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竹内 日出雄  TAKEUCHI Hideo

… 別表記

竹内日 出雄  TAKEUCHI Hideo

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研究者番号 50512779
その他のID
  • ORCIDhttps://orcid.org/0000-0002-8073-3233
所属 (現在) 2025年度: 大阪公立大学, 大学院工学研究科 , 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2012年度: 滋賀県立大学, 工学部, 准教授
2011年度: 滋賀県立大学, 工学部・電子システム工学科, 准教授
2010年度: 滋賀県立大学, 工学部, 准教授
審査区分/研究分野
研究代表者
応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者
GaAsエピタキシャル膜 / 光変調反射分光 / プラズモン / コヒーレント縦光学フォノン / 超高速現象 / テラヘルツ電磁波 / 光物性
  • 研究課題

    (1件)
  • 研究成果

    (41件)
  •  半導体物性物理に基づいた周波数バンド可変テラヘルツ電磁波素子構造設計原理構築研究代表者

    • 研究代表者
      竹内日 出雄 (竹内 日出雄)
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2012
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      滋賀県立大学

すべて 2013 2012 2011 2010 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 図書 その他

  • [図書] Wave Propagation Chapter 6 Terahertz Electromagnetic Waves from Semiconductor Epitaxial Layer Structures : Small Energy Phenomena with a Large Amount of Information2011

    • 著者名/発表者名
      Hideo Takeuchi
    • 総ページ数
      26
    • 出版者
      INTECH
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [図書] Wave Propagation, "Terahertz Electromagnetic Waves from Semiconductor Epitaxial Layer Structures: Small Energy Phenomena with a Large Amount of Information2011

    • 著者名/発表者名
      H. Takeuchi
    • 出版者
      INTEC
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [雑誌論文] Enhancement effects on excitonic photoluminescence intensity originating from misaligned crystal blocks and polycrystalline grains in a ZnO wafer2013

    • 著者名/発表者名
      Hideo Takeuchi
    • 雑誌名

      The European Physical Journal B

      巻: 80 号: 2

    • DOI

      10.1140/epjb/e2012-30502-7

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [雑誌論文] Photogenerated-carrier-induced band bending effects on generation of a coherent longitudinal optical phonon in a GaAs buffer layer optically masked by a GaSb top epitaxial layer2012

    • 著者名/発表者名
      Hideo Takeuchi
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C

      巻: 9 号: 12 ページ: 2610-2613

    • DOI

      10.1002/pssc.201200160

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010, KAKENHI-PROJECT-24656018
  • [雑誌論文] Photogenerated-carrier-induced band bending effects on generation of a coherent longitudinal optical phonon in a GaAs buffer layer optically masked by a GaSb top epitaxial layer2012

    • 著者名/発表者名
      H. Takeuchi, S. Tsuruta, and M. Nakayama
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C 9

      巻: C9 ページ: 2610-2613

    • URL

      http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201200160

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [雑誌論文] Intense monochromatic terahertz electromagnetic waves from coherent GaAs-like longitudinal optical phonons in (11n)-oriented GaAs/In0.1Al0.9As strained multiple quantum wells2012

    • 著者名/発表者名
      H. Takeuchi, S.Asai, S. Tsuruta, and M,Nakayama
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 100 ページ: 2421071-4

    • URL

      http://dx.doi.org/10.1016/j.phpro.2012.03.687

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [雑誌論文] Dynamical characteristicsof a coherent longitudinal optical phonon in a GaAs buffer layer optically covered with a GaSb top epitaxial layer investigated with use of terahertz spectroscopy2012

    • 著者名/発表者名
      H. Takeuchi, S. Tsuruta, and M. Nakayama
    • 雑誌名

      AIP Conference Proceedings

      巻: 1506 ページ: 73-78

    • URL

      http://link.aip.org/link/doi/10.1063/1.4772529

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [雑誌論文] Time evolution of terahertz electromagnetic waves from undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures clarified with use of a time-partitioning Fourier transform method2012

    • 著者名/発表者名
      H. Takeuchi, S. Tsuruta, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama
    • 雑誌名

      Physic Procedia

      巻: 29 ページ: 30-35

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [雑誌論文] Frequency-tunable terahertz electro- magnetic wave emitters based on undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures utilizing sub-picosecond- range carrier-transport processes2011

    • 著者名/発表者名
      H. Takeuchi, J. Yanagisawa, S. Tsuruta, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama
    • 雑誌名

      Journal of Luminescence

      巻: 131 ページ: 531-534

    • URL

      http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2010.09.022

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [雑誌論文] Simple strategy for enhancing terahertz emission from coherent longitudinal optical phonons using undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures2011

    • 著者名/発表者名
      H. Takeuchi, J. Yanagisawa, S. Tsuruta, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C8

      巻: C8 ページ: 343-345

    • URL

      http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201000396

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [雑誌論文] Emission of the terahertz electro- magneticwave fromcoherent longitudinal optical phonons in a GaAs buffer layer opticallymaskedby a GaSb top epitaxial layer2011

    • 著者名/発表者名
      H. Takeuchi, S. Tsuruta, and M. Nakayama
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 98 ページ: 1519051-3

    • URL

      http://dx.doi.org/10.1063/1.3574541

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [雑誌論文] (11n)面方位GaAs/InAlAs歪み多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンからの高強度テラヘルツ電磁波2011

    • 著者名/発表者名
      浅井聡太, 鶴田修一, 竹内日出雄, 中山正昭
    • 雑誌名

      第22回光物性研究会論文集

      巻: 22 ページ: 109-112

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [雑誌論文] Frequency-tunable terahertz electromagnetic wave emitters based on undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures utilizing sub-picosecond-range carrier-transport processes2011

    • 著者名/発表者名
      H.Takeuchi, J.Yanagisawa, S.Tsuruta, H.Yamada, M.Hata, M.Nakayama
    • 雑誌名

      Journal of Luminescence

      巻: 131 ページ: 531-534

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [雑誌論文] Detection of a coherent longitudinal optical phonon in a GaAs buffer layer optically covered with a GaSb top epitaxial layer using terahertz electromagnetic wave spectroscopy2011

    • 著者名/発表者名
      H. Takeuchi, S. Tsuruta, and M. Nakayama
    • 雑誌名

      AIP Conference Proceedings

      巻: 1416 ページ: 84-87

    • URL

      http://dx.doi.org/10.1063/1.3603046

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [雑誌論文] Terahertz spectroscopy of dynamics of coupling between the coherent longitudinal optical phonon and plasmon in the surge current of instantaneously photogenerated carriers flowing through the i-GaAs layer of an i-GaAs/n-GaAs epitaxial structure2011

    • 著者名/発表者名
      H. Takeuchi, S. Tsuruta, and M. Nakayama
    • 雑誌名

      JournalofApplied Physics

      巻: 110 ページ: 135151-6

    • NAID

      120006500970

    • URL

      http://dx.doi.org/10.1063/1.3603046

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [雑誌論文] Simple strategy for enhancing terahertz emission from coherent longitu dinal optical phonons using undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures2011

    • 著者名/発表者名
      H.Takeuchi, J.Yanagisawa, S.Tsuruta, H.Yamada, M.Hata, M.Nakayama.
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C

      巻: 8 ページ: 343-345

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [雑誌論文] GaSb/GaAsエピタキシャル構造の遮光されたGaAs緩衝層におけるコヒーレント縦光学フォノンからのテラヘルツ分光2011

    • 著者名/発表者名
      竹内日出雄, 鶴田修一, 中山正昭
    • 雑誌名

      第22回光物性研究会論文集

      巻: 22 ページ: 105-108

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [雑誌論文] Frequency shift of terahertz electromagnetic waves originating from sub-picosecond-range carrier transport in undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures2010

    • 著者名/発表者名
      H.Takeuchi, J.Yanagisawa, S.Tsuruta, H.Yamada, M.Hata, M.Nakayama
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 49

    • NAID

      40017253776

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [学会発表] GaSb/GaAsエピタキシャル構造におけるコヒーレント縦光学フォノン緩和過程のテラヘルツ分光2012

    • 著者名/発表者名
      竹内日出雄
    • 学会等名
      日本物理学会2012年秋季大会
    • 発表場所
      横浜国立大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [学会発表] Photogenerated-carrier-induced band bending effects on generation of a coherent longitudinal optical phonon in a GaAs buffer layer optically masked by a GaSb top epitaxial layer2012

    • 著者名/発表者名
      H.Takeuchi
    • 学会等名
      The 5th International Conference on Optical, Optelectronics, and Photonic Materials and Application (ICOOPMA)
    • 発表場所
      Nara Prefectural New Public Hall, Nara, Japan.
    • 年月日
      2012-06-03
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [学会発表] Dynamical Characteristics of a Coherent Longitudinal Optical Phonon in a GaAs Buffer Layer Optically Covered with a GaSb Top Epitaxial Layer Investigated with Use of Terahertz Spectroscopy2012

    • 著者名/発表者名
      Hideo Takeuchi
    • 学会等名
      PHONONS 2012: XIV International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter
    • 発表場所
      Ann Arbor, MI USA
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [学会発表] GaSb/GaAsエピタキシャル構造において同時観測されたGaAsとGaSbのコヒーレントLOフォノンダイナミクスのテラヘルツ分光2012

    • 著者名/発表者名
      竹内日出雄
    • 学会等名
      第23回光物性研究会
    • 発表場所
      大阪市立大学・学術総合センター
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [学会発表] Enhancement effects on excitonic photoluminescence intensity originating from misaligned crystal blocks and polycrystalline grains in a ZnO wafer2012

    • 著者名/発表者名
      Hideo Takeuchi
    • 学会等名
      The 10th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Matter, Nanostructured and Molecular Materials
    • 発表場所
      Groningen, The Netherlands
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [学会発表] i-GaAs/n-GaAs構造における縦光学フォノン・プラズモン結合モードによるテラヘルツ電磁波2012

    • 著者名/発表者名
      竹内日出雄, 鶴田修一, 中山正昭
    • 学会等名
      第67回日本物理学会
    • 発表場所
      関西学院大学
    • 年月日
      2012-03-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [学会発表] Time evolution of terahertz electromagnetic waves from undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures clarified with use of a time-partitioning Fourier transform method2011

    • 著者名/発表者名
      H. Takeuchi
    • 学会等名
      TheInternationalConference on Luminescence & Optical Spectroscopy of Condensed Matter 2011
    • 発表場所
      Central Campus of the University of Michigan, AnnArbor, Michigan, USA
    • 年月日
      2011-06-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [学会発表] Time evolution of terahertz electromagnetic waves from undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures clarified with use of a time-partiti oning Fourier transform method2011

    • 著者名/発表者名
      H.Takeuchi, S.Tsuruta, H.Yamada, M.Hata, M.Nakayama
    • 学会等名
      The International Conference on Luminescence & Optical Spectroscopy of Condensed Matter 2011
    • 発表場所
      University of Michigan, U.S.A.
    • 年月日
      2011-06-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [学会発表] GaSb/GaAsエピタキシャル構造における遮光されたGaAs緩衝層のコヒーレント縦光学フォノンからのテラヘルツ電磁波2011

    • 著者名/発表者名
      竹内日出雄, 鶴田修一, 中山正昭
    • 学会等名
      第66回日本物理学会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2011-09-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [学会発表] (11n)面方位GaAs/InAlAs歪み多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンからの高強度テラヘルツ電磁波2011

    • 著者名/発表者名
      浅井聡太, 鶴田修一, 竹内日出雄, 中山正昭
    • 学会等名
      第22回光物性研究会
    • 発表場所
      熊本大学
    • 年月日
      2011-12-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [学会発表] (11n)面方位GaAs/InAlAs歪み多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンからのTHz電磁波発生2011

    • 著者名/発表者名
      浅井聡太, 鶴田修一, 竹内日出雄, 中山正昭
    • 学会等名
      第66回日本物理学会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2011-09-21
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [学会発表] GaSb/GaAsエピタキシャル構造の遮光されたGaAs緩衝層におけるコヒーレント縦光学フォノンからのテラヘルツ分光2011

    • 著者名/発表者名
      竹内日出雄, 鶴田修一, 中山正昭
    • 学会等名
      第22回光物性研究会
    • 発表場所
      熊本大学
    • 年月日
      2011-12-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [学会発表] Terahertz radiation from the coherent longitudinal optical phonon-plasm on coupled mode in an i-GaAs/n-GaAs epitaxial structure2011

    • 著者名/発表者名
      Shuichi Tsuruta, Hideo Takeuchi, Masaaki Nakayama
    • 学会等名
      15th International Conference on Thin Films (ICTF-15)
    • 発表場所
      Kyoto Terrasa, Japan
    • 年月日
      2011-11-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [学会発表] Detection of a coherent longitudinal optical phonon in a GaAs buffer layer optically covered with a GaSb top epitaxial layer using terahertz electromagnetic wave spectroscopy2011

    • 著者名/発表者名
      H. Takeuchi
    • 学会等名
      15th International Conference on Narrow Gap Systems (NGS15)
    • 発表場所
      Virginia Polytechnic Institute & State Universiherety, Virginia, USA.
    • 年月日
      2011-08-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [学会発表] Detection of a coherent longitudinal optical phonon in a GaAs buffer layer optically covered with a GaSb top epitaxial layer using terahertz electromagnetic wave spectroscopy2011

    • 著者名/発表者名
      Hideo Takeuchi, Syuichi Tsuruta, Masaaki Nakayama
    • 学会等名
      15th International Conference on Narrow Gap Systems (NGS15)
    • 発表場所
      Virginia Polytechnic Institute, U.S.A.
    • 年月日
      2011-08-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [学会発表] Frequency-tunable terahertz electromagnetic wave emitters based on undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures utilizing sub-picosecond-range carrier-transport processes2010

    • 著者名/発表者名
      H.Takeuchi, J.Yanagisawa, S.Tsuruta, H.Yamada, M.Hata, M.Nakayama.
    • 学会等名
      The 17th International Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids (DPC'10)
    • 発表場所
      Argonne, Illinois, USA
    • 年月日
      2010-06-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [学会発表] Simple strategy for enhancing terahertz emission from coherent longitudinal optical phonons usingundoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures2010

    • 著者名/発表者名
      H. Takeuchi
    • 学会等名
      The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ICSC2010)
    • 発表場所
      Takamatsu Symbol Tower,Kagawa, Japan.
    • 年月日
      2010-05-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [学会発表] Simple strategy for enhancing terahertz emission from coherent longitudinal optical phonons using undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures2010

    • 著者名/発表者名
      H.Takeuchi, J.Yanagisawa, S.Tsuruta, H.Yamada, M.Hata, M.Nakayama.
    • 学会等名
      The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ICSC2010)
    • 発表場所
      高松シンボルタワー/香川県
    • 年月日
      2010-06-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [学会発表] Frequency-tunable terahertz electromagnetic wave emitters based on undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures utilizing sub-picosecond range carrier-transport processes2010

    • 著者名/発表者名
      H. Takeuchi
    • 学会等名
      The 17th International Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids (DPC'10)
    • 発表場所
      APS Conference Center, Argonne National Laboratory, Argonne, Illinois, USA.
    • 年月日
      2010-06-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
  • [学会発表] アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル構造からのテラヘルツ電磁波の時間分かつFourier変換解析2010

    • 著者名/発表者名
      竹内日出雄, 鶴田修一, 秦雅彦, 山田永, 中山正昭
    • 学会等名
      日本物理学会2010年秋季大会
    • 発表場所
      大阪府立大学/大阪府
    • 年月日
      2010-09-25
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22760010
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