松浦秀治 MATSUURA Hideharu

研究者番号	60278588
その他のID
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所属 (現在)	2025年度: 大阪電気通信大学, 工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2020年度 – 2023年度: 大阪電気通信大学, 工学部, 教授 2014年度 – 2016年度: 大阪電気通信大学, 工学部, 教授 2003年度 – 2007年度: 大阪電気通信大学, 工学部, 教授 1998年度 – 1999年度: 大阪電気通信大学, 工学部, 助教授 1997年度: 大阪電気通信大学, 工学部・電子工学科, 専任講師 1996年度: 大阪電気通信大学, 工学部, 専任講師
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子デバイス・電子機器 / 電子・電気材料工学研究代表者以外電子デバイス・機器工学 / 電子デバイス・電子機器
キーワード	研究代表者 4H-SiC / ホール係数 / 電気伝導機構 / Al添加4H-SiC / 高濃度Al添加4H-SiC / IGBT / p型4H-SiC / XRD / ホッピング伝導 / バンド伝導 … もっと見る / 抵抗率 / 電気伝導 / Alドープ / SiC / XRD分析 / Hall係数の符号反転 / Hall係数 / VRH伝導 / NNH伝導 / radiation-resistance / semi-insulating semiconductor / silicon drift detector / X-ray fluorescence / X-ray detector / 耐放射線性 / 半絶縁性半導体 / Silicon Drift Detector / 蛍光X線 / X線検出素子 / 有機半導体／有機半導体へテロ接合 / 欠陥評価 / 有機半導体／無機半導体へテロ接合 / 薄膜 / 有機半導体／有機半導体ヘテロ接合 / 有機半導体／無機半導体ヘテロ接合 / 有機半導体 / 接合特性 / バルクへテロ接合 / 有機／無機半導体ヘテロ接合 / 有機薄膜太陽電池 … もっと見る研究代表者以外 MBE / AlInAs / superlattice / InGaSb / InAs / GaSb / Type II / InGaAs / Infrared / Cascade laser / InP substrate / AlGaAsSb barrier layer / InGaAs super lattice / Miniband Transition / Super lattice laser / ミニバンド間遷移 / 赤外 / カスケードレーザ / InP基板 / AlGaAsSb障壁層 / InGaAs超格子 / ミニバンド遷移 / 超格子レーザ / doping / MBE with a water cooling System / infrared semiconductor laser / Type II bandstructure / Type I band structure / AlGaSb / InGaSb) / (InAs / quantum well / InGaAsSb / AlGaAsSb / GaSb based infrared laser / TypeII / ドーピング / 超格子 / 水冷式分子線成長法 / 赤外半導体レーザ / multiple reflecting film / diffusion / disorder / surface emitting / strained quantum well / heterostructure / micro laser / 多重反射膜 / 拡散 / ディスオーダ / 面発光 / 歪量子井戸 / ヘテロ構造 / マイクロレーザ隠す

SiC-IGBTのコレクタ用高濃度Al添加4H-SiCの電気伝導機構の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  松浦秀治
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  大阪電気通信大学
超高濃度Al添加4H-SiCの抵抗率及びHall係数の温度依存性の物理モデル構築研究代表者
- 研究代表者
  
  松浦秀治
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  大阪電気通信大学
有機半導体／無機半導体へテロ接合及び有機半導体ヘテロ接合の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  松浦秀治
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪電気通信大学
微量公害物質検出用室温動作・高エネルギーX線検出素子の研究研究代表者
- 研究代表者
  
  松浦秀治
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2007
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  大阪電気通信大学
サブバンド間遷移を用いた3μm帯室温発振赤外半導体レーザ
- 研究代表者
  
  須崎渉
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2005
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  大阪電気通信大学
室温動作赤外半導体レーザの長波長化に関する研究
- 研究代表者
  
  須さき渉 (須崎渉)
- 研究期間 (年度)
  1998 – 1999
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  大阪電気通信大学
(InGaAl)As多重へテロ構造のディスオーダ化とそのマイクロレーザへの適用
- 研究代表者
  
  須さき渉 (須崎渉)
- 研究期間 (年度)
  1996 – 1997
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  大阪電気通信大学

すべて 2023 2022 2021 2020 2015 2008 2007 2006 その他

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Comparison of temperature-dependent resistivity of heavily Al- and N-codoped 4H-SiC grown by physical vapor transport and heavily Al-doped 4H-SiC grown by chemical vapor deposition2023
- 著者名/発表者名
  Hidaka Atsuki、Kondo Yuki、Takeshita Akinobu、Matsuura Hideharu、Eto Kazuma、Ji Shiyang、Kojima Kazutoshi、Kato Tomohisa、Yoshida Sadafumi、Okumura Hajime
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 62 号: 10 ページ: 1010011-6
- DOI
  10.35848/1347-4065/acfb64
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03946
[雑誌論文] Negative Hall coefficient in band conduction region in heavily Al-doped 4H-SiC2023
- 著者名/発表者名
  Matsuura Hideharu、Hidaka Atsuki、Ji Shiyang、Eto Kazuma、Ishida Yuuki、Yoshida Sadafumi
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 134 号: 11 ページ: 1157011-10
- DOI
  10.1063/5.0165404
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03946
[雑誌論文] Electrical Properties of Heavily Al-Doped 4H-SiC2023
- 著者名/発表者名
  Matsuura Hideharu、Takeshita Akinobu、Nishihata Rinya、Kondo Yuuki、Hidaka Atsuki
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 1093 ページ: 73-86
- DOI
  10.4028/p-cmryy7
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03946
[雑誌論文] Electrical Properties of Heavily Al-Doped 4H-SiC2023
- 著者名/発表者名
  Hideharu Matsuura, Akinobu Takeshita, Rinya Nishihata, Yuuki Kondo, and Atsuki Hidaka
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: -
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04565
[雑誌論文] Sign and Activation Energy of Hall Coefficient for Hopping Conduction in Heavily Al-Doped 4H-SiC2022
- 著者名/発表者名
  Hideharu Matsuura, Rinya Nishihata, and Atsuki Hidaka
- 雑誌名
  
  Journal of Physics and Chemistry Research
  
  巻: 4 号: 1 ページ: 1-8
- DOI
  10.36266/jpcr/145
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04565
[雑誌論文] Simple physical model for the sign of the Hall coefficient in variable-range hopping conduction in heavily Al-doped p-type 4H-SiC2021
- 著者名/発表者名
  Matsuura Hideharu、Kondo Yuki、Iida Kosuke、Hidaka Atsuki、Ji Shiyang、Eto Kazuma、Kojima Kazutoshi、Kato Tomohisa、Yoshida Sadafumi、Okumura Hajime
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: 3 ページ: 031008-031008
- DOI
  10.35848/1347-4065/abe645
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04565
[雑誌論文] Anomalous Conduction between the Band and Nearest-Neighbor Hopping Conduction Regions in Heavily Al-Doped p-Type 4H-SiC2020
- 著者名/発表者名
  Hidaka Atsuki、Takeshita Akinobu、Ogawa Kohei、Imamura Tatsuya、Takano Kota、Okuda Kazuya、Matsuura Hideharu、Ji Shi Yang、Eto Kazuma、Mitani Takeshi、Kojima Kazutoshi、Kato Tomohisa、Yoshida Sadafumi、Okumura Hajime
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 1004 ページ: 224-230
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.1004.224
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04565
[雑誌論文] Anomalous Temperature Dependence of the Hall Coefficient of Heavily Al-Doped 4H-SiC Epilayers in the Band Conduction Region2020
- 著者名/発表者名
  Matsuura Hideharu、Nishihata Rinya、Takeshita Akinobu、Ogawa Kohei、Imamura Tatsuya、Takano Kota、Okuda Kazuya、Hidaka Atsuki、Ji Shi Yang、Eto Kazuma、Kojima Kazutoshi、Kato Tomohisa、Yoshida Sadafumi、Okumura Hajime
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 1004 ページ: 215-223
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.1004.215
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04565
[雑誌論文] Sign of Hall coefficient in nearest-neighbor hopping conduction in heavily Al-doped p-type 4H-SiC2020
- 著者名/発表者名
  Matsuura Hideharu、Takeshita Akinobu、Hidaka Atsuki、Ji Shiyang、Eto Kazuma、Mitani Takeshi、Kojima Kazutoshi、Kato Tomohisa、Yoshida Sadafumi、Okumura Hajime
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: 5 ページ: 051004-051004
- DOI
  10.35848/1347-4065/ab8701
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04565
[雑誌論文] Characterization of Intrinsic Defects in High-Purity High-Resistivity p-Type 6H-SiC2008
- 著者名/発表者名
  H.Matsuura, H.Yanase, and M.Takahashi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physice (in press)
- NAID
  40016294912
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[雑誌論文] Mechanisms of unexpected reduction in hole concentration in Al-doped 4H-SiC by 200 keV electron irradiation2008
- 著者名/発表者名
  H.Matsuura, N.Minohara, and T.Ohshima
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physice (in press)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[雑誌論文] Characterization of Traps in Semi-Insulating 4H-SiC by Discharge Current Transient Spectroscopy2008
- 著者名/発表者名
  M.Takahashi and H.Matsuura
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum (in press)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[雑誌論文] Characterization of deep centers in semi-insulating SiC and HgI_2:Application of discharge current transient spectroscopy2008
- 著者名/発表者名
  H.Matsuura, M.Takahashi, S.Nagata, and K.Taniguchi
- 雑誌名
  
  Journal of Materials Science:Materials in Electronics (in press)
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[雑誌論文] Mechanisms of Reduction in Hole Concentration in Al-Implanted p-type 6H-SiC by 1 MeV Electron Irradiation2008
- 著者名/発表者名
  H.Matsuura, K.Izawa, N.Minohara, and T.Ohshima
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physice (in press)
- NAID
  40016161753
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[雑誌論文] Mechanisms of Decrease in Hole Concentration in Al-doped 4H-SiC by Irradiation of 200 keV Electrons2007
- 著者名/発表者名
  H.Matsuura, N.Minohara, Y.Inagawa, M.Takahashi, T.Ohshima, and H.Itoh
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum 556-557
  
  ページ: 379-382
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[雑誌論文] Mechanisms of Decrease in Hole Concentration in Al-doped 4H-SiC by Irradiation of 200 keV Electrons2007
- 著者名/発表者名
  H. Matsuura
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum. 556-557
  
  ページ: 379-382
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[雑誌論文] Characterization of deep centers in semi-insulating SiC and HigI_2 : Application of discharge current transientr spectroscopy
- 著者名/発表者名
  H. Matsuura
- 雑誌名
  
  Journal of Materials Science : Materials in Electronics (in press)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[雑誌論文] Mechanisms of unexpected reduction in hole concentration in Al-doped 4H-SiC by 200 keV electron irradiation
- 著者名/発表者名
  H. Matsuura
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics (in press)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[雑誌論文] Mechanisms of Reduction in Hole Concentration in Al-Implanted p-type 6H-SiC by 1 MeV Electron irradiation
- 著者名/発表者名
  H. Matsuura
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics (in press)
- NAID
  40016161753
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[雑誌論文] Characterization of Traps in Semi-Insulating 4H-SiC by Discharge Current Transient Spectroscopy
- 著者名/発表者名
  M. Takahashi and H. Matsuura
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum (in press)
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[雑誌論文] Characterization of Intrinsic Defects in High-Purity High-Resistivity p-Type 6H-SiC
- 著者名/発表者名
  H. Matsuura
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics (in press)
- NAID
  40016294912
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[産業財産権] 放射線検出器2007
- 発明者名
  松浦秀治, 谷口一雄, 宇高忠
- 権利者名
  松浦秀治, 谷口一雄, 宇高忠
- 産業財産権番号
  2007-098037
- 出願年月日
  2007-04-04
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[産業財産権] 放射線検出器2006
- 発明者名
  松浦秀治, 谷ロ一雄, 宇高忠
- 権利者名
  松浦秀治, 谷ロ一雄, 宇高忠
- 産業財産権番号
  2006-336727
- 出願年月日
  2006-12-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[産業財産権] 放射線検出器2006
- 発明者名
  松浦秀治, 谷口一雄, 宇高忠
- 権利者名
  松浦秀治, 谷口一雄, 宇高忠
- 産業財産権番号
  2006-336727
- 出願年月日
  2006-12-14
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[学会発表] Temperature-Dependent Hall Coefficient in Band Conduction Region for Heavily Al-Doped 4H-SiC2023
- 著者名/発表者名
  Hideharu Matsuura, Akinobu Takeshita, Rinya Nishihata, Yuki Kondo, Atsuki Hidaka, Shiyang Ji, Kazuma Eto, Yuuki Ishida, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Sadafumi Yoshida, and Hajime Okumura
- 学会等名
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K03946
[学会発表] Al濃度1E20 cm^-3台前半でのp型4H-SiC CVDエピ膜の結晶性と電気特性との関係2022
- 著者名/発表者名
  近藤佑樹, 日高淳輝, 松浦秀治, 紀世陽, 江藤数馬, 児島一聡, 加藤智久, 吉田貞史, 奥村元
- 学会等名
  第64回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04565
[学会発表] Electrical Properties of Heavily Al-Doped 4H-SiC2022
- 著者名/発表者名
  Hideharu Matsuura, Akinobu Takeshita, Rinya Nishihata, Yuuki Kondo, and Atsuki Hidaka
- 学会等名
  3rd Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04565
[学会発表] Al濃度10^20 cm^-3台前半でのp型4H-SiCエピ膜の電気抵抗率の温度依存性とAl濃度との関係2020
- 著者名/発表者名
  近藤佑樹, 竹下明伸, 今村辰哉, 高野晃大, 奥田和也, 日高淳輝, 松浦秀治, 紀世陽, 江藤数馬, 児島一聡, 加藤智久, 吉田貞史, 奥村元
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K04565
[学会発表] 逆型有機薄膜太陽電池の経年劣化に関して2015
- 著者名/発表者名
  鍔優、松浦秀治
- 学会等名
  電気関係学会関西連合大開
- 発表場所
  摂南大学(大阪府・寝屋川市)
- 年月日
  2015-11-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420283
[学会発表] Characterization of deep centers in semi-insulating SiC and HgI_2:application of discharge current transient spectroscopy2007
- 著者名/発表者名
  H.Matsuura, M.Takahashi, S.Nagata, and K.Taniguchi
- 学会等名
  14th Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC XIV 2007)
- 発表場所
  Feyatteville, Arkansas, USA
- 年月日
  2007-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[学会発表] Hall測定によるワイドギャップ半導体中の不純物の評価2007
- 著者名/発表者名
  松浦秀治
- 学会等名
  第12回結晶工学セミナー(結晶工学スクール応用編)「電気・光学素子技術の基礎と応用」-ワイドバンドギャップ半導体編-
- 発表場所
  学習院創立百周年記念会館
- 年月日
  2007-10-04
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[学会発表] 200keV電子線照射におけるAl-doped 4H-SiCエビ膜の耐放射線性2007
- 著者名/発表者名
  蓑原伸正、稲川祐介、高橋美雪、松浦秀治、大島武、伊藤久義
- 学会等名
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第16回講演会
- 発表場所
  愛知県女性総合センター
- 年月日
  2007-11-29
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[学会発表] Characterization of deep centers in semi-insulating SiC and HgI_2 : application of discharge current transient spectroscopy2007
- 著者名/発表者名
  H. Matsuura
- 学会等名
  14th Semiconducting and Insulating Materials Conference
- 発表場所
  Feyatteville, Arkansas, USA
- 年月日
  2007-05-19
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[学会発表] 高純度半絶縁性4H-SiCを用いた室温動作可能なx線検出素子の可能性2007
- 著者名/発表者名
  高橋美雪、前田健寿、山本和代、松浦秀治
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-06
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[学会発表] Characterization of deep centers in semi-insulating SiC and HgI_2:application of discharge current transient spectroscopy2007
- 著者名/発表者名
  H.Matsuura, M.Takahashi, S.Nagata, and K.Taniguchi
- 学会等名
  14th Semiconducting and Insulating Materials Conference(SIMC XIV 2007)
- 発表場所
  Feyatteville,Arkansas,USA
- 年月日
  2007-05-19
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[学会発表] Characterization of Traps in Semi-Insulating 4H-SiC by Discharge Current Transient Spectroscopy2007
- 著者名/発表者名
  M.Takahashi, H.Matsuura
- 学会等名
  International Conference on SiC and Related Materials 2007
- 発表場所
  Otsu,Shiga,Japan
- 年月日
  2007-10-18
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[学会発表] 200keV電子線照射実験からのAl-doped 4H-SiCエビ膜中の深いアクセプタの起源の考察2007
- 著者名/発表者名
  蓑原伸正, 稲川祐介, 高橋美雪, 松浦秀治, 大島武, 伊藤久義
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-05
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[学会発表] 放電電流過渡分光法による高純度半絶縁性4H-SiC中の欠陥評価2007
- 著者名/発表者名
  高橋美雪、松浦秀治
- 学会等名
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第16回講演会
- 発表場所
  愛知県女性総合センター
- 年月日
  2007-11-29
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[学会発表] Possibility of High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC Being Used as Portable X-Ray Detector Operating at Room Temperature2007
- 著者名/発表者名
  H.Matsuura and M.Takahashi
- 学会等名
  International Conference on SiC and Related Materials 2007
- 発表場所
  Otsu,Shiga,Japan
- 年月日
  2007-10-18
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[学会発表] 1MeV電子線照射によるAl-doped 6H-SiCの正孔密度とアクセプタ密度の変化2007
- 著者名/発表者名
  井澤圭亮, 蓑原伸正, 外館憲、松浦秀治, 大島武, 伊藤久義
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-05
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[学会発表] 200keV電子線照射実験からのAl-doped 4H-SiCエピ膜中の深いアクセプタの起源の考察2007
- 著者名/発表者名
  蓑原伸正, 稲川祐介, 高橋美雪、松浦秀治, 大島武, 伊藤久義
- 学会等名
  第68回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[学会発表] Possibility of High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC Being Used as Portable X-Ray Detector Operating at Room Temperature2007
- 著者名/発表者名
  H. Matsuura
- 学会等名
  International Conference on SiC and Related Materials 2007
- 発表場所
  Otsu, Shiga, Japan
- 年月日
  2007-10-18
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[学会発表] 簡易型SDD素子の開発に向けて2007
- 著者名/発表者名
  松浦秀治
- 学会等名
  大阪電気通信大学エレクトロ基礎研究所ワークショップ
- 発表場所
  大阪電気通信大学
- 年月日
  2007-03-23
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[学会発表] Characterization of Traps in Semi-Insulating 4H-SiC by Discharge Current Transient Spectroscopy2007
- 著者名/発表者名
  M. Takahashi, H. Matsuura
- 学会等名
  International Conference on SiC and Related Materials 2007
- 発表場所
  Otsu, Shiga, Japan
- 年月日
  2007-10-18
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[学会発表] p型4H-SiCの耐放射線性2006
- 著者名/発表者名
  松浦秀治、蓑原伸正、高橋美雪、大島武、伊藤久義
- 学会等名
  SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第15回講演会
- 発表場所
  高崎シティーギャラリー
- 年月日
  2006-11-09
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[学会発表] Decrease in Hole Concentration in Al-doped 4H-SiC by Irradiation of 200 keV electrons2006
- 著者名/発表者名
  H. Matsuura
- 学会等名
  7th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application
- 発表場所
  Takasaki City Gallery, Takasaki, Japan
- 年月日
  2006-10-17
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[学会発表] Si Substrate Suitable for Radiation-Resistant Space Solar Cells2006
- 著者名/発表者名
  H.Matsuura, S.Kawasaki, T.Ohshima, and H.Itoh
- 学会等名
  7th International Workshop on Radiation Effects on Semi conductor Devices for Space Application
- 発表場所
  Takasaki City Gallery,Takasaki,Japan
- 年月日
  2006-10-17
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[学会発表] Mechanisms of Decrease in Hole Concentration in Al-doped 4H-SiC by Irradiation of 200 keV Electrons2006
- 著者名/発表者名
  H.Matsuura, N.Minohara, Y.Inagawa, M.Takahashi, T.Ohshima, and H.Itoh
- 学会等名
  6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  Newcastle upon Tyne,UK
- 年月日
  2006-09-05
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[学会発表] Decrease in Hole Concentration in Al-doped 4H-SiC by Irradiation of 200 keV Electrons2006
- 著者名/発表者名
  N.Minohara, Y.Inagawa, M.Takahashi, H.Matsuura, T.Ohshima, and H.Itoh
- 学会等名
  2nd International Student Conference at Ibaraki University
- 発表場所
  Ibaraki University,Ibaraki,Japan
- 年月日
  2006-10-05
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[学会発表] Si Substrate Suitable for Radiation-Resistant Space Solar Cells2006
- 著者名/発表者名
  H. Matsuura
- 学会等名
  7th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application
- 発表場所
  Takasaki City Gallery, Takasaki, Japan
- 年月日
  2006-10-17
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[学会発表] Mechanisms of Decrease in Hole Concentration in Al-doped 4H-SiC by Irradiation of 200 keV Electrons2006
- 著者名/発表者名
  H. Matsuura
- 学会等名
  6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 発表場所
  Newcastle upon Tyne, UK
- 年月日
  2006-09-05
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[学会発表] Al-doped 4H-SiCエビ膜中の正孔密度の200keV電子線照射量依存性2006
- 著者名/発表者名
  蓑原伸正, 稲川祐介, 高橋美雪, 松浦秀治, 大島武, 伊藤久義
- 学会等名
  第67回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  立命館大学草津キャンパス
- 年月日
  2006-08-30
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[学会発表] Decrease in Hole Concentration in Al-doped 4H-SiC by Irradiation of 200 keV electrons2006
- 著者名/発表者名
  H.Matsuura, N.Minohara, M.Takahashi, T.Ohshima, and H.Itoh
- 学会等名
  7th International Workshop on Radiation Effects on Semi conductor Devices for Space Application
- 発表場所
  Takasaki City Gallery,Takasaki,Japan
- 年月日
  2006-10-17
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356
[学会発表] Decrease in Hole Concentration in Al-doped 4H-SiC by Irradiation of 200 keV Electrons2006
- 著者名/発表者名
  N. Minohara, H. Matsuura
- 学会等名
  2nd International Student Conference at Ibaraki University
- 発表場所
  Ibaraki University, Ibaraki
- 年月日
  2006-10-05
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18560356

1. 須さき渉 (00268294)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 0件
2. 柴田登 (90076836)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 大野宣人 (20194251)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 富岡明宏 (10211400)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 谷口一雄 (50076832)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件

松浦 秀治 MATSUURA Hideharu

研究課題

研究成果

共同研究者

SiC-IGBTのコレクタ用高濃度Al添加4H-SiCの電気伝導機構の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

超高濃度Al添加4H-SiCの抵抗率及びHall係数の温度依存性の物理モデル構築研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

有機半導体／無機半導体へテロ接合及び有機半導体ヘテロ接合の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

微量公害物質検出用室温動作・高エネルギーX線検出素子の研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

サブバンド間遷移を用いた3μm帯室温発振赤外半導体レーザ

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

室温動作赤外半導体レーザの長波長化に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

(InGaAl)As多重へテロ構造のディスオーダ化とそのマイクロレーザへの適用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Comparison of temperature-dependent resistivity of heavily Al- and N-codoped 4H-SiC grown by physical vapor transport and heavily Al-doped 4H-SiC grown by chemical vapor deposition2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Negative Hall coefficient in band conduction region in heavily Al-doped 4H-SiC2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Electrical Properties of Heavily Al-Doped 4H-SiC2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Electrical Properties of Heavily Al-Doped 4H-SiC2023

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Sign and Activation Energy of Hall Coefficient for Hopping Conduction in Heavily Al-Doped 4H-SiC2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Simple physical model for the sign of the Hall coefficient in variable-range hopping conduction in heavily Al-doped p-type 4H-SiC2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Anomalous Conduction between the Band and Nearest-Neighbor Hopping Conduction Regions in Heavily Al-Doped p-Type 4H-SiC2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

松浦秀治 MATSUURA Hideharu