平間一行ヒラマカズユキ

研究者番号	50434329
その他のID
所属 (現在)	2020年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主任研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2014年度 – 2016年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 研究主任 2013年度: 日本電信電話株式会社ＮＴＴ物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 研究主任 2007年度: 早稲田大, 理工学術院, 助手 2006年度: 早稲田大学, 理工学術院, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器研究代表者以外結晶工学
キーワード	研究代表者電子デバイス・集積回路 / 微細プロセス技術 / マイクロ波・ミリ波研究代表者以外結晶成長 / 半導体物性 / 窒化物半導体 / 発光デバイス / 紫外

AlN系へテロ構造の結晶成長と紫外発光デバイス応用に関する研究
- 研究代表者
  
  谷保芳孝
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
収束ビームによる高濃度イオン注入プロセスを利用した新構造ダイヤモンドFETの作製研究代表者
- 研究代表者
  
  平間一行
- 研究期間 (年度)
  2007
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  早稲田大学
ダイヤモンドトランジスタの実用化に向けた熱的安定性とデバイス特性の改善研究代表者
- 研究代表者
  
  平間一行
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  若手研究(スタートアップ)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  早稲田大学

すべて 2016 2015 2014 2013

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] 窒化物半導体/ダイヤモンドヘテロ構造の成長とその応用2016
- 著者名/発表者名
  平間一行, 谷保芳孝, 嘉数誠, 山本秀樹, 熊倉一英
- 雑誌名
  
  NEW DIAMOND
  
  巻: 122 ページ: 2-9
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[雑誌論文] イオンビームアシストMBE法による立方晶BN(c-BN)薄膜のヘテロエピタキシャル成長2016
- 著者名/発表者名
  平間一行、谷保芳孝、山本秀樹、熊倉一英
- 雑誌名
  
  応用物理
  
  巻: 85 ページ: 306-310
- NAID
  40020809162
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[産業財産権] 発光素子2015
- 発明者名
  平間一行, 谷保芳孝, 狩元慎一, 山本秀樹
- 権利者名
  平間一行, 谷保芳孝, 狩元慎一, 山本秀樹
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2015-032976
- 出願年月日
  2015-02-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] 立方晶窒化ホウ素(c -BN)薄膜のヘテロエピタキシャル成長2016
- 著者名/発表者名
  平間一行, 谷保芳孝, 狩元慎一, 山本秀樹, 熊倉一英
- 学会等名
  日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会・第98回研究会
- 発表場所
  主婦会館プラザエフ（東京都千代田区）
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] イオンビームアシストMBE法による準安定相窒化ホウ素(c-BN)薄膜の成長2016
- 著者名/発表者名
  平間一行, 谷保芳孝,山本秀樹, 熊倉一英
- 学会等名
  東京大学生産技術研究所光電子融合研究センター公開シンポジウム
- 発表場所
  東京大学（東京都目黒区）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] c-BN薄膜のイオンビームアシストMBE成長における基板へのバイアス電圧印加の効果2016
- 著者名/発表者名
  平間一行、谷保芳孝、山本秀樹、熊倉一英
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都・目黒区）
- 年月日
  2016-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] c-BN(001)薄膜の結晶性に及ぼすイオン照射の影響2016
- 著者名/発表者名
  平間一行, 谷保芳孝,山本秀樹, 熊倉一英
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ（新潟県新潟市）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] 立方晶窒化ホウ素(c-BN)薄膜のMBE成長におけるイオン照射の効果2015
- 著者名/発表者名
  平間一行, 谷保芳孝, 狩元慎一, 山本秀樹
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] 準安定相窒化ホウ素(立方晶BN)薄膜のイオンビームアシストMBE成長2015
- 著者名/発表者名
  平間一行、谷保芳孝、狩元慎一、山本秀樹、熊倉一英
- 学会等名
  第45回結晶成長国内会議（NCCG-45）
- 発表場所
  北海道大学（北海道・札幌市）
- 年月日
  2015-10-19
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] ダイヤモンド/立方晶窒化ホウ素(c-BN)薄膜ヘテロ構造成長2015
- 著者名/発表者名
  平間一行, 谷保芳孝, 狩元慎一, 山本秀樹
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2015-03-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] 単結晶c-BN薄膜の内部応力に及ぼすイオン照射の影響2015
- 著者名/発表者名
  平間一行、谷保芳孝、狩元慎一、山本秀樹、熊倉一英
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県・名古屋市）
- 年月日
  2015-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] イオンビームアシストMBEによる立方晶BN(111)薄膜の高品質化2014
- 著者名/発表者名
  平間一行、谷保芳孝、狩元慎一、山本秀樹
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] 単結晶立方晶窒化ホウ素(c-BN)のイオンビームアシストMBE成長機構2014
- 著者名/発表者名
  平間一行、谷保芳孝、狩元慎一、山本秀樹
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] AlN系ヘテロ構造のエピタキシャル成長と深紫外LED応用2013
- 著者名/発表者名
  谷保芳孝、Ryan Banal、平間一行、山本秀樹
- 学会等名
  日本結晶成長学会結晶成長国内会議
- 発表場所
  長野市諸生涯学習センター
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022
[学会発表] 立方晶窒化ホウ素(cBN)のイオンビームアシストMBE成長2013
- 著者名/発表者名
  平間一行, 狩元慎一, Krockenberger Yoshiharu, 谷保芳孝, 山本秀樹
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25246022

1. 谷保芳孝 (20393738)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 14件
2. 熊倉一英 (00393736)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
3. 山本秀樹 (70393733)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 14件

平間 一行 ヒラマ カズユキ

研究課題

研究成果

共同研究者

AlN系へテロ構造の結晶成長と紫外発光デバイス応用に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

収束ビームによる高濃度イオン注入プロセスを利用した新構造ダイヤモンドFETの作製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

ダイヤモンドトランジスタの実用化に向けた熱的安定性とデバイス特性の改善研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] 窒化物半導体/ダイヤモンド ヘテロ構造の成長とその応用2016

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] イオンビームアシストMBE法による立方晶BN(c-BN)薄膜のヘテロエピタキシャル成長2016

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[産業財産権] 発光素子2015

発明者名

権利者名

産業財産権種類

産業財産権番号

出願年月日

データソース

[学会発表] 立方晶窒化ホウ素(c -BN)薄膜のヘテロエピタキシャル成長2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] イオンビームアシストMBE法による準安定相窒化ホウ素(c-BN)薄膜の成長2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] c-BN薄膜のイオンビームアシストMBE成長における基板へのバイアス電圧印加の効果2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] c-BN(001)薄膜の結晶性に及ぼすイオン照射の影響2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] 立方晶窒化ホウ素(c-BN)薄膜のMBE成長におけるイオン照射の効果2015

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] 準安定相窒化ホウ素(立方晶BN)薄膜のイオンビームアシストMBE成長2015

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] ダイヤモンド/立方晶窒化ホウ素(c-BN)薄膜ヘテロ構造成長2015

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] 単結晶c-BN薄膜の内部応力に及ぼすイオン照射の影響2015

著者名/発表者名

学会等名

平間一行ヒラマカズユキ

[雑誌論文] 窒化物半導体/ダイヤモンドヘテロ構造の成長とその応用2016