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森 英嗣  MORI Hidetsugu

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 60283644
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 日本大学, 工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2000年度: 京都大学, 工学研究科, 助手
1996年度 – 1998年度: 京都大学, 工学研究科, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者以外
構造・機能材料 / 表面界面物性 / 電子・電気材料工学
キーワード
研究代表者以外
InGaAs / NiInGe / GaAs / 界面 / 電極 / ZnSe / コンタクト抵抗 / GaN / Microstructure / Electrode … もっと見る / Contact resistance / Interface / Ohmic contact / FET / 拡散バリア材 / 低障壁中間層 / 微細構造 / 接触抵抗 / オーミック・コンタクト / Tunnel current / Electron source / Display / Surface damage / Field emission / Diamond / 電子放出 / ダイヤモンド状カーボン / 安定性 / スパッタリング / 電気伝導 / 気相成長 / 電界電子放出 / トンネル電流 / 電子源 / ディスプレイ / 表面損傷 / 電解電子放出 / ダイヤモンド / Schottky Barrier / Coutact Resistance / Ohmic Contact / 窒化ガリウム / GuN / ショットキー障壁 / オーム性電極 / ZuSe 隠す
  • 研究課題

    (3件)
  • 共同研究者

    (5人)
  •  ガリウム・ヒ素化合物半導体用の超新機能電極材料の研究

    • 研究代表者
      村上 正紀
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      構造・機能材料
    • 研究機関
      京都大学
  •  ディプレイ用電子放出素子の電極界面物性

    • 研究代表者
      小出 康夫
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      表面界面物性
    • 研究機関
      京都大学
  •  フルカラー発光素子の高機能電極材料の発掘

    • 研究代表者
      村上 正紀
    • 研究期間 (年度)
      1996 – 1997
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      京都大学
  • 1.  村上 正紀 (70229970)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 2.  小出 康夫 (70195650)
    共同の研究課題数: 3件
    共同の研究成果数: 0件
  • 3.  奥 健夫 (30221849)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  松原 英一郎 (90173864)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  守山 実希 (70303857)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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