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内田 紀行  UCHIDA Noriyuki

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 60400636
その他のID
所属 (現在) 2025年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究グループ長
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2020年度 – 2022年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究グループ長
2017年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員
2015年度 – 2017年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 主任研究員
2016年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 主任研究員
2015年度 – 2016年度: 国立研究開発法人産業技術総合研究所, その他部局等, 研究員 … もっと見る
2013年度 – 2014年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, その他部局等, 研究員
2013年度 – 2014年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 主任研究員
2011年度 – 2012年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究員
2011年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロ二クス研究部門, 研究員
2009年度 – 2010年度: 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノ電子デバイス研究センター, 研究員
2009年度: (独)産業技術総合研究所, ナノ電子デバイス研究センター, 特別研究員
2008年度: 独立行政法人 産業技術総合研究所, ナノ電子デバイス研究センター, 特別研究員
2007年度: 産業技術総合研究所, 次世代半導体研究センター, 特別研究員 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
薄膜・表面界面物性 / 電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学
研究代表者以外
金属物性・材料 / 小区分28020:ナノ構造物理関連 / 理工系
キーワード
研究代表者
ナノエレクトロニクス / 原子層シリサイド半導体 / クラスター凝集 / シリサイド / ショットキー障壁 / コンタクト抵抗 / 原子層薄膜 / 半導体シリサイド / 半導体ヘテロ接合 / 遷移金属内包シリコンクラスター … もっと見る / 半導体金属接合 / 2次元キャリア輸送特性 / シリサイド半導体 / 超薄膜 / エピタキシャル成長 / キャリアドーピング / ナシ材料 / 物性実験 / 表面・界面物性 / 半導体物性 / 半導体超微細化 / ナノ材料 … もっと見る
研究代表者以外
シリコン / クラスター / 磁性半導体 / 遷移金属内包シリコンクラスター / 磁性 / CVD / エピタキシャル成長 / シリサイド / 遷移金属 / スピン / 金属結合クラスター / コンプトン散乱 / 液体ボロン / 水素吸蔵 / Wood-Saxonポテンシャル / 共有結合 / 金属結合 / 分子軌道計算 / 熱電変換 / 電気伝導度 / 光吸収スペクトル / シリコンクラスター / レーザアブレーション / ナノ材料 / 原子分子処理 / 超薄膜 / ナノエレクトロニクス / 遷移金属内包Siクラスター 隠す
  • 研究課題

    (7件)
  • 研究成果

    (109件)
  • 共同研究者

    (10人)
  •  単一W原子を磁性ドーパントとする単結晶Siスピングラスの創出と磁気特性の解明

    • 研究代表者
      岡田 直也
    • 研究期間 (年度)
      2020 – 2022
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分28020:ナノ構造物理関連
    • 研究機関
      国立研究開発法人産業技術総合研究所
  •  原子層シリサイド半導体による革新的エレクトロニクス要素技術研究代表者

    • 研究代表者
      内田 紀行
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2017
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      国立研究開発法人産業技術総合研究所
  •  孤立クラスターにおける結合転換の確立とボレンの創製

    • 研究代表者
      木村 薫
    • 研究期間 (年度)
      2015 – 2016
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      金属物性・材料
    • 研究機関
      東京大学
  •  変調ドープと結晶粒径極微制御による高移動度・低熱伝導率ナノシリコン熱電材料の創成

    • 研究代表者
      黒崎 健
    • 研究期間 (年度)
      2013 – 2016
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      金属物性・材料
    • 研究機関
      大阪大学
  •  原子層シリサイド半導体を用いたドーピング制御研究代表者

    • 研究代表者
      内田 紀行
    • 研究期間 (年度)
      2012 – 2014
    • 研究種目
      挑戦的萌芽研究
    • 研究分野
      電子・電気材料工学
    • 研究機関
      独立行政法人産業技術総合研究所
  •  シリコン表面上での原子層シリサイド半導体形成研究代表者

    • 研究代表者
      内田 紀行
    • 研究期間 (年度)
      2009 – 2010
    • 研究種目
      若手研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      独立行政法人産業技術総合研究所
  •  配列ナノ空間物質を利用した次世代半導体デバイス

    • 研究代表者
      金山 敏彦
    • 研究期間 (年度)
      2007 – 2011
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      独立行政法人産業技術総合研究所

すべて 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 その他

すべて 雑誌論文 学会発表 産業財産権

  • [雑誌論文] Thermal stability of amorphous Si-rich silicide films composed of W-atom-encapsulated Si clusters2017

    • 著者名/発表者名
      Naoya Okada, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kanayama
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 121 号: 22

    • DOI

      10.1063/1.4985248

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13368
  • [雑誌論文] Thermoelectric Properties of (100) Oriented Silicon and Nickel Silicide Nanocomposite Films Grown on Si on Insulator and Si on Quartz Glass Substrates2016

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida*, Yuji Ohishi, Yoshinobu Miyazaki, Ken Kurosaki, Shinsuke Yamanaka, and Tetsuya Tada
    • 雑誌名

      MATERIALS TRANSACTIONS

      巻: 57 号: 7 ページ: 1076-1081

    • DOI

      10.2320/matertrans.E-M2016807

    • NAID

      130005158388

    • ISSN
      1345-9678, 1347-5320
    • 言語
      英語
    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289220
  • [雑誌論文] Synthesis and Characterization of Melt-Spun Metastable Al6Ge52015

    • 著者名/発表者名
      Masaya Kumagai, Ken Kurosaki, Noriyuki Uchida, Yuji Ohishi, Hiroaki Muta, and Shinsuke Yamanaka
    • 雑誌名

      J. Electron. Mater.

      巻: 44 号: 3 ページ: 948-952

    • DOI

      10.1007/s11664-014-3592-5

    • 査読あり / 謝辞記載あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289220
  • [雑誌論文] Electrical properties of amorphous and epitaxial Si-rich silicide films2015

    • 著者名/発表者名
      N. Okada, N. Uchida, T. Kanayama
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 117 号: 9

    • DOI

      10.1063/1.4913859

    • 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • [雑誌論文] ナノシリコン2014

    • 著者名/発表者名
      大石佑治,宮崎吉宣,エクバル ユスフ,牟田浩明,黒崎 健,山中伸介,石丸 学,内田紀行,多田哲也
    • 雑誌名

      工業材料

      巻: 62 ページ: 39-42

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289220
  • [雑誌論文] 遷移金属内包Siクラスター凝集による新規シリサイド半導体薄膜2014

    • 著者名/発表者名
      内田紀行、岡田直也、金山敏彦
    • 雑誌名

      第23回シリサイド系半導体研究会講演予稿集

      巻: 23 ページ: 12-18

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • [雑誌論文] Fermi-level depinning and contact resistance reduction in metal/n-Ge junctions by insertion of W-encapsulating Si cluster films2014

    • 著者名/発表者名
      Naoya Okada, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kayanama
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 104 号: 6

    • DOI

      10.1063/1.4864321

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • [雑誌論文] Heavily doped silicon and nickel silicide nanocrystal composite films with enhanced thermoelectric efficiency2013

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Tetsuya Tada, Yuji Ohishi, Yoshinobu Miyazaki, Ken Kurosaki, and Shinsuke Yamanaka
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 114 号: 13

    • DOI

      10.1063/1.4823814

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-25289220
  • [雑誌論文] Electronic properties of W-encapsulated Si cluster film on Si (100) substrates2012

    • 著者名/発表者名
      Sunjin Park, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kanayama
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 111 号: 6

    • DOI

      10.1063/1.3695994

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] Low-barrier heterojunction of epitaxial silicide composed of W encapsulating Si clusters with n-type Si2012

    • 著者名/発表者名
      N. Okada, N. Uchida and T. Kanayama
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 101 号: 21 ページ: 212103-212103

    • DOI

      10.1063/1.4767136

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • [雑誌論文] Low-barrier heterojunction of W-encapsulating Si cluster films on n-type Si2012

    • 著者名/発表者名
      N. Uchida, N. Okada and T. Kanayama
    • 雑誌名

      Proceedings of The Sixth International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials

      巻: 1-1 ページ: 306-309

    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • [雑誌論文] Ab Initio Structure Characterization for the Amorphous Assembly of Si Clusters Encapsulating Transition Metal2011

    • 著者名/発表者名
      T.Miyazaki, N.Uchida, T.Kanayama
    • 雑誌名

      Mater.Res.Soc.Symp.Proc.

      巻: 1,321 ページ: 307-312

    • DOI

      10.1557/opl.2011.811

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] Electric field effect in amorphous semiconductor films assembled from transition-metal-encapsulating Si clusters2011

    • 著者名/発表者名
      N.Uchida, T.Miyazaki, Y.Matsushita, K.Samaeshima, T.Kanayama
    • 雑誌名

      Mater.Res.Soc.Symp.Proc.

      巻: 1,321 ページ: 361-366

    • DOI

      10.1557/opl.2011.1250

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] New semiconducting silicides assembled from transition-metal-encapsulating Siclusters2011

    • 著者名/発表者名
      N.Uchida, T.Miyazaki, Y.Matsushita, K.Sameshima, T.Kanayama
    • 雑誌名

      Thin Solid Films in press

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760019
  • [雑誌論文] New semiconducting silicides assembled from transition-metal-encapsulating Si clusters2011

    • 著者名/発表者名
      N.Uchida, T.Miyazaki, Y.Matsushita, K.Samaeshima, T.Kanayama
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 519 号: 24 ページ: 8456-8460

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2011.05.019

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] First principles structure modeling for amorphous Si-rich transition metal silicides2010

    • 著者名/発表者名
      Takehide Miyazaki, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kanayama
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi (c) 7

      ページ: 636-639

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] First principles structure modeling for amorphous Si-rich transition metal silicides2010

    • 著者名/発表者名
      Takehide Miyazaki, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kanayama
    • 雑誌名

      Phys.Status Solidi (c) 7

      ページ: 636-639

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] Structure determination of W-capsulated Si cage clusters by x-ray absorption fine structure spectra2009

    • 著者名/発表者名
      Zhihu Sun, Hiroyuki Oyanagi, Noriyuki Uchida, Takehide Miyazaki, Toshihiko Kanayama
    • 雑誌名

      Journal of Physics D: Applied Physics 42

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] Structure determination of W-capsulated Si cage clusters by x-ray absorption fine structure spectra2009

    • 著者名/発表者名
      Zhihu Sun, Hiroyuki Oyanagi, Noriyuki Uchida, Takehide Miyazaki, Toshihiko Kanayama
    • 雑誌名

      J. Phys D: Appl. Phys. 42

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] Synthesis of New Amorphous Semiconductors Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Clusters2008

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Hiroshi Kintou, Yusuke Matsushita, Tetsuya Tada, Toshihiko Kanayama
    • 雑誌名

      pplied Physics Express (APEX) 1

    • NAID

      10025083656

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] Electric field effect in amorphous2008

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Takehide Miyazaki, Yusuke Matsushita, Kenichiro Samaeshima, Toshihiko Kanayama
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 1 ページ: 121502-121502

    • DOI

      10.1143/apex.1.121502

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] Synthesis of New Amorphous Semiconductors Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Clusters2008

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Hiroshi Kintou, Yusuke Matsushita, Tetsuya Tada, Toshihiko Kanayama
    • 雑誌名

      Applied Physics Express (APEX) 1

    • NAID

      10025083656

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] Local modification of electronic structure of Si(111)-7x7 surfaces by forming molybdenum-encapsulating Si clusters2007

    • 著者名/発表者名
      N.Uchida, H.Yahata, T.Kanayama, and L.Bolotov
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 91

      ページ: 63109-63109

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [雑誌論文] Local modification of electronic st ructure of Si (111)-7x7 surfaces by forming molybdenum-encapsulating Si clusters2007

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Hiroshi. Yahata, To shihiko Kanayama, Leonid Bolotov
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 91

    • 査読あり
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] タングステンシリサイド膜と銅を積層した電極構造および配線構造2017

    • 発明者名
      岡田直也、内田紀行、小川真一、金山敏彦
    • 権利者名
      岡田直也、内田紀行、小川真一、金山敏彦
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2017-216449
    • 出願年月日
      2017
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13368
  • [産業財産権] 半導体コンタクト構造及びその形成方法2014

    • 発明者名
      内田 紀行, 金山 敏彦
    • 権利者名
      産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2014-503769
    • 出願年月日
      2014-08-26
    • 取得年月日
      2016-11-25
    • 説明
      日本移行
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 半導体コンタクト構造及びその形成方法2014

    • 発明者名
      内田 紀行, 金山 敏彦
    • 権利者名
      産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2014-503769
    • 出願年月日
      2014-08-26
    • 取得年月日
      2016-11-25
    • 説明
      日本移行行
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760019
  • [産業財産権] 半導体コンタクト構造及びその形成方法2013

    • 発明者名
      内田 紀行, 金山 敏彦, 岡田 直也
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2013-02-25
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 半導体コンタクト構造及びその形成方法2013

    • 発明者名
      内田紀行、岡田直也、金山敏彦
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2013-02-25
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2013

    • 発明者名
      金山 敏彦, 内田 紀行
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 取得年月日
      2013-01-28
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 薄膜トランジスタ2013

    • 発明者名
      内田 紀行, 宮崎 剛英, 金山 敏彦
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 取得年月日
      2013-02-15
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 半導体コンタクト構造及びその形成方法2013

    • 発明者名
      内田 紀行, 金山 敏彦, 岡田 直也
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2013-02-25
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760019
  • [産業財産権] 半導体コンタクト構造及びその形成方法2012

    • 発明者名
      内田紀行、岡田直也、金山敏彦
    • 権利者名
      産業技術総合研究所
    • 産業財産権番号
      2012-049040
    • 出願年月日
      2012-03-06
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 半導体のコンタクト構造及び形成方法2012

    • 発明者名
      内田 紀行, 金山 敏彦, 岡田 直也
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2012-049040
    • 出願年月日
      2012-03-06
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-21760019
  • [産業財産権] 薄膜トランジスタ2011

    • 発明者名
      内田紀行, 金山敏彦, 宮崎剛英
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 取得年月日
      2011-01-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 薄膜トランジスタ2011

    • 発明者名
      内田紀行、金山敏彦、宮崎剛英
    • 権利者名
      産総研
    • 取得年月日
      2011-01-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 薄膜トランジスタ2011

    • 発明者名
      内田 紀行, 金山 敏彦, 宮崎 剛英
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 取得年月日
      2011-01-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] (旧名称)ナノ結晶凝集半導体材料及びその製造方法 (新名称)ナノ結晶半導体材料及びその製造方法2011

    • 発明者名
      内田 紀行, 金山 敏彦
    • 権利者名
      国立研究開発法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2011-199630
    • 出願年月日
      2011-09-13
    • 取得年月日
      2015-05-29
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] ナノ結晶凝集半導体材料及びその製造方法2011

    • 発明者名
      内田紀行、金山敏彦
    • 権利者名
      産業技術総合研究所
    • 産業財産権番号
      2011-199630
    • 出願年月日
      2011-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] ナノ結晶凝集半導体材料及びその製造方法2011

    • 発明者名
      内田紀行, 金山敏彦
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権番号
      2011-199630
    • 出願年月日
      2011-09-13
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] ナノ結晶凝集半導体材料及びその製造方法2010

    • 発明者名
      内田紀行、金山敏彦
    • 権利者名
      産総研
    • 産業財産権番号
      2010-207987
    • 出願年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 薄膜トランジスタ2010

    • 発明者名
      内田 紀行, 金山 敏彦, 宮崎 剛英
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2010-08-19
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 薄膜トランジスタ2010

    • 発明者名
      内田紀行、金山敏彦、宮崎剛英
    • 権利者名
      産総研
    • 産業財産権番号
      2010-207987
    • 出願年月日
      2010-08-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] ナノ結晶凝集半導体材料及びその製造方法2010

    • 発明者名
      金山 敏彦, 内田 紀行
    • 権利者名
      (独)産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2010-207987
    • 出願年月日
      2010-09-16
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2010

    • 発明者名
      金山 敏彦, 内田 紀行
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2010-08-25
    • 取得年月日
      2014-06-18
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 薄膜トランジスタ2010

    • 発明者名
      内田 紀行, 宮崎 剛英, 金山 敏彦
    • 権利者名
      (独)産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2010-253936
    • 出願年月日
      2010-11-12
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 薄膜トランジスタ2010

    • 発明者名
      内田 紀行, 金山 敏彦, 宮崎 剛英
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2010-182188
    • 出願年月日
      2010-08-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2009

    • 発明者名
      金山敏彦, 内田紀行
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権番号
      2009-037261
    • 出願年月日
      2009-02-20
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2009

    • 発明者名
      金山 敏彦, 内田 紀行
    • 権利者名
      (独)産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2009-02-25
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2009

    • 発明者名
      金山 敏彦, 内田 紀行
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2009-037261
    • 出願年月日
      2009-02-20
    • 取得年月日
      2014-01-31
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2009

    • 発明者名
      金山敏彦、内田紀行
    • 権利者名
      (独)産業技術総合研究所
    • 出願年月日
      2009-02-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 薄膜トランジスタ2009

    • 発明者名
      内田紀行、金山敏彦
    • 権利者名
      (独)産業技術総合研究所
    • 産業財産権番号
      2009-191603
    • 出願年月日
      2009-08-21
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 薄膜トランジスタ2009

    • 発明者名
      内田 紀行, 金山 敏彦
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2009-191603
    • 出願年月日
      2009-08-21
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2009

    • 発明者名
      金山 敏彦, 内田 紀行
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2009-02-25
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2009

    • 発明者名
      金山 敏彦, 内田 紀行
    • 権利者名
      (独)産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2009-02-25
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2009

    • 発明者名
      金山 敏彦, 内田 紀行
    • 権利者名
      (独)産業技術総合研究所
    • 産業財産権種類
      特許
    • 出願年月日
      2009-02-25
    • 外国
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2008

    • 発明者名
      金山 敏彦、 内田 紀行
    • 権利者名
      産業技術総合研究所
    • 出願年月日
      2008-02-28
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2008

    • 発明者名
      金山敏彦、内田紀行
    • 権利者名
      (独)産業技術総合研究所
    • 産業財産権番号
      2008-048520
    • 出願年月日
      2008-02-28
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2008

    • 発明者名
      金山敏彦, 内田紀行
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権番号
      2008-048520
    • 出願年月日
      2008-02-28
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2008

    • 発明者名
      金山敏彦, 内田紀行
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 出願年月日
      2008-02-28
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法2008

    • 発明者名
      金山敏彦, 内田紀行
    • 権利者名
      独立行政法人産業技術総合研究所
    • 産業財産権番号
      2008-230650
    • 出願年月日
      2008-09-09
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] クラスター気相合成法で形成したWSin (n=12)挿入膜のCu拡散防止特性2018

    • 著者名/発表者名
      岡田直也、内田紀行、小川真一、金山敏彦
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13368
  • [学会発表] W内包Siクラスター凝集薄膜を用いた金属/Si接合の障壁高さ制御2017

    • 著者名/発表者名
      岡田直也、内田紀行、金山敏彦
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川県横浜市パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-17
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-15K13368
  • [学会発表] Wを内包したSiクラスターを凝集したシリサイド薄膜の電気伝導特性2015

    • 著者名/発表者名
      岡田直也、内田紀行、金山敏彦
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-13
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • [学会発表] WSin/Ge接合の結合状態とフェルミレベルピニング解除2014

    • 著者名/発表者名
      内田紀行、岡田直也、福田浩一、宮崎剛英、金山敏彦
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学札幌キャンパス
    • 年月日
      2014-09-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • [学会発表] Wを内包したSiクラスターを凝集した原子層厚シリサイド薄膜の電気伝導特性2014

    • 著者名/発表者名
      岡田直也、内田紀行、金山敏彦
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学札幌キャンパス
    • 年月日
      2014-09-18
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • [学会発表] Low-barrier heterojunction of W-encapsulating Si cluster films on n-type Si2012

    • 著者名/発表者名
      N. Uchida, N. Okada and T. Kanayama
    • 学会等名
      The Sixth International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
    • 発表場所
      米国、ハワイ州、コナ
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • [学会発表] 遷移金属内包Siクラスター薄膜の電気伝導特性2012

    • 著者名/発表者名
      岡田直也、内田紀行、金山敏彦
    • 学会等名
      第59回応用物理学関連学術講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] 遷移金属内包Siクラスターを単位構造としたシリサイド半導体とSiとの接合特性2012

    • 著者名/発表者名
      岡田直也、内田紀行、金山敏彦
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛県松山市愛媛大学・松山大学
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • [学会発表] Low-barrier hetero junction to n-type Silicon using novel ultrathin Silicide consisted of Tungsten-encapsulating Silicon clusters2012

    • 著者名/発表者名
      N. Okada, N. Uchida, and T. Kanayama
    • 学会等名
      2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • [学会発表] Si・シリサイドナノ結晶コンポジット半導体膜の熱伝導率2012

    • 著者名/発表者名
      内田紀行、大石祐治、黒崎健、山中伸介、多田哲也、金山敏彦
    • 学会等名
      第59回応用物理学関連学術講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2012-03-16
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Electric Conduction Mechanism of Amorphous Semiconductor Films Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Silicon Clusters2011

    • 著者名/発表者名
      N.Okada, N.Uchida, T.Kanayama
    • 学会等名
      International Conference of New Science Created by Materials with Nano Spaces : From Fundamentals to Applications
    • 発表場所
      東北大学(宮城県)
    • 年月日
      2011-11-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Interfacial structure analysis of W-encapsulated Si cluster film on Si (100) substrates2011

    • 著者名/発表者名
      S.J.Park, N.Uchida, T.Tada, T.Kanayama
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学(山形県)
    • 年月日
      2011-09-14
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Ab Initio Molecular Dynamics Study for Vibrations in the Assembly of Transition-Metal-Encapsulating Si Clusters2011

    • 著者名/発表者名
      T.Miyazaki, N.Uchida, T.Kanayama
    • 学会等名
      International Conference of New Science Created by Materials with Nano Spaces : From Fundamentals to Applications
    • 発表場所
      東北大学(宮城県)
    • 年月日
      2011-11-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Electric field effect in amorphous semiconductor films assembled from transition-metal-encapsulating Si clusters2011

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Takehide Miyazaki, Yusuke Matsushita, Kenichiro Samaeshima, Toshihiko Kanayama
    • 学会等名
      2011 MRS Spring Meeting and Exhibit
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Electric field effect in amorphous semiconductor films assembled from transition-metal-encapsulating Si clusters2011

    • 著者名/発表者名
      N.Uchida, T.Miyazaki, Y.Matsushita, K.Samaeshima, T.Kanayama
    • 学会等名
      2011 MRS Spring Meeting and Exhibit
    • 発表場所
      San Francisco Marriott Marquis (San Francisco, CA, USA.)
    • 年月日
      2011-04-28
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] 遷移金属内包Siクラスターが凝集したアモルファス材料の電子構造解析遷移金属内包Siクラスター凝集膜の構造解析2011

    • 著者名/発表者名
      宮崎剛英、内田紀行、金山敏彦
    • 学会等名
      日本物理学会第66回年次大会
    • 発表場所
      茨城県つくば市
    • 年月日
      2011-03-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Ab Initio Structure Characterization for the Amorphous Assembly of Si Clusters Encapsulating Transition Metal2011

    • 著者名/発表者名
      T.Miyazaki, N.Uchida, T.Kanayama
    • 学会等名
      2011 MRS Spring Meeting and Exhibit
    • 発表場所
      San Francisco Marriott Marquis (San Francisco, CA, USA.)
    • 年月日
      2011-04-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Electronic properties of W-encapsulated Si cluster film on Si (100) substrates2011

    • 著者名/発表者名
      N.Uchida, S.J.Park, T.Tada, T.Kanayama
    • 学会等名
      International Conference of New Science Created by Materials with Nano Spaces : From Fundamentals to Applications
    • 発表場所
      東北大学(宮城県)
    • 年月日
      2011-11-24
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Electric Conduction Mechanism of Amorphous Semiconductor Films Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Silicon Clusters2011

    • 著者名/発表者名
      N.Okada, N.Uchida, T.Kanayama
    • 学会等名
      International Symposium on Clusters and Nanostructures
    • 発表場所
      Jefferson Hotel, Richmond (Virginia, USA)
    • 年月日
      2011-11-07
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] New Semiconducting Silicides Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Custers, Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides2010

    • 著者名/発表者名
      Toshihiko Kanayama, Noriyuki Uchida, and, Takehide Miyazaki
    • 学会等名
      Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2010)
    • 発表場所
      Tsukuba
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] 遷移金属内包Siクラスター凝集膜の構造解析2010

    • 著者名/発表者名
      内田紀行、宮崎剛英、鮫島健一郎、松下祐介、金山敏彦、村上浩一
    • 学会等名
      日本物理学会第65回年次大会
    • 発表場所
      岡山市,岡山大学
    • 年月日
      2010-03-22
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] New Semiconducting Silicides Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Custer2010

    • 著者名/発表者名
      Toshihiko Kanayama, Noriyuki Uchida, Takehide Miyazaki
    • 学会等名
      Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2010)
    • 発表場所
      茨城県つくば市
    • 年月日
      2010-07-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] 遷移金属内包シリコンクラスターが凝集したアモルファス材料の振動計算2010

    • 著者名/発表者名
      宮崎剛英、内田紀行、金山敏彦
    • 学会等名
      日本物理学会2010年秋季大会
    • 発表場所
      大阪府立大学(大阪府堺市)
    • 年月日
      2010-09-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] 遷移金属内包Siクラスター半導体薄膜の合成と電気伝導特性評価2009

    • 著者名/発表者名
      松下裕介, 内田紀行, 金藤浩史, 金山敏彦
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合学術講演会
    • 発表場所
      茨城県 つくば市 筑波大学
    • 年月日
      2009-03-31
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Amorphous Si-Rich Silicide Semiconductors Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Clusters2009

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Takehide Miyazaki, Toshihiko Kanayama
    • 学会等名
      The 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
    • 発表場所
      Utrecht, The Netherlands
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] First principles structure modeling for amorphous Si-rich transition metal silicides2009

    • 著者名/発表者名
      Takehide Miyazaki, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kanayama
    • 学会等名
      The 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
    • 発表場所
      Utrecht, The Netherlands
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] First principles structure modeling for amorphous Si-rich transition metal silicides2009

    • 著者名/発表者名
      Takehide Miyazaki, Noriyuki Uchida, Toshihiko Kanayama
    • 学会等名
      The 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
    • 発表場所
      オランダ,ユトレヒト
    • 年月日
      2009-08-24
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Synthesis of Amorphous Semiconductors Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Clusters2009

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Yusuke Matsushita, Hiroshi Kintou, Tetsuya Tada, Toshihiko Kanayama
    • 学会等名
      International Conference on Nanoscience and Quantum Physics (nanoPHYS'09)
    • 発表場所
      Minato-ku, Tokyo, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] シリコンリッチなアモルファス遷移金属シリサイドの構造と電子状態2009

    • 著者名/発表者名
      宮崎剛英、内田紀行、金山敏彦
    • 学会等名
      日本物理学会2009年秋季大会
    • 発表場所
      熊本市,熊本大学
    • 年月日
      2009-09-27
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] 遷移金属内包Siクラスター半導体薄膜の合成と電界効果測定2009

    • 著者名/発表者名
      松下祐介、内田紀行、金山敏彦
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山市,富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Amorphous Si-Rich Silicide Semiconductors Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Clusters2009

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, TakehideMiyazaki, Toshihiko Kanayama
    • 学会等名
      The 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
    • 発表場所
      オランダ,ユトレヒト
    • 年月日
      2009-08-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Structure determination of W-capsulated Si cage clusters by x-ray absorption fine structure spectra2009

    • 著者名/発表者名
      Z. Sun, H. Oyanagi, N. Uchida, T. Miyazaki, T. Kanayama
    • 学会等名
      第22回日本放射光学会年会
    • 発表場所
      東京都 文京区 東京大学本郷キャンパス
    • 年月日
      2009-01-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Structure of WSin cage clusters probed by x-ray absorption fine structure spectra2009

    • 著者名/発表者名
      H. Oyanagi, Z. Sun, N. Uchida, T. Miyazaki, T. Kanayama
    • 学会等名
      第22回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンボジウム
    • 発表場所
      東京都 文京区 東京大学本郷キャンパス
    • 年月日
      2009-01-12
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Structure of WSin cage clusters probed by x-ray absorption fine structurespectra2009

    • 著者名/発表者名
      H. Oyanagi, Z. Sun, N. Uchida, T. Miyazaki, T. Kanayama
    • 学会等名
      PFシンポジウム
    • 発表場所
      茨城県 つくば市 つくば国際会議場
    • 年月日
      2009-03-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Synthesis of Amorphous Semiconductors Assembled from Transition-Metal-Encapsulating Si Clusters2009

    • 著者名/発表者名
      N. Uchida, H. Kintou, Y. Matsushita, T. Tada, T. Kanayama
    • 学会等名
      International Conference on Nanoscience and Quantum Physics (nanoPHYS'09)
    • 発表場所
      東京都 港区
    • 年月日
      2009-02-24
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] MoSi_nクラスター膜の熱処理に伴う構造変化2009

    • 著者名/発表者名
      鮫島健一郎、内田紀行、松下裕介、村上浩一、兵藤宏、木村薫、金山敏彦
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山市,富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Synthesis and Characterization of Clusters Assembled Films Composed of Transition-Metal Encapsulating Si Clusters"2008

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Hiroshi Kintou, Yusuke Matsushita, Tetsuya Tada, Kazuhiho Kirihara, Hiroyuki Oyanagi, Toshihiko Kanayama
    • 学会等名
      2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2008)
    • 発表場所
      Tsukuba, Ibaraki, Japan
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] 遷移金属内包シリコンクラスター薄膜の合成と電気伝導特性評価2008

    • 著者名/発表者名
      内田 紀行, 金藤 浩史, 桐原 和大, 大柳 宏之, 金山 敏彦
    • 学会等名
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      日本大学 (千葉県船橋市)
    • 年月日
      2008-03-30
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Theoretical Study of Single Gicfphene-1 ike Semiconductor Layer Made of Si and Transition Metal Atoms2008

    • 著者名/発表者名
      T. Miyazaki, N. Uchida, T. Kanayama
    • 学会等名
      Materials Research Society (MRS) 2008 Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston USA
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Formation of Si6 ring clusters stabilized by a transition metal atom2008

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Yusuke Matsushita, Takehide Miyazaki, Hidefumi Hiura, Toshihiko Kanayama
    • 学会等名
      14th International Symposium on Small Particles and Inorganic Clusters
    • 発表場所
      Valladolid, Spain
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] 遷移金属内包Siクラスター薄膜のラマン散乱測定2008

    • 著者名/発表者名
      金藤 浩史, 松下 祐介, 内田 紀行, 多田 哲也, 金山 敏彦, 村上 浩一
    • 学会等名
      2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛知県 春日井市 中部大学
    • 年月日
      2008-09-03
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] 遷移金属内包シンコンクラスター薄膜の合成と構造評価2008

    • 著者名/発表者名
      内田 紀行, 金藤 浩史, 金山 敏彦, 桐原 和大, 大柳 宏之, 木村 薫
    • 学会等名
      日本物理学会第63回年次大会
    • 発表場所
      近畿大学 (大阪府東大阪市)
    • 年月日
      2008-03-26
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Formation of Si_6 rins clusters stabilized hv a transition metal atom2008

    • 著者名/発表者名
      N. Uchida, Y. Matsushita, T. Miyazaki, H. Hiura, T. Kanayama
    • 学会等名
      14^<th> International Symposium on Small Particles and Inorganic Clusters (ISSPIS14)
    • 発表場所
      Valladolid, Spain
    • 年月日
      2008-09-17
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] 遷移金属で安定化したグラフェンシート状単一シリコン原子層の構造モデル2008

    • 著者名/発表者名
      宮崎剛英, 内田紀行, 金山敏彦
    • 学会等名
      2008年日本物理学会秋季大会
    • 発表場所
      岩手県 盛岡市 岩手大学
    • 年月日
      2008-09-21
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] Synthesis and Characterization of Clusters Assembled Films Composed of Transition-Metal Encapsulating Si Clusters2008

    • 著者名/発表者名
      N. Uchida, H. Kintou, Y. Matsushita, T. Tada, K. Kirihara, H. Oyanagi, T. Kanayama,
    • 学会等名
      2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2008)
    • 発表場所
      茨城県 つくば市 つくば国際会議場
    • 年月日
      2008-09-25
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] 遷移金属内包Siクラスター凝集による新規シリサイド半導体薄膜

    • 著者名/発表者名
      内田紀行、岡田直也、金山敏彦
    • 学会等名
      第23回シリサイド系半導体研究会講演予稿集
    • 発表場所
      筑波大学東京キャンパス文京校舎
    • 招待講演
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • [学会発表] Synthesis and Characterization of Clusters Assembled Films Composed of Transition-Metal Encapsulating Si Clusters

    • 著者名/発表者名
      Noriyuki Uchida, Hiroshi Kintou, Yusuke Matsushita, Tetsuya Tada, Kazuhiho Kirihara, Hiroyuki Oyanagi, Toshihiko Kanayama
    • 学会等名
      2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2008)
    • 発表場所
      Tsukuba, Ibaraki
    • データソース
      KAKENHI-PLANNED-19051017
  • [学会発表] タングステン内包Siクラスター薄膜を用いたGeとの金属接合技術の開発

    • 著者名/発表者名
      岡田直也、内田紀行、金山敏彦
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス
    • データソース
      KAKENHI-PROJECT-24656220
  • 1.  多田 哲也 (40188248)
    共同の研究課題数: 2件
    共同の研究成果数: 11件
  • 2.  金山 敏彦 (70356799)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 51件
  • 3.  宮崎 剛英 (10212242)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 29件
  • 4.  黒崎 健 (90304021)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 3件
  • 5.  木村 薫 (30169924)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 6.  岡田 直也 (10717234)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 7.  石丸 学 (00264086)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 1件
  • 8.  宮崎 吉宣 (30610844)
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 9.  山村 仁
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件
  • 10.  山崎 翔平
    共同の研究課題数: 1件
    共同の研究成果数: 0件

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