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中込 真二  NAKAGOMI Shinji

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 60172285
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 石巻専修大学, 理工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2022年度 – 2023年度: 石巻専修大学, 理工学部, 教授
2017年度 – 2020年度: 石巻専修大学, 理工学部, 教授
1993年度 – 1995年度: 石巻専修大学, 理工学部, 助教授
審査区分/研究分野
研究代表者
小区分21050:電気電子材料工学関連 / 結晶工学
研究代表者以外
電子デバイス・機器工学
キーワード
研究代表者
pn接合ダイオード / 酸化ニッケル / 酸化ガリウム / 高耐圧 / 電子デバイス / 電子・電気材料 / 結晶工学 / ヘテロ構造 / スイッチング / ヘテロ接合ダイオード / 結晶配向性 / 結晶配向 … もっと見る
研究代表者以外
… もっと見る GaAs / Optical trigger / Light emission / Switching / Negative resistance / 窒化シリコン膜 / 光トリガスイッチング / 受光特性 / 発光特性 / トンネル / 光トリガ / 発光 / スイッチング / 負性抵抗 隠す
  • 研究課題

    (3件)
  • 研究成果

    (10件)
  • 共同研究者

    (3人)
  •  全て酸化物からなる新規ワイドバンドギャップヘテロpn接合ダイオードの特性改善研究代表者

    • 研究代表者
      中込 真二
    • 研究期間 (年度)
      2022 – 2024
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      石巻専修大学
  •  全て酸化物からなる新規ワイドバンドギャップヘテロpn接合作製のための基盤技術開発研究代表者

    • 研究代表者
      中込 真二
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2020
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      結晶工学
    • 研究機関
      石巻専修大学
  •  受・発光負性抵抗スイッチング素子の開発研究

    • 研究代表者
      山本 達夫
    • 研究期間 (年度)
      1993 – 1995
    • 研究種目
      一般研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      石巻専修大学

すべて 2023 2019 2018 2017

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Crystal Orientation of Cubic NiO Thin Films Formed on Monoclinic β-Ga2O3 Substrates2019

    • 著者名/発表者名
      Shinji Nakagomi, Takashi Yasuda, Yoshihiro Kokubun
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi B

      巻: Early view Online 号: 5

    • DOI

      10.1002/pssb.201900669

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K05042
  • [雑誌論文] Crystal orientation of monoclinic β-Ga 2 O 3 thin films formed on cubic MgO substrates with a γ-Ga 2 O 3 interfacial layer2017

    • 著者名/発表者名
      Nakagomi Shinji、Kokubun Yoshihiro
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 479 ページ: 67-74

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2017.09.028

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K05042
  • [学会発表] 加熱β-Ga2O3基板上に電子ビーム蒸着によって形成したNiO薄膜2023

    • 著者名/発表者名
      中込真二,安田隆
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会、講演要旨集 16p-E102-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04190
  • [学会発表] p-NiO/n-Ga2O3ヘテロダイオードのFLR構造の耐圧シミュレーション2023

    • 著者名/発表者名
      池上啓太, 唐澤直輝, 矢野浩司, 中込真二
    • 学会等名
      令和5年電気学会全国大会、講演論文集 221-B1 4-009
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04190
  • [学会発表] (001) β-Ga2O3基板上に形成したNiO薄膜の結晶配向性2019

    • 著者名/発表者名
      中込真二,安田隆,國分義弘
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会, 9p-S011-5
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K05042
  • [学会発表] NiO/β-Ga2O3ヘテロ接合フォトダイオードの紫外線検出特性2018

    • 著者名/発表者名
      中込真二,佐々木光,目黒真也,國分義弘
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会、講演要旨集20a-E201-9, 「早稲田大学 西早稲田キャンパス」
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K05042
  • [学会発表] NiO/β-Ga2O3ヘテロ接合ダイオードのスイッチング応答の温度依存性2018

    • 著者名/発表者名
      中込真二,菊地賢太郎,矢野浩司, 國分義弘
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会, 21p-331-1
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K05042
  • [学会発表] ゾル・ゲルディップ法によるNiO薄膜の作成2018

    • 著者名/発表者名
      安田隆,後藤宗久,中込真二
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-PB8-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K05042
  • [学会発表] β-Ga2O3基板上に形成したNiO薄膜の結晶配向性2018

    • 著者名/発表者名
      中込真二,安田隆,國分義弘
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会 、講演要旨集20a-E201-8, 「早稲田大学 西早稲田キャンパス」
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K05042
  • [学会発表] (111) MgO基板上に形成したβ-Ga2O3薄膜の結晶配向性2017

    • 著者名/発表者名
      中込真二,安田隆,國分義弘
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会、講演要旨集7p-C17-7, 「福岡国際会議場」
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K05042
  • 1.  安田 隆 (90182336)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 6件
  • 2.  矢野 浩司 (90252014)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 2件
  • 3.  山本 達夫 (60022125)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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