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土田 秀一  Tsuchida Hidekazu

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 60371639
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 一般財団法人電力中央研究所, エネルギートランスフォーメーション研究本部, 研究参事
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2022年度: 一般財団法人電力中央研究所, エネルギートランスフォーメーション研究本部, 副研究参事
2021年度: 一般財団法人電力中央研究所, エネルギートランスフォーメーション研究本部 材料科学研究部門, 副部門長 副研究参事
2020年度: 一般財団法人電力中央研究所, 材料科学研究所, 領域リーダー 副研究参事
審査区分/研究分野
研究代表者
中区分30:応用物理工学およびその関連分野
キーワード
研究代表者
4H-SiC / 応力 / 高温CVD法 / SiC / 転位動力学 / X線トポグラフィ / 熱応力 / 転位 / 結晶成長 / 炭化珪素
  • 研究課題

    (1件)
  • 研究成果

    (12件)
  •  高温CVD法による高速SiCバルク結晶成長における転位低減機構解明と限界探求研究代表者

    • 研究代表者
      土田 秀一
    • 研究期間 (年度)
      2020 – 2022
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 審査区分
      中区分30:応用物理工学およびその関連分野
    • 研究機関
      一般財団法人電力中央研究所

すべて 2023 2022 2021 2020

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Investigation of propagation and coalescence of threading screw and mixed dislocations in 4H-SiC crystals grown by the high-temperature gas source method2022

    • 著者名/発表者名
      Kamata Isaho、Hoshino Norihiro、Betsuyaku Kiyoshi、Kanda Takahiro、Tsuchida Hidekazu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 590 ページ: 126676-126676

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2022.126676

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00356
  • [雑誌論文] 大容量SiCパワーデバイスに向けた結晶成長技術の開発2021

    • 著者名/発表者名
      土田秀一、鎌田功穂、星乃紀博、村田晃一
    • 雑誌名

      応用物理

      巻: 90 号: 11 ページ: 675-678

    • DOI

      10.11470/oubutsu.90.11_675

    • NAID

      130008109769

    • ISSN
      0369-8009, 2188-2290
    • 年月日
      2021-11-01
    • 言語
      日本語
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00356
  • [雑誌論文] Reduction in dislocation densities in 4H-SiC bulk crystal grown at high growth rate by high-temperature gas-source method2020

    • 著者名/発表者名
      Hoshino Norihiro、Kamata Isaho、Kanda Takahiro、Tokuda Yuichiro、Kuno Hironari、Tsuchida Hidekazu
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 13 号: 9 ページ: 095502-095502

    • DOI

      10.35848/1882-0786/abace0

    • 査読あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00356
  • [雑誌論文] 高電圧パワー半導体に向けたSiC結晶材料開発2020

    • 著者名/発表者名
      土田秀一
    • 雑誌名

      電気評論

      巻: 12 ページ: 13-17

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00356
  • [学会発表] 高温ガス法による高速4H-SiCバルク結晶成長における転位密度低減2023

    • 著者名/発表者名
      星乃紀博、鎌田功穂、神田貴裕、徳田雄一郎、久野裕也、土田秀一
    • 学会等名
      第70回応用物理学会春季学術講演会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00356
  • [学会発表] 4H-SiC結晶における貫通刃状転位の上昇運動を考慮した転位動力学シミュレーション2022

    • 著者名/発表者名
      別役潔、星乃紀博、鎌田功穂、神田貴裕、土田秀一
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00356
  • [学会発表] 4H-SiCにおける貫通刃状転位間の相互作用2021

    • 著者名/発表者名
      別役潔、星乃紀博、鎌田功穂、神田貴裕、土田秀一
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00356
  • [学会発表] Recent progress in 4H-SiC CVD growth and defect control2021

    • 著者名/発表者名
      Hidekazu Tsuchida, Isaho Kamata, Norihiro Hoshino, and Koichi Murata
    • 学会等名
      13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
    • 招待講演 / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00356
  • [学会発表] 放射光セクショントポグラフィによる貫通転位挙動の観察2021

    • 著者名/発表者名
      鎌田功穂、星乃紀博、別役潔、神田貴裕、土田秀一
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00356
  • [学会発表] 高耐圧SiCパワーデバイスの高性能化・高信頼性化を目指した欠陥制御2020

    • 著者名/発表者名
      土田秀一、鎌田功穂、星乃紀博、村田晃一、前田康二、浅田聡志
    • 学会等名
      日本学術振興会「ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会」第120回研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00356
  • [学会発表] ガス法で成長した4H-SiCバルク結晶中の貫通転位ペアの分布評価2020

    • 著者名/発表者名
      星乃紀博、鎌田功穂、別役潔、神田貴裕、土田秀一
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会第7回講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00356
  • [学会発表] 高品質 SiC 結晶成長技術の開発と欠陥評価2020

    • 著者名/発表者名
      土田秀一、鎌田功穂、星乃紀博、村田晃一、宮澤哲哉
    • 学会等名
      日本学術振興会「放射線科学とその応用第186委員会」 第36回研究会
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-20H00356

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