井上知泰 INOUE Tomoyasu

研究者番号	60193596
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所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2008年度 – 2016年度: いわき明星大学, 科学技術学部, 教授 1995年度 – 2000年度: いわき明星大学, 理工学部, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者薄膜・表面界面物性 / 応用物性・結晶工学 / 薄膜・表面界面物性研究代表者以外応用物性・結晶工学
キーワード	研究代表者電子ビーム照射 / 複合面方位 / 表面界面物性 / 方位選択エピタキシ / 表面・界面物性 / 超薄膜 / 結晶成長 / 方位選択エピタキシャル成長 / 薄膜 / Electron Beam Irradiation … もっと見る / Epitaxial Growth / Silicon / Cerium Dioxide / シリコン / 絶縁物薄膜 / イオン化蒸着 / ヘテロエピタキシ / 二酸化セリウム(CeO_2) / 表面海面物性 / トレンチ / 絶縁層上シリコン膜(SOI) / 方位選択エピタキシー / 極薄膜 / 複合面方位構造 / エピタキシャル成長 / 吸収電流像 / 反応性スパッタ / エピタキシ / 方位選択成長 … もっと見る研究代表者以外 IBIEC / SOI / SiGe / CeO_2 / Ion Beam Sputtering / Interface Reaction / Amorphous Silicon / Hetro Epitaxy / 核的散乱 / イオンの電子 / 固相エピタキシ / ランプ加熱 / イオンビームスパッタ / 界面反応 / アモルファスシリコン / イオンビーム誘起結晶化 / ヘテロエピタキシ隠す

方位選択エピタキシによる複合面方位構造形成における異種方位領域間の完全分離技術研究代表者
- 研究代表者
  
  井上知泰
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  いわき明星大学
電子ビーム誘起方位選択エピタキシャル成長による薄膜の複合面方位構造形成研究代表者
- 研究代表者
  
  井上知泰
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  いわき明星大学
酸化物薄膜の結晶方位選択エピタキシャル成長の二次元制御の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  井上知泰
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  いわき明星大学
イオンビーム誘起エピタキシャル結晶化による絶縁物上シリコンエピタキシャル成長
- 研究代表者
  
  山本康博
- 研究期間 (年度)
  1998 – 2000
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  法政大学
Si(100)基板上へのCeO_2(110)膜のエピタキシャル成長研究代表者
- 研究代表者
  
  井上知泰
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  いわき明星大学

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すべて雑誌論文学会発表図書産業財産権

[図書] Oxide Thin Film Technology Kelara, India2010
- 著者名/発表者名
  T. Inoue, T. Chikyow
- 総ページ数
  174
- 出版者
  Transworld Research Network, Trivandrum
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[図書] Orientation Selectivity Control by Surface Potential Modification in Oxide Thin Film Epitaxial Growth New York2009
- 著者名/発表者名
  T. Inoue
- 出版者
  Nova Science Publishers Inc.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[図書] Recent Advances in Dielectric Materials(全19章の内、第4章34頁分を執筆)2009
- 著者名/発表者名
  T.Inoue
- 総ページ数
  792
- 出版者
  Nova Science Publishers Inc., New York
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[雑誌論文] An Overview of Studies on Epitaxial Growth of CeO2 Layers on Si Substrates2017
- 著者名/発表者名
  T. Inoue, S. Shida and N. Sakamoto
- 雑誌名
  
  いわき明星大学科学技術学部研究紀要
  
  巻: 30 ページ: 3-10
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390067
[雑誌論文] Perfect Separation of Hybrid Orientation Structure of CeO2(100) and (110) Regions Grown on Silicon on Insulator Substrates with Lithographically Formed Trenches2016
- 著者名/発表者名
  T. Inoue and S. Shida
- 雑誌名
  
  ECS J. Solid State Sci. Technol.
  
  巻: 5 号: 12 ページ: N97-N101
- DOI
  10.1149/2.0161612jss
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390067
[雑誌論文] Perfect Separation of Hybrid Orientation Structure of CeO2(100) and (110) Regions Grown on Silicon on Insulator Substrates with Lithographically Formed Trenches2016
- 著者名/発表者名
  T. Inoue and S. Shida
- 雑誌名
  
  ECS Trans.
  
  巻: 72 号: 19 ページ: 35-45
- DOI
  10.1149/07219.0035ecst
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390067
[雑誌論文] Development in Hybrid Orientation Technology by Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth2016
- 著者名/発表者名
  Tomoyasu Inoue and Shigenari Shida
- 雑誌名
  
  いわき明星大学科学技術学部研究紀要
  
  巻: 28 ページ: 9-17
- NAID
  40020414517
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390067
[雑誌論文] HIghly separated hybrid orientation structure of CeO2(100) and (110) on Si(100) substrates by electron beam-induced orientation-selective epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  Tomoyasu Inoue and Shigenari Shida
- 雑誌名
  
  J. Vac.Sci. Technol.
  
  巻: 32
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390067
[雑誌論文] Highly separated hybrid orientation structure of CeO2(100) and (110) on Si(100) substrates by electron beam-induced orientation-selective epitaxy2014
- 著者名/発表者名
  T. Inoue and S. Shida
- 雑誌名
  
  J. Vac. Sci. Technol. B
  
  巻: 32 号: 3
- DOI
  10.1116/1.4863301
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[雑誌論文] Hybrid orientation selective epitaxial growth of CeO2(100) and (110) regions on Si(100) substrates2013
- 著者名/発表者名
  T. Inoue and S. Shida
- 雑誌名
  
  Proc. 12th International Symposium on Sputtering and Plasma Processes
  
  巻: 12 ページ: 87-90
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[雑誌論文] Hybrid Orientation Selective Orientation Epitaxial Growth of CeO_2(100) and (110) Regions on Si(100) Sub- strates2013
- 著者名/発表者名
  T. Inoue and S. Shida
- 雑誌名
  
  Proc. 12th International Symposi- um on Sputtering & Plasma Processes
  
  ページ: 87-90
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[雑誌論文] Hybrid Orientation Substrate Fabrication using Electron Beam induced Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO2(100) and (110) Layers on Si(100) Substrates2012
- 著者名/発表者名
  T. Inoue and S. Shida
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Transaction
  
  巻: 45 ページ: 443-451
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[雑誌論文] Spatially varied orientation selective epitaxial growth of Ce2(100) and (110) regions on Si(100) substrates by reactive magnetron sputtering utilizing electron beam irradiation2012
- 著者名/発表者名
  Tomoyasu Inoue and Shigenari Shida
- 雑誌名
  
  Thin Sokid Films
  
  巻: 520 ページ: 6179-6182
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[雑誌論文] Spacially Varied Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO_2(100) and (110) Areas on Si(100) Sub- strates by Reactive Magnetron Sputtering Utilizing Electron Beam Irradiation2012
- 著者名/発表者名
  T. Inoue and S. Shida
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 520 ページ: 6179-6182
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[雑誌論文] Two Dimensional Control of Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of (100) and (110) CeO_2 Regions on Si(100) Substrates2011
- 著者名/発表者名
  T. Inoue, N. Igarashi, Y. Kanno and S. Shida
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 519 ページ: 5775-5779
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[雑誌論文] Two dimensional control of electron beam induced orientation selective epitaxial growth of (100) and (110) CeO2 regions on Si(100) substrates2011
- 著者名/発表者名
  Tomoyasu Inoue and Shigenari Shida
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 519 ページ: 5775-5779
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[雑誌論文] Two Dimensional Control of Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of (100) and (110) CeO_2 Regions on Si(100) Substrates2011
- 著者名/発表者名
  T.Inoue, N.Igarashi, Y.Kanno, S.Shida
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
  
  巻: 519 ページ: 5775-5779
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[雑誌論文] Two Dimensional Control of Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of (100) and (110) CeO_2 Regions on Si (100) Substrates2011
- 著者名/発表者名
  T. Inoue, N. Igarashi, Y. Kanno, S. Shida
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[雑誌論文] Spatially Varied Orientation Selective Epitaxial Growth of (100) and (110) CeO_2 Layers on Si(100) Substrates using Absorbed Electron Imaging System2011
- 著者名/発表者名
  T.Inoue, H.Ohtake, J.Otani, S.Shida
- 雑誌名
  
  いわき明星大学科学技術学部研究紀要
  
  巻: 24 ページ: 1-6
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[雑誌論文] Spatially Varied Orientation Selective Epi- taxial Growth of (100) and (110) CeO_2 Layers on Si(100) Substrates using Absorbed Elec- tron Imaging System2011
- 著者名/発表者名
  T. Inoue, H. Ohtake, J. Otani and S. Shida
- 雑誌名
  
  いわき明星大学科学技術学部研究紀要
  
  巻: 24 ページ: 1-8
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[雑誌論文] Spatially Varied Orientation Selective Epitaxial Growth of (100) and (110) CeO_2 Layers on Si(100) Substrates using Absorbed Electron Imaging System2011
- 著者名/発表者名
  T. Inoue, H. Ohtake, J. Otani, S. Shida
- 雑誌名
  
  いわき明星大学科学技術学部研究紀要 24
  
  ページ: 1-6
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[雑誌論文] Hybrid Orientation Substrate Fabrication using Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO_2(100) and (110) Areas on Si(100) Substrates by Reactive Magnetron Sputtering2011
- 著者名/発表者名
  T. Inoue and S. Shida
- 雑誌名
  
  Proc. 4th Int. Conf. Advanced Plasma Technol.
  
  ページ: 168-170
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[雑誌論文] Hybrid orientation substrate fabrication using electron beam induced orientation selective epitaxial growth of CeO2(100) and (110) areas on Si(100) substrates by reactive magnetron sputtering2011
- 著者名/発表者名
  Tomoyasu Inoue and Shigenari Shida
- 雑誌名
  
  Proceedings of 4th International Conference on Advanced Plasma Technologies
  
  巻: - ページ: 168-170
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[雑誌論文] Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO_2(100)/Si(100) Structures using Absorption Electron Imaging System2009
- 著者名/発表者名
  T. Inoue, S. Shida
- 雑誌名
  
  Electrochem.Soc.Trans. 25
  
  ページ: 187-197
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[雑誌論文] Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO_2(100)/Si(100)Structures using Absorption Electron Imaging System2009
- 著者名/発表者名
  T.Inoue, S.Shida
- 雑誌名
  
  Electrochem.Soc.Trans. 25
  
  ページ: 187-197
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[雑誌論文] Optimization of Growth Parameters in Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of C_eO_2(100)/Si(100) Structures2008
- 著者名/発表者名
  T. Inoue, H. Ohtake, J. Ota ni, S. Shida
- 雑誌名
  
  Electrochem. Soc. Trans. 13
  
  ページ: 341-351
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[雑誌論文] Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of C_eO_2(100) Layers on Si(100)Substrates by dc Magnetron Sputtering2008
- 著者名/発表者名
  T. Inoue, Y. Nakata, S. Shida
- 雑誌名
  
  J. Phys. Conf. Ser. 100
  
  ページ: 82014-82014
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[雑誌論文] Optimization of Growth Parameters in Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of C_eO_2(100)/Si(100)Structures2008
- 著者名/発表者名
  T. Inoue, H. Ohtake, J. Ota ni, S. Shida
- 雑誌名
  
  J. Electrochem. Soc. 155
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[雑誌論文] Optimization of Growth Parameters in Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO_2 (100) Layers on Si(100)/Si(100) Structures2008
- 著者名/発表者名
  T. Inoue, H. Ohtake, J. Otani, S. Shida
- 雑誌名
  
  Electrochem.Soc.Trans. 13
  
  ページ: 341-351
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[雑誌論文] Optimization of Growth Parameters in Electron Beam Induced Orientation Selec-tive Epi-taxial Growth of CeO_2(100)/Si(100) Structures2008
- 著者名/発表者名
  T. Inoue, H. Ohtake, J. Otani, S. Shida
- 雑誌名
  
  J.Electrochem.Soc. 155
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[雑誌論文] Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO_2 (100) Layers on Si (100) Substrates by Reactive Magnetron Sputtering2008
- 著者名/発表者名
  T. Inoue, Y. Nakata, S. Shida
- 雑誌名
  
  J.Phys.Conf.Ser. 100
  
  ページ: 82014-82014
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[産業財産権] Semiconductor device and manufactur-ing method thereof2008
- 発明者名
  Ichiro Mizushima, Tomoyasu Inoue
- 権利者名
  Toshiba Corp.
- 出願年月日
  2008-01-10
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[産業財産権] 半導体装置及びその製造方法2007
- 発明者名
  水島一郎、井上知泰
- 権利者名
  (株)東芝
- 公開番号
  2008-160086
- 出願年月日
  2007-11-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[産業財産権] 半導体装置及びその製造方法2006
- 発明者名
  水島一郎、井上知泰
- 権利者名
  (株)東芝
- 公開番号
  2008-160086
- 出願年月日
  2006-11-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[学会発表] Si(100)基板上の複合面方位CeO2領域間の分SOI 基板を用いた Si(100) 上の複合面方位CeO2 領域間の完全分離2017
- 著者名/発表者名
  井上知泰、信田重成
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  パシフィコ横浜
- 年月日
  2017-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390067
[学会発表] Perfect Separation of Hybrid Orientation Structure of CeO2(100) and (110) Regions Grown on SOI Substrates with Lithographically Formed Trenches2016
- 著者名/発表者名
  T. Inoue and S. Shida
- 学会等名
  229th ECS Meeting
- 発表場所
  San Diego, CA USA
- 年月日
  2016-05-29
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390067
[学会発表] Hybrid Orientation Structure of CeO2(100) and (110) Regions on SOI Substrates with Lithographically Formed Trenches2016
- 著者名/発表者名
  T. Inoue and S. Shida
- 学会等名
  European Materials Research Society Fall Meeting
- 発表場所
  Warsaw, Poland
- 年月日
  2016-09-19
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390067
[学会発表] SOI基板を用いたSi(100)上の複合面方位CeO2領域間の完全分離2016
- 著者名/発表者名
  井上知泰、信田重成
- 学会等名
  第63回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東京工業大学大岡山キャンパス
- 年月日
  2016-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390067
[学会発表] Perfect Isolation of Hybrid Orientation Structure Fabricated on SOI Substrates with Lithographically Formed Trenches2015
- 著者名/発表者名
  Tomoyasu Inoue and Shigenari Shida
- 学会等名
  European Materials Research Society Spring Meeting
- 発表場所
  Lille, France
- 年月日
  2015-05-11
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390067
[学会発表] Hybrid Orientation Structure of CeO2(100) and (110) Regions on SOI Substrates with Lithographically Formed Trenches2015
- 著者名/発表者名
  Tomoyasu Inoue and Shigenari Shida
- 学会等名
  31st European Conference on Surface Science
- 発表場所
  Barcelona, Spain
- 年月日
  2015-08-31
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390067
[学会発表] Si(100)基板上の複合面方位CeO2領域間の分離2014
- 著者名/発表者名
  井上知泰、信田重成
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[学会発表] Si(100)基板上の複合面方位CeO_2領域間の分離2014
- 著者名/発表者名
  井上知泰、信田重成
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- 年月日
  2014-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[学会発表] Hybrid Orientation Substrate Fabrication using Electron Beam induced Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO2(100) and (110) Areas on Si(100) Substrates by Reactive Magnetron Sputtering2013
- 著者名/発表者名
  T. Inoue and S. Shida
- 学会等名
  15th International Conference on Solid Surfaces
- 発表場所
  Kyoto Research Park
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[学会発表] Hybrid Orientation Structure of CeO_2(100) and (110) Regions on Si(100) Substrates Formed by Orientation Selective Epitaxial Growth2013
- 著者名/発表者名
  T. Inoue and S. Shida
- 学会等名
  15th Inter- national Conference on Solid Surfaces
- 発表場所
  Paris , France
- 年月日
  2013-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[学会発表] Hybrid orientation selective epitaxial growth of CeO2(100) and (110) regions on Si(100) substrates2013
- 著者名/発表者名
  T. Inoue and S. Shida
- 学会等名
  12th International Symposium on Sputtering and Plasma Processes
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[学会発表] Hybrid Orientation Substrate Fabrication using Electron Beam induced Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO2(100) and (110) Areas on Si(100) Substrates by Reactive Magnetron Sputtering2013
- 著者名/発表者名
  T. Inoue and S. Shida
- 学会等名
  12th International Symposium on Sputtering and Plasma Processes
- 発表場所
  Palais des Congres de Paris
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[学会発表] Si(100)基板上の複合面方位CeO_2層の形成2013
- 著者名/発表者名
  井上知泰、信田重成
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2013-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[学会発表] Hybrid Orientation Structure of CeO_2(100) and (110) Regions on Si(100) Substrates2013
- 著者名/発表者名
  T. Inoue and S. Shida
- 学会等名
  12th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes
- 発表場所
  Kyoto, Japan
- 年月日
  2013-07-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[学会発表] Hybrid orientation structure of CeO2(100) and (110) regions on Si(100) substrates formed by orientation selective epitaxial growth2013
- 著者名/発表者名
  T. Inoue and S. Shida
- 学会等名
  15th International Conference on Solid Surfaces
- 発表場所
  Paris, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[学会発表] Si(100)基板上の複合面方位CeO2層の形成 -遷移領域幅の縮小 -2012
- 著者名/発表者名
  井上知泰、信田重成
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[学会発表] Si(100)基板上の複合面方位CeO2層の形成2012
- 著者名/発表者名
  井上知泰, 信田重成
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[学会発表] Hybrid Orientation Substrate Fabrication using Electron Beam induced Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO2(100) and (110) Layers on Si(100) Substrates2012
- 著者名/発表者名
  T. Inoue and S. Shida
- 学会等名
  221st Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Washington State Convention Center (Seattle)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[学会発表] Si(100) 基板上の複合面方位CeO2 層の形成{基板比抵抗依存性{2012
- 著者名/発表者名
  井上知泰, 信田重成
- 学会等名
  第59 回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[学会発表] Hybrid Orientation Structure Fabrication using Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO_2(100) and (110) Areas on Si(100) Substrates2012
- 著者名/発表者名
  T. Inoue and S. Shida
- 学会等名
  Electrochemical Soci- ety 221st Meeting
- 発表場所
  Seattle, WA USA
- 年月日
  2012-05-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[学会発表] Si(100)基板上の複合面方位CeO_2層の形成―遷移領域幅の縮小―2012
- 著者名/発表者名
  井上知泰、信田重成
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[学会発表] Si(100)基板上の複合面方位CeO_2 層の形成2011
- 著者名/発表者名
  井上知泰、信田重成
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[学会発表] Spacially Varied Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO_2(100) and (110) Areas on Si(100) Substrates by Reactive Magnetron Sputtering Utilizing Electron Beam Irradiation2011
- 著者名/発表者名
  T. Inoue and S. Shida
- 学会等名
  American Vacuum Society 58th International Symposium
- 発表場所
  Nashville, TN USA
- 年月日
  2011-11-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[学会発表] Spatially varied orientation selective epitaxial growth of CeO2(100) and (110) areas on Si(100) substrates by reactive magnetron sputtering utilizing electron beam irradiation2011
- 著者名/発表者名
  Tomoyasu Inoue and Shigenari Shida
- 学会等名
  Ameriacn Vacuum Society 58th International Symposium
- 発表場所
  Nashville, TN, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[学会発表] Si(100)基板上の複合面方位CeO2層の形成 -遷移領域幅の縮小 -2011
- 著者名/発表者名
  井上知泰、信田重成
- 学会等名
  第72回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[学会発表] Si(100)基板上の複合面方位CeO_2層の形成-基板比抵抗依存性-2011
- 著者名/発表者名
  井上知泰、信田重成
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[学会発表] Si(100)基板上の複合面有, 519, 2011, 5775-5779.方位CeO_2層の形成―遷移領域幅の縮小―2011
- 著者名/発表者名
  井上知泰、信田重成
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-08-31
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[学会発表] Hybrid Orientation Structure Fabrication using Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO_2(100) and (110) Areas on Si(100) Substrates Reactive Magnetron Sputtering2011
- 著者名/発表者名
  T. Inoue and S. Shida
- 学会等名
  4th International Conference on Advanced Plasma Technologies
- 発表場所
  Strunjan, Slovenia
- 年月日
  2011-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[学会発表] Hybrid orientation substrate fabrication using electron beam induced orientation selective epitaxial growth of CeO2(100) and (110) areas on Si(100) substrates by reactive magnetron sputtering2011
- 著者名/発表者名
  Tomoyasu Inoue and Shigenari Shida
- 学会等名
  4th International Conference on Advanced Plasma Technologies
- 発表場所
  Strunjan, Slovenia
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23560028
[学会発表] 電子ビーム誘起方位選択エピタキシャル成長によるSi(100)基板上の複合面方位CeO_2層の形成II2010
- 著者名/発表者名
  井上知泰、信田重成
- 学会等名
  第71回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[学会発表] Two Dimensional Control of Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of (100) and (110) CeO_2 Regions on Si (100) Substrates2010
- 著者名/発表者名
  井上知泰, 五十嵐永将, 菅野雄樹, 信田重成
- 学会等名
  European Mat.Res.Soc.2010 Spring Meeting
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2010-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[学会発表] 電子ビーム誘起方位選択エピタキシャル成長によるSi(100)基板上の複合面方位CeO_2層の形成2010
- 著者名/発表者名
  井上知泰、信田重成
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川県平塚市、東海大学
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[学会発表] 電子ビーム誘起方位選択エピタキシャル成長によるSi(100)基板上の複合面方位CeO_2層の形成2010
- 著者名/発表者名
  井上知泰、五十嵐永将、菅野雄樹、信田重成
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学
- 年月日
  2010-03-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[学会発表] Two Dimensional Control of Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of (100) and (110) CeO_2 Regions on Si(100) Substrates2010
- 著者名/発表者名
  T.Inoue, N.Igarashi, Y.Kanno, S.Shida
- 学会等名
  European Research Society 2010 Spring Meeting
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2010-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[学会発表] 電子ビーム誘起方位選択エピタキシャル成長へのAEI観察の応用II2009
- 著者名/発表者名
  井上知泰、信田重成
- 学会等名
  第70回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[学会発表] 電子ビーム誘起方位選択エピタキシャル成長によるCeO_2(100)/Si(100)構造の形成2009
- 著者名/発表者名
  井上知泰、信田重成
- 学会等名
  第69回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  富山県富山市、富山大学
- 年月日
  2009-09-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[学会発表] 電子ビーム誘起方位選択エピタキシャル成長へのAEI観察の応用2009
- 著者名/発表者名
  井上知泰、信田重成
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  茨城県つくば市、筑波大学
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[学会発表] Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO_2(100)/Si(100)Structrues using Absorption Electron Imaging System2009
- 著者名/発表者名
  T.Inoue, S.Shida
- 学会等名
  216th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Vienna, Austria
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[学会発表] 電子ビーム誘起方位選択エピタキシャル成長へのAEI観察の応用2009
- 著者名/発表者名
  井上知泰、大竹秀幸、大谷純一郎、信田重成
- 学会等名
  第56 回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[学会発表] Effect of Electron Incidence in Epitaxial Growth of CeO_2 (100) Layers on Si (100) Substrates2009
- 著者名/発表者名
  井上知泰, 信田重成
- 学会等名
  216th Electro chem.Soc.Meeting
- 発表場所
  Vienna, Austria
- 年月日
  2009-10-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[学会発表] 電子ビーム誘起方位選択エピタキシャル成長へのAEI観察の応用2009
- 著者名/発表者名
  井上知泰, 信田重成
- 学会等名
  第56回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  筑波大学
- 年月日
  2009-04-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[学会発表] 電子ビーム誘起方位選択エピタキシャルCeO_2(100)/Si(100)構造の成長条件最適化II2008
- 著者名/発表者名
  井上知泰、信田重成
- 学会等名
  第69回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[学会発表] Optimization of Growth Parameters in Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of C_eO_2(100)/Si(100) Structures2008
- 著者名/発表者名
  T. Inoue, H. Ohtake, J. Otani, S. Shida
- 学会等名
  213th Electrochemical Society Meeting
- 発表場所
  Phoenix, AZ USA
- 年月日
  2008-05-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[学会発表] 電子ビーム誘起方位選択エピタキシャルCe02(100)/Si(100)構造の成長条件最適化II2008
- 著者名/発表者名
  井上知泰, 信田重成
- 学会等名
  第69回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  中部大学
- 年月日
  2008-09-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[学会発表] Optimization of Growth Parameters in Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO_2 (100) Layers on Si(100)/Si(100) Structures2008
- 著者名/発表者名
  井上知泰, 大竹秀幸, 大谷純一郎, 信田重成
- 学会等名
  213th Electrochem.Soc.Meeting
- 発表場所
  Phoenix, AZ USA
- 年月日
  2008-05-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20560024
[学会発表] Hybrid orientation structure fabrication on SOI substrates using orientation selective epitaxy
- 著者名/発表者名
  Tomoyasu Inoue and Shigenari Shida
- 学会等名
  Science & Application of Thin Films Conference & Exhibition
- 発表場所
  Cesme, Izmir, Turkey
- 年月日
  2014-09-15 – 2014-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390067
[学会発表] Si(100)基板上の複合面方位CeO2領域間の分離
- 著者名/発表者名
  井上知泰、信田重成
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学　湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26390067

1. 山本康博 (50139383)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
2. 佐藤政孝 (40215843)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

井上 知泰 INOUE Tomoyasu

研究課題

研究成果

共同研究者

方位選択エピタキシによる複合面方位構造形成における異種方位領域間の完全分離技術研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

電子ビーム誘起方位選択エピタキシャル成長による薄膜の複合面方位構造形成研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

酸化物薄膜の結晶方位選択エピタキシャル成長の二次元制御の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

イオンビーム誘起エピタキシャル結晶化による絶縁物上シリコンエピタキシャル成長

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Si(100)基板上へのCeO_2(110)膜のエピタキシャル成長研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] Oxide Thin Film Technology Kelara, India2010

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[図書] Orientation Selectivity Control by Surface Potential Modification in Oxide Thin Film Epitaxial Growth New York2009

著者名/発表者名

出版者

データソース

[図書] Recent Advances in Dielectric Materials(全19章の内、第4章34頁分を執筆)2009

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[雑誌論文] An Overview of Studies on Epitaxial Growth of CeO2 Layers on Si Substrates2017

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Perfect Separation of Hybrid Orientation Structure of CeO2(100) and (110) Regions Grown on Silicon on Insulator Substrates with Lithographically Formed Trenches2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Perfect Separation of Hybrid Orientation Structure of CeO2(100) and (110) Regions Grown on Silicon on Insulator Substrates with Lithographically Formed Trenches2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Development in Hybrid Orientation Technology by Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth2016

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] HIghly separated hybrid orientation structure of CeO2(100) and (110) on Si(100) substrates by electron beam-induced orientation-selective epitaxy2014

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Highly separated hybrid orientation structure of CeO2(100) and (110) on Si(100) substrates by electron beam-induced orientation-selective epitaxy2014

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Hybrid orientation selective epitaxial growth of CeO2(100) and (110) regions on Si(100) substrates2013

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

井上知泰 INOUE Tomoyasu