塚本貴広 TSUKAMOTO TAKAHIRO

研究者番号	50640942
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 准教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2025年度: 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 准教授 2022年度 – 2023年度: 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 准教授 2017年度 – 2021年度: 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 助教 2013年度 – 2017年度: 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 2014年度: 東京農工大学, 工学(系)研究院(研究科), 助教 2014年度: 東京農工大学, 大学院工学研究院, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者小区分30010:結晶工学関連 / 電子・電気材料工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連研究代表者以外電子デバイス・電子機器 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者スパッタエピタキシー / スパッタエピタキシー法 / GeSn / 結晶成長 / RTD / GeSiSn / 結晶性酸化膜 / 量子効果デバイス / 半導体 / ラマン分光法 … もっと見る / ヘテロ接合 / Sn析出 / Sn拡散 / 量子井戸 / 電子・電気材料 / 電子デバイス・機器 / Ⅳ族半導体 / 共鳴トンネルダイオード / ゲルマニウム / ゲルマニウムスズ … もっと見る研究代表者以外電子デバイス・機器 / 共鳴トンネルダイオード / 量子エレクトロニクス / 電子デバイイス・機器 / 界面電位 / 先端機能デバイス / 界面準位 / ＳｉＣ / クロスポイント型配列 / ＰＮダイオード / 抵抗変化型メモリ / 不揮発性メモリ / 半導体メモリ / 高速デバイス / ヘテロ接合 / サファクタント / エピタキシー / 仮想基板 / ゲルマニウム隠す

結晶性酸化膜／半導体ヘテロ接合による量子積層構造と高周波発振素子への展開研究代表者
- 研究代表者
  
  塚本貴広
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  電気通信大学
GeSn結晶成長技術の高度化とⅣ族レーザへの展開研究代表者
- 研究代表者
  
  塚本貴広
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  電気通信大学
GeSiSn/GeSn量子井戸を用いた高周波発振素子の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  塚本貴広
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  電気通信大学
スパッタ法による高Ｇｅ組成の完全圧縮歪ＳｉＧｅを用いた高性能Ｓｉ／ＳｉＧｅＲＴＤ
- 研究代表者
  
  須田良幸
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京農工大学
Ⅳ族半導体を用いた格子整合ヘテロエピ結晶成長技術の開発と高速量子素子への応用研究代表者
- 研究代表者
  
  塚本貴広
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  電気通信大学
   東京農工大学
PNメモリダイオードの開発と最密配列メモリへの応用
- 研究代表者
  
  須田良幸
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京農工大学
スパッタエピタキシー法によりSi直上にGe平坦膜を形成するGe仮想基板形成技術
- 研究代表者
  
  須田良幸
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2014
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京農工大学
スパッタエピタキシー法を用いた歪GeSn系チャネル素子の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  塚本貴広
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2014
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  東京農工大学

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すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Hole-tunneling S♪i_<0.82>♪G♪e_<0.18>♪/Si triple-barrier resonant tunneling diodes with high peak current of 297 kA/c♪m^2♪ fabricated by sputter epitaxy2024
- 著者名/発表者名
  Yoshiyuki Suda, Nobumitsu Hirose, Takahiro Tsukamoto, Minoru Wakiya, Ayaka Shinkawa, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 124 号: 9
- DOI
  10.1063/5.0180934
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[雑誌論文] Sn distribution in Ge/GeSn heterostructures formed by sputter epitaxy method2023
- 著者名/発表者名
  Tsukamoto Takahiro、Ikeno Kento、Hirose Nobumitsu、Kasamatsu Akifumi、Matsui Toshiaki、Suda Yoshiyuki
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 604 ページ: 127045-127045
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2022.127045
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22K04949
[雑誌論文] Direct Growth of Patterned Ge on Insulators Using Graphene2021
- 著者名/発表者名
  Tsukamoto Takahiro、Hirose Nobumitsu、Kasamatsu Akifumi、Matsui Toshiaki、Suda Yoshiyuki
- 雑誌名
  
  The Journal of Physical Chemistry C
  
  巻: 125 号: 25 ページ: 14117-14121
- DOI
  10.1021/acs.jpcc.1c03567
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04487
[雑誌論文] Evaluation of crystallinity of lattice-matched Ge/GeSiSn heterostructure by Raman spectroscopy2021
- 著者名/発表者名
  Tsukamoto Takahiro、Hirose Nobumitsu、Kasamatsu Akifumi、Matsui Toshiaki、Suda Yoshiyuki
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 726 ページ: 138646-138646
- DOI
  10.1016/j.tsf.2021.138646
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04487
[雑誌論文] Effects of Low-Temperature GeSn Buffer Layers on Sn Surface Segregation During GeSn Epitaxial Growth2020
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 雑誌名
  
  Electronic Materials Letters
  
  巻: 16 号: 1 ページ: 9-13
- DOI
  10.1007/s13391-019-00179-y
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245, KAKENHI-PROJECT-19K04487
[雑誌論文] Increase in Current Density at Metal/GeO2/n-Ge Structure by Using Laminated Electrode2020
- 著者名/発表者名
  Tsukamoto Takahiro、Kurihara Shota、Hirose Nobumitsu、Kasamatsu Akifumi、Matsui Toshiaki、Suda Yoshiyuki
- 雑誌名
  
  Electronic Materials Letters
  
  巻: 16 号: 1 ページ: 41-46
- DOI
  10.1007/s13391-019-00185-0
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04487
[雑誌論文] Crystallinity control of SiC grown on Si by sputtering method2017
- 著者名/発表者名
  Ryosuke Watanabe, Takahiro Tsukamoto, Koichi Kamisako, Yoshiyuki Suda
- 雑誌名
  
  J. Crystal Growth
  
  巻: 463 ページ: 67-71
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2017.01.042
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[雑誌論文] p-Cu2O/SiOx/n-SiC/n-Si memory diode fabricated with room-temperature-sputtered n-SiC and SiOx2016
- 著者名/発表者名
  Atsushi Yamashita, Takahiro Tsukamoto, Yoshiyuki Suda
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55 号: 12 ページ: 124103-124103
- DOI
  10.7567/jjap.55.124103
- NAID
  210000147298
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[雑誌論文] p-Cu2O/AlOx/n-SiC/n-Si構造の不揮発性pnメモリダイオードと低電圧動作2016
- 著者名/発表者名
  土屋充沙、塚本貴弘、須田良幸
- 雑誌名
  
  信学技報
  
  巻: 116 ページ: 17-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[雑誌論文] Formation of GeSn layers on Si (001) substrates at high growth temperature and high deposition rate by sputter epitaxy method2015
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui, and Yoshiyuki Suda
- 雑誌名
  
  Journal of Materials Science
  
  巻: 50 号: 12 ページ: 4366-4370
- DOI
  10.1007/s10853-015-8990-4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630123, KAKENHI-PROJECT-25820121
[雑誌論文] Investigation of Sn surface segregation during GeSn epitaxial growth by Auger electron spectroscopy and energy dispersive x-ray spectroscopy2015
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 106 号: 5 ページ: 052103-052103
- DOI
  10.1063/1.4907863
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820121
[雑誌論文] p-Cu2O/SiCxOy/n-SiC/n-Si memory diode having resistive nonvolatile memory and rectifying behaviors2014
- 著者名/発表者名
  Atsushi Yamashita, Yoshihiko Sato, Takahiro Tsukamoto, and Yoshiyuki Suda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 7 号: 7 ページ: 074203-074203
- DOI
  10.7567/apex.7.074203
- NAID
  210000137173
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[雑誌論文] p-Cu2O/SiOx/n-SiC構造pnメモリダイオードの低温形成2014
- 著者名/発表者名
  山下敦史、塚本貴広、須田良幸
- 雑誌名
  
  信学技報
  
  巻: 114 ページ: 43-47
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[雑誌論文] Effects of boron dopants of Si (001) substrates on formation of Ge layers by sputter epitaxy method2013
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui, and Yoshiyuki Suda
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letter
  
  巻: 103 号: 17 ページ: 172103-172103
- DOI
  10.1063/1.4826501
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630123, KAKENHI-PROJECT-25820121
[産業財産権] Manufacturing Method for Semiconductor Laminated Film, and Semiconductor Laminated Film2022
- 発明者名
  須田良幸、塚本貴広、本橋叡、出蔵恭平、大久保克己、八木拓馬、笠松章史、広瀬信光、松井敏明
- 権利者名
  東京農工大学、情報通信研究機構
- 産業財産権種類
  特許
- 取得年月日
  2022
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] スパッタエピタキシー法により作製したGe/GeSnヘテロ構造におけるSn拡散2022
- 著者名/発表者名
  塚本貴広, 池野憲人, 広瀬信光, 笠松章史, 松井敏明, 須田良幸
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04487
[学会発表] Direct growth of patterned Ge on insulators using graphene2021
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  ISSS-9
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04487
[学会発表] グラフェンを用いた絶縁膜上におけるGe選択形成技術2021
- 著者名/発表者名
  塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，松井敏明，須田良幸
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04487
[学会発表] スパッタエピタキシー法を用いたGe/GeSiSnヘテロ構造形成2020
- 著者名/発表者名
  塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，松井敏明，須田良幸
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04487
[学会発表] スパッタエピキシー法を用いた Ge/GeSiSnヘテロ構造形成2020
- 著者名/発表者名
  塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，松井敏明，須田良幸
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] Lattice-matched GeSiSn/Ge double-barrier resonant tunneling diodes2019
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Shota Kurihara, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  The 17th E-MRS Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04487
[学会発表] Lattice-matched GeSiSn/Ge double-barrier resonant tunneling diodes2019
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Minoru Wakiya, Kazuaki Haneda, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  E-MRS Conference Fall meeting 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] スパッタエピタキシー法を&用いたSiGe HEMTの製造技術と特性制御2019
- 著者名/発表者名
  青柳耀介、本橋叡、出蔵恭平、大久保克己、広瀬信光、笠松章史、松井敏明、塚本貴広、須田良幸
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] スパッタエピタキシー法で作製した高電流密度のSi/SiGe 正孔トンネル型RTD2018
- 著者名/発表者名
  脇谷実、塚本貴広、須田良幸
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] 金属/GeO2/n-Ge電極構造におけるTi薄膜の効果2018
- 著者名/発表者名
  栗原祥太，塚本貴広，須田良幸
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18076
[学会発表] スパッタエピタキシー法を用いたSi/SiGe 正孔トンネル型RTDの作製技術と特性制御2018
- 著者名/発表者名
  脇谷実、塚本貴広、須田良幸
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] 格子定数整合GeSiSn/Ge系p-RTDの試作2018
- 著者名/発表者名
  栗原祥太，脇谷実，塚本貴広，須田良幸
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18076
[学会発表] 格子定数整合GeSiSn/Ge系p-RTDの試作2018
- 著者名/発表者名
  栗原祥太、脇谷実、塚本貴広、須田良幸
- 学会等名
  第65回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] p-Cu2O/SiNx/n-SiC/n-Si構造の抵抗変化型不揮発性メモリダイオード2017
- 著者名/発表者名
  素村晃浩, 塚本貴広, 加藤格, 雑賀章浩, 須田良幸
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県、横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[学会発表] Effects of low-temperature GeSn buffer layer on Sn surface segregation during GeSn epitaxial growth2017
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  10th. International Conference On Silicon Epitaxy and Heterostructures
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] 格子定数整合系GeSiSn/Ge n-RTDの作製2017
- 著者名/発表者名
  羽田一暁, 塚本貴広, 広瀬信光，笠松章史，松井敏明, 須田良幸
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18076
[学会発表] Formation of lattice-matched GeSiSn/Ge quantum well structure by sputter epitaxy method2017
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  2017 Materials Research Society Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18076
[学会発表] Epitaxial growth of GeSn and GeSiSn by sputter epitaxy method2017
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  2017 EMN/CC Barcelona Meeting Energy Materials Nanotechnology
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K18076
[学会発表] Epitaxial growth of GeSn and GeSiSn by sputter epitaxy method2017
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  Energy Materials Nanotechnology Meeting on Epitaxy
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] SiCxOyおよびSiOx電子捕獲層を用いた不揮発性pnメモリダイオードの特性制御SiCxOyおよびSiOx電子捕獲層を用いた不揮発性pnメモリダイオードの特性制御2017
- 著者名/発表者名
  土屋充沙，塚本貴広，加藤格，雑賀章浩，須田良幸
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜（神奈川県、横浜市）
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[学会発表] Formation of Lattice-Matched GeSiSn/Ge Quantum Well Structure by Sputter Epitaxy2017
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Kazuaki Haneda, Hiroto Iwamori, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  2017 Material Research Society Fall Meeting
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03245
[学会発表] p-Cu2O/AlOx/n-SiC/n-Si構造の不揮発性pnメモリダイオードと低電圧動作2016
- 著者名/発表者名
  土屋充沙、塚本貴弘、須田良幸
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  首都大学東京（東京都、八王子市）
- 年月日
  2016-07-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[学会発表] p-Cu2O/AlOx/n-SiC/n-Si-structured nonvolatile pn memory diode with low switching voltages2016
- 著者名/発表者名
  Misa Tsuchiya, Tsukamoto Tsukamoto and Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  29th Int. Microprocesses and Nanotechnology Conf.
- 発表場所
  ANA Crowne Plaza Kyoto (Kyoto, Japan)
- 年月日
  2016-11-08
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[学会発表] Au/CuOx/(CuxNiySiz)mOn/n-Si構造の抵抗変化型不揮発性メモリ2016
- 著者名/発表者名
  岩佐太陽、塚本貴広、須田良幸
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学（東京都、目黒区）
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[学会発表] SiGe Sputter Epitaxy and Its Application to SiGe 2D Devices2015
- 著者名/発表者名
  Yoshiyuki Suda, Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Takashi Mimura
- 学会等名
  Collaborative Conference on Crystal Growth
- 発表場所
  Eaton Hotel (Hong Kong, China)
- 年月日
  2015-12-14
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[学会発表] Effects of DC Sputtering Conditions on Formation of Ge Layers on Si Substrates by Sputter Epitaxy method2014
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui, and Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  2014 Int. SiGe Technology and Device Meeting
- 発表場所
  Singapore, Singapore
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630123
[学会発表] SiGe Processes and Their Device Applications Using Sputter Epitaxy Method2014
- 著者名/発表者名
  Yoshiyuki Suda, Takahiro Tsukamoto, Sohei Fujimura, Satoshi Tamanyu, Akira Motohashi, Midori Ikeda, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Takashi Mimura and Toshiaki Matsui
- 学会等名
  7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
- 発表場所
  Tohoku University, Miyagi
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630123
[学会発表] Effect of Boron Dopant of Si (001) Substrates on Growth of Ge Layers using Sputter Epitaxy Method2013
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Akifumi Kasamatsu*, Nobumitsu Hirose, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui and Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  Kyushu University, Fukuoka
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630123
[学会発表] Formation of GeSn Layers on Si (001) Ssubstrates by Sputter Epitaxy method
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  Materials Research Society Spring Meeting
- 発表場所
  サンフランシスコ（アメリカ）
- 年月日
  2015-04-06 – 2015-04-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820121
[学会発表] Au/CuOx/NiOx/n-Si 2層金属酸化物構造の抵抗変化型不揮発性メモリ
- 著者名/発表者名
  岩佐太陽、塚本貴広、須田良幸
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県、平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[学会発表] Si直上Ge薄膜形成におけるスパッタ電力の効果と表面平坦化の試み
- 著者名/発表者名
  塚本貴広、広瀬信光、笠松章史、三村高志、松井敏明、須田良幸
- 学会等名
  第75回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道大学、札幌
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630123
[学会発表] Mechanism of Sn surface segregation during GeSn epitaxial growth
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
- 発表場所
  モントリオール（カナダ）
- 年月日
  2015-05-17 – 2015-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820121
[学会発表] p-Cu2O/SiOx/n-SiC pnダイオード構造抵抗変化型メモリの低温形成技術
- 著者名/発表者名
  山下敦史、塚本貴広、須田良幸
- 学会等名
  第75回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道、札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[学会発表] GeSn薄膜形成におけるSn析出の挙動
- 著者名/発表者名
  塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，三村高志，松井敏明，須田良幸
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820121
[学会発表] Si直上Ge薄膜形成におけるスパッタ電力の効果と表面平坦化の試み
- 著者名/発表者名
  塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，三村高志，松井敏明，須田良幸
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（札幌）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820121
[学会発表] Effects of DC Sputtering Conditions on Formation of Ge Layers on Si Ssubstrates by Sputter Epitaxy method
- 著者名/発表者名
  Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  ISTDM 2014
- 発表場所
  シンガポール（シンガポール）
- 年月日
  2014-06-02 – 2014-06-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820121
[学会発表] スパッタエピタキシー法を用いたSi直上へのGeSn薄膜の形成
- 著者名/発表者名
  塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，三村高志，松井敏明，須田良幸
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（札幌）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820121
[学会発表] Effect of boron dopant of Si (001) substrates on growth of Ge layers using sputter epitaxy method
- 著者名/発表者名
  T. Tsukamoto, A. Kasamatsu, N. Hirose, T. Mimura, T. Matsui, Y. Suda
- 学会等名
  8th International Conference on Silicon epitaxy and heterostructures
- 発表場所
  Centennial Hall of School of Medicine, Kyushu University, Fukuoka
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820121
[学会発表] Al/AlOx/SiCxOy/SiC/n-Si Structured Resistive Nonvolatile Memory Formed by Autoxidation of Al
- 著者名/発表者名
  Kyohei. Kida, Takahiro Tsukamoto and Yoshiyuki Suda
- 学会等名
  27th Int. Microprocesses and Nanotechnology Conf.
- 発表場所
  ヒルトン福岡シーホーク（福岡県、福岡市）
- 年月日
  2014-11-04 – 2014-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099
[学会発表] スパッタエピタキシー法を用いたSi直上へのGeSn薄膜の形成
- 著者名/発表者名
  塚本貴広、広瀬信光、笠松章史、三村高志、松井敏明、須田良幸
- 学会等名
  第75回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道大学、札幌
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25630123
[学会発表] p-Cu2O/AlOx/n-SiC pnダイオード構造の抵抗変化型不揮発性メモリ
- 著者名/発表者名
  土屋充沙、山下敦史、塚本貴広、須田良幸
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学（神奈川県、平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289099

1. 須田良幸 (10226582)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 41件
2. 広瀬信光 (90212175)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 16件

塚本 貴広 TSUKAMOTO TAKAHIRO

研究課題

研究成果

共同研究者

結晶性酸化膜／半導体ヘテロ接合による量子積層構造と高周波発振素子への展開研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

GeSn結晶成長技術の高度化とⅣ族レーザへの展開研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

GeSiSn/GeSn量子井戸を用いた高周波発振素子の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

スパッタ法による高Ｇｅ組成の完全圧縮歪ＳｉＧｅを用いた高性能Ｓｉ／ＳｉＧｅＲＴＤ

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Ⅳ族半導体を用いた格子整合ヘテロエピ結晶成長技術の開発と高速量子素子への応用研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

PNメモリダイオードの開発と最密配列メモリへの応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

スパッタエピタキシー法によりSi直上にGe平坦膜を形成するGe仮想基板形成技術

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

スパッタエピタキシー法を用いた歪GeSn系チャネル素子の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Hole-tunneling S♪i_<0.82>♪G♪e_<0.18>♪/Si triple-barrier resonant tunneling diodes with high peak current of 297 kA/c♪m^2♪ fabricated by sputter epitaxy2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Sn distribution in Ge/GeSn heterostructures formed by sputter epitaxy method2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Direct Growth of Patterned Ge on Insulators Using Graphene2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Evaluation of crystallinity of lattice-matched Ge/GeSiSn heterostructure by Raman spectroscopy2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Effects of Low-Temperature GeSn Buffer Layers on Sn Surface Segregation During GeSn Epitaxial Growth2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Increase in Current Density at Metal/GeO2/n-Ge Structure by Using Laminated Electrode2020

著者名/発表者名

雑誌名

塚本貴広 TSUKAMOTO TAKAHIRO