酒井徹志 SAKAI Tetsushi

研究者番号	60313368
その他のID
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2001年度 – 2004年度: 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器 / 電子デバイス・機器工学
キーワード	研究代表者 ML-MOSFET / MOSFET / SiGe / SBSI / TML-MOSFET / SOI / HfNO / lateral selective etching of SiGe / hydoro-nitric acid / PtSi … もっと見る / HfON / i-SiGe横方向選択エッチング / フッ硝酸溶液 / HfNO薄膜 / SiGe横方向選択エッチング / フッ硝酸 / ML-MOFET / high-k gate insulator / AlN_xO_y thin film / ECR sputtering / etching selectivity of SiGe / short channel effect / sub-10nm / 原子層制御窒素ドープエピタキシャル層 / 駆動電流 / サブ10ナノメータ / 高誘電率ゲート絶縁膜 / AlNxOy薄膜 / ECRスパッタ / SiGe選択エッチング / 短チャネル効果 / サブ10ナノメーター隠す

サブ10ナノメータ級チャネル多層化新構造MOSFET/SOIの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  酒井徹志
- 研究期間 (年度)
  2003 – 2004
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京工業大学
サブ10ナノメータ級新構造Si MOSFET/SOIの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  酒井徹志
- 研究期間 (年度)
  2001 – 2002
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・機器工学
- 研究機関
  東京工業大学

すべて 2004 2003 2002 その他

すべて雑誌論文産業財産権

[雑誌論文] Characterization of AlON this films formed by ECR plasma oxidation ofAlN/Si(100)2004
- 著者名/発表者名
  Shun-ichiro Ohmi, Go Yamanaka, Tetsushi Sakai
- 雑誌名
  
  IEICE Trans.Electron E87-C
  
  ページ: 24-29
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206039
[雑誌論文] Separation by Bonding Si Islands (SBSI) for LSI Applications2004
- 著者名/発表者名
  T.Sakai et al.
- 雑誌名
  
  Second International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2004)
  
  ページ: 230-231
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206039
[雑誌論文] Proposal of a multi-layer channel MOSFET : the application of selective etching for Si/SoGe stacked layers2004
- 著者名/発表者名
  D, Sasaki, S, Ohmi, M.Sakuraba, J.Murota, T.Sakai
- 雑誌名
  
  Appl.Surf.Sci.224 2004 270 283 224
  
  ページ: 270-273
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206039
[雑誌論文] Characterization of AION Thin Films Formed by ECR Plasma Oxidation of AIN/Si(100)2004
- 著者名/発表者名
  S.Ohmi, G.Yamanaka, T.Sakai
- 雑誌名
  
  IEICE Transactions on Electronics E87-C
  
  ページ: 24-29
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450138
[雑誌論文] A Proposal of a multi-layer channel MOSFET : the application of selective etching for Si/SiGe stacked layers2003
- 著者名/発表者名
  T.Sakai et al.
- 雑誌名
  
  Abstracts of First ISTDM
  
  ページ: 31-32
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450138
[雑誌論文] A proposal of a multi-layer channel MOSFET : the application of selective etching for Si/SiGe stacked layers2003
- 著者名/発表者名
  T.Sakai, S.ohmi, D.Sasaki, M.Sakurada, J.Murota
- 雑誌名
  
  Abstracts of First International SiGe Technology and Device Meeting
  
  ページ: 31-32
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450138
[雑誌論文] Proposal of a multi-layer channel MOSFET : the application of selective etching for Si/SiGe stacked layers2003
- 著者名/発表者名
  D.Sasaki, S.Ohmi, M.Sakurada, J.Murota, T.Sakai
- 雑誌名
  
  Applied Surface Science 224
  
  ページ: 100-103
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450138
[雑誌論文] AlON thin films formed by ECR plasma oxidation for high-k gate insulator application
- 著者名/発表者名
  Go Yamanaka, Shun-ichiro Ohmi, Tetsushi Sakai
- 雑誌名
  
  Mat.Res.Soc.Symp: proc. 786
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206039
[産業財産権] 半導体基板、半導体装置及び半導体基板の作製方法2004
- 発明者名
  酒井徹志他
- 権利者名
  東京工業大学
- 出願年月日
  2004-10-04
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206039
[産業財産権] 半導体基板、半導体装置び半導体基板の作製方法2004
- 発明者名
  酒井徹志他
- 権利者名
  東京工業大学
- 出願年月日
  2004-10-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206039
[産業財産権] 半導体基板、及び半導体基板の作製方法2003
- 発明者名
  酒井徹志他
- 権利者名
  日本国
- 産業財産権番号
  2003-352692
- 出願年月日
  2003-10-10
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15206039
[産業財産権] 電界効果トランジスタ及びその製造方法2002
- 発明者名
  酒井徹志, 室田淳一, 大見俊一郎, 櫻庭政夫
- 権利者名
  日本国
- 出願年月日
  2002-05-02
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450138
[産業財産権] 強誘電体メモリデバイス及び強誘電体メモリデバイスの製造方法2002
- 発明者名
  酒井徹志, 石原宏, 大見俊一郎
- 権利者名
  日本国
- 出願年月日
  2002-09-26
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-13450138

1. 室田淳一 (70182144)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 3件
2. 大見俊一郎 (30282859)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 3件
3. 松尾誠太郎

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

酒井 徹志 SAKAI Tetsushi

研究課題

研究成果

共同研究者

サブ10ナノメータ級チャネル多層化新構造MOSFET/SOIの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

サブ10ナノメータ級新構造Si MOSFET/SOIの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Characterization of AlON this films formed by ECR plasma oxidation ofAlN/Si(100)2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Separation by Bonding Si Islands (SBSI) for LSI Applications2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Proposal of a multi-layer channel MOSFET : the application of selective etching for Si/SoGe stacked layers2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Characterization of AION Thin Films Formed by ECR Plasma Oxidation of AIN/Si(100)2004

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] A Proposal of a multi-layer channel MOSFET : the application of selective etching for Si/SiGe stacked layers2003

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] A proposal of a multi-layer channel MOSFET : the application of selective etching for Si/SiGe stacked layers2003

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] Proposal of a multi-layer channel MOSFET : the application of selective etching for Si/SiGe stacked layers2003

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[雑誌論文] AlON thin films formed by ECR plasma oxidation for high-k gate insulator application

著者名/発表者名

雑誌名

説明

データソース

[産業財産権] 半導体基板、半導体装置及び半導体基板の作製方法2004

発明者名

権利者名

出願年月日

説明

データソース

[産業財産権] 半導体基板、半導体装置び半導体基板の作製方法2004

発明者名

権利者名

出願年月日

データソース

[産業財産権] 半導体基板、及び半導体基板の作製方法2003

発明者名

権利者名

産業財産権番号

出願年月日

説明

データソース

[産業財産権] 電界効果トランジスタ及びその製造方法2002

発明者名

権利者名

出願年月日

説明

データソース

酒井徹志 SAKAI Tetsushi