富樫理恵 Togashi Rie

研究者番号	50444112
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 上智大学, 理工学部, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2024年度: 上智大学, 理工学部, 准教授 2022年度: 上智大学, 理工学部, 准教授 2018年度 – 2022年度: 上智大学, 理工学部, 助教 2015年度 – 2017年度: 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 2011年度 – 2013年度: 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教
審査区分/研究分野	研究代表者小区分30010:結晶工学関連 / 結晶工学 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外中区分30:応用物理工学およびその関連分野 / 小区分30010:結晶工学関連 / 理工系 / 結晶工学
キーワード	研究代表者熱力学解析 / 気相成長 / 酸化ガリウム / エピタキシャル成長 / 結晶成長 / エピタキシャル / 酸化インジウム半導体結晶 / 酸化ガリウム半導体結晶 / β型酸化ガリウム / HVPE法 … もっと見る / ワイドギャップ半導体 / ハライド気相成長 / 結晶工学 / HVPE / 窒化インジウム … もっと見る研究代表者以外 InGaN / ナノコラム / 量子構造 / 薄膜 / 赤色発光 / 気相法 / 高純度 / 熱力学計算 / OVPE / 酸化ガリウム / レーザ / LED / 三原色集積型光デバイス / 拡張熱力学解析 / 相整合混晶 / 相混在面 / 反応解析 / 相混在 / バンドエンジニアリング / 格子引き込み / 混晶成長 / 発現相制御 / 非熱平衡 / 熱平衡 / Ⅲ族セスキ酸化物半導体 / ハライド気相成長法 / ミスト化学気相堆積法 / 非熱平衡成長 / 熱平衡成長 / 準安定相 / 安定相 / Ⅲ族セスキ酸化物半導体結晶 / PVT法 / 導電性制御 / バルク結晶 / エピタキシャル成長 / 結晶工学 / エッチピット / 転位 / Siドーピング / ショットキーバリアダイオード / HVPE法 / ドーピング / 不純物 / n形導電性 / 点欠陥 / 窒化アルミニウム隠す

赤色発光素子応用に資するInGaNマトリクスの構造制御
- 研究代表者
  
  山口智広
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  工学院大学
水ガスを用いた原料分子種生成制御反応の解明による高品質酸化インジウム結晶の創出研究代表者
- 研究代表者
  
  富樫理恵
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  上智大学
毒性ガスフリーのOVPE法による高品質酸化ガリウム結晶成長技術
- 研究代表者
  
  今西正幸
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2022
- 研究種目
  
  挑戦的研究(萌芽)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  大阪大学
新規原料分子種生成メカニズムの解明による高純度酸化ガリウム半導体結晶の創出研究代表者
- 研究代表者
  
  富樫理恵
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  若手研究
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  上智大学
ナノコラム結晶による三原色集積型発光デバイスの革新
- 研究代表者
  
  岸野克巳
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  上智大学
完全非水素系・水素系成長の比較による酸化ガリウム結晶成長へ水素が与える影響の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  富樫理恵
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  上智大学
   東京農工大学
化学平衡・非平衡制御による特異構造のボトムアップ創製
- 研究代表者
  
  熊谷義直
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2020
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  東京農工大学
バルク窒化アルミニウム結晶の点欠陥形成メカニズム解明によるｎ形導電性結晶の創出
- 研究代表者
  
  熊谷義直
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学
窒化インジウムバルク結晶成長に向けた選択的な原料分子種生成メカニズムの解明研究代表者
- 研究代表者
  
  富樫理恵
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  東京農工大学

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すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Photonic band characterization in InGaN/GaN nanocolumn arrays with triangular and honeycomb lattices by angle-resolved micro-photoluminescence measurements2021
- 著者名/発表者名
  T. Oto, M. Okamura, Y. Matsui, K. Motoyama, S. Ishizawa, R. Togashi and K. Kishino
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 60 号: 6 ページ: 060904-060904
- DOI
  10.35848/1347-4065/abfeaa
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874, KAKENHI-PROJECT-21K14483
[雑誌論文] Comparison of surface plasmon polariton characteristics of Ag- and Au-based InGaN/GaN nanocolumn plasmonic crystals2021
- 著者名/発表者名
  Takao Oto, Masato Namazuta, Shotaro Hayakawa, Koichi Okamoto, Rie Togashi and Katsumi Kishino
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express
  
  巻: 14 号: 10 ページ: 105002-105002
- DOI
  10.35848/1882-0786/ac2632
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H05627, KAKENHI-PROJECT-19H00874, KAKENHI-PROJECT-21K14483
[雑誌論文] Investigation of halide vapor phase epitaxy of In2O3 on sapphire (0001) substrates2021
- 著者名/発表者名
  Hidetoshi Nakahata, Rie Togashi, Ken Goto, Bo Monemar, Yoshinao Kumagai
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 563 ページ: 1261111-6
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2021.126111
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[雑誌論文] Comparison of O2 and H2O as oxygen source for homoepitaxial growth of beta-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy2018
- 著者名/発表者名
  Keita Konishi, Ken Goto, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Masataka Higashiwaki, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Bo Monemar, Yoshinao Kumagai
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 492 ページ: 39-44
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2018.04.009
- 査読あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417, KAKENHI-PROJECT-16K04944
[雑誌論文] High rate growth of In2O3 at 1000℃ by halide vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, S. Numata, M. Hayashida, T. Suga, K. Goto, A. Kuramata, S. Yamakoshi, P. Paskov, B. Monemar, and Y. Kumagai
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 12 ページ: 1202B3-1202B3
- DOI
  10.7567/jjap.55.1202b3
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417, KAKENHI-PROJECT-16K04944
[雑誌論文] Thermal and chemical stabilities of group-III sesquioxides in a flow of either N2 or H22016
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, Y. Kisanuki, K. Goto, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, A. Koukitu, and Y. Kumagai
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55 号: 12 ページ: 1202BE-1202BE
- DOI
  10.7567/jjap.55.1202be
- NAID
  210000147274
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417, KAKENHI-PROJECT-16K04944
[雑誌論文] Influence of high-temperature processing on the surface properties of bulk AlN substrates2016
- 著者名/発表者名
  S. Tojo, R. Yamamoto, R. Tanaka, Q.-T. Thieu, R. Togashi, T. Nagashima, T. Kinoshita, R. Dalmau, R. Schlesser, H. Murakami, R. Collazo, A. Koukitu, B. Monemar, Z. Sitar, Y. Kumagai
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 446 ページ: 33-38
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2016.04.030
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555, KAKENHI-PROJECT-26790043, KAKENHI-PROJECT-16K04945
[雑誌論文] Fabrication of vertical Schottky barrier diodes on n-type freestanding AlN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  T. Kinoshita, T. Nagashima, T. Obata, S. Takashima, R. Yamamoto, R. Togashi, Y. Kumagai, R. Schlesser, R. Collazo, A. Koukitu, and Z. Sitar
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 8 号: 6 ページ: 0610031-3
- DOI
  10.7567/apex.8.061003
- NAID
  210000137521
- 査読あり / 謝辞記載あり / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[雑誌論文] Effect of High NH3 Input Partial Pressure on Hydride Vapor Phase Epitaxy of InN Using Nitrided (0001) Sapphire Substrates2013
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Sho Yamamoto, K. Fredrik Karlsson, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Per-Olof Holtz, and Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 52
- NAID
  210000142640
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[雑誌論文] Effect of High NH_3 Input Partial Pressure on Hydride Vapor Phase Epitaxy of InN Using Nitrided (0001) Sapphire Substrates2013
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Sho Yamamoto, K. Fredrik Karlsson, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Per-Olof Holtz, and Akinori Koukitu
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: Vol. 52
- URL
  http://jjap.jsap.jp/cgi-bin/getarticle?magazine=JJAP&volume=52&page=08JD05
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] OVPE法によるβ相酸化ガリウム結晶のエピタキシャル成長2022
- 著者名/発表者名
  今西正幸, 細川敬介, 奥村加奈子, 宇佐美茂佳, 富樫理恵, 湊雅彦, 森勇介
- 学会等名
  第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18910
[学会発表] 赤色発光MQWｓを有するＩｎＧａＮ系ナノコラムにおけるＡｌＧａＮ小壁装のＡｌ組成非依存性2022
- 著者名/発表者名
  山田順平、本田達也、水野愛、富樫理恵、野村一郎、山口智広、本田徹、岸野克巳
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] InGaNナノコラムプラズモニック結晶における発光増強ダイナミクス2022
- 著者名/発表者名
  大音隆男, 菊地主馬, 岡本晃一, 富樫理恵, 岸野克巳
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] OVPE法によるサファイア及びGa2O3基板上β-Ga2O3結晶成長2022
- 著者名/発表者名
  今西正幸, 小林大也, 奥村加奈子, 細川敬介, 宇佐美茂佳, 富樫理恵, 秦雅彦, 森勇介
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18910
[学会発表] Ga2O, H2O原料ガスを用いた高温・高速酸化ガリウム成長の熱力学的検討2022
- 著者名/発表者名
  富樫理恵，鈴木明香里，石田遥夏, 宇佐美茂佳,今西正幸，秦雅彦，森勇介
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18910
[学会発表] OVPE法によるサファイア及びGa2O3基板上β-Ga2O3結晶成長2022
- 著者名/発表者名
  今西正幸, 小林大也, 奥村加奈子, 細川敬介, 宇佐美茂佳, 富樫理恵, 秦雅彦, 森勇介
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18910
[学会発表] InGaNナノコラムプラズモニック結晶の構造設計と赤色発光の高効率化2021
- 著者名/発表者名
  大音隆男、岡本晃一、富樫理恵、岸野克巳
- 学会等名
  第2回半導体ナノフォトニクス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] Ga2O, H2O原料ガスを用いたβ型酸化ガリウム成長の熱力学解析2021
- 著者名/発表者名
  富樫理恵，鈴木明香里，石田　遥夏, 今西正幸，秦雅彦，森勇介
- 学会等名
  第2回半導体ナノフォトニクス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K18910
[学会発表] 下地コラムトップ角度によるInGaN/GaN ナノコラムの発光スペクトル制御2021
- 著者名/発表者名
  吉村賢哉、高橋昂司、滝本啓司、本田達也、山田純平、富樫理恵、野村一郎、岸野克巳
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] Mechanism of red emission enhancement in InGaN nanocolumn plasmonic crystals with honeycomb lattice2021
- 著者名/発表者名
  T. Oto, A. Aihara, K. Okamoto, R. Togashi, K. Kishino
- 学会等名
  8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology,
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] InGaN ナノコラムアレイにおいてコラムの分割が発光特性に与える影響2021
- 著者名/発表者名
  宮崎聡太郎、浅井佑太、松井祐三、富樫理恵、岸野克巳、大音隆男
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] ナノコラムのクラスタ配列化による発光強度増大と偏光制御2021
- 著者名/発表者名
  宮崎聡太郎、浅井佑太、松井祐三、富樫理恵、岸野克巳、大音隆男
- 学会等名
  応用物理学会東北支部第76回学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] Growth of stable and/or metastable phases of Ga2O3 and In2O3 by halide vapor phase epitaxy and mist chemical vapor deposition2021
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Ken Goto, Rie Togashi, Tomohiro Yamaguchi, Hisashi Murakami
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] 酸化物半導体結晶Ga2O3およびIn2O3の準安定相発現機構の検討2021
- 著者名/発表者名
  熊谷義直，後藤健，富樫理恵，山口智広，村上尚
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] nGaN系ナノコラムの形状制御とその発光特性2021
- 著者名/発表者名
  山田純平、本田達也、水野愛、富樫理恵、野村一郎、岸野克巳
- 学会等名
  第2回半導体ナノフォトニクス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] ナノコラムプラズモニック結晶を用いたプラズモン共鳴波長制御と発光増強特性2021
- 著者名/発表者名
  大音隆男，鯰田優人，早川将太朗，岡本晃一，富樫理恵，岸野克巳
- 学会等名
  第17回プラズモニクスシンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] Agプラズモニック結晶の導入がInGaN系ナノコラムアレイのバンド構造に与える影響2021
- 著者名/発表者名
  早川将太朗、岡本晃一、富樫理恵、岸野克巳、大音隆男
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] GaN系ナノコラムにおけるn-GaN平坦層がInGaN/AlGaN MQWs発光層に与える影響2021
- 著者名/発表者名
  山田純平、本田達也、吉田圭吾、富樫理恵、野村一郎、山口智広、本田徹、岸野克巳
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] InGaNナノコラムプラズモニック結晶の構造設計と赤色発光の高効率化2021
- 著者名/発表者名
  大音隆男、岡本晃一、富樫理恵、岸野克巳
- 学会等名
  ワイドギャップ半導体学会第4回研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] Thermodynamic study of etching characteristics of HVPE-grown In2O3 layers by hydrogen-environment anisotropic thermal etching2021
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Ryo Kasaba, Yuki Ooe, Ken Goto, Yoshinao Kumagai, Akihiko Kikuchi
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] (0001)および（10-11）面InGaN/GaNナノコラム上InGaN/AlGaN MQWsの発光特性2021
- 著者名/発表者名
  山田純平、本田達也、水野愛、富樫理恵、野村一郎、山口智広、本田徹、岸野克巳
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] Fabrication process of GaInN/GaN honeycomb array nanocolumn LEDs for integration of surface plasmonic resonance scheme2020
- 著者名/発表者名
  Akihiro Ueno, Gyo Imamura, Keigo Yoshida, Keiji Takimoto, Ichirou Nomura, Rie Togashi, Tomohiro Yamaguchi, Tohru Honda, Katsumi Kishino
- 学会等名
  8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるHVPE-In2O3成長層のエッチング特性評価2020
- 著者名/発表者名
  富樫理恵，笠羽遼，大江優輝，長井研太，後藤健，熊谷義直，菊池昭彦
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] 低充填率と高充填率InGaN/GaN規則配列ナノコラムにおける発光色変化メカニズムの比較検討2020
- 著者名/発表者名
  吉村賢哉、滝本啓司、成田一貴、富樫理恵、野村一郎、岸野克巳
- 学会等名
  第３回結晶工学×ISYSE合同研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるHVPE-In2O3成長層のエッチング特性の熱力学的検討2020
- 著者名/発表者名
  富樫理恵，笠羽遼，大江優輝，後藤健，熊谷義直，菊池昭彦
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Halide Vapor Phase Epitaxy of Group-III Sesquioxides2020
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Ken Goto, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Masataka Higashiwaki
- 学会等名
  2020 Virtual MRS Spring Meeting & Exhibit
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] GaInN/GaN規則配列ナノコラム結晶における活性層の構造と光学特性の関係2020
- 著者名/発表者名
  吉田圭吾、滝本啓司、富樫理恵、野村一郎、山口智広、尾沼猛儀、本田徹、岸野克巳
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] ナノコラムプラズモニック結晶を用いた赤色発光増強技術2020
- 著者名/発表者名
  大音隆男, 岡本晃一, 富樫理恵, 岸野克巳
- 学会等名
  Sophia Open Research Weeks 半導体ナノフォトニクス研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] 特異格子配列InGaNナノコラムプラズモニック結晶における赤色発光増強メカニズム2020
- 著者名/発表者名
  相原碧人, 岡本晃一, 富樫理恵, 岸野克巳, 大音隆男
- 学会等名
  応用物理学東北支部第75回学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] 水素雰囲気異方性熱エッチング (HEATE)法による HVPE-In2O3成長層のエッチング特性評価2020
- 著者名/発表者名
  富樫理恵，笠羽遼，大江優輝，後藤健，熊谷義直，菊池昭彦
- 学会等名
  Sophia Open Research Weeks 2020半導体ナノフォトニクス研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] InGaN/GaNナノコラムプラズモニック結晶における発光増強特性～金と銀の比較～2020
- 著者名/発表者名
  大音隆男, 鯰田優人, 岡本晃一, 富樫理恵, 岸野克巳
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] InGaN 系ナノコラム側面への金ナノ構造導入による発光増強2020
- 著者名/発表者名
  大井川道崇, 岡本晃一, 富樫理恵, 岸野克巳, 大音隆男
- 学会等名
  応用物理学東北支部第75回学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] I nGaN/GaNハニカム構造ナノコラム結晶の成長と評価2019
- 著者名/発表者名
  吉田圭吾, 今村暁, 滝本啓司, 富樫理恵, 山口智広, 尾沼猛儀, 本田徹, 岸野克巳
- 学会等名
  第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] Investigation of etching characteristics of HVPE-grown In2O3 layers by hydrogen-environment anisotropic thermal etching2019
- 著者名/発表者名
  R. Kasaba, Y. Ooe, K. Nagai, K. Goto, R. Togashi, A. Kikuchi, and Y. Kumagai
- 学会等名
  The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15457
[学会発表] In2O3及びGa2O3のHVPE成長におけるIII族原料の熱力学的比較2019
- 著者名/発表者名
  田中那実，税本雄也，長井研太，富樫理恵，竹川直，後藤健，熊谷義直
- 学会等名
  第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Ga源にGaCl3又はGaClを用いるGa2O3 HVPE成長の熱力学解析2019
- 著者名/発表者名
  加茂崇，三浦遼，竹川直，富樫理恵，後藤健，熊谷義直
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Investigation of Thermal and Chemical Stabilities of (001), (010), and (-201) β-Ga2O3 substrates in a flow of either N2 or H22019
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, S. Yamanobe, K. Goto, H. Murakami, S. Yamakoshi, and Y. Kumagai
- 学会等名
  The 3rd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-3)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15457
[学会発表] 水素・窒素気流中におけるβ-Ga2O3(001)，(010)，(-201)基板の熱的・化学的安定性の検討2019
- 著者名/発表者名
  富樫理恵，山野邉咲子，後藤健，村上尚，山腰茂伸，熊谷義直
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15457
[学会発表] InGaN/GaN Honeycomb Lattice Nanocolumun LEDs2019
- 著者名/発表者名
  G. Imamura, K. Yoshida, A. Ueno, R. Togashi, T. Yamaguchi, T. Honda and K. Kishino
- 学会等名
  2019 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting & Exhibit (2019MRS)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] Red Emitting InGaN-based Ordered Nanocolumns Exhibiting Photonic Crystal Effects at 671 nm2019
- 著者名/発表者名
  K. Takimoto, K. Narita, K. Yoshida, T. Oto, T. Yamaguchi, T. Honda, T. Onuma, R. Togashi, I. Nomura and K. Kishino
- 学会等名
  The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] Fabrication of nanocolumn photonic crystal (NC-PC) structure with enhanced optical confinement by controlling NC diameter2019
- 著者名/発表者名
  D. Hatakeyama, Y. Matsui, R. Togashi and K. Kishino
- 学会等名
  Nanowire Week 2019 （NWW2019）
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] HVPE法で成長したサファイア基板上In2O3単結晶薄膜の電気伝導特性2019
- 著者名/発表者名
  後藤健，長井研太，税本雄也，田中那実，竹川直，富樫理恵，熊谷義直
- 学会等名
  第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] III-N Nanocolumn Visible LEDs2019
- 著者名/発表者名
  K. Kishino, K. Narita, A. Yanagihara, D. Hatakeyama, K. Takimoto, N. Sakakibara, T. Oto and R. Togashi
- 学会等名
  13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 13)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] Surface Plasmon Coupling around Lateral Interface toward InGaN Nanocolumn Based Plasmonic LEDs with High Efficiencies2019
- 著者名/発表者名
  M. Oigawa, K. Okamoto, R. Togashi, K. Kishino and T. Oto
- 学会等名
  The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] Thermodynamic study on halide vapor phase epitaxy of Ga2O3 using GaCl or GaCl3 as a group-III precursor2019
- 著者名/発表者名
  T. Kamo, R. Miura, N. Takekawa, R. Togashi, K. Goto, and Y. Kumagai
- 学会等名
  2019 International Workshop on Gallium Oxide and Other Related Materials (IWGO 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Study on halide vapor phase epitaxy growth of twin-free cubic-indium oxide and its carrier properties2019
- 著者名/発表者名
  Ken Goto, Kenta Nagai, Yuya Saimoto, Nami Tanaka, Nao Takekawa, Rie Togashi, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] 規則配列InGaNナノコラムを用いた赤色域発光結晶2019
- 著者名/発表者名
  滝本啓司、成田一貴、吉田圭吾、大音隆男、山口智広、本田徹、尾沼猛儀、富樫理恵、野村一郎、岸野克巳
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル分科会「第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] Influence of substrate constraint on the emergence of metastable α-Ga2O32019
- 著者名/発表者名
  Chika Ohashi, Takashi Kamo, Ryo Miura, Nao Takekawa, Rie Togashi, Ken Goto, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] ハニカム・カゴメ格子配列ナノコラムプラズモニック結晶を用いたInGaN からの赤色発光増強2019
- 著者名/発表者名
  相原碧人, 菊地主馬，岡本晃一，富樫理恵，岸野克巳，大音隆男
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] β-Ga2O3(001), (010), (-201)基板の熱的・化学的安定性の面方位依存性2019
- 著者名/発表者名
  富樫理恵，山野邉咲子，後藤健，村上尚，山腰茂伸，熊谷義直
- 学会等名
  第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] AlNバッファ層Si基板上のInGaN/GaNナノコラム成長2019
- 著者名/発表者名
  十河康治、山野晃司、野村一郎、富樫理恵、岸野克巳
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] 高効率プラズモニックLEDに向けたナノコラム側面での表面プラズモン結合に関する検討2019
- 著者名/発表者名
  大井川道崇，岡本晃一，富樫理恵，岸野克巳，大音隆男
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] Comparison of thermodynamics on growth of In2O3 and Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy using mono- and tri-halides2019
- 著者名/発表者名
  Nami Tanaka, Yuya Saimoto, Kenta Nagai, Rie Togashi, Nao Takekawa, Ken Goto, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] ハニカム格子ナノコラムプラズモニック結晶を用いたInGaNからの赤色発光増強2019
- 著者名/発表者名
  相原碧人, 菊地主馬，岡本晃一，富樫理恵，岸野克巳，大音隆男
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル分科会「第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] GaCl及びGaCl3をGa源とするGa2O3 HVPE成長の熱力学解析2019
- 著者名/発表者名
  加茂崇，三浦遼，竹川直，富樫理恵，後藤健，熊谷義直
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] β-Ga2O3(001), (010), (-201)基板の熱的・化学的安定性の面方位依存性2019
- 著者名/発表者名
  富樫理恵，山野邉咲子，後藤健，村上尚，山腰茂伸，熊谷義直
- 学会等名
  第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15457
[学会発表] 水素・窒素気流中におけるβ-Ga2O3(001)，(010)，(-201)基板の熱的・化学的安定性の検討2019
- 著者名/発表者名
  富樫理恵，山野邉咲子，後藤健，村上尚，山腰茂伸，熊谷義直
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Recent Activities on Visible Range Nanocolumn (NC) Emitting Devices - New development on micro LED-2019
- 著者名/発表者名
  K. Kishino, K. Narita, A. Yanagihara, D. Hatakeyama, K. Takimoto, N. Sakakibara1, T. Oto, I. Nomura and R. Togashi
- 学会等名
  39th Electronic Materials Symposium (EMS-39)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] Regularly Arranged GaN Nanocolumns and Related Emitting Devices2019
- 著者名/発表者名
  K. Kishino, K. Yamano, A. Yanagihara and R. Togashi
- 学会等名
  PDI Topical Workshop on Epitaxial III-Nitride Semiconductor Nanowires
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] Investigation of Thermal and Chemical Stabilities of (001), (010), and (-201) β-Ga2O3 substrates in a flow of either N2 or H22019
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, S. Yamanobe, K. Goto, H. Murakami, S. Yamakoshi, and Y. Kumagai
- 学会等名
  2019 International Workshop on Gallium Oxide and Other Related Materials (IWGO 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるHVPE-In2O3成長層のエッチング特性評価2019
- 著者名/発表者名
  富樫理恵、笠羽遼、大江優輝、長井研太、後藤健、熊谷義直、菊池昭彦
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K15457
[学会発表] Red emission enhancement from InGaN using nanocolumn plasmonic crystals with honeycomb and kagome lattices2019
- 著者名/発表者名
  Aoto Aihara, Kz. Kikuchi, K. Okamoto, R. Togashi, K. Kishino and T. Oto
- 学会等名
  The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] Investigation of Etching Characteristics of HVPE-Grown In2O3 Layers by Hydrogen-Environment Anisotropic Thermal Etching2019
- 著者名/発表者名
  Ryo Kasaba, Yuki Ooe, Kenta Nagai, Ken Goto, Rie Togashi, Akihiko Kikuchi, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] In2O3のハライド気相成長におけるIn原料分子種の影響2019
- 著者名/発表者名
  長井研太，田中那実，税本雄也，富樫理恵，竹川直，後藤健，熊谷義直
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] 規則配列GaNナノコラムの光導波路形成”,規則配列InGaNナノコラムを用いた赤色域発光結晶2019
- 著者名/発表者名
  畠山大輝, 松井祐三, 富樫理恵, 岸野克巳
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル分科会「第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H00874
[学会発表] c面sapphire基板上c-In2O3のHVPE成長における成長速度の影響2017
- 著者名/発表者名
  長井研太，須賀隆之，中畑秀利，小西敬太，富樫理恵，村上尚，Plamen P. Paskov，Bo Monemar，熊谷義直
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会第6回結晶工学未来塾
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04944
[学会発表] 高温AlN-HVPEにおける系内酸素がSiドープ量に与える影響2017
- 著者名/発表者名
  小西敬太，山本玲緒，富樫理恵，永島徹，木下亨，Rafael Dalmau，Raoul Schlesser，村上尚，Ramon Collazo，Bo Monemar，Zlatko Sitar，熊谷義直
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] c面sapphire基板上c-In2O3のHVPE成長における成長速度の影響2017
- 著者名/発表者名
  長井研太，須賀隆之，中畑秀利，小西敬太，富樫理恵，村上尚，Plamen P. Paskov，Bo Monemar，熊谷義直
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会第6回結晶工学未来塾
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] ハライド気相成長法によるIn2O3成長の温度依存性2017
- 著者名/発表者名
  中畑秀利，須賀隆之，小西敬太，富樫理恵，村上尚，Plamen P. Paskov，Bo Monemar，熊谷義直
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] 異なる酸素源を用いた酸化ガリウムハライド気相成長の比較2017
- 著者名/発表者名
  小西敬太，後藤健，富樫理恵，村上尚，東脇正高，倉又朗人，山腰茂伸，Bo Monemar，熊谷義直
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04944
[学会発表] ハライド気相成長法によるIn2O3成長の温度依存性2017
- 著者名/発表者名
  中畑秀利，須賀隆之，小西敬太，富樫理恵，村上尚，Plamen P. Paskov，Bo Monemar，熊谷義直
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04944
[学会発表] 高品質窒化アルミニウムのハイドライド気相成長におけるSiドープ量制御2017
- 著者名/発表者名
  小西敬太，山本玲緒，富樫理恵，永島徹，木下亨，Rafael Dalmau，Raoul Schlesser，村上尚，Ramon Collazo，Bo Monemar，Zlatko Sitar，熊谷義直
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] Temperature dependence of In2O3 growth on (0001) sapphire by HVPE2017
- 著者名/発表者名
  Takayuki Suga, Shiyu Numata, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Bo Monemar, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications '17 (LEDIA ’17)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Development of bulk AlN substrates for deep-UV optoelectronic devices by HVPE method2017
- 著者名/発表者名
  Yoshinao Kumagai, Rie Togashi, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Reo Yamamoto, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Hisashi Murakami, Ramon Collazo, Akinori Koukitu, Bo Monemar, and Zlatko Sitar
- 学会等名
  11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] HVPE法を用いたIn2O3成長における成長速度の影響2017
- 著者名/発表者名
  須賀隆之，中畑秀利，小西敬太，富樫理恵，村上尚，Plamen P. Paskov，Bo Monemar，熊谷義直
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Halide Vapor Phase Epitaxy of β-Ga2O3 Homoepitaxial Layers Using O2 and H2O as Oxygen Sources2017
- 著者名/発表者名
  K. Konishi, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, M. Higashiwaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and Y. Kumagai
- 学会等名
  2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials (IWGO 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04944
[学会発表] Influence of Growth Rate on Halide Vapor Phase Epitaxy of c-In2O3 on c-Plane Sapphire Substrates2017
- 著者名/発表者名
  T. Suga, H. Nakahata, K. Konishi, R. Togashi, H. Murakami, P. P. Paskov, B. Monemar, and Y. Kumagai
- 学会等名
  2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials (IWGO 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04944
[学会発表] Temperature dependence of In2O3 growth on (0001) sapphire by HVPE2017
- 著者名/発表者名
  Takayuki Suga, Shiyu Numata, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Bo Monemar, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications '17 (LEDIA '17)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04944
[学会発表] Influence of ambient oxygen on Si incorporation during hydride vapor phase epitaxy of AlN at high temperature2017
- 著者名/発表者名
  Keita Konishi, Reo Yamamoto, Rie Togashi, Toru Nagashima, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Hisashi Murakami, Ramon Collazo, Bo Monemar, Zlatko Sitar, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] Influence of Growth Rate on Halide Vapor Phase Epitaxy of c-In2O3 on c-Plane Sapphire Substrates2017
- 著者名/発表者名
  T. Suga, H. Nakahata, K. Konishi, R. Togashi, H. Murakami, P. P. Paskov, B. Monemar, and Y. Kumagai
- 学会等名
  2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials (IWGO 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] HVPE法を用いたIn2O3成長における成長速度の影響2017
- 著者名/発表者名
  須賀隆之，中畑秀利，小西敬太，富樫理恵，村上尚，Plamen P. Paskov，Bo Monemar，熊谷義直
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04944
[学会発表] Halide Vapor Phase Epitaxy of β-Ga2O3 Homoepitaxial Layers Using O2 and H2O as Oxygen Sources2017
- 著者名/発表者名
  K. Konishi, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, M. Higashiwaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and Y. Kumagai
- 学会等名
  2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials (IWGO 2017)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] 異なる酸素源を用いた酸化ガリウムハライド気相成長の比較2017
- 著者名/発表者名
  小西敬太，後藤健，富樫理恵，村上尚，東脇正高，倉又朗人，山腰茂伸，Bo Monemar，熊谷義直
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Progress of homoepitaxial growth technique of thick β-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  Y. Kumagai, K. Nomura, K. Goto, Q.-T. Thieu, R. Togashi, K. Sasaki, K. Konishi, H. Murakami, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, A. Koukitu, M. Higashiwaki
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
- 発表場所
  Nagoya Congress Center（愛知県名古屋市熱田区）
- 年月日
  2016-08-09
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Growth of In2O3 by Halide Vapor Phase Epitaxy2016
- 著者名/発表者名
  Shiyu. Numata, Rie Togashi, Ken Goto, Hisashi Murakami, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, and Yoshinao Kumagai
- 学会等名
  The 4th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications ’16 (LEDIA ’16)
- 発表場所
  Pacifico Yokohama, Japan
- 年月日
  2016-05-19
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K04944
[学会発表] HVPE法によるn形AlNバルク基板作製の検討2016
- 著者名/発表者名
  熊谷義直，富樫理恵，山本玲緒，永島徹，木下亨，村上尚，Monemar Bo，纐纈明伯
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会第145回研究会
- 発表場所
  名古屋大学東山キャンパス（愛知県名古屋市千種区）
- 年月日
  2016-06-03
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] Recent Progress in the Growth of AlN by HVPE on Native AlN Substrates2016
- 著者名/発表者名
  T. Kinoshita, T. Nagashima, T. Obata, R. Togashi, R. Schlesser, R. Collazo, A. Koukitu, Y. Kumagai and Z. Sitar
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN 2016)
- 発表場所
  Hilton Orlando Lake Buena Vista, Orlando, FL, U.S.A.
- 年月日
  2016-10-04
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] ハライド気相成長法によるc-In2O3の高温成長2016
- 著者名/発表者名
  沼田至優，富樫理恵，林田真由子，須賀隆之，後藤健，倉又朗人，山腰茂伸，Plamen Paskov，Bo Monemar，熊谷義直
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会第5回結晶工学未来塾
- 発表場所
  東京農工大学小金井キャンパス（東京都小金井市）
- 年月日
  2016-11-07
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-16H06417
[学会発表] Growth of AlN substrates by hydride vapor phase epitaxy for opto-electronic devices2016
- 著者名/発表者名
  T. Kinoshita, T. Nagashima, T. Obata, R. Togashi, Y. Kumagai, R. Schlesser, R. Collazo, A. Koukitu, Z. Sitar
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
- 発表場所
  Nagoya Congress Center（愛知県名古屋市熱田区）
- 年月日
  2016-08-10
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] HVPE法AlN単結晶基板表面のSi蓄積の原因調査および制御の検討2016
- 著者名/発表者名
  佐藤圭介，寺尾真人，三井太朗，山本玲緒，富樫理恵，永島徹，木下亨，Baxter Moody，村上尚，Ramon Collazo，纐纈明伯，Bo Monemar，Zlatko Sitar，熊谷義直
- 学会等名
  応用物理学会結晶工学分科会第5回結晶工学未来塾
- 発表場所
  東京農工大学小金井キャンパス（東京都小金井市）
- 年月日
  2016-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] HVPE growth of AlN substrates for opto-electronic applications2015
- 著者名/発表者名
  Toru Kinoshita, Toru Nagashima, Toshiyuki Obata, Shinya Takashima, Reo Yamamoto, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Raoul Schlesser, Ramon Collazo, Akinori Koukitu, and Zlatko Sitar
- 学会等名
  The 2015 E-MRS Fall Meeting and Exhibit
- 発表場所
  Warsaw University of Technology, Warsaw, Poland
- 年月日
  2015-09-16
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] Fabrication of vertical Schottky barrier diodes on n-type freestanding AlN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy2015
- 著者名/発表者名
  R. Yamamoto, T. Kinoshita, T. Nagashima, T. Obata, S. Takashima, R. Togashi, Y. Kumagai, R. Schlesser, R. Collazo, A. Koukitu, and Z. Sitar
- 学会等名
  The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
- 発表場所
  Act City Hamamatsu（静岡県浜松市）
- 年月日
  2015-11-10
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] HVPE法によるn型AlN基板作製と縦型ショットキーダイオードへの適用2015
- 著者名/発表者名
  山本玲緒，木下亨，永島徹，小幡俊之，高島信也，富樫理恵，熊谷義直，Raoul Schlesser，Ramon Collazo，纐纈明伯，Zlatko Sitar
- 学会等名
  第76回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  名古屋国際会議場（愛知県名古屋市）
- 年月日
  2015-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] HVPE法によるSiドープn形AlN基板作製と縦型ショットキーバリアダイオード試作への適用2015
- 著者名/発表者名
  寺尾真人，山本玲緒，木下亨，永島徹，小幡俊之，高島信也，富樫理恵，村上尚，Raoul Schlesser，Ramon Collazo，纐纈明伯，Bo Monemar，Zlatko Sitar，熊谷義直
- 学会等名
  第45回結晶成長国内会議（NCCG-45）
- 発表場所
  北海道大学学術交流会館（北海道札幌市）
- 年月日
  2015-10-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15H03555
[学会発表] Demonstration of high-speed growth of InN by HVPE with a two-step precursor generation scheme2013
- 著者名/発表者名
  Naoto Fujita, Ryota Imai, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  Doshisha University, Kyoto, Japan(17p-M6-3.)
- 年月日
  2013-09-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] High-Speed InN Growth Using a Novel Two-Stage Source Generation Hydride Vapor Phase Epitaxy System2013
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Naoto Fujita, Ryota Imai, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII)
- 発表場所
  Kloster Seeon, Seeon, Germany
- 年月日
  2013-10-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] Temperature Dependence of InN Growth by a Novel HVPE System with Two-Step Generation of InCl_32013
- 著者名/発表者名
  Naoto Fujita, Ryota Imai, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Gaylord National Resort & Convention Center, Washington, D.C., U.S.A.(A1.05.)
- 年月日
  2013-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] Comparative Study on High-Speed InN Growth in Both In- and N-Polarities Using a Two-Stage Source Generation Hydride Vapor Phase Epitaxy System2013
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Naoto Fujita, Ryota Imai, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Gaylord National Resort & Convention Center, Washington, D.C., U.S.A.(A1.04.)
- 年月日
  2013-08-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] High-Speed Growth of In- and N-polarity InN Using a Two-Stage Source Generation Hydride Vapor Phase Epitaxy System2013
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Naoto Fujita, Ryota Imai, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  Conference on LED and its industrial application '13 (LEDIA '13)
- 発表場所
  Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan(LEDp3-15.)
- 年月日
  2013-04-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] Effect of high NH_3 input partial pressure on hydride vapor phase epitaxy of InN using nitrided (0001) sapphire substrates2012
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Sho Yamamoto, Fredrik Karlsson, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Per-Olof Holtz, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan(TuP-GR-55.)
- 年月日
  2012-10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] High-Speed Growth of InN Using a Two-Stage Source Generation HVPE System2012
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Ryota Imai, Sho Yamamoto, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Tohoku University, Sendai, Japan
- 年月日
  2012-10-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] HVPE growth of InN on InN/sapphire (0001) templates prepared by MBE2012
- 著者名/発表者名
  Ryota Imai, Sho Yamamoto, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Tomohiro Yamaguchi, Tsutomu Araki, Yasushi Nanishi, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan(TuP-GR-60.)
- 年月日
  2012-10-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] HVPE法によるInN/sapphire(0001)テンプレート上InN高速成長の検討2011
- 著者名/発表者名
  山本翔, 東川義弘, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 山口智弘, 荒木努, 名西やすし, 纐纈明伯
- 学会等名
  第3回　窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  九州大学　筑紫キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] HVPE法によるInN/sapphire(0001)MBEテンプレート上へのInN成長の検討2011
- 著者名/発表者名
  山本翔, 東川義弘, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 山口智弘, 荒木努, 名西やすし, 纐纈明伯
- 学会等名
  第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)
- 発表場所
  つくば国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] InN/sapphire(0001)MBEテンプレート上へのInN HVPEにおける成長速度の影響2011
- 著者名/発表者名
  山本翔,東川義弘,富樫理恵,村上尚,熊谷義直,山口智弘,荒木努,名西やすし,纐纈明伯
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学小白川キャンパス(30a-ZE-12.)
- 年月日
  2011-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] InN/sapphire(0001)MBEテンプレート上へのInN HVPEにおける成長速度の影響2011
- 著者名/発表者名
  山本翔, 東川義弘, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 山口智弘, 荒木努, 名西やすし, 纐纈明伯
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学　小白川キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] Temperature Dependence of InN Growth by a Novel HVPE System with Two-Step Generation of InCl3
- 著者名/発表者名
  Naoto Fujita, Ryota Imai, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Gaylord National Resort & Convention Center, Washington, D.C., U.S.A.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] Improvement of crystalline and optical properties of InN grown on nitrided (0001) sapphire with high NH3 input partial pressures by HVPE
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, S. Yamamoto, K. F. Karlsson, H. Murakami, Y. Kumagai, P. O. Holtz, A. Koukitu
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学文京キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] Comparative Study on High-Speed InN Growth in Both In- and N-Polarities Using a Two-Stage Source Generation Hydride Vapor Phase Epitaxy System
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Naoto Fujita, Ryota Imai, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
- 学会等名
  10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
- 発表場所
  Gaylord National Resort & Convention Center, Washington, D.C., U.S.A.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] 前駆体二段階生成HVPE法によるIn, N各極性InN高速成長の比較検討
- 著者名/発表者名
  斉藤広伸, 藤田直人，今井亮太，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
- 発表場所
  長野市生涯学習センター
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] Demonstration of high-speed growth of InN by HVPE with a two-step precursor generation scheme
- 著者名/発表者名
  Naoto Fujita, R. Imai, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  2013 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  Doshisha University, Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] HVPE growth of InN on InN/sapphire (0001) templates prepared by MBE
- 著者名/発表者名
  Ryota Imai, Sho Yamamoto, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Tomohiro Yamaguchi, Tsutomu Araki, Yasushi Nanishi, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] 前駆体二段階生成HVPE法により作製したInN成長層の特性評価
- 著者名/発表者名
  富樫理恵, 斉藤広伸，藤田直人，今井亮太，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] HVPE法を用いたsapphire(0001)基板上InN成長におけるNH3供給分圧依存性
- 著者名/発表者名
  富樫理恵，山本翔，K. F. Karlsson，村上尚，熊谷義直，P. O. Holtz，纐纈明伯
- 学会等名
  第42回結晶成長国内会議（NCCG-42）
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] GaN自立基板上InNハイドライド気相成長における基板極性の影響
- 著者名/発表者名
  富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
- 学会等名
  第4回窒化物半導体結晶成長講演会(プレIWN2012講演会)
- 発表場所
  東京大学生産技術研究所 An棟　コンベンションホール
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] High-Speed InN Growth on Yttria-Stabilized Zirconia (111) Substrates by a Two-Step Precursor Generation HVPE System
- 著者名/発表者名
  C. Kojima, R. Togashi, R. Imai, N. Fujita, H. Saito, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  Conference on LED and its industrial application '14 (LEDIA ’14)
- 発表場所
  Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] High-Speed InN Growth Using a Novel Two-Stage Source Generation Hydride Vapor Phase Epitaxy System
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, N. Fujita, R. Imai, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII)
- 発表場所
  Kloster Seeon, Seeon, Germany
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] 2段階原料生成HVPE法によるGaN/sapphire(0001)テンプレート上InN成長
- 著者名/発表者名
  今井亮太，山本翔，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  第42回結晶成長国内会議（NCCG-42）
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] High-Speed Growth of InN Using a Two-Stage Source Generation HVPE System
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, R. Imai, S. Yamamoto, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
- 学会等名
  Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors
- 発表場所
  Tohoku University, Sendai, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] 前駆体二段階生成HVPE装置を用いたIn極性およびN極性InN成長の比較検討
- 著者名/発表者名
  斉藤広伸，藤田直人，今井亮太，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第5回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  大阪大学銀杏会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] 前駆体二段階生成HVPE法によるInNの高速成長の実現
- 著者名/発表者名
  藤田直人，斉藤広伸，今井亮太，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第5回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  大阪大学銀杏会館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] 前駆体二段階生成HVPE法によるIn極性およびN極性InNの高速成長
- 著者名/発表者名
  斉藤広伸, 藤田直人，今井亮太，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  第74回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  同志社大学京田辺キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] High-speed growth of InN over 10 μm/h by a novel HVPE system
- 著者名/発表者名
  N. Fujita, R. Imai, H. Saito, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  Conference on LED and its industrial application '13 (LEDIA ’13)
- 発表場所
  Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] 前駆体二段階生成HVPE法によるInN成長の温度依存性
- 著者名/発表者名
  藤田直人, 斉藤広伸，今井亮太，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
- 発表場所
  長野市生涯学習センター
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] Effect of high NH3 input partial pressure on hydride vapor phase epitaxy of InN using nitrided (0001) sapphire substrates
- 著者名/発表者名
  Rie Togashi, Sho Yamamoto, Fredrik Karlsson, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Per-Olof Holtz, and Akinori Koukitu
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
- 発表場所
  Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] High-Speed Growth of In- and N-polarity InN Using a Two-Stage Source Generation Hydride Vapor Phase Epitaxy System
- 著者名/発表者名
  R. Togashi, N. Fujita, R. Imai, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
- 学会等名
  Conference on LED and its industrial application '13 (LEDIA ’13)
- 発表場所
  Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006
[学会発表] ２段階原料生成機構を有する新規HVPE法によるInNの高速成長の検討
- 著者名/発表者名
  今井亮太，山本翔，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  松山大学文京キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760006

1. 山口智広 (50454517)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 11件
2. 熊谷義直 (20313306)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 47件
3. 村上尚 (90401455)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 24件
4. 岸野克巳 (90134824)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 36件
5. 今西正幸 (00795487)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 5件
6. 後藤健 (50572856)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 24件
7. 小西敬太 (50805257)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
8. 野村一郎 (00266074)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
9. 大音隆男 (20749931)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 23件
10. 宇佐美茂佳 (30897947)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
11. 佐々木拓生 (90586190)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. Sitar Zlatko

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 13件
13. 木下亨

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 13件
14. Tuomisto Filip

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 岡本晃一

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

富樫 理恵 Togashi Rie

研究課題

研究成果

共同研究者

赤色発光素子応用に資するInGaNマトリクスの構造制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

水ガスを用いた原料分子種生成制御反応の解明による高品質酸化インジウム結晶の創出研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

毒性ガスフリーのOVPE法による高品質酸化ガリウム結晶成長技術

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

新規原料分子種生成メカニズムの解明による高純度酸化ガリウム半導体結晶の創出研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ナノコラム結晶による三原色集積型発光デバイスの革新

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

完全非水素系・水素系成長の比較による酸化ガリウム結晶成長へ水素が与える影響の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

化学平衡・非平衡制御による特異構造のボトムアップ創製

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

バルク窒化アルミニウム結晶の点欠陥形成メカニズム解明によるｎ形導電性結晶の創出

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

窒化インジウムバルク結晶成長に向けた選択的な原料分子種生成メカニズムの解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Photonic band characterization in InGaN/GaN nanocolumn arrays with triangular and honeycomb lattices by angle-resolved micro-photoluminescence measurements2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Comparison of surface plasmon polariton characteristics of Ag- and Au-based InGaN/GaN nanocolumn plasmonic crystals2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Investigation of halide vapor phase epitaxy of In2O3 on sapphire (0001) substrates2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Comparison of O2 and H2O as oxygen source for homoepitaxial growth of beta-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy2018

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] High rate growth of In2O3 at 1000℃ by halide vapor phase epitaxy2016

著者名/発表者名

富樫理恵 Togashi Rie