植松真司 Uematsu Masashi

研究者番号	60393758
外部サイト
所属 (現在)	2025年度: 慶應義塾大学, 理工学研究科(矢上), 特任教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2017年度 – 2019年度: 慶應義塾大学, 理工学研究科(矢上), 特任教授 2013年度 – 2014年度: 慶應義塾大学, 理工学研究科, 特任教授 2012年度: 慶應義塾大学, 理工学研究科, 教授 2007年度 – 2008年度: 慶應義塾大学, 大学院・理工学研究科, 教授 2006年度: 慶應義塾大学, 大学院理工学研究科, 教授 2006年度: 慶應義塾大学, 大学院理工学研究科, 特別研究教授 2005年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 先端デバイス研究部, 主任研究員
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器 / 薄膜・表面界面物性研究代表者以外薄膜・表面界面物性
キーワード	研究代表者シミュレーション / イオン注入 / ホウ素 / 拡散 / 不純物 / シリコン / 表面・界面物性 / 半導体超微細化 / 半導体物性 / 同位体 … もっと見る / フッ素 / 安定同位体 / 炭素 / マイクロ・ナのデバイス / 自己拡散 / シリコン酸窒化 / 計算物理 / マイクロ・ナノデバイス … もっと見る研究代表者以外 dopants / boron / transistor / diffusion / silicon / 不純物拡酸 / 不純物拡散 / 点欠陥 / ゲート絶縁膜 / 自己拡散 / シリコン隠す

フッ素共注入によるシリコン中の過渡的増速拡散抑制研究代表者
- 研究代表者
  
  植松真司
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  慶應義塾大学
炭素共注入によるシリコン中の拡散深さ制御研究代表者
- 研究代表者
  
  植松真司
- 研究期間 (年度)
  2012 – 2014
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  慶應義塾大学
シリコンナノ構造酸化の窒素添加による制御研究代表者
- 研究代表者
  
  植松真司
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2008
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  慶應義塾大学
次世代ゲート絶縁膜における不純物とシリコンの相互拡散
- 研究代表者
  
  伊藤公平
- 研究期間 (年度)
  2004 – 2006
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  薄膜・表面界面物性
- 研究機関
  慶應義塾大学

すべて 2019 2017 2014 2013 2008 2007 2006 2005 2004 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Simultaneous observation of the diffusion of self-atoms and co-implanted boron and carbon in silicon investigated by isotope heterostructures2014
- 著者名/発表者名
  Masashi Uematsu,　Kota Matsubara, and Kohei M. Itoh
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applies Physics
  
  巻: 53 号: 7 ページ: 0713021-5
- DOI
  10.7567/jjap.53.071302
- NAID
  210000144160
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560413
[雑誌論文] Atomic-scale characterization of germanium isotopic multilayers by atom probe tomography2013
- 著者名/発表者名
  Y. Shimizu, H. Takamizawa, Y. Kawamura, M. Uematsu, T. Toyama, K. Inoue, E.. E.. Haller, K. M. Itoh, Y. Nagai
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 113 号: 2 ページ: 0261011-3
- DOI
  10.1063/1.4773675
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-12J08082, KAKENHI-PROJECT-22241024, KAKENHI-PROJECT-24560413, KAKENHI-PROJECT-24760246
[雑誌論文] Accurate Determi-nation of the Intrinsic Diffusivities of Boron, Phosphorus, and Arsenic in Silicon : The Influence of SiO_2 Films2008
- 著者名/発表者名
  M. Naganawa, Y. Kawamura, Y. Shimizu, M. Uematsu, K. M. Itoh, H. Ito, M. Nakamura, H. Ishikawa, and Y. Oji
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  ページ: 6205-6207
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360027
[雑誌論文] Impact of oxidation-induced strain on microscopic processes related to oxidation reaction at the SiO_2/Si(100) interface2008
- 著者名/発表者名
  T. Akiyama, T. Ito, H. Kageshima, and M. Uematsu
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. B77, 115356
  
  ページ: 1-5
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360027
[雑誌論文] Effect of the SiO_2/Si interface on self-diffusion in SiO_2 upon oxidation2008
- 著者名/発表者名
  Masashi Uematsu
- 雑誌名
  
  Defect and Diffusion Forum 273
  
  ページ: 685-692
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360027
[雑誌論文] Generation of excess Si species at Si/SiO_2 interface and their diffusion into SiO_2 during Si thermal oxidation2008
- 著者名/発表者名
  K. Ibano, K. M. Itoh, and M. Uematsu
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 103, 026101
  
  ページ: 1-3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360027
[雑誌論文] Effect of the SiO_2/Si interface on self-diffusion in SiO_2 upon oxidation2008
- 著者名/発表者名
  M. Uematsu, K. Ibano, and K. M. Itoh
- 雑誌名
  
  Defect and Diffusion Forum 273-276
  
  ページ: 685-692
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360027
[雑誌論文] Stress Dependence of Oxidation Reaction at SiO_2/Si Interfaces during Silicon Thermal Oxidation2008
- 著者名/発表者名
  T. Akiyama, H. Kageshima, M. Uematsu, and T. Ito
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 47
  
  ページ: 7089-7093
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360027
[雑誌論文] Experimental Evidence of the Vacancy Mediated Silicon Self-Diffusion in Single Crystalline Silicon2007
- 著者名/発表者名
  Y.Shimizu, M.Uematsu, K.M.Itoh
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. Lett. 98
  
  ページ: 95901-95901
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360021
[雑誌論文] Experimental Evidence of the Vacancy Mediated Silicon Self-Diffusion in Single Crystalline Silicon2007
- 著者名/発表者名
  Y.Shimizu, K.M.Itoh, M.Uematsu
- 雑誌名
  
  Phys. Rev. Lett. 98
  
  ページ: 95901-95901
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360021
[雑誌論文] Enhanced Oxygen Exchange near the Oxide/Silicon Interface during Silicon Thermal Oxidation2007
- 著者名/発表者名
  M. Uematsu, M. Gunji, M. Tsuchiya, and K. M. Itoh
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 515
  
  ページ: 6596-6600
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360027
[雑誌論文] Oxygen Self-Diffusion in Silicon Dioxide : Effect of the Si/SiO_2 Interface2006
- 著者名/発表者名
  M. Uematsu, M. Gunji, and K. M. Itoh
- 雑誌名
  
  Defect and Diffusion Forum 258-260
  
  ページ: 554-561
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360027
[雑誌論文] Observation of Si Emission during Thermal Oxidation of Si(001) with High-Resolution RBS2006
- 著者名/発表者名
  S.Hosoi, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura, Y.Shimizu, S.Fukatsu, K.M.Itoh, M.Uematsu, H.Kageshima, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 249
  
  ページ: 390-393
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360021
[雑誌論文] Observation of Si Emission during Thermal Oxidation of Si(001) with High-Resolution RBS Nuclear Instruments and Methods in Physics2006
- 著者名/発表者名
  S.Hosoi, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura, Y.Shimizu, S.Fukatsu, K.M.Itoh, M.Uematsu, H.Kageshima, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Research B 249
  
  ページ: 390-393
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360021
[雑誌論文] Enhanced Si and B Diffusion in Semiconductor-grade SiO_2 and the Effect of Strain on Diffusion2006
- 著者名/発表者名
  M.Uematsu, H.Kageshima, S.Fukatsu, K.M.Itoh, K.Shiraishi, M.Otani, A.Oshiyama
- 雑誌名
  
  Thin Solid Films 508
  
  ページ: 270-275
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360021
[雑誌論文] Oxygen Self-Diffusion in Silicon Dioxide : Effect of the Si/SiO_2 Interface2006
- 著者名/発表者名
  Masashi Uematsu
- 雑誌名
  
  Defect and Diffusion Forum 258-260
  
  ページ: 554-561
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360027
[雑誌論文] SiO_2中の拡散に与えるSi/SiO_2界面の影響2005
- 著者名/発表者名
  深津茂人, 伊藤公平, 植松真司, 藤原聡, 影島博之, 高橋庸夫, 白石賢二
- 雑誌名
  
  表面科学 26・5
  
  ページ: 249-254
- NAID
  10015700603
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360021
[雑誌論文] SiO_2中の拡散に与えるSi/SiO_2界面の影響2005
- 著者名/発表者名
  深津茂人, 伊藤公平, 植松真司, 藤原聡, 影島博之, 高橋庸夫, 他
- 雑誌名
  
  表面科学 26・5
  
  ページ: 249-254
- NAID
  10015700603
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360021
[雑誌論文] Correlated Diffusion of Silicon and Boron in Thermally Grown SiO_22004
- 著者名/発表者名
  M.Uematsu, H.Kageshima, K.M.Itoh, K.Shiraish 他
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 85
  
  ページ: 221-223
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360021
[雑誌論文] Modeling of Si self-diffusion in SiO_2 : Effect of the Si/SiO_2 interface including time-dependent diffusivity2004
- 著者名/発表者名
  M.Uematsu, A.Fujiwara, H.Kageshima, Y.Takahashi, 他
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 84・6
  
  ページ: 876-878
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360021
[雑誌論文] Modeling of Si self-diffusion in SiO_2 : Effect of the Si/SiO_2 interface including time-dependent diffusivity2004
- 著者名/発表者名
  M.Uematsu, A.Fujiwara, S.Fukatsu, K.M.Itoh, 他
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 84・6
  
  ページ: 876-878
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360021
[雑誌論文] Simulation of Correlated Diffusion of Si and B in Thermally Grown SiO_22004
- 著者名/発表者名
  M.Uematsu, H.Kageshima, K.M.Itoh, K.Shiraish 他
- 雑誌名
  
  J.Appl.Phys. 96
  
  ページ: 5513-5519
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360021
[雑誌論文] The Effect of the Si/Si02 Interface on Silicon and Boron Diffusion in Thermally Grown SiO_22004
- 著者名/発表者名
  S.Fukatsu, K.M.Itoh, M.Uematsu, H.Kageshima, Y.Takahashi, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 43
  
  ページ: 7837-7842
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360021
[雑誌論文] The Effect of the Si/SiO_2 Interface on Silicon and Boron Diffusion in Thermally Grown SiO_22004
- 著者名/発表者名
  S.Fukatsu, K.M.Itoh, M.Uematsu, H.Kageshima, 他
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys. 43
  
  ページ: 7837-7842
- NAID
  10014215041
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360021
[雑誌論文] Correlated Diffusion of Silicon and Boron in Thermally Grown SiO_22004
- 著者名/発表者名
  M.Uematsu, H.Kageshima, Y.Takahashi, S.Fukatsu, 他
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 85
  
  ページ: 221-223
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360021
[雑誌論文] Simulation of Correlated Diffusion of Si and B in Thermally Grown SiO_22004
- 著者名/発表者名
  M.Uematsu, H.Kageshima, Y.Takahashi, S.Fukatsu, 他
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 96
  
  ページ: 5513-5519
- 説明
  「研究成果報告書概要(和文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360021
[雑誌論文] The Effect of the Si/SiO_2 Interface on Silicon and Boron Diffusion in Thermally Grown SiO_22004
- 著者名/発表者名
  S.Fukatsu, K.M.Itoh, M.Uematsu, K.Shiraishi 他
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys. 43
  
  ページ: 7837-7842
- NAID
  10014215041
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360021
[雑誌論文] Correlated Diffusion of Silicon and Boron in Thermally Grown SiO_22004
- 著者名/発表者名
  M.Uematsu, H.Kageshima, Y.Takahashi, S.Fukatsu, K.M.Itoh, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 85
  
  ページ: 221-223
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360021
[雑誌論文] Modeling of Si Self-Diffusion in SiO_2 Effect of the Si/SiO_2 Interface Including Time-Dependent Diffusivity2004
- 著者名/発表者名
  M.Uematsu, A.Fujiwara, H.Kageshima, Y.Takahashi, S.Fukatsu, K.M.Itoh, K.Shiraishi, U.Gosele
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett. 84-6
  
  ページ: 876-878
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360021
[雑誌論文] Simulation of Correlated Diffusion of Si and B in Thermally Grown SiO_22004
- 著者名/発表者名
  M.Uematsu, H.Kageshima, Y.Takahashi, S.Fukatsu, K.M.Itoh, K.Shiraishi
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys. 96
  
  ページ: 5513-5519
- 説明
  「研究成果報告書概要(欧文)」より
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-16360021
[学会発表] プリアモルファス化Si中のフッ素のホウ素拡散抑制2019
- 著者名/発表者名
  木我亮太郎，植松真司, 伊藤公平
- 学会等名
  2019年秋応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06397
[学会発表] Simultaneous observation of the diffusion of self-atoms and co-implanted boron and fluorine in pre-amorphized silicon investigated by isotope heterostructures2017
- 著者名/発表者名
  Ryotaro Kiga, Masashi Uematsu, Kohei M. Itoh
- 学会等名
  29th International Conference on Defects in Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06397
[学会発表] シリコン同位体周期構造を用いた共注入フッ素・ホウ素と自己拡散の同時観測2017
- 著者名/発表者名
  木我亮太郎，植松真司, 伊藤公平
- 学会等名
  2017年秋応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K06397
[学会発表] Defect Studies for the Development of Nano-scale Silicon Diffusion Simulators2013
- 著者名/発表者名
  Masashi Uematsu
- 学会等名
  3rd Annual World Congress of Science and Technology
- 発表場所
  Xian, China
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560413
[学会発表] Effect of the SiO_2/Si interface on self-diffusion in SiO_2 upon oxidation2007
- 著者名/発表者名
  M. Uematsu
- 学会等名
  3rd International Conference on Diffusion in Solids and Liquids
- 発表場所
  アルガルブ(ポルトガル)
- 年月日
  2007-07-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360027
[学会発表] Si熱酸化における酸化膜中のSi自己拡散促進のシミュレーション2007
- 著者名/発表者名
  植松真司
- 学会等名
  2007年秋季第68回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360027
[学会発表] Si熱酸化中の界面近傍におけるSi自己拡散の促進2007
- 著者名/発表者名
  植松真司
- 学会等名
  第54回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- 年月日
  2007-03-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360027
[学会発表] Si熱酸化における酸化膜中のSi自己拡散促進のシミュレーション2007
- 著者名/発表者名
  植松真司
- 学会等名
  第68回応用物理学学術講演会
- 発表場所
  北海道工業大学
- 年月日
  2007-09-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360027
[学会発表] Enhanced Oxygen Self-Diffusion in SiO_2 during Si Thermal Oxidation : Effect of the SiO_2/Si Interface2006
- 著者名/発表者名
  M. Uematsu
- 学会等名
  2006 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices
- 発表場所
  川崎
- 年月日
  2006-11-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-18360027
[学会発表] SiC表面における酸化初期での反応過程に関する理論的検討
- 著者名/発表者名
  伊藤綾子, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳, 影島博之, 植松真司, 白石賢二
- 学会等名
  第62回応用物理学春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学 (神奈川県平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560413
[学会発表] Initial reaction processes on SiC surfaces during thermal oxidation: A first-principles study
- 著者名/発表者名
  Ayako Ito, Toru Akiyama, Koichi Nakamura, Tomonori Ito, Kenji Shiraishi, Hiroyuki Kageshiama, and Masashi Uematsu
- 学会等名
  56th Electronic Materials Conference
- 発表場所
  Santa Barbara （USA）
- 年月日
  2014-06-25 – 2014-06-27
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560413
[学会発表] Strain-enhanced diffusion originated from end-of-range defects
- 著者名/発表者名
  Taiga Isoda, Masashi Uematsu, and Kohei M. Itoh
- 学会等名
  7th Forum on the Science and Technology of Silicon Materials
- 発表場所
  浜松アクトシティ（静岡県浜松市）
- 年月日
  2014-10-19 – 2014-10-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560413
[学会発表] SiC熱酸化過程でのSiO2膜におけるカーボンオキサイド拡散機構の理論的検討
- 著者名/発表者名
  秋山亨、中村浩次、伊藤智徳、影島博之、植松真司
- 学会等名
  第60回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560413
[学会発表] Interfacial Analysis of Arsenic Ion-Implanted Germanium Isotopic Multilayer Structures Studied by Atom Probe Tomography
- 著者名/発表者名
  Yasuo Shimizu, Hiroshi Takamizawa, Yoko Kawamura, Masashi Uematsu, 他5名
- 学会等名
  Atom Probe Tomography and Microscopy 2014
- 発表場所
  Stuttgart （Germany）
- 年月日
  2014-08-31 – 2014-09-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560413
[学会発表] Observation of Si self-diffusion enhanced by the strain originated from end-of-range defects using isotope multilayers
- 著者名/発表者名
  Taiga Isoda, Masashi Uematsu, and Kohei M. Itoh
- 学会等名
  International Conference on Diffusion in Materials 2014
- 発表場所
  Munster （Germany）
- 年月日
  2014-08-17 – 2014-08-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560413
[学会発表] Si同位体周期構造を用いたend-of-range欠陥に起因する歪みによるSi 自己拡散増速の観測
- 著者名/発表者名
  磯田大河、植松真司、伊藤公平
- 学会等名
  第75回応用物理学秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学 (北海道札幌市）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560413
[学会発表] Theoretical Investigations for Initial Oxidation Processes on SiC Surfaces
- 著者名/発表者名
  Ayako Ito, Toru Akiyama, Koichi Nakamura, Tomonori Ito, Kenji Shiraishi, Hiroyuki Kageshiama, and Masashi Uematsu
- 学会等名
  7th International Symposium on Surface Science
- 発表場所
  くにびきメッセ（島根県松江市）
- 年月日
  2014-11-02 – 2014-11-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560413
[学会発表] 4H-SiC/SiO2界面における酸化反応過程に関する理論的検討
- 著者名/発表者名
  秋山亨, 伊藤綾子,中村浩次, 伊藤智徳, 影島博之, 植松真司, 白石賢二
- 学会等名
  第62回応用物理学春季学術講演会
- 発表場所
  東海大学 (神奈川県平塚市）
- 年月日
  2015-03-11 – 2015-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-24560413

1. 伊藤公平 (30276414)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 23件
2. 影島博之 (70374072)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件
3. 渡邉孝信 (00367153)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 白石賢二 (20334039)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 秋山亨 (40362363)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 2件

植松 真司 Uematsu Masashi

研究課題

研究成果

共同研究者

フッ素共注入によるシリコン中の過渡的増速拡散抑制研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

炭素共注入によるシリコン中の拡散深さ制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

シリコンナノ構造酸化の窒素添加による制御研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

次世代ゲート絶縁膜における不純物とシリコンの相互拡散

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Simultaneous observation of the diffusion of self-atoms and co-implanted boron and carbon in silicon investigated by isotope heterostructures2014

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[雑誌論文] Atomic-scale characterization of germanium isotopic multilayers by atom probe tomography2013

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[雑誌論文] Accurate Determi-nation of the Intrinsic Diffusivities of Boron, Phosphorus, and Arsenic in Silicon : The Influence of SiO_2 Films2008

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[雑誌論文] Impact of oxidation-induced strain on microscopic processes related to oxidation reaction at the SiO_2/Si(100) interface2008

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[雑誌論文] Effect of the SiO_2/Si interface on self-diffusion in SiO_2 upon oxidation2008

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[雑誌論文] Generation of excess Si species at Si/SiO_2 interface and their diffusion into SiO_2 during Si thermal oxidation2008

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[雑誌論文] Effect of the SiO_2/Si interface on self-diffusion in SiO_2 upon oxidation2008

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[雑誌論文] Stress Dependence of Oxidation Reaction at SiO_2/Si Interfaces during Silicon Thermal Oxidation2008

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[雑誌論文] Experimental Evidence of the Vacancy Mediated Silicon Self-Diffusion in Single Crystalline Silicon2007

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[雑誌論文] Experimental Evidence of the Vacancy Mediated Silicon Self-Diffusion in Single Crystalline Silicon2007

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[雑誌論文] Enhanced Oxygen Exchange near the Oxide/Silicon Interface during Silicon Thermal Oxidation2007

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[雑誌論文] Oxygen Self-Diffusion in Silicon Dioxide : Effect of the Si/SiO_2 Interface2006

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植松真司 Uematsu Masashi