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太田 実雄  Jitsuo Ohta

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 60392924
その他のID
外部サイト
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2014年度 – 2015年度: 東京大学, 生産技術研究所, 助教
2010年度: 東京大学, 生産技術研究所, 助教
2007年度: 東京大学, 生産技術研究所, 助教
2005年度 – 2006年度: 東京大学, 生産技術研究所, 助手
審査区分/研究分野
研究代表者
デバイス関連化学 / 応用物性・結晶工学
研究代表者以外
理工系
キーワード
研究代表者
スパッタ / Si / MEMS / GaN / Sic / InGaN / 低温 / SiC / PLD
研究代表者以外
高速電子素子 … もっと見る / 赤外発光素子 / 窒化インジウム / 低温成長 / パルス励起堆積法 / III族窒化物 隠す
  • 研究課題

    (3件)
  • 研究成果

    (67件)
  • 共同研究者

    (1人)
  •  低温成長技術によるシリコン(111)上への窒化物系発光素子集積と光MEMS応用研究代表者

    • 研究代表者
      太田 実雄
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2015
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      デバイス関連化学
    • 研究機関
      東京大学
  •  パルス励起堆積法による窒化インジウム系半導体の低温成長

    • 研究代表者
      藤岡 洋
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2010
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東京大学
  •  SiC基板上への高品質InGaN混晶の低温エピタキシャル成長研究代表者

    • 研究代表者
      太田 実雄
    • 研究期間 (年度)
      2005 – 2006
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京大学

すべて 2015 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Characteristics of AlN Films Grown on Thermally-Nitrided Sapphire Substrates2011

    • 著者名/発表者名
      K.Ueno, J.Ohta, H.Fujioka, H.Fukuyama
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 4

    • NAID

      10027782707

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Fabrication of densely packed array of GaN nanostructures on nano-imprinted substrates.2011

    • 著者名/発表者名
      F.Shih, A.Kobayashi, S.inoue, J.Ohta, H.Fujioka
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 319 ページ: 102-105

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Coherent growth of r-plane GaN films on ZnO substrates at room temperature2011

    • 著者名/発表者名
      A.Kobayashi, K.Ueno, J.Ohta, H.Fujioka
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      ページ: 1-4

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Band Offsets of Polar and Nonpolar GaN/ZnO Heterostructures Determined by Synchrotron Radiation Photoemission Spectroscopy2010

    • 著者名/発表者名
      J.W.Liu, A.Kobayashi, S.Toyoda, H.Kamada, A.Kikuchi, J.Ohta, H.Fujioka.
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi B

      ページ: 1-4

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Growth Orientation Control of Semipolar InN Films Using Yttria-Stabilized Zirconia Substrates2010

    • 著者名/発表者名
      T.Fujii, K.Shimomoto, J.Ohta, M.Oshima, H.Fujioka
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 49

      ページ: 80204-80204

    • NAID

      40017253748

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Structural Characteristics of GaN/InN Heterointerfaces Fabricated at Low Temperatures by Pulsed Laser Deposition2010

    • 著者名/発表者名
      T.Fujii, A.Kobayashi, K.Shimomoto, J.Ohta, M.Oshima, H.Fujioka
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Exp. 3

      ページ: 21003-21003

    • NAID

      10027013296

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Improvement in the crystalline quality of semipolar AlN (1_102) films using ZnO substrates with self-organized nanostripes2010

    • 著者名/発表者名
      K.Ueno, A.Kobayashi, J.Ohta, H.Fujioka
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 3

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Optical polarization characteristics of m-plane InGaN films coherently grown on ZnO substrates2010

    • 著者名/発表者名
      A.Kobayashi, K.Shimomoto, J.Ohta, H.Fujioka, M.Oshima
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (RRL)

      巻: 4 ページ: 188-190

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Characteristics of thick m-plane InGaN films grown on ZnO substrates using room temperature epitaxial buffer layers2010

    • 著者名/発表者名
      K.Shimomoto, A.Kobayashi, K.Ueno, J.Ohta, M.Oshima, H.Fujioka
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 3

    • NAID

      10027014931

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Optical polarization characteristics of m-plane InGaN films coherently grown on ZnO substrates2010

    • 著者名/発表者名
      A.Kobayashi, K.Shimomoto, J.Ohta, H.Fujioka, M.Oshima
    • 雑誌名

      Phys.Status Solidi (RRL) 4

      ページ: 188-188

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Structural and optical properties of nonpolar AlN (11_20) films grown on ZnO (11_20) substrates with a room-temperature GaN buffer layer2010

    • 著者名/発表者名
      K.Ueno, A.Kobayashi, J.Ohta, H.Fujioka
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 49

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Improvements in optical properties of semipolar r-plane GaN films grown using atomically flat ZnO substrates and room temperature epitaxial buffer layers2010

    • 著者名/発表者名
      A.Kobayashi, S.Kawano, K.Ueno, J.Ohta, H.Fujioka
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 49

    • NAID

      40017341189

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Characteristics of m-Plane InN Films Grown on ZnO Substrates at Room Temperature by Pulsed Laser Deposition2010

    • 著者名/発表者名
      K.Shimomoto, A.Kobayashi, K.Mitamura, K.Ueno, J.Ohta, M.Oshima, H.Fujioka
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 49

      ページ: 80202-80202

    • NAID

      40017253746

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Structural properties of semipolar AlxGa1-xN (1_103) films grown on ZnO substrates using room temperature epitaxial buffer layers2010

    • 著者名/発表者名
      K.Ueno, A.Kobayashi, J.Ohta, H.Fujioka
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      巻: 207 ページ: 2149-2152

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Investigation on the conversion efficiency of InGaN solar cells fabricated on GaN and ZnO substrates2010

    • 著者名/発表者名
      S.Inoue, M.Katoh, A.Kobayashi, J.Ohta, H.Fujioka
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi RRL

      巻: 4 ページ: 88-90

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Room-temperature epitaxial growth of high quality m-plane InAlN films on nearly lattice-matched ZnO substrates2010

    • 著者名/発表者名
      T.Kajima, A.Kobayashi, K.Ueno, K.Shimomoto, T.Fujii, J.Ohta, H.Fujioka, M.Oshima
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 49

    • NAID

      40017216057

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Characteristics of thick m-plane InGaN films grown on ZnO substrates using room temperature epitaxial buffer layers2010

    • 著者名/発表者名
      K.Shimomoto, A.Kobayashi, K.Ueno, J.Ohta, M.Oshima, H.Fujioka
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Exp. 3

      ページ: 61001-61001

    • NAID

      10027014931

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Growth orientation control of semipolar InN films using yttria-stabilized zirconia substrates2010

    • 著者名/発表者名
      T.Fujii, K.Shimomoto, J.Ohta, M.Oshima, H.Fujioka
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 49

    • NAID

      40017253748

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Characteristics of m-plane InN films grown on ZnO substrates at room temperature by pulsed laser deposition2010

    • 著者名/発表者名
      K.Shimomoto, A.Kobayashi, K.Mitamura, K.Ueno, J.Ohta, M.Oshima, H.Fujioka
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 49

    • NAID

      40017253746

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Structural characteristics of semipolar InN (11 21) films grown on yttria stabilized zirconia substrates2010

    • 著者名/発表者名
      T.Fujii, A.Kobayashi, J.Ohta, M.Oshima, H.Fujioka
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      巻: 207 ページ: 2269-2271

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Growth of group III nitride films by pulsed electron beam deposition2009

    • 著者名/発表者名
      J.Ohta
    • 雑誌名

      Journal of Solid State Chemistry 182

      ページ: 1241-1244

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Fabrication and Characterization of AlN/InN Heterostructures2009

    • 著者名/発表者名
      T.Fujii, K.Shimomoto, R.Ohba, Y.Toyoshima, K.Horiba, J.Ohta, H.Fujioka, M.Oshima, S.Ueda, H.Yoshikawa, K.Kobayashi
    • 雑誌名

      Appl Phys.Exp. 2

      ページ: 11002-11002

    • NAID

      10025083913

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Epitaxial growth of high purity cubic InN films on MgO substrates using HfN buffer layers by pulsed laser deposition2009

    • 著者名/発表者名
      R.Ohba, J.Ohta, K.Shimomoto, T.Fujii, K.Okamoto, A.Aoyama, T.Nakano, A.Kobayashi, H.Fujioka, M.Oshima
    • 雑誌名

      J.Solid State Chemistry 182

      ページ: 2887-2887

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Room-Temperature Epitaxial Growth of High Quality AlN on SiC by Pulsed Sputtering Deposition2009

    • 著者名/発表者名
      K. Sato, J. Ohta, S. Inoue, A. Kobayashi, and H. Fujioka
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Exp. 2

      ページ: 11003-11003

    • NAID

      10025083938

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Growth of group III nitride films by pulsed electron beam deposition2009

    • 著者名/発表者名
      J. Ohta
    • 雑誌名

      J. Solid State Chemistry (in press)(掲載確定)

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Low-temperature growth of high quality AlN films on carbon face 6H-SiC2008

    • 著者名/発表者名
      M.-H.Kim, J.Ohta, A.Kobayashi, H.Fujioka, M.Oshima
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 2

      ページ: 13-13

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Growth of InN films on spinel substrates by pulsed laser deposition2007

    • 著者名/発表者名
      K. Mitamura, J. Ohta, H. Fujioka, and M. Oshima
    • 雑誌名

      physica status solidi (rapid research letters) 5

      ページ: 211-211

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Room temperature epitaxial growth of m-plane GaN on lattice-matched ZnO substrates2007

    • 著者名/発表者名
      A. Kobayashi, S. Kawano, Y. Kawaguchi, J. Ohta, and H. Fujioka
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 90

      ページ: 41908-41908

    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Epitaxial growth mechanisms of AlN on SiC substrates at room temperature2007

    • 著者名/発表者名
      M.H.Kim, J.Ohta, A.Kobayashi, H.Fujioka, M.Oshima
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 91

      ページ: 151903-151903

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [雑誌論文] Low temperature epitaxial growth of InN films2006

    • 著者名/発表者名
      J.Ohta
    • 雑誌名

      Solid State Communications 137

      ページ: 208-208

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17760005
  • [雑誌論文] III族窒化物室温成長バッファー層の評価2005

    • 著者名/発表者名
      太田実雄
    • 雑誌名

      日本結晶成長学会誌 32

      ページ: 82-82

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17760005
  • [学会発表] GaN薄膜成長におけるHfNバッファ層の検討2015

    • 著者名/発表者名
      篠塚 正之, 太田 実雄, 綿引 康介, 金 惠蓮, 上野 耕平, 小林 篤, 藤岡 洋
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26870108
  • [学会発表] 伝導性バッファー層を用いたSi基板上へのGaN薄膜成長2015

    • 著者名/発表者名
      篠塚 正之, 綿引 康介, 太田 実雄, 金 惠蓮, 上野 耕平, 小林 篤, 藤岡 洋
    • 学会等名
      第45回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2015-10-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26870108
  • [学会発表] マイカ基板を用いたIII族窒化物LEDの作製2011

    • 著者名/発表者名
      野村周平, 田村和也, 太田実雄, 井上茂, 藤岡洋
    • 学会等名
      春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      (予稿集DVD(震災のため学会が中止となった。既に予稿集DVDが発行済みであったため、学会事務局の判断で発表の扱いとなった。))
    • 年月日
      2011-03-24
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] 原子散乱表面分光法による半極性面AlN/ZnOの極性判定2011

    • 著者名/発表者名
      小林篤, 上野耕平, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治, 中西繁光, 東堤秀明
    • 学会等名
      春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      (予稿集DVD(震災のため学会が中止となった。既に予稿集DVDが発行済みであったため、学会事務局の判断で発表の扱いとなった。))
    • 年月日
      2011-03-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] 無極性面・半極性面ZnO基板上InGaNの偏光スイッチング2011

    • 著者名/発表者名
      玉木啓晶, 小林篤, 太田実雄, 尾嶋正治, 藤岡洋
    • 学会等名
      春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      (予稿集DVD(震災のため学会が中止となった。既に予稿集DVDが発行済みであったため、学会事務局の判断で発表の扱いとなった。))
    • 年月日
      2011-03-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] ZnO基板上への全組成域m面InAlN薄膜のエピタキシャル成長2011

    • 著者名/発表者名
      梶間智文, 上野耕平, 小林篤, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治
    • 学会等名
      春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      (予稿集DVD(震災のため学会が中止となった。既に予稿集DVDが発行済みであったため、学会事務局の判断で発表の扱いとなった。))
    • 年月日
      2011-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] グラファイトシート上GaN青色LEDの作製2011

    • 著者名/発表者名
      金子俊郎, 太田実雄, 井上茂, 藤岡洋
    • 学会等名
      春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      (予稿集DVD(震災のため学会が中止となった。既に予稿集DVDが発行済みであったため、学会事務局の判断で発表の扱いとなった。))
    • 年月日
      2011-03-24
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] Al2O3/InN界面の電子状態評価2011

    • 著者名/発表者名
      大久保佳奈, 小林篤, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治
    • 学会等名
      春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      (予稿集DVD(震災のため学会が中止となった。既に予稿集DVDが発行済みであったため、学会事務局の判断で発表の扱いとなった。))
    • 年月日
      2011-03-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] 窒化サファイア基板上に成長したAlN薄膜の微細構造観察2011

    • 著者名/発表者名
      上野耕平, 太田実雄, 藤岡洋, 福山博之
    • 学会等名
      春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      (予稿集DVD(震災のため学会が中止となった。既に予稿集DVDが発行済みであったため、学会事務局の判断で発表の扱いとなった。))
    • 年月日
      2011-03-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] PSD法により成長したGaN薄膜の電気特性2011

    • 著者名/発表者名
      丹所昂平, 井上茂, 太田実雄, 藤岡洋
    • 学会等名
      春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      (予稿集DVD(震災のため学会が中止となった。既に予稿集DVDが発行済みであったため、学会事務局の判断で発表の扱いとなった。))
    • 年月日
      2011-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] Growth Orientation Control of InN by Pulsed Excitation Deposition2010

    • 著者名/発表者名
      Hiroshi Fujioka, Tomoaki Fujii, Atsushi Kobayashi, Jitsuo Ohta, Masaharu Oshima
    • 学会等名
      ELECTRONIC MATERIALS CONFERENCE
    • 発表場所
      South Bend, U.S.A
    • 年月日
      2010-06-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] ZnO基板上への無極性面・半極性面InAlN薄膜の成長2010

    • 著者名/発表者名
      梶間智文, 上野耕平 小林篤, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治
    • 学会等名
      第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      三重大学
    • 年月日
      2010-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] 高In濃度InGaNを用いた太陽電池の試作2010

    • 著者名/発表者名
      井上茂, 太田実雄, 加藤雅樹, 田村和也, 藤岡洋
    • 学会等名
      秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学文教キャンパス
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] ZnO基板から異方的歪みを受けたm面InGaN薄膜の偏光特性2010

    • 著者名/発表者名
      玉木啓晶, 小林篤, 太田実雄, 尾嶋正治, 藤岡洋
    • 学会等名
      第29回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] 放射光光電子分光による極性面・無極性面GaN/ZnOヘテロ界面の解析2010

    • 著者名/発表者名
      劉江偉, 小林篤, 豊田智史, 菊池亮, 太田実雄, 藤岡洋, 組頭広志, 尾嶋正治
    • 学会等名
      秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学文教キャンパス
    • 年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] パルススパッタ法による太陽電池用InGaN薄膜の作製2010

    • 著者名/発表者名
      加藤雅樹, 田村和也, 井上茂, 太田実雄, 藤岡洋
    • 学会等名
      第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      三重大学
    • 年月日
      2010-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] ZnO基板上半極性面AlGaN薄膜の偏光特性評価2010

    • 著者名/発表者名
      上野耕平, 小林篤, 太田実雄, 藤岡洋
    • 学会等名
      秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学文教キャンパス
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] BNTCA-BPTAポリマー焼結グラファイトシート上へのGaN薄膜成長2010

    • 著者名/発表者名
      金子俊郎, 太田実雄, 藤岡洋, 山下順也, 羽鳥浩章, 児玉昌也, 平崎哲郎, 植仁志
    • 学会等名
      第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      三重大学
    • 年月日
      2010-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] ZnO基板上への高In組成m面InAlN薄膜の成長2010

    • 著者名/発表者名
      梶間智文, 上野耕平, 小林篤, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治
    • 学会等名
      秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学文教キャンパス
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] Improvement in crystalline quality of semipolar AlN (1-102) films by using ZnO substrates with self-organized nanostripes2010

    • 著者名/発表者名
      Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Jitsuo Ohta, Hiroshi Fujioka
    • 学会等名
      The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
    • 発表場所
      Montpellier, France
    • 年月日
      2010-07-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] ZnO基板から異方的歪みを受けたm面InGaN薄膜の偏光特性2010

    • 著者名/発表者名
      玉木啓晶, 小林篤, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治
    • 学会等名
      第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      三重大学
    • 年月日
      2010-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] ZnO基板上高In組成m面InGaN薄膜の偏光特性2010

    • 著者名/発表者名
      玉木啓晶、小林篤、太田実雄、尾嶋正治、藤岡洋
    • 学会等名
      応用物理学会結晶工学分科会主催2010年・年末講演会「エレクトロニクスの将来ビジョン~発展史マップとアカデミックロードマップ~&若手ポスター発表会」
    • 発表場所
      学習院大学
    • 年月日
      2010-12-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] ZnO基板上半極性面AlGaN/AlNヘテロ構造の作製と光学特性評価2010

    • 著者名/発表者名
      上野耕平、小林篤、太田実雄、藤岡洋
    • 学会等名
      応用物理学会結晶工学分科会主催2010年・年末講演会「エレクトロニクスの将来ビジョン~発展史マップとアカデミックロードマップ~&若手ポスター発表会」
    • 発表場所
      学習院大学
    • 年月日
      2010-12-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] YSZ基板上に成長したInNの極性制御と成長モード2010

    • 著者名/発表者名
      小林篤, 大久保佳奈, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治
    • 学会等名
      秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学文教キャンパス
    • 年月日
      2010-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] ZnO基板上高In組成m面InGaN薄膜の構造特牲及び偏光特性2010

    • 著者名/発表者名
      玉木啓晶, 小林篤, 太田実雄, 尾嶋正治, 藤岡洋
    • 学会等名
      秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学文教キャンパス
    • 年月日
      2010-09-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] Rh(111)基板上への窒化物成長初期過程の解析2010

    • 著者名/発表者名
      岡野雄幸, 井上茂, 上野耕平, 小林篤, 太田実雄, 尾嶋正治, 藤岡洋
    • 学会等名
      秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学文教キャンパス
    • 年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] 半極性面AlV/InNヘテロ構造の作製と評価2010

    • 著者名/発表者名
      小林篤, 藤井智明, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治
    • 学会等名
      第29回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺
    • 年月日
      2010-07-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] Room-temperature growth of high quality AlN films on SiC substrates by pulsed sputtering deposition2009

    • 著者名/発表者名
      太田実雄
    • 学会等名
      28thElectronic Materials Symposium
    • 発表場所
      Moriyama, Shiga Japan
    • 年月日
      2009-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] PXD法による窒化物半導体の低温エピタキシャル成長2009

    • 著者名/発表者名
      太田実雄
    • 学会等名
      日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東京農工大学
    • 年月日
      2009-05-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] Room temperature epitaxial growth of JUN on atomically flat 6H-and 4H-SiC substrates2008

    • 著者名/発表者名
      J. Ohta
    • 学会等名
      27th Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      Shuzenji, Japan
    • 年月日
      2008-07-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] Growth of cubic InN with high phase purity by pulsed laser deposition2008

    • 著者名/発表者名
      A. Kobayashi, R. Ohba, J. Ohta, H. Fujioka, and M. Oshima
    • 学会等名
      2nd International symposium on growth of nitrides
    • 発表場所
      Shuzenji, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] Growth of high quality AIN films on SiC substrates at room temperature2008

    • 著者名/発表者名
      J. Ohta
    • 学会等名
      ISGN
    • 発表場所
      Shuzenji, Japan
    • 年月日
      2008-07-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] Room temperature epitaxial growth of GaN films on b-Ga2O3 substrates2007

    • 著者名/発表者名
      J. Ohta
    • 学会等名
      26th Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      Japan
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] Room Temperature Epitaixial Growth of GaN on b-Ga2O3(100) Substrates2007

    • 著者名/発表者名
      J. Ohta
    • 学会等名
      7th International conference on nitride semiconductors
    • 発表場所
      USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] Room Temperature Epitaixial Growth of Group III Nitrides2007

    • 著者名/発表者名
      H. Fujioka, S. Inoue, T. Nakano, and J. Ohta
    • 学会等名
      15th International conference on crystal growth
    • 発表場所
      Salt lake city, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • [学会発表] パルス励起堆積(PXD)法によるIII族窒化物の室温エピタキシャル成長2007

    • 著者名/発表者名
      太田実雄
    • 学会等名
      第37回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      北海道
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-18069003
  • 1.  藤岡 洋 (50282570)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 54件

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