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中野 由崇  Nakano Yoshitaka

研究者番号 60394722
その他のID
  • ORCIDhttps://orcid.org/0000-0002-7259-3509
所属 (現在) 2025年度: 中部大学, 工学部, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2014年度 – 2023年度: 中部大学, 工学部, 教授
2017年度: 中部大学, 総合工学研究所, 教授
2016年度: 中部大学, 工学部電子情報工学科, 教授
2014年度: 中部大学, 総合工学研究所
2010年度 – 2013年度: 中部大学, 総合工学研究所, 准教授
2012年度: 中部大学, 付置研究所, 准教授
審査区分/研究分野
研究代表者
電子・電気材料工学 / 小区分21050:電気電子材料工学関連
研究代表者以外
電子・電気材料工学 / 薄膜・表面界面物性
キーワード
研究代表者
欠陥準位 / 電流コラプス / スイッチング特性 / AlGaN/GaNヘテロ構造 / 炭素 / MOCVD結晶成長 / フォトルミネッセンス / 固有欠陥準位 / 次世代パワー半導体 / 真空中アニール … もっと見る / フォトルミネッセンス計測 / 光容量過渡分光計測 / ガリウム空孔 / 酸素空孔 / イオン照射 / 酸化ガリウム / イオン衝撃 / ノーマリーオフ / パワー半導体 / N空孔 / Ga空孔 / CF4 / Mgアクセプター / Ar / プラズマイオン / 光容量過渡分光法 / 電気的ダメージ / プラズマイオン衝撃 / p型GaN / パワーデバイス / Si基板上AlGaN/GaNヘテロ構造 / 炭素アクセプター / 炭素ドーピング / SiC層 / 熱的安定性 / ターンオン・スイッチング特性 / 3C-SiC層 / Si基板 / ショットキーダイオード / 有機金属気相成長 / デバイス・スイッチング特性 / デバイス・スイッチング特性 / GaNバッファ層 / MOCVD / イエローバンド / DLOS / フォトキャパシタンス / 残留炭素 / 結晶成長 / 半導体欠陥準位 / 電子・電気材料 / 結晶工学 / 半導体物性 / 窒化物半導体 / 電気・電子材料 … もっと見る
研究代表者以外
窒化物半導体 / 界面 / 水素 / GaN / イオンビーム / プラズマ / ドライエッチング / 軟X線吸収 / 欠陥 / 化合物半導体 / UV照射 / TiO2 / UV / ワイドギャップ半導体 / 紫外線照射 / プラズマエッチング / 絶縁膜 / 半導体デバイス / センサ / 窒化アルミニウム / ショットキー構造 / AlGaN / ヘテロ構造 / AlGaN/GaN / ヘテロ接合 / 電気・電子材料 隠す
  • 研究課題

    (9件)
  • 研究成果

    (138件)
  • 共同研究者

    (10人)
  •  次世代パワー半導体β-Ga2O3の固有欠陥準位の全容解明研究代表者

    • 研究代表者
      中野 由崇
    • 研究期間 (年度)
      2022 – 2024
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      中部大学
  •  プラズマイオン衝撃により誘発されるp型GaNの電気的ダメージの全容解明研究代表者

    • 研究代表者
      中野 由崇
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2021
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 審査区分
      小区分21050:電気電子材料工学関連
    • 研究機関
      中部大学
  •  Si基板上AlGaN/GaNヘテロ構造の欠陥準位とスイッチング特性の相関解明研究代表者

    • 研究代表者
      中野 由崇
    • 研究期間 (年度)
      2016 – 2018
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      中部大学
  •  窒化物半導体の金属-半導体界面と水素との相互作用機構の研究

    • 研究代表者
      色川 芳宏
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2016
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      国立研究開発法人物質・材料研究機構
  •  ワイドギャップ半導体のプラズマエッチングプロセスにおけるUV照射効果の解明

    • 研究代表者
      新部 正人
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2017
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      兵庫県立大学
  •  AlGaN/GaNヘテロ構造の欠陥準位とデバイス・スイッチング特性の相関研究研究代表者

    • 研究代表者
      中野 由崇
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2015
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      中部大学
  •  窒化物半導体を用いた耐環境性水素ガスセンサーの開発

    • 研究代表者
      色川 芳宏
    • 研究期間 (年度)
      2011 – 2014
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      独立行政法人物質・材料研究機構
  •  AlGaN/GaNヘテロ接合界面のバンド構造解析と高品質化研究代表者

    • 研究代表者
      中野 由崇
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2012
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      中部大学
  •  窒化物半導体超低損失パワー素子の研究

    • 研究代表者
      色川 芳宏
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2010
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      独立行政法人物質・材料研究機構

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すべて 雑誌論文 学会発表 図書 産業財産権

  • [図書] GaNパワーデバイスの技術展開 第4章第2節「AlGaN/GaNヘテロ構造の欠陥準位評価」2012

    • 著者名/発表者名
      中野由崇 (分担執筆)
    • 出版者
      S&T出版
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560309
  • [図書] AlGaN/GaNヘテロ構造の欠陥準位評価2012

    • 著者名/発表者名
      中野由崇
    • 出版者
      S&T出版
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560309
  • [雑誌論文] Evaluation of defect density in bulk gallium nitrides by photothermal deflection spectroscopy and steady-state photocapacitance methods2024

    • 著者名/発表者名
      Sumiya Masatomo、Fujikura Hajime、Nakano Yoshitaka、Yashiro Shuhei、Koide Yasuo、Honda Tohru
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 635 ページ: 127701-127701

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2024.127701

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04206
  • [雑誌論文] Plasma-assisted annealing of Pt-doped rutile TiO2 nanoparticles for enhanced decomposition and bacterial inactivation under general lighting2024

    • 著者名/発表者名
      Kawakami Retsuo、Makino Yuta、Yanagiya Shin-ichiro、Shirai Akihiro、Niibe Masahito、Nakano Yoshitaka
    • 雑誌名

      Journal of Vacuum Science & Technology B

      巻: 42 号: 1 ページ: 012203-012203

    • DOI

      10.1116/6.0003101

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04206
  • [雑誌論文] Photocatalytic Activity Enhancement of Anatase/Rutile‐Mixed Phase TiO2 Nanoparticles Annealed with Low‐Temperature O2 Plasma2021

    • 著者名/発表者名
      Kawakami Retsuo、Mimoto Yuki、Yanagiya Shin-ichiro、Shirai Akihiro、Niibe Masahito、Nakano Yoshitaka、Mukai Takashi
    • 雑誌名

      physica status solidi (a)

      巻: 218 号: 24 ページ: 2100536-2100536

    • DOI

      10.1002/pssa.202100536

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04497, KAKENHI-PROJECT-20K03917
  • [雑誌論文] Effects of air-based nonequilibrium atmospheric pressure plasma jet treatment on characteristics of polypropylene film surfaces2020

    • 著者名/発表者名
      Kawakami Retsuo、Yoshitani Yuki、Mitani Kimiaki、Niibe Masahito、Nakano Yoshitaka、Azuma Chisato、Mukai Takashi
    • 雑誌名

      Applied Surface Science

      巻: 509 ページ: 144910-144910

    • DOI

      10.1016/j.apsusc.2019.144910

    • NAID

      120007175672

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04497
  • [雑誌論文] Effects of nonequilibrium atmospheric-pressure O2 plasma-assisted annealing on anatase TiO2 nanoparticles2020

    • 著者名/発表者名
      Kawakami Retsuo、Yoshitani Yuki、Shirai Akihiro、Yanagiya Shin-ichiro、Koide Hirofumi、Mimoto Yuki、Kajikawa Kosuke、Niibe Masahito、Nakano Yoshitaka、Azuma Chisato、Mukai Takashi
    • 雑誌名

      Applied Surface Science

      巻: 526 ページ: 146684-146684

    • DOI

      10.1016/j.apsusc.2020.146684

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04497, KAKENHI-PROJECT-20K03917
  • [雑誌論文] Characterisation of defects in p-type 4H-, 6H- and 3C-SiC epilayers grown on SiC substrates2019

    • 著者名/発表者名
      Kato Masashi、Ichikawa Naoto、Nakano Yoshitaka
    • 雑誌名

      Materials Letters

      巻: 254 ページ: 96-98

    • DOI

      10.1016/j.matlet.2019.07.043

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04497
  • [雑誌論文] Effects of ultraviolet wavelength and intensity on AlGaN thin film surfaces irradiated simultaneously with CF4 plasma and ultraviolet2019

    • 著者名/発表者名
      Kawakami Retsuo、Niibe Masahito、Nakano Yoshitaka、Yanagiya Shin-ichiro、Yoshitani Yuki、Azuma Chisato、Mukai Takashi
    • 雑誌名

      Vacuum

      巻: 159 ページ: 45-50

    • DOI

      10.1016/j.vacuum.2018.10.017

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06276
  • [雑誌論文] Characteristics of TiO 2 thin films surfaces treated by O 2 plasma in dielectric barrier discharge with the assistance of external heating2018

    • 著者名/発表者名
      Kawakami Retsuo、Niibe Masahito、Nakano Yoshitaka、Araki Yuma、Yoshitani Yuki、Azuma Chisato、Mukai Takashi
    • 雑誌名

      Vacuum

      巻: 152 ページ: 265-271

    • DOI

      10.1016/j.vacuum.2018.03.051

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [雑誌論文] Deep-level defects in homoepitaxial p-type GaN2018

    • 著者名/発表者名
      Nakano Yoshitaka
    • 雑誌名

      Journal of Vacuum Science & Technology A

      巻: 36 号: 2 ページ: 023001-023001

    • DOI

      10.1116/1.5017867

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06276
  • [雑誌論文] Generation of electrical damage in n-GaN films following treatment in a CF4 plasma2017

    • 著者名/発表者名
      Nakano Yoshitaka, Kawakami Retsuo, Niibe Masahito
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 10 号: 11 ページ: 116201-116201

    • DOI

      10.7567/apex.10.116201

    • NAID

      210000136023

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06276, KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [雑誌論文] Characteristics of N2 and O2 Plasma-Induced Damages on AlGaN Thin Film Surfaces2017

    • 著者名/発表者名
      Kawakami Retsuo、Niibe Masahito、Nakano Yoshitaka、Tanaka Ryo、Azuma Chisato、Mukai Takashi
    • 雑誌名

      physica status solidi (a)

      巻: 214 号: 11 ページ: 1700393-1700393

    • DOI

      10.1002/pssa.201700393

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06276, KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [雑誌論文] Electrical Investigation of Turn-On Capacitance Recovery Characteristics in Carbon-Doped AlGaN/GaN Hetero-Structures Grown on Si Substrates2017

    • 著者名/発表者名
      Nakano Yoshitaka
    • 雑誌名

      ECS Journal of Solid State Science and Technology

      巻: 6 号: 12 ページ: P828-P831

    • DOI

      10.1149/2.0191712jss

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06276
  • [雑誌論文] Electrical Characterization of β-Ga2O3 Single Crystal Substrates2017

    • 著者名/発表者名
      Nakano Yoshitaka
    • 雑誌名

      ECS Journal of Solid State Science and Technology

      巻: 6 号: 9 ページ: P615-P617

    • DOI

      10.1149/2.0181709jss

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06276
  • [雑誌論文] Deep-level defects related to the emissive pits in thick InGaN films on GaN template and bulk substrates2017

    • 著者名/発表者名
      Masatomo Sumiya, Naoki Toyomitsu, Yoshitaka Nakano, Jianyu Wang, Yoshitomo Harada, Liwen Sang, Takashi Sekiguchi, Tomohiro Yamaguchi, Tohru Honda
    • 雑誌名

      APL Materials

      巻: 5 号: 1 ページ: 0161051-8

    • DOI

      10.1063/1.4974935

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06276
  • [雑誌論文] AlGaN surfaces etched by CF4 plasma with and without the assistance of near-ultraviolet irradiation2017

    • 著者名/発表者名
      Retsuo Kawakami, Masahito Niibe, Yoshitaka Nakano, Takashi Mukai
    • 雑誌名

      Vacuum

      巻: 136 ページ: 28-35

    • DOI

      10.1016/j.vacuum.2016.11.016

    • 査読あり / 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06276, KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [雑誌論文] Damage Characteristics of <i>n</i>-GaN Crystal Etched with N<sub>2 </sub>Plasma by Soft X-Ray Absorption Spectroscopy2016

    • 著者名/発表者名
      M. Niibe, T. Kotaka, R. Kawakami, Y. Nakano, T. Mukai
    • 雑誌名

      e-Journal of Surface Science and Nanotechnology

      巻: 14 号: 0 ページ: 9-13

    • DOI

      10.1380/ejssnt.2016.9

    • NAID

      130005120933

    • ISSN
      1348-0391
    • 言語
      英語
    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [雑誌論文] Surface Analysis of AlGaN Treated with CF<sub>4 </sub>and Ar Plasma Etching2015

    • 著者名/発表者名
      S. Hirai, M. Niibe, R. Kawakami, T. Shirahama, Y. Nakano, T. Mukai
    • 雑誌名

      e-Journal of Surface Science and Nanotechnology

      巻: 13 号: 0 ページ: 481-487

    • DOI

      10.1380/ejssnt.2015.481

    • NAID

      130005114535

    • ISSN
      1348-0391
    • 言語
      英語
    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [雑誌論文] Comparison between AiGaN surfaces etchtched bycarbon tetrafluoride and argon plasmas: Effect of the fluorine impurities incorporated in the surface2015

    • 著者名/発表者名
      R. Kawakami, M. Niibe, Y. Nakano, T. Shirahama, S. Hirai, T. Mukai
    • 雑誌名

      Vacuum

      巻: 119 ページ: 264-269

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [雑誌論文] Recovery of x-ray absorption spectral profile in etched TiO2 thin films2015

    • 著者名/発表者名
      1)Keiji Sano, Masahito Niibe, Retsuo Kawakami and Yoshitaka Nakano
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol.

      巻: A33 ページ: 031403-031403

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [雑誌論文] Ar+-irradiation-induced damage in hydride vapor-phase epitaxy GaN films2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Nakano, D. Ogawa, K. Nakamura, R. Kawakami, M. Niibe
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. A

      巻: 33 号: 4 ページ: 0314031-5

    • DOI

      10.1116/1.4922593

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066, KAKENHI-PROJECT-25420300
  • [雑誌論文] Electrical Investigation of Deep-Level Defects Induced in AlGaN/GaN Heterostrucutures by CF4 Plasma Treatments2015

    • 著者名/発表者名
      2)R. Kawakami, Y. Nakano, M. Niibe, T. Shirahama, and T. Mukai
    • 雑誌名

      ECS Solid State Letters

      巻: 4 ページ: 36-38

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [雑誌論文] Deep-level defects and turn-on capacitance recovery characteristics in AlGaN/GaN heterostructures2015

    • 著者名/発表者名
      Yoshitaka Nakanoa, Yoshihiro Irokawa and Masatomo Sumiya
    • 雑誌名

      Philosophical Magazine Letters

      巻: 95 号: 6 ページ: 333-339

    • DOI

      10.1080/09500839.2015.1062154

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26420286, KAKENHI-PROJECT-25420300
  • [雑誌論文] Electrical Investigation of Deep-Level Defects Introduced in AlGaN/GaN Heterostructures by CF4 Plasma Treatments2015

    • 著者名/発表者名
      R. Kawakamia, Y. Nakano, M. Niibe, T. Shirahama, T. Mukai
    • 雑誌名

      ECS Solid State Letters

      巻: 4 号: 4 ページ: 36-38

    • DOI

      10.1149/2.0011505ssl

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420300
  • [雑誌論文] Comparison between AlGaN Surfaces Etched by Carbon Tetrafluoride and Argon Plasmas: Effect of the Fluorine Impurities Incorporated in the Surface2015

    • 著者名/発表者名
      R. Kawakami, M. Niibe, Y. Nakano, T. Shirahama, S. Hirai, T. Mukai
    • 雑誌名

      Vacuum

      巻: 119 ページ: 264-269

    • DOI

      10.1016/j.vacuum.2015.06.002

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420300
  • [雑誌論文] Optical and electrical investigation of Ar+-irradiated GaN2014

    • 著者名/発表者名
      Miao-Gen Chen, Keiji Nakamura, Yan-Qing Qiu, Daisuke Ogawa, Retsuo Kawakami, Masahito Niibe, Yoshitaka Nakano
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 7 号: 11 ページ: 111003-111003

    • DOI

      10.7567/apex.7.111003

    • NAID

      210000137269

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420300, KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [雑誌論文] Damage Characteristics of n-GaN Thin Film Surfaces Etched by Ultraviolet Light-Assisted Helium Plasmas2014

    • 著者名/発表者名
      5)R. Kawakami, M. Niibe, Y. Nakano, T. Shirahama, K. Aoki, K. Oba, M. Takabatake, T. Mukai
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 570 ページ: 81-86

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [雑誌論文] Carbon-Related Deep-Level Defects and Turn-On Recovery Characteristics in AlGaN/GaN Hetero-Structures2014

    • 著者名/発表者名
      Yoshitaka Nakano, Yoshihiro Irokawa, Masatomo Sumiya, Yasunobu Sumida, Shuichi Yagi, Hiroji Kawai
    • 雑誌名

      Materials Research Society Symposium Proceedings

      巻: 1635 ページ: 1-6

    • DOI

      10.1557/opl.2014.102

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420300
  • [雑誌論文] Steady-state photo-capacitance spectroscopy investigation of Carbon-related deep-level defects in AlGaN/GaN hetero-structures grown by MOCVD2013

    • 著者名/発表者名
      Yoshitaka Nakano
    • 雑誌名

      Trends in Applied Spectroscopy

      巻: 9 ページ: 59-65

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420300
  • [雑誌論文] Correlation between deep-level defects and turn-on recovery characteristics in AlGaN/GaN hetero-structures2013

    • 著者名/発表者名
      Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi,H.Kawai
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 112(10) 号: 10 ページ: 106103-106103

    • DOI

      10.1063/1.4767367

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560309
  • [雑誌論文] Investigation of Band-Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Structures with Different Growth Conditions of GaN Buffer Layers2012

    • 著者名/発表者名
      Yoshitaka Nakano
    • 雑誌名

      Materials Research Society Symposium Proceedings

      巻: VOL.1396

    • DOI

      10.1557/opl.2012.14

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560309
  • [雑誌論文] Effect of Carbon Impurity Incorporation on Band-Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Structures2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi,H.Kawai
    • 雑誌名

      Electrochemical and Solid-State Letters

      巻: 15(2) 号: 2 ページ: H44-H46

    • DOI

      10.1149/2.025202esl

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560309
  • [雑誌論文] Photo-capacitance spectroscopy study of deep-level defects in free-standing n-GaN substrates using transparent conductive polymer Schottky contacts2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Nakano, M.Lozac'h, N.Matsuki, K.Sakoda, M.Sumiya
    • 雑誌名

      Journal of Vaccum Science & Teclmology B

      巻: VOL.29

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560309
  • [雑誌論文] Photo-Capacitance Spectroscopy Investigation of Deep-Level Defects in AlGaN/GaN hetero-structures with different current collapses2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi,H.Kawai
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (RRL)

      巻: 4(12) 号: 12 ページ: 374-376

    • DOI

      10.1002/pssr.201004421

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560309
  • [雑誌論文] Photo-capacitance spectroscopy investigation of deep-level defects in AlGaN/GaN hetero-structures with different current collapses2010

    • 著者名/発表者名
      Yoshitaka Nakano
    • 雑誌名

      Phys.Status Solidi RRL

      巻: 4 ページ: 374-376

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760241
  • [雑誌論文] Photo-Capacitance Spectroscopy investigation of Deep-Level Defects in AlGaN/GaN hetero-structures with different current collapses2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, H.Kawai
    • 雑誌名

      physica status solidi (Rapid Research Letters)

      巻: VOL.4 ページ: 374-376

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560309
  • [雑誌論文] Photo-capacitance spectroscopy investigation of deep-level defects in AlGaN/GaN hetero-structures with different current collapses Phys.2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, H.Kawai
    • 雑誌名

      Status Solidi RRL 4

      ページ: 374-376

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760241
  • [雑誌論文] Low-frequency capacitance-voltage study of hydrogen interaction with Pt-AlGaN/GaN Schottky barrier diodes, Phys.2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Irokawa, N.Matsuki, M.Sumiya, Y.Sakuma, T.Sekiguchi, T.Chikyo, Y.Sumida, Y.Nakano
    • 雑誌名

      Status Solidi RRL 3

      ページ: 266-268

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760241
  • [産業財産権] ワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性測定方法及び測定装置2012

    • 発明者名
      中野由崇、中村圭二
    • 権利者名
      同上
    • 産業財産権番号
      2012-168032
    • 出願年月日
      2012-07-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560309
  • [産業財産権] ワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性測定方法及び測定装置2012

    • 発明者名
      中野由崇、中村圭二
    • 権利者名
      中野由崇、中村圭二
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2012-07-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560309
  • [学会発表] m面GaN薄膜の表面処理による化学結合状態とCV特性変化2024

    • 著者名/発表者名
      角谷 正友、津田 康孝、隅田 真人、中野 由崇、吉越 章隆
    • 学会等名
      第71回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04206
  • [学会発表] 光容量分光法によるワイドギャップ半導体の欠陥準位評価2024

    • 著者名/発表者名
      中野 由崇
    • 学会等名
      応用物理学会 結晶工学分科会 第28回結晶工学セミナー「ワイドギャップ半導体の先端・実践評価技術」
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04206
  • [学会発表] Real-time observation of oxidation process on GaN surfaces by x-ray photoelectron spectroscopy2023

    • 著者名/発表者名
      Masatomo Sumiya, Yasutaka Tsuda, Masato Sumita, Yoshitaka Nakano, Akitaka Yoshigoe
    • 学会等名
      14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04206
  • [学会発表] Photocatalytic Activity Enhancement of Titanium Dioxide Nanoparticles via High-Pressure Annealing with Polyethylene Glycol2023

    • 著者名/発表者名
      Takumi Matsumoto, Shin-ichiro Yanagiya, Masahito Niibe, Yoshitaka Nakano, Retsuo Kawakami
    • 学会等名
      International Symposium of Dry Process 2023
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04206
  • [学会発表] Atmospheric-Pressure Low-Temperature O2 Plasma-Assisted Annealing on Visible-Light-Induced Photocatalytic Activity of Pt-doped Rutile TiO2 Nanoparticles2022

    • 著者名/発表者名
      Yuta Makino, Retsuo Kawakami, Shin-ichiro Yanagiya, Masahito Niibe, Yoshitaka Nakano and Takashi Mukai
    • 学会等名
      The 43rd International Symposium on Dry Process (DPS2022)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04206
  • [学会発表] Polyethylene Glycol Doping Effects on Photocatalytic Activity of Anatase/Rutile-Mixed Phase TiO2 Nanoparticles2022

    • 著者名/発表者名
      Takumi Matsumoto, Retsuo Kawakami, Shin-ichiro Yanagiya, Masahito Niibe, Yoshitaka Nakano and Takashi Mukai
    • 学会等名
      The 43rd International Symposium on Dry Process (DPS2022)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04206
  • [学会発表] 高温度真空中アニール処理したb-Ga2O3(-201)単結晶の欠陥準位評価2022

    • 著者名/発表者名
      豊留 彬、中野 由崇
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04497
  • [学会発表] 光熱偏向分光法によるGaNバルク評価2022

    • 著者名/発表者名
      角谷正友, 中野由崇, 小出康夫, 本田徹
    • 学会等名
      第41回電子材料シンポジウム
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22K04206
  • [学会発表] Ar+イオン衝撃により p型 GaN に導入される電気的ダメージの UV 光照射効果2022

    • 著者名/発表者名
      豊留 彬、中野 由崇、川上 烈生、新部 正人
    • 学会等名
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04497
  • [学会発表] Nonequilibrium Atmospheric-Pressure O2 Plasma-Assisted Annealing Effect on Photocatalytic Activity of Anatase/Rutile-Mixed Phase TiO2 Nanoparticles2021

    • 著者名/発表者名
      Mimoto Yuki、Kawakami Retsuo、Yanagiya Shin-ichiro、Masahito Niibe、Nakano Yoshitaka、Mukai Takashi
    • 学会等名
      42nd International Symposium of Dry Process (DPS 2021)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04497
  • [学会発表] Electrical Investigation of Turn-On Capacitance Recovery Characteristics in Auto or External Carbon-doped AlGaN/GaN/SiC/Si2021

    • 著者名/発表者名
      Hiroki Suzuki、Shigeomi Hishiki、Keisuke Kawamura、Yoshitaka Nakano
    • 学会等名
      12th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 13th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04497
  • [学会発表] Intrinsic Defect Investigation of n-Type b-Ga2O3 Single Crystals Treated by High-Temperature Annealing in Vacuum2021

    • 著者名/発表者名
      Toyotome Akira、Nakano Yoshitaka
    • 学会等名
      The Eighth International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2021)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04497
  • [学会発表] Photobactericidal Activity of Anatase Titanium Dioxide Nanoparticles Annealed with the Assistance of Nonequilibrium Atmospheric-Pressure Oxygen Plasma2021

    • 著者名/発表者名
      Retsuo Kawakami、Mimoto Yuki、Shirai kihiro、Yanagiya Shin-ichiro、Niibe Masahito、Nakano Yoshitaka、Takashi Mukai
    • 学会等名
      42nd International Symposium of Dry Process (DPS 2021)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04497
  • [学会発表] Annealing behavior of deep-level defects in unintentionally doped n-type b-Ga2O3 single crystal2021

    • 著者名/発表者名
      Yoshitaka Nakano、Akira Toyotome、Riku Suzuki、Yuki Yasuda
    • 学会等名
      12th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 13th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04497
  • [学会発表] 高温度アニール処理したSiドープb-Ga2O3(010)単結晶の電気特性評価2021

    • 著者名/発表者名
      中野 由崇、豊留 彬、鈴木 陸、安田 優綺
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04497
  • [学会発表] Electrical Damage Introduced into p-GaN Films by Ar Plasma Treatments2021

    • 著者名/発表者名
      Akira Toyotome、Yoshitaka Nakano、Retsuo Kawakami、Masahito Niibe
    • 学会等名
      12th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 13th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04497
  • [学会発表] 大気圧低温O2プラズマ支援熱処理したアナターゼ/ルチル混晶型TiO2ナノ粒子の紫外/可視光触媒活性2021

    • 著者名/発表者名
      味元 勇樹、川上 烈生、柳谷 伸一郎、新部 正人、中野 由崇、向井 孝志
    • 学会等名
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04497
  • [学会発表] CF4プラズマ処理したp型GaNの電気的ダメージ評価2020

    • 著者名/発表者名
      中野 由崇、豊留 彬
    • 学会等名
      第67回応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04497
  • [学会発表] Ar+イオン照射により生成するp型GaNの電気的ダメージ評価2019

    • 著者名/発表者名
      中野 由崇、豊留 彬
    • 学会等名
      第80回応用物理学会 秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04497
  • [学会発表] Deep-Level Defect Investigation of Si-Doped b-Ga2O3 Homoepitaxial Films Grown by Halide Vapor Phase Epitaxy2019

    • 著者名/発表者名
      Nakano Yoshitaka、Akira Toyotome
    • 学会等名
      2019-edition of Compound Semiconductor Week (CSW2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04497
  • [学会発表] Electrical Damage Introduced into p-GaN Films by Ar Plasma Treatments2019

    • 著者名/発表者名
      Nakano Yoshitaka、Akira Toyotome
    • 学会等名
      7th International Symposium on Organic and Inorganic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO2019)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-19K04497
  • [学会発表] 3C-SiC/Si基板上に作製したAlGaN/GaN/GaN:Cヘテロ構造のターンオン容量回復特性2019

    • 著者名/発表者名
      中野 由崇, 北原 功一, 大内 澄人, 生川 満久, 川村 啓介
    • 学会等名
      第66回応用物理学会 秋季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06276
  • [学会発表] AlGaN薄膜表面へのCF4プラズマ処理中に及ぼす紫外光同時照射効果2018

    • 著者名/発表者名
      川上 烈生, 芳谷 勇樹, 新部 正人, 中野 由崇, 東 知里, 向井 孝志
    • 学会等名
      平成30年度電気関係学会 四国支部連合大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06276
  • [学会発表] HVPE法で結晶成長したb-Ga2O3ホモエピ膜の電気的評価2018

    • 著者名/発表者名
      中野由崇
    • 学会等名
      第65回応用物理学会 春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06276
  • [学会発表] TiO2 Thin Film Surfaces Treated by O2 Plasma in Dielectric Barrier Discharge with Assistance of Heat Treatment2017

    • 著者名/発表者名
      Retsuo Kawakami, Kengo Fujimoto, Masahito Niibe, Yuma Araki, Yoshitaka Nakano and Takashi Mukai
    • 学会等名
      14th International Symp. Sputtering & Plasma Processes
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] Electrical Characterization of b-Ga2O3 Single Crystal Substrate2017

    • 著者名/発表者名
      Nakano Yoshitaka
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06276
  • [学会発表] Surface Structure Analysis of AlGaN Thin Films Damaged by Oxygen and Nitrogen Plasmas2017

    • 著者名/発表者名
      Masahito Niibe, Ryo Tanaka, Retsuo Kawakami, Yoshitaka Nakano and Takashi Muka
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] Electrical Damage Introduced into n -GaN Films by CF4 Plasma Treatments2017

    • 著者名/発表者名
      Yoshitaka Nakano
    • 学会等名
      9th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
    • 発表場所
      中部大学 (愛知県春日井市)
    • 年月日
      2017-03-01
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06276
  • [学会発表] TiO2 薄膜のプラズマ処理試料のXPS法による組成と触媒活性の相関2017

    • 著者名/発表者名
      荒木佑馬、新部正人、川上烈生、竹平徳崇、中野由崇
    • 学会等名
      第30回日本放射光学会シンポジウム
    • 発表場所
      神戸芸術センター(兵庫県神戸市)
    • 年月日
      2017-01-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] Bulk-Related Current Collapses in Carbon-Doped AlGaN/GaN/GaN:C Hetero-Structures Grown on Si Substrates2017

    • 著者名/発表者名
      Chikamatsu Akihito, Nakano Yoshitaka
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06276
  • [学会発表] Generation Behavior of Electrical Damage Introduced into n-GaN Films by CF4 Plasma Treatments2017

    • 著者名/発表者名
      Nakano Yoshitaka, Kawakami Retsuo, Niibe Masahito
    • 学会等名
      The 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06276
  • [学会発表] Electrical Investigation of p-GaN Film Homo-Epitaxially Grown on Free-Standing GaN Substrate2017

    • 著者名/発表者名
      Nakano Yoshitaka
    • 学会等名
      The 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06276
  • [学会発表] 光触媒TiO2薄膜への加熱を伴うO2 DBDプラズマ処理効果2017

    • 著者名/発表者名
      川上 烈生, 新部 正人, 中野 由崇, 芳谷 勇樹, 東 知里, 向井 孝志
    • 学会等名
      平成29年度電気関係学会 四国支部連合大会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] Generation Behavior of Electrical Damage Introduced into n-GaN Films by CF4 Plasma Treatments2017

    • 著者名/発表者名
      Yoshitaka Nakano, Retsuo Kawakami and Masahito Niibe
    • 学会等名
      29th International Conf. on Defects in Semiconductors (ICDS)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] Electrical Investigation of Bulk-Related Current Collapses in AlGaN/GaN/GaN:C Hetero-Structures Grown on Si Substrates2017

    • 著者名/発表者名
      Nakano Yoshitaka, Chikamatsu Akihito
    • 学会等名
      The 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2017)
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06276
  • [学会発表] 酸素および窒素プラズマ処理したAlGaN膜の表面分析2017

    • 著者名/発表者名
      田中良、新部正人、川上烈生、中野由崇、向井孝志
    • 学会等名
      第30回日本放射光学会シンポジウム
    • 発表場所
      神戸芸術センター(兵庫県神戸市)
    • 年月日
      2017-01-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] CF4プラズマ処理したn-GaN膜の電気的評価2016

    • 著者名/発表者名
      6) 中野由崇, 坂井佑輔, 新部正人, 川上烈生
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学大岡山キャンパス(東京都目黒区)
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] ガスソースMBE法により作製した3C-SiC(111)自立基板の電気的評価2016

    • 著者名/発表者名
      中野由崇、浅村英俊、大内澄人、生川満久、稲垣徹、川村啓介
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ (新潟県新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06276
  • [学会発表] CF4プラズマ処理したn-GaN 膜の電気的評価2016

    • 著者名/発表者名
      中野由崇, 坂井佑輔, 新部正人, 川上烈生
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2016-03-19
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420300
  • [学会発表] TiO2薄膜のプラズマ処理試料のXPS法による組成と触媒活性の相関2016

    • 著者名/発表者名
      荒木佑馬、竹平徳崇、新部正人、川上烈生、中野由崇
    • 学会等名
      第52回X線分析討論会
    • 発表場所
      筑波大学東京キャンパス(東京都文京区)
    • 年月日
      2016-10-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] Si基板上AlGaN/GaN/GaN:Cヘテロ構造のターンオン容量回復特性2016

    • 著者名/発表者名
      中野由崇、近松晃仁
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ (新潟県新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06276
  • [学会発表] CF4とArプラズマ処理したAlGaN膜の表面分析2016

    • 著者名/発表者名
      8) 平井翔大,新部正人,川上烈生,竹平徳崇,中野由崇,向井孝志
    • 学会等名
      第29回日本放射光学会シンポジウム
    • 発表場所
      東京大学柏の葉キャンパス(千葉県柏市)
    • 年月日
      2016-01-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] Electrical damage in n-GaN films treated by CF4 plasma2016

    • 著者名/発表者名
      Yoshitaka Nakano, Masahito Niibe and Retsuo Kawakami
    • 学会等名
      International Symposium of Dry Process 2016
    • 発表場所
      北海道大学(北海道札幌市)
    • 年月日
      2016-11-21
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] Effect of Ultraviolet Light-Assisted CF4 Plasma Irradiation on AlGaN Thin Film Surface2016

    • 著者名/発表者名
      Retsuo Kawakami, Masahito Niibe, Yoshitaka Nakano and Takashi Mukai
    • 学会等名
      43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2016)
    • 発表場所
      富山国際会議場(富山県富山市)
    • 年月日
      2016-06-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] CF4プラズマ処理したn-GaN膜の電気的ダメージ2016

    • 著者名/発表者名
      中野由崇、新部正人、川上烈生
    • 学会等名
      2016年真空・表面科学合同講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場 (愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2016-11-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06276
  • [学会発表] Electrical Damage Investigation of n-GaN Films Treated by CF4 Plasma2016

    • 著者名/発表者名
      Yoshitaka Nakano, Masahito Niibe and Retsuo Kawakami
    • 学会等名
      43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2016)
    • 発表場所
      富山国際会議場(富山県富山市)
    • 年月日
      2016-06-26
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] CF4とArプラズマで処理したAlGaN膜の表面分析2016

    • 著者名/発表者名
      平井翔大, 新部正人, 川上烈生, 竹平徳崇, 中野由崇, 向井孝志
    • 学会等名
      第29回日本放射光学会年会 放射光科学合同シンポジウム (JSR2016)
    • 発表場所
      柏
    • 年月日
      2016-01-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420300
  • [学会発表] 炭素ドープしたSi基板上AlGaN/GaNヘテロ構造の容量回復特性2016

    • 著者名/発表者名
      近松晃仁、中野由崇
    • 学会等名
      2016年真空・表面科学合同講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場 (愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2016-11-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-16K06276
  • [学会発表] AlGaN表面特性への酸素プラズマ照射効果2016

    • 著者名/発表者名
      新部正人, 川上烈生,中野由崇、田中良、荒木佑馬、東知里、向井孝志
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ、(新潟県新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] TiO2薄膜のプラズマ処理試料のXPS 法による組成と触媒活性の相関2016

    • 著者名/発表者名
      7) 荒木佑馬,新部正人,川上烈生,竹平徳崇,中野由崇
    • 学会等名
      第29回日本放射光学会シンポジウム
    • 発表場所
      東京大学柏の葉キャンパス(千葉県柏市)
    • 年月日
      2016-01-09
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] CF4プラズマ処理したn-GaN膜の電気的ダメージ2016

    • 著者名/発表者名
      中野由崇、新部正人、川上烈生
    • 学会等名
      2016年真空・表面科学合同講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2016-11-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] A Relation between Pinch-Off Voltages and Deep-Level Defects in AlGaN/GaN Hetero-Structures Treated by CF4 Plasma2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Nakano, R. Kawakami, M. Niibe, T. Shirahama, T. Mukae
    • 学会等名
      11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11)
    • 発表場所
      Beijing
    • 年月日
      2015-08-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420300
  • [学会発表] 酸化チタン薄膜表面への酸素プラズマ照射効果2015

    • 著者名/発表者名
      11)新部正人,荒木佑馬,竹平徳崇,川上烈生,中野由崇,東知里
    • 学会等名
      第76回秋季応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] Carbon-Related Deep-Level Defects and Carrier Trapping Characteristics in AlGaN/GaN Hetero-Structures2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Nakano, Y. Irokawa, M. Sumiya, S. Yagi, H. Kawai
    • 学会等名
      11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11)
    • 発表場所
      Beijing
    • 年月日
      2015-08-30
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420300
  • [学会発表] 紫外光アシストCF4プラズマでエッチンングされたAlGaN表面分析2015

    • 著者名/発表者名
      10)新部正人,川上烈生,中野由崇,竹平徳崇,平井翔大,荒木佑馬,東知里,向井孝志
    • 学会等名
      第76回秋季応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] A Relation between Pinch-Off Voltages and Deep-Level Defects in AlGaN/GaN Hetero-Structures Treated by CF4 Plasma2015

    • 著者名/発表者名
      2) Y. Nakano, R. Kawakami, M. Niibe, T. Shirahama and T. Mukai
    • 学会等名
      11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11)
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 年月日
      2015-08-30
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] Comparison between Surface Characteristics of Titanium Oxide Thin Films Treated with N2 Dielectric Barrier Discharge Plasma and Annealed in N2 Gas2015

    • 著者名/発表者名
      5) R. Kawakami, M. Niibe, Y. Nakano and T. Mukai
    • 学会等名
      13th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes (ISSP)
    • 発表場所
      京都リサーチパーク, (京都府京都市)
    • 年月日
      2015-07-08
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] CF4とArプラズマで処理したAlGaN/GaNの電気特性2015

    • 著者名/発表者名
      川上烈生, 新部正人, 中野由崇, 東知里, 向井孝志
    • 学会等名
      平成27年度電気関係学会 四国支部連合大会
    • 発表場所
      高知
    • 年月日
      2015-09-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420300
  • [学会発表] Ar+-Irradiation Induced Damage in Hydride Vapor-Phase Epitaxy GaN2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Nakano, D. Ogawa, K. Nakamura, R. Kawakami, M. Niibe
    • 学会等名
      The 5th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2015)
    • 発表場所
      Niigata
    • 年月日
      2015-06-16
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420300
  • [学会発表] Anatase TiO2 Thin Films Grown by Facing-Target Reactive Sputtering and Its Impact on Photocatalytic Activity2015

    • 著者名/発表者名
      1) R. Kawakami, M. Niibe, Y. Nakano, C. Azuma and T. Mukai
    • 学会等名
      International Symposium of Dry Process 2015
    • 発表場所
      Awaji-Yumebutai International Conference Center, (兵庫県淡路島)
    • 年月日
      2015-11-05
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] TiO2薄膜のプラズマ処理試料のXPS 法による組成と触媒活性の相関2015

    • 著者名/発表者名
      9) 荒木佑馬,新部正人,川上烈生,竹平徳崇,中野由崇
    • 学会等名
      第51回X線分析討論会
    • 発表場所
      姫路・西はりま地場産業センター(兵庫県姫路市)
    • 年月日
      2015-10-29
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] Ar+-Irradiation Induced Damage in Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy GaN2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Nakano, D. Ogawa, K. Nakamura, R. Kawakami, M. Niibe
    • 学会等名
      The 5th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2015)
    • 発表場所
      Niigata
    • 年月日
      2015-06-16
    • 国際共著/国際学会である
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420300
  • [学会発表] AlGaN/GaNヘテロ構造の炭素関連欠陥準位とターンオン電流回復特性2014

    • 著者名/発表者名
      中野由崇,色川芳宏,角谷正友, 住田行常, 八木修一, 河合弘治
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420300
  • [学会発表] ArとCF4プラズマで処理したAlGaN膜の表面分析2014

    • 著者名/発表者名
      平井翔大,新部正人,白濱達夫,川上烈生,中野由崇,向井孝志
    • 学会等名
      兵庫県立大学知の交流シンポジウム
    • 発表場所
      姫路商工会議所(兵庫県姫路市)
    • 年月日
      2014-09-24
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] Deep-Level Defects and Turn-On Recovery Characteristics in AlGaN/GaN Hetero-Structures Containing Various Carbon Concentrations2013

    • 著者名/発表者名
      Yoshitaka Nakano, Yoshihiro Irokawa, Masatomo Sumiya, Yasunobu Sumida, Shuichi Yagi, Hiroji Kawai
    • 学会等名
      2013 Materials Research Society Fall Meeting
    • 発表場所
      Hynes Convention Center (Boston)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420300
  • [学会発表] Carbon-Related Deep-Level Defects and Turn-On Recovery Characteristics in AlGaN/GaN Hetero-Structures2013

    • 著者名/発表者名
      Yoshitaka Nakano, Yoshihiro Irokawa, Yasunobu Sumida, Shuichi Yagi, Hiroji Kawai
    • 学会等名
      International Symposium on Compound Semiconductors 2013
    • 発表場所
      Kobe Convention Center
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420300
  • [学会発表] Correlation between turn-on recovery characteristics and deep-level defects in AlGaN/GaN hetero-structures2012

    • 著者名/発表者名
      Yoshitaka Nakano
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター (札幌)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560309
  • [学会発表] Correlation between turn-on recovery characteristics and deep-level defects in AlGaN/GaN hetero-structures2012

    • 著者名/発表者名
      Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, H.Kawai
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors2012
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター(札幌)Sapporo.
    • 年月日
      2012-10-16
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560309
  • [学会発表] Effect of Carbon Impurity Incorporation on Band-Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Structures2012

    • 著者名/発表者名
      Yoshitaka Nakano
    • 学会等名
      4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2012)
    • 発表場所
      中部大学(愛知県春日井市)
    • 年月日
      2012-03-07
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560309
  • [学会発表] Correlation between Deep-Level Defects and Current Collapses in AlGaN/GaN Hetero-Structures2012

    • 著者名/発表者名
      Y.Nakano
    • 学会等名
      11th International Symposium on Advanced Technology
    • 発表場所
      工学院大学(東京)
    • 年月日
      2012-10-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560309
  • [学会発表] AlGaN/GaNヘテロ構造のターンオン回復特性と欠陥準位の相関2012

    • 著者名/発表者名
      中野由崇
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      愛媛大学 (松山)
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560309
  • [学会発表] Correlation between Deep-Level Defects and Current Collapses in AlGaN/GaN Hetero-Structures2012

    • 著者名/発表者名
      Yoshitaka Nakano
    • 学会等名
      11th International Symposium on Advanced Technology
    • 発表場所
      工学院大学 (東京)
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560309
  • [学会発表] Steady-State Photo-capacitance Spectroscopy Investigation of Band-Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Structures with Different Growth Conditions2011

    • 著者名/発表者名
      Yoshitaka Nakano
    • 学会等名
      Materials Research Society 2011 Fall Meeting
    • 発表場所
      Hynes Convention Center (Boston, USA)
    • 年月日
      2011-12-01
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560309
  • [学会発表] Correlation between Current Collapses and Deep-Level Defects in AlGaN/GaN Hetero-Structures Probed by Photo-Capacitance Spectroscopy2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, H.Kawai
    • 学会等名
      3^<rd> International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
    • 発表場所
      名古屋工業大学(愛知県)
    • 年月日
      2011-03-08
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560309
  • [学会発表] Correlation between Current Collapses and Deep-Level Defects in AlGaN/GaN Hetero-Structures Probed by Photo-Capacitance Spectroscopy2011

    • 著者名/発表者名
      Yoshitaka Nakano
    • 学会等名
      9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
    • 発表場所
      Scottish Exhibition and Conference Centre (Glasgow, UK)
    • 年月日
      2011-07-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560309
  • [学会発表] Correlation between Current Collapses and Deep-Level Defects in AlGaN/GaN Hetero -Structures Probed by Photo-Capacitance Spectroscopy2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, H.Kawai
    • 学会等名
      9th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Scottish Exhibition and Conference Centre(Glasgow,UK).
    • 年月日
      2011-07-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560309
  • [学会発表] Current Collapses in AlGaN/GaN Hetero-structures Studied by Deep-level Optical Spectroscopy2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, H.Kawai
    • 学会等名
      Materials Research Society 2010 Fall Meeting
    • 発表場所
      Hynes Convention Center (Boston, USA)
    • 年月日
      2010-11-30
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-22560309
  • [学会発表] Band Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Interface Probed by Deep-Level Optical Spectroscopy2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Nakano
    • 学会等名
      8th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
    • 発表場所
      長野
    • 年月日
      2009-08-26
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760241
  • [学会発表] Damage Characteristics of n-GaNCrystal Etched with N2 Plasma by Soft X-ray Absorption Spectroscopy

    • 著者名/発表者名
      Masahito Niibe, Takuya Kotaka, Retsuo Kawakami, Yoshitaka Nakano and Takashi Mukai
    • 学会等名
      7th International Symposium on Surface Science (ISSS-7)
    • 発表場所
      Kunibikki Messe, Matsue, Japan
    • 年月日
      2014-11-02 – 2014-11-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] Etching damage analysis of n-GaN crystals etched with N2-plasma using soft X-ray absorption spectroscopy

    • 著者名/発表者名
      Masahito Niibe, Takuya Kotaka, Retsuo Kawakami, Yoshitaka Nakano and Takashi Mukai
    • 学会等名
      36th International Symposium on Dry Process (DSP2014)
    • 発表場所
      PACIFICO Convention Plaza, Yokohama, Japan
    • 年月日
      2014-11-27 – 2014-11-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] Ar+イオン照射したHVPE-GaN膜の電気的評価

    • 著者名/発表者名
      中野由崇,中村圭二,新部正人,川上烈生
    • 学会等名
      第75回秋季応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学札幌キャンパス(北海道札幌市)
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] Ar+イオン照射したMOCVD-GaN:Si膜の電気的評価

    • 著者名/発表者名
      中野由崇,高木健司,小川大輔,中村圭二,新部正人,川上烈生
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス(神奈川県平塚市)
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] C-t法によるAlGaN/GaNヘテロ構造のターンオン回復特性評価

    • 著者名/発表者名
      中野由崇, 色川芳宏, 角谷正友, 八木修一, 河合 弘治
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学 (北海道・札幌市)
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420300
  • [学会発表] Ar+イオン照射したMOCVD-GaN:Si膜の電気的評価

    • 著者名/発表者名
      中野由崇, 高木健司, 小川大輔, 中村圭二, 新部正人, 川上烈生
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学 (神奈川県・平塚市)
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420300
  • [学会発表] Carbon-Related Deep-Level Defects and Carrier-Trapping Characteristics in AlGaN/GaN Hetero-Structures

    • 著者名/発表者名
      Yoshitaka Nakano, Yoshihiro Irokawa, Masatomo Sumiya, Shuichi Yagi, Hiroji Kawai
    • 学会等名
      7th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials/8th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2015/IC-PLANTS2015)
    • 発表場所
      名古屋大学 (愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2015-03-26 – 2015-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420300
  • [学会発表] CF4とArプラズマでエッチングしたAlGaN表面ダメージ

    • 著者名/発表者名
      新部正人,川上烈生,中野由崇,向井孝志,白濱達夫,平井翔大
    • 学会等名
      第75回秋季応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学札幌キャンパス(北海道札幌市)
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] X線吸収分光法を用いたTiO2薄膜のプラズマダメージ評価

    • 著者名/発表者名
      佐野桂治,新部正人,川上烈生,中野由崇
    • 学会等名
      第28回日本放射光学会シンポジウム
    • 発表場所
      立命館大学びわこ・くさつキャンパス(滋賀県草津市)
    • 年月日
      2015-01-10 – 2015-01-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] Morphological and Compositional Changes in AlGaN Surfaces etched by RF Capacitively Coupled Carbon Tetrafluoride and Argon Plasmas

    • 著者名/発表者名
      R. Kawakami, M. Niibe, Y. Nakano, T. Shirahama, S. Hirai and T. Mukai
    • 学会等名
      36th International Symposium on Dry Process (DSP2014)
    • 発表場所
      PACIFICO Convention Plaza, Yokohama, Japan
    • 年月日
      2014-11-27 – 2014-11-28
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] Spectral Recovery of Etching Damage of TiO2 thin film Observed in XAS Spectra

    • 著者名/発表者名
      Keiji Sano, Masahito Niibe, Retsuo Kawakami, Yoshitaka Nakano
    • 学会等名
      7th International Symposium on Surface Science (ISSS-7)
    • 発表場所
      Kunibiki Messe, Matsue, Japan
    • 年月日
      2014-11-02 – 2014-11-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] TiO2超微粒子の軟X線照射によるNEXAFSスペクトル形状の回復

    • 著者名/発表者名
      新部正人,佐野桂治,川上烈生,中野由崇
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス(神奈川県平塚市)
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] AlGaN/GaNヘテロ構造における炭素関連の欠陥準位評価

    • 著者名/発表者名
      中野由崇
    • 学会等名
      日本物理学会 第24回格子欠陥フォーラム「パワーデバイス開発のための格子欠陥評価・制御」
    • 発表場所
      かんぽの宿 恵那 (岐阜県・恵那市)
    • 年月日
      2014-09-11 – 2014-09-12
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420300
  • [学会発表] Generation Behavior of Deep-Level Defects in Ar+-Irradiated GaN

    • 著者名/発表者名
      Yoshitaka Nakano, Miao-Gen Chen, Daisuke Ogawa, Keiji Nakamura, Retsuo Kawakami, Masahito Niibe
    • 学会等名
      7th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials/8th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2015/IC-PLANTS2015)
    • 発表場所
      名古屋大学 (愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2015-03-26 – 2015-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420300
  • [学会発表] ArとCF4プラズマで処理したAlGaN膜の表面分析

    • 著者名/発表者名
      平井翔大,新部正人,川上烈生,白濱達夫,中野由崇,向井孝志
    • 学会等名
      第28回日本放射光学会シンポジウム
    • 発表場所
      立命館大学びわこ・くさつキャンパス(滋賀県草津市)
    • 年月日
      2015-01-10 – 2015-01-12
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] Surface analysis of AlGaN treated by Ar and CF4 plasma etching

    • 著者名/発表者名
      Shodai Hirai, Masahito Niibe, Retsuo Kawakami, Yoshitaka Nakano
    • 学会等名
      7th International Symposium on Surface Science (ISSS-7)
    • 発表場所
      Kunibiki Messe, Matsue, Japan
    • 年月日
      2014-11-02 – 2014-11-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] CF4プラズマ処理したAlGaN/GaNヘテロ構造の電気的評価

    • 著者名/発表者名
      中野由崇, 川上烈生, 新部正人, 高木健司, 白濱達夫, 向井孝志
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学 (神奈川県・平塚市)
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420300
  • [学会発表] CF4プラズマ処理したAlGaN/GaNヘテロ構造の電気的評価

    • 著者名/発表者名
      中野由崇,川上烈生,新部正人,高木健司,白濱達夫,向井孝志
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス(神奈川県平塚市)
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-26390066
  • [学会発表] Ar+イオン照射したHVPE-GaN膜の電気的評価

    • 著者名/発表者名
      中野由崇, 中村圭二, 新部 正人, 川上烈生
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学 (北海道・札幌)
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25420300
  • 1.  色川 芳宏 (90394832)
    共同の研究課題数: 6件
    共同の研究成果数: 18件
  • 2.  角谷 正友 (20293607)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 7件
  • 3.  新部 正人 (10271199)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 47件
  • 4.  川上 烈生 (30314842)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 47件
  • 5.  河合 弘治
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 7件
  • 6.  小高 拓也
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 2件
  • 7.  佐野 桂治
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 4件
  • 8.  平井 翔大
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 8件
  • 9.  荒木 佑馬
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 9件
  • 10.  田中 良
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件

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