藤代博記 Fujishiro Hiroki

研究者番号	60339132
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 東京理科大学, 先進工学部電子システム工学科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2020年度 – 2024年度: 東京理科大学, 先進工学部電子システム工学科, 教授 2016年度 – 2018年度: 東京理科大学, 基礎工学部電子応用工学科, 教授 2014年度: 東京理科大学, 基礎工学部, 教授 2013年度: 東京理科大学, 基礎工学部, 教授(Professor) 2010年度 – 2012年度: 東京理科大学, 基礎工学部, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器 / 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連研究代表者以外小区分21050:電気電子材料工学関連 / 電子・電気材料工学
キーワード	研究代表者極限性能トランジスタ / InGaSb / HEMT / テラヘルツ領域 / 量子補正モンテカルロシミュレーション / ナローギャップ半導体 / 遅延時間解析 / fmax / fT / 歪みバンドエンジニアリング … もっと見る / GaInSb / 電子・電気材料 / 低消費電力・高エネルギー密度 / テラヘルツ/赤外材料・素子 / 電子デバイス・機器 / ラフネス散乱 / InSb / 遮断周波数 / 電子移動度 / 格子歪 / 電子有効質量 / 高電子移動度トランジスタ / InP / InGaAs / MOSFET / CMOSロードマップ / 歪バンド構造 / III－V族化合物半導体 / III－VMOSFET / CMOS ロードマップ / 量子輸送 / バリスティック伝導 / III-V族化合物半導体 / III-VMOSFET … もっと見る研究代表者以外シミュレーション / 分子線エピタキシー法 / 量子井戸構造 / InAsSb / 量子ドット / 半導体 / VASP / バンド計算 / 遮断周波数 / バンド構造計算 / モンテカルロ計算 / 電子密度 / 電子移動度 / テラヘルツ帯 / エピタキシャル / マイクロ・ナノデバイス / 半導体物性 / Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体 / エピタキシャル成長 / MOSFET / 表面・界面物性 / Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体 / 電子・電気材料隠す

テラヘルツデバイスへ向けた歪みInAsSb量子ナノ構造の作製とその物性に関する研究
- 研究代表者
  
  遠藤聡
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  東京理科大学
テラヘルツ帯トランジスタのためのInAsSbチャネル量子井戸構造成長に関する研究
- 研究代表者
  
  遠藤聡
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  東京理科大学
InGaSbチャネルを用いたテラヘルツ領域極限性能トランジスタの研究研究代表者
- 研究代表者
  
  藤代博記
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  東京理科大学
テラヘルツ領域極限性能トランジスタの開発研究代表者
- 研究代表者
  
  藤代博記
- 研究期間 (年度)
  2016 – 2018
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京理科大学
Ⅲ‐Ⅴ族ｐチャネルＭＯＳＦＥＴのための価電子帯エンジニアリングと界面双極子制御
- 研究代表者
  
  安田哲二
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  独立行政法人産業技術総合研究所
III-V族化合物半導体MOSFETの量子補正シミュレーション研究代表者
- 研究代表者
  
  藤代博記
- 研究期間 (年度)
  2010 – 2012
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京理科大学

[雑誌論文] InSb/Ga0.22In0.78Sb複合チャネルHEMT構造の高電子移動度化2024
- 著者名/発表者名
  神内智揮，海老原怜央，吉田陸人，河野亮介，町田龍人，渡邊一世，山下良美，原紳介，笠松章史，遠藤聡，藤代博記
- 雑誌名
  
  国立研究開発法人情報通信研究機構2023年度先端ICTデバイスラボ成果報告書
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] Bowing of Energy Gap Curve for InAsSb Calculated Using VASP Based on Hybrid Density Functional Theory2024
- 著者名/発表者名
  H. I. Fujishiro and A. Endoh
- 雑誌名
  
  Activity Report / Supercomputer Center, Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo
  
  巻: 2023
- オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04158
[雑誌論文] 300 GHz 超fT, fmax ダブルドープ構造GaInSb HEMT2024
- 著者名/発表者名
  吉田陸人, 河野亮介, 海老原怜央, 神内智揮, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記
- 雑誌名
  
  第71回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] AlSb/GaSb バッファ層を用いたGaInSb HEMT 構造の低転位化2024
- 著者名/発表者名
  河野亮介，海老原怜央，吉田陸人，神内智揮，町田龍人，渡邊一世，山下良美，原紳介，笠松章史，遠藤聡，藤代博記
- 雑誌名
  
  国立研究開発法人情報通信研究機構2023年度先端ICTデバイスラボ成果報告書
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] GaInSb HEMT のバリア層薄膜化による真性遅延時間低減2024
- 著者名/発表者名
  吉田陸人, 河野亮介, 海老原怜央, 神内智揮, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記
- 雑誌名
  
  第71回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] GaInSb n-チャネル HEMT 構造におけるチャネル歪みの電子輸送特性への影響2023
- 著者名/発表者名
  藤代博記，遠藤聡，羽鳥小春，吉武優輔，吉田陸人，海老原怜央，町田龍人，渡邊一世，山下良美，原紳介，笠松章史
- 雑誌名
  
  国立研究開発法人情報通信研究機構2022年度先端ICTデバイスラボ成果報告書
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] ダブルTe ドープGaInSb HEMT構造の電気的特性2023
- 著者名/発表者名
  尾曽雅宗、羽鳥小春、海老原怜央、神内智揮、河野亮介、遠藤聡、藤代博記
- 雑誌名
  
  第70回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] アンドープキャップAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMTの特性2023
- 著者名/発表者名
  町田龍人、岸本尚之、礒前雄人、林拓也、國澤宗真、遠藤聡、藤代博記、山下良美、原紳介、笠松章史、渡邊一世
- 雑誌名
  
  第84回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] InSb/Ga0.22In0.78Sb 複合チャネルHEMT構造の電気的特性2023
- 著者名/発表者名
  神内智揮，羽鳥小春，海老原怜央，尾曽雅宗，河野亮介，遠藤聡，藤代博記
- 雑誌名
  
  第70回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] Reduction of Defects in GaInSb HEMT Structure by Using AlSb/GaSb Buffer2023
- 著者名/発表者名
  R. Ebihara, G. Ogane, M. Hiraoka, T. Hayashi, M. Kunisawa, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Proc. Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023)
  
  巻: -
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] Performance Comparison of Al0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMT with Undoped- and Doped-cap Layers to Improve RF Characteristics2023
- 著者名/発表者名
  R. Machida, N. Kishimoto, Y. Isomae, T. Hayashi, M. Kunisawa, A. Endoh, H. I. Fujishiro, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, I. Watanabe
- 雑誌名
  
  Proc. Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023)
  
  巻: -
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] Effect of Strain in Channel on Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb HEMT Structures with Strained-Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb Stepped Buffer2022
- 著者名/発表者名
  K. Hatori, N. Kishimoto, M. Hiraoka, Y. Endoh, K. Osawa, T. Hayashi, Y. Kemmochi, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Proc. Compound Semiconductor Week 2022 (CSW2022)
  
  巻: - ページ: 67-67
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] エピタキシャル構造に対してスケーリングを施したGaInSbチャネルHEMT2022
- 著者名/発表者名
  藤代博記、遠藤　聡、礒前雄人、吉武優輔、國澤宗真、羽鳥小春、渡邊一世、山下良美、町田龍人、原　紳介、笠松章史
- 雑誌名
  
  国立研究開発法人情報通信研究機構2021年度先端ICTデバイスラボ成果報告書
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] Development of GaInSb n-Channel HEMTs Using Experiments and Simulations2022
- 著者名/発表者名
  A. Endoh, N. Kishimoto, Y. Isomae, T. Hayashi, M. Kunisawa, K. Sawamura, T. Kawasaki, Y. Satou, I. Watanabe, Y. Yamashita, R. Machida, S. Hara, A. Kasamatsu and H. I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Abstracts of 14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2022)
  
  巻: - ページ: 12-3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] Device Performances and Delay Time Analysis of GaInSb-Channel HEMTs Scaled to Epitaxial Structures2021
- 著者名/発表者名
  Y. Isomae, N. Kishimoto, T. Hayashi, M. Kunisawa, I. Watanabe, Y. Yamashita, R. Machida, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Proc. Compound Semiconductor Week 2021 (CSW2021)
  
  巻: -
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析2021
- 著者名/発表者名
  礒前雄人、岸本尚之、林　拓也、國澤宗真、渡邊一世、山下良美、町田龍人、原　紳介、笠松章史、遠藤　聡、藤代博記
- 雑誌名
  
  信学技報
  
  巻: 121 ページ: 44-47
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] AlSb/GaSbバッファがGaInSb HEMTの電気的特性に与える影響2021
- 著者名/発表者名
  藤代博記、遠藤　聡、林　拓也、岸本尚之、國澤宗真、礒前雄人、渡邊一世、山下良美、町田龍人、原　紳介、笠松章史
- 雑誌名
  
  国立研究開発法人情報通信研究機構2020年度先端ICTデバイスラボ成果報告書
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] ミリ波・テラヘルツ波帯無線通信用電子デバイスの研究開発2018
- 著者名/発表者名
  渡邊一世,山下良美,遠藤聡,原紳介,笠松章史, 吉田智洋,井上和孝,中田健,眞壁勇夫,磯野恭佑,岡直希,原田義彬,竹内淳,町田龍人,藤代博記
- 雑誌名
  
  電気学会電子デバイス研究会技術報告
  
  巻: EDD-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[雑誌論文] Comparative study on noise characteristics of As and Sb-based high electron mobility transistors2017
- 著者名/発表者名
  T.Takahashi, S.Hatsushiba, S.Fujikawa, H.I.Fujishiro
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi A-Applications and Materials Science
  
  巻: 214 号: 3 ページ: 1600599-1600599
- DOI
  10.1002/pssa.201600599
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[雑誌論文] アンチモン系トランジスタの開発2017
- 著者名/発表者名
  藤代博記、磯野恭佑、高橋択斗、原田義彬、岡直希、竹内淳、藤澤由衣、藤川紗千恵、町田龍人、渡邊一世、山下良美、遠藤聡、原紳介、笠松章史
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 117 ページ: 33-36
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[雑誌論文] Effects of HCl treatment and predeposition vacuum annealing on Al2O3/GaSb/GaAs metal–oxide–semiconductor structures2015
- 著者名/発表者名
  Takahiro Gotow, Sachie Fujikawa, Hiroki I. Fujishiro, Mutsuo Ogura, Tetsuji Yasuda, and Tatsuro Maeda
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 54 号: 2 ページ: 021201-021201
- DOI
  10.7567/jjap.54.021201
- NAID
  210000144768
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[雑誌論文] III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析2014
- 著者名/発表者名
  矢島悠貴、大濱諒子、藤川紗千恵、藤代博記
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 114 ページ: 25-28
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[雑誌論文] Comparative Study on III-V Nanoscale DG MOSFETs with Various Channel Materials2013
- 著者名/発表者名
  A. Nishida, R. Ohama, S. Hara, and H. I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Abstracts of 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Comparative Study on Frequency Limits of Nanoscale HEMTs with Various Channel Materials2013
- 著者名/発表者名
  Y. Nagai, S. Nagai, J. Sato, S. Hara, H. I. Fujishiro,A. Endoh, I. Watanabe, and A. Kasamatsu
- 雑誌名
  
  Proceedings of 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2013)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] 真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響2013
- 著者名/発表者名
  後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 113 ページ: 37-42
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[雑誌論文] Comparative study on nano-scale III-V double-gate MOSFETs with various channel materials2013
- 著者名/発表者名
  Akio Nishida, Kei Hasegawa, Ryoko Ohama, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, and Hiroki I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi c: current topics in solid state physics
  
  巻: 10 号: 11 ページ: 1413-1416
- DOI
  10.1002/pssc.201300264
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[雑誌論文] Analysis of Performances of InSb HEMTs Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation2012
- 著者名/発表者名
  J. Sato, Y. Nagai, S. Hara, H. I. Fujishiro, A. Endoh, and I. Watanabe
- 雑誌名
  
  Proceedings of 24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2012)
  
  ページ: 237-240
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Comparative Study on Nano-Scale III-V MOSFETs with Various Channel Materials Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation2012
- 著者名/発表者名
  T. Homma, K. Hasegawa, H. Watanabe, S.Haraand H. I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 9 号: 2 ページ: 346-349
- DOI
  10.1002/pssc.201100275
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] 量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析2012
- 著者名/発表者名
  永井佑太郎, 佐藤純, 原紳介, 藤代博記, 遠藤聡, 渡邊一世
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 112 ページ: 37-42
- NAID
  110009626392
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Impact of Electron Rebound from Drain on Drive Current in Nano-Scale InGaAs MOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  H. I. Fujishiro, H. Watanabe, T. Homma and S. Hara
- 雑誌名
  
  Proc. International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT2010)
  
  巻: 2 ページ: 1350-1352
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Comparative Study on Nano-Scale III-V MOSFETs with Various Channel Materials Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation2011
- 著者名/発表者名
  T.Homma, K.Hasegawa, H. Watanabe, S.Hara, H.I.Fujishiro
- 雑誌名
  
  Abstracts of 38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2011)
  
  ページ: 469-470
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Strain Effects on Performances in InAs HEMTs2011
- 著者名/発表者名
  F. Machida, H. Nishino, J. Sato, H. Watanabe, S. Haraand H. I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Proceedings of 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011)
  
  ページ: 437-440
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Monte Carlo Study of Strain Effect on High Field Electron Transport in InAs and InSb2011
- 著者名/発表者名
  H. Nishino, I. Kawahira, F. Machida, S. Haraand H. I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Proceedings of 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)
  
  ページ: 156-159
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析2011
- 著者名/発表者名
  佐藤純, 町田史晴, 原紳介, 藤代博記
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 111 ページ: 79-84
- NAID
  110008800765
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Comparative Study on Nano-Scale III-V MOSFETs with Various Channel Materials Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation2011
- 著者名/発表者名
  T. Homma, K. Hasegawa, H. Watanabe, S.Haraand H. I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Abstracts of 38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2011)
  
  ページ: 469-470
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation of InSb HEMTs Considering Strain Effects2011
- 著者名/発表者名
  S.Hara, F.Machida, J.Sato, H.I.Fujishiro, A.Endo, Y.Yamashita, I.Watanabe
- 雑誌名
  
  Abstracts of 9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2011)
  
  ページ: 41-42
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation of InSb HEMTs Considering Strain Effects2011
- 著者名/発表者名
  S. Hara, F. Machida, J. Sato, H. I.Fujishiro, A. Endo, Y. Yamashita and I. Watanabe
- 雑誌名
  
  Abstracts of 9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2011)
  
  ページ: 41-42
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Quantum-Corrected Monte Carlo Study of Nano-Scale InGaAs MOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, T. Homma, T. Takegishi, Y. Hirasawa, Y. Hirata, S. Haraand H. I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi C
  
  巻: 8 ページ: 306-309
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Strain Effects on Performances in InAs HEMTs2011
- 著者名/発表者名
  F.Machida, H.Nishino, J.Sato, H.Watanabe, S. Hara, H. I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Proceedings of 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011)
  
  ページ: 437-440
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] InGaAs-ChannelMOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析2011
- 著者名/発表者名
  本間嵩広,渡邉久巨,原紳介,藤代博記
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 110 ページ: 47-52
- NAID
  110007890036
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Impact of Electron Rebound from Drain on Drive Current in Nano-Scale InGaAs MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  H.I.Fujishiro, H.Watanabe, T.Homma, S.Hara
- 雑誌名
  
  Proc.International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT2010)
  
  巻: 2 ページ: 1350-1352
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析2010
- 著者名/発表者名
  本間嵩広, 渡邉久巨, 原紳介, 藤代博記
- 雑誌名
  
  電子情報通信学会技術研究報告
  
  巻: 110 ページ: 47-52
- NAID
  110007890036
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[雑誌論文] Monte Carlo Study of Strain Effect on High Field Electron Transport in InAs and InSb2010
- 著者名/発表者名
  H.Nishino, I.Kawahira, F.Machida, S.Hara, H.I.Fujishiro
- 雑誌名
  
  Proceedings of 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)
  
  ページ: 156-159
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] High fT and fmax of double δ-doped GaInSb channel HEMTs2024
- 著者名/発表者名
  R. Kouno, R. Yoshida, R. Ebihara, T. Jinnai, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2024 (CSW2024)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] Enhanced electron mobility in InSb/Ga0.22In0.78Sb composite channel HEMT structure2024
- 著者名/発表者名
  T. Jinnai, T. Oba, W. Nakajima, R. Ebihara, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2024 (CSW2024)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] GaInSb HEMT のバリア層薄膜化による真性遅延時間低減2024
- 著者名/発表者名
  吉田陸人, 河野亮介, 海老原怜央, 神内智揮, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] 300 GHz 超fT, fmax ダブルドープ構造GaInSb HEMT2024
- 著者名/発表者名
  吉田陸人, 河野亮介, 海老原怜央, 神内智揮, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] Reduction of Defects in GaInSb HEMT Structure by Using AlSb/GaSb Buffer2023
- 著者名/発表者名
  R. Ebihara, G. Ogane, M. Hiraoka, T. Hayashi, M. Kunisawa, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] アンドープキャップAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMTの特性2023
- 著者名/発表者名
  町田龍人、岸本尚之、礒前雄人、林拓也、國澤宗真、遠藤聡、藤代博記、山下良美、原紳介、笠松章史、渡邊一世
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] LT-InSbを用いたGaAs基板上InAsxSb1-x薄膜成長と評価2023
- 著者名/発表者名
  三田泰継、小関敬祐、桑原笑明、小野田悠人、遠藤聡、藤代博記
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04158
[学会発表] Performance Comparison of Al0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMT with Undoped- and Doped-cap Layers to Improve RF Characteristics2023
- 著者名/発表者名
  R. Machida, N. Kishimoto, Y. Isomae, T. Hayashi, M. Kunisawa, A. Endoh, H. I. Fujishiro, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, I. Watanabe
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] InSb/Ga0.22In0.78Sb 複合チャネルHEMT構造の電気的特性2023
- 著者名/発表者名
  神内智揮，羽鳥小春，海老原怜央，尾曽雅宗，河野亮介，遠藤聡，藤代博記
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] ダブルTe ドープGaInSb HEMT構造の電気的特性2023
- 著者名/発表者名
  尾曽雅宗、羽鳥小春、海老原怜央、神内智揮、河野亮介、遠藤聡、藤代博記
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] Effect of Strain in Channel on Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb HEMT Structures with Strained-Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb Stepped Buffer2022
- 著者名/発表者名
  K. Hatori, N. Kishimoto, M. Hiraoka, Y. Endoh, K. Osawa, T. Hayashi, Y. Kemmochi, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2021 (CSW2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] Effect of Strain in Channel on Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb HEMT Structures with Strained-Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb Stepped Buffer2022
- 著者名/発表者名
  K. Hatori, N. Kishimoto, M. Hiraoka, Y. Endoh, K. Osawa, T. Hayashi, Y. Kemmochi, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2022 (CSW2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] Ｘ線回折極点図測定を用いたGaInSb HEMT構造中の双晶評価2022
- 著者名/発表者名
  海老原怜央、國澤宗真、羽鳥小春、吉田陸人、渡邊一世、町田龍人、山下良美、原　紳介、笠松章史、遠藤　聡、藤代博記
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] Development of GaInSb n-Channel HEMTs Using Experiments and Simulations2022
- 著者名/発表者名
  A. Endoh, N. Kishimoto, Y. Isomae, T. Hayashi, M. Kunisawa, K. Sawamura, T. Kawasaki, Y. Satou, I. Watanabe, Y. Yamashita, R. Machida, S. Hara, A. Kasamatsu and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] GaInSb HEMT構造の電気的特性への熱処理の影響2022
- 著者名/発表者名
  吉田陸人、國澤宗真、羽鳥小春、海老原怜央、渡邊一世、町田龍人、山下良美、原　紳介、笠松章史、遠藤　聡、藤代博記
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] Device Performances and Delay Time Analysis of GaInSb-Channel HEMTs Scaled to Epitaxial Structures2021
- 著者名/発表者名
  Y. Isomae, N. Kishimoto, T. Hayashi, M. Kunisawa, I. Watanabe, Y. Yamashita, R. Machida, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2021 (CSW2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] 歪超格子バッファを用いたGaInSb HEMTの電気的特性と膜厚の評価2021
- 著者名/発表者名
  國澤宗真、林　拓也、平岡瑞穂、大金剛毅、渡邊一世、山下良美、原　紳介、町田龍人、笠松章史、遠藤　聡、藤代博記
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析2021
- 著者名/発表者名
  岸本尚之、礒前雄人、林　拓也、國澤宗真、渡邊一世、山下良美、町田龍人、原　紳介、笠松章史、遠藤　聡、藤代博記
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析2021
- 著者名/発表者名
  礒前雄人、岸本尚之、林　拓也、國澤宗真、渡邊一世、山下良美、町田龍人、原　紳介、笠松章史、遠藤　聡、藤代博記
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会「ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] AlSb/GaSbバッファがGaInSb HEMTの電気的特性に与える影響2020
- 著者名/発表者名
  林　拓也、平岡瑞穂、大金剛毅、國澤宗真、岸本尚之、渡邊一世、山下良美、原　紳介、町田龍人、笠松章史、遠藤　聡、藤代博記
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] GaInSbチャネルHEMT構造のゲート・チャネル間距離パラメータが電気的特性に与える影響2019
- 著者名/発表者名
  岸本尚之, 遠藤勇輝, 林拓也, 平岡瑞穂, 町田龍人, 遠藤聡, 藤代博記
- 学会等名
  第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] Improved Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb Quantum Well Channel Using Strained-Al0.40In0.60Sb/Al1-yInySb Stepped Buffer2019
- 著者名/発表者名
  M. Hiraoka, Y. Endoh, K. Osawa, N. Kishimoto, T. Hayashi, R. Machida, A. Endoh, and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019) (16th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2019) & 31th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2019))
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] Effects of Channel Scaling on Electron Transport Properties of Sb-based HEMTs2019
- 著者名/発表者名
  N. Kishimoto, Y. Endoh, T. Hayashi, M. Hiraoka, R. Machida, A. Endoh, and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019) (16th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2019) & 31th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2019))
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] Electron Transport Properties of Novel Ga1-xInxSb Quantum Well Structures with Strained Al0.4In0.6Sb/Al0.3In0.7Sb Stepped Buffer2018
- 著者名/発表者名
  K. Osawa, M. Hiraoka, T. Kishi, Y. Endoh, J. Takeuchi, R. Machida and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2018 (CSW2018) (15th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2018) & 30th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2018))
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] ミリ波・テラヘルツ波帯無線通信用電子デバイスの研究開発2018
- 著者名/発表者名
  渡邊一世,山下良美,遠藤聡,原紳介,笠松章史, 吉田智洋,井上和孝,中田健,眞壁勇夫,磯野恭佑,岡直希,原田義彬,竹内淳,町田龍人,藤代博記
- 学会等名
  電気学会電子デバイス研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] Comprehensive Study on GaxIn1-xSb High Electron Mobility Transistors Considering Interface Roughness Scattering2018
- 著者名/発表者名
  T. Suzuki, Y. Fujisawa, S. Kawamura, K. Kumasaka, R. Machida, and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2018 (CSW2018) (15th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2018) & 30th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2018))
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] LT-AlSb成長がInSb HEMT構造の電気的特性に与える影響2017
- 著者名/発表者名
  遠藤勇輝, 原田義彬, 竹内淳, 岩木拓也, 町田龍人, 藤代博記
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] InSb-based HEMTs fabricated by using two-step-recessed gate procedure2017
- 著者名/発表者名
  N. Oka, K. Isono, Y. Harada, J. Takeuchi, T. Iwaki, Y. Endoh, I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, R. Machida, A. Kasamatsu and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2017)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] Electron Transport Properties of InSb/Ga0.35In0.65Sb Composite Channel Structure2017
- 著者名/発表者名
  S. Fujikawa, T. Iwaki, Y. Harada, J.Takeuchi, Y.Endoh, I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, and A. Kasamatsu, H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2017 (CSW2017) (14th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2017) & 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2017))
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] アンチモン系トランジスタの開発2017
- 著者名/発表者名
  藤代博記、磯野恭佑、高橋択斗、原田義彬、岡直希、竹内淳、藤澤由衣、藤川紗千恵、町田龍人、渡邊一世、山下良美、遠藤聡、原紳介、笠松章史
- 学会等名
  電子デバイス研究会-ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム-
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] Monte Carlo Study on Electron Transport Properties of GaxIn1-xSb HEMT Structures Considering Roughness Scattering2017
- 著者名/発表者名
  Y. Fujisawa, T. Takahashi, S. Kawamura, S. Fujikawa, and H.I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2017 (CSW2017) (14th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2017) & 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2017))
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] Electron transport properties of novel InSb/GaInSb composite channel high electron mobility transistor structures2016
- 著者名/発表者名
  J. Takeuchi, S. Fujikawa, Y. Harada and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  35rd Electronic Materials Symposium (EMS35)
- 発表場所
  Laforet Biwako, Shiga
- 年月日
  2016-07-06
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] InSb-based HEMT with Over 300 GHz-fT using Evaporated SiOx Film2016
- 著者名/発表者名
  K. Isono, D. Tsuji, T. Taketsuru, S. Fujikawa, I. Watanabe Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, A. Kasamatsu, and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) 2016
- 発表場所
  Toyama, Japan
- 年月日
  2016-06-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] Electron Transport Properties of InSb/GaInSb Composite Channel2016
- 著者名/発表者名
  S. Fujikawa, J. Takeuchi, Y. Harada, and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2016),
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2016-09-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] InSb-based HEMTwith Over 300 GHz-fT using Al0.25In0.75Sb/Al0.15In0.85Sb stepped buffer layer for strain reduction2016
- 著者名/発表者名
  S. Fujikawa, K. Isono, Y. Harada, I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, A. Kasamatsu, and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2016)
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2016-09-04
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] Research and development of InP, GaN and InSb-based HEMTs and MMICs for terahertz-wave wireless communications2016
- 著者名/発表者名
  I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, A. Kasamatsu, I. Hosako,H. Hamada, T. Kosugi, M. Yaita, A. E. Moutaouakil, H. Matsuzaki, O. Kagami,T. Takahashi, Y. Kawano, Y. Nakasha, N. Hara,D. Tsuji, K. Isono, S. Fujikawa, and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  2016 IEEE Compound Semiconductor IC Symposium
- 発表場所
  Doubletree by Hilton, Austin, TX, USA
- 年月日
  2016-10-23
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] Comparative Study on Noise Characteristics of As and Sb-based HEMTs2016
- 著者名/発表者名
  Takuto Takahashi, Shota Hatsushiba, Sachie Fujikawa, Hiroki I. Fujishiro
- 学会等名
  International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) 2016
- 発表場所
  Toyama, Japan
- 年月日
  2016-06-26
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] InSb HEMT with over 300 GHz-fT using stepped buffer layer for strain reduction2016
- 著者名/発表者名
  S. Fujikawa, K. Isono, Y. Harada, I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, A. Kasamatsu, and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  35rd Electronic Materials Symposium (EMS35)
- 発表場所
  Laforet Biwako, Shiga
- 年月日
  2016-07-06
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16K06316
[学会発表] Al2O3/GaSb MOS 界面構造における絶縁膜堆積前処理の検討2014
- 著者名/発表者名
  後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博記, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[学会発表] 各種チャネル材料を用いたIII-V DG MOSFETの遅延時間解析2014
- 著者名/発表者名
  矢島悠貴, 大濱諒子, 西田明央, 藤川紗千恵, 藤代博記
- 学会等名
  第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学相模原キャンパス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[学会発表] Demonstration of Ni-GaSb metal S/D GaSb pMOSFETs with vacuum annealing on GaAs substrates2013
- 著者名/発表者名
  Takahiro Goto, Sachie Fujikawa, Hiroki Fujishiro, Mutsuo Ogura, Tetsuji Yasuda, Tatsuro Maeda
- 学会等名
  44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 発表場所
  Arlington, VA, USA
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[学会発表] 各種チャネル材料を用いたIII-V DG MOSFETの特性解析2013
- 著者名/発表者名
  大濱諒子, 西田明央, 藤川紗千恵, 藤代博記
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[学会発表] Comparative Study on Frequency Limits of Nanoscale HEMTs with Various Channel Materials2013
- 著者名/発表者名
  Y. Nagai, S. Nagai, J. Sato, S. Hara, H. I. Fujishiro,A. Endoh, I. Watanabe,and A. Kasamatsu
- 学会等名
  25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2013)
- 発表場所
  神戸
- 年月日
  2013-05-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] GaSbショットキー接合型メタルS/D pMOSFETsの動作実証2013
- 著者名/発表者名
  後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博記, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎
- 学会等名
  第74回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[学会発表] Comparative Study on III-V Nanoscale DG MOSFETs with Various Channel Materials2013
- 著者名/発表者名
  A. Nishida, R. Ohama, S. Hara, and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013)
- 発表場所
  神戸
- 年月日
  2013-05-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] 真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響2013
- 著者名/発表者名
  後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博記, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎
- 学会等名
  電子情報通信学会 ED研
- 発表場所
  富山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[学会発表] InGaAs DG-MOSFETの駆動電流に及ぼすソース/ドレイン拡張領域の影響の解析2012
- 著者名/発表者名
  西田明央,長谷川慶,原紳介,藤代博記
- 学会等名
  電子情報通信学会ソサイエティ大会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2012-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] InSb HEMT のデバイス特性に及ぼすラフネス散乱の影響2012
- 著者名/発表者名
  佐藤純,荒井敦志,町田史晴,原紳介,藤代博記,遠藤聡,渡邊一世
- 学会等名
  第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] 量子補正モンテカルロ法による歪み InSb HEMT の遅延時間解析2012
- 著者名/発表者名
  永井佑太郎, 佐藤純, 原紳介, 藤代博記, 遠藤聡, 渡邊一世
- 学会等名
  電子情報通信学会 ED 研究会
- 発表場所
  福井大学
- 年月日
  2012-07-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Quantum-Corrected Monte Carlo Analysis of Electron Transport in Nano-Scale III-V MOSFETs2012
- 著者名/発表者名
  H. I. Fujishiro
- 学会等名
  BIT's 2nd Annual World Congress of Nanoscience and Nanotechnology (Nano-S&T 2012)
- 発表場所
  Qingdao, China.
- 年月日
  2012-10-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Quantum-Corrected Monte Carlo Analysis of Electron Transport in Nano-Scale III-V MOSFETs2012
- 著者名/発表者名
  Hiroki I. Fujishiro
- 学会等名
  BIT's 2st Annual World Congress of Nanoscience and Nanotechnology (Nano-S&T 2012)
- 発表場所
  Qingdao Kempinski Hotel, China
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Analysis of Performances of InSb HEMTs Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation2012
- 著者名/発表者名
  J. Sato, Y. Nagai, S. Hara, H. I. Fujishiro, A. Endoh, and I. Watanabe
- 学会等名
  24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2012)
- 発表場所
  University of California Santa Barbara, USA.
- 年月日
  2012-08-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] InSb HEMTのデバイス特性に及ぼすラフネス散乱の影響2012
- 著者名/発表者名
  佐藤純, 荒井敦志, 町田史晴, 原紳介, 藤代博記, 遠藤聡, 渡邊一世
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] III-V DG-MOSFET の駆動電流に及ぼすソース/ドレイン形状の影響に関する理論的解析2012
- 著者名/発表者名
  長谷川慶,西田明央,原紳介,藤代博記
- 学会等名
  第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学
- 年月日
  2012-09-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] 歪みInSb HEMTのモンテカルロ解析2011
- 著者名/発表者名
  町田史晴,佐藤純,原紳介,藤代博記,遠藤聡,渡邊一世
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation of InSb HEMTs Considering Strain Effects2011
- 著者名/発表者名
  S. Hara, F. Machida, J. Sato, H. I.Fujishiro, A. Endo, Y. Yamashita and I. Watanabe
- 学会等名
  9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2011)
- 発表場所
  Nagaragawa Convention Center, Gifu.
- 年月日
  2011-08-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] InAs HEMTの歪効果に関するモンテカルロ解析2011
- 著者名/発表者名
  町田史晴, 佐藤純, 西野啓之, 原紳介, 藤代博記
- 学会等名
  応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大(但し震災によりDVDのみによる発表)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析2011
- 著者名/発表者名
  佐藤純, 町田史晴, 原紳介, 藤代博記
- 学会等名
  電子情報通信学会ED研究会
- 発表場所
  長岡技術科学大学
- 年月日
  2011-07-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] 各種チャネル材料を用いた微細III-V MOSFETの特性比較2011
- 著者名/発表者名
  長谷川慶,本間嵩広,原紳介,藤代博記
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学.
- 年月日
  2011-08-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Strain Effects on Performances in InAs HEMTs2011
- 著者名/発表者名
  F.Machida, H.Nishino, J.Sato, H.Watanabe, S.Hara, H.I.Fujishiro
- 学会等名
  23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011)
- 発表場所
  Maritim proArte Hotel, Berlin, Germany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation of Nano-Scale III-V MOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  H. I. Fujishiro
- 学会等名
  BIT's 1st Annual World Congress of Nano-S&T(Nano-S&T 2011)
- 発表場所
  Dalian, China.
- 年月日
  2011-10-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析2011
- 著者名/発表者名
  佐藤純, 町田史晴, 原紳介, 藤代博記
- 学会等名
  電子情報通信学会ED研究会
- 発表場所
  長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] 歪みInSb HEMTのモンテカルロ解析2011
- 著者名/発表者名
  町田史晴, 佐藤純, 原紳介, 藤代博記, 遠藤聡, 渡邊一世
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] InAs HEMTの歪効果に関する理論的研究2011
- 著者名/発表者名
  佐藤純, 町田史晴, 西野啓之, 原紳介, 藤代博記
- 学会等名
  電子情報通信学会総合大会
- 発表場所
  東京都市大学(但し震災によりDVDのみによる発表)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Comparative Study on Nano-Scale III-V MOSFETs with Various Channel Materials Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation2011
- 著者名/発表者名
  T. Homma, K. Hasegawa, H. Watanabe, S.Haraand H. I. Fujishiro
- 学会等名
  38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2011)
- 発表場所
  Berlin, Germany
- 年月日
  2011-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] InAs HEMTの歪効果に関するモンテカルロ解析2011
- 著者名/発表者名
  町田史晴,佐藤純,西野啓之,原紳介,藤代博記
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  神奈川工科大
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation of Nano-Scale III-V MOSFETs2011
- 著者名/発表者名
  Hiroki Fujishiro
- 学会等名
  BIT's 1st Annual World Congress of Nano-S&T
- 発表場所
  World EXPO Center, Dalian, China
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Comparative Study on Nano-Scale III-V MOSFETs witn Various Channel Materials Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation2011
- 著者名/発表者名
  T.Homma, K.Hasegawa, H.Watanabe, S.Hara, H.I.Fujishiro
- 学会等名
  38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2011)
- 発表場所
  Maritim proArte Hotel, Berlin, Geriany
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] InAs HEMTの歪効果に関する理論的研究2011
- 著者名/発表者名
  佐藤純,町田史晴,西野啓之,原紳介,藤代博記
- 学会等名
  電子情報通信学会総合大会
- 発表場所
  東京都市大
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation of InSb HEMTs Considering Strain Effects2011
- 著者名/発表者名
  S.Hara, F.Machida, J Sato, H.I.Fujishiro, H.Endo, Y.Yamashita, I.Watanabe
- 学会等名
  9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2011)
- 発表場所
  Nagaragawa Convention Center, Gifu, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Strain Effects on Performances in InAs HEMTs2011
- 著者名/発表者名
  F. Machida, H. Nishino, J. Sato. H. Watanabe, S. Haraand H. I. Fujishiro
- 学会等名
  23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011)
- 発表場所
  Berlin, Germany.
- 年月日
  2011-05-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] 各種チャネル材料を用いた微細III-V MOSFETの特性比較2011
- 著者名/発表者名
  長谷川慶, 本間嵩広, 原紳介, 藤代博記
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] InGaAs MOSFETの駆動電流に及ぼす電子後方散乱の影響の解析2010
- 著者名/発表者名
  本間嵩広, 渡邉久巨, 原紳介, 藤代博記
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Impact of Electron Rebound from Drain on Drive Current in Nano-Scale InGaAs MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  H. I. Fujishiro, H. Watanabe, T. Homma and S. Hara
- 学会等名
  International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT2010)
- 発表場所
  Shanghai, China.
- 年月日
  2010-11-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] InGaAs MOSFETの駆動電流に及ぼす電子後方散乱の理論的解析2010
- 著者名/発表者名
  渡邉久巨,本間嵩広,原紳介,藤代博記
- 学会等名
  電子情報通信学会ソサイエティ大会
- 発表場所
  大阪府立大学
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] 量子補正モンテカルロ法によるInGaAs MOSFETの電子輸送解析2010
- 著者名/発表者名
  藤代博記
- 学会等名
  電気学会調査専門委員会「グリーンITにおける化合物半導体電子デバイス」研究会
- 発表場所
  法政大学マイクロ・ナノテクノロジーセンタ
- 年月日
  2010-11-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Quantum-Corrected Monte Carlo Study of Nano-Scale InGaAs MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  H. Watanabe, T. Homma, T. Takegishi, Y. Hirasawa, Y. Hirata, S. Haraand H. I. Fujishiro
- 学会等名
  37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010)
- 発表場所
  Kagawa.
- 年月日
  2010-06-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] 格子整合系歪みInAs HEMTのモンテカルロ解析2010
- 著者名/発表者名
  町田史晴,西野啓之,原紳介,藤代博記
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] 量子補正モンテカルロ法によるInGaAs MOSFETの電子輸送解析2010
- 著者名/発表者名
  藤代博記
- 学会等名
  電気学会調査専門委員会「グリーンITにおける化合物半導体電子デバイス」研究会
- 発表場所
  法政大学
- 年月日
  2010-11-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] InGaAs MOSFETの駆動電流に及ぼす電子後方散乱の影響の解析2010
- 著者名/発表者名
  本間嵩広,渡邉久巨,原紳介,藤代博記
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学.
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] 格子整合系歪みInAs HEMTのモンテカルロ解析2010
- 著者名/発表者名
  町田史晴, 西野啓之, 原紳介, 藤代博記
- 学会等名
  応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Monte Carlo Study of Strain Effect on High Field Electron Transport in InAs and InSb2010
- 著者名/発表者名
  H. Nishino, I. Kawahira, F. Machida, S. Haraand H. I. Fujishiro
- 学会等名
  22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)
- 発表場所
  Kagawa.
- 年月日
  2010-06-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Impact of Electron Rebound from Drain on Drive Current in Nano-Scale InGaAs MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  H.I.Fujishiro, H.Watanabe, T.Homma, S.Hara
- 学会等名
  International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT2010)
- 発表場所
  InterContinental Hotel, Shanghai, China
- 年月日
  2010-11-03
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析2010
- 著者名/発表者名
  本間嵩広, 渡邉久巨, 原紳介, 藤代博記
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- 発表場所
  北陸先端科学技術大学院大学
- 年月日
  2010-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] InGaAs-ChannelMOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析2010
- 著者名/発表者名
  本間嵩広,渡邉久巨,原紳介,藤代博記
- 学会等名
  電子情報通信学会ED研究会
- 発表場所
  北陸先端科学技術大学院大学.
- 年月日
  2010-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] Quantum-Corrected Monte Carlo Study of Nano-Scale InGaAs MOSFETs2010
- 著者名/発表者名
  H.Watanabe, T.Homma, T.Takegishi, Y.Hirasawa, Y.Hirata, S.Hara, H.I.Fujishiro
- 学会等名
  37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010)
- 発表場所
  Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan
- 年月日
  2010-06-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22560346
[学会発表] GaSb表面の純窒化プロセスの検討
- 著者名/発表者名
  後藤高寛、藤川紗千恵、藤代博記、小倉睦郎、安田哲二、前田辰郎
- 学会等名
  第62回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学　湘南キャンパス
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[学会発表] 窒素プラズマ処理を施したAl2O3/GaSb MOS構造の特性評価
- 著者名/発表者名
  後藤高寛、藤川紗千恵、藤代博記、小倉睦郎、安田哲二、前田辰郎
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[学会発表] Analysis of delay times in III-V MOSFETs with various channel materials
- 著者名/発表者名
  R.Ohama, Y.Yajima, A.Nishida, S.Fujikawa and H.I.Fujishiro
- 学会等名
  41th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2014)
- 発表場所
  Montpellier (France)
- 年月日
  2014-05-11 – 2014-05-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058
[学会発表] Comparison of delay times in III-V MOSFETs with various channel materials
- 著者名/発表者名
  Y. Yajima, R. Ohama, S. Fujikawa and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  第34回電子材料シンポジウム
- 発表場所
  ラフォーレ修善寺（静岡県伊豆市）
- 年月日
  2014-07-09 – 2014-07-11
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24246058

1. 遠藤聡 (60417110)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 37件
2. 町田龍人 (50806560)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 42件
3. 原紳介 (30434038)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 55件
4. 安田哲二 (90220152)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
5. 前田辰郎 (40357984)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 8件
6. 宮田典幸 (40358130)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 大竹晃浩 (30267398)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 奈良純 (30354145)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 市川昌和 (20343147)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 田中正俊 (90130400)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 藤川紗千恵 (90550327)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 12件
12. 渡邊一世 (20450687)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 31件

藤代 博記 Fujishiro Hiroki

研究課題

研究成果

共同研究者

テラヘルツデバイスへ向けた歪みInAsSb量子ナノ構造の作製とその物性に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

テラヘルツ帯トランジスタのためのInAsSbチャネル量子井戸構造成長に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

InGaSbチャネルを用いたテラヘルツ領域極限性能トランジスタの研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

テラヘルツ領域極限性能トランジスタの開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

Ⅲ‐Ⅴ族ｐチャネルＭＯＳＦＥＴのための価電子帯エンジニアリングと界面双極子制御

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

III-V族化合物半導体MOSFETの量子補正シミュレーション研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] InSb/Ga0.22In0.78Sb複合チャネルHEMT構造の高電子移動度化2024

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Bowing of Energy Gap Curve for InAsSb Calculated Using VASP Based on Hybrid Density Functional Theory2024

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 300 GHz 超fT, fmax ダブルドープ構造GaInSb HEMT2024

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] AlSb/GaSb バッファ層を用いたGaInSb HEMT 構造の低転位化2024

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] GaInSb HEMT のバリア層薄膜化による真性遅延時間低減2024

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] GaInSb n-チャネル HEMT 構造におけるチャネル歪みの電子輸送特性への影響2023

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] ダブルTe ドープGaInSb HEMT構造の電気的特性2023

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] アンドープキャップAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMTの特性2023

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] InSb/Ga0.22In0.78Sb 複合チャネルHEMT構造の電気的特性2023

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Reduction of Defects in GaInSb HEMT Structure by Using AlSb/GaSb Buffer2023

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

藤代博記 Fujishiro Hiroki