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内藤 正路  Naito Masamichi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 60264131
その他のID
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 九州工業大学, 大学院工学研究院, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2017年度 – 2018年度: 九州工業大学, 大学院工学研究院, 教授
2016年度: 九州工業大学, 大学院生命体工学研究科, 教授
2008年度: 九州工業大学, 工学研究院, 准教授
2007年度: 九州工業大学, 工学部, 准教授
2002年度 – 2006年度: 九州工業大学, 工学部, 助教授
2000年度 – 2001年度: 九州工業大学, 工学部, 助手
1995年度 – 1998年度: 九州工業大学, 工学部, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
表面界面物性 / ナノ材料・ナノバイオサイエンス
研究代表者以外
固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体) / 応用物性 / 表面界面物性 / ナノ材料・ナノバイオサイエンス / 工学 / 理工系
キーワード
研究代表者
走査トンネル顕微鏡 / 表面構造 / 自己組織化 / 低速電子線回折 / 薄膜 / 水素終端 / シリコン / self-organization / silicon carbide / surface modification … もっと見る / scanning tunneling microscopy / レーザー照射 / シリコンカーバイド / 表面変性 / カーボンナノチューブ / 超高真空 / 表面電子状態 / ion-beam / laser irradiation / surface structure / carbon nanotube / イオンビーム照射 / イオンビーム / carbon nanocaps / LASER / carbon nanotubes / 水素吸着 / カーボンナノキャップ / 選択成長 / Si(100)表面 / 一次元構造 / ナノ材料 / 半導体表面 / ナノワイヤ / ビスマス / Si(100) / 表面変性エピタキシ- / イオン散乱分光法 / 表面変性エピタキシー … もっと見る
研究代表者以外
準安定原子脱励起 / 表面電子系応答関数 / 表面電子分光 / 超薄膜 / イオン液体 / 準安定原子誘起電子分光法 / SiC / グラフェン / 表面・界面物性 / Surface plasmon / Density response function / Surface atomic structure / Surface electron spectroscopy / Inter-atomic Auger transition / Ion neutralization / Metastable do-excitation / イオン中性子 / 表面プラズモン / 表面原子構造 / 原子間オージェ遷移 / イオン中性化 / ION SOURCE / ION SURFACE INTERACTION / Bi ION BEAM / Ag ION BEAM / LOW ENERGY ELECTRON DIFFRACTION / ION SCATTERING / ION BEAM DEPOSITION / EPITAXY / SURFACE AND INTERFACE / イオンビーム / 薄膜成長 / 表面構造 / エピタキシー / イオン蒸着 / 低速電子回折 / 荷電粒子 / イオン-表面相互作用 / 低連電子回折 / イオン散乱 / Agイオン蒸着 / イオンビーム蒸着 / イオンビームエピタキシー / 表面・界面形成 / nonlinear response / response function / ILEED / MDS / EELS / 準安定原子 / 電子エネルギー損失分光 / 非弾性散乱 / プラズモン / 集団的励起 / 荷電粒子-表面相互作用 / 表面電子応答関数 / Semiconductor surfaces / Nickel surface / Local spin density / Surface magnetism / Spin polarization / Surface electronic states / He metastable atom / Metastable de-excitation spectroscopy / 磁性薄膜 / オージェ中性化 / 電子スピン密度 / ニッケル / スピン偏極ビーム / 準安定原子説脱励起分光 / 半導体表面 / ニッケル表面 / 局所スピン密度 / 表面磁性 / スピン偏極 / 表面電子状態 / ヘリウム準安定原子 / 準安定原子脱励起分光 / ナノ材料創製 / シリコンカーバイド / フラーレン / カーボンナノチューブ / ピーポッド / 反応ダイナミクス / 氷表面 / 水素分子生成 / スピン効果 / 水氷表面 / 反応ダイナミックス / スピン偏極原子 / 吸着脱離 / シリコン表面 / 水素原子 隠す
  • 研究課題

    (13件)
  • 研究成果

    (11件)
  • 共同研究者

    (20人)
  •  グラフェン/SiC表面及び界面におけるイオン液体分子の挙動制御技術の開拓

    • 研究代表者
      碇 智徳
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2018
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性
    • 研究機関
      宇部工業高等専門学校
  •  シリコンカーバイド基板上での高密度高配向ピーポッドの創製

    • 研究代表者
      大門 秀朗
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      ナノ材料・ナノバイオサイエンス
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  水素-表面反応基礎過程;スピン効果、反応ダイナミックス、及び星間水素分子の起源

    • 研究代表者
      並木 章
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2009
    • 研究種目
      特別推進研究
    • 審査区分
      理工系
      工学
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  高配向・高密度カーボンナノチューブの自己組織化形成とナノデバイス応用研究代表者

    • 研究代表者
      内藤 正路
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      ナノ材料・ナノバイオサイエンス
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  一次元原子鎖制御によるシリコン・ナノアーキテクチャ研究代表者

    • 研究代表者
      内藤 正路
    • 研究期間 (年度)
      2003 – 2004
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      ナノ材料・ナノバイオサイエンス
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  表面最外層領域で準安定原子・イオンにより誘起されたオージェ電子の回折と局所構造

    • 研究代表者
      西垣 敏
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2003
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  SiC表面上でのカーボンナノチューブ生成機構の解明と表面変性による生成の制御研究代表者

    • 研究代表者
      内藤 正路
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  固体表面でのイオン・準安定原子の中性化・脱励起における集団的励起

    • 研究代表者
      NAZAROV Vladimir
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  超低速イオンビーム蒸着によるSi表面低次元相形成とエピタキシーの研究

    • 研究代表者
      生地 文也
    • 研究期間 (年度)
      2000 – 2001
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      九州共立大学
  •  半導体表面変性における水素原子の能動的作用の原子スケール解析研究代表者

    • 研究代表者
      内藤 正路
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  STM-STS法による化合物半導体表面における吸着水素の表面変性効果に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      内藤 正路
    • 研究期間 (年度)
      1996
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  スピン編極ヘリウム準安定原子ビームによる表面最外原子層磁気秩序の解明

    • 研究代表者
      西垣 敏
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
    • 研究機関
      九州工業大学
  •  STM-STS法による半導体表面における吸着水素原子の表面変性効果に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      内藤 正路
    • 研究期間 (年度)
      1995
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      九州工業大学

すべて 2019 2018 2017 2009 2008 2007 その他

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Influence of the vacuum level upon the growth of carbon nanotubes on silicon carbide surface2008

    • 著者名/発表者名
      J. Yoshida, Y. Yonekubo, T. Nakanishi, H. Okado, M. Naitoh, T. Sakata, H. Mori
    • 雑誌名

      Applied Surface Science 254

      ページ: 7723-7727

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19510118
  • [雑誌論文] Influence of the vacuum level upon the growth of carbon nanotubes on silicon carbide surface

    • 著者名/発表者名
      J. Yoshida, Y. Yonekubo, T. Nakanishi, H. Okado, M. Naitoh, T. Sakata, H. Mori
    • 雑誌名

      Applied Surface Science (印刷中)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19510118
  • [学会発表] 準安定原子誘起電子分光法によるO/Cs/SiC(3×3)表面の電子状態測定2019

    • 著者名/発表者名
      田中晶貴,飯田涼,柏谷拓実,渡邉拓斗,平山楓,田中悟,内藤正路,碇智徳
    • 学会等名
      2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K04939
  • [学会発表] SiC(3×3)表面における酸素とCs吸着に関する研究2018

    • 著者名/発表者名
      田中晶貴,飯田涼,平山楓,Visikovskiy Anton,田中悟,内藤正路,碇智徳
    • 学会等名
      平成30年度日本表面真空学会 九州支部学術講演(九州表面・真空研究会2018)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K04939
  • [学会発表] Initial oxidation process of the alkali metals adsorbed 4H-SiC surface studied by metastable atom induced electron spectroscopy2018

    • 著者名/発表者名
      R. Iida, M. Tanaka, K. Hirayama, K. Muraoka, S. Kuroki, S. Tanaka, M. Naitoh, T. Ikari
    • 学会等名
      14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) & 26st International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K04939
  • [学会発表] MIESによる酸素吸着したCs/6H-SiC(0001)表面の電子状態観測2017

    • 著者名/発表者名
      中村拓人,平山楓,村岡幸輔,石井純子,黒木伸一郎,田中悟,内藤正路,碇智徳
    • 学会等名
      日本物理学会 第72回年次大会(2017年)
    • 発表場所
      大阪大学(大阪府豊中市)
    • 年月日
      2017-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K04939
  • [学会発表] アルカリ金属及び酸素吸着したSiC(0001)‐(6√3×6√3)R30°表面の電子状態2017

    • 著者名/発表者名
      碇智徳,平山楓,中村拓人,村岡幸輔,田中悟,黒木伸一郎,内藤正路
    • 学会等名
      平成29年度九州表面・真空研究会2017(兼第22回九州薄膜表面研究会)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K04939
  • [学会発表] Electronic structure of Oxygen and Cesium co-adsorption on 6H-SiC(0001)_(6√3×6√3)R30° surface studied by MIES2017

    • 著者名/発表者名
      K. Hirayama, R. Iida, T. Nakamura, T. Kajiwara, S. Tanaka, M. Naitoh and T. Ikari
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K04939
  • [学会発表] SiC(0001)基板上での高密度高配向ピーポッドの作製2009

    • 著者名/発表者名
      橋本健二、大門秀朗、内藤正路
    • 学会等名
      九州表面・真空研究会2009(兼)第14回九州薄膜表面研究会
    • 発表場所
      九州工業大学
    • 年月日
      2009-06-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19510118
  • [学会発表] Influence of the vacuum level upon the growth of carbon nanotubes on silicon carbide surface2007

    • 著者名/発表者名
      J. Yoshida, Y. Yonekubo, T. Nakanishi,H. Okado, M. Naitoh, T. Sakata, H. Mori
    • 学会等名
      9th Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
    • 発表場所
      東京大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19510118
  • [学会発表] Influence of the vacuum level upon the growth of carbon nanotubes on silicon carbide surface2007

    • 著者名/発表者名
      J. Yoshida, Y. Yonekubo,T. Nakanishi, H. Okado, M. Naitoh, T. Sakata, H. Mori
    • 学会等名
      9th Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2007-11-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19510118
  • 1.  生地 文也 (00093419)
    共同の研究課題数: 4件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  西垣 敏 (60126943)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  山田 健二 (50249778)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  NAZAROV Vladimir (70315167)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  遠山 尚武 (10039117)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  碇 智徳 (40419619)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 6件
  • 7.  並木 章 (40126941)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 8.  大門 秀朗 (20324816)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  森元 史朗 (30258339)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  真田 瑞穂 (00258336)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 11.  八尋 秀一 (60279130)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 12.  渡邉 晃彦 (80363406)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 13.  楠 美智子 (10134818)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 14.  和泉 亮 (30223043)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 15.  鶴巻 浩 (20315162)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 16.  山内 貴志 (70419620)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 17.  成田 克 (30396543)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 18.  稲永 征司 (30093959)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 19.  孫 勇 (60274560)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 20.  大西 秀朗
    共同の研究課題数: 0件
    共同の研究成果数: 5件

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