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坂田 功  SAKATA Isao

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 60357100
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2014年度: 産業技術総合研究所, 太陽光発電工学研究センター
審査区分/研究分野
研究代表者以外
プラズマ科学
キーワード
研究代表者以外
トラップキャリア / プラズマプロセス / 実時間観測 / その場測定 / 半導体薄膜 / PECVD / トラップ / キャリア輸送 / 光電流 / アモルファスシリコン … もっと見る / プラズマCVD / 欠陥 / 太陽電池 / 半導体 / プラズマ 隠す
  • 研究課題

    (1件)
  • 研究成果

    (10件)
  • 共同研究者

    (1人)
  •  薄膜シリコン成長時の半導体特性評価法の開発と欠陥形成機構の解明

    • 研究代表者
      布村 正太
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      プラズマ科学
    • 研究機関
      独立行政法人産業技術総合研究所

すべて 2014 2013 2012 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 産業財産権

  • [雑誌論文] In-situ characterization of trapped charges in amorphous semiconductor films during plasma-enhanced chemical vapor deposition2014

    • 著者名/発表者名
      S Nunomura, I Sakata
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 4 号: 9

    • DOI

      10.1063/1.4895345

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24540546
  • [雑誌論文] In situ Photocurrent Measurements of Thin-Film Semiconductors during Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition2013

    • 著者名/発表者名
      Shota Nunomura, Isao Sakata, and Michio Kondo
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 6 号: 12 ページ: 126201-126201

    • DOI

      10.7567/apex.6.126201

    • NAID

      40019923411

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24540546
  • [産業財産権] 太陽電池の製造工程における発電性能の予測方法、並びにそれを用いた製造工程における最適化方法及び異常検知方法2012

    • 発明者名
      布村 正太、坂田 功、吉田 郵司、近藤 道雄
    • 権利者名
      布村 正太、坂田 功、吉田 郵司、近藤 道雄
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2012-141225
    • 出願年月日
      2012-06-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24540546
  • [学会発表] プラズマプロセス下の半導体薄膜の欠陥発生と修復の実時間モニタリング2014

    • 著者名/発表者名
      布村正太、坂田功
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学(北海道)
    • 年月日
      2014-09-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24540546
  • [学会発表] In-situ monitoring of carrier transport in semiconductor active layer under plasma processing2014

    • 著者名/発表者名
      S. Nunomura, I. Sakata, and M. Kondo
    • 学会等名
      The 36th International Symposium on Dry Process
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県)
    • 年月日
      2014-11-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24540546
  • [学会発表] In-situ characterization of photoexcited carrier transport during a-Si:H film growth2014

    • 著者名/発表者名
      S. Nunomura, I. Sakata, M. Kondo
    • 学会等名
      2014 MRS Spring Meeting & Exhibit
    • 発表場所
      Moscone West Convention Center, San Francisco, USA
    • 年月日
      2014-04-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24540546
  • [学会発表] 薄膜シリコン成長時のトラップ電荷とキャリア輸送のその場評価2014

    • 著者名/発表者名
      布村正太、坂田功
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学(北海道)
    • 年月日
      2014-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24540546
  • [学会発表] プラズマプロセス下における薄膜半導体材料のダメージとアニーリング

    • 著者名/発表者名
      布村 正太、坂田 功、吉田 郵司、近藤 道雄
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24540546
  • [学会発表] In-situ characterization of photoexcited carrier transport during a-Si:H film growth

    • 著者名/発表者名
      Shota Nunomura, Isao Sakata, and Michio Kondoa,
    • 学会等名
      2014 MRS Spring Meeting & Exhibit
    • 発表場所
      San Francisco
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24540546
  • [学会発表] 薄膜シリコン成長時におけるキャリア輸送特性の実時間観測

    • 著者名/発表者名
      布村 正太、坂田 功、吉田 郵司、近藤 道雄
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24540546
  • 1.  布村 正太 (50415725)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 9件

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