野矢厚 NOYA Atsushi

研究者番号	60133807
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2016年度 – 2017年度: 北見工業大学, 工学部, 特任教授 2005年度 – 2015年度: 北見工業大学, 工学部, 教授 1994年度 – 2002年度: 北見工業大学, 工学部, 教授 1990年度: 北見工業大学, 工学部, 講師 1987年度 – 1989年度: 北見工業大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 電子材料工学研究代表者以外電子・電気材料工学 / 電子材料工学 / 薄膜・表面界面物性 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者 Cu / LSI / 集積回路 / 配線 / V / Nb / 高配向薄膜 / Cu_9Al_4 / Niシリサイド / NiSi … もっと見る / バリヤ / 薄膜 / uniform solid-phase reaction / NISIGe / NISI / nano-contact / SiGe / 均一シリサイド / SIGe / コンタクト界面 / 均一反応 / NiSiGe / ナノコンタクト / nano-crystal / Barrier / Interconnects / Integrated Circuits / Ta-W / VN / SiO_2 / フィールド酸化膜 / ナノクリスタル / Ta-W alloy / diffusion barrier / interconnect / Preferential orientation / Ta-W合金 / 拡散バリヤ / 優先配向 / epitaxial growth / semiconductor contacts / metal / oriented thin films / コンタクト / エピタキシャル / 金属-半導体コンタクト / metal-semiconductor interface / thin film / intermetallic compound / metallization material / Al_4Cu_9 / 金属ー半導体界面 / 金属間化合物 / メタライゼ-ション材料 / 結晶粒成長 / 界面平坦性 / Ni結晶粒 / 低温形成 / NiSi2 / シリサイド / 電気・電子材料 / 配緑 / ZrB2 / 化合物 / ZrB_2 … もっと見る研究代表者以外拡散バリヤ / 界面反応 / intermixing layer / 絶縁膜 / SiNx膜 / 3次元集積回路 / シリコン貫通ビア / メタライゼ-ション技術 / アルミニウム金属間化合物 / 酸化物超伝導体ファイバ / YBCO薄膜 / 弱結合 / SQUID / 酸化物高温超伝導体 / 拡散 / 表面・界面物性 / バリア絶縁膜 / バリヤレス / 低温作製 / シリコン貫通ビア配線 / Auger electron spectroscopy / Interface reaction / Interdiffusion / Diffusion barrier / Intermetallic compound film / 表面のキャラクタリゼーション / 結晶構造 / 金属関化合物膜 / SiLSI薄膜技術 / キャラクタリゼーション / オージェ電子分光分析 / VLSI薄膜技術 / 相互拡散 / 金属間化合物膜 / radical nitriding / diffusion barrier / Cu interconnects / LSI / Hot-wire方式 / 界面 / low-k材料 / 極薄バリヤ / ラジカル窒化 / 界面層 / Cu配線 / 集積回路 / Reduction of oxide thickness / tan delta / Heat-proof property / Anodized capacitor / Ta_2N compound film / 漏れ電流 / 誘電損 / 陽極酸化 / 窒化タンタル化合物膜 / 薄膜コンデンサ / 耐熱性 / tanδ / 薄膜キャパシタ / 陽極酸化膜 / Ta_2N化合物膜 / TSV / 薄膜 / 絶縁バリヤ / 低温プロセス / 薄膜プロセス / Zr-B / ナノコンポジット / 抵抗率 / ホウ化物 / ナノ材料 / SiーLSIコンタクト構造 / エピタキシャル薄膜 / ジョセフソン素子 / シリコンLSIコンタクト構造 / エピタルキシャル薄膜 / ジョセフソンデバイス隠す

3D及び2.5D-ICに適用可能なバリヤレス絶縁膜の低温作製
- 研究代表者
  
  武山眞弓
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北見工業大学
新規な低温成膜法によるＳｉＮｘ膜の作製と３次元ウェハ積層配線技術への応用
- 研究代表者
  
  武山眞弓
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北見工業大学
結晶粒径制御によるナノ結晶シリサイドの作製とナノコンタクト界面の形成に関する検討研究代表者
- 研究代表者
  
  野矢厚
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北見工業大学
広範な抵抗率可変機能を持つ新しい薄膜ナノ材料の開発と最先端集積回路への応用
- 研究代表者
  
  武山真弓 (武山眞弓)
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2011
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北見工業大学
極微細銅配線のための新しい化合物バリヤ材料の検討研究代表者
- 研究代表者
  
  野矢厚
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北見工業大学
次世代Cu/low-k材料間の極薄バリヤを用いた安定な界面形成のための基礎的検討
- 研究代表者
  
  武山真弓
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  北見工業大学
金属/SiGe混晶半導体ナノコンタクト界面形成の基礎的検討研究代表者
- 研究代表者
  
  野矢厚
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北見工業大学
フィールド酸化膜上での銅配線に対する極薄・低抵抗バリヤの基礎的検討研究代表者
- 研究代表者
  
  野矢厚
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北見工業大学
集積電子回路におけるフィールド酸化膜上の高配向薄膜配線の形成研究代表者
- 研究代表者
  
  野矢厚
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北見工業大学
集積電子回路における高配向薄膜配線層のエピタキシャル成長による作製研究代表者
- 研究代表者
  
  野矢厚
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北見工業大学
窒化タンタル陽極酸化膜による耐熱性に優れた薄膜コンデンサの作製
- 研究代表者
  
  佐々木克孝
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  試験研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北見工業大学
酸化物超伝導材料による高温動作SQUIDシステムに関する研究
- 研究代表者
  
  栗城真也
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  北海道大学
超LSIメタライゼ-ション技術へのアルミニウム金属間化合物膜の適用に関する研究
- 研究代表者
  
  佐々木克孝
- 研究期間 (年度)
  1990
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  北見工業大学
酸化物超伝導材料による高温動作SQUIDシステムに関する研究
- 研究代表者
  
  栗城真也
- 研究期間 (年度)
  1989
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  北海道大学
超LSIメタライゼ-ション技術へのアルミニウム金属間化合物膜の適用に関する研究
- 研究代表者
  
  佐々木克考
- 研究期間 (年度)
  1989
- 研究種目
  
  重点領域研究
- 研究機関
  北見工業大学
アルミニウムー銅金属間化合物薄膜のLSIメタライゼ-ション材料への応用研究代表者
- 研究代表者
  
  野矢厚
- 研究期間 (年度)
  1989 – 1990
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  北見工業大学
高融点金属間化合物薄膜の作成とその電子材料への応用に関する基礎的検討
- 研究代表者
  
  佐々木克孝
- 研究期間 (年度)
  1987 – 1988
- 研究種目
  
  一般研究(C)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  北見工業大学

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すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Low-temperature-deposited insulating films of silicon nitride by reactive sputtering and plasma-enhanced CVD: Comparison of characteristics2016
- 著者名/発表者名
  Masaru Sato, Mayumi B. Takeyama, Yoshihiro Nakata, Yasushi Kobayashi, Tomoji Nakamura, and Atsushi Noya
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 55
- NAID
  210000146285
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[雑誌論文] Low-temperature-deposited insulating films of silicon nitride by reactive sputtering and plasma-enhanced CVD: Comparison of characteristics2016
- 著者名/発表者名
  M. Sato, M. B. Takeyama, Y. Nakata, Y. Kobayashi, T. Nakamura, A. Noya
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55
- NAID
  210000146285
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[雑誌論文] Room-temperature deposition of HfNx barrier by radical-assisted surface reaction for through-silicon-via in three-dimensional LSI2016
- 著者名/発表者名
  M. Sato, M. B. Takeyama, A. Noya
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 55 号: 2S ページ: 02BC21-02BC21
- DOI
  10.7567/jjap.55.02bc21
- NAID
  210000146090
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[雑誌論文] 3D/2.5D-IC TSVに向けた低温成膜SiNxの特性評価2015
- 著者名/発表者名
  小林靖志，中田義弘，中村友二，武山真弓，佐藤勝，野矢厚
- 雑誌名
  
  電気学会論文誌C
  
  巻: 135
- NAID
  130005086248
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[雑誌論文] TSVプロセスに適用可能な反応性スパッタ法を用いたSiNx膜の低温作製2015
- 著者名/発表者名
  佐藤勝，武山真弓，小林靖志，中田義弘，中村友二，野矢　厚
- 雑誌名
  
  電気学会論文誌C
  
  巻: 135
- NAID
  130005086247
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[雑誌論文] Preparation of nanocrystalline HfNx films as a thin barrier for through-Si via interconnects in three-dimensional integration2014
- 著者名/発表者名
  M.B.Takeyama, M.Sato, E.Aoyagi, and A.Noya
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 53 号: 2S ページ: 02BC05-02BC05
- DOI
  10.7567/jjap.53.02bc05
- NAID
  210000143353
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[雑誌論文] Characterization of silicon nitride thin films deposited by reactive sputtering and plasma-enhanced CVD at low temperatures2014
- 著者名/発表者名
  M.B.Takeyama, M.Sato, Y.Nakata, Y.Kobayashi, T.Nakamura, and A.Noya
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 53 号: 5S2 ページ: 05GE01-05GE01
- DOI
  10.7567/jjap.53.05ge01
- NAID
  210000143950
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[雑誌論文] ナノ結晶組織を有する薄いHfNx膜のCuに対する拡散バリヤ特性2014
- 著者名/発表者名
  佐藤　勝，武山　真弓，青柳英二，野矢　厚
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会論文誌C
  
  巻: J97-C ページ: 46-47
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[雑誌論文] Ni/Si系におけるモノシリサイドとジシリサイドのマルチフェーズ形成2012
- 著者名/発表者名
  野矢厚、武山真弓、佐藤勝、徳田奨
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 112 ページ: 49-53
- NAID
  110009636865
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560353
[雑誌論文] Low temperature deposited Zr-B film applicable to extremely thin barrier for copper interconnect2009
- 著者名/発表者名
  M. B. Takeyama, A. Noya, Y. Nakadai, S. Kambara, M. Hatanaka, Y. Hayasaka, E. Aoyagi, H. Machida, K. Masu
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 256
  
  ページ: 1222-1226
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[雑誌論文] Low temperature deposited Zr-B film applicable to extremely thin barrier for copper interconnects2009
- 著者名/発表者名
  M.B.Takeyama, A.Noya, 他
- 雑誌名
  
  Appllied Surface Science 256
  
  ページ: 1222-1226
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[雑誌論文] "Application of Extremely Thin ZrN Film as Diffusion Barrier between Cu and. SiOC"2008
- 著者名/発表者名
  M. Sato, M.B. Takeyama, E. Aoyagi, A. Noya
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  ページ: 620-624
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[雑誌論文] Application of Extremely Thin ZrN Film as Diffusion Barrier between Cu and SiOC2008
- 著者名/発表者名
  M. Sato, M. B. Takeyama, E. Aoyagi, A. Noya
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  ページ: 620-624
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[雑誌論文] Application of Extremely Thin ZrN Film as Diffusion Barrier between Cu and Si0C2008
- 著者名/発表者名
  M. Sato, M. B. Takeyama, E. Aoyagi, A. Noya
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  ページ: 620-624
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[雑誌論文] ZrB2薄膜の低温作製とCu配線における拡散バリヤとしての適用2007
- 著者名/発表者名
  武山真弓, 中台保夫, 神原正三, 畠中正信, 野矢厚
- 雑誌名
  
  応用物理学会学術講演会論文集 30a-P9-16
  
  ページ: 889-889
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[雑誌論文] Barrier properties of TiN_x thin films formed by nitridation of sputtered Ti with hot-wire activated radical species2007
- 著者名/発表者名
  M. B. Takeyama, M. Sato, Y. Hayasaka, E. Aoyagi and A.Noya
- 雑誌名
  
  Advanced Metallization Conference 2007: Asian Session 2007
  
  ページ: 82-83
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[雑誌論文] Application of ZrB2 thin film as a diffusion barrier in Cu interconnects2007
- 著者名/発表者名
  M. B. Takeyama, Y. Nakadai, S. Kambara, M. Hatanaka, A. Noya
- 雑誌名
  
  Advanced Metallization Conference 2007: Asian Session 2007
  
  ページ: 126-127
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[雑誌論文] Preparation of HfNx barrier with low resistivity by using hot-wire method2007
- 著者名/発表者名
  Mayumi B.Takeyama, Masaru Sato, Masato Yashiki, Atsushi Noya
- 雑誌名
  
  Advanced Metallization Conference 2006 : Asian Session 5-11
  
  ページ: 64-64
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[雑誌論文] Hot-wire法におけるラジカル窒化反応させたZrNバリヤの熱的安定性2007
- 著者名/発表者名
  佐藤勝, 武山真弓, 野矢厚
- 雑誌名
  
  応用物理学会学術講演会論文集 30a-P9-15
  
  ページ: 889-889
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[雑誌論文] ラジカル窒化反応を用いたHfNバリヤの新規作製方法の検討2006
- 著者名/発表者名
  武山真弓, 佐藤勝, 矢敷真人, 野矢厚
- 雑誌名
  
  応用物理学会学術講演論文集 30p-ZN-14
  
  ページ: 750-750
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[雑誌論文] Interface morphology in Cu/ZrN/SiOC/Si system induced by annealing2006
- 著者名/発表者名
  Mayumi B.Takeyama, Masaru Sato, Atsushi Noya
- 雑誌名
  
  Advanced Metallization Conference 2006 : Asian Session 5-12
  
  ページ: 66-66
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[雑誌論文] Cu配線技術における極薄TiNバリヤ膜作製のためのCat(触媒作用)によるラジカル反応の適用2006
- 著者名/発表者名
  柳田賢善, 中村哲也, 武山真弓, 野矢厚
- 雑誌名
  
  第3回Cat-CVD研究会講演予稿集 P21
  
  ページ: 210-210
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[雑誌論文] Si-ULSI技術におけるCu配線の拡散バリヤへのCatの応用例2006
- 著者名/発表者名
  武山真弓, 野矢厚
- 雑誌名
  
  第3回Cat-CVD研究会講演予稿集 (招待講演)
  
  ページ: 117-117
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[雑誌論文] Cu/ZrN/SiOC/Si構造における極薄ZrNバリヤの熱的安定性と界面モフォロジー2006
- 著者名/発表者名
  佐藤勝, 武山真弓, 青柳英二, 野矢厚
- 雑誌名
  
  応用物理学会北海道支部日本光学会北海道支部合同学術講演会論文集 A-21
  
  ページ: 21-21
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[雑誌論文] Si-ULSIにおけるCat(触媒作用)によるラジカル窒化した極薄HfN膜のCu/Si02間のバリヤ特性2006
- 著者名/発表者名
  佐藤勝, 矢敷真人, 武山真弓, 野矢厚
- 雑誌名
  
  第3回Cat-CVD研究会講演予稿集 P23
  
  ページ: 216-216
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[雑誌論文] Cu/ZrN/SiOC/Si構造の熱的安定性と界面モフォロジーの検討2006
- 著者名/発表者名
  野矢厚, 佐藤勝, 武山真弓, 青柳英二
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告 CPM2006-119
  
  ページ: 37-37
- NAID
  110005717107
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[雑誌論文] Cu配線のためのラジカル反応を用いた極薄TiNxバリヤの新規作製方法の検討2006
- 著者名/発表者名
  武山真弓, 佐藤勝, 野矢厚
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告 CPM2006-120
  
  ページ: 41-41
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[雑誌論文] HW法により成膜させた極薄HfNx膜のCu/SiO2及びCu/SiOC間のバリヤ特性2006
- 著者名/発表者名
  佐藤勝, 武山真弓, 野矢厚
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告 CPM2006-121
  
  ページ: 47-47
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[雑誌論文] Cu配線技術におけるhot-wire法によるラジカル反応を用いた極薄TiNバリヤ膜の作製2006
- 著者名/発表者名
  柳田賢善, 武山真弓, 野矢厚
- 雑誌名
  
  応用物理学会学術講演論文集 30p-ZN-15
  
  ページ: 750-750
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[雑誌論文] hot-wire法によるラジカル窒化TiN膜の作製とCu配線への適応2006
- 著者名/発表者名
  柳田賢善, 武山真弓, 野矢厚
- 雑誌名
  
  応用物理学会北海道支部日本光学会北海道支部合同学術講演会論文集 A-20
  
  ページ: 20-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[雑誌論文] 45nmノードに対応した極薄ZrN膜のバリヤ特性2006
- 著者名/発表者名
  佐藤勝, 武山真弓, 野矢厚
- 雑誌名
  
  第53回応用物理学関係連合講演会 24a-J-10
  
  ページ: 874-874
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[雑誌論文] Barrier properties of extremely thin ZrN films in Cu/SiOC system2005
- 著者名/発表者名
  M.B.Takeyama, M.Sato, A.Noya
- 雑誌名
  
  Advanced Metallization Conference 2005 7-17
  
  ページ: 94-95
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[雑誌論文] Si-ULSIにおけるCu配線に適用可能な極薄なのバリヤの動向とその界面制御2005
- 著者名/発表者名
  武山真弓, 野矢厚
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会2005ソサイエティ大会 CS-5-4
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[雑誌論文] Application of ultrathin VN barrier between Cu interconnects and SiOC layer2005
- 著者名/発表者名
  M.B.Takeyama, M.Genta, E.Aoyagi, A.Noya
- 雑誌名
  
  Advanced Metallization Conference 2005 7-9
  
  ページ: 78-79
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[雑誌論文] Cu/ZrN/SiOC/Si構造における極薄ZrNバリヤ特性2005
- 著者名/発表者名
  佐藤勝, 武山真弓, 野矢厚
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告 CPM2005-64
  
  ページ: 25-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[雑誌論文] 45nmノード対応の極薄VNバリヤを用いたCu/VN/SiOC/Si構造のナノ界面制御2005
- 著者名/発表者名
  武山真弓, 水野源大, 青柳英二, 野矢厚
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告 CPM2005-65
  
  ページ: 29-34
- NAID
  110003224759
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[雑誌論文] Cu/low-k間の適用したZrNバリヤの特性2005
- 著者名/発表者名
  佐藤勝, 武山真弓, 野矢厚
- 雑誌名
  
  第66回応用物理学会学術講演会 7p-A-10
  
  ページ: 698-698
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[雑誌論文] Properites of ZrB_x thin films withoff-stoichiometric compositions from ZrB_2compound
- 著者名/発表者名
  M. B. Takeyama, M. Sato, A. Noya
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: (投稿中)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560320
[学会発表] ラジカル処理を用いた低温TiNx膜の特性評価2016
- 著者名/発表者名
  佐藤　勝、武山真弓、野矢　厚
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  東京都
- 年月日
  2016-01-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] ナノ結晶HfNx膜上のCu膜の組織観察2016
- 著者名/発表者名
  佐藤　勝、武山真弓、青柳英二、野矢　厚
- 学会等名
  電子情報通信学会総合大会
- 発表場所
  福岡県福岡市
- 年月日
  2016-03-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] Cuプラグに適用可能なTiHfN合金膜のバリヤ特性2016
- 著者名/発表者名
  佐藤勝、青柳英二、野矢厚、武山真弓
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  金沢工業大学（石川県野々市市）
- 年月日
  2016-11-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] 低温作製された窒化物薄膜の特性2016
- 著者名/発表者名
  武山真弓、佐藤　勝、小林靖志、中田義弘、中村友二、野矢　厚
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  東京都
- 年月日
  2016-01-22
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] 室温堆積によるSiNx膜の特性評価2015
- 著者名/発表者名
  武山真弓、佐藤　勝、小林靖志、中田義弘、中村友二、野矢　厚
- 学会等名
  Cat-CVD研究会
- 発表場所
  愛知県名古屋市
- 年月日
  2015-07-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] ラジカル反応を用いたHfNx膜の低温作製2015
- 著者名/発表者名
  佐藤　勝、武山真弓、野矢　厚
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  青森県弘前市
- 年月日
  2015-08-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] 室温成膜したSiNx膜の特性評価2015
- 著者名/発表者名
  佐藤　勝、武山真弓、小林靖志、中田義弘、中村友二、野矢　厚
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  新潟県長岡市
- 年月日
  2015-11-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] Preparation of high performance SiNx films deposited by reactive sputtering and PECVD at low temperatures2015
- 著者名/発表者名
  M. Sato, M. B. Takeyama, Y. Nakata, Y. Kobayashi, t. Nakamura, A. Noya
- 学会等名
  2015 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  北海道札幌市
- 年月日
  2015-09-27
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] 窒化物薄膜の微細構造制御とラジカルを用いた低温での成膜方法2015
- 著者名/発表者名
  武山真弓、佐藤　勝、野矢　厚
- 学会等名
  化学工学会
- 発表場所
  北海道札幌市
- 年月日
  2015-09-09
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] ラジカル処理によるHfNx膜の室温作製2015
- 著者名/発表者名
  佐藤　勝、武山真弓、野矢　厚
- 学会等名
  電気・情報関係学会北海道支部連合大会
- 発表場所
  北海道北見市
- 年月日
  2015-11-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] ラジカルを用いた表面窒化反応によるHfNx膜の低温作製2015
- 著者名/発表者名
  佐藤　勝、武山真弓、野矢　厚
- 学会等名
  Cat-CVD研究会
- 発表場所
  愛知県名古屋市
- 年月日
  2015-07-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] 絶縁バリアとしてのSiNx膜の低温作製2015
- 著者名/発表者名
  武山真弓、佐藤　勝、小林靖志、中田義弘、中村友二、野矢　厚
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  青森県弘前市
- 年月日
  2015-08-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] ラジカル窒化による遷移金属窒化物の有用性2015
- 著者名/発表者名
  武山真弓、佐藤　勝、青柳英二、野矢　厚
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  新潟県長岡市
- 年月日
  2015-11-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K05975
[学会発表] 低温作製されたSiNx膜のCu拡散へのバリヤ性2014
- 著者名/発表者名
  佐藤勝，武山真弓，小林靖志，中田義弘，中村友二，野矢厚
- 学会等名
  電子情報通信学会総合大会
- 発表場所
  新潟
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[学会発表] Ni/Si系におけるNiSi2相の低温形成2014
- 著者名/発表者名
  野矢, 武山
- 学会等名
  電気学会電子・情報・システム部門大会
- 発表場所
  松江市(発表予定)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560353
[学会発表] 酸化層の介在したNi/Si系でのシリサイド反応2014
- 著者名/発表者名
  野矢　厚　　武山　真弓
- 学会等名
  電子情報通信学会総合大会
- 発表場所
  新潟大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560353
[学会発表] 低温作製されたスパッタ-SiNx膜のカバレ－ジ特性2014
- 著者名/発表者名
  武山真弓，佐藤勝，小林靖志，中田義弘，中村友二，野矢厚
- 学会等名
  電子情報通信学会総合大会
- 発表場所
  新潟
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[学会発表] TSVに適用可能な低温SiNx膜のキャラクタリゼーション2013
- 著者名/発表者名
  武山真弓，佐藤勝，小林靖志，中田義弘，中村友二，野矢厚
- 学会等名
  電子情報通信学会ソサイエティ大会
- 発表場所
  福岡
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[学会発表] 3D/2.5D-ICのTSVにおける低温SiNx膜の評価2013
- 著者名/発表者名
  小林靖志，中田義弘，小高康稔，中村友二，武山真弓，佐藤勝，野矢厚
- 学会等名
  電気学会電子・情報・システム部門大会
- 発表場所
  北見
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[学会発表] Cnaracterization of SiNx film as insulating barrier applicable to TSV2013
- 著者名/発表者名
  M.B.Takeyama, M.Sato, Y.Kobayashi, Y.Nakata, T.Nakamura, and A.Noya
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference 2013
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[学会発表] 成膜手法の違いによるZrNx膜の特性評価2013
- 著者名/発表者名
  佐藤勝，武山真弓，青柳　英二，野矢厚
- 学会等名
  Cat-CVD研究会
- 発表場所
  岐阜
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[学会発表] シリコン貫通ビアに適用可能なナノ結晶組織を有するHfNx 膜のバリヤ特性2013
- 著者名/発表者名
  佐藤勝，武山真弓，青柳　英二，野矢厚
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  釧路
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[学会発表] ラジカル窒化法を用いた窒化物薄膜形成の有用性2013
- 著者名/発表者名
  武山　真弓，佐藤　勝，野矢　厚
- 学会等名
  Cat-CVD研究会
- 発表場所
  岐阜
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[学会発表] Cu/SiコンタクトにおけるTaWN３元合金膜のバリヤ特性2013
- 著者名/発表者名
  武山真弓，佐藤勝，野矢厚
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  釧路
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[学会発表] 低温プロセスによるSiNx膜の特性評価2013
- 著者名/発表者名
  武山真弓，佐藤勝，小林靖志，中田義弘，中村友二，野矢厚
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  新潟
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[学会発表] 酸化層の介在したNi/Si系でのシリサイド反応2013
- 著者名/発表者名
  野矢, 武山
- 学会等名
  電子情報通信学会総合大会
- 発表場所
  新潟市(C-6-3)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560353
[学会発表] シリコン貫通ビアに適用可能なバリヤ材料のあり方2013
- 著者名/発表者名
  佐藤勝，武山真弓，青柳　英二，野矢厚
- 学会等名
  電子情報通信学会ソサイエティ大会
- 発表場所
  福岡
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[学会発表] Ni/Si固相反応におけるNiSi-NiSi2相の低温での共存形成2012
- 著者名/発表者名
  野矢, 佐藤, 武山
- 学会等名
  2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会
- 発表場所
  富山市(C-6-1)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560353
[学会発表] Ni/Si系におけるモノシリサイドとジシリサイドのマルチフェーズ形成2012
- 著者名/発表者名
  野矢, 武山, 佐藤, 徳田
- 学会等名
  電子情報通信学会技術研究報告
- 発表場所
  (vol.112,No.265,pp.49-53,CPM2012-102)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560353
[学会発表] Ni/Si固相反応系におけるNiSi-NiSi2相の低温での共存形成2012
- 著者名/発表者名
  野矢厚、佐藤勝、武山真弓
- 学会等名
  2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会C-6-1
- 発表場所
  富山市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560353
[学会発表] 非化学量論組成のZrBx薄膜のCuメタルキャップとしての特性2012
- 著者名/発表者名
  佐藤、武山、野矢
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560320
[学会発表] 非化学量論組成のZrB_x薄膜のCuメタルキャップとしての特性2012
- 著者名/発表者名
  佐藤勝、武山真弓、野矢厚
- 学会等名
  2012応用物理学関係連合講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560320
[学会発表] Cu配線のメタルキャップ層としてのZrB_x膜の特性2011
- 著者名/発表者名
  佐藤勝、武山真弓、野矢厚
- 学会等名
  2011年電子情報通信学会エレクトロソサイエティ大会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560320
[学会発表] NiSi相の形成とCuコンタクトへの適用2011
- 著者名/発表者名
  武山, 佐藤, 野矢
- 学会等名
  電子情報通信学会技術研究報告
- 発表場所
  (vol. 111, No.264, pp. 41-45, CPM2011−117)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560353
[学会発表] NiSi相の形成とCuコンタクトへの適用2011
- 著者名/発表者名
  武山眞弓、佐藤勝、野矢厚
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会　CPM2011-117
- 発表場所
  福井市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560353
[学会発表] Cu配線のメタルキャップ層としてのZrBx膜の特性2011
- 著者名/発表者名
  佐藤、武山、野矢
- 学会等名
  2011年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会
- 発表場所
  札幌
- 年月日
  2011-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560320
[学会発表] 組成を変化させたZrBx薄膜の特性評価2011
- 著者名/発表者名
  武山、佐藤、野矢
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  青森
- 年月日
  2011-08-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560320
[学会発表] 組成を変化させたZrB_x薄膜の特性評価2011
- 著者名/発表者名
  武山真弓、佐藤勝、野矢厚
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560320
[学会発表] 低温作製されたZrB_x薄膜のCu配線への適用2010
- 著者名/発表者名
  武山真弓、佐藤勝、野矢厚
- 学会等名
  2010春季用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560320
[学会発表] 低温作製されたZrBx薄膜のCu配線への適用2010
- 著者名/発表者名
  武山, 佐藤, 野矢
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川)
- 年月日
  2010-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560320
[学会発表] ラジカル反応を応用したZrNx膜の低温作製2010
- 著者名/発表者名
  佐藤、武山、早坂、青柳、野矢
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  北海道
- 年月日
  2010-07-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560320
[学会発表] 低温作製されたZrBx薄膜のCu配線への適用2010
- 著者名/発表者名
  武山真弓、佐藤勝、野矢厚
- 学会等名
  2010春季応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川)
- 年月日
  2010-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[学会発表] 低温作製されたZrBx薄膜のCu配線への適用2010
- 著者名/発表者名
  武山真弓, 佐藤勝, 野矢厚
- 学会等名
  2010春季応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[学会発表] ZrBx薄膜の特性評価とCu多層配線への応用2009
- 著者名/発表者名
  武山真弓, 佐藤勝, 早坂祐一郎, 青柳英二, 野矢厚
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会、CPM2009-43
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[学会発表] ZrB_x薄膜の特性評価とCu多層配線への応用2009
- 著者名/発表者名
  武山真弓、佐藤勝、早坂祐一郎、青柳英二、野矢厚
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560320
[学会発表] 低温作製されたZrBx薄膜の特性評価2009
- 著者名/発表者名
  武山真弓, 宮地一成, 木嶋雄介, 佐藤勝, 野矢厚
- 学会等名
  44回応用物理学会北海道支部・第5回日本光学会北海道支部合同学術講演会
- 発表場所
  函館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[学会発表] ZrBx薄膜の特性評価とCu多層配線への応用2009
- 著者名/発表者名
  武山、佐藤、早坂、青柳、野矢
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会資料CPM2009-43
- 発表場所
  弘前大学(青森)
- 年月日
  2009-08-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[学会発表] ZrBx薄膜の特性評価とCu配線への応用2009
- 著者名/発表者名
  武山, 佐藤, 早坂, 青柳, 野矢
- 学会等名
  電子情報通信学会技術研究報告(電子部品・材料研究会)
- 発表場所
  弘前大学(青森)
- 年月日
  2009-08-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21560320
[学会発表] Effects of radical nitriding condition to interfacial reaction at TiN/Si02 interface2008
- 著者名/発表者名
  Mayumi B. Takeyama, Masaru Sato, Tadayoshi Yanagita, Akihiro Sato, Yuichiro Hayasaka, Eiji Aoyagi, Atsushi Noya
- 学会等名
  The 55th Spring Meeting 2008, The Japan. Society of Applied Physics and Related Societies, 29p-ZK-12, pp.877
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Low temperature deposited ZrB_2 thin film applicable to extremely thin barrier against copper interconnect2008
- 著者名/発表者名
  M. B. Takeyama, A. Noya, Y. Nakadai, S. Kambara, M. Hatanaka, E. Aoyagi, H. Machida, K. Masu
- 学会等名
  40^<th> Vacuum and Surface Science Conference of Asia and Australia
- 発表場所
  Matsue
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[学会発表] ラジカル窒化条件がTiN_x/SiO_2界面に及ぼす影響2008
- 著者名/発表者名
  武山真弓, 佐藤勝, 柳田賢善, 佐藤彰洋, 早坂祐一郎, 青柳英二, 野矢厚
- 学会等名
  第55回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  船橋市日本大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] ZrBx薄膜のキャラクタリゼーション2008
- 著者名/発表者名
  佐藤勝, 木嶋雄介, 宮地一成, 武山真弓, 野矢厚
- 学会等名
  電気・情報関係学会北海道支部連合大会
- 発表場所
  札幌
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[学会発表] Low temperature deposited ZrB_2 92km applicable to extremely fain barrier against copper interconmect2008
- 著者名/発表者名
  M. B. Takyama, A. Noya, et.al.
- 学会等名
  4th Vacuum and Surface Suence Confeveuce of Asia and Australia
- 発表場所
  Mafsae
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[学会発表] "Preparation and barrier properties of ZrB2 thi n film deposited at low temperature for Cu interconnects"2007
- 著者名/発表者名
  Mayumi B. Takeyama, Yasuo Nakadai, Shozo Kambara, Masanobu Hatanaka, Atsushi Noya
- 学会等名
  The 54th Spring Meeting 2007, The Japan. Society of Applied Physics and Related Societies, 30a-P9-16, pp.889
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] ZrB_2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO_2間のバリヤ特性2007
- 著者名/発表者名
  武山真弓, 中台保夫, 神原正三, 畠中正信, 野矢厚
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会、信学技報CPM-2007-111
- 発表場所
  長岡
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[学会発表] ZrB_2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/Sio_2問のバリヤ特性2007
- 著者名/発表者名
  武山真弓, 中台保夫, 神原正三, 畠中正信, 野矢厚
- 学会等名
  平成19年度電子情報通信学会電子部品・材料研究会(CPM)
- 発表場所
  長岡市長岡技術科学大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Cu/ZrN/SiOC/Si構造における極薄ZrNバリヤの熱的安定性とモフォロジー2007
- 著者名/発表者名
  Masaru Sato, Mayumi B. Takeyama, Eiji Aoyagi, Atsushi Noya
- 学会等名
  第42回応用物理学会北海道支部第3回日本光学会北海道支部合同学術講演会, A-21, pp21
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Cu/ZrN/SiO_2/Si構造における極薄ZrNバリヤの適用2007
- 著者名/発表者名
  佐藤勝, 武山真弓, 野矢厚
- 学会等名
  平成19年度電気・情報関係学会北海道支部連合大会
- 発表場所
  札幌市北海道工業大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] ラジカル窒化反応を用いた新規作製法によるTiN_xバリヤの特性2007
- 著者名/発表者名
  武山真弓, 佐藤勝, 青柳英二, 野矢厚
- 学会等名
  2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  札幌市北海道工業大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Application of ZrB2 thifilm as a diffusion barrier in Cuinterconnects2007
- 著者名/発表者名
  M. B. Takeyama, Y. Nakadai, S. Kambara, M. Hatanaka, and A. Noya
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference 2007
- 発表場所
  Asian Session
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Preparation of thin TiNx film and its application to extremely thin diffusion barrier without intermixing interface layer2007
- 著者名/発表者名
  M. B. Takeyama, M. Sato, Y. Hayasaka, E. Aoyagi and A. Noya
- 学会等名
  Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
- 発表場所
  東京都都立大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Barrier properties of TiN_x thin films formed by nitridation of sputtered Ti with hot-wire activated radical species2007
- 著者名/発表者名
  M. B. Takeyama, M. Sato, Y. Hayasaka, E. Aoyagi and A. Noya
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference 2007 : Asian Session
- 発表場所
  東京都東京大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Barrier properties of TiNx thin films formed by nitridation of sputtered Ti with hot-wire activated radical species2007
- 著者名/発表者名
  M. B. Takeyama, M. Sato, Y. Hayasaka, E. Aoyagi and A. Noya
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference 2007
- 発表場所
  Asian Session
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Realization of intermixing free ZrN barrier in Cu/ZrN/SiOC/Si system2007
- 著者名/発表者名
  Masaru Sato, Mayumi B. Takeyama, Ei ji Aoyagi, Atsushi Noya
- 学会等名
  A The 68th Autumn Meeting 2007, The Japan Society of Applied Physics, 5a-B-2, pp. 841
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Controlled interfaces on ZrN barrier interposed between Cu and field insulating Si02 layers2007
- 著者名/発表者名
  Masaru Sato, Mayumi B. Takeyama, Atsushi Noya
- 学会等名
  IEICE Technical Report, CPM2007-112, pp.39-42
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] "Si-ULSIにおけるCu配線へのCatによるラジカル窒化膜の適用"2007
- 著者名/発表者名
  Mayumi B. Takeyama, Masaru Sato, Atsushi Noya
- 学会等名
  第4回Cat-CVD研究会, 11, pp.35-36
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Application of ZrB2 thin film as a diffusion barrier in Cu interconnects2007
- 著者名/発表者名
  M. B. Takeyama, Y. Nakadai, S. Kambara, M. Hatanaka, A. Noya
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference 2007 : Asian Session
- 発表場所
  東京都東京大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Application of ZrB2 thin film as a diffusion barrier in Cu interconnects2007
- 著者名/発表者名
  M. B. Takeyama, A. Noya, 他
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference 2007
- 発表場所
  東京
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[学会発表] Si-ULSIにおけるCu配線へのCatによるラジカル窒化膜の適用2007
- 著者名/発表者名
  武山真弓, 佐藤勝, 青柳英二, 野矢厚
- 学会等名
  第4回Cat-CVD研究会
- 発表場所
  北九州市
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] ZrB2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO2間のバリヤ特性2007
- 著者名/発表者名
  武山、野矢, 他
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  長岡
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[学会発表] Application of ZrB_2 thin film as a diffusion barrier in Cu interconnects2007
- 著者名/発表者名
  M.B.Takeyama, Y.Nakadai, S.Kambara, M.Hatanaka, A.Noya
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference 2007
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19560308
[学会発表] "Thermal stability of ZrN barrier formed by radical nitriding assisted by hot-wire method"2007
- 著者名/発表者名
  Masaru Sato, Mayumi B. Takeyama, Atsushi Noya
- 学会等名
  The 54th Spring Meeting 2007, The Japan. Society of Applied Physics and Related Societies, 30a-P9-15, pp.889
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Hot-wire法におけるラジカル窒化反応させたZrNバリヤの熱的安定性2007
- 著者名/発表者名
  佐藤勝, 武山真弓, 野矢厚
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会論文集
- 発表場所
  相模原市青山学院大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Application of extremely thin ZrN film as a diffusion barrier between Cu and SiOC2007
- 著者名/発表者名
  Masaru Sato, Mayumi B. Takeyama, E. Aoyagi, and Atsushi Noya
- 学会等名
  2nd International Symposium on Organic and In organic Electronic Materials and Related Nan otechnologies (EM-NANO 2007)
- 発表場所
  長野市
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] ZrB_2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO_2間のバリヤ特性2007
- 著者名/発表者名
  武山真弓, 中台保夫, 神原正三, 畠中正信, 野矢厚
- 学会等名
  平成19年度電子情報通信学会電子部品・材料研究会(CPM)
- 発表場所
  長岡市長岡技術科学大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Barrier properties of TiNx by new deposition method with radical nitriding2007
- 著者名/発表者名
  Mayumi B. Takeyama, Masaru Sato, Ei ji Aoyagi, Atsushi Noya
- 学会等名
  A The 68th Autumn Meeting 2007, The Japan Society of Applied Physics, 5a-B-3, pp.841
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] ZrNバリヤを用いたCu/層間絶縁膜間の界面制御2007
- 著者名/発表者名
  佐藤勝, 武山真弓, 野矢厚
- 学会等名
  平成19年度電子情報通信学会電子部品・材料研究会(CPM)
- 発表場所
  長岡市長岡技術科学大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Preparation of thin TiNx film and its application to extremely thin diffusion barrier without intermixing interface layer2007
- 著者名/発表者名
  Mayumi B. Takeyama, Masaru Sato, Yuichiro Hayasaka, Eiji Aoyagi, Atsushi Noya
- 学会等名
  Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, P-39, pp.165-166
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Cu/ZrN/SiOC/Si構造における極薄ZrNバリヤの熱的安定性と界面モフォロジー2007
- 著者名/発表者名
  佐藤勝, 武山真弓, 青柳英二, 野矢厚
- 学会等名
  応用物理学会北海道支部日本光学会北海道支部合同学術講演会論文集
- 発表場所
  北見市北見工業大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Application of extremely thin ZrN film as a diffusion barrier between Cu and SiOC2007
- 著者名/発表者名
  Masaru Sato, Mayumi B. Takeyama, E. Aoyagi, and Atsushi Noya
- 学会等名
  2nd International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies(EM-NANO 2007)
- 発表場所
  長野市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] "Application of extremely thin ZrN film as a diffusion barrier between Cu and SiOC"2007
- 著者名/発表者名
  Masaru Sato, Mayumi B. Takeyama, E. Aoyagi, and Atsushi Noya
- 学会等名
  2nd International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO2007), P3-31, 239
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] hot-wire法によるラジカル窒化TiN膜の作製とCu配線への適応2007
- 著者名/発表者名
  柳田賢善, 武山真弓, 野矢厚
- 学会等名
  応用物理学会北海道支部日本光学会北海道支部合同学術講演会論文集
- 発表場所
  北見市北見工業大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Cu/ZrN/Si02/Si構造における極薄ZrNバリヤ適用2007
- 著者名/発表者名
  Masaru Sato, Mayumi B. Takeyama, Atsushi Noya
- 学会等名
  IEICE Technical Report, CPM2007-111, pp.35-38
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Cu/SiOC間にZrNバリヤを用いた理想的な界面のあり方の検討2007
- 著者名/発表者名
  佐藤勝, 武山真弓, 青柳英二, 野矢厚
- 学会等名
  2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  札幌市北海道工業大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] ZrB2薄膜の低温作製とCu配線における拡散バリヤとしての適用2007
- 著者名/発表者名
  武山真弓, 中台保夫, 神原正三, 畠中正信, 野矢厚
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会論文集
- 発表場所
  相模原市青山学院大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] hot-wire法によるラジカル窒化TiN膜の作製とCu配線バリヤへの適応"2007
- 著者名/発表者名
  Tadayoshi Yanagita, Mayumi B. Takeyama, Atsushi Noya
- 学会等名
  第42回応用物理学会北海道支部第3回日本光学会北海道支部合同学術講演会, A-20, pp.20
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Characterization and barrier properties of ZrB2 thin films for Cu interconnects2007
- 著者名/発表者名
  Mayumi B. Takeyama, Yasuo Nakadai, Shozo Kambara, Masanobu Hatanaka, Atsushi Noya
- 学会等名
  IEICE Technical Report, CPM2007-111, pp. 35-38
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Si-ULSI技術におけるCu配線の拡散張りやへのCatの応用例(Invited)2006
- 著者名/発表者名
  Mayumi B. Takeyama and Atsushi Noya
- 学会等名
  第3回Cat-CVD研究会 pp.117-119
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] 45nmノードに対応した極薄ZrN膜のバリヤ特性2006
- 著者名/発表者名
  佐藤勝, 武山真弓, 野矢厚
- 学会等名
  2006年(平成18年)春季第53回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東京都武蔵工業大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] ラジカル窒化反応を用いたHfNバリヤの新規作製方法の検討2006
- 著者名/発表者名
  武山真弓, 佐藤勝, 矢敷真人, 野矢厚
- 学会等名
  応用物理学会学術講演論文集
- 発表場所
  草津市立命館大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] "Preparation of extremely thin TiN barrier by using hot-wire method for Cu interconnect"2006
- 著者名/発表者名
  Tadayoshi Yanagita, Mayumi B. Takeyama, Atsushi Noya
- 学会等名
  The 67th Autumn Meeting 2006, The Japan Society of Applied Physics, 30p-ZN-15, pp.750
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Si-ULSI技術におけるCu配線の拡散バリヤへのCatの応用例(招待講演)2006
- 著者名/発表者名
  武山真弓, 野矢厚
- 学会等名
  第3回Cat-CVD研究会講演予稿集
- 発表場所
  長岡市長岡技術科学大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Preparation of HfNx barrier with low resistivity by using hot-wire method2006
- 著者名/発表者名
  Mayumi B. Takeyama, Masaru Sato, Masato Yashiki, Atsushi Noya
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference 2006: Asian Session
- 発表場所
  東京都東京大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] "Preparation of HfNx thin films by hot-wire method and their barrier properties interposed between Cu interconnects and Si_2 or SiOC layers"2006
- 著者名/発表者名
  Masaru Sato, Mayumi B. Takeyama, Atsishi Noya
- 学会等名
  IEICE technical report, CPM2006-121, pp.47-52
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Cu配線のためのラジカル反応を用いた極薄TiNxバリヤの新規作製方法の検討2006
- 著者名/発表者名
  武山真弓, 佐藤勝, 野矢厚
- 学会等名
  電子情報通信学会技術研究報告
- 発表場所
  金沢市金沢大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] "Thermal stability and morphology of interfaces in Cu/ZrN/SiOC/Si systems"2006
- 著者名/発表者名
  Atsushi Noya, Masaru Sato, Mayumi B. Takeyama, Eiji Aoyagi
- 学会等名
  IEICE technical report, CPM2006-119, pp.37-40
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Cu配線技術におけるhot-wire法によるラジカル反応を用いた極薄TiNバリヤ膜の作製2006
- 著者名/発表者名
  柳田賢善, 武山真弓, 野矢厚
- 学会等名
  応用物理学会学術講演論文集
- 発表場所
  草津市立命館大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Cu/ZrN/SiOC/Si構造の熱的安定性と界面モフォロジーの検討2006
- 著者名/発表者名
  野矢厚, 佐藤勝, 武山真弓, 青柳英二
- 学会等名
  電子情報通信学会技術研究報告
- 発表場所
  金沢市金沢大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Si-ULSIにおけるCat(触媒作用)によるラジカル窒化した極薄HfN膜のCu/SiO2間のバリヤ特性2006
- 著者名/発表者名
  佐藤勝, 矢敷真人, 武山真弓, 野矢厚
- 学会等名
  第3回Cat-CVD研究会講演予稿集
- 発表場所
  長岡市長岡技術科学大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] "New deposition methods of HfN barrier with radical nitriding"2006
- 著者名/発表者名
  Mayumi B. Takeyama, Masaru Sato, Masato Yashiki, Atsushi Noya
- 学会等名
  The 67th Autumn Meeting 2006, The Japan Society of Applied Physics, 30p-ZN-14, pp.750
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Cu配線技術における極薄Tinバリヤ膜作製のためのCat(触媒作用)によるラジカル反応の摘要"2006
- 著者名/発表者名
  Tadayoshi Yanagita, Tetsuya Nakamura, Mayumi B. Takeyama, Atsushi Noya
- 学会等名
  第3回Cat-CVD研究会 P21, pp.210-211
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Si-ULSIにおけるCat(触媒作用)によるラジカル窒化した極薄HfN膜のCu/SiO_2間のバリヤ特性2006
- 著者名/発表者名
  Masaru Sato, Masato Yashiki, Mayumi B. Takeyama, Atsushi Noya
- 学会等名
  第3回Cat-CVD研究会 P23, pp.216-217
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] HW法により成膜させた極薄HfNx膜のCu/SiO2及びCu/SiOC間のバリヤ特性2006
- 著者名/発表者名
  佐藤勝, 武山真弓, 野矢厚
- 学会等名
  電子情報通信学会技術研究報告
- 発表場所
  金沢市金沢大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] "Barrier proerties of extremely thin ZrN films for 45nm node technologies"2006
- 著者名/発表者名
  M. Sato, Mayumi B. Takeyama, Atsushi Noya
- 学会等名
  The 53rd Spring Meeting 2006, The Japan. Society of Applied Physics and Related Societies 24a-J-10, pp.874
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Interface morphology in Cu/ZrN/SiOC/Si system induced by annealing2006
- 著者名/発表者名
  Mayumi B. Takeyama, Masaru Sato, Atsushi Noya
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference 2006: Asian Session
- 発表場所
  東京都東京大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] Cu配線技術における極薄TiNバリヤ膜作製のためのCat(触媒作用)によるラジカル反応の適用2006
- 著者名/発表者名
  柳田賢善, 中村哲也, 武山真弓, 野矢厚
- 学会等名
  第3回Cat-CVD研究会講演予稿集
- 発表場所
  長岡市長岡技術科学大学
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] "Preparation of HfN_x barrier with low resistivity by using hot-wire method"2006
- 著者名/発表者名
  Mayumi B. Takeyama, Masaru Sato, Masato Yashiki and Atsushi Noya
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference 2006: Asian Session, 5-11, pp.64-65
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] "Interface morphology in Cu/ZrN/SiOC/Si system induced by annealing"2006
- 著者名/発表者名
  Mayumi B. Takeyama, Masaru Sato, Atsushi Noya
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference 2006: Asian Session, 5-12, pp.64-65
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] "Properties of extremely thin TiNx barrier by new deposition method with radical reaction for Cu interconnects"2006
- 著者名/発表者名
  Mayumi B. Takeyama, Tadayoshi Yanagita and Atsushi Noya
- 学会等名
  IEICE technical report, CPM2006-120, pp.41-46
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17560018
[学会発表] ラジカル反応を応用した低温でのSiNx膜の作製
- 著者名/発表者名
  武山、佐藤、中田、小林、中村、野矢
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  米沢
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[学会発表] 3D及び2.5D-IC配線に適用可能な低温SiNx 膜の特性
- 著者名/発表者名
  武山真弓，佐藤勝，小林靖志，中田義弘，中村友二, 野矢厚
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  信州大学（長野県長野市）
- 年月日
  2014-10-24 – 2014-10-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[学会発表] 低温作製されたZr3N4膜の絶縁バリヤ特性
- 著者名/発表者名
  佐藤勝，武山真弓，野矢厚
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  信州大学（長野県長野市）
- 年月日
  2014-10-24 – 2014-10-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[学会発表] ZrNx膜を用いた一体型バリヤの作製
- 著者名/発表者名
  佐藤勝，武山真弓，野矢厚
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[学会発表] Characterization of TiHfN nitride composite films as a barrier between Cu plug and Si
- 著者名/発表者名
  M. B. Takeyama, M. Sato, A. Noya
- 学会等名
  The 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2013)
- 発表場所
  金沢
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[学会発表] Thermal stability of bi-layered ZrN/Zr3N4 barrier in Cu/Si contact system
- 著者名/発表者名
  Masaru Sato, Mayumi B. Takeyama, and Atsushi Noya
- 学会等名
  Advanced Metallization Conference 2014: 24th Asian Session IWAPS Joint Conference
- 発表場所
  東京大学弥生会館（東京都文京区）
- 年月日
  2014-10-22 – 2014-10-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[学会発表] 3D/2.5D-IC配線向け低温SiNx膜の検討
- 著者名/発表者名
  小林靖志，中田義弘，中村友二，武山真弓，佐藤勝，野矢厚
- 学会等名
  電気学会電子・情報・システム部門大会
- 発表場所
  島根大学（島根県松江市）
- 年月日
  2014-09-03 – 2014-09-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[学会発表] 反応性スパッタによるZrNxナノ結晶バリヤ膜の形成過程
- 著者名/発表者名
  佐藤、武山、青柳、野矢
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  米沢
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[学会発表] Cu/metal/SiO2/Si構造における界面での拡散・反応挙動(I)
- 著者名/発表者名
  武山、野矢
- 学会等名
  電子情報通信学会電子部品・材料研究会
- 発表場所
  長岡
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[学会発表] TSVに適用可能なZrN/Zr3N42層バリヤの低温作製
- 著者名/発表者名
  佐藤勝，武山真弓，野矢厚
- 学会等名
  電子情報通信学会総合大会
- 発表場所
  立命館大学(滋賀県草津市)
- 年月日
  2015-03-10 – 2015-03-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[学会発表] TSVに適用可能なSiNx膜の低温作製とその特性評価
- 著者名/発表者名
  武山真弓，佐藤勝，野矢厚，小林靖志，中田義弘，中村友二
- 学会等名
  応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学（北海道札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[学会発表] 2.5D-IC向け低温SiNx膜の電気特性
- 著者名/発表者名
  武山真弓，小林靖志，佐藤勝，中田義弘，中村友二, 野矢厚
- 学会等名
  電子情報通信学会総合大会
- 発表場所
  立命館大学(滋賀県草津市)
- 年月日
  2015-03-10 – 2015-03-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[学会発表] Preparation of nanocristalline HfNx films as a Thin Barrier for Through Si Via
- 著者名/発表者名
  M. Sato, M. B. Takeyama, A. Noya
- 学会等名
  The 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2013)
- 発表場所
  金沢
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[学会発表] TiHfN合金膜のキャラクタリゼーションとCu配線のバリヤ特性
- 著者名/発表者名
  武山、佐藤、野矢
- 学会等名
  電子情報通信学会
- 発表場所
  岐阜
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361
[学会発表] 反応性スパッタ法を用いた低温SiNx膜のTSVプロセスへの適用
- 著者名/発表者名
  佐藤勝，武山真弓，小林靖志，中田義弘，中村友二，野矢　厚
- 学会等名
  電気学会電子・情報・システム部門大会
- 発表場所
  島根大学（島根県松江市）
- 年月日
  2014-09-03 – 2014-09-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560361

1. 武山真弓 (80236512)

共同の研究課題数: 10件

共同の研究成果数: 161件
2. 佐々木克考 (80091552)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
3. 町田英明 (30535670)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
4. 栗城真也 (30002108)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
5. 小西哉 (70142750)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
6. 佐藤勝 (10636682)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 46件
7. 石橋輝雄

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
8. 土橋剛 (50123956)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 阿部良夫 (20261399)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 中村友二

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 15件
11. 中田義弘

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 15件
12. 小林靖志

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 15件
13. 白重道弘

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

野矢 厚 NOYA Atsushi

研究課題

研究成果

共同研究者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

結晶粒径制御によるナノ結晶シリサイドの作製とナノコンタクト界面の形成に関する検討研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

極微細銅配線のための新しい化合物バリヤ材料の検討研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

金属/SiGe混晶半導体ナノコンタクト界面形成の基礎的検討研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

フィールド酸化膜上での銅配線に対する極薄・低抵抗バリヤの基礎的検討研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

集積電子回路におけるフィールド酸化膜上の高配向薄膜配線の形成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

集積電子回路における高配向薄膜配線層のエピタキシャル成長による作製研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

野矢厚 NOYA Atsushi