町田龍人 Machida Ryuto

研究者番号	50806560
所属 (現在)	2025年度: 国立研究開発法人情報通信研究機構, 未来ICT研究所小金井フロンティア研究センター, 研究員 2025年度: 国立研究開発法人情報通信研究機構, Beyond5G研究開発推進ユニット, 研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2021年度 – 2023年度: 国立研究開発法人情報通信研究機構, 未来ICT研究所小金井フロンティア研究センター, 研究員 2020年度: 国立研究開発法人情報通信研究機構, 未来ICT研究所フロンティア創造総合研究室, 研究員 2017年度 – 2018年度: 東京理科大学, 基礎工学部電子応用工学科, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者以外小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / 電子デバイス・電子機器
キーワード	研究代表者以外極限性能トランジスタ / InGaSb / HEMT / テラヘルツ領域 / ナローギャップ半導体 / 遅延時間解析 / fmax / fT / 歪みバンドエンジニアリング / GaInSb … もっと見る / 電子・電気材料 / 低消費電力・高エネルギー密度 / テラヘルツ/赤外材料・素子 / 電子デバイス・機器 / 量子補正モンテカルロシミュレーション / ラフネス散乱 / InSb / 遮断周波数 / 電子移動度 / 格子歪 / 電子有効質量 / 高電子移動度トランジスタ隠す

InGaSbチャネルを用いたテラヘルツ領域極限性能トランジスタの研究
- 研究代表者
  
  藤代博記
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  東京理科大学
テラヘルツ領域極限性能トランジスタの開発
- 研究代表者
  
  藤代博記
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京理科大学

すべて 2024 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] AlSb/GaSb バッファ層を用いたGaInSb HEMT 構造の低転位化2024
- 著者名/発表者名
  河野亮介，海老原怜央，吉田陸人，神内智揮，町田龍人，渡邊一世，山下良美，原紳介，笠松章史，遠藤聡，藤代博記
- 雑誌名
  
  国立研究開発法人情報通信研究機構2023年度先端ICTデバイスラボ成果報告書
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] 300 GHz 超fT, fmax ダブルドープ構造GaInSb HEMT2024
- 著者名/発表者名
  吉田陸人, 河野亮介, 海老原怜央, 神内智揮, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記
- 雑誌名
  
  第71回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] InSb/Ga0.22In0.78Sb複合チャネルHEMT構造の高電子移動度化2024
- 著者名/発表者名
  神内智揮，海老原怜央，吉田陸人，河野亮介，町田龍人，渡邊一世，山下良美，原紳介，笠松章史，遠藤聡，藤代博記
- 雑誌名
  
  国立研究開発法人情報通信研究機構2023年度先端ICTデバイスラボ成果報告書
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] GaInSb HEMT のバリア層薄膜化による真性遅延時間低減2024
- 著者名/発表者名
  吉田陸人, 河野亮介, 海老原怜央, 神内智揮, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記
- 雑誌名
  
  第71回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] GaInSb n-チャネル HEMT 構造におけるチャネル歪みの電子輸送特性への影響2023
- 著者名/発表者名
  藤代博記，遠藤聡，羽鳥小春，吉武優輔，吉田陸人，海老原怜央，町田龍人，渡邊一世，山下良美，原紳介，笠松章史
- 雑誌名
  
  国立研究開発法人情報通信研究機構2022年度先端ICTデバイスラボ成果報告書
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] Reduction of Defects in GaInSb HEMT Structure by Using AlSb/GaSb Buffer2023
- 著者名/発表者名
  R. Ebihara, G. Ogane, M. Hiraoka, T. Hayashi, M. Kunisawa, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Proc. Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023)
  
  巻: -
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] Effect of Strain in Channel on Electron Transport Properties of Ga1－xInxSb High Electron Mobility Transistor Structures with Strained-Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb Stepped Buffer2023
- 著者名/発表者名
  Akira Endoh, Koharu Hatori, Naoyuki Kishimoto, Mizuho Hiraoka, Yuta Kemmochi, Yuki Endoh, Koki Osawa, Takuya Hayashi, Ryuto Machida, Issei Watanabe, Yoshimi Yamashita, Shinsuke Har
- 雑誌名
  
  PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
  
  巻: 220 号: 8 ページ: 2200529-2200529
- DOI
  10.1002/pssa.202200529
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] Performance Comparison of Al0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMT with Undoped- and Doped-cap Layers to Improve RF Characteristics2023
- 著者名/発表者名
  R. Machida, N. Kishimoto, Y. Isomae, T. Hayashi, M. Kunisawa, A. Endoh, H. I. Fujishiro, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, I. Watanabe
- 雑誌名
  
  Proc. Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023)
  
  巻: -
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] アンドープキャップAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMTの特性2023
- 著者名/発表者名
  町田龍人、岸本尚之、礒前雄人、林拓也、國澤宗真、遠藤聡、藤代博記、山下良美、原紳介、笠松章史、渡邊一世
- 雑誌名
  
  第84回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] Effect of Strain in Channel on Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb HEMT Structures with Strained-Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb Stepped Buffer2022
- 著者名/発表者名
  K. Hatori, N. Kishimoto, M. Hiraoka, Y. Endoh, K. Osawa, T. Hayashi, Y. Kemmochi, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Proc. Compound Semiconductor Week 2022 (CSW2022)
  
  巻: - ページ: 67-67
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] エピタキシャル構造に対してスケーリングを施したGaInSbチャネルHEMT2022
- 著者名/発表者名
  藤代博記、遠藤　聡、礒前雄人、吉武優輔、國澤宗真、羽鳥小春、渡邊一世、山下良美、町田龍人、原　紳介、笠松章史
- 雑誌名
  
  国立研究開発法人情報通信研究機構2021年度先端ICTデバイスラボ成果報告書
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] Development of GaInSb n-Channel HEMTs Using Experiments and Simulations2022
- 著者名/発表者名
  A. Endoh, N. Kishimoto, Y. Isomae, T. Hayashi, M. Kunisawa, K. Sawamura, T. Kawasaki, Y. Satou, I. Watanabe, Y. Yamashita, R. Machida, S. Hara, A. Kasamatsu and H. I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Abstracts of 14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2022)
  
  巻: - ページ: 12-3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] Device Performances and Delay Time Analysis of GaInSb-Channel HEMTs Scaled to Epitaxial Structures2021
- 著者名/発表者名
  Y. Isomae, N. Kishimoto, T. Hayashi, M. Kunisawa, I. Watanabe, Y. Yamashita, R. Machida, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Proc. Compound Semiconductor Week 2021 (CSW2021)
  
  巻: -
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析2021
- 著者名/発表者名
  礒前雄人、岸本尚之、林　拓也、國澤宗真、渡邊一世、山下良美、町田龍人、原　紳介、笠松章史、遠藤　聡、藤代博記
- 雑誌名
  
  信学技報
  
  巻: 121 ページ: 44-47
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] AlSb/GaSbバッファがGaInSb HEMTの電気的特性に与える影響2021
- 著者名/発表者名
  藤代博記、遠藤　聡、林　拓也、岸本尚之、國澤宗真、礒前雄人、渡邊一世、山下良美、町田龍人、原　紳介、笠松章史
- 雑誌名
  
  国立研究開発法人情報通信研究機構2020年度先端ICTデバイスラボ成果報告書
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] ミリ波・テラヘルツ波帯無線通信用電子デバイスの研究開発2018
- 著者名/発表者名
  渡邊一世,山下良美,遠藤聡,原紳介,笠松章史, 吉田智洋,井上和孝,中田健,眞壁勇夫,磯野恭佑,岡直希,原田義彬,竹内淳,町田龍人,藤代博記
- 雑誌名
  
  電気学会電子デバイス研究会技術報告
  
  巻: EDD-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[雑誌論文] アンチモン系トランジスタの開発2017
- 著者名/発表者名
  藤代博記、磯野恭佑、高橋択斗、原田義彬、岡直希、竹内淳、藤澤由衣、藤川紗千恵、町田龍人、渡邊一世、山下良美、遠藤聡、原紳介、笠松章史
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 117 ページ: 33-36
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] Enhanced electron mobility in InSb/Ga0.22In0.78Sb composite channel HEMT structure2024
- 著者名/発表者名
  T. Jinnai, T. Oba, W. Nakajima, R. Ebihara, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2024 (CSW2024)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] High fT and fmax of double δ-doped GaInSb channel HEMTs2024
- 著者名/発表者名
  R. Kouno, R. Yoshida, R. Ebihara, T. Jinnai, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2024 (CSW2024)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] GaInSb HEMT のバリア層薄膜化による真性遅延時間低減2024
- 著者名/発表者名
  吉田陸人, 河野亮介, 海老原怜央, 神内智揮, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] 300 GHz 超fT, fmax ダブルドープ構造GaInSb HEMT2024
- 著者名/発表者名
  吉田陸人, 河野亮介, 海老原怜央, 神内智揮, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] Reduction of Defects in GaInSb HEMT Structure by Using AlSb/GaSb Buffer2023
- 著者名/発表者名
  R. Ebihara, G. Ogane, M. Hiraoka, T. Hayashi, M. Kunisawa, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] アンドープキャップAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMTの特性2023
- 著者名/発表者名
  町田龍人、岸本尚之、礒前雄人、林拓也、國澤宗真、遠藤聡、藤代博記、山下良美、原紳介、笠松章史、渡邊一世
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] Performance Comparison of Al0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMT with Undoped- and Doped-cap Layers to Improve RF Characteristics2023
- 著者名/発表者名
  R. Machida, N. Kishimoto, Y. Isomae, T. Hayashi, M. Kunisawa, A. Endoh, H. I. Fujishiro, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, I. Watanabe
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] Effect of Strain in Channel on Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb HEMT Structures with Strained-Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb Stepped Buffer2022
- 著者名/発表者名
  K. Hatori, N. Kishimoto, M. Hiraoka, Y. Endoh, K. Osawa, T. Hayashi, Y. Kemmochi, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2021 (CSW2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] Effect of Strain in Channel on Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb HEMT Structures with Strained-Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb Stepped Buffer2022
- 著者名/発表者名
  K. Hatori, N. Kishimoto, M. Hiraoka, Y. Endoh, K. Osawa, T. Hayashi, Y. Kemmochi, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2022 (CSW2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] Ｘ線回折極点図測定を用いたGaInSb HEMT構造中の双晶評価2022
- 著者名/発表者名
  海老原怜央、國澤宗真、羽鳥小春、吉田陸人、渡邊一世、町田龍人、山下良美、原　紳介、笠松章史、遠藤　聡、藤代博記
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] Development of GaInSb n-Channel HEMTs Using Experiments and Simulations2022
- 著者名/発表者名
  A. Endoh, N. Kishimoto, Y. Isomae, T. Hayashi, M. Kunisawa, K. Sawamura, T. Kawasaki, Y. Satou, I. Watanabe, Y. Yamashita, R. Machida, S. Hara, A. Kasamatsu and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] GaInSb HEMT構造の電気的特性への熱処理の影響2022
- 著者名/発表者名
  吉田陸人、國澤宗真、羽鳥小春、海老原怜央、渡邊一世、町田龍人、山下良美、原　紳介、笠松章史、遠藤　聡、藤代博記
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] 歪超格子バッファを用いたGaInSb HEMTの電気的特性と膜厚の評価2021
- 著者名/発表者名
  國澤宗真、林　拓也、平岡瑞穂、大金剛毅、渡邊一世、山下良美、原　紳介、町田龍人、笠松章史、遠藤　聡、藤代博記
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] Device Performances and Delay Time Analysis of GaInSb-Channel HEMTs Scaled to Epitaxial Structures2021
- 著者名/発表者名
  Y. Isomae, N. Kishimoto, T. Hayashi, M. Kunisawa, I. Watanabe, Y. Yamashita, R. Machida, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2021 (CSW2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析2021
- 著者名/発表者名
  礒前雄人、岸本尚之、林　拓也、國澤宗真、渡邊一世、山下良美、町田龍人、原　紳介、笠松章史、遠藤　聡、藤代博記
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会「ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析2021
- 著者名/発表者名
  岸本尚之、礒前雄人、林　拓也、國澤宗真、渡邊一世、山下良美、町田龍人、原　紳介、笠松章史、遠藤　聡、藤代博記
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] AlSb/GaSbバッファがGaInSb HEMTの電気的特性に与える影響2020
- 著者名/発表者名
  林　拓也、平岡瑞穂、大金剛毅、國澤宗真、岸本尚之、渡邊一世、山下良美、原　紳介、町田龍人、笠松章史、遠藤　聡、藤代博記
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] Improved Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb Quantum Well Channel Using Strained-Al0.40In0.60Sb/Al1-yInySb Stepped Buffer2019
- 著者名/発表者名
  M. Hiraoka, Y. Endoh, K. Osawa, N. Kishimoto, T. Hayashi, R. Machida, A. Endoh, and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019) (16th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2019) & 31th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2019))
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] Effects of Channel Scaling on Electron Transport Properties of Sb-based HEMTs2019
- 著者名/発表者名
  N. Kishimoto, Y. Endoh, T. Hayashi, M. Hiraoka, R. Machida, A. Endoh, and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019) (16th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2019) & 31th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2019))
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] GaInSbチャネルHEMT構造のゲート・チャネル間距離パラメータが電気的特性に与える影響2019
- 著者名/発表者名
  岸本尚之, 遠藤勇輝, 林拓也, 平岡瑞穂, 町田龍人, 遠藤聡, 藤代博記
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] ミリ波・テラヘルツ波帯無線通信用電子デバイスの研究開発2018
- 著者名/発表者名
  渡邊一世,山下良美,遠藤聡,原紳介,笠松章史, 吉田智洋,井上和孝,中田健,眞壁勇夫,磯野恭佑,岡直希,原田義彬,竹内淳,町田龍人,藤代博記
- 学会等名
  電気学会電子デバイス研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] Electron Transport Properties of Novel Ga1-xInxSb Quantum Well Structures with Strained Al0.4In0.6Sb/Al0.3In0.7Sb Stepped Buffer2018
- 著者名/発表者名
  K. Osawa, M. Hiraoka, T. Kishi, Y. Endoh, J. Takeuchi, R. Machida and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2018 (CSW2018) (15th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2018) & 30th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2018))
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] Comprehensive Study on GaxIn1-xSb High Electron Mobility Transistors Considering Interface Roughness Scattering2018
- 著者名/発表者名
  T. Suzuki, Y. Fujisawa, S. Kawamura, K. Kumasaka, R. Machida, and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2018 (CSW2018) (15th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2018) & 30th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2018))
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] アンチモン系トランジスタの開発2017
- 著者名/発表者名
  藤代博記、磯野恭佑、高橋択斗、原田義彬、岡直希、竹内淳、藤澤由衣、藤川紗千恵、町田龍人、渡邊一世、山下良美、遠藤聡、原紳介、笠松章史
- 学会等名
  電子デバイス研究会-ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム-
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] LT-AlSb成長がInSb HEMT構造の電気的特性に与える影響2017
- 著者名/発表者名
  遠藤勇輝, 原田義彬, 竹内淳, 岩木拓也, 町田龍人, 藤代博記
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] InSb-based HEMTs fabricated by using two-step-recessed gate procedure2017
- 著者名/発表者名
  N. Oka, K. Isono, Y. Harada, J. Takeuchi, T. Iwaki, Y. Endoh, I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, R. Machida, A. Kasamatsu and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316

1. 藤代博記 (60339132)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 42件
2. 藤川紗千恵 (90550327)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
3. 遠藤聡 (60417110)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 32件
4. 渡邊一世 (20450687)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 32件

町田 龍人 Machida Ryuto

研究課題

研究成果

共同研究者

InGaSbチャネルを用いたテラヘルツ領域極限性能トランジスタの研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

テラヘルツ領域極限性能トランジスタの開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] AlSb/GaSb バッファ層を用いたGaInSb HEMT 構造の低転位化2024

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 300 GHz 超fT, fmax ダブルドープ構造GaInSb HEMT2024

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] InSb/Ga0.22In0.78Sb複合チャネルHEMT構造の高電子移動度化2024

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] GaInSb HEMT のバリア層薄膜化による真性遅延時間低減2024

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[雑誌論文] GaInSb n-チャネル HEMT 構造におけるチャネル歪みの電子輸送特性への影響2023

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[雑誌論文] Reduction of Defects in GaInSb HEMT Structure by Using AlSb/GaSb Buffer2023

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[雑誌論文] Effect of Strain in Channel on Electron Transport Properties of Ga1－xInxSb High Electron Mobility Transistor Structures with Strained-Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb Stepped Buffer2023

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[雑誌論文] Performance Comparison of Al0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMT with Undoped- and Doped-cap Layers to Improve RF Characteristics2023

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[雑誌論文] アンドープキャップAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMTの特性2023

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[雑誌論文] Effect of Strain in Channel on Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb HEMT Structures with Strained-Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb Stepped Buffer2022

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[雑誌論文] エピタキシャル構造に対してスケーリングを施したGaInSbチャネルHEMT2022

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[雑誌論文] Development of GaInSb n-Channel HEMTs Using Experiments and Simulations2022

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[雑誌論文] Device Performances and Delay Time Analysis of GaInSb-Channel HEMTs Scaled to Epitaxial Structures2021

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[雑誌論文] エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析2021

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[雑誌論文] AlSb/GaSbバッファがGaInSb HEMTの電気的特性に与える影響2021

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[雑誌論文] ミリ波・テラヘルツ波帯無線通信用電子デバイスの研究開発2018

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町田龍人 Machida Ryuto