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王 杰  ワン ジエ

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 60281987
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 1996年度: 東北大学, 金属材料研究所, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者以外
応用物性・結晶工学
キーワード
研究代表者以外
Energy Level Diagram for ZnSe : N / Compensation Model / Ion Beam Analysis / Electrical Characterization / Optical spectroscopy / Carrier Compensation Mechanism / P-type ZnSe / II-VI Semiconductor / 補償機構 / ホール濃度 … もっと見る / 窒素ドープ / p型半導体 / ZnSe / ZnSe:N準位図 / イオンピーム法 / P型ZnSe / II-VI族半導体 / ZnSe:N順位図 / 補償モデル / イオンビーム / 電気的評価 / 光学的手法 / キャリアー補償機構 / p型ZnSe / IIーVI族化合物半導体 隠す
  • 研究課題

    (1件)
  • 共同研究者

    (3人)
  •  ワイドギャップIIーVI族化合物半導体におけるキャリアー補償機構の解明

    • 研究代表者
      朱 自強
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東北大学
  • 1.  朱 自強 (10243601)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  陸 ほう (70281988)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  八百 隆文 (60230182)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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