上田修 Ueda Osamu

研究者番号	50418076
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 明治大学, 研究・知財戦略機構(生田), 研究推進員(客員研究員)
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2020年度 – 2024年度: 明治大学, 研究・知財戦略機構(生田), 研究推進員(客員研究員) 2019年度: 明治大学, 研究・知財戦略機構(生田), 客員教授 2019年度: 明治大学, 研究・知財戦略機構, 客員教授 2016年度 – 2018年度: 金沢工業大学, 工学研究科, 教授 2014年度 – 2015年度: 金沢工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2012年度: 金沢工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 2010年度 – 2012年度: 金沢工業大学, 工学研究科, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者小区分30010:結晶工学関連 / 結晶工学 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外小区分21050:電気電子材料工学関連
キーワード	研究代表者電子顕微鏡 / 結晶欠陥 / 析出物 / 混晶半導体 / 欠陥 / 転位 / 格子欠陥 / 結晶成長 / 劣化 / 相分離 … もっと見る / ミストCVD / κ-Ga2O3 / Bi系半導体混晶 / Bi系混晶半導体 / 凝集体 / TEM / 欠陥評価 / THz波受送信素子 / 低温成長 / MBE / Ｂi系混晶半導体 / テラヘルツ素子 / 結晶評価 / 透過電子顕微鏡 / GaAsBi / InGaAs / アンテナ / 光伝導 / テラヘルツ波 / フォトルミネッセンス / 点欠陥 / 光照射 / 希釈窒化物半導体 / 長寿命化 / 信頼性 / 量子ドット / 発光デバイス … もっと見る研究代表者以外高移動度トランジスタ / ミストCVD法 / 結晶成長 / 混晶 / ミストCVD / 単一ドメイン / 強誘電体 / 酸化ガリウム / 単結晶 / 高電子移動度トランジスタ / ε相酸化ガリウム隠す

新奇電子デバイス向けκ-(InxGa1-x)2O3混晶の欠陥及び相分離・組成揺らぎの評価と制御研究代表者
- 研究代表者
  
  上田修
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  明治大学
強誘電性κ-Ga2O3の超低消費電力パワーデバイスの開拓
- 研究代表者
  
  西中浩之
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  京都工芸繊維大学
新規THz波受送信素子向け低温成長Bi系混晶半導体中の欠陥の評価および制御研究代表者
- 研究代表者
  
  上田修
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  明治大学
分極制御型超ワイドバンドギャップ半導体デバイスの開拓
- 研究代表者
  
  西中浩之
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  京都工芸繊維大学
近赤外光励起THz波送受信素子向け低温成長GaAs系混晶半導体の欠陥の評価と制御研究代表者
- 研究代表者
  
  上田修
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  明治大学
   金沢工業大学
希釈窒化物半導体中の欠陥の挙動およびデバイスの信頼性向上に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  上田修
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  金沢工業大学
次世代発光デバイス用新材料および量子ドット構造への光照射劣化の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  上田修
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  金沢工業大学

[図書] Reloability of Semiconductor Lasers and Optoelectronic Devices2021
- 著者名/発表者名
  Robert W. Herrick and Osamu Ueda (eds.)
- 総ページ数
  318
- 出版者
  Elsevier Ltd.
- ISBN
  9780128192542
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[図書] 半導体デバイスの不良・故障解析技術2019
- 著者名/発表者名
  二川清、上田修、山本秀和
- 総ページ数
  218
- 出版者
  株式会社日科技連出版社
- ISBN
  9784817196859
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[図書] 新版　信頼性ハンドブック2014
- 著者名/発表者名
  眞田　克、弓削哲史、横川慎二、松尾陽太郎、山本繁晴、青木雄一、田中浩和、伊藤貞則、岩谷康次郎、二川　清、上田　修、他
- 総ページ数
  944
- 出版者
  株式会社日科技連出版社
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390057
[図書] 2013化合物半導体技術大全第2編第9章第2節、信頼性試験・劣化解析2013
- 著者名/発表者名
  上田修
- 出版者
  株式会社電子ジャーナル
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[図書] 2013化合物半導体技術大全第2編第9章第2節信頼性試験・劣化解析2013
- 著者名/発表者名
  上田　修
- 出版者
  株式会社電子ジャーナル
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[図書] Materials and Reliability Handbook for Semiconductor Optical and Electron Devices, Chapter 2 Failure Analysis of Semiconductor Optical Devices2012
- 著者名/発表者名
  Osamu Ueda
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[図書] Springer, Materials and Reliability Handbook for Semiconductor Opticaland Electron Devices Chapter 22012
- 著者名/発表者名
  Osamu Ueda and Robert W. Herrick
- 出版者
  Failure Analysis of Semiconductor Optical Devices
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[図書] Springer, Materials andReliability Handbook for Semi- conductor Optical and Electron Devices Chapter 42012
- 著者名/発表者名
  Osamu Ueda
- 出版者
  Reliability and Degradation of III-V Optical Devices Focusing on Gradual Degradation
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[図書] Materials and Reliability Handbook for Semiconductor Optical and Electron Devices, Chapter 4 Reliability and Degradation of III-V Optical Devices Focusing on Gradual Degradation2012
- 著者名/発表者名
  Osamu Ueda
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[図書] 機器分析のための試料のサンプリング・前処理ノウハウ集2011
- 著者名/発表者名
  上田修(共著)
- 総ページ数
  324
- 出版者
  株式会社技術情報協会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[図書] 機器分析のための試料のサンプリング・前処理ノウハウ集第6章第5節TEM 観察での試料前処理2011
- 著者名/発表者名
  上田修
- 出版者
  株式会社技術情報協会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[雑誌論文] Structural evaluation of GaAs1-xBix obtained by solid-phase epitaxial growth of amorphous GaAs1-xBix thin films deposited on (001) GaAs substrates2023
- 著者名/発表者名
  Osamu Ueda, Noriaki Ikenaga, Yukihiro Horita, Yuto Takagaki, Fumitaka Nishiyama, Mitsuki Yukimune, Fumitaro Ishikawa, Yoriko Tominaga
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 601 ページ: 126945-126945
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2022.126945
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910, KAKENHI-PROJECT-21KK0068, KAKENHI-PUBLICLY-21H05566, KAKENHI-PROJECT-19H00855, KAKENHI-PROJECT-21H01829
[雑誌論文] TEM characterization of defects in κ-(InxGa1-x)2O3 thin film grown on (001) FZ-grown ε-GaFeO3 substrate by mist CVD2023
- 著者名/発表者名
  Ueda Osamu、Nishinaka Hiroyuki、Ikenaga Noriaki、Hasuike Noriyuki、Yoshimoto Masahiro
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: 12 ページ: 125501-125501
- DOI
  10.35848/1347-4065/ad07fb
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22797
[雑誌論文] Growth of indium-incorporated κ-Ga2O3 thin film lattice-matched to the ε-GaFeO3 substrate2022
- 著者名/発表者名
  Nishinaka Hiroyuki、Ueda Osamu、Ikenaga Noriaki、Hasuike Noriyuki、Yoshimoto Masahiro
- 雑誌名
  
  Materials Letters: X
  
  巻: 14 ページ: 100149-100149
- DOI
  10.1016/j.mlblux.2022.100149
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22797
[雑誌論文] Plan-view TEM observation of a single-domain κ-Ga2O3 thin film grown on ε-GaFeO3 substrate using GaCl3 precursor by mist chemical vapor deposition2021
- 著者名/発表者名
  Nishinaka Hiroyuki、Ueda Osamu、Ito Yusuke、Ikenaga Noriaki、Hasuike Noriyuki、Yoshimoto Masahiro
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 61 号: 1 ページ: 018002-018002
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac3e17
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02170
[雑誌論文] Crystalline quality of low-temperature-grown InxGa1-xAs coherently grown on InP(001) substrate2020
- 著者名/発表者名
  Yoriko Tominaga, Shingo Hirose, Kentaro Hirayama, Hitoshi Morioka, Noriaki Ikenaga, and Osamu Ueda
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: - ページ: 125703-125703
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2020.125703
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044, KAKENHI-PROJECT-18K14140, KAKENHI-PUBLICLY-19H04548
[雑誌論文] Single-Domain and Atomically Flat Surface of κ-Ga2O3 Thin Films on FZ-Grown ε-GaFeO3 Substrates via Step-Flow Growth Mode2020
- 著者名/発表者名
 Nishinaka Hiroyuki、Ueda Osamu、Tahara Daisuke、Ito Yusuke、Ikenaga Noriaki、Hasuike Noriyuki、Yoshimoto Masahiro
- 雑誌名
 
 ACS Omega
 
 巻: 5 号: 45 ページ: 29585-29592
- DOI
 10.1021/acsomega.0c04634
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-19H02170
[雑誌論文] β-Ga2O3結晶中の欠陥のTEMによる評価2017
- 著者名/発表者名
  上田修
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌
  
  巻: 44
- NAID
  130006327989
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[雑誌論文] Electrical properties of Schottky barrier diodes fabricated on (001) β-Ga2O3 substrates with crystal defects2017
- 著者名/発表者名
  Oshima Takayoshi、Hashiguchi Akihiro、Moribayashi Tomoya、Koshi Kimiyoshi、Sasaki Kohei、Kuramata Akito、Ueda Osamu、Oishi Toshiyuki、Kasu Makoto
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 56 号: 8 ページ: 086501-086501
- DOI
  10.7567/jjap.56.086501
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044, KAKENHI-PROJECT-16K13673
[雑誌論文] Observation of nanometer-sized crystalline grooves in as-grown β-Ga2O3 single crystals2016
- 著者名/発表者名
  K. Hanada, T. Moribayashi, T. Uematsu, S. Masuya, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, O. Ueda, and M. Kasu.
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55 号: 3 ページ: 030303-030303
- DOI
  10.7567/jjap.55.030303
- NAID
  210000146118
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390057, KAKENHI-PROJECT-15H03977
[雑誌論文] Relationship between crystal defects and leakage current in β-Ga2O3 Schottky barrier diodes2016
- 著者名/発表者名
  M. Kasu, K. Hanada, T. Moribayashi, A. Hashiguchi, T. Oshima, T. Oishi, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, and O. Ueda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 12 ページ: 1202BB-1202BB
- DOI
  10.7567/jjap.55.1202bb
- NAID
  210000147271
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03977, KAKENHI-PROJECT-26390057
[雑誌論文] Structural evaluation of defects in beta-Ga2O3 single crystals grown by edge-defined film-fed growth process2016
- 著者名/発表者名
  O. Ueda N. Ikenaga, K. Koshi, K. Iizuka, A. Kuramata, K. Hanada, T. Moribayashi, S. Yamakoshi, and M. Kasu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 12 ページ: 1202BD-1202BD
- DOI
  10.7567/jjap.55.1202bd
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03977, KAKENHI-PROJECT-26390057
[雑誌論文] Effect of thermal annealing on the crystallization of low-temperature-grown In0.42Ga0.58As on InP substrate2016
- 著者名/発表者名
  Y. Tominaga, Y. Kadoya, H. Morioka, and O. Ueda
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55 号: 11 ページ: 110313-110313
- DOI
  10.7567/jjap.55.110313
- NAID
  210000147219
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390057
[雑誌論文] Reliability of InAs/GaAs Quantum Dot Lasers Epitaxially Grown on Silicon2015
- 著者名/発表者名
  A. Y. Liu, R. W. Herrick, O. Ueda, P. M. Petroff, A. C. Gossard, and J. E. Bowers
- 雑誌名
  
  IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
  
  巻: 21 号: 6 ページ: 1-8
- DOI
  10.1109/jstqe.2015.2418226
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390057
[雑誌論文] 信頼性と人材育成-発光デバイスの例-(招待論文)2013
- 著者名/発表者名
  上田修
- 雑誌名
  
  日本信頼性学会誌
  
  巻: 35 ページ: 89-97
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[雑誌論文] 半導体発光デバイスの劣化解析と劣化抑制2013
- 著者名/発表者名
  上田　修
- 雑誌名
  
  IEICE Fundamentals Review
  
  巻: Vol. 4 ページ: 294-304
- NAID
  130004554749
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[雑誌論文] 信頼性と人材育成－発光デバイスの例－2013
- 著者名/発表者名
  上田　修
- 雑誌名
  
  日本信頼性学会誌
  
  巻: Vol. 35 ページ: 89-97
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[雑誌論文] 半導体発光デバイスの劣化解析と劣化抑制(招待論文)2013
- 著者名/発表者名
  上田修
- 雑誌名
  
  IEICEFundamentals Review
  
  巻: 4 ページ: 294-304
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[雑誌論文] Structural evaluation of GaAs_<1-x>Bi_<x> mixed crystals by TEM2011
- 著者名/発表者名
 Osamu Ueda, Yoriko Tominaga, Noriaki Ikenaga, Masahiro Yoshimoto, Kunishige Oe
- 雑誌名
 
 Extended Abstract of International Conference on InP and Related Material (IPRM 2011)
 
 巻: IPRM 2011 ページ: 248-251
- 査読あり
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-22560012
[雑誌論文] TEM evaluation of MBE-grown GaAs_<1-x>Bi_<x> crystals2011
- 著者名/発表者名
 Osamu Ueda, Yoriko Tominaga, Noriaki Ikenaga, Masahiro Yoshimoto, Kunishige Oe
- 雑誌名
 
 Extended Abstract of 30^<th> Electronic Materials Symposium (EMS-30)
 
 巻: EMS-30 ページ: 155-156
- 査読あり
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-22560012
[雑誌論文] TEM observation of MBE-grown GaAs1-xBix crystals2011
- 著者名/発表者名
  Osamu Ueda, Yoriko Tominaga, NoriakiIkenaga, Masahiro Yoshimoto, and Kunishige Oe
- 雑誌名
  
  Extended Abstract of 30th Electronic Materials Symposium
  
  巻: EMS-30 ページ: 155-156
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[雑誌論文] Structural evaluationof GaAs1-xBix mixed crystals by TEM, Extended Abstract of International2011
- 著者名/発表者名
  Osamu Ueda, Yoriko Tominaga, Noriaki Ikenaga, Masahiro Yoshimoto, and Kunishige Oe
- 雑誌名
  
  Conference on InP and Related Materials (IPRM2011)
  
  巻: IPRM2011 ページ: 248-251
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[雑誌論文] A Review of Materials Issues and Degradation of III-V Compound Semiconductors and Optical Devices2010
- 著者名/発表者名
  Osamu Ueda
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: 33 ページ: 73-92
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[雑誌論文] A review of materials issues and degradation of III-Vcompound semiconductors and optical devices2010
- 著者名/発表者名
  Osamu Ueda
- 雑誌名
  
  ECS Trans
  
  巻: 33 ページ: 73-92
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[雑誌論文] On Degradation Studies of III-V Compound Semiconductor Optical Devices over Three Decades : Focusing Gradual Degradation2010
- 著者名/発表者名
  Osamu Ueda
- 雑誌名
  
  Japan.J.Appl.Phys.
  
  巻: 49 ページ: 90001-90008
- NAID
  210000069140
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[雑誌論文] On degradation studies of III-V compound semiconductor optical devices over three decades: focusingon gradual degradation2010
- 著者名/発表者名
  Osamu Ueda
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys
  
  巻: 49 ページ: 90001-90008
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[学会発表] THz波発生検出素子応用に向けた低温成長Bi系半導体の結晶欠陥制御2024
- 著者名/発表者名
  富永依里子、石川史太郎、池永訓昭、上田修
- 学会等名
  レーザー学会学術講演会第44回年次大会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[学会発表] 低温MBE成長GaAsBi層の光電評価2023
- 著者名/発表者名
  梅田皆友、今林弘毅、塩島謙次、梅西達哉、富永依里子、行宗詳規、石川史太郎、上田修
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[学会発表] 低温MBE成長GaAsBi層の光電評価2023
- 著者名/発表者名
  今林弘毅、梅田皆友、塩島謙次、梅西達哉、富永依里子、行宗詳規、石川史太郎、上田修
- 学会等名
  第42回電子材料シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[学会発表] (001) FZ成長ε-GaFeO3基板上にミストCVD成長したκ-(InxGa1-x)2O3薄膜中の欠陥のTEM評価2023
- 著者名/発表者名
  上田修, 西中浩之，池永訓昭, 蓮池紀幸，吉本昌広
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22797
[学会発表] ミストCVD法による(001) β-Ga2O3薄膜のホモエピタキシャル成長2023
- 著者名/発表者名
  上田遼, 西中浩之，永岡達司, 三宅裕樹，吉本昌広
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22797
[学会発表] (001)GaAs基板上のGaAs1-xBix薄膜の構造評価(1)熱処理した低温成長GaAs1-xBix薄膜中の欠陥のTEM評価2023
- 著者名/発表者名
  上田修、池永訓昭、堀田行紘、高垣佑斗、西山文隆、行宗詳規、石川史太郎、富永依里子
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[学会発表] (001)GaAs基板上のGaAs1-xBix薄膜の構造評価(2)固相成長したGaAs1-xBix薄膜中の欠陥のTEM評価2023
- 著者名/発表者名
  上田修、池永訓昭、堀田行紘、高垣佑斗、西山文隆、行宗詳規、石川史太郎、富永依里子
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[学会発表] Internal Photoemission Characterization for Low-Temperature-Grown GaAsBi Layers2022
- 著者名/発表者名
  Hiroki Imabayashi, Minato Umeda, Kenji Shiojima, Tatsuya Umenishi, Yoriko Tominaga, Mitsuki Yukimune, Fumitaro Ishikawa, Osamu Ueda
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference 2022 31st Asian Session (ADMETA Plus 2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[学会発表] Single-domain κ-Ga2O3 thin films grown on ε-GaFeO3 substrates by mist CVD2022
- 著者名/発表者名
  H. Nishinaka, O. Ueda, N. Ikenaga, N. Hasuike, and M. Yoshimoto
- 学会等名
  The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22797
[学会発表] ε-GaFeO3基板を用いた単一ドメインκ-Ga2O3の成長2022
- 著者名/発表者名
  西中浩之, 上田修, 迫秀樹,　池永訓昭, 宮戸祐治, 蓮池紀幸, 鐘ケ江一孝, 吉本昌広
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22797
[学会発表] 結晶欠陥評価およびデバイスへの影響2022
- 著者名/発表者名
  上田　修
- 学会等名
  日本材料学会半導体エレクトロニクス部門セミナー
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[学会発表] TEM characterization of defects in κ-(Ga1-xInx)2O3 thin film grown on (001) FZ-grown ε-GaFeO3 substrate by Mist CVD2022
- 著者名/発表者名
  O. Ueda, H. Nishinaka, N. Ikenaga, N. Hasuike, and M. Yoshimoto
- 学会等名
  The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K22797
[学会発表] 50余年にわたるIII-V族化合物半導体発光デバイスの材料（欠陥）評価と信頼性解析のあゆみ2021
- 著者名/発表者名
  上田　修
- 学会等名
  日本学術振興会R025委員会2021年度フォーラム
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04910
[学会発表] Current Status of Characterization of Defects in EFG-grown β-Ga2O3 Single Crystals2019
- 著者名/発表者名
  Osamu Ueda, Akito Kuramata, Hirotaka Yamaguchi, and Makoto Kasu
- 学会等名
  18th Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XVIII)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] シンクロトロンＸ線トポグラフィーによる垂直ブリッジマン成長β-Ga2O3単結晶の欠陥の観察2019
- 著者名/発表者名
  桝谷聡士、佐々木公平、倉又朗人、小林拓実、干川圭吾、上田修、嘉数誠
- 学会等名
  応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] 固相成長したInGaAsの結晶性評価2019
- 著者名/発表者名
  堀田行紘，平山賢太郎，富永依里子，池永訓昭，上田修
- 学会等名
  第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] Structural evaluation of β-Ga2O3 single crystals by TEM and related techniques2019
- 著者名/発表者名
  Osamu Ueda, Akito Kuramata, Hirotaka Yamaguchi, and Makoto Kasu
- 学会等名
  Materials Research Meeting 2019
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] InxGa1-xAsの固相エピタキシャル成長2018
- 著者名/発表者名
  堀田行紘、平山賢太郎、富永依里子、森岡仁、池永訓昭、上田修
- 学会等名
  第37回電子材料シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] Solid-phase epitaxial growth of InxGa1-xAs on InP substrate2018
- 著者名/発表者名
  Yukihiro Horita, Kentaro Hirayama, Yorko Tominaga, Hitoshi Morioka, Noriaki Ikenaga, and Osamu Ueda
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials 2018 (SSDM 2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] Gradual Degradation in III‐V and GaN‐Related Optical Devices2017
- 著者名/発表者名
  Osamu Ueda
- 学会等名
  17th Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP-17)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] 固相成長させたInxGa1-xAs内の欠陥の評価2017
- 著者名/発表者名
  平山賢太郎、富永依里子、角屋豊、森岡仁、池永訓昭、上田修
- 学会等名
  第36回電子材料シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] EFG成長したβ-Ga2O3結晶中の欠陥のTEMを中心とした評価2017
- 著者名/発表者名
  上田修、池永訓昭
- 学会等名
  日本学術振興会第161委員会第98回研究会
- 発表場所
  長浜ロイヤルホテル（滋賀県・長浜市）
- 年月日
  2017-01-13
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390057
[学会発表] InP基板上低温成長InxGa1-xAsの結晶性2017
- 著者名/発表者名
  富永依里子、廣瀬伸悟、角屋豊、森岡仁、池永訓昭、上田修
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会2017
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] Gradual degradation in III-V and GaN-related optical devices2017
- 著者名/発表者名
  O. Ueda
- 学会等名
  Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors
- 発表場所
  東北大学金属材料研究所（宮城県・仙台市）
- 年月日
  2017-01-17
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390057
[学会発表] Nano-Level Analytical and Evaluation Techniques Essential to the Development of ULSI and Nano-devices2017
- 著者名/発表者名
  Osamu Ueda
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EMNANO-2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05044
[学会発表] レーザ照射によるGaInNAs半導体の発光効率への影響2016
- 著者名/発表者名
  米倉成一、高宮健吾、八木修平、上田修、矢口裕之
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
- 年月日
  2016-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390057
[学会発表] InGaN/GaN単一量子井戸構造の光照射による劣化2016
- 著者名/発表者名
  上田修、山口敦史、谷本瞬平、西堀翔宣、熊倉一英、山本秀樹
- 学会等名
  第35回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖（滋賀県・守山市）
- 年月日
  2016-07-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390057
[学会発表] Growth temperature dependence of crystalline state of low-temperature-grown InGaAs on InP substrates2015
- 著者名/発表者名
  Y. Tominaga, Y. Kadoya, H. Morioka, and O. Ueda
- 学会等名
  EMN 3CG 2015
- 発表場所
  Hong Kong(China)
- 年月日
  2015-12-16
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390057
[学会発表] Degradation of InGaN/GaN SQW Structure under Optical Irradiation2014
- 著者名/発表者名
  O. Ueda, A. A. Yamaguchi, S. Tanimoto, S. Nishibori, K. Kumakura, and H. Yamamoto
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors IWN 2014
- 発表場所
  Wroclaw (Poland)
- 年月日
  2014-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390057
[学会発表] 半導体発光デバイスの信頼性研究～総論と 1990 年代の1990年代のトピックス～2012
- 著者名/発表者名
  上田修
- 学会等名
  電子情報通信学会信頼性研究会
- 発表場所
  仙台市、東北大学電気通信研究所
- 年月日
  2012-08-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[学会発表] 半導体発光デバイスの再結合欠陥反応による劣化2012
- 著者名/発表者名
  上田修
- 学会等名
  日本物理学会第22回格子欠陥フォーラム
- 発表場所
  神奈川県三浦市、マホロバ・マインズ三浦
- 年月日
  2012-09-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[学会発表] 半導体とひずみ2012
- 著者名/発表者名
  上田修
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会シンポジウム「ナノひずみエレクトロニクス～半導体ナノひずみの新規デバイス応用と高分解能測定～」
- 発表場所
  東京、早稲田大学(招待講演)
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[学会発表] 半導体とひずみ2012
- 著者名/発表者名
  上田修
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会シンポジウム「ナノひずみエレクトロニクス～半導体ナノひずみの新規デバイス応用と高分解能測定～」
- 発表場所
  東京、早稲田大学
- 年月日
  2012-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[学会発表] 光デバイスの信頼性・劣化研究の40 年と今後の課題2012
- 著者名/発表者名
  上田修
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術研究会
- 発表場所
  松山市、愛媛大学
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[学会発表] 発光デバイスの劣化研究の現状と課題2012
- 著者名/発表者名
  上田修
- 学会等名
  2011年度電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会 CI-1 光能動デバイス・装置を支える信頼性・安全性技術
- 発表場所
  札幌市、北海道大学
- 年月日
  2012-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[学会発表] Structural evaluation of GaAs1-xBix mixed crystals by TEM2011
- 著者名/発表者名
  Osamu Ueda, Yoriko Tominaga, NoriakiIkenaga, Masahiro Yoshimoto, andKunishige Oe
- 学会等名
  International Conference on InP and Related Materials (IPRM2011)
- 発表場所
  Berlin、Germany
- 年月日
  2011-05-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[学会発表] Structural evaluation of GaAs_<1-x>Bi_<x> mixed crystals by TEM2011
- 著者名/発表者名
 Osamu Ueda, Yoriko Tominaga, Noriaki Ikenaga, Masahiro Yoshimoto, Kunishige Oe
- 学会等名
 International Conference on InP and Related Material (IPRM 2011)
- 発表場所
 Berlin, Germany
- 年月日
 2011-05-24
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-22560012
[学会発表] TEM evaluation of MBE-grown GaAs_<1-x>Bi_<x> crystals2011
- 著者名/発表者名
 Osamu Ueda, Yoriko Tominaga, Noriaki Ikenaga, Masahiro Yoshimoto, Kunishige Oe
- 学会等名
 30^<th> Electronic Materials Symposium (EMS-30)
- 発表場所
 滋賀県守山市、ラフォーレ琵琶湖
- 年月日
 2011-06-30
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-22560012
[学会発表] TEM evaluation of MBE-grown GaAs1-xBix crystals2011
- 著者名/発表者名
  Osamu Ueda, Yoriko Tominaga, Noriaki Ikenaga, Masahiro Yoshimoto, and Kunishige Oe
- 学会等名
  30th Electronic Materials Symposium (EMS-30)
- 発表場所
  滋賀県守山市、ラフォーレ琵琶湖
- 年月日
  2011-06-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[学会発表] 発光デバイスの劣化研究の現状と今後の課題2011
- 著者名/発表者名
  上田修
- 学会等名
  2011年度電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会CI-1光能動デバイス・装置を支える信頼性・安全性技術
- 発表場所
  札幌、北海道大学(招待講演)
- 年月日
  2011-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[学会発表] 半導体発光デバイスに関する信頼性や高信頼化の課題や今後の展望2010
- 著者名/発表者名
  上田修
- 学会等名
  電子情報通信学会第19回ポリマー光回路(POC)研究会
- 発表場所
  愛知県豊田中央研究所
- 年月日
  2010-12-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[学会発表] 半導体発光デバイスに関する信頼性や高信頼化の課題や今後の展望2010
- 著者名/発表者名
  上田修
- 学会等名
  第19回ポリマー光回路(POC)研究会
- 発表場所
  愛知県、豊田中央研究所(招待講演)
- 年月日
  2010-12-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[学会発表] 光デバイスの信頼性・劣化研究の40年と今後の課題
- 著者名/発表者名
  上田　修
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[学会発表] 半導体発光デバイスの信頼性研究
- 著者名/発表者名
  上田　修
- 学会等名
  電子情報通信学会信頼性研究会～総論と1990年代以降のトピックス～
- 発表場所
  東北大学電気通信研究所
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012
[学会発表] 半導体発光デバイスの再結合促進欠陥反応による劣化
- 著者名/発表者名
  上田　修
- 学会等名
  日本物理学会第22回格子欠陥フォーラム
- 発表場所
  神奈川県三浦市マホロバ・マインズ三浦
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560012

1. 池永訓昭 (30512371)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 21件
2. 西中浩之 (70754399)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 9件
3. 矢口裕之 (50239737)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 2件
4. 富永依里子 (40634936)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 13件
5. 塩島謙次 (70432151)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 3件
6. 蓮池紀幸 (40452370)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 8件
7. 山口敦史 (60449428)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 佐久間芳樹 (60354346)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 五神真 (70161809)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 吉本昌広 (20210776)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
11. 八木修平 (30421415)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
12. 宮戸祐治 (80512780)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 1件
13. 嘉数誠

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 2件

上田 修 Ueda Osamu

研究課題

研究成果

共同研究者

新奇電子デバイス向けκ-(InxGa1-x)2O3混晶の欠陥及び相分離・組成揺らぎの評価と制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

強誘電性κ-Ga2O3の超低消費電力パワーデバイスの開拓

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

新規THz波受送信素子向け低温成長Bi系混晶半導体中の欠陥の評価および制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

分極制御型超ワイドバンドギャップ半導体デバイスの開拓

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

近赤外光励起THz波送受信素子向け低温成長GaAs系混晶半導体の欠陥の評価と制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

希釈窒化物半導体中の欠陥の挙動およびデバイスの信頼性向上に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

次世代発光デバイス用新材料および量子ドット構造への光照射劣化の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] Reloability of Semiconductor Lasers and Optoelectronic Devices2021

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

ISBN

データソース

[図書] 半導体デバイスの不良・故障解析技術2019

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

ISBN

データソース

[図書] 新版 信頼性ハンドブック2014

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[図書] 2013化合物半導体技術大全第2編第9章第2節、信頼性試験・劣化解析2013

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] 2013化合物半導体技術大全 第2編第9章第2節 信頼性試験・劣化解析2013

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] Materials and Reliability Handbook for Semiconductor Optical and Electron Devices, Chapter 2 Failure Analysis of Semiconductor Optical Devices2012

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] Springer, Materials and Reliability Handbook for Semiconductor Opticaland Electron Devices Chapter 22012

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] Springer, Materials andReliability Handbook for Semi- conductor Optical and Electron Devices Chapter 42012

上田修 Ueda Osamu

[図書] 新版　信頼性ハンドブック2014

[図書] 2013化合物半導体技術大全第2編第9章第2節信頼性試験・劣化解析2013

[図書] 機器分析のための試料のサンプリング・前処理ノウハウ集第6章第5節TEM 観察での試料前処理2011