ムカンナンアリバナンドハン Mukannan, Arivanandhan

… 別表記

MUKANNAN ARIVANANDHA

研究者番号	50451620
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2010年度 – 2016年度: 静岡大学, 電子工学研究所, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者結晶工学 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外金属・資源生産工学 / 電子・電気材料工学 / 金属生産工学
キーワード	研究代表者ドーピング / 寿命 / シリコンゲンルニウム / シリコン / 太陽電池 / X線透過法 / 酸素析出物 / 欠陥密度 / 格子間酸素濃度 / ガリウム添加 / 結晶欠陥密度 / 少数キャリア寿命 / シリコンゲルマニウム … もっと見る研究代表者以外 … もっと見る結晶成長 / 結晶工学 / 成長速度 / 面方位依存性 / 界面カイネティクス / 不純物縞 / InGaSb / 均一組成結晶 / 対流制御 / 溶質輸送効果 / ガリウム / 混晶半導体 / 性能指数 / 熱伝導率 / ゼーベック係数 / マグネシウムシリコンゲルマニウム / 熱電特性 / X線透過法 / 溶質輸送 / 温度差徐冷法 / 不純物添加 / シリコンゲルマニウム / 熱電デバイス / 応用光学・量子光工学 / 電子・電気材料 / 超精密計測 / 量子光工学 / 応用光学隠す

高効率太陽電池作製のためのGe添加によるn型Si欠陥制御研究代表者
- 研究代表者
  
  ムカンナンアリバナンドハン
- 研究期間 (年度)
  2014
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  静岡大学
タンデム型熱電セル作製のための高品質混晶半導体結晶成長と溶質輸送効果の解明
- 研究代表者
  
  早川泰弘
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  静岡大学
対流制御による高品質InGaSb結晶の育成
- 研究代表者
  
  稲富裕光
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  金属・資源生産工学
- 研究機関
  国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構
InGaSbおよびInGaAsの溶液成長における結晶面方位依存性の解明
- 研究代表者
  
  稲富裕光
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  金属生産工学
- 研究機関
  独立行政法人宇宙航空研究開発機構
高効率太陽電池用高品質基板材料の新規作成法研究代表者
- 研究代表者
  
  ムカンナンアリバナンドハン
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2011
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  静岡大学

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すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] 国際宇宙ステーションでの結晶成長実験に関する溶融InGaSbの粘度測定2013
- 著者名/発表者名
  阪田薫穂, 向井碧, Govindasamy Rajesh，Mukannan Arivanandan, 稲富裕光, 石川毅彦, 早川泰弘
- 雑誌名
  
  熱物性
  
  巻: 27 ページ: 152-156
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289270
[雑誌論文] Impact of Ge codoping on the enhancement of minority carrier lifetime in B-doped Czochralski grown Si2012
- 著者名/発表者名
  Mukannan Arivan and han, Raira Gotoh, Tatsuro Watahiki, Kozo Fujiwara, Yashiro Hayakawa, Satoshi Uda, Makoto Konagai
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 111 ページ: 43707-43707
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760005
[雑誌論文] Growth of Homogeneous Mg2Si1-xGex Crystals for Thermoelectric Application2011
- 著者名/発表者名
  Yasuhiro Hayakawa, Mukannan Arivanandhan, Yosuke Saito, Tadanobu Koyama, Yoshimi Momose, Hiroya Ikeda, Akira Tanaka, Cuilian Wen, Yoshihiro Kubota, Tamotsu Nakamura, Dinesh Kumar Aswal, Shovit Bhattachary, Yuko Inatomi and Hirokazu Tatsuoka
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 519 ページ: 8532-8537
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760005
[雑誌論文] The impact of Ge codoping on grown-in O precipitates in Ga doped Czochralski-silicon2011
- 著者名/発表者名
  Mukannan Arivanandhan, Raira Gotoh, Kozo Fujiwara, Tetsuo Ozawa, Yasuhiro Hayakawa, Satoshi Uda
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth
  
  巻: 321 ページ: 24-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760005
[学会発表] Growth and Dissolution Rates of InGaSb Crystal under Reduced Convection Condition”2016
- 著者名/発表者名
  Yuko Inatomi, Velu Nirmal Kumar, Mukannan Arivanandhan, Govindasamy Rajesh, Kaoruho Sakata, Tadanobu Koyama, Yoshimi Momose, Yasunori Okano and Yasuhiro Hayakawa
- 学会等名
  11th Asian Microgravity Symposium (AMS 2016)
- 発表場所
  Hokkaido University, Sapporo, Japan
- 年月日
  2016-10-25
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289270
[学会発表] Morphological change of S/L interface in semiconductor solution growth under reduced convection condition2015
- 著者名/発表者名
  Yuko Inatomi, Mukannan Arivanandhan, Velu Nirmal Kumar, Haryo Mirsandi, Tadanobu Koyama, Yoshimi Momose, Tetsuo Ozawa, Takehiko Ishikawa, Yasunori Okano, Yasuhiro Hayakawa
- 学会等名
  The 30th International Symposium on Space Technology and Science (30th ISTS)
- 発表場所
  Kobe International Conference Center, Kobe, Japan
- 年月日
  2015-07-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289270
[学会発表] INGASB ALLOY SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWTH UNDER REDUCED CONVECTION CONDITION2013
- 著者名/発表者名
  Yuko Inatomi, Kaoruho Sakata, Mukannan Arivanandhan, Govindasamy Rajesh, Yasuhiro Hayakawa, Akira Tanaka, Tetsuo Ozawa, Yasunori Okano, Takehiko Ishikawa, Masahiro Takayanagi
- 学会等名
  ELGRA Biennial Symposium and General Assembly
- 発表場所
  Rome, Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289270
[学会発表] ISSにおけるAlloy Semiconductorプロジェクトの現状2013
- 著者名/発表者名
  稲富裕光, 阪田薫穂，早川泰弘，石川毅彦, Mukannan Arivanandan, Govindasamy Rajesh，小山忠信, 百瀬与志美, 田中昭，小澤哲夫, 岡野泰則, 高柳昌弘, 上垣内茂樹
- 学会等名
  日本マイクログラビティ応用学会第26回学術講演会
- 発表場所
  芝浦工業大学, 東京都江東区
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289270
[学会発表] Japanese Crystal Growth Research on International Space Station2013
- 著者名/発表者名
  Yuko Inatomi, Yasuhiro Hayakawa, Mukannan Arivanandhan, Kyoichi Kinoshita, Yasutomo Arai, Izumi Yoshizaki, Masahiro Takayanagi
- 学会等名
  The 15th Takayanagi Kenjiro memorial symposium
- 発表場所
  Shizuoka University, Japan
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289270
[学会発表] 微小重力場でのInxGa1-xSb結晶成長解析に関する熱物性測定2013
- 著者名/発表者名
  阪田薫穂, 向井碧, Govindasamy Rajesh, Mukannan Arivanandhan, 稲富裕光, 石川毅彦, 早川泰弘
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360316
[学会発表] 国際宇宙ステーションでの結晶成長実験に関する溶融InxGa1-xSbの粘度測定2012
- 著者名/発表者名
  阪田薫穂, 向井碧, Govindasamy Rajesh, Mukannan Arivanandhan, 稲富裕光, 石川毅彦, 早川泰弘,
- 学会等名
  第33回日本熱物性シンポジウム
- 発表場所
  大阪府立大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360316
[学会発表] Current Status of Crystal Growth Experiment of InGaSb Alloy Semiconductor in ISS2012
- 著者名/発表者名
  Yuko Inatomi, Kaoruho Sakata, Yasuhiro Hayakawa, Takehiko Ishikawa, Mukannan Arivanandhan, Govindasamy Rajesh, Tadanobu Koyama, Yoshimi Momose, Krishnasamy Sankaranarayanan, Akira Tanaka, Tetsuo Ozawa, Yasunori Okano, Masahiro Takayanagi, Shinichi Yoda, and Yoshinori Yoshimura
- 学会等名
  39th COSPAR Scientific Assembly (COSPAR-2012) in Mysore
- 発表場所
  Mysore, India
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360316
[学会発表] 国際宇宙ステーションでの多元系半導体InGaSb結晶成長実験に向けた熱物性測定2012
- 著者名/発表者名
  阪田薫穂, 向井碧, Govindasamy Rajesh, Mukannan Arivanandhan, 稲富裕光, 石川毅彦, 早川泰弘
- 学会等名
  日本マイクログラビティ応用学会第26回学術講演会
- 発表場所
  九州大学西新プラザ
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360316
[学会発表] Improvement of photovoltaic characteristics of B-doped CZ-Si by Gecodoping2011
- 著者名/発表者名
  Mukannan Arivanandhan, Raira Gotoh, Tatsuro Watahiki, KozoFujiwara, Satoshi Uda, YasuhiroHayakawa, Makoto Konagai
- 学会等名
  41^<st> National Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- 年月日
  2011-11-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760005
[学会発表] Investigation of solute transport mechanism in GaSb/InSb/GaSb sandwich structure under 1G and 10^<-4> Gconditions by in-situ X-ray penetration and numerical methods2011
- 著者名/発表者名
  Govindasamy Rajesh, Mukannan Arivanandhan, Natsuki Suzuki, Hisashi Morii, ToruAoki, Tadanobu Koyama, Yoshimi Momose, Akira Tanaka, Youhei Takagi, Yasunori Okano, Tetsuo Ozawa, YukoInatomi, Yasuhiro Hayakawa
- 学会等名
  41^<st> National Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- 年月日
  2011-11-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760005
[学会発表] Semiconductor alloy crystals under microgravity conditions2010
- 著者名/発表者名
  Yasuhiro Hayakawa, Mukannan Arivanandhan, Govindasamy Rajesh, Akira Tanaka, Tetsuo Ozawa, Yasunori Okano, Krishnasamy Sankaranarayanan, Yuko Inatomi
- 学会等名
  International Conference on Physics of Emerging Functional Materials(PEFM 2010)
- 発表場所
  BARC, India
- 年月日
  2010-09-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760005
[学会発表] Ge共添加によるGa添加CZ-Si単結晶の偏析現象の解析および特性の改善2010
- 著者名/発表者名
  後藤頼良、Mukannan Arivanandhan、藤原航三、宇田聡
- 学会等名
  日本金属学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学(札幌)
- 年月日
  2010-09-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760005
[学会発表] Growth of Homogeneous Mg2Si1-xGexCrystals for Thermoelectric Application2010
- 著者名/発表者名
  Mukannan Arivanandhan, Yosuke Saito, Tadanobu Koyama, Yoshimi Momose, Wen, Yoshihiro Kubota, Tamotsu Nakamura, Dinesh Kumar Aswal, Shovit Bhattachary, Yuko Inatomi and Hirokazu Tatsuoka
- 学会等名
  Asia-Pacific conference on semiconducting silicides and related to materials Science and Technology towards sustainable optoelectronics(APAC-SILICIDE 2010)
- 発表場所
  Tsukuba, Japan
- 年月日
  2010-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22760005
[学会発表] InGaSb混晶半導体結晶成長に対する重力効果―国際宇宙ステーション実験―
- 著者名/発表者名
  早川泰弘, Mukannan Arivanandhan, Velu Niramal Kumar, Govindasamy Rajesh, 小山忠信, 百瀬与志美, 稲富裕光, 阪田薫穂, 石川毅彦, 高柳昌弘, 上垣内茂樹, 小澤哲夫, 岡野泰則
- 学会等名
  第44回結晶成長国内会議
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館, 東京都豊島区
- 年月日
  2014-11-06 – 2014-11-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289270
[学会発表] 高効率熱電変換デバイス用SiGe混晶のゼーベック係数
- 著者名/発表者名
  池田浩也、ベラッパンマニムス、ムスサミオムプラカシュ、鈴木悠平、ファイズサレ、ムカンナンアリバナンドハン、鎌倉良成、早川泰弘
- 学会等名
  電子情報通信学会SDM研・ED研合同2月研究会「機能ナノデバイスおよび関連技術」
- 発表場所
  北海道大学・百年記念会館、北海道札幌市
- 年月日
  2015-02-05 – 2015-02-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289087
[学会発表] InGaSb結晶成長に対する重力効果 ―国際宇宙ステーション内の微小重力下と1G下実験―
- 著者名/発表者名
  Velu Niramal Kumar, Mukannan Arivanandhan, Govindasamy Rajesh, 小山忠信, 百瀬与志美, 稲富裕光, 阪田薫穂, 石川毅彦, 高柳昌弘, 上垣内茂樹, 小澤哲夫, 岡野泰則, 早川泰弘
- 学会等名
  日本マイクログラビティ応用学会第26回学術講演会
- 発表場所
  イーグレ姫路, 兵庫県姫路市
- 年月日
  2014-11-26 – 2014-11-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289270
[学会発表] First Experiment of Alloy Semiconductor Project in ISS
- 著者名/発表者名
  Yuko Inatomi, Kaoruho Sakata, Yasuhiro Hayakawa, Takehiko Ishikawa, Mukannan Arivanandhan, Govindasamy Rajesh, Tadanobu Koyama, Yoshimi Momose, Krishnasamy Sankaranarayanan, Akira Tanaka, Tetsuo Ozawa, Yasunori Okano, Masahiro Takayanagi, Shinichi Yoda, and Y. Kamigaichi
- 学会等名
  40th COSPAR Scientific Assembly (COSPAR MOSCOW 2014)
- 発表場所
  Moscow, Russia
- 年月日
  2014-08-02 – 2014-08-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289270
[学会発表] 基板貼り合わせ法で作製したp 型GOI 層のゼーベック係数
- 著者名/発表者名
  池田浩也、ベラッパンマニムス、ムスサミオムプラカシュ、鈴木悠平、ファイズサレ、ムカンナンアリバナンドハン、鎌倉良成、早川泰弘
- 学会等名
  第62回応用物理学春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学湘南キャンパス、神奈川県平塚市
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25289087

1. 稲富裕光 (50249934)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
2. 早川泰弘 (00115453)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 15件
3. 木下恭一 (10358749)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 阪田薫穂 (80514215)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
5. 立岡浩一 (40197380)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 池田浩也 (00262882)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
7. 岡野泰則 (90204007)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 稲富祐光

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 13件

ムカンナン アリバナンドハン Mukannan, Arivanandhan

MUKANNAN ARIVANANDHA

研究課題

研究成果

共同研究者

高効率太陽電池作製のためのGe添加によるn型Si欠陥制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

タンデム型熱電セル作製のための高品質混晶半導体結晶成長と溶質輸送効果の解明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

対流制御による高品質InGaSb結晶の育成

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

InGaSbおよびInGaAsの溶液成長における結晶面方位依存性の解明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

高効率太陽電池用高品質基板材料の新規作成法研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] 国際宇宙ステーションでの結晶成長実験に関する溶融InGaSbの粘度測定2013

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Impact of Ge codoping on the enhancement of minority carrier lifetime in B-doped Czochralski grown Si2012

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Growth of Homogeneous Mg2Si1-xGex Crystals for Thermoelectric Application2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] The impact of Ge codoping on grown-in O precipitates in Ga doped Czochralski-silicon2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[学会発表] Growth and Dissolution Rates of InGaSb Crystal under Reduced Convection Condition”2016

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] Morphological change of S/L interface in semiconductor solution growth under reduced convection condition2015

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] INGASB ALLOY SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWTH UNDER REDUCED CONVECTION CONDITION2013

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] ISSにおけるAlloy Semiconductorプロジェクトの現状2013

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] Japanese Crystal Growth Research on International Space Station2013

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] 微小重力場でのInxGa1-xSb結晶成長解析に関する熱物性測定2013

著者名/発表者名

ムカンナンアリバナンドハン Mukannan, Arivanandhan