細田亘, 角嶋邦之, アヘメトパールハット, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 服部健雄, 名取研二, 岩井洋
- 学会等名
  第70回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  富山市
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Short-channel effects on FinFETs induced by inappropriate fin widths2009
- 著者名/発表者名
  Y.Kobayashi, K.Kakushima, P.Ahmet, V.Ramgopal Rao, K.Tsutsui, H.Iwai
- 学会等名
  G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices
- 発表場所
  Tokyo Institute of Technology, Japan
- 年月日
  2009-10-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Hf層界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調技術2008
- 著者名/発表者名
  又野克哉, 野口浩平, 角嶋邦之, パールハット・アヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  2008秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Analysis of Threshold Voltage Variations of FinFETs: Separation of Short Channel Effects and Space Charge Effects2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, K. Tsutsui, K. Kakushima, V.R. Rao, P. Ahmet, H. Iwai
- 学会等名
  Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2008)
- 発表場所
  Ibaraki, Japan
- 年月日
  2008-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-M OSFETs2008
- 著者名/発表者名
  K. Noguchi, W. Hosoda, K. Matano, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsu i, N. Sugii, A. N. Chandorkar, T. Hattori, and H. Iwai
- 学会等名
  Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-M OSFETs
- 発表場所
  Honolulu, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Er層界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調とSB-MOSFETへの応用2008
- 著者名/発表者名
  細田亘, 野口浩平, 角嶋邦之, パールハット・アヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Schottky Barrier Height Modulation of Ni Silicide/Si Contacts by Insertion of Thin Er or Pt Layers2008
- 著者名/発表者名
  Yoshisa Ohishi, Kohei Noguchi, Kuniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, Kazuo Tsutsui, Nobuyuki Sugii, Takeo Hattori, and Hiroshi Iwai
- 学会等名
  7th Int. Semiconductor Technology Conference (ECS-ISTC2008)
- 発表場所
  Shanghai, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  K. Noguchi, W. Hosoda, K. Matano, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, A. N. Chandorkar, T. Hattori and H. Iwai
- 学会等名
  214th ECS Meeting
- 発表場所
  Honolulu, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] FinFETにおけるショートチャネル効果のフィン幅依存性2008
- 著者名/発表者名
  小林勇介, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, ラムゴパルラオ, 筒井一生, 岩井洋
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学船橋キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] 高濃度n^+-Si及びp^+-Si基板上のNiシリサイドの熱安定性の違い2008
- 著者名/発表者名
  アヘメトパールハット, 角嶋邦之, 長田貴弘, 筒井一生, 杉井信之, 知京豊裕, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学船橋キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Analysis of Threshold Voltage Variations of FinFETs Relating to Short Channel Effects2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, Angada B. Sachidc, K. Tsutsui, K. Kakushima, P. Ahmet, V. Ramgopal Rao and H. Iwai
- 学会等名
  214th ECS Meeting
- 発表場所
  Honolulu, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Analysis of Threshold Voltage Variations of FinFETs Relating to Short Channel Effects2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, A.B. Sachid, K. Tsutsui, K. Kakushima, P. Ahmet, V.R. Rao, H. Iwai
- 学会等名
  214th Electrochem. Society (ECS) Meeting (PRiME 2008)
- 発表場所
  Honolulu, USA
- 年月日
  2008-10-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Analysis of threshold voltage variations of FinFETs : Separation of short channel effects and space charge effects2008
- 著者名/発表者名
  Yusuke Kobayashi, Kazuo Tsutsui, K uniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, V. Ramgopal Rao and Hiroshi Iwai
- 学会等名
  Analysis of threshold voltage variations of FinFETs : Separation of short channel effects and space charge effects
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- 年月日
  2008-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Improvement of Thermal Stability of Ni Silicide on N^+-Si by Direct Deposition of Group III Element (A1,B) Thin Film at Ni/Si Interface2008
- 著者名/発表者名
  K. Tsutsui, T. Shiozawa, K. Nagahiro, Y. Ohishi, K. Kakushima, P. Ahmet, N. Urushihara, M. Suzuki, and H. Iwai
- 学会等名
  Materials for Advanced Metalization (MAM2008)
- 発表場所
  Dresden, Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] FinFETの閾値変動における短チャネル効果による影響の切り分け2008
- 著者名/発表者名
  小林勇介、角嶋邦之、パールハット・アヘメト、ラオ・ラムゴパル、筒井一生、岩井洋
- 学会等名
  2008秋季第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Analysis of threshold voltage variations of FinFETs : Separation of short channel effects and space charge effects2008
- 著者名/発表者名
  Yusuke Kobayashi, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, V. Ramgopal Rao and Hiroshi Iwai
- 学会等名
  Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-MOSFETs2008
- 著者名/発表者名
  K. Noguchi, W. Hosoda, K. Matano, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, A.N. Chandorkar, T. Hattori, H. Iwai
- 学会等名
  214th Electrochem. Society (ECS) Meeting (PRiME 2008)
- 発表場所
  Honolulu, USA
- 年月日
  2008-10-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Er層界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調技術2008
- 著者名/発表者名
  野口浩平, 大石善久, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  日本大学船橋キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Parasitic Effects Depending on Shape of Spacer Region on FinFETs2007
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, K. Tsutsui, K. Kakushima, V. Hariharan, V. R. Rao, P. Ahmet, H. Iwai
- 学会等名
  211th ECS Meeting
- 発表場所
  Chicago, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] Improvement of Thermal Stability of Ni Silcide by Additive Metals with Specific Introduction Processes2007
- 著者名/発表者名
  K. Tsutsui, K. Nagahiro, T. Shiozawa, P. Ahment, K. Kakushima and H. Iwai
- 学会等名
  212th ECS Meeting
- 発表場所
  Washington D.C., USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] ダブルゲート型およびプレーナー型MOSFETにおける構造バラつきの影響の比較検討2007
- 著者名/発表者名
  小林勇介, 角嶋邦之, Ahmet P., Rao V.R., 筒井一生, 岩井洋
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] 極薄Er層を界面に挿入したNiSi/p-Siショットキー障壁の熱処理温度依存性2007
- 著者名/発表者名
  野口浩平, 大石善久, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18063009
[学会発表] 金属ゲート電極材料のAlGaN/GaN HEMT のリーク電流への影響
- 著者名/発表者名
  大賀一樹、川那子高暢、角嶋邦之、片岡好則、西山彰、杉井信之、若林整、筒井一生、名取研二、岩井洋
- 学会等名
  第62回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 高温スパッタリング法によるMoS2膜の形成と電気特性
- 著者名/発表者名
  松浦賢太朗，大橋匠，山口晋平，須田耕平，石原聖也，澤本直美，角嶋邦之，杉井信之，西山彰，片岡好則，名取研二，筒井一生，岩井洋，小椋厚志，若林整
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] AlGaN/GaN HEMT構造への凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗の低減
- 著者名/発表者名
  武井優典、下田智裕、筒井一生、齋藤渉、角嶋邦之、若林整、片岡好則、岩井洋
- 学会等名
  第62回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 硬Ｘ線光電子分光を用いた金属/AlGaN/GaN のバンド構造の解析
- 著者名/発表者名
  大賀一樹，陳江寧，川那子高暢，角嶋邦之，野平博司，片岡好則，西山彰，杉井信之，若林整，筒井一生，名取研二，岩井洋
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] AlGaN/GaN HEMT 構造のAlGaN層内部の電子トラップ解析
- 著者名/発表者名
  馬場俊之、永久雄一、川那子高暢、角嶋邦之、片岡好則、西山彰、杉井信之、若林整、筒井一生、名取研二、岩井洋
- 学会等名
  第62回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] AlGaN/GaN系2次元電子ガスへのノンアロイコンタクトにおけるコンタクト抵抗のAlGaN層厚依存性による抵抗成分分析
- 著者名/発表者名
  武井優典，岡本真里，シンマン，萱沼玲，下田智裕，三井陽平，齋藤渉，筒井一生，角嶋邦之，若林整，片岡好則，岩井洋
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] スパッタ堆積MoS2膜の下地平坦化による電気特性向上
- 著者名/発表者名
  大橋匠、山口晋平、松浦賢太朗、須田耕平、石原聖也、澤本直美、角嶋邦之、杉井信之、西山彰、片岡好則、名取研二、筒井一生、岩井洋、小椋厚志、若林整
- 学会等名
  第62回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Dependence of Ti/C Ratio on Ohmic contact with TiC electrode for AlGaN/GaN structure
- 著者名/発表者名
  M. Okamoto, K. Kakushima, Y. Kataoka, K. Natori, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, W. Saito
- 学会等名
  IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA 2014)
- 発表場所
  Knoxville, Tennessee, USA
- 年月日
  2014-10-13 – 2014-10-15
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 大面積MoS2膜形成に向けたMoの硫化プロセスの検討
- 著者名/発表者名
  松浦賢太朗、大橋匠、山口晋平、須田耕平、石原聖也、澤本直美、角嶋邦之、杉井信之、西山彰、片岡好則、名取研二、筒井一生、岩井洋、小椋厚志、若林整
- 学会等名
  第62回応用物理学会春期学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] 高温スパッタリング法におけるMoS2薄膜化と電気特性
- 著者名/発表者名
  大橋匠，山口晋平，松浦賢太朗，須田耕平，石原聖也，澤本直美，角嶋邦之，杉井信之，西山彰，片岡好則，名取研二，筒井一生，岩井洋，小椋厚志，若林整
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Low-resistive Contact Formation on AlGaN/GaN HEMT Structures by Introducing Uneven AlGaN Layers
- 著者名/発表者名
  Kazuo Tsutsui, Masayuki Kamiya, Yusuke Takei, Wataru Saito, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Yoshinori Kataoka, and Hiroshi Iwai
- 学会等名
  The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)
- 発表場所
  Wroclaw, Poland
- 年月日
  2014-08-24 – 2014-08-29
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014
[学会発表] Multi-Layered MoS2 Thin Film Formed by High- Temperature Sputtering for Enhancement-Mode nMOSFETs
- 著者名/発表者名
  T. Ohashi, K. Suda, S. Ishihara, N. Sawamoto, S. Yamaguchi, K. Matsuura, K. Kakushima, N. Sugii, A. Nishiyama, Y. Kataoka, K. Natori, K. Tsutsui, H. Iwai, A. Ogura and H. Wakabayashi
- 学会等名
  Solid State Devices and Materials (SSDM2014)
- 発表場所
  つくば国際会議場（茨城県）
- 年月日
  2014-09-08 – 2014-09-11
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-26105014

1. 筒井一生 (60188589)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 129件
2. 岩井洋 (40313358)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 80件
3. 星井拓也 (20611049)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 34件
4. パールハットアヘメト (00418675)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 62件
5. 清水三聡 (10357212)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 13件
6. 服部健雄 (10061516)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 18件
7. 石田忠 (80517607)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 小俣達男 (50175270)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 武田さくら (30314537)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 若林整 (80700153)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 61件
11. 中島昭 (60450657)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 山田永 (60644432)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 佐藤信太郎

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 森大輔

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
15. 川村朋晃

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 大野輝昭

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 高谷信之

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 森川良忠

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
19. 松井文彦

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
20. 若林裕助

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 6件
21. 林好一

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
22. 松下智裕

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件
23. 木下豊彦

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

角嶋 邦之 Kakushima Kuniyuki

研究課題

研究成果

共同研究者

強誘電体の電極界面付近の分極反転に伴う欠陥形成とその制御法研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

選択成長Fin構造による動作形態の異なるGaN系立体チャネルトランジスタの研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

選択成長法を用いたGaN系立体チャネル型トランジスタの研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ナノバイオロジーのためのMEMS電子顕微鏡技術の確立と細菌の動態研究への応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体中不純物の3D構造制御と低損失・高効率デバイスの開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

絶縁膜と半導体における界面ダイポールの定量的把握とモデル化に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

3次元構造MOSFETのロバストネス

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] Identification of compressive strain in thin ferroelectric Al1-xScN films by Raman spectroscopy2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Reactive sputtering of ferroelectric AlScN films with H2 gas flow for endurance improvement2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Low-Temperature MoS2 Film Formation Using Sputtering and H2S Annealing2019

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Sputter-Deposited-MoS2 nMISFETs With Top-Gate and Al2O3 Passivation Under Low Thermal Budget for Large Area Integration2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Low-Carrier-Density Sputtered MoS2 Film by Vapor-Phase Sulfurization2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Ohmic contact between titanium and sputtered MoS2 films achieved by forming-gas annealing2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Individual Atomic Imaging of Multiple Dopant Sites in As-Doped Si Using Spectro-Photoelectron Holography2017

著者名/発表者名

雑誌名

角嶋邦之 Kakushima Kuniyuki