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遠藤 敏明  エンドウ トシアキ

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 60002903
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1996年度: 室蘭工業大学, 工学部, 助手
1994年度: 室蘭工業大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者以外
電子・電気材料工学
キーワード
研究代表者以外
絶縁破壊特性 / 電子捕獲 / 急速熱処理 / 極薄シリコン酸化膜 / シリコン酸窒化膜 / 酸窒化膜 / 界面準位密度 / 一酸化二窒素 / シリコン酸化膜
  • 研究課題

    (2件)
  • 共同研究者

    (2人)
  •  N_2O酸窒化急速熱処理による高性能極薄シリコン酸化膜の形成

    • 研究代表者
      野村 滋
    • 研究期間 (年度)
      1996
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      室蘭工業大学
  •  N_2O酸窒化急速熱処理による高性能極薄シリコン酸化膜の形成

    • 研究代表者
      野村 滋
    • 研究期間 (年度)
      1994
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      室蘭工業大学
  • 1.  野村 滋 (10002859)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  福田 永 (10261380)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件

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