中根了昌 Nakane Ryosho

研究者番号	50422332
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 特任准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2020年度 – 2025年度: 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 特任准教授 2013年度 – 2016年度: 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 2015年度: 東京大学, 大学院工学系研究科, 特任准教授 2012年度: 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 講師 2009年度 – 2011年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 特任講師 … もっと見る 2010年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 講師 2008年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教 2007年度: 東京大学, 大学院・工学系研究科, 特任助教 2006年度: 東京大学, 大学院工学系研究科, 特任助教 2006年度: 東京大学, 大学院工学系研究科・TST派遣研究員隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 電子デバイス・電子機器 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外中区分29:応用物理物性およびその関連分野 / 工学 / 理工系 / マイクロ・ナノデバイス / 電子デバイス・電子機器
キーワード	研究代表者電子デバイス / スピンエレクトロニクス / 電子・電気材料 / 電子デバイス・機器 / スピントロニクス / 結晶成長 / シリコンデバイス / 半導体スピントロニクス / 電子材料 / 量子閉じ込め … もっと見る / 磁性 / 電気・電子材料 / 先端機能デバイス / 波動 / 非線形物理ダイナミクス / 機械学習コンピューティング / AIエレクトロニクス / 電子スピン伝導物理 / 薄膜 / 半導体デバイス / 強磁性薄膜 / 表面・界面物性 / 磁性材料 / spintronics / crystal growth / 集積回路デバイス / 複合材料・物性 / 電子デバイス・電子機器 / スピンデバイス / 量子デバイス / 新規磁性材料作製法 / 次世代高機能デバイス / 強磁性シリサイド / 電界効果型トランジスタ … もっと見る研究代表者以外強磁性半導体 / 磁性半導体 / スピン / スピントロニクス / 共鳴トンネル / 半導体 / 共鳴トンネル効果 / トンネル磁気抵抗効果 / スピンMOSFET / スピントランジスタ / 分子線エピタキシー / GaMnAs / MnAs / 再構成可能 / 量子デバイス / トポロジカル物質 / 超伝導 / デバイス / 不揮発性 / トンネル効果 / ナノ微粒子 / 強磁性体 / LED / 波動関数工学 / 量子井戸 / スピン依存伝導 / バンドエンジニアリング / ナノ構造 / 磁性体 / GeFe / ナノスピンデバイス / スピントランジスタを / 強磁性トンネル接合 / リコンフィギャラブル / スピン起電力 / スピントラジスタ / リコンフイギャラブル / 電子デバイス・集積回路 / ヘテロ構造 / 不揮発性メモリ / トンネル磁気抵抗 / 微粒子 / スピントロニクス・デバイス / スピンデバイス隠す

半導体－強磁性－超伝導ハイブリッド・融合系の形成と量子デバイス機能の創出
- 研究代表者
  
  田中雅明
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2028
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分29:応用物理物性およびその関連分野
- 研究機関
  東京大学
スピン波動コンピューティングシステムの実装研究代表者
- 研究代表者
  
  中根了昌
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2025
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京大学
シリコンベース高性能スピントランジスタの開発とAIエレクトロニクス技術の創出研究代表者
- 研究代表者
  
  中根了昌
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  東京大学
シリコンを含む磁性接合におけるスピン伝導物理の解明と制御研究代表者
- 研究代表者
  
  中根了昌
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  東京大学
エピタキシャルフェライトヘテロ構造の創製とスピン機能デバイスへの応用研究代表者
- 研究代表者
  
  中根了昌
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京大学
III-V族化合物半導体ベーススピントランジスタの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  中根了昌
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2015
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京大学
磁性体/半導体ハイブリッドナノ構造におけるスピン関連現象とデバイス応用
- 研究代表者
  
  田中雅明
- 研究期間 (年度)
  2011
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  マイクロ・ナノデバイス
- 研究機関
  東京大学
スピンフィルター磁性ヘテロ構造の創製と集積デバイスへの応用研究代表者
- 研究代表者
  
  中根了昌
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京大学
不揮発性および再構成可能な機能をもつ半導体材料とデバイスの研究開発
- 研究代表者
  
  田中雅明
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2015
- 研究種目
  
  特別推進研究
- 審査区分
  
  理工系
   工学
- 研究機関
  東京大学
磁性体微粒子を含む酸化物へテロ構造の創製と半導体電子デバイスへの応用研究代表者
- 研究代表者
  
  中根了昌
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2011
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京大学
シリコン中でのキャリアスピン物理の解明とスピンデバイスへの応用研究代表者
- 研究代表者
  
  中根了昌
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京大学
リコンフィギャラブル・ナノスピンデバイス
- 研究代表者
  
  田中雅明
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(S)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京大学
強磁性体からSiへのスピン注入とスピン蓄積効果に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  中根了昌
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京大学

[図書] 第19回「半導体スヒン工学の基礎と応用」研究会 19th Conference on the Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors PASPS-192014
- 著者名/発表者名
  田中雅明、大矢忍、中根了昌
- 総ページ数
  122
- 出版者
  PASPS-19実行委員会
- 説明
  【発行確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23000010
[雑誌論文] Electron Spin Transport in a Metal-Oxide-Semiconductor Si Two-Dimensional Inversion Channel: Effect of Hydrogen Annealing on Spin-Scattering Mechanism and Spin Lifetime2022
- 著者名/発表者名
  Shoichi Sato, Masaaki Tanaka, and Ryosho Nakane
- 雑誌名
  
  Physical Review Applied
  
  巻: 18 号: 6
- DOI
  10.1103/physrevapplied.18.064071
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02199, KAKENHI-PROJECT-20H05650
[雑誌論文] Enhancement of Room-Temperature Effective Spin Diffusion Length in a Si-Based Spin MOSFET With an Inversion Channel2020
- 著者名/発表者名
  R. Nakane, S. Sato, and M. Tanaka
- 雑誌名
  
  IEEE Journal of the Electron Devices Society
  
  巻: 8 ページ: 807-812
- DOI
  10.1109/jeds.2020.2993705
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02199
[雑誌論文] Spin transport in Si-based spin metal-oxide-semiconductor field-effect transistors: Spin drift effect in the inversion channel and spin relaxation in the n+－Si source/drain regions2020
- 著者名/発表者名
  S. Sato, M. Tanaka, and R. Nakane
- 雑誌名
  
  Physical Review B
  
  巻: 102 号: 3 ページ: 035305-035305
- DOI
  10.1103/physrevb.102.035305
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02199
[雑誌論文] Structural and magnetic properties of ferromagnetic Fel-xSix (0.18<x<0.33) films formed by rapid thermal annealing on silicon-on-insulator substrates2015
- 著者名/発表者名
  Ryosho Nakane, Satoshi Sugahara, and Masaaki Tanaka
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 117 号: 13
- DOI
  10.1063/1.4915335
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23000010
[雑誌論文] Origin of the broad three-terminal Hanle signals in Fe/Si02/Si tunnel junctions2015
- 著者名/発表者名
  Shoichi Sato, Ryosho Nakane, and Masaaki Tanaka
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 107 号: 3 ページ: 032407-032407
- DOI
  10.1063/1.4926969
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23000010
[雑誌論文] Transport properties of the Group-IV ferromagnetic semiconductor Gel-xFex with and without boron doping2014
- 著者名/発表者名
  Yoshisuke Ban, Yuki Wakabayashi, Ryota Akiyama, Ryosho Nakane, and Masaaki Tanaka
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 4 号: 9
- DOI
  10.1063/1.4895109
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23000010, KAKENHI-PROJECT-26870086
[雑誌論文] Fabrication of pseudo-spin-MOSFETs using a multi-project wafer CMOS chip2014
- 著者名/発表者名
  R. Nakane, Y. Shuto, H. Sukegawa, Z.C. Wen, S. Yamamoto, S. Mitani, M. Tanaka, K. Inomata, and S. Sugahara
- 雑誌名
  
  Solid State Electronics
  
  巻: 102 ページ: 52-58
- DOI
  10.1016/j.sse.2014.06.004
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23000010
[雑誌論文] Appearance of Anisotropic Magnetoresistance and Electric Potential Distribution in Si-based Multi-terminal Devices with Fe Electrodes2012
- 著者名/発表者名
  Ryosho Nakane, Shoichi Sato, Shun Kokutani, and Masaaki Tanaka
- 雑誌名
  
  Magnetics Lett
  
  巻: 3
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686049
[雑誌論文] Appearance of Anisotropic Magnetoresistance and Electric Potential Distribution in Si-based Multi-terminal Devices with Fe Electrodes2012
- 著者名/発表者名
  Ryosho Nakane
- 雑誌名
  
  IEEE Magnetics Lett.
  
  巻: 3 ページ: 3000404-3000404
- DOI
  10.1109/lmag.2012.2201698
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23000010, KAKENHI-PROJECT-23686049
[雑誌論文] Magnetoresistance of a Spin Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Ferromagnetic MnAs Source and Drain Contacts2010
- 著者名/発表者名
  R.Nakane, T.Harada, K.Sugiura, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 49
- NAID
  210000069374
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106007
[雑誌論文] Magnetoresistance of a Spin Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Ferromagnetic MnAs Source and Drain Contacts2010
- 著者名/発表者名
  R.Nakane, T.Harada, K.Sugiura, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 49
- NAID
  210000069374
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106007
[雑誌論文] A new spin-functional MOSFET based on magnetic tunnel junction technology : pseudo-spin-MOSFET2010
- 著者名/発表者名
  Y.Shuto, R.Nakane, W.Wang, H.Sukegawa, S.Yamamoto, M.Tanaka, K.Inomata, S.Sugahara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106007
[雑誌論文] Magnetoresistance of a Spin Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (spin MOSFET) with Ferromagnetic MnAs Source and Drain Contacts2010
- 著者名/発表者名
  R.Nakane, T.Harada, K.Suigura, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: Vol.49 ページ: 1130001-1130004
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686023
[雑誌論文] Magnetoresistance of a Spin Meta 1-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (spin MOSFET) with Ferromagnetic MnAs Source and Drain Contacts2010
- 著者名/発表者名
  R.Nakane, T.Harada, K.Suigura, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 49
  
  ページ: 1130001-1130004
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686023
[雑誌論文] Formation of Si and Ge-based Full-Heusler Alloy Thin Films Using SOI and GOI Substrates for the Half-Metallic Source and Drain of Spin Transistors2008
- 著者名/発表者名
  Y.Taakamura, A. Nisnijima, Y . Nagahama, R. Nakane, and S. C.sugahara
- 雑誌名
  
  ECS Transactions 16
  
  ページ: 945-952
- NAID
  120006581933
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686023
[雑誌論文] Characterization of halfmetallic L21-phase Co2FeSi full-Heusler alloy thin films formed by rapid thermal annealing2008
- 著者名/発表者名
  Y. Takamura, R. Nakane, H. Munekata, and. S. Sugahara
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics 103
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686023
[雑誌論文] Preparation and characterization of ferromagnetic DO_3-phase Fe_3Si thin films on silicon-on-insulator substrates for Si-based spin-electronic device applications2006
- 著者名/発表者名
  Ryosho Nakane
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 89
  
  ページ: 192503-192503
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18760010
[雑誌論文] "Schottky barrier height of ferromagnet/Si(001) junctions" Appl. Phys. Lett. 89,072110/1-3(2006).2006
- 著者名/発表者名
  K.Sugiura, R.Nakane, S.Sugahara, M.Tanaka
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 89
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106007
[雑誌論文] Preparation and characterization of ferromagnetic DO3-phase Fe3Si thin films on silicon-on-insulator substrates for Si-based spin-electronic device applications2006
- 著者名/発表者名
  R.Nakane, M.Tanaka, S.Sugahara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 89
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18106007
[雑誌論文] Appearance of Anisotropic Magnetoresistance and Electric Potential Distribution in Si-based Multi-terminal Devices with Fe Electrodes
- 著者名/発表者名
  Ryosho Nakane, Shoichi Sato, Shun Kokutani, and Masaaki Tanaka
- 雑誌名
  
  Magnetics Lett
  
  巻: (in press)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656071
[学会発表] Spin polarization and magnetoresistance in a back-gated spin MOSFET structure with Fe/Mg/MgO/SiOx/n+-Si junctions2023
- 著者名/発表者名
  Shoichi Sato, Masaaki Tanaka and Ryosho Nakane
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02199
[学会発表] 低接合抵抗を持つFe/Mg/SiN/n+-Si(001)磁性トンネル接合の作製とSiへのスピン注入2022
- 著者名/発表者名
  赤木巌、佐藤彰一、田中雅明、中根了昌
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02199
[学会発表] Generation of spin-polarized electrons in n + -Si by spin injection through a ferromagnetic tunnel junction: Role of the band diagram2022
- 著者名/発表者名
  Baisen Yu, Shoichi Sato, Masaaki Tanaka, and Ryosho Nakane
- 学会等名
  2022 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02199
[学会発表] Electron spin polarization in a n+-Si channel: Analysis with the band diagram in ferromagnetic Fe/Mg/amorphous-MgO/SiO X /n+-Si(001) tunnel junctions2022
- 著者名/発表者名
  Baisen Yu, Shoichi Sato, Masaaki Tanaka and Ryosho Nakane
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02199
[学会発表] Effect of forming gas annealing on the enhancement of the electron spin lifetime in the inversion channel of Si-based spin MOSFETs2020
- 著者名/発表者名
  S. Sato, S. Okamoto, M. Tanaka, and R. Nakane
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02199
[学会発表] Siへのスピン注入におけるトンネルスピン分極率の温度依存性の解析2020
- 著者名/発表者名
  岡本祥太、佐藤彰一、田中雅明、中根了昌
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02199
[学会発表] Spin-flip Mechanism in a Si Inversion Layer of Spin MOSFETs2020
- 著者名/発表者名
  R. Nakane, S. Sato, S. Okamoto, and M, Tanaka
- 学会等名
  The 78th Device Research Conference (DRC)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02199
[学会発表] シリコンベーススピン電界効果型トランジスタのデバイス物理2020
- 著者名/発表者名
  中根了昌、佐藤彰一、田中雅明
- 学会等名
  スピントロニクス学術研究基盤と連携ネットワーク拠点　2020 年度（令和２年度）年次報告会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02199
[学会発表] , Spin transport in Si-based spin metal-oxide-semiconductor field-effect transistors: Spin drift effect in the inversion channel and spin relaxation in the n+-Si source/drain regions2020
- 著者名/発表者名
  S. Sato, S. Okamoto, M. Tanaka, and R. Nakane
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02199
[学会発表] Electronic structure and magnetic properties of magnetic dead layers in epitaxial CoFe2O4/Al2O3/Si(111) films studied by X-ray magnetic circular dichroism (XMCD)2017
- 著者名/発表者名
  2)Yuuki Wakabayashi, Yosuke Nonaka, Yukiharu Takeda, Shoya Sakamoto, Keisuke Ikeda, Zhendong Chi, Goro Shibata, Yuji Saitoh, Hiroshi Yamagami, Masaaki Tanaka, Atsushi Fujimori, and Ryosho Nakane
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  横浜市
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289086
[学会発表] Epitaxial NiFe2O4 films grown on Si(111) substrates2016
- 著者名/発表者名
  R. Nakane and M. Tanaka
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  新潟市
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289086
[学会発表] Growth, structure, and magnetic properties of epitaxial NiFe2O4 films grown on Si(111) substrates2016
- 著者名/発表者名
  R. Nakane and M. Tanaka
- 学会等名
  61ST anuual Conference on Magnetism and Magnetic Materials
- 発表場所
  New Orleans
- 年月日
  2016-10-31
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289086
[学会発表] Fe/Sio2/Si接合における三端子ハンルシグナルの起源2015
- 著者名/発表者名
  佐藤彰一、中根了昌、田中雅明
- 学会等名
  東京大学固体エレクトロニクス・光エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  東京大学生産技術研究所(東京都目黒区)
- 年月日
  2015-03-16
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23000010
[学会発表] Structurral, magnetic, and electrical properties of thermally-formed MnP electrodes on InP(001)2015
- 著者名/発表者名
  G. Song, R. Nakane, and M. Tanaka
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26630150
[学会発表] IV族強磁性半導体Gel-yFey/Ge : B/Ge1-xFex三層ヘテロ構造における磁気抵抗効果2015
- 著者名/発表者名
  伴芳祐、中根了昌、田中雅明
- 学会等名
  2015春季応用物理学会講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス(神奈川県平塚市)
- 年月日
  2015-03-11
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23000010
[学会発表] Structural, magnetic, and electrical properties of thermally-formed MnPelectrodes on InP (001)2015
- 著者名/発表者名
  Guibin Song, Ryosho Nakane, and Masaaki Tanaka
- 学会等名
  2015年秋季第76回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23000010
[学会発表] IV族強磁性半導体Gel-yFey/Ge : B/Ge1-xFex三層ヘテロ構造における磁気抵抗効果2015
- 著者名/発表者名
  伴芳祐、中根了昌、田中雅明
- 学会等名
  第6回東京大学低温センター研究交流会
- 発表場所
  東京大学小柴ホール(東京都文京区)
- 年月日
  2015-03-04
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23000010
[学会発表] 強磁性金属/絶縁膜/半導体構造におけるスピン依存磁気抵抗効果とその起源2014
- 著者名/発表者名
  佐藤彰一、中根了昌、田中雅明
- 学会等名
  東京大学固体エレクトロニクス研究会・光エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  東京天学工学部2号館(東京都文京区)
- 年月日
  2014-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23000010
[学会発表] Fe/SiO2/Si接合における三端子ハンルシグナルの起源2014
- 著者名/発表者名
  佐藤彰一、中根了昌、田中雅明
- 学会等名
  第19回「半導体スピン工学の基礎と応用」研究会
- 発表場所
  東京大学本郷キャンパス武田先端知ビル5階武田ホール(東京都文京区)
- 年月日
  2014-12-15
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23000010
[学会発表] Fe/SiO2/Si接合における三端子Hanle信号の磁場方向依存性2014
- 著者名/発表者名
  佐藤彰一、中根了昌、田中雅明
- 学会等名
  2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道大学(北海道札幌市)
- 年月日
  2014-09-20
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23000010
[学会発表] IV族強磁性半導体GehFexにおけるスピン依存伝導2014
- 著者名/発表者名
  伴芳祐、中根了昌、大矢忍、田中雅明
- 学会等名
  東京大学固体エレクトロニクス研究会・光エレクトロニクス研究会
- 発表場所
  東京大学工学部(東京都文京区)
- 年月日
  2014-03-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23000010
[学会発表] 三端子Hanle信号の理論的解析2014
- 著者名/発表者名
  佐藤彰一、中根了昌、田中雅明
- 学会等名
  2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道大学(北海道札幌市)
- 年月日
  2014-09-20
- 説明
  【発表確定】
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23000010
[学会発表] Spin-transistor characteristics of pseudo-spin-MOSFETs monolithically-integrated by utilizing a multi-project-wafer CMOS chip2013
- 著者名/発表者名
  R. Nakane, Y. Shuto, H. Sukegawa, Z. C. Wen, S. Yamamoto, S. Mitani, M. Tanaka, K. Inomata, and S. Sugahara
- 学会等名
  2013 International Conference on Solid-State Devices and Materials (SSDM 2013)
- 発表場所
  ヒルトン福岡シーホーク(福岡県福岡市中央区)
- 年月日
  2013-09-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23000010
[学会発表] Monolithic integration of pseudo-spin-MOSFETs using a custom CMOS chip Ifabricated through multi-project wafer service - A new route to more-than-Moore research -2013
- 著者名/発表者名
  R. Nakane, Y. Shuto, H. Sukegawa, Z. C. Wen, S. Yamamoto, S. Mitani, M. Tanaka, K. Inomata, and S. Sugahara
- 学会等名
  43rd European Solid-State Device Research Conference
- 発表場所
  JW Marriott Bucharest Grand Hotel (Bucharest, Romania)
- 年月日
  2013-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23000010
[学会発表] Analysis of 3-terminal Hanle signals in Si-based spintronic devices2013
- 著者名/発表者名
  S. Sato, R. Nakane, M. Tanaka
- 学会等名
  American Physical Society, Annual APS March Meeting
- 発表場所
  Baltimore convention center, Hilton Baltimore, Boltimore, Maryland, USA (C18.00007)
- 年月日
  2013-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686049
[学会発表] Fabrication and characterization of pseudo-spin-MOSFETs using a multi-project CMOS wafer2013
- 著者名/発表者名
  R. Nakane, Y. Shuto, H. Sukegawa, Z. C. Wen, S. Yamamoto, S. Mitani, M. Tanaka, K. Inomata, and S. Sugahara
- 学会等名
  58th Annual Magnetism and Magnetic Materials (MMM) Conference
- 発表場所
  the Sheraton Denver Downtown Hotel (Denver, Colorado, USA)
- 年月日
  2013-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23000010
[学会発表] Electrical state in spin devices for nonlocal measurements2012
- 著者名/発表者名
  Ryosho Nakane
- 学会等名
  7th International Conference on Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors (PASPS-VII)
- 発表場所
  Eindhoven,Netherlands
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23000010
[学会発表] 磁性体電極を持つ半導体デバイスの磁気伝導特性2012
- 著者名/発表者名
  佐藤彰一、中根了昌、田中雅明
- 学会等名
  東京大学低温センター研究交流会
- 発表場所
  東京大学本郷キャンパス小柴ホール
- 年月日
  2012-03-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23000010
[学会発表] Materials and Devices for Semiconductor Spintronics : Si-based Spintronics2012
- 著者名/発表者名
  Ryosho Nakane and Masaaki Tanaka
- 学会等名
  1st Annual World Congress of Advanced Materials-2012 (WCAM2012)
- 発表場所
  Beijing International Convention Center, Beijin China, (Session 6-3)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686049
[学会発表] Materials and devices for semiconductor spintronics : Si-based spintronics2012
- 著者名/発表者名
  Ryosho Nakane
- 学会等名
  1st Annual World Congress of Advanced Materials (WCAM-2012)
- 発表場所
  Beijing, China
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23000010
[学会発表] Materials and Devices for Semiconductor Spintronics: Si-based Spintronics2012
- 著者名/発表者名
  R. Nakane
- 学会等名
  1st Annual World Congress of Advanced Materials-2012 (WCAM2012)
- 発表場所
  Beijin, China
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686049
[学会発表] Electrical state in spin devices for nonlocal measurements2012
- 著者名/発表者名
  R. Nakane, S. Sato, S. Kokutani, and M. Tanaka
- 学会等名
  The 7th International Conference on Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors (PASPS VII)
- 発表場所
  Eindhoven University of Technology, the Netherlands
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686049
[学会発表] Electrical state in spin devices for nonlocal measurements2012
- 著者名/発表者名
  R. Nakane
- 学会等名
  The 7th International Conference on Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors (PASPS VII)
- 発表場所
  Eindhoven, the Netherlands
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686049
[学会発表] Siチャネル及びFe電極を有する多端子横型デバイスにおける非局所信号への異方性磁気抵抗効果の影響2011
- 著者名/発表者名
  佐藤彰一、中根了昌、國谷瞬、田中雅明
- 学会等名
  春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学(神奈川県)
- 年月日
  2011-03-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686023
[学会発表] 第16回半導体スピン工学の基礎と応用2011
- 著者名/発表者名
  佐藤彰一,中根了昌,國谷瞬,田中雅明
- 学会等名
  東京工業大学博物館・百年記念館
- 発表場所
  フェライト会議室
- 年月日
  2011-11-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656071
[学会発表] 強磁性電極を有する半導体ベース多端子デバイスにおける電気伝導:デバイス構造が非局所信号へ与える影響2011
- 著者名/発表者名
  佐藤彰一, 中根了昌, 國谷瞬, 田中雅明
- 学会等名
  第16回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-16)
- 発表場所
  東京工業大学博物館・百年記念館フェライト会議室,E4
- 年月日
  2011-11-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656071
[学会発表] Siチャネル及びFe電極を有する多端子横型デバイスにおける非局所信号への異方性磁気抵抗効果の影響2011
- 著者名/発表者名
  佐藤彰一,中根了昌,國谷瞬,田中雅明
- 学会等名
  春季第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学,神奈川
- 年月日
  2011-03-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656071
[学会発表] 強磁性電極を有する半導体ベース多端子デバイスにおける電気伝導:デバイス構造が非局所信号へ与える影響2011
- 著者名/発表者名
  佐藤彰一、中根了昌、國谷瞬、田中雅明
- 学会等名
  第16回「半導体スピン工学の基礎と応用」研究会(PASPS-16)
- 発表場所
  東京工業大学博物館・百年記念館(大岡山キャンパス)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23000010
[学会発表] Influence of anisotropic magnetoresistance on nonlocal signals in multi-terminal lateral devices with a Si channel and Fe electrodes2011
- 著者名/発表者名
  S.Sato, R.Nakane, S.Kokutani, M.Tanaka
- 学会等名
  Three-University-Symposium on Nano-manufacturing and Nanotechnology, Nanotechnology for Advanced Electronics, Photonics, and Sensing
- 発表場所
  Beijing, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23000010
[学会発表] 第16回半導体スピン工学の基礎と応用2011
- 著者名/発表者名
  佐藤彰一, 中根了昌, 國谷瞬, 中雅明
- 学会等名
  (PASPS-16)
- 発表場所
  東京工業大学博物館・百年記念館フェライト会議室, E4
- 年月日
  2011-11-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686049
[学会発表] 強磁性電極を有する半導体ベース多端子デバイスにおける電気伝導:デバイス構造が非局所信号へ与える影響2011
- 著者名/発表者名
  佐藤彰一, 中根了昌, 國谷瞬, 田中雅明
- 学会等名
  第16回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-16)
- 発表場所
  東京工業大学博物館・百年記念館フェライト会議室,E4(招待講演)
- 年月日
  2011-11-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686049
[学会発表] Influence of anisotropic magnetoresistance on nonlocal signals in multi-terminal lateral devices with a Si channel and Fe electrodes2010
- 著者名/発表者名
  S. Sato, R. Nakane, S. Kokutani, and M. Tanaka
- 学会等名
  International Conference on the Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors(PASPS-VI)
- 発表場所
  the University of Tokyo, Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22656071
[学会発表] Fe電極を用いたスピンMOSFETにおけるスピン依存伝導特性2009
- 著者名/発表者名
  國谷瞬、中根了昌、佐藤彰一、菅原聡、田中雅明
- 学会等名
  日本応用物理学会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686023
[学会発表] シリコンMOS反転層へのスピン注入とスピンMOSFETへの応用2008
- 著者名/発表者名
  中根了昌, 原田智之, 杉浦邦晃, 菅原聡, 田中雅明
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会3p-CA-3,予稿集p52
- 発表場所
  中部大学,春日井
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686023
[学会発表] Magnetoresistance in MOSFETs with ferromagnetic MnAs source and drain contacts : Spin injection and transport in Si MOS channels2008
- 著者名/発表者名
  R. Nakane, T. Harada, K. Sugiura, S. Susahara and M. Tanaka
- 学会等名
  The 66th Device Research Conference (66th DRC)
- 発表場所
  Santa Barbara, CA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686023
[学会発表] シリコンMOS反転層へのスピン注入とスピンMOSFETへの応用2008
- 著者名/発表者名
  中根了昌, 原田智之, 杉浦邦晃, 菅原聡, 田中雅明
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  中部大学, 春日井
- 年月日
  2008-09-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686023
[学会発表] Magnetoresistance in MOSFETs with ferromagnetic MnAs source and drain contacts : Spin injection and transport in Si MOS channels2008
- 著者名/発表者名
  R.Nakane, T.Harada, K.Sugiura, S.Sugahara, M.Tanaka
- 学会等名
  The 66^<th> Device Research Conference (66^<th> DRC)V.A-7, Conference Digest p227.
- 発表場所
  Santa Barbara, CA,USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20686023
[学会発表] Siキャップ層による強磁性Fe_3Si薄膜形成温度の低温化2007
- 著者名/発表者名
  中根了昌
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術連合会
- 発表場所
  北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18760010

1. 田中雅明 (30192636)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 25件
2. 大矢忍 (20401143)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 2件
3. ファムナム　ハイ (50571717)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
4. 菅原聡 (40282842)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 5件
5. 佐藤彰一 (30973325)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. Le DucAnh (50783594)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. パルムストロムクリス

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

中根 了昌 Nakane Ryosho

研究課題

研究成果

共同研究者

半導体－強磁性－超伝導ハイブリッド・融合系の形成と量子デバイス機能の創出

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

スピン波動コンピューティングシステムの実装研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

シリコンベース高性能スピントランジスタの開発とAIエレクトロニクス技術の創出研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

シリコンを含む磁性接合におけるスピン伝導物理の解明と制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

エピタキシャルフェライトヘテロ構造の創製とスピン機能デバイスへの応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

III-V族化合物半導体ベーススピントランジスタの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

磁性体/半導体ハイブリッドナノ構造におけるスピン関連現象とデバイス応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

スピンフィルター磁性ヘテロ構造の創製と集積デバイスへの応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

不揮発性および再構成可能な機能をもつ半導体材料とデバイスの研究開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

磁性体微粒子を含む酸化物へテロ構造の創製と半導体電子デバイスへの応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコン中でのキャリアスピン物理の解明とスピンデバイスへの応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

リコンフィギャラブル・ナノスピンデバイス

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

強磁性体からSiへのスピン注入とスピン蓄積効果に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

中根了昌 Nakane Ryosho