石川由加里 Ishikawa Yukari

研究者番号	60416196
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 特任主幹研究員
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度 – 2024年度: 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 特任主幹研究員 2022年度: 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 主幹研究員 2016年度 – 2021年度: 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 主席研究員 2016年度: 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 主任研究員 2014年度 – 2015年度: 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 研究員
審査区分/研究分野	研究代表者小区分26050:材料加工および組織制御関連 / 結晶工学 / 生産工学・加工学研究代表者以外小区分30010:結晶工学関連 / 中区分30:応用物理工学およびその関連分野
キーワード	研究代表者転位 / TEM / GaN / ビッカース / スクラッチ / インデンテーション / 多光子励起顕微鏡 / 積層欠陥 / c+a転位 / 多光子顕微鏡 … もっと見る / 加工導入欠陥 / らせん転位 / STEM / 半導体 / 結晶工学 / 拡張 / EBIC / 部分転位 / 基底面転位 / M面 / CL / 非極性面 / 4H-SiC / ダイヤ / SiC / EBSD / 欠陥 / ＳｉＣ / 潜傷 / 加工 / 単結晶 / 材料工学 … もっと見る研究代表者以外 X線トポグラフィー / 結晶欠陥 / Ga2O3 / 転位 / パワーデバイス / オペランド観察 / オペランド観測 / 放射光X線トポグラフィー / SiC / X-ray topography / operando / power device / dislocation / crystal defect / 放射光 / バーガースベクトル / X線回折 / 曲率半径 / 異常透過 / エッチピット / 結晶格子欠陥 / 酸化ガリウム隠す

パワーデバイス劣化機構の解明に向けた格子欠陥のオペランド観察技術の開発
- 研究代表者
  
  姚永昭
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  三重大学
   一般財団法人ファインセラミックスセンター
実動作中のワイドギャップ半導体パワーデバイスにおける転位の動的な挙動の観察
- 研究代表者
  
  姚永昭
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2026
- 研究種目
  
  挑戦的研究(開拓)
- 審査区分
  
  中区分30:応用物理工学およびその関連分野
- 研究機関
  一般財団法人ファインセラミックスセンター
ワイドバンドギャップ半導体結晶の加工変質層厚に非破壊評価法の開発研究代表者
- 研究代表者
  
  石川由加里
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2025
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分26050:材料加工および組織制御関連
- 研究機関
  一般財団法人ファインセラミックスセンター
ワイドバンドギャップ半導体結晶の加工導入欠陥構造・導入メカニズムの解明研究代表者
- 研究代表者
  
  石川由加里
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分26050:材料加工および組織制御関連
- 研究機関
  一般財団法人ファインセラミックスセンター
次世代パワー半導体β型酸化ガリウムの大面積転位検出分類法の開発
- 研究代表者
  
  姚永昭
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分30010:結晶工学関連
- 研究機関
  一般財団法人ファインセラミックスセンター
4H-SiC非極性面の欠陥と表面形状が酸化膜へ及ぼす影響の検討研究代表者
- 研究代表者
  
  石川由加里
- 研究期間 (年度)
  2017 – 2019
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  結晶工学
- 研究機関
  一般財団法人ファインセラミックスセンター
SiC結晶表面に機械加工で導入された結晶欠陥の形成メカニズムの解明研究代表者
- 研究代表者
  
  石川由加里
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  生産工学・加工学
- 研究機関
  一般財団法人ファインセラミックスセンター

すべて 2024 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 その他

すべて雑誌論文学会発表産業財産権

[雑誌論文] Characterization of dislocations induced by Vickers indentation in GaN for explaining size ratios of dislocation patterns2024
- 著者名/発表者名
  Ishikawa Yukari、Sugawara Yoshihiro、Yao Yongzhao、Miyoshi Makoto、Egawa Takashi
- 雑誌名
  
  Journal of Materials Science
  
  巻: 59 号: 7 ページ: 2974-2987
- DOI
  10.1007/s10853-024-09392-z
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K04444
[雑誌論文] Lattice misorientation at domain boundaries in β‐Ga2O3 single‐crystal substrates observed via synchrotron radiation X‐ray diffraction imaging and X‐ray reticulography2023
- 著者名/発表者名
 Yao Yongzhao、Hirano Keiichi、Sasaki Kohei、Kuramata Akito、Sugawara Yoshihiro、Ishikawa Yukari
- 雑誌名
 
 Journal of the American Ceramic Society
 
 巻: 未定(In press) 号: 9 ページ: 5487-5500
- DOI
 10.1111/jace.19156
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-20K05355, KAKENHI-PROJECT-23K17356, KAKENHI-PROJECT-23K26565
[雑誌論文] Characterization of dislocations at the emission site by emission microscopy in GaN p?n diodes2023
- 著者名/発表者名
  Ishikawa Yukari、Sugawara Yoshihiro、Yokoe Daisaku、Sato Koji、Yao Yongzhao、Watanabe Kenta、Okawa Takashi
- 雑誌名
  
  Journal of Materials Science
  
  巻: 58 号: 22 ページ: 9221-9232
- DOI
  10.1007/s10853-023-08596-z
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K04444
[雑誌論文] X-ray topographic observation of dislocations in β-Ga2O3 Schottky barrier diodes and their glide and multiplication under reverse bias2023
- 著者名/発表者名
  Yao Yongzhao、Wakimoto Daiki、Miyamoto Hironobu、Sasaki Kohei、Kuramata Akito、Hirano Keiichi、Sugawara Yoshihiro、Ishikawa Yukari
- 雑誌名
  
  Scripta Materialia
  
  巻: 226 ページ: 115216-115216
- DOI
  10.1016/j.scriptamat.2022.115216
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05355
[雑誌論文] Three-dimensional distribution and propagation of dislocations in β-Ga2O3 revealed by Borrmann effect x-ray topography2023
- 著者名/発表者名
  Yao Yongzhao、Tsusaka Yoshiyuki、Hirano Keiichi、Sasaki Kohei、Kuramata Akito、Sugawara Yoshihiro、Ishikawa Yukari
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 134 号: 15 ページ: 155104-155104
- DOI
  10.1063/5.0169526
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K17356, KAKENHI-PROJECT-23K26565
[雑誌論文] Anisotropic mechanical properties of β-Ga2O3 single-crystal measured via angle-dependent nanoindentation using a Berkovich indenter2023
- 著者名/発表者名
  Yao Yongzhao、Sugawara Yoshihiro、Sasaki Kohei、Kuramata Akito、Ishikawa Yukari
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 134 号: 21 ページ: 215106-215106
- DOI
  10.1063/5.0180389
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K17356, KAKENHI-PROJECT-23K26565
[雑誌論文] Large-area total-thickness imaging and Burgers vector analysis of dislocations in β-Ga2O3 using bright-field x-ray topography based on anomalous transmission2022
- 著者名/発表者名
 Yao Yongzhao、Tsusaka Yoshiyuki、Sasaki Kohei、Kuramata Akito、Sugawara Yoshihiro、Ishikawa Yukari
- 雑誌名
 
 Applied Physics Letters
 
 巻: 121 号: 1 ページ: 012105-012105
- DOI
 10.1063/5.0098942
- 査読あり
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-20K05355
[雑誌論文] Size of dislocation patterns induced by Vickers indentation in hydride vapor-phase epitaxy GaN2022
- 著者名/発表者名
  Ishikawa Yukari、Sugawara Yoshihiro、Yao Yongzhao、Takeda Hidetoshi、Aida Hideo、Tadatomo Kazuyuki
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 131 号: 22 ページ: 225303-225303
- DOI
  10.1063/5.0084495
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05176
[雑誌論文] Observation of dislocations in thick β-Ga2O3 single-crystal substrates using Borrmann effect synchrotron X-ray topography2022
- 著者名/発表者名
  Yao Yongzhao、Hirano Keiichi、Sugawara Yoshihiro、Sasaki Kohei、Kuramata Akito、Ishikawa Yukari
- 雑誌名
  
  APL Materials
  
  巻: 10 号: 5
- DOI
  10.1063/5.0088701
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05355
[雑誌論文] Etch pit formation on β-Ga2O3 by molten KOH+NaOH and hot H3PO4 and their correlation with dislocations2022
- 著者名/発表者名
  Yao Yongzhao、Sugawara Yoshihiro、Sato Koji、Yokoe Daisaku、Sasaki Kohei、Kuramata Akito、Ishikawa Yukari
- 雑誌名
  
  Journal of Alloys and Compounds
  
  巻: 910 ページ: 164788-164788
- DOI
  10.1016/j.jallcom.2022.164788
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05355
[雑誌論文] Domain boundaries in ScAlMgO4 single crystal observed by synchrotron radiation x-ray topography and reticulography2022
- 著者名/発表者名
 Yao Yongzhao、Hirano Keiichi、Sugawara Yoshihiro、Ishikawa Yukari
- 雑誌名
 
 Semiconductor Science and Technology
 
 巻: 37 号: 11 ページ: 115009-115009
- DOI
 10.1088/1361-6641/ac974b
- 査読あり
- データソース
 KAKENHI-PROJECT-20K05355
[雑誌論文] Three-dimensional curving of crystal planes in wide bandgap semiconductor wafers visualized using a laboratory X-ray diffractometer2022
- 著者名/発表者名
  Yao Yongzhao、Sato Koji、Sugawara Yoshihiro、Okada Narihito、Tadatomo Kazuyuki、Sasaki Kohei、Kuramata Akito、Ishikawa Yukari
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 583 ページ: 126558-126558
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2022.126558
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05355
[雑誌論文] Linear dependence of dislocation pattern size on the imprint width and scratch width on (0001) GaN2022
- 著者名/発表者名
  Ishikawa Yukari、Sugawara Yoshihiro、Yao Yongzhao、Takeda Hidetoshi、Aida Hideo、Tadatomo Kazuyuki
- 雑誌名
  
  Journal of Physics D: Applied Physics
  
  巻: 55 号: 48 ページ: 485304-485304
- DOI
  10.1088/1361-6463/ac96fd
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05176
[雑誌論文] X-ray topography of crystallographic defects in wide-bandgap semiconductors using a high-resolution digital camera2021
- 著者名/発表者名
  Yao Yongzhao、Sugawara Yoshihiro、Ishikawa Yukari、Hirano Keiichi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: 1 ページ: 010908-010908
- DOI
  10.35848/1347-4065/abd2dd
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05355
[雑誌論文] Generation of dislocations from scratches on GaN formed during wafer fabrication and dislocation reactions during homoepitaxial growth2021
- 著者名/発表者名
  Ishikawa Yukari、Sugawara Yoshihiro、Yao Yongzhao、Noguchi Naoto、Takeda Yukihisa、Yamada Hisashi、Shimizu Mitsuaki、Tadatomo Kazuyuki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: 11 ページ: 115501-115501
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac2ae5
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05176
[雑誌論文] Anisotropic radius of curvature of crystal planes in wide-bandgap semiconductor wafers measured by X-ray diffraction2021
- 著者名/発表者名
  Yao Yongzhao、Sugawara Yoshihiro、Yokoe Daisaku、Hirano Keiichi、Okada Narihito、Tadatomo Kazuyuki、Sasaki Kohei、Kuramata Akito、Ishikawa Yukari
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: 12 ページ: 128004-128004
- DOI
  10.35848/1347-4065/ac3a20
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05355
[雑誌論文] Visualization of the curving of crystal planes in β-Ga2O3 by X-ray topography2021
- 著者名/発表者名
  Yao Yongzhao、Hirano Keiichi、Takahashi Yumiko、Sugawara Yoshihiro、Sasaki Kohei、Kuramata Akito、Ishikawa Yukari
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 576 ページ: 126376-126376
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2021.126376
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05355
[雑誌論文] Dislocation classification of a large-area β-Ga2O3 single crystal via contrast analysis of affine-transformed X-ray topographs2020
- 著者名/発表者名
  Yao Yongzhao、Ishikawa Yukari、Sugawara Yoshihiro
- 雑誌名
  
  Journal of Crystal Growth
  
  巻: 548 ページ: 125825-125825
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2020.125825
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05355
[雑誌論文] Observation of dislocations in β-Ga2O3 single-crystal substrates by synchrotron X-ray topography, chemical etching, and transmission electron microscopy2020
- 著者名/発表者名
  Yongzhao Yao, Yoshihiro Sugawara and Yukari Ishikawa
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: 4 ページ: 045502-045502
- DOI
  10.35848/1347-4065/ab7dda
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05049
[雑誌論文] Identification of fine structures at the surface of epi-ready GaN wafer observed by confocal differential interference contrast microscopy2020
- 著者名/発表者名
  Ishikawa Yukari、Sugawara Yoshihiro、Sato Koji、Yao Yongzhao、Okada Narihito、Tadatomo Kazuyuki
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: 10 ページ: 100907-100907
- DOI
  10.35848/1347-4065/abbb23
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05176
[雑誌論文] Correlation between structural properties and nonradiative recombination behaviors of threading dislocations in freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy2020
- 著者名/発表者名
  Yao Yongzhao、Sugawara Yoshihiro、Yokoe Daisaku、Sato Koji、Ishikawa Yukari、Okada Narihito、Tadatomo Kazuyuki、Sudo Masaki、Kato Masashi、Miyoshi Makoto、Egawa Takashi
- 雑誌名
  
  CrystEngComm
  
  巻: 22 号: 48 ページ: 8299-8312
- DOI
  10.1039/d0ce01344g
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05176
[雑誌論文] Screw dislocations on $\left\{1\bar{2}12\right\}$ pyramidal planes induced by Vickers indentation in HVPE GaN2020
- 著者名/発表者名
  Ishikawa Yukari、Sugawara Yoshihiro、Yokoe Daisaku、Yao Yongzhao
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: 9 ページ: 091005-091005
- DOI
  10.35848/1347-4065/abb00c
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05176
[雑誌論文] Slip planes in monoclinic β-Ga2O3 revealed from its {010} face via synchrotron X-ray diffraction and X-ray topography2020
- 著者名/発表者名
  Yao Yongzhao、Ishikawa Yukari、Sugawara Yoshihiro
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 59 号: 12 ページ: 125501-125501
- DOI
  10.35848/1347-4065/abc1aa
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05355
[雑誌論文] X-ray diffraction and Raman characterization of β-Ga2O3 single crystal grown by edge-defined film-fed growth method2019
- 著者名/発表者名
  Yao, Yongzhao, Sugawara, Yoshihiro, Yukari, Ishikawa,Takahashi, Yumiko, Hirano, Keiichi
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 126 号: 20 ページ: 205110-205110
- DOI
  10.1063/5.0007229
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05049, KAKENHI-PROJECT-20K05355
[雑誌論文] Expansion of Basal Plane Dislocation in 4H-SiC Epitaxial Layer on A-Plane by Electron Beam Irradiation2018
- 著者名/発表者名
  Masaki Sudo, Yukari Ishikawa, Yongzhao Yao, Yoshihiro Sugawara, and Masashi Kato
- 雑誌名
  
  Materials Science Forum
  
  巻: 924 ページ: 151-154
- DOI
  10.4028/www.scientific.net/msf.924.151
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05049
[雑誌論文] Expansion of a single Shockley stacking fault in a 4H-SiC (11-20) epitaxial layer caused by electron beam irradiation2018
- 著者名/発表者名
  Yukari Ishikawa, Masaki Sudo, Yongzhao Yao, Yoshihiro Sugawara, and Masashi Kato
- 雑誌名
  
  Journal of Applied Physics
  
  巻: 123 号: 22 ページ: 1-6
- DOI
  10.1063/1.5026448
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05049
[雑誌論文] Fast removal of surface damage layer from single crystal diamond by using chemical etching in molten KCl + KOH solution2016
- 著者名/発表者名
  Y. Yao, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, H. Yamada, A. Chayahara, Y.Mokuno
- 雑誌名
  
  Diamond & Related Materials
  
  巻: 63 ページ: 86-90
- DOI
  10.1016/j.diamond.2015.10.003
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420071
[雑誌論文] Comparison of slicing-induced damage in hexagonal SiC by wire sawing with loose abrasive,wire sawing with fixed abrasive, and electric discharge machining2014
- 著者名/発表者名
  Yukari Ishikawa, Yong-Zhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Koji Sato, Yoshihiro Okamoto,Noritaka Hayashi, Benjamin Dierre, Kentaro Watanabe, and Takashi Sekiguchi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 53 号: 7 ページ: 1-11
- DOI
  10.7567/jjap.53.071301
- NAID
  210000144159
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420071
[産業財産権] 半導体基板の結晶面の形状評価方法および形状評価装置、ならびに、半導体基板の結晶面の形状評価を行うためのコンピュータプログラム2021
- 発明者名
  姚永昭、石川由加里、菅原義弘
- 権利者名
  姚永昭、石川由加里、菅原義弘
- 産業財産権種類
  特許
- 産業財産権番号
  2021-148810
- 出願年月日
  2021
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05355
[学会発表] ワイドバンドギャップ半導体の多様な結晶性評価法2024
- 著者名/発表者名
  石川由加里
- 学会等名
  公益社団法人応用物理学会　結晶工学分科会主催　第28回結晶工学セミナー
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K04444
[学会発表] Visualization of Structural Defects in Beta-Ga2O3 Using Synchrotron X-Ray Techniques for Power-Device Application2024
- 著者名/発表者名
  Yongzhao Yao, Kohei Sasaki, Daiki Wakimoto, Hironobu Miyamoto,Akito Kuramata, and Yukari Ishikawa
- 学会等名
  16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2024)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K17356
[学会発表] Visualization of Structural Defects in Beta-Ga2O3 Using Synchrotron X-Ray Techniques for Power-Device Application2024
- 著者名/発表者名
  Yongzhao Yao, Kohei Sasaki, Daiki Wakimoto, Hironobu Miyamoto,Akito Kuramata, and Yukari Ishikawa
- 学会等名
  16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2024)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26565
[学会発表] Observation of dislocations in thick GaN substrates using synchrotron-radiation X-ray topography based on anomalous transmission2023
- 著者名/発表者名
  Yongzhao Yao, Yoshiyuki Tsusaka, Keiichi Hirano, Koji Sato, Yoshihiro Sugawara, and Yukari Ishikawa
- 学会等名
  The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26565
[学会発表] Observation of dislocations in thick GaN substrates using synchrotron-radiation X-ray topography based on anomalous transmission2023
- 著者名/発表者名
  Yongzhao Yao, Yoshiyuki Tsusaka, Keiichi Hirano, Koji Sato, Yoshihiro Sugawara, and Yukari Ishikawa
- 学会等名
  The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K17356
[学会発表] Synchrotron-radiation X-ray topographic and X-ray reticulographic observation of AlN single-crystal substrates2023
- 著者名/発表者名
  Yongzhao Yao,, Yoshiyuki Tsusaka, Keiichi Hirano, Koji Sato, Yoshihiro Sugawara, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, and Yukari Ishikawa
- 学会等名
  The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K26565
[学会発表] 次世代ワイドバンドギャップ半導体単結晶加工変質層非破壊評価へ向けて2023
- 著者名/発表者名
  石川由加里
- 学会等名
  次世代単結晶基板のための実用加工技術研究会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K04444
[学会発表] Synchrotron-radiation X-ray topographic and X-ray reticulographic observation of AlN single-crystal substrates2023
- 著者名/発表者名
  Yongzhao Yao,, Yoshiyuki Tsusaka, Keiichi Hirano, Koji Sato, Yoshihiro Sugawara, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, and Yukari Ishikawa
- 学会等名
  The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23K17356
[学会発表] Operando and ex-situ XRT observation of dislocations in β-Ga2O3 SBDs and their glide and multiplication under device operation2022
- 著者名/発表者名
  Y. Yao, D. Wakimoto, H. Miyamoto, K. Sasaki, A. Kuramata, K. Hirano, Y. Sugawara, Y. Ishikawa
- 学会等名
  The International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05355
[学会発表] Structural defects in β-Ga2O3 analyzed by X-ray topography and complementary techniques2022
- 著者名/発表者名
  Y. Yao, Y. Sugawara, K. Sato, D. Yokoe, Y. Ishikawa, D. Wakimoto, H. Miyamoto, K. Sasaki, A. Kuramata
- 学会等名
  The 19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP19)
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05355
[学会発表] Dislocation analysis for large-area thick EFG β-Ga2O3 substrates using Borrmann effect synchrotron X-ray topography2022
- 著者名/発表者名
  Y. Yao, Y. Tsusaka, K. Hirano, K. Sasaki, A. Kuramata, Y. Sugawara, Y. Ishikawa
- 学会等名
  The International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05355
[学会発表] ワイドバンドギャップ半導体結晶の転位検出と解析2022
- 著者名/発表者名
  石川由加里、姚永昭、菅原義弘、佐藤功二、横江大作
- 学会等名
  日本金属学会2022年秋期（第171回）講演大会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05176
[学会発表] Linear relationship between dislocation pattern size induced by Vickers indentation and imprint width on (0001) GaN2022
- 著者名/発表者名
  Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Yongzhao Yao, Syusui Ogawa, Daisaku yokoe, Hidetoshi Takeda, Hideo Aida, Kazuyuki Tadatomo
- 学会等名
  19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05176
[学会発表] （0001）GaNウエハ上のsクラッチ幅と転位パタンサイズの線形増加2022
- 著者名/発表者名
  石川由加里、菅原義弘、姚永昭、武田秀俊、會田英雄、只友一行
- 学会等名
  応用物理学会先進パワー半導体分科会「第9回講演会」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05176
[学会発表] HVPE-GaN（0001）基板にVickers圧入で生じた転位構造2021
- 著者名/発表者名
  石川由加里，横江大作，菅原義弘，姚永昭
- 学会等名
  応用物理学会　2021年第82回秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05176
[学会発表] GaN結晶のビッカース圧痕周囲の転位の広がりと構造2020
- 著者名/発表者名
  石川由加里，横江大作，菅原義弘，姚永昭
- 学会等名
  日本機械学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20K05176
[学会発表] HVPE-GaN基板上に形成したビッカース圧痕周囲の転位構造2020
- 著者名/発表者名
  石川由加里、菅原義弘、横江大作、姚永昭
- 学会等名
  2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05049
[学会発表] Synchrotron X-Ray Topography Observation and Classification of Dislocations in β-Ga2O3 single crystal substrates grown by edge-defined film-fed growth2019
- 著者名/発表者名
  Yao, Yongzhao, Sugawara, Yoshihiro, Yukari, Ishikawa,Takahashi, Yumiko, Hirano, Keiichi
- 学会等名
  Yao, Yongzhao, Sugawara, Yoshihiro, Yukari, Ishikawa,Takahashi, Yumiko, Hirano, Keiichi
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05049
[学会発表] 4H-SiC, GaNの基底面転位のm面電子線照射による挙動2019
- 著者名/発表者名
  石川由加里，須藤正喜，菅原義弘，姚永昭，加藤正史、三好実人、江川孝志
- 学会等名
  2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05049
[学会発表] 4H-SiC A面電子線励起による基底面転位の拡張挙動2017
- 著者名/発表者名
  石川由加里，須藤正喜，姚永昭，菅原義弘，加藤正史
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第4回講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05049
[学会発表] Expansion of basal plane dislocation in 4H-SiC epitaxial layer on A-plane by electron beam irradiation2017
- 著者名/発表者名
  Masaki Sudo, Yukari Ishikawa, Yong-Zhao Yao, Yoshihiro Sugawara,　and Masashi Kato
- 学会等名
  2017 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05049
[学会発表] 4H-SiCのA面における基底面転位の電子線照射による拡張挙動2017
- 著者名/発表者名
  石川由加里，須藤正喜，姚永昭，菅原義弘，加藤正史
- 学会等名
  第78回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-17K05049
[学会発表] Fast removal of surface damage layer from single crystal diamond by using chemical etching in molten KCl + KOH solution2015
- 著者名/発表者名
  Y. Yao, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, H. Yamada, A. Chayahara, Y.Mokuno
- 学会等名
  The 9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons
- 発表場所
  静岡グランシップ
- 年月日
  2015-05-24
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420071
[学会発表] 遊離砥粒ワイヤーソーと放電加工で切断表面に導入された欠陥の比較
- 著者名/発表者名
  石川由加里，姚永昭，佐藤功二，菅原義弘，岡本好弘，林紀孝
- 学会等名
  先進パワー半導体分科会第１回講演会
- 発表場所
  ウインクあいち
- 年月日
  2014-11-19 – 2014-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26420071

1. 姚永昭 (80523935)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 50件
2. 菅原義弘 (70466291)

共同の研究課題数: 7件

共同の研究成果数: 9件

石川 由加里 Ishikawa Yukari

研究課題

研究成果

共同研究者

パワーデバイス劣化機構の解明に向けた格子欠陥のオペランド観察技術の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

実動作中のワイドギャップ半導体パワーデバイスにおける転位の動的な挙動の観察

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ワイドバンドギャップ半導体結晶の加工変質層厚に非破壊評価法の開発研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

ワイドバンドギャップ半導体結晶の加工導入欠陥構造・導入メカニズムの解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

次世代パワー半導体β型酸化ガリウムの大面積転位検出分類法の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

4H-SiC非極性面の欠陥と表面形状が酸化膜へ及ぼす影響の検討研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

SiC結晶表面に機械加工で導入された結晶欠陥の形成メカニズムの解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Characterization of dislocations induced by Vickers indentation in GaN for explaining size ratios of dislocation patterns2024

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Lattice misorientation at domain boundaries in β‐Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> single‐crystal substrates observed via synchrotron radiation X‐ray diffraction imaging and X‐ray reticulography2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Characterization of dislocations at the emission site by emission microscopy in GaN p?n diodes2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] X-ray topographic observation of dislocations in β-Ga2O3 Schottky barrier diodes and their glide and multiplication under reverse bias2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Three-dimensional distribution and propagation of dislocations in β-Ga2O3 revealed by Borrmann effect x-ray topography2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Anisotropic mechanical properties of β-Ga2O3 single-crystal measured via angle-dependent nanoindentation using a Berkovich indenter2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Large-area total-thickness imaging and Burgers vector analysis of dislocations in <b><i>β</i></b>-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> using bright-field x-ray topography based on anomalous transmission2022

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

石川由加里 Ishikawa Yukari