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松村 信男  MATSUMURA Nobuo

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 60107357
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2002年度 – 2003年度: 京都工芸繊維大学, 工芸学部, 助手
1999年度 – 2000年度: 京都工芸繊維大学, 工芸学部, 助手
1997年度: 京都工芸繊維大学, 工芸学部, 助手
1995年度: 京都工芸繊維大学, 工芸学部, 助手
1988年度 – 1992年度: 京都工芸繊維大学, 工芸学部, 助手
1987年度: 京都工業繊維大学, 大業短期大学部, 助手
1986年度 – 1987年度: 京都工芸繊維大学, 工業短期大学部, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 応用物性
研究代表者以外
応用物性 / 電子材料工学 / 電子・電気材料工学 / 応用物理学一般 / 応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者
CdSe / cathodoluminescence / green emission / photoluminesence / self-assembling method / MBE / quantum dot / II-VI semiconductor / CdSeTe混晶 / カソードルミネセンス … もっと見る / 緑色発光 / ホトルミネセンス / 自己形成法 / MBE法 / 量子ドット / II-VI族半導体 / 低界面準位密度 / GaAsMIS構造 / SiMIS構造 / 高量子収率 / アルミナ膜 / 光CVD / 低温成長 / 成長機構 / MBE成長 / 光照射 / ZnSSe … もっと見る
研究代表者以外
結晶成長 / プラズマCVD / 3C-SiC / 立方晶SiC / MBE法 / 光CVD / ヘテロエピタキシ- / 3CーSiC / 単結晶SiC / 格子整合 / 結晶多形 / 昇華法 / 低温成長 / 堆積速度 / 有機金属原料 / アルミナ膜 / エピタキシヤル成長 / 減圧CVD / Dielectric loss factor / Deposition rate / Photo-CVD method / Al_2O_3 films / 屈折率 / 誘電特性 / 誘電損失 / 光CVD法 / MBE / Nitrogen doping / GaAs substrate / Lattice-matching / ZnSSe mixed crystal / 短波長半導体レーザ材料 / 窒素ドーピング / GaAs基板 / ZnSSe混晶 / molecular beam epitaxy / silicon nitride / X-ray photoemission spectroscopy / band-offset / crystal growth / silicon / heterojunction / indium nitride / 窒化イリジウム / 分子線ユピタキシー / 窒化シリコン / 光電子分光法 / バンドオフセット / 分子線エピタキシー / シリコン / ヘテロ接合 / 窒化インジウム / nano structure / photoluminescence image / piezo actuator / electronic structure / confocal microscope / low temperature / high spatial resolution / photoluminescence / 半導体特性マッピング / ピエゾアクチュエータ / 半導体極微構造 / レーザー顕微鏡 / 極微領域電子構造 / 極低温測定 / 極微領域ホトルミネセンス像 / Crystal Growth, / Heteroepitaxy, / Low Temperature Growth / Cubic sic / LPCVD / Photo-CVD, / Plsama CVD / Si / SiC / β-SiC / 半導体混晶 / ヘテロエピタキシャル成長 / ワイドギャップ材料 / バクル成長 / 近接法 / シリコンカーバイド / 多形制御 / 6H-SiC / 炭化珪素 / バルク成長 / GaP超格子 / AlP / アルキルV族OMVPE / MOCVD / 窒化アルミニウム / 光援助MBE法 / セレン化亜鉛 / CdSe超格子 / ZnSe / 原子層エピタキシー / ラジカルビ-ム / 常結晶SiC / Liアクセプタ / Nアクセプタ / ZnSSe / tandδ / 低圧水銀灯 / βーSiC / SiC on Si / ヘテロエピタキシャル 隠す
  • 研究課題

    (18件)
  • 共同研究者

    (9人)
  •  II-VI族半導体量子ドットを用いた高性能緑色発光素子の開発研究代表者

    • 研究代表者
      松村 信男
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  超高速デバイス用低干渉型III-V族半導体・シリコンヘテロ接合の製作と電子物性制御

    • 研究代表者
      吉本 昌広
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  半導体ナノ構造電子エネルギートポグラフ解析装置

    • 研究代表者
      更家 淳司, 吉本 昌広
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      応用物理学一般
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
      京都大学
  •  昇華法による立方晶SiCインゴットの単結晶成長

    • 研究代表者
      西野 茂弘
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  結晶成長の原子レベル制御

    • 研究代表者
      松本 俊
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      山梨大学
  •  バルク状単結晶SiCの育成と結晶多形の制御

    • 研究代表者
      西野 茂弘
    • 研究期間 (年度)
      1992
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  光CVD法によるアルミナ絶縁膜の低温堆積の研究研究代表者

    • 研究代表者
      松村 信男
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  ラジカムビ-ル励起による半導体SiCの結晶成長

    • 研究代表者
      西野 茂弘
    • 研究期間 (年度)
      1991
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  単結晶SiCのプラズマCVDにおける励起種の表面反応の研究

    • 研究代表者
      西野 茂弘
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  光CVP法によるアルミナ絶緑膜の低温堆積の研究

    • 研究代表者
      更家 淳司
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  ZnSSe膜の光照射下でのMBE成長機構の解明と高品質膜の低温成長研究代表者

    • 研究代表者
      松村 信男
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  MBE法による青色発光用格子整合混晶へのアクセプタ添加の研究

    • 研究代表者
      更家 淳司
    • 研究期間 (年度)
      1990
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  単結晶SiCのプラズマCVDにおける励起種の表面反応の研究

    • 研究代表者
      西野 茂弘
    • 研究期間 (年度)
      1989
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  光・プラズマ2重励起による半導体SiCの低温エピタキシヤル成長

    • 研究代表者
      西野 茂弘
    • 研究期間 (年度)
      1989 – 1990
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  単結晶SiCのプラズマCVDにおける励起種の表面反応の研究

    • 研究代表者
      西野 茂弘
    • 研究期間 (年度)
      1988
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  光CVD法によるAl_2O_3絶縁膜の低温作製

    • 研究代表者
      更家 淳司
    • 研究期間 (年度)
      1988 – 1989
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  短波長発光用II-VI族半導体混晶のMBE成長

    • 研究代表者
      更家 淳司
    • 研究期間 (年度)
      1987
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  •  MBE法による短波半導体レーザ材料の結晶成長

    • 研究代表者
      更家 淳司
    • 研究期間 (年度)
      1986 – 1987
    • 研究種目
      一般研究(B)
    • 研究分野
      電子材料工学
    • 研究機関
      京都工芸繊維大学
  • 1.  更家 淳司 (90026154)
    共同の研究課題数: 16件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  西野 茂弘 (30089122)
    共同の研究課題数: 12件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  吉本 昌広 (20210776)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  松本 俊 (00020503)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  若原 昭浩 (00230912)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  坪内 和夫 (30006283)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  木本 恒暢 (80225078)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  冬木 隆 (10165459)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  松波 弘之 (50026035)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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