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岩室 憲幸
IWAMURO NORIYUKI
研究者番号
50581203
その他のID
https://orcid.org/0000-0002-5027-4718
所属 (現在)
2021年度: 筑波大学, 数理物質系, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく)
*注記
2021年度: 筑波大学, 数理物質系, 教授
2016年度 – 2019年度: 筑波大学, 数理物質系, 教授
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分21010:電力工学関連
研究代表者以外
電子・電気材料工学
キーワード
研究代表者
SiC MOSFET / 高信頼性特性 / 負荷短絡 / 機械応力 / 残留ダメージ
研究代表者以外
炭化ケイ素 / パワーデバイス / 超接合 / ｐ型ＭＯＳ / pMOS / 電子・電気材料 / MOS界面
研究課題
(
2
件)
研究成果
(
16
件)
共同研究者
(
3
人)
研究開始年: 新しい順
研究開始年: 古い順
SiC-MOSFET負荷短絡時の素子残留ダメージが信頼性特性へ及ぼす影響の研究
研究代表者
研究代表者
岩室 憲幸
研究期間 (年度)
2021 – 2024
研究種目
基盤研究(B)
審査区分
小区分21010:電力工学関連
研究機関
筑波大学
低損失ｐ型ＳｉＣ超接合パワーＭＯＳＦＥＴの基盤技術開発
研究代表者
矢野 裕司
研究期間 (年度)
2016 – 2019
研究種目
基盤研究(B)
研究分野
電子・電気材料工学
研究機関
筑波大学
すべて
2020
2019
2018
2017
2016
すべて
学会発表
[学会発表] SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析
2020
著者名/発表者名
岡本大, 周星炎, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司
学会等名
電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第25回研究会
データソース
KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析
2019
著者名/発表者名
松谷優汰, 張旭芳, 岡本大, 岩室憲幸, 矢野裕司
学会等名
第80回応用物理学会秋季学術講演会
データソース
KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
2019
著者名/発表者名
根本宏樹, 岡本大, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司
学会等名
先進パワー半導体分科会 第6回講演会
データソース
KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析
2019
著者名/発表者名
松谷優汰，張旭芳，岡本大，岩室憲幸，矢野裕司
学会等名
先進パワー半導体分科会 第6回講演会
データソース
KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] ｐチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明
2019
著者名/発表者名
周星炎, 岡本大, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司
学会等名
先進パワー半導体分科会 第6回講演会
データソース
KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] Investigation of Unclamped Inductive Switching Capability of Silicon Carbide MOSFETs
2019
著者名/発表者名
Kailun Yao, 矢野裕司, 岩室憲幸
学会等名
平成31年 電気学会全国大会
データソース
KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
2019
著者名/発表者名
根本宏樹, 岡本大, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司
学会等名
第80回応用物理学会秋季学術講演会
データソース
KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価
2019
著者名/発表者名
坂田大輝, 岡本大, 染谷満, 岡本光央, 原田信介, 畠山哲夫, 根本宏樹, 張旭芳, 岩室憲幸, 矢野裕司
学会等名
先進パワー半導体分科会 第6回講演会
データソース
KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
2018
著者名/発表者名
根本宏樹，岡本大，染谷満，木内祐治，岡本光央，畠山哲夫，原田信介，岩室憲幸，矢野裕司
学会等名
先進パワー半導体分科会 第5回講演会
データソース
KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
2018
著者名/発表者名
根本宏樹, 岡本大, 染谷満, 木内祐治, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司
学会等名
第65回応用物理学会春季学術講演会
データソース
KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明
2018
著者名/発表者名
周星炎，岡本大，畠山哲夫，染谷満，原田信介，岡本光央，張旭芳，岩室憲幸，矢野裕司
学会等名
先進パワー半導体分科会 第5回講演会
データソース
KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] コンダクタンス法によるp型SiC MOSキャパシタ界面特性の解析
2017
著者名/発表者名
唐本祐樹, 張旭芳, 岡本大, 染谷満, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司
学会等名
第78回応用物理学会秋季学術講演会
データソース
KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] コンダクタンス法によるp型SiC MOS界面の高速及び低速応答準位の解析
2017
著者名/発表者名
唐本祐樹, 張旭芳, 岡本大, 染谷満, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司
学会等名
先進パワー半導体分科会 第4回講演会
データソース
KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] 窒化したp 型SiC MOS キャパシタにおける反転層の形成
2016
著者名/発表者名
唐本祐樹, 岡本大, 原田信介, 染谷満, 畠山哲夫, 小杉亮治, 岩室憲幸, 矢野裕司
学会等名
先進パワー半導体分科会 第3回講演会
発表場所
つくば国際会議場（茨城県・つくば市）
年月日
2016-11-08
データソース
KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] 窒化したp型SiC MOSキャパシタにおける反転層の形成
2016
著者名/発表者名
唐本祐樹, 岡本大, 原田信介, 染谷満, 畠山哲夫, 小杉亮治, 岩室憲幸, 矢野裕司
学会等名
第77回応用物理学会秋季学術講演会
発表場所
朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
年月日
2016-09-13
データソース
KAKENHI-PROJECT-16H04326
[学会発表] 直列抵抗を考慮したインピーダンス測定によるSiC MOS界面解析
2016
著者名/発表者名
岡本大, 張旭芳, 畠山哲夫, 染谷満, 原田信介, 小杉亮治, 岩室憲幸, 矢野裕司
学会等名
第77回応用物理学会秋季学術講演会
発表場所
朱鷺メッセ（新潟県・新潟市）
年月日
2016-09-13
データソース
KAKENHI-PROJECT-16H04326
研究課題数: 降順
研究課題数: 昇順
1.
矢野 裕司
(40335485)
共同の研究課題数:
2件
共同の研究成果数:
16件
2.
岡本 大
(50612181)
共同の研究課題数:
1件
共同の研究成果数:
15件
3.
原田 信介
(20392649)
共同の研究課題数:
1件
共同の研究成果数:
0件
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