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植松 真司  Uematsu Masashi

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 60393758
外部サイト
所属 (現在) 2025年度: 慶應義塾大学, 理工学研究科(矢上), 特任教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2017年度 – 2019年度: 慶應義塾大学, 理工学研究科(矢上), 特任教授
2013年度 – 2014年度: 慶應義塾大学, 理工学研究科, 特任教授
2012年度: 慶應義塾大学, 理工学研究科, 教授
2007年度 – 2008年度: 慶應義塾大学, 大学院・理工学研究科, 教授
2006年度: 慶應義塾大学, 大学院理工学研究科, 教授
2006年度: 慶應義塾大学, 大学院理工学研究科, 特別研究教授
2005年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 先端デバイス研究部, 主任研究員
審査区分/研究分野
研究代表者
電子デバイス・電子機器 / 薄膜・表面界面物性
研究代表者以外
薄膜・表面界面物性
キーワード
研究代表者
シミュレーション / イオン注入 / ホウ素 / 拡散 / 不純物 / シリコン / 表面・界面物性 / 半導体超微細化 / 半導体物性 / 同位体 … もっと見る / フッ素 / 安定同位体 / 炭素 / マイクロ・ナのデバイス / 自己拡散 / シリコン酸窒化 / 計算物理 / マイクロ・ナノデバイス … もっと見る
研究代表者以外
dopants / boron / transistor / diffusion / silicon / 不純物拡酸 / 不純物拡散 / 点欠陥 / ゲート絶縁膜 / 自己拡散 / シリコン 隠す
  • 研究課題

    (4件)
  • 研究成果

    (48件)
  • 共同研究者

    (5人)
  •  フッ素共注入によるシリコン中の過渡的増速拡散抑制研究代表者

    • 研究代表者
      植松 真司
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2019
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      慶應義塾大学
  •  炭素共注入によるシリコン中の拡散深さ制御研究代表者

    • 研究代表者
      植松 真司
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      慶應義塾大学
  •  シリコンナノ構造酸化の窒素添加による制御研究代表者

    • 研究代表者
      植松 真司
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      慶應義塾大学
  •  次世代ゲート絶縁膜における不純物とシリコンの相互拡散

    • 研究代表者
      伊藤 公平
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      慶應義塾大学

すべて 2019 2017 2014 2013 2008 2007 2006 2005 2004 その他

すべて 雑誌論文 学会発表

  • [雑誌論文] Simultaneous observation of the diffusion of self-atoms and co-implanted boron and carbon in silicon investigated by isotope heterostructures2014

    • 著者名/発表者名
      Masashi Uematsu, Kota Matsubara, and Kohei M. Itoh
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applies Physics

      巻: 53 号: 7 ページ: 0713021-5

    • DOI

      10.7567/jjap.53.071302

    • NAID

      210000144160

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560413
  • [雑誌論文] Atomic-scale characterization of germanium isotopic multilayers by atom probe tomography2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Shimizu, H. Takamizawa, Y. Kawamura, M. Uematsu, T. Toyama, K. Inoue, E.. E.. Haller, K. M. Itoh, Y. Nagai
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 113 号: 2 ページ: 0261011-3

    • DOI

      10.1063/1.4773675

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-12J08082, KAKENHI-PROJECT-22241024, KAKENHI-PROJECT-24560413, KAKENHI-PROJECT-24760246
  • [雑誌論文] Accurate Determi-nation of the Intrinsic Diffusivities of Boron, Phosphorus, and Arsenic in Silicon : The Influence of SiO_2 Films2008

    • 著者名/発表者名
      M. Naganawa, Y. Kawamura, Y. Shimizu, M. Uematsu, K. M. Itoh, H. Ito, M. Nakamura, H. Ishikawa, and Y. Oji
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 6205-6207

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360027
  • [雑誌論文] Impact of oxidation-induced strain on microscopic processes related to oxidation reaction at the SiO_2/Si(100) interface2008

    • 著者名/発表者名
      T. Akiyama, T. Ito, H. Kageshima, and M. Uematsu
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B77, 115356

      ページ: 1-5

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360027
  • [雑誌論文] Effect of the SiO_2/Si interface on self-diffusion in SiO_2 upon oxidation2008

    • 著者名/発表者名
      Masashi Uematsu
    • 雑誌名

      Defect and Diffusion Forum 273

      ページ: 685-692

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360027
  • [雑誌論文] Generation of excess Si species at Si/SiO_2 interface and their diffusion into SiO_2 during Si thermal oxidation2008

    • 著者名/発表者名
      K. Ibano, K. M. Itoh, and M. Uematsu
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys. 103, 026101

      ページ: 1-3

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360027
  • [雑誌論文] Effect of the SiO_2/Si interface on self-diffusion in SiO_2 upon oxidation2008

    • 著者名/発表者名
      M. Uematsu, K. Ibano, and K. M. Itoh
    • 雑誌名

      Defect and Diffusion Forum 273-276

      ページ: 685-692

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360027
  • [雑誌論文] Stress Dependence of Oxidation Reaction at SiO_2/Si Interfaces during Silicon Thermal Oxidation2008

    • 著者名/発表者名
      T. Akiyama, H. Kageshima, M. Uematsu, and T. Ito
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 7089-7093

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360027
  • [雑誌論文] Experimental Evidence of the Vacancy Mediated Silicon Self-Diffusion in Single Crystalline Silicon2007

    • 著者名/発表者名
      Y.Shimizu, M.Uematsu, K.M.Itoh
    • 雑誌名

      Phys. Rev. Lett. 98

      ページ: 95901-95901

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360021
  • [雑誌論文] Experimental Evidence of the Vacancy Mediated Silicon Self-Diffusion in Single Crystalline Silicon2007

    • 著者名/発表者名
      Y.Shimizu, K.M.Itoh, M.Uematsu
    • 雑誌名

      Phys. Rev. Lett. 98

      ページ: 95901-95901

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360021
  • [雑誌論文] Enhanced Oxygen Exchange near the Oxide/Silicon Interface during Silicon Thermal Oxidation2007

    • 著者名/発表者名
      M. Uematsu, M. Gunji, M. Tsuchiya, and K. M. Itoh
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 515

      ページ: 6596-6600

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360027
  • [雑誌論文] Oxygen Self-Diffusion in Silicon Dioxide : Effect of the Si/SiO_2 Interface2006

    • 著者名/発表者名
      M. Uematsu, M. Gunji, and K. M. Itoh
    • 雑誌名

      Defect and Diffusion Forum 258-260

      ページ: 554-561

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360027
  • [雑誌論文] Observation of Si Emission during Thermal Oxidation of Si(001) with High-Resolution RBS2006

    • 著者名/発表者名
      S.Hosoi, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura, Y.Shimizu, S.Fukatsu, K.M.Itoh, M.Uematsu, H.Kageshima, K.Shiraishi
    • 雑誌名

      Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 249

      ページ: 390-393

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360021
  • [雑誌論文] Observation of Si Emission during Thermal Oxidation of Si(001) with High-Resolution RBS Nuclear Instruments and Methods in Physics2006

    • 著者名/発表者名
      S.Hosoi, K.Nakajima, M.Suzuki, K.Kimura, Y.Shimizu, S.Fukatsu, K.M.Itoh, M.Uematsu, H.Kageshima, K.Shiraishi
    • 雑誌名

      Research B 249

      ページ: 390-393

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360021
  • [雑誌論文] Enhanced Si and B Diffusion in Semiconductor-grade SiO_2 and the Effect of Strain on Diffusion2006

    • 著者名/発表者名
      M.Uematsu, H.Kageshima, S.Fukatsu, K.M.Itoh, K.Shiraishi, M.Otani, A.Oshiyama
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 508

      ページ: 270-275

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360021
  • [雑誌論文] Oxygen Self-Diffusion in Silicon Dioxide : Effect of the Si/SiO_2 Interface2006

    • 著者名/発表者名
      Masashi Uematsu
    • 雑誌名

      Defect and Diffusion Forum 258-260

      ページ: 554-561

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360027
  • [雑誌論文] SiO_2中の拡散に与えるSi/SiO_2界面の影響2005

    • 著者名/発表者名
      深津茂人, 伊藤公平, 植松真司, 藤原聡, 影島博之, 高橋庸夫, 白石賢二
    • 雑誌名

      表面科学 26・5

      ページ: 249-254

    • NAID

      10015700603

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360021
  • [雑誌論文] SiO_2中の拡散に与えるSi/SiO_2界面の影響2005

    • 著者名/発表者名
      深津茂人, 伊藤公平, 植松真司, 藤原聡, 影島博之, 高橋庸夫, 他
    • 雑誌名

      表面科学 26・5

      ページ: 249-254

    • NAID

      10015700603

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360021
  • [雑誌論文] Correlated Diffusion of Silicon and Boron in Thermally Grown SiO_22004

    • 著者名/発表者名
      M.Uematsu, H.Kageshima, K.M.Itoh, K.Shiraish 他
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 85

      ページ: 221-223

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360021
  • [雑誌論文] Modeling of Si self-diffusion in SiO_2 : Effect of the Si/SiO_2 interface including time-dependent diffusivity2004

    • 著者名/発表者名
      M.Uematsu, A.Fujiwara, H.Kageshima, Y.Takahashi, 他
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 84・6

      ページ: 876-878

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360021
  • [雑誌論文] Modeling of Si self-diffusion in SiO_2 : Effect of the Si/SiO_2 interface including time-dependent diffusivity2004

    • 著者名/発表者名
      M.Uematsu, A.Fujiwara, S.Fukatsu, K.M.Itoh, 他
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 84・6

      ページ: 876-878

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360021
  • [雑誌論文] Simulation of Correlated Diffusion of Si and B in Thermally Grown SiO_22004

    • 著者名/発表者名
      M.Uematsu, H.Kageshima, K.M.Itoh, K.Shiraish 他
    • 雑誌名

      J.Appl.Phys. 96

      ページ: 5513-5519

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360021
  • [雑誌論文] The Effect of the Si/Si02 Interface on Silicon and Boron Diffusion in Thermally Grown SiO_22004

    • 著者名/発表者名
      S.Fukatsu, K.M.Itoh, M.Uematsu, H.Kageshima, Y.Takahashi, K.Shiraishi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 43

      ページ: 7837-7842

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360021
  • [雑誌論文] The Effect of the Si/SiO_2 Interface on Silicon and Boron Diffusion in Thermally Grown SiO_22004

    • 著者名/発表者名
      S.Fukatsu, K.M.Itoh, M.Uematsu, H.Kageshima, 他
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 43

      ページ: 7837-7842

    • NAID

      10014215041

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360021
  • [雑誌論文] Correlated Diffusion of Silicon and Boron in Thermally Grown SiO_22004

    • 著者名/発表者名
      M.Uematsu, H.Kageshima, Y.Takahashi, S.Fukatsu, 他
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 85

      ページ: 221-223

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360021
  • [雑誌論文] Simulation of Correlated Diffusion of Si and B in Thermally Grown SiO_22004

    • 著者名/発表者名
      M.Uematsu, H.Kageshima, Y.Takahashi, S.Fukatsu, 他
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys. 96

      ページ: 5513-5519

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360021
  • [雑誌論文] The Effect of the Si/SiO_2 Interface on Silicon and Boron Diffusion in Thermally Grown SiO_22004

    • 著者名/発表者名
      S.Fukatsu, K.M.Itoh, M.Uematsu, K.Shiraishi 他
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 43

      ページ: 7837-7842

    • NAID

      10014215041

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360021
  • [雑誌論文] Correlated Diffusion of Silicon and Boron in Thermally Grown SiO_22004

    • 著者名/発表者名
      M.Uematsu, H.Kageshima, Y.Takahashi, S.Fukatsu, K.M.Itoh, K.Shiraishi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 85

      ページ: 221-223

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360021
  • [雑誌論文] Modeling of Si Self-Diffusion in SiO_2 Effect of the Si/SiO_2 Interface Including Time-Dependent Diffusivity2004

    • 著者名/発表者名
      M.Uematsu, A.Fujiwara, H.Kageshima, Y.Takahashi, S.Fukatsu, K.M.Itoh, K.Shiraishi, U.Gosele
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 84-6

      ページ: 876-878

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360021
  • [雑誌論文] Simulation of Correlated Diffusion of Si and B in Thermally Grown SiO_22004

    • 著者名/発表者名
      M.Uematsu, H.Kageshima, Y.Takahashi, S.Fukatsu, K.M.Itoh, K.Shiraishi
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys. 96

      ページ: 5513-5519

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16360021
  • [学会発表] プリアモルファス化Si中のフッ素のホウ素拡散抑制2019

    • 著者名/発表者名
      木我 亮太郎,植松 真司, 伊藤 公平
    • 学会等名
      2019年秋応用物理学会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06397
  • [学会発表] Simultaneous observation of the diffusion of self-atoms and co-implanted boron and fluorine in pre-amorphized silicon investigated by isotope heterostructures2017

    • 著者名/発表者名
      Ryotaro Kiga, Masashi Uematsu, Kohei M. Itoh
    • 学会等名
      29th International Conference on Defects in Semiconductors
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06397
  • [学会発表] シリコン同位体周期構造を用いた共注入フッ素・ホウ素と自己拡散の同時観測2017

    • 著者名/発表者名
      木我 亮太郎,植松 真司, 伊藤 公平
    • 学会等名
      2017年秋応用物理学会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-17K06397
  • [学会発表] Defect Studies for the Development of Nano-scale Silicon Diffusion Simulators2013

    • 著者名/発表者名
      Masashi Uematsu
    • 学会等名
      3rd Annual World Congress of Science and Technology
    • 発表場所
      Xian, China
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560413
  • [学会発表] Effect of the SiO_2/Si interface on self-diffusion in SiO_2 upon oxidation2007

    • 著者名/発表者名
      M. Uematsu
    • 学会等名
      3rd International Conference on Diffusion in Solids and Liquids
    • 発表場所
      アルガルブ(ポルトガル)
    • 年月日
      2007-07-05
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360027
  • [学会発表] Si熱酸化における酸化膜中のSi自己拡散促進のシミュレーション2007

    • 著者名/発表者名
      植松 真司
    • 学会等名
      2007年秋季第68回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360027
  • [学会発表] Si熱酸化中の界面近傍におけるSi自己拡散の促進2007

    • 著者名/発表者名
      植松真司
    • 学会等名
      第54回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • 年月日
      2007-03-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360027
  • [学会発表] Si熱酸化における酸化膜中のSi自己拡散促進のシミュレーション2007

    • 著者名/発表者名
      植松真司
    • 学会等名
      第68回応用物理学学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • 年月日
      2007-09-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360027
  • [学会発表] Enhanced Oxygen Self-Diffusion in SiO_2 during Si Thermal Oxidation : Effect of the SiO_2/Si Interface2006

    • 著者名/発表者名
      M. Uematsu
    • 学会等名
      2006 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices
    • 発表場所
      川崎
    • 年月日
      2006-11-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-18360027
  • [学会発表] SiC表面における酸化初期での反応過程に関する理論的検討

    • 著者名/発表者名
      伊藤綾子, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳, 影島博之, 植松真司, 白石 賢二
    • 学会等名
      第62回応用物理学春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学 (神奈川県平塚市)
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560413
  • [学会発表] Initial reaction processes on SiC surfaces during thermal oxidation: A first-principles study

    • 著者名/発表者名
      Ayako Ito, Toru Akiyama, Koichi Nakamura, Tomonori Ito, Kenji Shiraishi, Hiroyuki Kageshiama, and Masashi Uematsu
    • 学会等名
      56th Electronic Materials Conference
    • 発表場所
      Santa Barbara (USA)
    • 年月日
      2014-06-25 – 2014-06-27
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560413
  • [学会発表] Strain-enhanced diffusion originated from end-of-range defects

    • 著者名/発表者名
      Taiga Isoda, Masashi Uematsu, and Kohei M. Itoh
    • 学会等名
      7th Forum on the Science and Technology of Silicon Materials
    • 発表場所
      浜松アクトシティ (静岡県浜松市)
    • 年月日
      2014-10-19 – 2014-10-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560413
  • [学会発表] SiC熱酸化過程でのSiO2膜におけるカーボンオキサイド拡散機構の理論的検討

    • 著者名/発表者名
      秋山亨、中村浩次、伊藤智徳、影島博之、植松真司
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560413
  • [学会発表] Interfacial Analysis of Arsenic Ion-Implanted Germanium Isotopic Multilayer Structures Studied by Atom Probe Tomography

    • 著者名/発表者名
      Yasuo Shimizu, Hiroshi Takamizawa, Yoko Kawamura, Masashi Uematsu, 他5名
    • 学会等名
      Atom Probe Tomography and Microscopy 2014
    • 発表場所
      Stuttgart (Germany)
    • 年月日
      2014-08-31 – 2014-09-04
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560413
  • [学会発表] Observation of Si self-diffusion enhanced by the strain originated from end-of-range defects using isotope multilayers

    • 著者名/発表者名
      Taiga Isoda, Masashi Uematsu, and Kohei M. Itoh
    • 学会等名
      International Conference on Diffusion in Materials 2014
    • 発表場所
      Munster (Germany)
    • 年月日
      2014-08-17 – 2014-08-22
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560413
  • [学会発表] Si同位体周期構造を用いたend-of-range欠陥に起因する歪みによるSi 自己拡散増速の観測

    • 著者名/発表者名
      磯田大河、植松真司、伊藤公平
    • 学会等名
      第75回応用物理学秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学 (北海道札幌市)
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560413
  • [学会発表] Theoretical Investigations for Initial Oxidation Processes on SiC Surfaces

    • 著者名/発表者名
      Ayako Ito, Toru Akiyama, Koichi Nakamura, Tomonori Ito, Kenji Shiraishi, Hiroyuki Kageshiama, and Masashi Uematsu
    • 学会等名
      7th International Symposium on Surface Science
    • 発表場所
      くにびきメッセ (島根県松江市)
    • 年月日
      2014-11-02 – 2014-11-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560413
  • [学会発表] 4H-SiC/SiO2界面における酸化反応過程に関する理論的検討

    • 著者名/発表者名
      秋山亨, 伊藤綾子,中村浩次, 伊藤智徳, 影島博之, 植松真司, 白石 賢二
    • 学会等名
      第62回応用物理学春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学 (神奈川県平塚市)
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24560413
  • 1.  伊藤 公平 (30276414)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 23件
  • 2.  影島 博之 (70374072)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 3.  渡邉 孝信 (00367153)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 4.  白石 賢二 (20334039)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 5.  秋山 亨 (40362363)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件

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