本久順一 Motohisa Junichi

研究者番号	60212263
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所属 (現在)	2025年度: 北海道大学, 情報科学研究院, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2018年度 – 2025年度: 北海道大学, 情報科学研究院, 教授 2009年度 – 2018年度: 北海道大学, 情報科学研究科, 教授 2014年度 – 2015年度: 北海道大学, 大学院情報科学研究科, 教授 2012年度 – 2013年度: 北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 教授 2007年度 – 2010年度: 北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 教授 … もっと見る 2006年度: 北海道大学, 量子集積エレクトロニクスセンター, 助教授 2006年度: 量子集積エレクトロニクス研究センター, 助教授 2001年度 – 2006年度: 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 助教授 2002年度: 北海道大学, 量子集積エレクトニクス研究センター, 助教授 2000年度: 北海道大学, 量子界面エレクトロクス研究センター, 助教授 1994年度 – 2000年度: 北海道大学, 量子界面エレクトロニクス研究センター, 助教授 1997年度: 北海道, 量子界面エレクトロニクス研究センター, 助教授 1993年度: 北海道大学, 量子界面エレクトロニクス研究センター, 講師隠す
審査区分/研究分野	研究代表者電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連 / 理工系 / 応用光学・量子光工学 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外電子・電気材料工学 / 電子・電気材料工学 / 中区分21:電気電子工学およびその関連分野 / 中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野 … もっと見る / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連 / ナノ構造物理 / 物理系 / 表面界面物性 / 電子材料工学 / 社会システム工学・安全システム / 数物系科学 / 理工系隠す
キーワード	研究代表者選択成長 / 半導体ナノワイヤ / 有機金属気相成長 / ナノワイヤ / 量子ドット / 縦型トランジスタ / Selective Area Growth / MOVPE Growth / フォトニック結晶 / 光取り出し効率 … もっと見る / 発光ダイオード / 有機金属気相選択成長 / 単一光子光源 / 表面超格子 / 半導体 / 偏光渦 / 偏光解析 / ナノワイヤレーザ / 偏光 / ベクトル光波 / 微細加工 / 電気化学プロセス / 分子線エピタキシャル成長 / アバランシェフォトダイオード / 流量変調エピタキシー法 / シリコンフォトニクス / フォトダイオード / 光検出器 / Photonic Bands / Line defect / Point / Light Extraction Efficiency / Photoluminescence / Photonics Crystal Slabs / Photonics Crystals / whispering gallery mode / 点欠陥共振器 / 線欠陥導波路 / 時間領域差分(FDTD)法 / フォトニックバンド / 線欠陥・点欠陥導入構造 / フォトルミネセンス / フォトニック結晶スラブ / Photonic Bandgap / Photonic Crystal / Masked Substrate / TM偏光・TE偏光 / 3角格子 / 2次元フォトニック結晶スラブ / 再成長 / マスクパターン / フォトニックバンドギャップ / Electron Interference / Lateral Surface Superlattice / Quantum Dot / Multiatomic Step / Crystal Growth / Vicinal Substrate / Patterned Substrate / Semiconductor / 電子波干渉 / 多段原子ステップ / 結晶成長 / 微傾斜基板 / 加工基板 / プラズマ支援分子線エピタキシー法 / 光電極 / 光支援電気化学エッチング / プラズマ支援分子線エピタキシー / InGaN / GaN / 多孔質構造 / 励起子スピン緩和 / 光共振器 / レーザ / 論理回路 / 有機金属気相成長法 / 電界効果トランジスタ / 量子集積ハードウェア / 顕微フォトルミネセンス / ヘテロ構造 / ナノ構造周期配列構造 / Kaome格子 / 横方向成長 / Kagome格子 / 人工結晶 / 人工格子 / 原子ステップ / 結合量子ドット / スーパーアトム / 人工原子 … もっと見る研究代表者以外窒化ガリウム / 結晶成長 / フェルミ準位ピンニング / interface control / 界面制御 / 量子ドット / ナノワイヤ / 選択成長 / 有機金属気相成長 / トランジスタ / Al_2O_3 / surface control / Gallium Nitride / 表面処理 / 表面制御 / ナノ材料 / 多孔質構造 / 半導体物性 / 化合物半導体 / 近藤効果 / 単電子トランジスタ / FET / トンネルFET / HFET / Fermi level pinning / surface treatment / Schottky contact / GaN / 自然酸化膜 / ショットキー接合 / 電気化学プロセス / 量子細線 / GaAs / Semiconductor / 半導体 / エネルギー変換 / 光電気化学 / 窒化物半導体 / スピンエレクトロニクス / III-V族化合物半導体 / 単電子メモリー / 2分岐決定ダイアグラム / 相補型単電子インバータ / 量子ナノ構造 / 集積技術 / 立体集積技術 / 集積回路構造 / トンネル輸送 / ゲルマニウム / シリコン / ナノワイヤ材料 / 薄膜・量子構造 / 省エネルギー / 半導体デバイス / 電気・電子材料 / III-V / ウェットエッチング / 電気化学反応 / 電子デバイス / 低損傷エッチング / メゾスコピック系 / ボトムアップ / スピントランジスタ / 垂直自立型ナノワイヤ / 新エネルギー / 光物性 / 半導体超微細化 / heterointerface / 窒化カリウム / ヘテロ構造 / SiN_χ / MIS structure / ECRプラズマ / MIS接合 / 窒化シリコン膜 / フェルミ準位ビンニング / アルミナ膜 / 窒化シリコン酸 / MIS構造 / natural oxide / Fermi level pinnning / ohmic contact / フェルミン準位ピンニング / オーミック接合 / Schottky barrier height / nano metal particle / Fermi-level pinning / metal-semiconductor interface / Schottky limit / electrochemical process / パルス法 / インジウムリン / ショットキー障壁高 / 金属微粒子 / 半導体界面 / 金属 / ショットキー極限 / Single Electron Circuit / Single Electron Transistor / Quantum Dot Network / Quantum Wire / Quantum Dot / Masked Substrate / Selective Area Growth / MOVPE Growth / クーロンブロッケード / 単電子素子 / 論理回路 / クーロンギャップ / クーロン振動 / 単電子素子・回路 / 単電子回路 / 量子ドットネットワーク / マスク基板 / photoluminescence / silicon interface control layr / surface passivation / surface and interface states / compound semiconductors / quantum wire / quantum well / フォトルミネセンス / シリコン界面制御層 / 表面不活性化 / 表面・界面準位 / 量子井戸 / MOCVD / Quantum Dots / Crystal Growth / 有機金属気相成長法 / Quantum dot / Cryxtal growth / 電子・電気材料 / 表面・界面物性 / 高電子移動度トランジスタ / 低損傷プロセス / 化学センサ / センサネットワーク / 環境エネルギー / 無線センサー / センサーネットワーク / スマートセンサー / RFID / 無線センサ / 環境発電 / エネルギーハーベスティング / 振動発電 / スピントロニクス / 半導体ナノテクノロジ / 複合ナノ構造 / ボトムアップ形成 / スピン偏極発光素子 / 強磁性体ナノ構造 / 半導体ナノワイヤ / 太陽電池 / 光吸収率 / 半導体ナノ構造 / 単電子輸送 / 単電子メモリ / 磁性体 / 1次元物性 / マンガン砒素 / ガリウムインジウム砒素 / インジウム燐 / ナノ構造 / 強磁性体 / フォトニック結晶 / カゴメ格子隠す

コアシェル型半導体ナノワイヤを用いた近中赤外光検出器研究代表者
- 研究代表者
  
  本久順一
- 研究期間 (年度)
  2025 – 2027
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  北海道大学
ナノワイヤハイブリッド集積デバイスの創成
- 研究代表者
  
  冨岡克広
- 研究期間 (年度)
  2022 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分21:電気電子工学およびその関連分野
- 研究機関
  北海道大学
Si-Ge系ヘテロ接合ナノワイヤによる縦型ナノワイヤHEMTデバイスの開発
- 研究代表者
  
  深田直樹
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2024
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 審査区分
  
  中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
半導体ナノワイヤを用いたベクトル光波の発生研究代表者
- 研究代表者
  
  本久順一
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  北海道大学
GaNによる特異構造を利用した縦型FETの作製と高性能化に向けた評価技術の検討研究代表者
- 研究代表者
  
  本久順一
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2020
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  北海道大学
Si/III-V異種接合によるナノワイヤ縦型トンネルFET立体集積回路技術の確立
- 研究代表者
  
  冨岡克広
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2021
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  北海道大学
窒化ガリウム系ナノワイヤによる縦型FETの作製と評価研究代表者
- 研究代表者
  
  本久順一
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2018
- 研究種目
  
  新学術領域研究(研究領域提案型)
- 審査区分
  
  理工系
- 研究機関
  北海道大学
シリコン上の縦型ナノワイヤスピントランジスタのボトムアップ集積
- 研究代表者
  
  原真二郎
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  ナノ構造物理
- 研究機関
  北海道大学
半導体ナノワイヤによるSi基板上発光デバイスの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  本久順一
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
自己停止酸化機構を利用した窒化物半導体低損傷加工プロセスの開発とトランジスタ応用
- 研究代表者
  
  佐藤威友
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
半導体ナノワイヤを用いた新型光検出器研究代表者
- 研究代表者
  
  本久順一
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2017
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
窒化物半導体周期的ナノ構造を基盤とした可視光応答型光触媒の開発と人工光合成応用
- 研究代表者
  
  佐藤威友
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
低損傷プロセスによる窒化物半導体表面のナノスケール制御と高感度化学センシング
- 研究代表者
  
  佐藤威友
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2015
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
社会インフラの遠隔安全監視を行う振動発電式セミパッシブ無線センサ
- 研究代表者
  
  五十嵐一
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  社会システム工学・安全システム
- 研究機関
  北海道大学
半導体ナノワイヤを用いたナノ発光素子の作製研究代表者
- 研究代表者
  
  本久順一
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
半導体ナノワイヤを基盤とする水素発生用材料の開拓研究代表者
- 研究代表者
  
  本久順一
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2013
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
シリコン上の強磁性体／半導体ナノワイヤによるスピン偏極発光素子の研究
- 研究代表者
  
  原真二郎
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
化合物半導体配列ナノ構造を基盤とする超接合光吸収体の創成と太陽電池応用
- 研究代表者
  
  佐藤威友
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2010
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
半導体ナノワイヤによる量子集積ハードウェアの構築研究代表者
- 研究代表者
  
  本久順一
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
有機金属気相選択成長法による半導体ナノワイヤエレクトロニクスの創成
- 研究代表者
  
  福井孝志
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2010
- 研究種目
  
  特別推進研究
- 審査区分
  
  理工系
   数物系科学
- 研究機関
  北海道大学
有機金属気相選択成長法によるガリウムヒ素単電子メモリの作製と評価
- 研究代表者
  
  福井孝志
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
半導体ナノワイヤを用いた単一光子光源の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  本久順一
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  応用光学・量子光工学
- 研究機関
  北海道大学
半導体・強磁性体複合型ナノワイヤを用いた縦型ナノスピントランジスタの研究
- 研究代表者
  
  原真二郎
- 研究期間 (年度)
  2005 – 2006
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
有機金属気相選択成長によるフォトニック結晶の作製とデバイス応用に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  本久順一
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
半導体人工格子による磁性制御研究代表者
- 研究代表者
  
  本久順一
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2003
- 研究種目
  
  萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
窒化ガリウム系超高速・ハイパワートランジスタ構造の表面・界面制御
- 研究代表者
  
  橋詰保
- 研究期間 (年度)
  2002 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
単一電子入力・単一電子出力型記憶素子の研究
- 研究代表者
  
  福井孝志
- 研究期間 (年度)
  2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
有機金属気相成長高密度量子ナノ構造による単電子集積エレクトロニクス
- 研究代表者
  
  福井孝志
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2005
- 研究種目
  
  学術創成研究費
- 研究機関
  北海道大学
選択成長によるフォトニック結晶の作製と応用に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  本久順一
- 研究期間 (年度)
  2000 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
界面制御に基づいたGaNへの金属電極形成技術の開発研究
- 研究代表者
  
  橋詰保
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
窒化ガリウムに対する絶縁ゲート構造の形成と界面特性評価に関する研究
- 研究代表者
  
  橋詰保
- 研究期間 (年度)
  1999 – 2001
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
高密度半導体量子ドット構造の形成と評価の研究
- 研究代表者
  
  福井孝志
- 研究期間 (年度)
  1997 – 2000
- 研究種目
  
  特別推進研究
- 審査区分
  
  物理系
- 研究機関
  北海道大学
金属-半導体界面におけるショットキー理想極限の実現とその電子デバイスへの応用
- 研究代表者
  
  長谷川英機
- 研究期間 (年度)
  1997 – 1998
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
人工原子″スーパーアトム″の作製と評価研究代表者
- 研究代表者
  
  齊藤俊也, 本久順一
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  萌芽的研究
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  北海道大学
III-V族半導体量子構造の表面準位の制御とその光デバイスへの応用
- 研究代表者
  
  長谷川英機
- 研究期間 (年度)
  1995 – 1996
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  表面界面物性
- 研究機関
  北海道大学
自己組織化機構を利用した半導体立体量子構造の形成と評価
- 研究代表者
  
  福井孝志
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
界面制御された化合物半導体超微細構造の作製とその電子的特性の評価研究代表者
- 研究代表者
  
  本久順一
- 研究期間 (年度)
  1994 – 1995
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  北海道大学
選択成長を利用した半導体量子ドットの作製と物性の研究
- 研究代表者
  
  福井孝志
- 研究期間 (年度)
  1992 – 1993
- 研究種目
  
  一般研究(B)
- 研究分野
  
  電子材料工学
- 研究機関
  北海道大学

[図書] Nanowire Field-Effect Transistors (in Fundamental Properties of Semiconductor Nanowires)2021
- 著者名/発表者名
  Junichi Motohisa and Shinjiro Hara
- 総ページ数
  60
- 出版者
  Springer Nature Singapore Pte Ltd
- ISBN
  9789811590498
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04528
[図書] Fundamental Properties of Semiconductor Nanowires (分担執筆, Chapter名: Nanowire Field Effect Transistors)2020
- 著者名/発表者名
  Junichi Motohisa, Shinjiro Hara
- 総ページ数
  57
- 出版者
  Springer Nature AG.(Switzerland)
- ISBN
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02727
[図書] Junichi Motohisa and Shinjirho Hara2020
- 著者名/発表者名
  Junichi Motohisa and Shinjirho Hara
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04528
[図書] Nanowire Field Effect Transistors (in "Fundamental Properties of Semiconductor Nanowires")2020
- 著者名/発表者名
  Junichi Motohisa and Shinjirho Hara
- 出版者
  Springer
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03223
[図書] "III-V Semiconductor Nanowire Light Emitting Diodes and Lasers", Chapter 8, "Advances in III-V Semiconductor Nanowires and Nanodevices", Bentham eBooks, eISBN: 978-1-60805-052-92011
- 著者名/発表者名
  Junichi Motohisa
- 総ページ数
  13
- 出版者
  Bentham Science Publishers Ltd
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360129
[図書] "III-V Semiconductor Nanowire Light Emitting Diodes and Lasers", Advances in III-V Semiconductor Nanowires and Nanodevices2011
- 著者名/発表者名
  J. Motohisa, K. Tomioka, B. Hua, K. S. K. Varadwaj, S. Hara, K. Hiruma, and T. Fukui
- 総ページ数
  178
- 出版者
  Bentham Science Publishers Ltd
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360129
[雑誌論文] Characterization of nanowire light-emitting diodes with InP/InAsP heterostructures emitting in telecom band2024
- 著者名/発表者名
  Motohisa Junichi、Tomoya Akamatsu、Manami Okamoto、Katsuhiro Tomioka
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 63 号: 3 ページ: 03SP08-03SP08
- DOI
  10.35848/1347-4065/ad202f
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[雑誌論文] Size control of InP nanowires by in situ annealing and its application to the formation of InAsP quantum dots2024
- 著者名/発表者名
  Sasaki Masahiro、Akamatsu Tomoya、Tomioka Katsuhiro、Motohisa Junichi
- 雑誌名
  
  Nanotechnology
  
  巻: 35 号: 19 ページ: 195604-195604
- DOI
  10.1088/1361-6528/ad2570
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[雑誌論文] Selective-Area Growth of Vertical InGaAs/GaSb Core?Shell Nanowires on Silicon and Dual Switching Properties2023
- 著者名/発表者名
  Gamo Hironori、Lian Chen、Motohisa Junichi、Tomioka Katsuhiro
- 雑誌名
  
  ACS Nano
  
  巻: 17 号: 18 ページ: 18346-18351
- DOI
  10.1021/acsnano.3c05613
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[雑誌論文] Enhanced Light Extraction of Nano‐Light‐Emitting Diodes with Metal‐Clad Structure Using Vertical GaAs/GaAsP Core?Multishell Nanowires on Si Platform2023
- 著者名/発表者名
  Tomioka Katsuhiro、Sugita Kazuharu、Motohisa Junichi
- 雑誌名
  
  Advanced Photonics Research
  
  巻: 4 号: 7 ページ: 202200337-202200337
- DOI
  10.1002/adpr.202200337
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[雑誌論文] Generation of cylindrical vector beam from GaAs/InGaAs/GaAs core-multishell nanowire cavity2023
- 著者名/発表者名
  Taiga Kunimoto, Shizuka Obara, Shinjiro Hara, Junichi Motohisa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: SC ページ: SC1072-SC1072
- DOI
  10.35848/1347-4065/acb657
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02176
[雑誌論文] Polarization Dependence of Excitonic Emission from As-rich Single InAsxP1-x Quantum Dot Embedded in Free-standing InP Nanowire2023
- 著者名/発表者名
  Suman Mukherjee, Katsuhiro Tomioka and Junichi Motohisa*
- 雑誌名
  
  NanoWorld Journal
  
  巻: 9
- DOI
  10.17756/nwj.2023-s5-040
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[雑誌論文] Current injection and luminescence properties of wurtzite InP nanowires with crystal phase transition2022
- 著者名/発表者名
  Azuma Yuki、Kimura Shun、Gamo Hironori、Motohisa Junichi、Tomioka Katsuhiro
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: SC ページ: SC1011-SC1011
- DOI
  10.35848/1347-4065/aca985
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[雑誌論文] InP nanowire light-emitting diodes with different pn-junction structures2022
- 著者名/発表者名
  Kimura S、Gamo H、Katsumi Y、Motohisa J、Tomioka K
- 雑誌名
  
  Nanotechnology
  
  巻: 33 号: 30 ページ: 305204-305204
- DOI
  10.1088/1361-6528/ac659a
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[雑誌論文] Creation of unexplored tunnel junction by heterogeneous integration of InGaAs nanowires on germanium2022
- 著者名/発表者名
  Akinobu Yoshida, Hironori Gamo, Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 12 号: 1
- DOI
  10.1038/s41598-022-05721-x
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K21951, KAKENHI-PROJECT-19H02184
[雑誌論文] InGaAsコアマルチシェルナノワイヤ/Si接合による垂直ゲートオールアラウンドトンネルFETの作製2021
- 著者名/発表者名
  冨岡克広、蒲生浩憲、本久順一、福井孝志
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 120 (SDM2020-52) ページ: 13-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[雑誌論文] Scaling effect on vertical gate-all-around FETs using III-V NW-channels on Si2021
- 著者名/発表者名
  Katsuhiro Tomioka and Junichi Motohisa
- 雑誌名
  
  IEEE SNW 2021 Tech. Dig.
  
  巻: －ページ: 51-52
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[雑誌論文] Vertical Gate-All-Around Tunnel FETs Using InGaAs Nanowire/Si with Core-Multishell Structure2020
- 著者名/発表者名
  Tomioka Katsuhiro、Gamo Hironori、Motohisa Junichi、Fukui Takashi
- 雑誌名
  
  IEEE IEDM Technical Digest
  
  巻: IEDM-2020 ページ: 429-432
- DOI
  10.1109/iedm13553.2020.9371991
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K21951, KAKENHI-PROJECT-19H02184, KAKENHI-PROJECT-20J20578
[雑誌論文] Demonstration of InP/InAsP/InP axial heterostructure nanowire array vertical LEDs2020
- 著者名/発表者名
  Akamatsu Tomoya、Tomioka Katsuhiro、Motohisa Junichi
- 雑誌名
  
  Nanotechnology
  
  巻: 31 号: 39 ページ: 394003-394003
- DOI
  10.1088/1361-6528/ab9bd2
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K21951, KAKENHI-PROJECT-19H02184, KAKENHI-PROJECT-20H02176
[雑誌論文] Selective-Area Growth of AlInAs Nanowires2020
- 著者名/発表者名
  Tai Yoshiki、Gamo Hironori、Motohisa Junichi、Tomioka Katsuhiro
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 98 号: 6 ページ: 149-153
- DOI
  10.1149/09806.0149ecst
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K21951, KAKENHI-PROJECT-19H02184, KAKENHI-PROJECT-20J20578
[雑誌論文] Rational synthesis of atomically thin quantum structures in nanowires based on nucleation processes2020
- 著者名/発表者名
  Tomioka Katsuhiro、Motohisa Junichi、Fukui Takashi
- 雑誌名
  
  Scientific Reports
  
  巻: 10 号: 1
- DOI
  10.1038/s41598-020-67625-y
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K21951, KAKENHI-PROJECT-19H02184
[雑誌論文] InGaAs-InP core?shell nanowire/Si junction for vertical tunnel field-effect transistor2020
- 著者名/発表者名
  Tomioka Katsuhiro、Ishizaka Fumiya、Motohisa Junichi、Fukui Takashi
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 117 号: 12 ページ: 123501-123501
- DOI
  10.1063/5.0014565
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K21951, KAKENHI-PROJECT-19H02184
[雑誌論文] Vertical InGaAs Nanowire Array Photodiodes on Si2019
- 著者名/発表者名
  Chiba Kohei、Yoshida Akinobu、Tomioka Katsuhiro、Motohisa Junichi
- 雑誌名
  
  ACS Photonics
  
  巻: 6 号: 2 ページ: 260-264
- DOI
  10.1021/acsphotonics.8b01089
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03223, KAKENHI-PROJECT-16H06080
[雑誌論文] Vertical Tunnel FET Technologies using III-V/Si heterojunciton2019
- 著者名/発表者名
  K. Tomioka, H. Gamo, J. Motohisa
- 雑誌名
  
  ECS Transaction
  
  巻: 92 号: 25 ページ: 71-78
- DOI
  10.1149/ma2019-02/25/1168
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K21951, KAKENHI-PROJECT-19H02184
[雑誌論文] Characterization of nanowire light-emitting diodes grown by selective-area metal-organic vapor-phase epitaxy2019
- 著者名/発表者名
  Motohisa Junichi、Kameda Hiroki、Sasaki Masahiro、Tomioka Katsuhiro
- 雑誌名
  
  Nanotechnology
  
  巻: 30 号: 13 ページ: 134002-134002
- DOI
  10.1088/1361-6528/aafce5
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03223, KAKENHI-PROJECT-16H06080
[雑誌論文] Composition controllability of InGaAs nanowire arrays in selective area growth with controlled pitched on Si platform2017
- 著者名/発表者名
  Kohei Chiba, Katsuhiro Tomioka, Akinobu Yoshida, and Junichi Motohisa
- 雑誌名
  
  AIP Advances
  
  巻: 7 号: 12 ページ: 125304-125304
- DOI
  10.1063/1.4993689
- NAID
  120006380383
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03223, KAKENHI-PROJECT-16H06080, KAKENHI-PROJECT-16K14221
[雑誌論文] Composition-Dependent Growth Dynamics of Slectively Grown InGaAs Nanowires2014
- 著者名/発表者名
  Y. Kohashi, S. Hara, J. Motohisa
- 雑誌名
  
  Materials Research Express
  
  巻: VOL.1 号: 1 ページ: 15-036
- DOI
  10.1088/2053-1591/1/1/015036
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13J01918, KAKENHI-PROJECT-23360129, KAKENHI-PROJECT-25600034
[雑誌論文] Far-Field Emission Patterns of Nanowire Light-Emitting Diodes2014
- 著者名/発表者名
  Junichi Motohisa, Yoshinori Kohashi, and Satoshi Maeda
- 雑誌名
  
  Nano Letters
  
  巻: 14 号: 6 ページ: 3653-3660
- DOI
  10.1021/nl501438r
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360114
[雑誌論文] Selective-area growth InP-based nanowires and their optical properties2012
- 著者名/発表者名
  J. Motohisa
- 雑誌名
  
  Indium Phosphide and Related Materials (IPRM),2012 International Conference on
  
  ページ: 249-252
- DOI
  10.1109/iciprm.2012.6403370
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360114
[雑誌論文] Lattice-mismatched InGaAs nanowires formed on GaAs(111)B by selective-area MOVPE2011
- 著者名/発表者名
  M.Yoshimura, K.Tomioka, K.Hiruma, S.Hara, J.Motohisa, T.Fukui
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
  
  巻: VOL.315 ページ: 148-151
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] GaAs/AlGaAs Core Multishell Nanowire-Based Light-Emitting Diodes on Si2010
- 著者名/発表者名
  K.Tomioka, J.Motohisa, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
- 雑誌名
  
  Nano Letters Vol.10
  
  ページ: 1639-1644
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Vertical Surrounding Gate Transistors using single InAs Nanowires Grown on Si Substrate2010
- 著者名/発表者名
  T.Tanaka, K.Tomioka, S.Hara, J.Motohisa, T.Fukui
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express Vol.3
- NAID
  10027013579
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Analysis of twin defects in GaAs nanowires and tetrahedral and their correlation to GaAs(111)B surface reconstructions in selective-area metal organic vapour-phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  H.Yoshida, K.Ikejiri, T.Sato, S.Hara, K.Hiruma, J.Motohisa, T.Fukui
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth VOL.312
  
  ページ: 51-57
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] GaAs/AlGaAs core multishell nanowire-based light-emitting diodes on Si2010
- 著者名/発表者名
  K.Tomioka, J.Motohisa, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
- 雑誌名
  
  NANO LETTERS
  
  巻: VOL.10 ページ: 1639-1644
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Vertical Surrounding Gate Transistors Using Single InAs Nanowires Grown on Si Substrates2010
- 著者名/発表者名
  T. Tanaka, K. Tomioka, S. Hara, J. Motohisa, E. Sano, T. Fukui
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Express 3
  
  ページ: 25003-25003
- NAID
  10027013579
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[雑誌論文] Vertical Surrounding Gate Transistors Using Single InAs Nanowires Grown on Si Substrates2010
- 著者名/発表者名
  T.Tanaka, K.Tomioka, S.Hara, J.Motohisa, E.Sano, T.Fukui
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express VOL.3
- NAID
  10027013579
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Structural transition in indium phosphide nanowires2010
- 著者名/発表者名
  Y.Kitauchi, Y.Kobayashi, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui, J.Motohisa
- 雑誌名
  
  NANO LETTERS
  
  巻: VOL.10 ページ: 1699-1703
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Growth and characterization of InGaAs nanowires formed on GaAs(111)B by selective-area metal organic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  M.Yoshimura, K.Tomioka, K.Hiruma, S.Hara, J.Motohisa, T.Fukui
- 雑誌名
  
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
  
  巻: VOL.49
- NAID
  210000068312
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Fabrication and characterization of GaAs quantum well buried in AlGaAs/GaAs heterostructure nanowires2010
- 著者名/発表者名
  A.Hayashida, T.Sato, S.Hara, J.Motohisa, K.Hiruma, T.Fukui
- 雑誌名
  
  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
  
  巻: VOL.312 ページ: 3592-3598
- NAID
  120002678122
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Selective-area growth of vertically aligned GaAs and GaAs/AlGaAs core-shell nanowires on Si(111) substrate2009
- 著者名/発表者名
  Katsuhiro Tomioka, Yasunori Kobayashi, Junichi Motohisa, Shinjiroh Hara, Takashi Fukui
- 雑誌名
  
  Nanotechnology 20
  
  ページ: 145302-145302
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[雑誌論文] Single GaAs/GaAsP Coaxial Core-Shell Nanowire Lasers2009
- 著者名/発表者名
  B.Hua, J.Motohisa, Y.Kobayashi, S.Hara, T.Fukui
- 雑誌名
  
  Nano Letters Vol.9
  
  ページ: 112-116
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Analysis of Twin Defects in GaAs Nanowires and Tetrahedra and Their Correlation to GaAs (111)B Surface Reconstructions in Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  Hiroatsu Yoshida, Keitaro Ikejiri, Takuya Sato, Shinjiroh Hara, Kenji Hiruma, Junichi Motohisa, Takashi Fukui
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth 315
  
  ページ: 52-57
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[雑誌論文] Single GaAs/GaAsP Coaxial Core-Shell Nanowire Lasers2009
- 著者名/発表者名
  B. Hua, J. Motohisa, Y. Kobayashi, S. Hara, T. Fukui
- 雑誌名
  
  Nano Lett 9(1)
  
  ページ: 112-116
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[雑誌論文] Growth of Core-Shell InP nanowires for Photovoltaic Application by Selective-Area Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  H.Goto, N.Nosaki, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, J.Motohisa, T.Fukui
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express Vol.2
- NAID
  10025085293
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Single GaAs/GaAsP coaxial core-shell nanowire lasers2009
- 著者名/発表者名
  B. Hua, J. Motohisa, Y. Kobayashi, S. Hara, T. Fukui
- 雑誌名
  
  Nano Letters 9
  
  ページ: 112-116
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Fabry-Perot microcavity modes observed in the micro-photoluminescence spectra of the single nanowire with InGaAs/GaAs heterostructure2009
- 著者名/発表者名
  L.Yang, J.Motohisa, T.Fukui, L.X.Jia, L.Zhang, M.M.Geng. P.Chen, Y.L.Liu
- 雑誌名
  
  Optics Express VOL.17
  
  ページ: 9337-9346
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Single GaAs/GaAsP coaxial core-shell nanowaire lasers2009
- 著者名/発表者名
  B. Hua, J. Motohisa, Y. Kobayashi, S. Hara and T. Fukui
- 雑誌名
  
  Nano Letters vol. 9
  
  ページ: 112-116
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Growth of core-shell InP nanowires for photovoltaic application by selective-area metal-organic vapor-phase epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  H. Goto, K. Nozaki, K. Tomioka, S. Hara, K. Hiruma, J. Motohisa and T. Fukui
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
- NAID
  10025085293
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] 有機金属気相選択成長によるInPナノワイヤの成長と構造相転移2009
- 著者名/発表者名
  北内悠介、本久順一、小林靖典、福井孝志
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術報告 ED-2008-227
  
  ページ: 19-22
- NAID
  110007131573
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[雑誌論文] Selective-area growth of vertically aligned GaAs and GaAs/AlGaAs core-shell nanowires on Si(111) substrate2009
- 著者名/発表者名
  K. Tomioka, Y. Kobayashi, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui
- 雑誌名
  
  Nanotechnology 20
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Transient band-bending in InP/InAs/InP core-multishell nanowires2009
- 著者名/発表者名
  K. Goto, S. Tomimoto, B. Pal, Y. Masumoto, R Mohan, J. Motohisa and T.Fukui
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 6
  
  ページ: 205-208
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] One- and two-dimensional spectral diffusions in InP/InAs/InP core-multishell nanowires2009
- 著者名/発表者名
  K.Goto, M.Ikezawa, S.Tomimoto, B.Pal, Y.Masumoto, P.Mohan, J.Motohisa, T.Fukui
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics VOL.48
- NAID
  210000066714
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Growth of Core-Shell InP Nanowires for Photovoltaic Application by Selective-Area Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  H. Goto, K. Nosaki, K. Tomioka, S. Hara, K. Hiruma, J. Motohisa, T. Fukui
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
  
  ページ: 35004-35004
- NAID
  10025085293
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[雑誌論文] Growth of Core-Shell InP Nanowires for Photovoltaic Application by Selective-Area Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  H. Goto, K. Nozaki, K. Tomioka, S. Hara, K. Hiruma, J. Motohisa and T. Fukui
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express vol. 2
- NAID
  10025085293
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Microcavity structures in single GaAs nanowires2008
- 著者名/発表者名
  B. Hua, J. Motohisa, S. Hara, T. Fukui
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) Vol.5
  
  ページ: 2722-2725
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[雑誌論文] Type-II behavior in wurtzite InP/InAs/InP core-multishell nanowires2008
- 著者名/発表者名
  B. Pal, K. Goto, M. Ikezawa, Y. Masumoto, P. Mohan, J. Motohisa, T. Fukui
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 93
  
  ページ: 73105-73105
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[雑誌論文] SA-MOVPE of InGaAs nanowires and their compositions studied by micro-PL measurement2008
- 著者名/発表者名
  Takuya Sato, Yasunori Kobayashi, Junichi Motohisa, Shinjiro Hara, Takashi Fukui
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 5111-5113
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[雑誌論文] Growth characteristics of GaAs nanowires obtained by selective area metal-organic vapour-phase epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  K. Ikejiri, T. Sato, H. Yoshida, K. Hiruma, J. Motohisa, S. Hara, T. Fukui
- 雑誌名
  
  Nanotechnology 19
  
  ページ: 265604-265604
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[雑誌論文] SA-MOVPE of InGaAs nanowires and their compositions studied by micro-PL measurement2008
- 著者名/発表者名
  T. Sato, Y. Kobayashi, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 310
  
  ページ: 5111-5113
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] 有機金属気相選択成長法によるInGaAs系ナノワイヤの形成とその電気的評価2008
- 著者名/発表者名
  登坂仁一郎, 佐藤拓也, 本久順一, 原真二郎, 福井孝志
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告 107
  
  ページ: 5-10
- NAID
  110006613699
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[雑誌論文] Formation of InP and InGaAs air-hole arrays on InP(111) substrates by selective-area metal-organic vapor-phase epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  S. Hashimoto, J. Takeda, A. Tarumi, S. Hara, J. Motohisa and T. Fukui
- 雑誌名
  
  Japanese journal of applied physics 47
  
  ページ: 3354-3358
- NAID
  210000064731
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Optics with single nanowires2008
- 著者名/発表者名
  V. Zwiller, N. Akopian, M. van Weert, M. van Kouwen, U. Perinetti, L. Kouwenhoven, R. Algra, J. G. Rivase, E. Bakkers, G. Patriarche, L. Liu, J.-C.Harmand, Y. Kobayashi and J. Motohisa
- 雑誌名
  
  C.R. Physique 9
  
  ページ: 804-815
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Fabrication and excitation-power-density-dependent micro-photoluminescence of hexagonal nanopillars with a single InGaAs/GaAs quantum well2008
- 著者名/発表者名
  L. Yang, J. Motohisa, K. Tomioka, J. Takeda, T. Fukui M.M. Geng, L.X. Jia, L. Zhang and Y.L. Liu
- 雑誌名
  
  Nanotechnology 19
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Growth characteristics of GaAs nanowires obtained by selective-area metal-organic vapour-phase epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  K. Ikejiri, T. Sato, H. Yoshida, K. Hiruma, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui
- 雑誌名
  
  Nanotechnology 19
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] MOCVD法による半導体ナノワイヤの作製とデバイス応用2008
- 著者名/発表者名
  福井孝志, 本久順一, 原真二郎, 佐藤拓也
- 雑誌名
  
  真空ジャーナル 117
  
  ページ: 15-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[雑誌論文] Type-II behavior in wurtzite InP/InAs/InP core-multishell nanowires2008
- 著者名/発表者名
  B. Pal, K. Goto, Y. Mosumoto, P. Mohan, J. Motohisa and T. Fukui
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 93
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Metal-organic vapor phase epitaxial growth condition dependences of MnAs nanocluster formation on GaInAs (111)A surfaces2008
- 著者名/発表者名
  H. Iguchi, S. Hara, J. Motohisa and T. Fukui
- 雑誌名
  
  Japanese journal of applied physics 47
  
  ページ: 3253-3256
- NAID
  210000064709
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Growth of InGaAs nanowires by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  Takuya Sato, Junichi Motohisa, Jinichiro Noborisaka, Shinjiro Hara, Takashi Fukui
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth Vol.310,No.7-9
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[雑誌論文] Control of InAs nanowire growth directions on Si2008
- 著者名/発表者名
  K. Tomioka, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui
- 雑誌名
  
  Nano Letters 8
  
  ページ: 3475-3480
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Microcavity structures in single GaAs nanowires2008
- 著者名/発表者名
  B. Hua, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 5
  
  ページ: 2722-2725
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Spectroscopy and imaging of GaAs-InGaAs-GaAs heterostructured nanowires grown by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  M. Fukui, Y. Kobayashi, J. Motohisa and T. Fukui
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C 5
  
  ページ: 2743-2745
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] MOVPE選択成長法を用いたIII-V族化合物半導体ナノワイヤの形成2008
- 著者名/発表者名
  冨岡克弘、佐藤拓也、原真二郎、本久順一、福井孝志
- 雑誌名
  
  表面科学 29
  
  ページ: 726-730
- NAID
  10024407649
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Spectroscopy and Imaging of GaAs-InGaAs-GaAs Heterostructured Nanowires Grown by Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  M. Fukui, Y. Kobayashi, J. Motohisa, T. Fukui
- 雑誌名
  
  physica status solidi (c) Vol.5
  
  ページ: 2743-2745
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[雑誌論文] Control of InAs Nanowire Growth Directions on Si2008
- 著者名/発表者名
  K. Tomioka, J. Motohisa, S. Hara, T. Fukui
- 雑誌名
  
  Nano Lett 8(10)
  
  ページ: 3475-3480
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[雑誌論文] Micro-photoluminescence spectroscopy study of high quality InP nanowires grown by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  Y. Kobayashi, M. Fukui, J. Motohisa, T. Fukui
- 雑誌名
  
  Physica E Vol.40,No6
  
  ページ: 2204-2206
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[雑誌論文] Electrical Characterizations of InGaAs Nanowire-Top-Gate Field-Effect Transistors by Selective-Area Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  J. Noborisaka, T. Sato, J. Motohisa, S. Hara, K. Tomioka and T. Fukui
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics vol. 46
  
  ページ: 7562-7568
- NAID
  40015705160
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Characterization of Fabry-Perot microcavity modes in GaAs nanowires fabricated by selective-area metal organic vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Bin Hua, Junichi Motohisa, Ying Ding, Shinjiroh Hara, Takashi Fukui
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett 91
  
  ページ: 131112-131112
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[雑誌論文] Electrical characteristics of InGaAs nanowire-top-gate field effect transistors by selective-area metal organic vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  J. Noborisaka, T. Sato, J. Motohisa, S. Hara, K. Tomioka, T. Fukui
- 雑誌名
  
  Japanese journal of applied physics 46
  
  ページ: 7562-7568
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Characterization of Fabry-Perot microcavity modes in GaAs nanowires fabricated by selective-area metal organic vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  B. Hua, J. Motohisa, Y. Ding, S. Hara, T. Fukui
- 雑誌名
  
  Applied physics letters 91
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Observation of Microcavity Modes and Waveguides in InP Nanowires Fabricated by Selective-Area Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Ying Ding, Junichi Motohisa, Bin Hua, Shinjiroh Hara, Takashi Fukui
- 雑誌名
  
  Nano Lett 7(12)
  
  ページ: 3598-3602
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[雑誌論文] Electrical Characterizations of InGaAs Nanowire top-gate Field-effect-Transistors by using Selective-area MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  J. Noborisaka, T. Sato, J. Motohisa, S. Hara, K. Tomioka, T. Fukui
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 46
  
  ページ: 7562-7562
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[雑誌論文] Crystallographic Structure of InAs? Nanowires Studied by Transmission Electron Microscopy2007
- 著者名/発表者名
  Katsuhiro Tomioka, Junichi Motohisa, Shinjiroh Hara, Takashi Fukui
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys 46
- NAID
  210000063794
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[雑誌論文] Crystallographic structure of InAs nanowires studied by transmission electron microscopy2007
- 著者名/発表者名
  K. Tomioka, J. Motohisa, S. Hara, T. Fukui
- 雑誌名
  
  Japanese journal of applied physics 46
- NAID
  210000063794
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Characterization of Fabry-P?rot microcavity modes in GaAs nanowires fabricated by selective-area metal organic vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Bin Hua, Junichi Motohisa, Ying Ding, Shinjiroh Hara, and Takashi Fukui
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters 91
  
  ページ: 13112-13112
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[雑誌論文] Crystallographic Structure of InAs Nanowires Studied by Transmission Electron Microscopy2007
- 著者名/発表者名
  Katsuhiro Tomioka, Junichi Motohisa, Shinjiroh Hara, and Takashi Fukui
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46
- NAID
  210000063794
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[雑誌論文] Electrical Characterizations of InGaAs? Nanowire-top-gate Field-effect-Transistors by using Selective-area MOVPE", Jpn. J. Appl. Phys. 46, 7562(2007).2007
- 著者名/発表者名
  J. Noborisaka, T. Sato, J. Motohisa, S. Hara, K. Tomioka and T. Fukui
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 46
  
  ページ: 7562-7562
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[雑誌論文] Aharonov-Bohm oscillations in photoluminescence from charged exciton in quantum tubes2007
- 著者名/発表者名
  K. Tsumura, S. Nomura, P. Mohan, J. Motohisa, T. Fukui
- 雑誌名
  
  Japanese journal of applied physics 46
- NAID
  120007138780
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Observation of microcavity modes and waveguides in InP nanowires fabricated by selective-area metalorganic vapor-phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Y. Ding, J. Motohisa, B. Hua, S. Hara, T. Fukui
- 雑誌名
  
  Nano letters 7
  
  ページ: 3598-3602
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[雑誌論文] Observation of Microcavity Modes and Waveguides in InP Nanowires Fabricated by Selective-Area Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  Ying Ding, Junichi Motohisa, Bin Hua, Shinjiroh Hara, and Takashi Fukui
- 雑誌名
  
  Nano Letters 7
  
  ページ: 3598-3602
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[雑誌論文] Foramtion of III-V Compound Semiconductor Nanowire and a Crystal Structure Change between Zincblende and Wurzite (review)2007
- 著者名/発表者名
  K. Hiruma, K. Ikejiri, H. Yoshida, K. Tomioka, J. Motohisa, S. Hara, T. Fukui
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Crystal Growth 34,No.4
  
  ページ: 224-232
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[雑誌論文] Photonic Crystal Slabs with Hexagonal Air Holes Fabricated by Selective Area Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2006
- 著者名/発表者名
  Lin Yang, Junichi Motohisa, Junichiro Takeda, Takashi Fukui
- 雑誌名
  
  Sensors and Actuators A (To be published)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] Semiconductor Nanowires and Their Application to Nanodevices (in Japanese)2006
- 著者名/発表者名
  Junichi Motohisa, Takashi Fukui
- 雑誌名
  
  Oyo Buturi 75
  
  ページ: 296-302
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] Catalyst-free selective area MOVPE of semiconductor nanowires2006
- 著者名/発表者名
  J.Motohisa, T.Fukui
- 雑誌名
  
  Proceedings of SPIE 6370
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656019
[雑誌論文] 半導体ナノワイヤとナノデバイス応用2006
- 著者名/発表者名
  本久順一
- 雑誌名
  
  応用物理 75・3
  
  ページ: 296-302
- NAID
  10020530831
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] 半導体ナノワイヤとナノデバイス応用2006
- 著者名/発表者名
  本久順一
- 雑誌名
  
  応用物理 75・3
  
  ページ: 296-302
- NAID
  10020530831
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656019
[雑誌論文] Suggested procedure for the use of the effective-index method for high-index-contrast photonic crystal slabs2005
- 著者名/発表者名
  Lin Yang, Junichi Motohisa, Takashi Fukui
- 雑誌名
  
  Opt.Eng. 44
  
  ページ: 78002-78002
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] Controlled growth of highly uniform, axial/radial direction-defined, individually addressable InP nanowire arrays2005
- 著者名/発表者名
  Premila Mohan, Junichi Motohisa, Takashi Fukui
- 雑誌名
  
  Nanotechnology 16
  
  ページ: 2903-2907
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] Selective-area MOVPE fabrication of GaAs? hexagonal air-hole arrays on GaAs?(111)B substrates using flow-rate modulation mode2005
- 著者名/発表者名
  Junichiro Takeda, Masashi Akabori, Junichi Motohisa, Richard N?tzel, Takashi Fukui
- 雑誌名
  
  Nanotechnology 16
  
  ページ: 2954-2957
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] Photoluminescence from single hexagonal nano-wire grown by selective area MOVPE2005
- 著者名/発表者名
  S.Hara.J.Motohisa, J.Noborisaka, J.Takeda, T.Fukui
- 雑誌名
  
  Institute of Physics Conference Series (IOP) No.184
  
  ページ: 393-398
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656100
[雑誌論文] Photonic Crystal Slabs with Hexagonal Optical Atoms, Their Application in Waveguides2005
- 著者名/発表者名
  L.Yang, J.Motohisa, T.Fukui
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys Vol.44, No.4B
  
  ページ: 2531-2536
- NAID
  10015704763
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] Selective-area MOVPE fabrication of GaAs hexagonal air-hole arrays on GaAs (111)B substrates using flow-rate modulation mode.2005
- 著者名/発表者名
  Junichiro Takeda
- 雑誌名
  
  Nanotechnology 16
  
  ページ: 2954-2957
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] Photoluminescnce from single hexagonal nano-wire grown by selective area MOVPE2005
- 著者名/発表者名
  S.Hara, J.Motohisa, J.Noborisaka, J.Takeda, T.Fukui
- 雑誌名
  
  Inst.Phys.Conf.Ser. No 184
  
  ページ: 393-398
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] Catalyst-free growth of GaAs nanowires by selective-area metalorganic vapor-phase epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  Jinichiro Noborisaka, Junichi Motohisa, Takashi Fukui
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 86
  
  ページ: 213102-213102
- NAID
  120000960844
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] Fabrication and characterization of freestanding GaAs/AlGaAs core-shell nanowires and AlGaAs nanotubes by using selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2005
- 著者名/発表者名
  J.Noborisaka, J.Motohisa, S.Hara, T.Fukui
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters (AIP) Vol.87, No.9
  
  ページ: 93109-93109
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17656100
[雑誌論文] Selective-area MOVPE fabrication of GaAs hexagonal air-hole arrays on GaAs (111)B substrates using flow-rate modulation mode2005
- 著者名/発表者名
  Junichiro Takeda
- 雑誌名
  
  Nanotechnology 16
  
  ページ: 2954-2957
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] Growth of GaAs/AlGaAs hexagonal pillars on GaAs (111)B surfaces by selective-area MOVPE2004
- 著者名/発表者名
  J.Motohisa
- 雑誌名
  
  Physica E 3-4・23
  
  ページ: 298-304
- NAID
  120000958778
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13GS0001
[雑誌論文] Catalyst-free selective-area MOVPE of semiconductor nanowires on (111)B oriented substrates2004
- 著者名/発表者名
  J.Motohisa
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 1-4・272
  
  ページ: 180-185
- NAID
  120000954504
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13GS0001
[雑誌論文] Fabrication and characterization of GaAs two-dimensional air-hole arrays on GaAs (111)A substrates using selective-area MOVPE2004
- 著者名/発表者名
  Junichiro Takeda, Masaru Inari, Junichi Motohisa, Takashi Fukui
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth Volume 272, 1-4
  
  ページ: 570-575
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] Catalyst-free selective-area MOVPE of semiconductor nanowires on (111)B oriented substrates2004
- 著者名/発表者名
  J.Motohisa J.Noborisaka, J.Takeda, M.Inari, T.Fukui
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth v 272, n 1-4
  
  ページ: 180-185
- NAID
  120000954504
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] Fabrication and characterization of GaAs two-dimensional air-hole arrays on GaAs (111)A substrates using selective-area MOVPE2004
- 著者名/発表者名
  Junichiro Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 1-4・272
  
  ページ: 570-575
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13GS0001
[雑誌論文] Growth and optical properties of 2D photonic crystals based on hexagonal GaAs/AlGaAs pillar arrays by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2004
- 著者名/発表者名
  Junichi Motohisa
- 雑誌名
  
  Material Research Society Proceedings 797
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] Fabrication and characterization of GaAs two-dimensional air-hole arrays on GaAs(111)A substrates using selective-area MOVPE2004
- 著者名/発表者名
  Junichiro Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 1-4・272
  
  ページ: 570-575
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] Growth of GaAs?/AlGaAs hexagonal pillars on GaAs (111)B surfaces by selective-area MOVPE2004
- 著者名/発表者名
  J.Motohisa, J.Takeda, M.Inari, J.Noborisaka, T.Fukui
- 雑誌名
  
  Physica E v 23, n 3-4
  
  ページ: 298-304
- NAID
  120000958778
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] Growth of GaAs/AlGaAs hexagonal pillars on GaAs (111)B surfaces by selective-area MOVPE2004
- 著者名/発表者名
  J.Motohisa
- 雑誌名
  
  Physica E 3-4・23
  
  ページ: 298-304
- NAID
  120000958778
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] Growth and optical properties of 2D photonic crystals based on hexiagonal GaAs/AIGaAs pillar arrays by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2004
- 著者名/発表者名
  J.Motohisa Takeda, M.Inari, T.Fukui
- 雑誌名
  
  Mat.Res.Soc.Proc. Vol.797
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] Growth of GaAs/AlGaAs hexiagonal pillars on GaAs (111)B surfaces by selective-area MOVPE2004
- 著者名/発表者名
  Junichi Motohisa
- 雑誌名
  
  Physica E 3-4・23
  
  ページ: 298-304
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] Fabrication and characterization of GaAs two-dimensional air-hole arrays on GaAs (111)A substrates using selective-area MOVPE2004
- 著者名/発表者名
  Junichiro Takeda
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 1-4・272
  
  ページ: 570-575
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] Catalyst-free selective-area MOVPE of semiconductor nanowires on (111)B oriented substrates2004
- 著者名/発表者名
  J.Motohisa
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 1-4・272
  
  ページ: 180-185
- NAID
  120000954504
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] Realization of InAs?-based two-dimensional artificial lattice by selective area metalorganic vapor phase epitaxy2004
- 著者名/発表者名
  Premila Mohan, Junichi Motohisa, Takashi Fukui
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters Volume 84, Issue 14
  
  ページ: 2664-2666
- NAID
  120000956837
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] Catalyst-free selective-area MOVPE of semiconductor nanowires on (111)B oriented substrates2004
- 著者名/発表者名
  Junichi Motohisa
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth 1-4・272
  
  ページ: 180-185
- NAID
  120000954504
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] Selective area MOVPE growth of InP and InGaAs pillar structures for InP-based two-dimensional photonic crystals2004
- 著者名/発表者名
  M.Inari, J.Takeda, J.Motohisa, T.Fukui
- 雑誌名
  
  Physica E Vol.21, No.2-4
  
  ページ: 620-624
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] InGaAs nano-pillar array formation on partially masked InP (111)B by selective area metal-organic vapour phase epitaxial growth for two-dimensional photonic crystal application2003
- 著者名/発表者名
  M.Akabori, J.Takeda, J.Motohisa, T.Fukui
- 雑誌名
  
  Nanotechnology Vol.14, No.10
  
  ページ: 1071-1074
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] Single-electron AND/NAND logic circuits based on a self-organized dot network2003
- 著者名/発表者名
  F.Nakajima, Y.Miyoshi, J.Motohisa, T.Fukui
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. Vol.83, No.13
  
  ページ: 2680-2682
- NAID
  120000953010
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] Fabrication of semiconductor Kagome lattice structure by selective area metalorganic vapor phase epitaxy2003
- 著者名/発表者名
  P.Mohan, F.Nakajima, M.Akabori, J.Motohisa, T.Fukui
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. Vol.83, No.4
  
  ページ: 689-691
- NAID
  120000952950
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[雑誌論文] Promising low-damage fabrication method for the photonic crystals with hexagonal or triangular air holes : selective area metal organic vapor phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  Lin Yang, Junichi Motohisa, Junichiro Takeda, Takashi Fukui
- 雑誌名
  
  Optics Express Vol.13, No.26
  
  ページ: 10823-10832
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206030
[産業財産権] 半導体装置及び半導体装置の製造法2010
- 発明者名
  冨岡克広、福井孝志、本久順一、原真二郎
- 権利者名
  北海道大学
- 産業財産権番号
  2010-040019
- 出願年月日
  2010-02-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[産業財産権] ナノワイヤ太陽電池及びその製造方法2009
- 発明者名
  後藤肇、福井孝志、本久順一、比留間健之
- 権利者名
  本田技研工業(株)、北海道大学
- 産業財産権番号
  2009-295806
- 出願年月日
  2009-12-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[産業財産権] 太陽電池、カラーセンサ、ならびに発光素子および受光素子の製造方法2009
- 発明者名
  比留間健之、本久順一、福井孝志
- 権利者名
  北海道大学
- 産業財産権番号
  2009-272140
- 出願年月日
  2009-11-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[産業財産権] 多接合太陽電池の製造方法2008
- 発明者名
  後藤肇、本久順一、福井孝志
- 権利者名
  (株)本田技術研究所、北海道大学
- 出願年月日
  2008-09-03
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[産業財産権] 半導体発光素子アレー、およびその製造方法2008
- 発明者名
  比留間健之、原真二郎、本久順一、福井孝志
- 権利者名
  北海道大学
- 出願年月日
  2008-10-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[産業財産権] 半導体構造物の製造方法2008
- 発明者名
  冨岡克弘、福井孝志、本久順一、原真二郎
- 権利者名
  北海道大学
- 出願年月日
  2008-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[産業財産権] ナノワイヤ太陽電池の構造と作製方法2008
- 発明者名
  後藤肇、大橋智昭、本久順一、福井孝志
- 権利者名
  (株)本田技術研究所、北海道大学
- 出願年月日
  2008-07-16
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[産業財産権] 半導体発光素子アレー、およびその製造方法2008
- 発明者名
  比留間健之、原真二郎、本久順一、福井孝志
- 権利者名
  北海道大学
- 出願年月日
  2008-10-17
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[産業財産権] 半導体発光素子アレー、およびその製造方法2008
- 発明者名
  比留間健之、原真二郎、本久順一、福井孝志
- 権利者名
  北海道大学
- 出願年月日
  2008-10-17
- 外国
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[産業財産権] 半導体発光素子アレー、およびその製造方法2007
- 発明者名
  比留間健之・福井孝志・本久順一・原真二郎
- 権利者名
  北海道大学
- 産業財産権番号
  2007-214119
- 出願年月日
  2007-08-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Selective-area growth of wurtzite InP nanowire and fin structures2023
- 著者名/発表者名
  Yuki Azuma, Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka
- 学会等名
  Nanowire Week 2023, Atlanta, Georgia, USA, October 9-13 (2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[学会発表] Polarization dependence of quantum dot excitonic emission from As-ritch InAsxP1-x/InP nanowire quantum dot embedded in free-standing InP nanowire2023
- 著者名/発表者名
  Suman Mukherjee, Tomioka Katsuhiro, and Junichi Motohisa
- 学会等名
  2023 IEEE International Conference on Nanoelectronics, Nanophotonics, Nanomaterials, Nanobioscience & Nanotechnology (5NANO 2023), Elanji, Ernakulam, Kerala, India, April 27-28, 2023.
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[学会発表] (招待講演) 結晶相転移接合トランジスタの実証2023
- 著者名/発表者名
  冨岡克広、勝見悠、本久順一
- 学会等名
  電子情報通信学会　シリコン材料・デバイス研究会(SDM) - MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化-材料・プロセス技術、広島、2023年6月26日
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[学会発表] Demonstration of wurtzite InP/AlInP core-multishell nanowire based light-emitting diodes2023
- 著者名/発表者名
  Ziye Zheng, Shun Kimura, Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka
- 学会等名
  Nanowire Week 2023, Atlanta, Georgia, USA, October 9-13 (2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[学会発表] MOVPE選択成長法によるウルツ鉱型InP薄膜成長と評価2023
- 著者名/発表者名
  東佑樹、鄭子ヨウ、本久順一、冨岡克広
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会、ハイブリッド・熊本、2023年9月19日-23日
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[学会発表] Characterization of Nanowire Light-Emitting Diodes with InP/InAsP Heterostructures Emitting in Telecom Band2023
- 著者名/発表者名
  Manami Okamoto, Tomoya Akamatsu, Katsuhiro Tomioka, and Junichi Motohisa
- 学会等名
  2023 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2023), Nagoya,September 7 - 8 (2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[学会発表] 【注目講演】結晶相転移接合トランジスタの作製2023
- 著者名/発表者名
  冨岡克広、勝見悠、木村峻、蒲生浩憲、本久順一
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会、ハイブリッド・東京、2023年3月15日～18日
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[学会発表] SOI上InAs ナノワイヤ選択成長と縦型トランジスタの作製2023
- 著者名/発表者名
  竹田有輝、蒲生浩憲、本久順一、冨岡克広
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会、ハイブリッド・熊本、2023年9月19日-23日
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[学会発表] SOI上のInAs /Siヘテロ接合トンネルFETの作製と評価2023
- 著者名/発表者名
  竹田有輝、東佑樹、鄭子燁、本久順一、冨岡克広
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会、ハイブリッド・東京、2024年3月22日～25日
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[学会発表] Fabrication of vertical light-emitting diodes using wurtzite InP/AlInP core-multishell nanowire2023
- 著者名/発表者名
  Ziye Zheng, Shun Kimura, Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023), Jeju, Korea, May 29th-June 2nd, 2023
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[学会発表] Deomnstration of vertical light-emitting diodes using wurtzite InP/AlInP core-multishell nanowires2023
- 著者名/発表者名
  Ziye Zheng, Shun Kimura, Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka
- 学会等名
  36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[学会発表] SOI上InAsナノワイヤ選択成長と縦型トランジスタの作製2023
- 著者名/発表者名
  竹田有輝、蒲生浩憲、本久順一、冨岡克広
- 学会等名
  第15回ナノ構造エピタキシャル成長講演会、山形、2023年6月15日~17日
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[学会発表] Selective-area growth of wurtzite InP fin structure2023
- 著者名/発表者名
  Yuki Azuma, Shun Kimura, Hironori Gamo, Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023), Jeju, Korea, May 29th-June 2nd, 2023.
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[学会発表] MOVPE選択成長法によるウルツ鉱型InPフィン構造の作製2023
- 著者名/発表者名
  東佑樹、木村峻、蒲生浩憲、本久順一、冨岡克広
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会、ハイブリッド・東京、2023年3月15日～18日
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[学会発表] GaAs/InGaAs/GaAsコアマルチシェルナノワイヤ共振器における軸対称偏光ビームの生成2023
- 著者名/発表者名
  国本大雅、原真二郎、本久順一
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02176
[学会発表] InP/InAsP ヘテロ構造ナノワイヤによる発光ダイオードの評価2023
- 著者名/発表者名
  岡本茉那美, 冨岡克広, 本久順一
- 学会等名
  第57回応用物理学会北海道支部・第18回日本光学回北海道支部合同学術講演会、室蘭、2023年1月7日～8日
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[学会発表] Integration of InGaAs/GaSb core-shell nanowires on Si by selective-area growth2023
- 著者名/発表者名
  Katsuhiro Tomioka, Hironori Gamo, Junichi Motohisa
- 学会等名
  Nanowire Week 2023, Atlanta, Georgia, USA, October 9-13 (2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[学会発表] Generation of Hollow Beam from GaAs/InGaAs/GaAs Core-multishell Nanowire Cavity2022
- 著者名/発表者名
  Taiga Kunimoto, Shinjiro Hara, and Junichi Motohisa,
- 学会等名
  2022 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02176
[学会発表] Polarization States of Vector Beams Obtained from Core-Multishell Nanowires2022
- 著者名/発表者名
  T. Kunimoto, S. Hara, and J. Motohisa
- 学会等名
  The 41st Electronic Materials Symposium
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02176
[学会発表] ナノワイヤ縦型共鳴トンネル電界効果型トランジスタの作製2022
- 著者名/発表者名
  田井良樹、蒲生浩憲、本久順一、冨岡克広
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会、ハイブリッド・神奈川
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] 黄色ナノ光源に向けたウルツ鉱構造InP/AlInPコアシェルナノワイヤ成長2022
- 著者名/発表者名
  木村峻、蒲生浩憲、勝見悠、本久順一、冨岡克広
- 学会等名
  第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会、山口、2022年11月24日～26日
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[学会発表] ウルツ鉱型構造InPナノワイヤ発光ダイオードの電流注入特性と発光特性の評価とウルツ鉱型構造InPフィンの作製2022
- 著者名/発表者名
  東佑樹、木村峻、蒲生浩憲、本久順一、冨岡克広
- 学会等名
  第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会、山口、2022年11月24日～26日
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[学会発表] ナノワイヤ縦型共鳴トンネル電界効果トランジスタの試作2022
- 著者名/発表者名
  田井良樹、蒲生浩憲、本久順一、冨岡克広
- 学会等名
  第57回応用物理学会北海道支部・第18回日本光学回北海道支部合同学術講演会、オンライン
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] Characterization of GaSb epitaxial growth and InAs/GaSb core shell nanowires2022
- 著者名/発表者名
  Lian Chen, Hironori Gamo, Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka
- 学会等名
  第57回応用物理学会北海道支部・第18回日本光学回北海道支部合同学術講演会、オンライン
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] ウルツ鉱構造InPナノワイヤ発光ダイオードの電流注入特性と発光特性2022
- 著者名/発表者名
  東佑樹、木村峻、蒲生浩憲、本久順一、冨岡克広
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会、ハイブリッド・宮城、2022年9月20日～23日
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[学会発表] GaAs/InGaAs/GaAsコアマルチシェルナノワイヤ共振器における発光の解析2022
- 著者名/発表者名
  国本大雅、本久順一、原真二郎
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02176
[学会発表] 代替ナノ光源に向けた異なる pn 接合構造を持つウルツ鉱 InP ナノワイヤ発光ダイオード2022
- 著者名/発表者名
  木村峻、蒲生浩憲、勝見悠、本久順一、冨岡克広
- 学会等名
  第41回電子材料シンポジウム、奈良、2022年10月19日～21日
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[学会発表] GaAs/InGaAs/GaAs コアマルチシェルナノワイヤ共振器における偏光状態の解析2022
- 著者名/発表者名
  国本大雅、本久順一、原真二郎
- 学会等名
  第57回応用物理学会北海道支部・第18回日本光学回北海道支部合同学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02176
[学会発表] GaAs/InGaAs/GaAsコアマルチシェルナノワイヤ共振器における中空ビームの生成2022
- 著者名/発表者名
  国本大雅、原真二郎、本久順一
- 学会等名
  第83回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02176
[学会発表] Current injection and luminescence properties of wurtzite InP nanowires with crystal phase transition2022
- 著者名/発表者名
  Yuki Azuma, Shun Kimura, Hironori Gamo, Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka
- 学会等名
  2022 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2022), Chiba, September 26-29 (2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[学会発表] Generation of Vector Beams from Nanowires2022
- 著者名/発表者名
  Junichi Motohisa
- 学会等名
  WPI-MANA International Symposium 2022, Frontier of Materials Nanoarchitectonics
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02176
[学会発表] Selective-area growth of InGaAs/GaSb core-shell nanowires on Si2022
- 著者名/発表者名
  Hironori Gamo, Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka
- 学会等名
  20th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XX), Hybrid ; Stuttgart, Germany, June 10-14 (2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[学会発表] (Invited) Integration of III-V Nanowires on Si and their Device Applications2022
- 著者名/発表者名
  Katsuhiro Tomioka and Junichi Motohisa
- 学会等名
  International 14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2022), Online
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] Demonstration of dual switching operation of vertical gate-all-around transistor using InGaAs/GaSb core-shell nanowires on Si2022
- 著者名/発表者名
  Hironori Gamo, Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2022 (CSW 2022), Hybrid; Ann Arbor, Michigan, USA, June 1 - 3 (2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22H00202
[学会発表] Photo-assisted electrochemical etching of GaN for nanostructure fabrication2021
- 著者名/発表者名
  Michihito Shimauchi, Kazuki Miwa, Masachika Toguchi, Taketomo Sato, Junichi Motohisa
- 学会等名
  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04528
[学会発表] Scaling effect on vertical gate-all-around FETs using III-V NW-channels on Si2021
- 著者名/発表者名
  Katsuhiro Tomioka, Junichi Motohisa
- 学会等名
  2021 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW 2021), Online
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] （チュートリアル・招待講演）半導体ナノワイヤの成長とデバイス応用2021
- 著者名/発表者名
  本久順一, 冨岡克広
- 学会等名
  第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会、オンライン・松山
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] Polarization Analysis of Luminescence from GaAs/InGaAs/GaAs Core-multishell Nanowire Cavity",2021
- 著者名/発表者名
  Taiga Kunimoto, Shizuka Obara, Shinjiro Hara, Junichi Motohisa
- 学会等名
  2021 International Conference on Solid State Device and Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02176
[学会発表] InPナノワイヤの接合構造と発光ダイオード特性の関係2021
- 著者名/発表者名
  木村峻、勝見悠、蒲生浩憲、本久順一、冨岡克広
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] InP nanowire light-emitting diodes: different junction geometry and their diode properties2021
- 著者名/発表者名
  Shun Kimura, Yu Katsumi, Hironori Gamo, Junichi Motohisa and Katsuhiro Tomioka
- 学会等名
  2021 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2021),Online
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] （招待講演）縦型トンネルトランジスタの高性能化2021
- 著者名/発表者名
  冨岡克広、蒲生浩憲、本久順一
- 学会等名
  第85回半導体・集積回路技術シンポジウム、オンライン
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] GaAs/InGaAs/GaAsコアマルチシェルナノワイヤ共振器の発光特性2021
- 著者名/発表者名
  小原康，冨岡克広，原真二郎，本久順一
- 学会等名
  第56回応用物理学会北海道支部・第17回日本光学回北海道支部合同学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] Dual switching operation of vertical gate-all-around transistor using InGaAs/GaSb core-shell nanowires on Si2021
- 著者名/発表者名
  Hironori Gamo, Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka
- 学会等名
  34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021), Online
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] GaAs/InGaAs/GaAsコアマルチシェルナノワイヤ共振器の発光特性2021
- 著者名/発表者名
  小原康，冨岡克弘，原真二郎，本久順一
- 学会等名
  第56回応用物理学会北海道支部・第17回日本光学回北海道支部合同学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02176
[学会発表] （招待講演） InGaAsコアマルチシェルナノワイヤ/Si接合による垂直ゲートオールアラウンドトンネルFETの作製2021
- 著者名/発表者名
  冨岡克広、蒲生浩憲、本久順一、福井孝志
- 学会等名
  2020年度電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] (Invited) Integration of III-V Nanowire on Si and Their Device Application2021
- 著者名/発表者名
  Katsuhiro Tomioka, Hironori Gamo, and Junichi Motohisa
- 学会等名
  International Union of Materials Research Societies - International Conference in Asia 2021 (IUMRS-ICA 2021), Online, Jeju, Korea
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] Si上のInAs/GaSbコアシェルナノワイヤ縦型サラウンディングゲートトランジスタの試作2021
- 著者名/発表者名
  蒲生浩憲、本久順一、冨岡克広
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] 半導体ナノワイヤの成長とデバイス応用(チュートリアル)2021
- 著者名/発表者名
  本久順一, 冨岡克広
- 学会等名
  第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02176
[学会発表] InPナノワイヤ縦型トンネルFETの作製2020
- 著者名/発表者名
  勝見悠、蒲生浩憲、本久順一、冨岡克広
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] Vertical Gate-All-Around Tunnel FETs Using InGaAs Nanowire/Si with Core-Multishell Structure2020
- 著者名/発表者名
  Katsuhiro Tomioka, Hironori Gamo, Junichi Motohisa and Takashi Fukui
- 学会等名
  66th International Electron Devices Meeting (IEDM 2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] Control of the size and the emission wavelength in InP-based nanowire quantum dots2020
- 著者名/発表者名
  Tomoya Akamatsu, Masahiro Sasaki, Katsuhiro Tomioka, Junichi Motohisa
- 学会等名
  2020 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02176
[学会発表] Selective-area growth of InGaAs/GaSb core-shell nanowires on Si2020
- 著者名/発表者名
  Hironori Gamo, Lian Chen, Yu Katsumi, Junichi Motohisa and Katsuhiro Tomioka
- 学会等名
  2020 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] Control of the size and the emission wavelength in InP-based nanowire quantum dots2020
- 著者名/発表者名
  Tomoya Akamatsu, Masahiro Sasaki, Katsuhiro Tomioka, and Junichi Motohisa
- 学会等名
  2020 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] Selective-Area Growth of AlInAs Nanowires2020
- 著者名/発表者名
  Y. Tai, J. Motohisa, K. Tomioka
- 学会等名
  Pacific Rim Meeting on electrochemical and solid state science (PRiME 2020)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] 電気めっき法によるGaNへのPt電極の形成と電気特性評価2020
- 著者名/発表者名
  小原康、島内道人、佐藤威友、本久順一
- 学会等名
  第５５回応用物理学会北海道支部/第１６回日本光学会北海道支部合同学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04528
[学会発表] 有機金属気相選択成長法によるAlInAsナノワイヤ成長とAl組成依存性2020
- 著者名/発表者名
  田井良樹、蒲生浩憲、本久順一、冨岡克広
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] (Invited) Integration of III-V nanowire LEDs on Si2020
- 著者名/発表者名
  Katsuhiro Tomioka and Junichi Motohisa
- 学会等名
  The 20th International Meeting on Information Display (IMID 2020)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] 熱アニールによるInP/InAsPヘテロ構造ナノワイヤのサイズ制御と発光ダイオード応用2020
- 著者名/発表者名
  赤松知弥、佐々木正尋、冨岡克広、本久順一
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] Si上InAs/GaSbコアシェルナノワイヤ選択成長と電気特性2020
- 著者名/発表者名
  蒲生浩憲、陳 栎安、勝見悠、本久順一、冨岡克広
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] 熱アニールによるInP/InAsPヘテロ構造ナノワイヤのサイズ制御と発光ダイオード応用2020
- 著者名/発表者名
  赤松知弥、佐々木正尋、冨岡克広、本久順一
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02176
[学会発表] InP(111)B基板上のAlInAsナノワイヤ選択成長2020
- 著者名/発表者名
  田井良樹、赤松知弥、蒲生浩憲、本久順一、冨岡克広
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] InPナノワイヤサラウンディングゲートトランジスタのスイッチング特性評価2019
- 著者名/発表者名
  勝見悠、蒲生浩憲、本久順一、冨岡克広
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] Fabrication of GaN nanowires by wet etching using electrodeless photo-assisted electrochemical etching and alkaline solution treatment2019
- 著者名/発表者名
  Ml. Shimauchi, K. Miwa, M. Toguchi, T. Sato, and J. Motohisa
- 学会等名
  32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04528
[学会発表] RF-MBEにより選択成長したGaNナノワイヤの電気特性評価2019
- 著者名/発表者名
  山本侑也、島内道人、本久順一
- 学会等名
  第54回応用物理学会北海道支部/第15回日本光学会北海道支部合同学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05323
[学会発表] InP/InAsP/InP heterostructure nanowire LEDs for a single photon emitter2019
- 著者名/発表者名
  Tomoya Akamatsu, Masahiro Sasaki, Hiroki Kameda, Katsuhiro Tomioka, and Junichi Motohisa
- 学会等名
  Nanowire Weak 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03223
[学会発表] Performance Analysis of InAs/InP Core-shell Nanowire Vertical Surrounding-gate Transistors2019
- 著者名/発表者名
  H. Gamo, T. Akamatsu, J. Motohisa, K. Tomioka
- 学会等名
  International School and Symposium on Nanoscale Transport and Photonics (ISNTT 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] InP-based Nanowires Towards On-demand Single Photon Emitters2019
- 著者名/発表者名
  Junichi Motohisa and Katsuhiro Tomioka
- 学会等名
  XXth International Workshop on Physics of Semiconductor Devices (IWPSD 2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] Demonstration of InAs nanowire vertical transistors2019
- 著者名/発表者名
  H. Gamo, J. Motohisa, K. Tomioka
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] アニールによるInPナノワイヤ直径微細化2019
- 著者名/発表者名
  佐々木正尋、冨岡克広、本久順一
- 学会等名
  第54回応用物理学会北海道支部/第15回日本光学会北海道支部合同学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03223
[学会発表] InAs/InPコアシェルナノワイヤ縦型サラウンディングゲートトランジスタにおける変調ドープ構造の検討2019
- 著者名/発表者名
  蒲生浩憲、本久順一、冨岡克広
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] GaNの選択的光電気化学エッチング2019
- 著者名/発表者名
  島内道人、三輪和希、渡久地政周、佐藤威友、本久順一
- 学会等名
  応用物理学会界面ナノ電子化学研究会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05323
[学会発表] First demonstration of vertical surrounding-gate transistor using InP nanowires2019
- 著者名/発表者名
  Y. Katsumi, H. Gamo, J. Motohisa, K. Tomioka
- 学会等名
  Nanowire Week 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] InP/InAsP/InP heterostructure nanowire LEDs for a single photon emitter2019
- 著者名/発表者名
  T. Akamatsu, M. Sasaki, H. Kameda, K. Tomioka, J. Motohisa
- 学会等名
  Nanowire Week 2019
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] Fabrication of GaN nanowires by wet etching using electrodeless photo-assisted electrochemical etching and alkaline solution treatment2019
- 著者名/発表者名
  Ml. Shimauchi, K. Miwa, M. Toguchi, T. Sato, and J. Motohisa
- 学会等名
  電子材料シンポジウム
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04528
[学会発表] Vertical Tunnel FET Technologies Using III-V/Si Heterojunction2019
- 著者名/発表者名
  K. Tomioka, H. Gamo, J. Motohisa
- 学会等名
  236th ECS meeting
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] InPナノワイヤ量子ドットの熱アニールによる直径微細化と発光特性2019
- 著者名/発表者名
  赤松知弥、佐々木正尋、冨岡克広、本久順一
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] コンタクトレス光電気化学エッチング及びウェットエッチングによる窒化ガリウムナノワイヤの作製2019
- 著者名/発表者名
  島内道人、三輪和希、渡久地政周、佐藤威友、本久順一
- 学会等名
  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04528
[学会発表] InP ナノワイヤサラウンディングゲートトランジスタのスイッチング特性評価2019
- 著者名/発表者名
  勝見悠、蒲生浩憲、赤松知弥、本久順一、冨岡克広
- 学会等名
  The 38th Electronic Materials Symposium (EMS 38)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] Radiative and Nonradiative Tunneling in Nanowire Light-Emitting Diodes2019
- 著者名/発表者名
  J. Motohisa, H. Kameda, M. Sasaki, K. Tomioka
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] Vertical Surrounding-gate Transistor Using InP Nanowires2019
- 著者名/発表者名
  Y. Katsumi, H.Gamo, T.Akamatsu, J. Motohisa, K. Tomioka
- 学会等名
  International School and Symposium on Nanoscale Transport and Photonics (ISNTT 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] InAs/InP Core-Shell Nanowire Channel for High-Mobility Vertical Surrounding-Gate Transistors2019
- 著者名/発表者名
  H. Gamo, J. Motohisa, K.Tomioka
- 学会等名
  32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2019)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] Fabrication of GaN nanowires by wet processes using electrodeless photo-assisted electrochemical etching and alkaline solution treatment2019
- 著者名/発表者名
  Ml. Shimauchi, K. Miwa, M. Toguchi, T. Sato, and J. Motohisa
- 学会等名
  The 9-th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-19H04528
[学会発表] 高移動度サラウンディングゲートトランジスタにおける InAs/InP コアシェルナノワイヤヘテロ構造の検討2019
- 著者名/発表者名
  蒲生浩憲、赤松知弥、本久順一、冨岡克広
- 学会等名
  The 38th Electronic Materials Symposium (EMS 38)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] InP-based Nanowires Towards On-demand Single Photon Emitters2019
- 著者名/発表者名
  Junichi Motohisa and Katsuhiro Tomioka
- 学会等名
  2019 International Workshop on Physics of Semiconductor Devices
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03223
[学会発表] 光電気化学エッチングによる窒化ガリウムの微細加工の検討2019
- 著者名/発表者名
  島内道人、三輪和希、渡久地政周、佐藤威友、本久順一
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05323
[学会発表] Selective-Area Epitaxy of III-V Nanowires on Si and Their Switching Applications2019
- 著者名/発表者名
  K. Tomioka, J. Motohisa
- 学会等名
  7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (Semicon Nano 2019)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19H02184
[学会発表] InPナノワイヤ量子ドットの熱アニールによる直径微細化と発光特性2019
- 著者名/発表者名
  赤松知弥, 佐々木正尋, 冨岡克広, 本久順一
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03223
[学会発表] Characterization of Nanowire Light-emitting Diodes Grown by Selective-area MOVPE2018
- 著者名/発表者名
  J. Motohisa, H. Kameda, M. Sasaki, K. Tomioka
- 学会等名
  19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03223
[学会発表] InPナノワイヤLEDにおける発光効率の温度依存性2018
- 著者名/発表者名
  本久順一、亀田滉貴、佐々木正尋、冨岡克広
- 学会等名
  The 37th Electronic Materials Symposium (EMS 37)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03223
[学会発表] InP/InAsPナノワイヤLEDの電流注入発光特性評価2018
- 著者名/発表者名
  赤松知弥、亀田滉貴、佐々木正尋、冨岡克広、本久順一
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03223
[学会発表] Electroluminescence from InP-based Heterostructure Nanowires2018
- 著者名/発表者名
  J. Motohisa, H. Kameda, M. Sasaki, K. Tomioka
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03223
[学会発表] 熱アニールによるInPナノワイヤのサイズ制御の検討2018
- 著者名/発表者名
  佐々木正尋、千葉康平、吉田旭伸、冨岡克広、本久順一
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03223
[学会発表] Study on emission mechanism in InP-based nanowire LEDs2018
- 著者名/発表者名
  J. Motohisa, H. Kameda, M. Sasaki, K. Tomioka
- 学会等名
  Nanowire Week 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03223
[学会発表] Electrical characterization of selectively grown GaN nanowires2018
- 著者名/発表者名
  Y. Yamamoto, M. Shimauchi, J. Motohisa
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05323
[学会発表] 有機金属気相選択成長により作製したInPナノワイヤのサイズ制御2018
- 著者名/発表者名
  佐々木正尋、千葉康平、冨岡克広、本久順一
- 学会等名
  第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03223
[学会発表] InP/InAsPナノワイヤLEDの電流注入発光特性2018
- 著者名/発表者名
  赤松知弥、亀田滉貴、佐々木正尋、冨岡克広、本久順一
- 学会等名
  The 37th Electronic Materials Symposium (EMS 37)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03223
[学会発表] Study on Emission Mechanisms in InP-based Nanowire LEDs2018
- 著者名/発表者名
  Junichi Motohisa, Hiroki Kameda, Masahiro Sasaki, and Katsuhiro Tomioka
- 学会等名
  Nanowire Week 2018
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03223
[学会発表] Size Control of InP NWs by in situ Thermal Annealing in MOVPE2018
- 著者名/発表者名
  M. Sasaki, K. Chiba, A. Yoshida, K. Tomioka, J. Motohisa
- 学会等名
  19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03223
[学会発表] InPナノワイヤLEDの温度依存性評価2018
- 著者名/発表者名
  本久順一、亀田滉貴、佐々木正尋、冨岡克広
- 学会等名
  第79回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03223
[学会発表] Characterization of Nanowire Light-emitting Diodes Grown by Selective-area MOVPE2018
- 著者名/発表者名
  Junichi Motohisa, Hiroki Kameda, Masahiro Sasaki, and Katsuhiro Tomioka
- 学会等名
  19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-19)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03223
[学会発表] Integration of InGaAs nanowires on Si(111) for optical devices2017
- 著者名/発表者名
  K. Chiba, K. Tomioka, A. Yoshida, J. Motohisa
- 学会等名
  The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14221
[学会発表] InAsP 埋め込み InP ナノワイヤにおける発光波長制御2017
- 著者名/発表者名
  佐々木正尋、千葉康平、吉田旭伸、冨岡克広、本久順一
- 学会等名
  第9回　ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03223
[学会発表] Integration of InGaAs nanowires on Si(111) for optical devices2017
- 著者名/発表者名
  K. Chiba, K. Tomioka, A. Yoshida, J. Motohisa
- 学会等名
  The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03223
[学会発表] Improved characteristics of InP-based nanowire light-emitting diodes2017
- 著者名/発表者名
  H. Kameda, K. Tomioka, F. Ishizaka, M. Sasaki, J. Motohisa
- 学会等名
  22nd International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, 18th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (EP2DS-22/MSS-18)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03223
[学会発表] Photoluminescence of Zn-Doped InP Nanowires: Mixing of Crystal Structures, Donor-Acceptor Pair Recombination, and Surface Effects2017
- 著者名/発表者名
  Junichi Motohisa, Hiroki Kameda, Masahiro Sasaki, Shinjiro Hara, Katsuhiro Tomioka
- 学会等名
  the 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS 2017), Matsue, Japan, July 31-August 4, 2017, TuP-33
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H02727
[学会発表] Si基板上InGaAsナノワイヤアレイフォトダイオードに関する研究2017
- 著者名/発表者名
  [8].千葉康平、吉田旭伸、冨岡克広、本久順一
- 学会等名
  The 36th Electronic Materials Symposium (EMS 36)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14221
[学会発表] 通信波長帯で発光するナノワイヤ量子ドットの成長と評価2017
- 著者名/発表者名
  佐々木正尋、千葉康平、冨岡克広、本久順一
- 学会等名
  The 36th Electronic Materials Symposium (EMS 36)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03223
[学会発表] Nanowire quantum dots emitting at telecom wavelength2017
- 著者名/発表者名
  M. Sasaki, H. Kameda, K. Tomioka, J. Motohisa
- 学会等名
  The 24th Congress of the International Commission for Optics (ICO-24)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03223
[学会発表] 縦型ナノワイヤFETに向けたGaNナノワイヤ成長条件の検討2017
- 著者名/発表者名
  山本侑也、環尚杜、本久順一
- 学会等名
  The 36th Electronic Materials Symposium (EMS 36)
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05323
[学会発表] Si基板上InGaAsナノワイヤアレイフォトダイオード2017
- 著者名/発表者名
  千葉康平、吉田旭伸、冨岡克広、本久順一：
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14221
[学会発表] InAsP量子ドットナノワイヤにおける通信波長帯発光2017
- 著者名/発表者名
  佐々木正尋、千葉康平、冨岡克広、本久順一
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17H03223
[学会発表] Vertical InGaAs nanowire photodiode array on Si2017
- 著者名/発表者名
  K. Chiba, A. Yoshida, K. Tomioka, J. Motohisa
- 学会等名
  MRS fall meeting 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14221
[学会発表] Demonstration of InGaAs nanowire array photodiode on Si2017
- 著者名/発表者名
  K. Chiba, A.Yoshida, K. Tomioka, J. Motohisa
- 学会等名
  30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14221
[学会発表] 縦型ナノワイヤFETに向けたGaNナノワイヤ形成条件の検討2017
- 著者名/発表者名
  山本侑也、環尚人、本久順一
- 学会等名
  第9回　ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05323
[学会発表] Dependence on growth conditions in selective-area growth of GaN nanowires using RF-plasma-assisted molecular beam epitaxy2017
- 著者名/発表者名
  Y. Yamamoto, N. Tamaki, A. Sonoda, and J. Motohisa
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2017
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PUBLICLY-17H05323
[学会発表] Si基板上InGaAsナノワイヤの組成制御2016
- 著者名/発表者名
  千葉康平、冨岡克広、石坂文哉、吉田旭伸、本久順一
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  朱鷺メッセ(新潟県新潟市)
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14221
[学会発表] Heterogeneous Integration of InGaAs Nanowires on Si(111) for Si Photonics2016
- 著者名/発表者名
  K. Chiba, K. Tomioka, F. Ishizaka, A. Yoshida, J. Motohisa
- 学会等名
  PRiME 2016, 230th Meeting of The Electrochemical Society (ECS 230)
- 発表場所
  Honolulu
- 年月日
  2016-10-02
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14221
[学会発表] Study on Selective-Area Growth of InGaAs Nanowires for Optical Communication Band2016
- 著者名/発表者名
  K. Chiba, K. Tomioka, J. Motohisa, F. Ishizaka, A. Yoshida, T. Fukui
- 学会等名
  The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
- 発表場所
  Nagoya
- 年月日
  2016-08-07
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14221
[学会発表] Selective-area MOVPE growth of InGaAs nanowires for optical communication band2016
- 著者名/発表者名
  Kohei Chiba, Katsuhiro Tomioka, Fumiya Ishizaka, Akinobu Yoshida, Junichi Motohisa
- 学会等名
  The 35th Electronic Materials Symposium (EMS 35)
- 発表場所
  Moriyama
- 年月日
  2016-07-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K14221
[学会発表] 横方向成長させたGaAsナノワイヤの評価2013
- 著者名/発表者名
  和田年弘、小橋義典、原真二郎、本久順一
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学(京都府京田辺市)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360114
[学会発表] Selective area growth of GaN by RF-plasma assisted Molecular Beam Epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  A. Onodera, A. Yamamoto, and J. Motohisa
- 学会等名
  International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology
- 発表場所
  米国ハワイ州カウアイシェラトンカウアイリゾート
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656196
[学会発表] Study on the lateral growth on GaAs Nanowires2013
- 著者名/発表者名
  T. Wada, Y. Kohashi, S. Hara and J. Motohisa
- 学会等名
  第32回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  滋賀県守山市ラフォーレ琵琶湖
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360114
[学会発表] A New Growth Mode of InP Nanowires in Selective-Area Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  S. Yanase, Y. Kohashi, S. Hara, and J. Motohisa
- 学会等名
  International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology
- 発表場所
  米国ハワイ州カウアイシェラトンカウアイリゾート
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360114
[学会発表] Selective area growth of GaN by RF-plasma assisted molecular beam epitaxy2013
- 著者名/発表者名
  A. Onodera, A. Yamamoto, and J. Motohisa
- 学会等名
  International Symposium on Advanced Nanodevice and Nanotechnology
- 発表場所
  Kauai, Hawai, US.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656196
[学会発表] RF-MBE法によるGaN及びInGaNの成長と評価2013
- 著者名/発表者名
  山本礼奈, 小野寺彩, 本久順一
- 学会等名
  第48回応用物理学会北海道支部/第9回日本光学会北海道地区合同学術講演会
- 発表場所
  釧路市生涯学習センター(釧路市)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656196
[学会発表] RF-MBE法によるGaN及びInGaNの成長と評価2013
- 著者名/発表者名
  山本礼奈、小野寺彩、本久順一
- 学会等名
  第４８回応用物理学会北海道支部／第９回日本光学会北海道地区合同学術講演会
- 発表場所
  釧路市生涯学習センター(釧路市)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656196
[学会発表] RF-MBE法によるGaNの選択成長2012
- 著者名/発表者名
  小野寺彩、山本礼奈、本久順一
- 学会等名
  2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学(松山市)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656196
[学会発表] Selective-area growth and optical properties of InP-based nanowires2012
- 著者名/発表者名
  J. Motohisa
- 学会等名
  Nanowires 2012
- 発表場所
  Paul Drued Institute (Germany)(invited)
- 年月日
  2012-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360114
[学会発表] RF-MBE法によるGaNの選択成長2012
- 著者名/発表者名
  小野寺彩, 山本礼奈, 本久順一
- 学会等名
  第4回窒化物半導体結晶成長講演会
- 発表場所
  東京大学(東京)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656196
[学会発表] RF-MBE法によるGaNの選択成長2012
- 著者名/発表者名
  小野寺彩, 山本礼奈, 本久順一
- 学会等名
  2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学(松山市)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24656196
[学会発表] Selective-Area MOVPE Growth of InP-Based Nanowires and Their Optical Properties2012
- 著者名/発表者名
  J. Motohisa
- 学会等名
  24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
- 発表場所
  University of California, Santa Barbara (USA)(invited)
- 年月日
  2012-08-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360114
[学会発表] Far-Field Emission Patterns in InP Nanowire LEDs2012
- 著者名/発表者名
  J. Motohisa
- 学会等名
  31st International Conference on Physics of Semiconductors
- 発表場所
  Swiss Federal Institute of Technology Zurich (ETH)(Switzerland)
- 年月日
  2012-08-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360114
[学会発表] GaAs and related III-V nanowires formed by using selective-area metal-organic vapor-phase epitaxy and their applications to optoelectronics2011
- 著者名/発表者名
  K.Hiruma, S.Fujisawa, K.Ikejiri, K.Tomioka, S.Hara, J.Motohisa, T.Fukui
- 学会等名
  473rd Wilhelm and Else Heraeus Seminar on III-V Nanowires : Growth, Properties, and Applications
- 発表場所
  Physikzentrum, Bad Honnef, Germany(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Selective-area growth of InGaAs nanowires on Si2010
- 著者名/発表者名
  K.Tomioka, M.Yoshimura, J.Motohisa, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
- 学会等名
  International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XV)
- 発表場所
  Hyatt Regency, Lake Tahoe, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] InAs系ナノワイヤトランジスタ(招待講演)2010
- 著者名/発表者名
  本久順一
- 学会等名
  電子情報通信学会2010年総合大会
- 発表場所
  仙台市
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] Fabrication of III-V semiconductor core-shell nanowires by SA-MOVPE and their device applications2010
- 著者名/発表者名
  T.Fukui, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, J.Motohisa
- 学会等名
  2010 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices
- 発表場所
  The Australian National University, Canberra, Australia(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Growth mechanism of III-V semiconductor nanowires in selectve-area metalorganic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  J.Motohisa, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
- 学会等名
  International Conference on Crystal Growth/International Conference on Vapor Growth and Epitaxy
- 発表場所
  Beijing, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Growth and Characterization of GaAsP Nanowires on GaAs(111)B Substrate by Selective-Area Metal Organic Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  S.Fujisawa, T.Sato, S.Hara, J.Motohisa, K.Hiruma, T.Fukui
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010)
- 発表場所
  University of Tokyo, Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Fabrication of GaAs/InAs axial nanowires on Si by selective-area MOVPE with re-growth method2010
- 著者名/発表者名
  K.Tomioka, J.Motohisa, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
- 学会等名
  International Conference on InP and Related Materials/International Conference on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Takamatsu Symbol Tower, Takamatsu, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] III-V semiconductor nanowire formation using catalyst-free MOVPE and applications to optoelectronic devices2010
- 著者名/発表者名
  K.Hiruma, K.Tomioka, S.Hara, J.Motohisa, T.Fukui
- 学会等名
  The 12th Nanowire Research Society Meeting & Nano Korea 2010 Satellite Session
- 発表場所
  KINTEX, Goyang, Korea(招待講演)
- 年月日
  2010-08-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] III-V semiconductor core-shell nanowires grown by selective-area MOVPE and their device applications2010
- 著者名/発表者名
  T.Fukui, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, J.Motohisa
- 学会等名
  Material Research Society 2010 Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] III-V semiconductor core-shell nanowires grown by selective area MOVPE and their device applications2010
- 著者名/発表者名
  T.Fukui, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, J.Motohisa
- 学会等名
  Material Research Society (MRS) 2010 Spring Meeting
- 発表場所
  Moscone West and Marriott Hotel, San Francisco, USA(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] III-V Semiconductor Nanowires-from Crystal Growth to Device Applications2010
- 著者名/発表者名
  T.Fukui, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, J.Motohisa
- 学会等名
  International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XV)
- 発表場所
  Hyatt Regency, Lake Tahoe, USA(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Integration of III-V NW-based vertical FETs on Si and device concept for tunnel FET using III-V/Si heterojunctions2010
- 著者名/発表者名
  K.Tomioka, J.Motohisa, S.Hara, K.Hiruma, T.Tanaka, T.Fukui
- 学会等名
  Material Research Society (MRS) 2010 Fall Meeting
- 発表場所
  Hynes Convention Center and Sheraton Hotel, Boston, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Electrical characterization of InGaAs nanowire MISFETs fabricated by dielectric-first process2010
- 著者名/発表者名
  Y.Kohashi, T.Sato, K.Tomioka, S.Hara, T.Fukui, J.Motohisa
- 学会等名
  International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010)
- 発表場所
  University of Tokyo, Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Lasing in GaAs-based Nanowires Grown by Selective-Area MOVPE(Invited)2010
- 著者名/発表者名
  J.Motohisa, B.Hua, K.S.K.Varadwaj, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
- 学会等名
  IEEE photonics society winter topical 2010
- 発表場所
  Majorca, Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Growth and characterization of core-multishell GaAs nanowire array solar cell2010
- 著者名/発表者名
  S.Soundeswaran, K.Tomioka, T.Sato, M.Yoshimura, T.Sato, J.Motohisa, K.Hiruma, T.Fukui
- 学会等名
  International Conference on Nanomaterials
- 発表場所
  Mahatma Gandhi University, Kottayam, Kerala, India
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Fabrication and characterization of InAs tubular channel FETs using core-shell nanowires grown by SA-MOVPE2010
- 著者名/発表者名
  T.Sato, J.Motohisa, E.Sano, S.Hara, T.Fukui
- 学会等名
  International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XV)
- 発表場所
  Hyatt Regency, Lake Tahoe, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Growth mechanism of III-V semiconductor nanowires in selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  J.Motohisa, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
- 学会等名
  International Conference on Crystal Growth/International Conference on Vapor Growth and Epitaxy
- 発表場所
  Beijing International Convention Center, Beijing, China(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Fabrication of GaAs/AlGaAs core-multishell nanowire-based light-emitting-diode array on Si substrate2010
- 著者名/発表者名
  K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, J.Motohisa, T.Fukui
- 学会等名
  SPIE Infrared Remote Sensing and Instrumentation XVIII
- 発表場所
  San Diego Convention Center, San Diego, USA(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Lasing in GaAs-based Nanowires Grown by Selective-Area MOVPE (invited)2010
- 著者名/発表者名
  J. Motohisa, B. Hua, K.S.K. Varadwaj, S. Hara, K. Hiruma, T. Fukui
- 学会等名
  Winter Topicals 2010
- 発表場所
  Majorca, Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] Selective-area growth of InGaAs nanowires on Si(111) substrate2010
- 著者名/発表者名
  K.Tomioka, M.Yoshimura, J.Motohisa, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
- 学会等名
  Material Research Society (MRS) 2010 Fall Meeting
- 発表場所
  Hynes Convention Center and Sheraton Hotel, Boston, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] III-V semiconductor nanowires and core-shell nanowires and their device applications2010
- 著者名/発表者名
  T.Fukui, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, J.Motohisa
- 学会等名
  International Conference on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices
- 発表場所
  Beijing International Convention Center, Beijing, China(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Growth of GaN nanorods on Si(111) by rf-assisted molecular beam epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  N.Isomura, T.Hashizume, J.Motohisa
- 学会等名
  16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2010)
- 発表場所
  Humboldt-Universitat zu Berlin, Berlin, Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Lasing in GaAs-based Nanowires Grown by Selective-Area MOVPE(invi9ted)2010
- 著者名/発表者名
  J.Motohisa, et al.
- 学会等名
  Winter Topicals 2010
- 発表場所
  Majorca, Spain
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] Fabrication of III-V Semiconductor Nanowires by SA-MOVPE and their Applications to Photonic and Photovoltaic Devices2010
- 著者名/発表者名
  T.Fukui, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, J.Motohisa
- 学会等名
  International Conference on InP and Related Materials/International Conference on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Takamatsu Symbol Tower, Takamatsu, Japan(招待講演)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Catalyst-Free and Position-Controlled Formation of III-V Semiconductor Nanowires for Optical Device applications(Invited)2010
- 著者名/発表者名
  S.Hara, J.Motohisa, K.Tomioka, K.Hiruma, T.Fukui
- 学会等名
  SPIE Photonics West
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] GaAs/AlGaAs heterostructure nanowires with a GaAs quantum well formed by selective-area metal organic vapor-phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  K.Hiruma, A.Hayashida, T.Sato, S.Hara, J.Motohisa, T.Fukui
- 学会等名
  5th Nanowire Growth Workshop 2010
- 発表場所
  CNR Building, Rome, Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Free-Standing GaAs/AlGaAs Heterostructure Nanowires with a GaAs Quantum Well Formed by Selective-Area Metal Organic Vapor-Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  K.Hiruma, A.Hayashida, T.Sato, S.Hara, J.Motohisa, T.Fukui
- 学会等名
  International Conference on Crystal Growth/International Conference on Vapor Growth and Epitaxy
- 発表場所
  Beijing International Convention Center, Beijing, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Heteroepitaxial growth of InGaAs Nanowires formed on GaAs(111)B by Selective-Area MOVPE2010
- 著者名/発表者名
  M.Yoshimura, K.Tomioka, K.Hiruma, S.Hara, J.Motohisa, T.Fukui
- 学会等名
  International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XV)
- 発表場所
  Hyatt Regency, Lake Tahoe, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Selective-area MOVPE growth and optical properties of single InAsP quantum dots embedded in InP NWs2010
- 著者名/発表者名
  Y.Kobayashi, J.Motohisa, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
- 学会等名
  International Conference on InP and Related Materials/International Conference on Compound Semiconductors
- 発表場所
  Takamatsu Symbol Tower, Takamatsu, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] 有機金属気相成長法によるGaAs上へのGaSb選択成長2010
- 著者名/発表者名
  高山雄大, 冨岡克広, 福井孝志, 本久順一
- 学会等名
  第57回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  厚木市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] InPナノワイヤを用いたInAs-チューブチャネルFETの作製と評価2010
- 著者名/発表者名
  佐藤拓也, 本久順一, 原真二郎, 佐野栄一, 福井孝志
- 学会等名
  第57回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  厚木市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] InAs系ナノワイヤトランジスタ2010
- 著者名/発表者名
  本久順一, 田中智隆, 冨岡克弘, 福井孝志
- 学会等名
  電子情報通信学会2010年総合大会
- 発表場所
  仙台市
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] 熱ナノインプリントを利用したMOVPE選択成長2010
- 著者名/発表者名
  井上理樹, 佐藤拓也, 池辺将之, 原真二郎, 福井孝志, 本久順一
- 学会等名
  第57回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  厚木市
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] III-V Semiconductor Nanowires Grown and Their Device Applications(Invited)2009
- 著者名/発表者名
  T.Fukui, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, J.Motohisa
- 学会等名
  The 13th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy(EWMOVPE-XIII)
- 発表場所
  Ulm, Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Growth of III-V nanowires by selective-area MOVPE and their applications (invited)2009
- 著者名/発表者名
  J. Motohisa
- 学会等名
  2nd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano 2009)
- 発表場所
  Anan, Tokushima, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] Fabrication and electrical characterization of InAs tubular channel nanowire FETs2009
- 著者名/発表者名
  T.Sato, J.Motohisa, S.Hara, E.Sano, T.Fukui
- 学会等名
  International Symposium on Advanced Nanostructures and Nano-Devices
- 発表場所
  Hawaii, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Growth of nanowires by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy and their applications (invited)2009
- 著者名/発表者名
  J. Motohisa, S. Hara, K. Hiruma, T. Fukui
- 学会等名
  The XV International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices
- 発表場所
  New Delhi, India
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] Analysis of the twin defects occurring in GaAs nanowires grown by selective-area metal-organic Vapor phase epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  H. Yoshida, T. Sato, S. Hara, K. Hiruma, J. Motohisa and T. Fukui
- 学会等名
  The 5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology
- 発表場所
  Tokyo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Growth of nanowires by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy and their applications(invited)2009
- 著者名/発表者名
  J.Motohisa, et al.
- 学会等名
  The XV International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices
- 発表場所
  New Delhi, India
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] InAs Nanowire Vertical Surrounding Gate FET on Si Substrate2009
- 著者名/発表者名
  T.Tanaka, K.Tomioka, S.Hara, J.Motohisa, T.Fukui
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2009)
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Position controlled growth and optical properties of III-V semiconductor core-shell nanowires grown by selective-area MOVPE and their device applications2009
- 著者名/発表者名
  J. Motohisa, K. Tomioka, S. Hara, K. Hiruma and T. Fukui
- 学会等名
  The SPIE Photonics West Conferences 2009
- 発表場所
  San Jose, California, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Fabrication of GaAs/AlGaAs Core-Multishell Nanowire-based Light-Emitting Diode Arrays on Si2009
- 著者名/発表者名
  K.Tomioka, T.Tanaka, J.Motohisa, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
- 学会等名
  The 2009 Material Research Society(MRS)Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Growth of III-V nanowires by selective-area MOVPE and their applications(invited)2009
- 著者名/発表者名
  J.Motohisa
- 学会等名
  2nd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Na nostructures(SemiconNano 2009)
- 発表場所
  Anan, Tokushima, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] Growth of nanowires by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy and their applications(Invited)2009
- 著者名/発表者名
  J.Motohisa, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
- 学会等名
  The XV International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices
- 発表場所
  New Delhi, India
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] MOVPE選択成長法によるInAsナノワイヤの2端子I-V測定とそのFET応用の検討2009
- 著者名/発表者名
  田中智隆, 冨岡克広, 本久順一, 原真二郎, 福井孝志
- 学会等名
  第44回応用物理学会北海道支部/第5回日本光学会北海道地区合同学術講演会
- 発表場所
  函館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] Growth of p/n-doped GaAs-AlGaAs Core-multi-shell Nanowire Array on Si(111)by Selective-area MOVPE2009
- 著者名/発表者名
  K.Tomioka, Y.Kobayashi, T.Tanaka, J.Motohisa, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
- 学会等名
  The 2009 Material Research Society(MRS)Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Vertical Surrounding Gate Field Effect Transistors using InAs Nanowires grown on Si substrates2009
- 著者名/発表者名
  T.Tanaka, K.Tomioka, S.Hara, J.Motohisa, T.Fukui
- 学会等名
  The 2009 Material Research Society(MRS)Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Growth of tubular InAs nanowires for FET applications2009
- 著者名/発表者名
  T.Sato, J.Motohisa, S.Haza, E.Sano, K.Hiruma, T.Fukui
- 学会等名
  4th Nanowire Growth Workshop
- 発表場所
  Paris, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Growth and Application of Semiconductor Nanowires(invited)2009
- 著者名/発表者名
  J.Motohisa
- 学会等名
  International Conference on Nanoscience and Technology, China 2009(ChinaNANO 2009)
- 発表場所
  Beijing, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] III-V semiconductor nanowires : From growth to device applications(Invited)2009
- 著者名/発表者名
  T.Fukui, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, J.Motohisa
- 学会等名
  International Microprocesses and Nanoteclmology Conference(MNC2009)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Growth and Application of Semiconductor Nanowires2009
- 著者名/発表者名
  J. Motohisa
- 学会等名
  International Conference on Nanoscience and Technology, China 2009 (ChinaNANO 2009)
- 発表場所
  Beijing, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] Analysis of twin development during selective growth of GaAs nanowires by using catalyst-free metal organic vapor-phase epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  K.Hiruma, H.Yoshida, K.Ikejiri, T.Sato, S.Hara, J.Motohisa, T.Fukui
- 学会等名
  4th Nanowire Growth Workshop
- 発表場所
  Paris, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Near-infrared Iasing in GaAs/GaAsP coaxial core-shell nanowires(invited)2009
- 著者名/発表者名
  J.Motohisa, et al.
- 学会等名
  International Workshop on Photons and Spins in Nanostructures(IWPSN)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] 半導体ナノワイヤのデバイス応用(招待講演)2009
- 著者名/発表者名
  本久順一
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] Structural Transition of InP Nanowires Grown by Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  Y.Kitauchi, J.Motohisa, K.Tomioka, Y.Kobayashi, T.Fukui
- 学会等名
  The 2009 Material Research Society(MRS)Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] 半導体ナノワイヤのデバイス応用2009
- 著者名/発表者名
  本久順一
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] Fabrication and Electrical Characterization of InAs Tubular Channel Nanowire FETs2009
- 著者名/発表者名
  T, Sato, J. Motohisa, S. Hara, E. Sano, T. Fukui
- 学会等名
  the 2009 International Symposium on Advanced Nanostructures and Nanodevices (ISANN 2009)
- 発表場所
  Kaanapali, Maui, Hawaii, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] Vertical Surrounding Gate Field Effect Transistors using InAs Nanowires on Si Substrates2009
- 著者名/発表者名
  T. Tanaka, K. Tomioka, S. Hara, J. Motohisa, T. Fukui
- 学会等名
  the 2009 Material Research Society (MRS) Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, Massachusetts, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] 有機金属気相選択成長法による半導体ナノワイヤの成長とその成長機構(招待講演)2009
- 著者名/発表者名
  比留間健之, 原真二郎, 本久順一, 福井孝志
- 学会等名
  化学工学会第40回秋季大会(SCEJ)
- 発表場所
  仙台
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] Heterepitaxy of III-V nanowires on Si and optical application2009
- 著者名/発表者名
  K.Tomioka, J.Motohisa, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
- 学会等名
  Intemational Workshop on Photons and Spins in Nanostructures(IWPSN)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Position Controlled Growth and Optical Properties of III-V Semiconductor Core-Shell Nanowires Grown by Selective-Area MOVPE and Their Device Applications (invited)2009
- 著者名/発表者名
  J. Motohisa, et.al.
- 学会等名
  the SPIE Photonics West Conferences 2009
- 発表場所
  San Jose, California, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] Growth of III-V nanowires by selecdve-area MOVPE and their applications(Invited)2009
- 著者名/発表者名
  J.Motohisa
- 学会等名
  2nd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures(SemiconNano 2009)
- 発表場所
  Anan, Tokushima, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Near-infrared lasing in GaAs/GaAsP coaxial core-shell nanowires (invited)2009
- 著者名/発表者名
  J. Motohisa, Hua, Y. Kobayashi
- 学会等名
  International Workshop on Photons and Spins in Nanostructures (IWPSN)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] シリコン基板上のInAsナノワイヤ縦型サラウンディングゲートFETの作製2009
- 著者名/発表者名
  田中智隆, 冨岡克広, 本久順一, 原真二郎, 福井孝志
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] Structural transition of InP nanowires in selective-area metalorganic vapor phase epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  Y.Kitauchi, K.Tomioka, Y.Kobayashi, S.Hara, T.Fukui, J.Motohisa
- 学会等名
  the 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures(MSS-14)
- 発表場所
  Kobe, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Selective-area growth of vertically aligned GaAs and GaAs/AlGaAs core-shell nanowires on Si(111)substrate2009
- 著者名/発表者名
  K.Tomioka, T.Tanaka, J.Motohisa, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
- 学会等名
  The 3rd International Conference on One-dimensional Nanomaterials
- 発表場所
  Atlanta, U.S.A.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] 熱ナノインプリントを利用した微細加工に関する検討2009
- 著者名/発表者名
  井上理樹、佐藤拓也、池辺将之、福井孝志、本久順一
- 学会等名
  第44回応用物理学会北海道支部/第5回日本光学会北海道地区合同学術講演会
- 発表場所
  函館
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] Fabrication of GaAs/AlGaAs Core-Multishell Nanowire-based Light-Emitting Diode Arrays on Si2009
- 著者名/発表者名
  K.Tomioka, T.Tanaka, J.Motohisa, S.Hara, K.Hiruma, T.Fukui
- 学会等名
  International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2009)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Fabrication of InAs Nanowire Vertical Surrounding-Gate Field Effect Transistor on Si Substrates2009
- 著者名/発表者名
  T. Tanaka, K. Tomioka, J. Motohisa, S. Hara, T. Fukui
- 学会等名
  the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009)
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] Position Controlled Growth of III-V Semiconductor Core-shell Nanowires Grown by Selective Area MOVPE and Their Device Applications(Invited)2009
- 著者名/発表者名
  T.Fukui, K.Tomioka, S.Hara, K.Hiruma, J.Motohisa
- 学会等名
  The 2009 Material Reseach Society(MRS)Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Highly Polarized Lasing Emission in Single GaAs/AlGaAs/GaAs core-shell Nanowires2009
- 著者名/発表者名
  S.K.Vazadwaj, J.Motohisa, S.Soundeswaran, T.Sato, B.Hua, M.van Kouwen, V.Zwiller, S.Haza, T.Fukui
- 学会等名
  The 3rd International Conference on One-dimensional Nanomaterials
- 発表場所
  Atlanta, U.S.A.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Fabrication of Axial Heterostructures in III-V Nanowires by Selective-area MOVPE with Regrowth Method2009
- 著者名/発表者名
  K.Tomioka, Y.Kobayashi, J.Motohisa, S.Hara, T.Fukui
- 学会等名
  The 2009 Material Research Society(MRS)Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Study on InAs Tubular Channel Nanowire FETs2009
- 著者名/発表者名
  T. Sato, J. Motohisa, S. Hara, E. Sano, T. Fukui
- 学会等名
  The 3rd International Conference on One-Dimensional Nanomaterials (ICON 2009)
- 発表場所
  Atlanta, Georgia, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] Growth and Characterization of InGaAs Nanowires formed on GaAs(111)B by Selecrive-Area MOVPE2009
- 著者名/発表者名
  M.Yoshimura, K.Tomioka, K.Hiruma, S.Hara, J.Motohisa, T.Fukui
- 学会等名
  2009 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2009)
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Fabrication of a GaAs quantum well embedded in AlGaAs/GaAs hetero-structure nanowires by selective-area MOVPE2009
- 著者名/発表者名
  A.Hayashida, T.Sato, S.Hara, J.Motohisa, K.Hiruma, T.Fukui
- 学会等名
  4th Nanowire Growth Workshop
- 発表場所
  Paris, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Near-infrared lasing in GaAs/GaAsP coaxial core-shell nanowires(Invited)2009
- 著者名/発表者名
  J.Motohisa, B.Hua, Y.Kobayashi
- 学会等名
  International Workshop on Photons and Spins in Nanostructures(IWPSN)
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Growth and Application of Semiconductor Nanowires(Invited)2009
- 著者名/発表者名
  J.Motohisa
- 学会等名
  International Conference on Nanoscience and Technology, China 2009(ChinaNANO 2009)
- 発表場所
  Beijing, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Position-controlled growth of GaAs nanowires on Si(111) by selective-area metal-organic vapor phase epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  K. Tomioka, Y. Kobayashi, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui
- 学会等名
  The 14th International Conference on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  Metz, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] MOVPE選択成長法によるSi基板上のInAsナノワイヤ成長2008
- 著者名/発表者名
  冨岡克広, 本久順一, 原真二郎, 福井孝志
- 学会等名
  第55回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  船橋
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] Selective-Area MOVPE Growth of InGaAs Nanowires and Their Photoluminescence Characterization2008
- 著者名/発表者名
  T. Sato, Y. Kobayashi, J. Motohisa, S. Hara, T. Fukui
- 学会等名
  the 27th Electronic Materials Symposium (EMS-27)
- 発表場所
  Izu, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] III-V semiconductor epitaxial nanowires and their applications2008
- 著者名/発表者名
  T. Fukui, S. Hara, K. Hiruma and J. Motohisa
- 学会等名
  The 16 th Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Vertical III-V nanowire growth on Si substrate by selective-area MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  K. Tomioka, Y. Kobayashi, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui
- 学会等名
  2008 MRS Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Near-Infrared lasers in GaAs/GaAsP coaxial core-shell nanowires2008
- 著者名/発表者名
  B. Hua, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui
- 学会等名
  2008 MRS Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Selective-area MOVPE of InP/InGaAs air-hole arrays on InP for photonic crystal applications2008
- 著者名/発表者名
  J. Motohisa, S. Hashimoto, J. Takeda, A. Tarumi, S. Hara and T. Fukui
- 学会等名
  The 14th International Conference on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  Metz, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] 有機金属気相選択成長による半導体ナノワイヤの形成(招待講演)、2008
- 著者名/発表者名
  本久順一
- 学会等名
  第38回結晶成長国内会議(NCCG-38)
- 発表場所
  仙台
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] MOVPE選択成長法によるInPナノワイヤ中のInAsP量子ドットの作製とその光学評価2008
- 著者名/発表者名
  小林靖典, Maarten Kouwen, 福井孝志, Valery Zwiller, 本久順一
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  春日井
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] MOVPE選択成長したInAsナノワイヤの縦型二端子測定2008
- 著者名/発表者名
  田中智隆, 冨岡克広, 北内悠介, 本久順一, 原真二郎, 福井孝志
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  春日井
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] MOVPE選択成長法による縦方向ヘテロ接合ナノワイヤの成長条件検討2008
- 著者名/発表者名
  林田淳, 吉田浩惇, 佐藤拓也, 本久順一, 原真二郎, 福井孝志
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  春日井
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] Catalyst-Free Growth and FET Application of (InGa)As Nanowires2008
- 著者名/発表者名
  J. Noborisaka, T. Sato, J. Motohisa, K. Tomioka, S. Hara, T. Fukui
- 学会等名
  the 66th Device Research Conference (DRC 2008)
- 発表場所
  Santa Barbara, California, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] InPナノワイヤを用いた横型FETの作製2008
- 著者名/発表者名
  北内悠介、本久順一、登坂仁一郎、福井孝志
- 学会等名
  応用物理学会北海道支部講演会
- 発表場所
  札幌
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] Epitaxial III-V semiconductors : nanowires and nanotubes2008
- 著者名/発表者名
  T. Fukui, S. Hara and J. Motohisa
- 学会等名
  The 4th Asian Confrence on Crystal Growth and Crystal Technology
- 発表場所
  Sendai, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Growth and Optical Properties of InP/InAs Multi-Core Shell Nanowires Grown by Selective-Area MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  T. Fukui, S. Hara, J. Motohisa
- 学会等名
  2008 Material Research Society(MRS)Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco,USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Growth mechanism of GaAs nanowires using catalyst-free selective-area metal-organic vapor phase epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  K. Hiruma, T. Sato, H. Yoshida, S. Hara, J. Motohisa and T. Fukui
- 学会等名
  2008 MRS Fall Meeting
- 発表場所
  Boston, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] 有機金属気相選択成長法による半導体ナノワイヤの成長とその成長機構2008
- 著者名/発表者名
  比留間健之, 原真二郎, 本久順一, 福井孝志
- 学会等名
  化学工学会第40回秋季大会(SCEJ)
- 発表場所
  仙台
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] 化合物半導体ナノワイヤとデバイス応用2008
- 著者名/発表者名
  本久順一, 原真二郎, 比留間健之, 福井孝志
- 学会等名
  日本真空協会スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会第109回定例会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2008-07-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] Selective-area growth of InGaAs nanowires and their photoluminescence characterization2008
- 著者名/発表者名
  T. Sato, Y. Kobayashi, J. Motohisa and T. Fukui
- 学会等名
  The 27 th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Izu, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] 有機金属気相選択成長による半導体ナノワイヤの形成2008
- 著者名/発表者名
  本久順一
- 学会等名
  第38回結晶成長国内会議(NCCG-38)
- 発表場所
  仙台
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] 化合物半導体ナノワイヤとデバイス応用(招待講演)2008
- 著者名/発表者名
  本久順一, 真二郎, 比留間健之, 福井孝志
- 学会等名
  日本真空協会スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会第109回定例会
- 発表場所
  東京
- 年月日
  2008-07-24
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] Catalyst-free growth and FET application of (InGa)As nanowires2008
- 著者名/発表者名
  J. Noborisaka, T. Sato, J. Motohisa, K. Tomioka, S. Hara and T. Fukui
- 学会等名
  The 66th Device Research Conference
- 発表場所
  Santa Barbara, California, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Growth of III-V Semiconductor Nanowires2008
- 著者名/発表者名
  T. Fukui, S. Hara and J. Motohisa
- 学会等名
  The 29th International Conference on the Physics of Semiconductors
- 発表場所
  Rio de Janeiro, Brazil
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Fabrication and Optical Characterization of InGaAs Nanowires by Selective-Area MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  T. Sato, Y. Kobayashi, J. Motohisa, S. Hara, T. Fukui
- 学会等名
  the 14th International Conference on Metal-Organic Vapor Phase Epitxy (ICMOVPE-XIV)
- 発表場所
  Metz, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] MOVPE選択成長法によるInGaAsナノワイヤの作製及び顕微PL測定による組成の評価2008
- 著者名/発表者名
  佐藤拓也, 小林靖典, 本久順一, 原真二郎, 福井孝志
- 学会等名
  第55回応用物理学会関係連合講演会
- 発表場所
  船橋
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] Fabrication and optical characterization of InGaAs nanowires by selective-area MOVPE2008
- 著者名/発表者名
  T. Sato, Y. Kobayashi, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui
- 学会等名
  The 14th International Conference on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  Metz, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Growth of III-V semiconductor nanowires2008
- 著者名/発表者名
  T. Fukui, S. Hara and J. Motohisa
- 学会等名
  The 29th International Conference on the Physics of Semiconductors
- 発表場所
  Rio de Janeiro, Brazil
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] MOVPE選択成長法によるSi基板上のGaAs/AlGaAsコア・シェルナノワイヤの作製2008
- 著者名/発表者名
  冨岡克広, 小林靖典, 本久順一, 原真二郎, 福井孝志
- 学会等名
  第69回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  春日井
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] Competitive growth process of tetrahedrons and hexagons during nanowire formation by metal-organic vapor phase epitaxy2008
- 著者名/発表者名
  K. Hiruma, K. Ikejiri, T. Sato, H. Yoshida, S. Hara, J. Motohisa and T. Fukui
- 学会等名
  The third International Workshop on Nanowire Growth Mechanisms
- 発表場所
  Duisburg, Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] InP/InAs core-multishell heterostructure nanowires grown by metalorganic vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  J. Motohisa, S. Hara, T. Fukui
- 学会等名
  2007 Virtual Conference on Nanoscale Science and Technology
- 発表場所
  Fayetteville, Arkansas, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] Formation and characterization of Fabry-Perot cavities in single GaAs nanowires2007
- 著者名/発表者名
  B. Hua, J. motohisa, S. hara, T. Fukui
- 学会等名
  The 34th international conference on compound semiconductors
- 発表場所
  Kyoto,Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] III-V Semiconductor Nanowires and Their Device Applications, (Invited Paper)2007
- 著者名/発表者名
  S. Hara, J. Motohisa, T. Fukui
- 学会等名
  2007 International Symposium on Advanced Silicon-Based Nano-Devices (ISASN 2007)
- 発表場所
  Tokyo
- 年月日
  2007-11-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] InP and InP/InAs multi-core shell nanowires grown by selective area MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  T. Fukui, Premila. Mohan, J. Motohisa
- 学会等名
  International Conference on Modulated Semiconductor Structures
- 発表場所
  Genova,Italy
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] III-V semiconductor nanowires and nanotubes grown by selective area metalorganic vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  J. Motohisa, T. Fukui, and S. Hara
- 学会等名
  Internationl Conference on Nano Science and Technology (ICN+T 2007)
- 発表場所
  Stockholm
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] InP/InAs core-multishell heterostructure nanowires grown by metalorganic vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  T. Fukui, P. Mohan, J. Motohisa
- 学会等名
  19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
- 発表場所
  Matsue,Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] III-V compound semiconductor nanowires grown by selective area MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  T. Fukui, S. Hara, J. Motohisa
- 学会等名
  2nd International Lund Workshop on Nanowire Growth Mechanisms
- 発表場所
  Lund,Sweden
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] (InGa)As Nanowire Field Effect Transistors2007
- 著者名/発表者名
  J. Noborisaka, T. Sato, J. Motohisa, S. Hara, K. Tomioka, T. Fukui
- 学会等名
  the 2007 International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN 2007)
- 発表場所
  Waikoloa, Hawaii, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] Growth Characteristics of III-V Semiconductor Nanowires2007
- 著者名/発表者名
  K. Hiruma, S. Hara, J. Motohisa, Takasi Fukui
- 学会等名
  The Second International Conference on One-dimensional Nanomaterials(ICON 2007)
- 発表場所
  Malmo,Sweden
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] (InGa) As Nanowire Field Effect Transistors2007
- 著者名/発表者名
  J. Noborisaka, T. Sato, J. Motohisa, S. Hara, K. Tomioka and T. Fukui
- 学会等名
  the 2007 International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN 2007)
- 発表場所
  Waikoloa, Hawaii, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] III-V semiconductor nanowires and nanotubes grown by slective area metalorganic vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  J. Motohisa, T. Fukui, S. Hara
- 学会等名
  Internationl Conference on Nano Science and Technology(ICN+T 2007)
- 発表場所
  Stockholm,Sweden
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] III-V semiconductor nanowires and nanotubes grown by selective area metalorganic vapor phase epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  J. Motohisa, T. Fukui, S. Hara
- 学会等名
  Internationl Conference on Nano Science and Technology (ICN+T 2007)
- 発表場所
  Stockholm, Sweden
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] III-V Semiconductor Nanowires and Their Device Applications2007
- 著者名/発表者名
  S. Hara, J. Motohisa, T.Fukui
- 学会等名
  The 2007 International Symposium on Advanced Silicon-Based Nano-Devices(ISASN 2007)
- 発表場所
  Tokyo,Japan
- 年月日
  2007-11-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] III-V Semiconductor Nanowires and Their Device Applicationsモ,(Invited Paper)2007
- 著者名/発表者名
  S. Hara, J. Motohisa and T. Fukui
- 学会等名
  2007 International Symposium on Advanced Silicon-Based Nano-Devices(ISASN 2007)
- 発表場所
  Tokyo
- 年月日
  2007-11-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] III-V semiconductor hetero-structure nanowires by selective area MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  T. Fukui, S. Hara, J. Motohisa
- 学会等名
  2007 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2007)
- 発表場所
  Tsukuba,Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Growth of InGaAs nanowires on InP(111)B substrates by selective-area MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  T. Sato, J. Noborisaka, J. Motohisa, S. Hara, T. Fukui
- 学会等名
  The US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy
- 発表場所
  Salt Lake,USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] InP(111)B基板上に作製したInGaAsナノワイヤの評価2007
- 著者名/発表者名
  佐藤拓也, 本久順一, 原真二郎, 福井孝志
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  札幌
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] MOVPE選択成長法によるSi(111)基板上のIII-V族化合物半導体ナノワイヤ成長2007
- 著者名/発表者名
  冨岡克広, 本久順一, 原真二郎, 福井孝志
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  札幌
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] MOVPE選択成長法により作製したInGaAs系ナノワイヤの電気特性評価2007
- 著者名/発表者名
  登坂仁一郎, 佐藤拓也, 本久順一, 原真二郎, 福井孝志
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  札幌
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19206031
[学会発表] InP/InAs core-shell nanowires grown by selective area MOVPE2007
- 著者名/発表者名
  T. Fukui, S. Hara, J. Motohisa
- 学会等名
  7th Wilhelm and Else Heraeus Seminar on Semiconducting Nanowires: Physics, Materials and Devices
- 発表場所
  Bad Honnef,German
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Position-controlled Heteroepitaxial Growth of InAs Nanowires on Lattice-mismatched Substrates by Selective Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2007
- 著者名/発表者名
  K. Tomioka, J. Takeda, L. Yang, J. Motohisa, S. Hara, T. Fukui
- 学会等名
  2007 MRS Spring Meeting
- 発表場所
  San Francisco,USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18002003
[学会発表] Design and Growth of Nanowire Nanocavity
- 著者名/発表者名
  T. Wada, S. Hara, and J. Motohisa
- 学会等名
  2014 International Conference on Solid State Devices and Materials
- 発表場所
  つくば市
- 年月日
  2014-09-08 – 2014-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360114
[学会発表] III-V Semiconductor Nanowire Transistors and Light Emitting Deveices (Invited Paper)
- 著者名/発表者名
  Junichi Motohisa
- 学会等名
  the 2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2011)
- 発表場所
  Legend Hotel Daejeon (Korea)
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360129
[学会発表] GaAs/InGaAs/GaAs コアマルチシェルナノワイヤ共振器の評価
- 著者名/発表者名
  和田年弘, 原真二郎, 本久順一
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県平塚市)
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360114
[学会発表] 間隔の広いInP系NWアレイと量子ドットの形成と評価
- 著者名/発表者名
  柳瀬祥吾, 原真二郎, 本久順一
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学(神奈川県平塚市)
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24360114

1. 橋詰保 (80149898)

共同の研究課題数: 12件

共同の研究成果数: 0件
2. 福井孝志 (30240641)

共同の研究課題数: 10件

共同の研究成果数: 128件
3. 佐藤威友 (50343009)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 0件
4. 原真二郎 (50374616)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 99件
5. 冨岡克広 (60519411)

共同の研究課題数: 6件

共同の研究成果数: 116件
6. 長谷川英機 (60001781)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
7. 葛西誠也 (30312383)

共同の研究課題数: 5件

共同の研究成果数: 0件
8. 赤沢正道 (30212400)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
9. 藤倉序章 (70271640)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
10. 池辺将之 (20374613)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 2件
11. 齊藤俊也 (70241396)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
12. 雨宮好仁 (80250489)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
13. 兼城千波 (30318993)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
14. 武山真弓 (80236512)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 0件
15. 五十嵐一 (90212737)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 渡邊浩太 (20322828)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
17. 笹倉弘理 (90374595)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
18. 谷田部然治 (00621773)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
19. 澤田孝幸 (40113568)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
20. 呉南健 (00250481)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
21. 佐野栄一 (10333650)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
22. 楊林 (60374708)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 4件
23. 須田善行 (70301942)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
24. 古賀裕明 (80519413)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
25. 深田直樹 (90302207)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
26. J. Wipakorn (40748216)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
27. 宮崎剛 (50354147)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
28. 松村亮 (90806358)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
29. クラーピーター・ジェンス

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
30. エルムマティアス・トーマス

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
31. クルーク・フォン・ニーダハンス-アルプレヒト

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
32. 関昇平

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
33. 韓哲九

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
34. 安海岩

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
35. プリミーラモハン

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

本久 順一 Motohisa Junichi

研究課題

研究成果

共同研究者

コアシェル型半導体ナノワイヤを用いた近中赤外光検出器研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

半導体ナノワイヤを用いたベクトル光波の発生研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

GaNによる特異構造を利用した縦型FETの作製と高性能化に向けた評価技術の検討研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

窒化ガリウム系ナノワイヤによる縦型FETの作製と評価研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体ナノワイヤによるSi基板上発光デバイスの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体ナノワイヤを用いた新型光検出器研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

本久順一 Motohisa Junichi