西川敦 NISHIKAWA Atsushi

研究者番号	60417095
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2011年度 – 2012年度: 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教 2011年度 – 2012年度: 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 2009年度 – 2010年度: 大阪大学, 工学研究科, 助教 2009年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 社員 2007年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 社員 2006年度: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 研究員
審査区分/研究分野	研究代表者構造・機能材料 / 応用物性・結晶工学研究代表者以外電子・電気材料工学 / 応用物性・結晶工学
キーワード	研究代表者窒化ガリウム / ユウロピウム / エレクトロルミネセンス / 局所構造制御 / XAFS / 赤色発光素子 / Si基板 / GaN基板 / 電流注入型デバイス / LED … もっと見る / 4f殻内遷移 / フォトルミネセンス / 赤色発光 / 有機金属気相エピタキシャル法 / OMVPE法 / 赤色発光ダイオード / 窒化物半導体 … もっと見る研究代表者以外半導体物性 / テラヘルツ波 / 希土類添加半導体 / 先端機能デバイス / スピンエレクトロニクス / スピントロニクス / オプトロニクス / 希土類元素 / エピタキシャル成長 / 光物性 / 結晶成長 / 半導体隠す

希土類添加半導体を用いたテラヘルツ波発生/検出素子の開発
- 研究代表者
  
  藤原康文
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2012
- 研究種目
  
  挑戦的萌芽研究
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  大阪大学
GaNに添加されたEu原子の能動的局所構造制御による高効率赤色発光の実現研究代表者
- 研究代表者
  
  西川敦
- 研究期間 (年度)
  2011
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  構造・機能材料
- 研究機関
  大阪大学
希土類添加による窒化物半導体赤色発光デバイスの作製と発光機構の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  西川敦
- 研究期間 (年度)
  2009 – 2010
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  大阪大学
希土類元素添加の精密制御による物性・機能性の開拓
- 研究代表者
  
  藤原康文
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2011
- 研究種目
  
  学術創成研究費
- 研究機関
  大阪大学
六方晶BN窒化物半導体に関する研究
- 研究代表者
  
  小林康之
- 研究期間 (年度)
  2006 – 2009
- 研究種目
  
  基盤研究(A)
- 研究分野
  
  応用物性・結晶工学
- 研究機関
  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

すべて 2013 2012 2011 2010 2009 その他

すべて雑誌論文学会発表図書産業財産権

[図書] Advanced materials design of rare-earth-doped semiconductors by organometallic vapor phase epitaxy (Chapter 21)2013
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, Y. Terai, and A. Nishikawa
- 出版者
  Progress in Advanced Structural and Functional Materials Design
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656220
[雑誌論文] Electroluminescence properties of Eu-doped GaN-based light-emitting diodes grown by organometallic vapor phase epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  A.Nishikawa, N.Furukawa, D.Lee, K.Kawabata, T.Matsuno, R.Harada, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Materials Research Society Symposium Proceedings
  
  巻: (印刷中) ページ: 9-13
- DOI
  10.1557/opl.2011.994
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686099, KAKENHI-PROJECT-24226009
[雑誌論文] Nature and excitation mechanism of the emission-dominating minority Eu-center in GaN grown by organometalic vapor-phase epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  J.Poplawsky, N.Woodward, A.Nishikawa, Y.Fujiwara, V.Dierolf
- 雑誌名
  
  Materials Research Society Symposium Proceedings
  
  巻: (印刷中) ページ: 21-26
- DOI
  10.1557/opl.2011.1049
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686099, KAKENHI-PROJECT-24226009
[雑誌論文] Photoluminescence x-ray excitation spectra in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy2012
- 著者名/発表者名
  S.Emura, K.Higashi, A.Itatani, H.Torigoe, Y.Kuroda, A.Nishikawa, Y.Fujiwara, H.Asahi
- 雑誌名
  
  Materials Research Society Symposium Proceedings
  
  巻: (印刷中) ページ: 15-20
- DOI
  10.1557/opl.2011.1241
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686099, KAKENHI-PROJECT-24226009
[雑誌論文] Eu luminescence center created by Mg codoping in Eu-doped GaN2012
- 著者名/発表者名
  D. Lee, A. Nishikawa, Y. Terai, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 100 号: 17
- DOI
  10.1063/1.4704920
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209, KAKENHI-PROJECT-24226009
[雑誌論文] Site selective magneto-optical studies of Eu ions in gallium nitride2012
- 著者名/発表者名
  N.Woodward, A.Nishikawa, Y.Fujiwara, V.Dierolf
- 雑誌名
  
  Materials Research Society Symposium Proceedings
  
  巻: (印刷中) ページ: 111-115
- DOI
  10.1557/opl.2011.1156
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686099, KAKENHI-PROJECT-24226009
[雑誌論文] Excitation of Eu3+ in gallium nitride epitaxial layers: Majority versus trap defect center2011
- 著者名/発表者名
  N.Woodward, J.Poplawsky, B.Mitchell, A.Nishikawa, Y.Fujiwara, V.Dierolf
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 98
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] OMVPE法により作製したEu添加GaNの発光特性及び赤色発光ダイオードへの応用2011
- 著者名/発表者名
  西川敦
- 雑誌名
  
  日本結晶成長学会誌
  
  巻: 38 ページ: 270-273
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[雑誌論文] Room-temperature red emission from light-emitting diodes with Eu-doped GaN grown by organometallic vapour phase epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  A.Nishikawa
- 雑誌名
  
  Optical Materials
  
  巻: 33 号: 7 ページ: 1071-1074
- DOI
  10.1016/j.optmat.2010.10.010
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[雑誌論文] Site and sample dependent electron-phonon coupling of Eu ions in epitaxial-grown GaN layers2011
- 著者名/発表者名
  N.Woodward, A.Nishikawa, Y.Fujiwara, V.Dierolf
- 雑誌名
  
  Optical Materials 33
  
  ページ: 1050-1054
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] Excitation of Eu3+ in gallium nitride epitaxial layers : Majority versus trap defect center2011
- 著者名/発表者名
  N. Woodward, J. Poplawsky, B. Mitchell, A. Nishikawa, Y. Fujiwara, and V. Dierolf
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 98
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[雑誌論文] Excitation of Eu^<3+> in gallium nitride epitaxial layers : Majority versus trap defectcenter2011
- 著者名/発表者名
  N.Woodward, J.Poplawsky, B.Mitchell, A.Nishikawa, Y.Fujiwara, V.Dierolf
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 98
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] Room-temperature red emission from light-emitting diodes with Eu-doped GaN grown by organometallic vapour phase epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  A.Nishikawa, N.Furukawa, T.Kawasaki, Y.Terai, Y.
- 雑誌名
  
  Optical Materials 33
  
  ページ: 1071-1074
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] Improved luminescence properties of Eu-doped GaN light-emitting diodes grown by atmospheric-pressure organometallic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  A.Nishikawa
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 97
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[雑誌論文] 希土類添加半導体の現状と将来展望2010
- 著者名/発表者名
  藤原康文、寺井慶和、西川敦
- 雑誌名
  
  応用物理 79
  
  ページ: 25-31
- NAID
  10026198784
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] Electroluminescence properties of Eu-doped GaN-based red light-emitting diode by OMVPE2010
- 著者名/発表者名
  A.Nishikawa
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi A
  
  巻: 207 ページ: 1397-1399
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[雑誌論文] Growth temperature dependence of Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  A.Nishikawa
- 雑誌名
  
  Journal of The Society of Materials Science Japan
  
  巻: 59 ページ: 671-674
- NAID
  130000335797
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[雑誌論文] 希土類添加半導体の現状と将来展望2010
- 著者名/発表者名
  藤原康文, 西川敦, 寺井慶和
- 雑誌名
  
  応用物理 79
  
  ページ: 25-31
- NAID
  10026198784
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[雑誌論文] Effect of Growth Temperature on Eu-Doped GaN Layers Grown by Organometallic Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  T.Kawasaki, A.Nishikawa, N.Furukawa, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 雑誌名
  
  physica status solidi C
  
  巻: 7 ページ: 2040-2043
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] 有機金属気相エピタキシャル法によるユウロピウム添加窒化ガリウムの成長温度依存性2010
- 著者名/発表者名
  西川敦、川崎隆志、古川直樹、寺井慶和、藤原康文
- 雑誌名
  
  材料 59
  
  ページ: 690-693
- NAID
  130000335797
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] GaNを利用した赤色発光ダイオード2010
- 著者名/発表者名
  西川敦
- 雑誌名
  
  光アライアンス
  
  巻: 21 ページ: 7-9
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[雑誌論文] Low-voltage operation of current-injection red emission from p-GaN/Eu-doped GaN/n-GaN light-emitting diodes2010
- 著者名/発表者名
  西川敦
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi(a) (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[雑誌論文] Atmospheric pressure growth of Eu-doped GaN by organometallic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  N.Furukawa, A.Nishikawa, T.Kawasaki, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi A
  
  巻: 208 ページ: 445-448
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] Lattice site location of optical centres in GaN : Eu LED material grown by organometallic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  K. Lorenz, E. Alves, I. S. Roqan, K. P. O' Donnell, A. Nishikawa, Y. Fujiwara, and M. Bockowski
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 97 号: 11
- DOI
  10.1063/1.3489103
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[雑誌論文] Improved luminescence properties of Eu-doped GaN light-emitting diodes grown by atmospheric-pressure organometallic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  A. Nishikawa, N. Furukawa, T. Kawasaki, Y. Terai, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 97 号: 5
- DOI
  10.1063/1.3478011
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[雑誌論文] 希土類添加半導体の現状と将来展望2010
- 著者名/発表者名
  藤原康文、西川敦、寺井慶和
- 雑誌名
  
  応用物理
  
  巻: 79 ページ: 25-31
- NAID
  10026198784
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[雑誌論文] Electroluminescence properties of Eu-doped GaN-based red light-emitting diode by OMVPE2010
- 著者名/発表者名
  A.Nishikawa, T.Kawasaki, N.Furukawa, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 雑誌名
  
  physica status solidi A
  
  巻: 207 ページ: 1397-1399
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] Lattice site location of optical centres in GaN : Eu LED material grown by organo metallic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  K.Lorenz, E.Alves, I.S.Roqan, K.P.O'Donnell, A.Nishikawa, Y.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 97
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] Improved Eu Luminescence Properties in Eu-Doped GaN Grown on GaN Substrates by Organometallic Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  H.Kasai, A.Nishikawa, T.Kawasaki, N.Furukawa, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Jpn.J.of Appl.Phys. 49
- NAID
  210000068155
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] Improved Eu Luminescence Properties in Eu-Doped GaN Grown by Organometallic Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  H.Kasai, A.Nishikawa, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys.
  
  巻: 49
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] 有機金属気相エピタキシャル法によるユウロピウム添加窒化ガリウムの成長温度依存性2010
- 著者名/発表者名
  西川敦、川崎隆志、古川直樹、寺井慶和、藤原康文
- 雑誌名
  
  材料
  
  巻: 59 ページ: 690-693
- NAID
  130000335797
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] 有機金属気相エピタキシャル法によるユウロピウム添加窒化ガリウムの成長温度依存性2010
- 著者名/発表者名
  西川敦
- 雑誌名
  
  材料 (印刷中)
- NAID
  130000335797
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[雑誌論文] Electroluminescence properties of Eu-doped GaN-based red light-emitting diode by OMVPE2010
- 著者名/発表者名
  A.Nishikawa, T.Kawasaki, N.Furukawa, Y.Terai, Y.Fujiwara.
- 雑誌名
  
  Phys.Stat.Sol.A 207
  
  ページ: 1397-1400
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] Atmospheric pressure growth of Eu-doped GaN by organometallic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  N.Furukawa, A.Nishikawa, T.Kawasaki, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Phys.Stat.Sol.A 208
  
  ページ: 445-448
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] Improved luminescence properties of Eu-doped GaN light-emitting diodes grown by atmospheric-pressure organometallic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  A.Nishikawa, N.Furukawa, T.Kawasaki, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 97
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] Effect of Growth Temperature on Eu-Doped GaN Layers Grown by Organometallic Vapor Phase Epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  T.Kawasaki, A.Nishikawa, N.Furukawa, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Phys.Stat.Sol.C 7
  
  ページ: 2040-2043
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] Improved luminescence properties of Eu-doped GaN light-emitting diodes grown by atmospheric-pressure organometallic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  A.Nishikawa, N.Furukawa, T.Kawasaki, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 97
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] Lattice site location of optical centres in GaN:Eu LED material grown by organometallic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  K.Lorenz, E.Alves, I.S.Roqan, K.P.O'Donnell, A.Nishikawa, Y.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Lett. 97
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] Room-temperature red emission from a p-type/ europium-doped/ n-type gallium nitride light-emitting diode under current injection2009
- 著者名/発表者名
  A. Nishikawa, T. Kawasaki, N. Furukawa, Y. Terai, and Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 2 ページ: 071004-071004
- DOI
  10.1143/apex.2.071004
- NAID
  10025087007
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[雑誌論文] Room-temperature red emission from p-type/europium-doped/n-type gallium nitride light-emitting diodes under current injection2009
- 著者名/発表者名
  西川敦
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
- NAID
  10025087007
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[雑誌論文] Room-temperature red emission from a p-type/europium-doped /n-type gallium nitride light-emitting diode under current injection2009
- 著者名/発表者名
  A.Nishikawa, T.Kawasaki, N.Furukawa, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Express 2
- NAID
  10025087007
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] Optical properties of Eu-implanted GaN and related-alloy semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  A.Nishikawa, H.Kasai, T.Kawasaki, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Series 191
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] Optical properties of Eu-implanted GaN and related-alloy semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  A.Nishikawa, H.Kasai, T.Kawasaki, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Journal of Physics, Conference Series 191
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] Optical properties of Eu-implanted GaN and related-alloy semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  西川敦
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Series 191
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[雑誌論文] Room-temperature red emission from a p-type/europium-doped/n-type gallium nitride light-emitting diode under current injection2009
- 著者名/発表者名
  A. Nishikawa, T. Kawasaki, N. Furukawa, Y. Terai, Y. Fujiwara
- 雑誌名
  
  Appl.Phys.Exp. 2
- NAID
  10025087007
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[雑誌論文] Luminescence Properties of Eu-implanted GaN-based Semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  H.Kasai, A.Nishikawa, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Journal of Physics : Conference Series 165
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] Luminescence Properties of Eu-implanted GaN-based Semiconductors2009
- 著者名/発表者名
  H.Kasai, A.Nishikawa, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Journal of Physics, Conference Series 165
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] Room-temperature red emission from p-type/europium-doped/n-type gallium nitride light-emitting diodes under current injection2009
- 著者名/発表者名
  A.Nishikawa, T.Kawasaki, N.Furukawa, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express 2
- NAID
  10025087007
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] Site and sample dependent electron-phonon coupling of Eu ions in epitaxial-grown GaN layers
- 著者名/発表者名
  N.Woodward, A.Nishikawa, Y.Fujiwara, V.Dierolf
- 雑誌名
  
  Optical Materials
  
  巻: (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] Effect of Growth Temperature on Eu-Doped GaN Layers Grown by Organometallic Vapor Phase Epitaxy
- 著者名/発表者名
  T.Kawasaki, A.Nishikawa, N.Furukawa, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 雑誌名
  
  physica status solidi (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] Room-temperature red emission from light-emitting diodes with Eu-doped GaN grown by organometallic vapour phase epitaxy
- 著者名/発表者名
  A.Nishikawa, N.Furukawa, T.Kawasaki, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Optical Materials
  
  巻: (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] Improved Eu Luminescence Properties in Eu-Doped GaN Grown by Organometallic Vapor Phase Epitaxy
- 著者名/発表者名
  H.Kasai, A.Nishikawa, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 雑誌名
  
  Jpn.J.Appl.Phys (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[雑誌論文] Electroluminescence properties of Eu-doped GaN-based red light-emitting diode by OMVPE
- 著者名/発表者名
  A.Nishikawa, T.Kawasaki, N.Furukawa, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 雑誌名
  
  physica status solidi (印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[産業財産権] 赤色発光半導体素子とその製造方法2011
- 発明者名
  藤原康文、西川敦、寺井慶和
- 権利者名
  大阪大学
- 産業財産権番号
  2011-268141
- 出願年月日
  2011-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[産業財産権] 赤色発光半導体素子とその製造方法2011
- 発明者名
  藤原康文、西川敦、寺井慶和
- 権利者名
  大阪大学
- 産業財産権番号
  2011-268143
- 出願年月日
  2011-12-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[産業財産権] 赤色発光半導体素子および赤色発光半導体素子の製造方法2010
- 発明者名
  西川敦、藤原康文、寺井慶和、川崎隆志、古川直樹
- 権利者名
  国立大学法人大阪大学
- 出願年月日
  2010-04-28
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[産業財産権] 赤色発光半導体素子および赤色発光半導体素子の製造方法2009
- 発明者名
  西川敦、藤原康文、寺井慶和、川崎隆志、古川直樹
- 権利者名
  国立大学法人大阪大学
- 産業財産権番号
  2009-112535
- 出願年月日
  2009-05-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[産業財産権] 赤色発光素子および赤色発光素子の製造方法2009
- 発明者名
  西川敦、藤原康文、寺井慶和、川崎隆志、古川直樹
- 権利者名
  大阪大学
- 産業財産権番号
  2009-112535
- 出願年月日
  2009-05-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[産業財産権] 赤色発光素子および赤色発光素子の製造方法2009
- 発明者名
  西川敦, 藤原康文, 寺井慶和, 川崎隆志, 古川直樹
- 権利者名
  大阪大学
- 産業財産権番号
  2009-112535
- 出願年月日
  2009-05-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[学会発表] Recent Progress in Red LEDs with Eu-doped GaN2012
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, A. Nishikawa, and Y. Terai
- 学会等名
  Optical Society of America Topical Meeting on Advances in Optical Materials(AIOM), ITh5B. 4
- 発表場所
  San Diego, USA
- 年月日
  2012-02-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[学会発表] Enhancement of Eu3+ Luminescence Intensity in Eu-Doped GaN by Mg Codoping2011
- 著者名/発表者名
  D.Lee, A.Nishikawa, N.Furukawa, K.Kawabata, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 学会等名
  E-MRS Fall meeting
- 発表場所
  ワルシャワ(ポーランド)
- 年月日
  2011-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686099
[学会発表] Enhancement of Eu3+ Luminescence Intensity in Eu-Doped GaN by Mg Codoping2011
- 著者名/発表者名
  D.Lee, A.Nishikawa, N.Furukawa, K.Kawabata, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 学会等名
  24th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
- 発表場所
  奈良(日本)
- 年月日
  2011-08-23
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686099
[学会発表] Eu添加GaN発光ダイオードの光学特性2011
- 著者名/発表者名
  西川敦、古川直樹、李東建、川〓昂佑、寺井慶和、藤原康文
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  厚木市
- 年月日
  2011-03-25
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Fluorescence XAFS analysis on Eu-doped AlGaN layer grown by organometallic vapor phase epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  H.Ofuchi, K.Kawabata, A.Nishikawa, D.Lee, N.Furukawa, Y.Terai, T.Honma, Y.Fujiwara
- 学会等名
  E-MRS Fall meeting
- 発表場所
  ワルシャワ(ポーランド)
- 年月日
  2011-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686099
[学会発表] 蛍光XAFS法によるEu添加GaNのEuイオン周辺局所構造解析2011
- 著者名/発表者名
  大渕博宣、西川敦、古川直樹、寺井慶和、藤原康文、本間徹生
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  厚木市
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Nature and excitation mechanism of the emission-dominating minority Eu-center in GaN grown by organometalic vapor-phase epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  Y.Fujiwara, A.Nishikawa, N.Furukawa, D-G.Lee, K.Kawabata, Y.Terai
- 学会等名
  9th International Conference on Nitride Semiconductors
- 発表場所
  グラスゴー(英国)
- 年月日
  2011-07-12
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686099
[学会発表] 希土類添加半導体の新展開2011
- 著者名/発表者名
  藤原康文、寺井慶和、西川敦
- 学会等名
  日本セラミックス協会第24回秋季シンポジウム「複合アニオン化合物の創製と機能」
- 発表場所
  北海道大学(札幌キャンパス)、札幌市
- 年月日
  2011-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656220
[学会発表] Combined Excitation Experiment and the Emission Nature of Eu in GaN2011
- 著者名/発表者名
  J.Poplawsky, A.Nishikawa, Y.Fujiwara, V.Dierolf
- 学会等名
  E-MRS Fall meeting
- 発表場所
  ワルシャワ(ポーランド)
- 年月日
  2011-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686099
[学会発表] Eu添加GaNにおけるMg共添加によるEu発光強度の増大2011
- 著者名/発表者名
  李東建、西川敦、古川直樹、川〓昂佑、寺井慶和、藤原康文
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  厚木市
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] OMVPE法により作製したEu添加AlGaNのEu発光特性2011
- 著者名/発表者名
  川〓昂佑、西川敦、李東建、古川直樹、寺井慶和、藤原康文
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  厚木市
- 年月日
  2011-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Eu添加AlxGa1-xNにおけるEu発光特性のAl組成依存性2011
- 著者名/発表者名
  川〓昂佑, 西川敦, 李東建, 寺井康和, 藤原康文
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686099
[学会発表] Effect of V/III ratio on luminescence and structural properties in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy2011
- 著者名/発表者名
  A.Nishikawa, H.Ofuchi, N.Furukawa, D.Lee, K.Kawabata, T.Matsuno, Y.Terai, T.Honma, Y.Fujiwara
- 学会等名
  E-MRS Fall meeting
- 発表場所
  ワルシャワ(ポーランド)
- 年月日
  2011-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686099
[学会発表] Eu添加GaNにおけるEu発光の温度消光特性2011
- 著者名/発表者名
  古川直樹, 西川敦, 李東建, 若松龍太, 寺井慶和, 藤原康文
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686099
[学会発表] Investigations of stimulated emission in Er- and Eu-doped GaN2011
- 著者名/発表者名
  N.N.Ha, K.Dohnalova, T.Gregorkiewicz, A.Nishikawa, Y.Fujiwara
- 学会等名
  E-MRS Fall meeting
- 発表場所
  ワルシャワ(ポーランド)
- 年月日
  2011-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686099
[学会発表] Mg,Eu共添加GaNにおけるEu発光の温度依存性2011
- 著者名/発表者名
  李東建, 西川敦, 古川直樹, 若松龍太, 寺井慶和, 藤原康文
- 学会等名
  第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- 年月日
  2011-09-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686099
[学会発表] Optical activity of Eu3+ in GaN:Eu for light emitting devices2011
- 著者名/発表者名
  W.D.A.M.de Boer, T.Gregorkiewicz, S.Tanabe, A.Nishikawa, Y.Fujiwara
- 学会等名
  E-MRS Fall meeting
- 発表場所
  ワルシャワ(ポーランド)
- 年月日
  2011-09-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23686099
[学会発表] OMVPE法により作製したEu添加GaNの発光特性及び赤色発光ダイオードへの応用2011
- 著者名/発表者名
  西川敦
- 学会等名
  第3回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体の応用・評価および結晶成長基礎」
- 発表場所
  九州大学筑紫キャンパス(福岡県春日市)(招待講演)
- 年月日
  2011-06-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[学会発表] 希土類添加半導体を用いた発光デバイスの新展開2011
- 著者名/発表者名
  寺井慶和、西川敦、藤原康文
- 学会等名
  日本金属学会分科会シンポジウム「環境・医療・IT調和型デバイス、及び材料の最前線」
- 発表場所
  科学技術館、東京都千代田区
- 年月日
  2011-09-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23656220
[学会発表] Room-temperature red emission from light emitting-diodes with Eu-doped GaN grown by organometallic vapour phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  A.Nishikawa
- 学会等名
  2010 European Materials Research Society Spring Meeting (E-MRS2010)
- 発表場所
  Strasbourg, France(招待講演)
- 年月日
  2010-06-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[学会発表] Growth temperature dependence of Eu-doped GaN by organometallic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  A.Nishikawa, T.Kawasaki, N.Furukawa, S.Anada, N.Woodward, V.Dierolf, S.Emura, H.Asahi, Y Terai, Y.Fujiwara
- 学会等名
  International Conference on Core Research and Engineering Science of Advanced Materials
- 発表場所
  吹田市
- 年月日
  2010-06-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] 有機金属気相成長法によるEu添加GaNの作製とLEDデバイス応用2010
- 著者名/発表者名
  西川敦
- 学会等名
  応用物理学会関西支部セミナー「光物性とその光機能」
- 発表場所
  大阪府立大学(大阪市)
- 年月日
  2010-01-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[学会発表] 常圧有機金属気相エピタキシャル法により作製されたEu添加GaNにおけるEu発光強度の増大2010
- 著者名/発表者名
  古川直樹, 西川敦, 川崎隆志, 寺井慶和, 藤原康文
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎市
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Room-temperature red emission from light emitting-diodes with Eu-doped GaN grown by organometallic vapour phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  A.Nishikawa, Y.Terai, Y.Fujiwaza
- 学会等名
  2010 European Materials Research Society Spring Meeting(E-MRS2007)
- 発表場所
  Strasbourg, France(招待講演)
- 年月日
  2010-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Red light-emitting diodes with Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Y.Fujiwara, A.Nishikawa, Y.Terai
- 学会等名
  15th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence&2010 International Conference on the Science and Technology of Emissive Displays and Lighting&XVIII Advanced Display Technologies International Symposium
- 発表場所
  St.Petersburg, Russia(INVITED)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Organometallic vapor phase epitaxial growth of Eu-doped GaN and its application to red light-emitting diodes operating at room temperature2010
- 著者名/発表者名
  Y.Fujiwara, A.Nishikawa, Y.Terai
- 学会等名
  Third International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN3), We4-2
- 発表場所
  Montpellier, France(INVITED)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Red light-emitting diodes with Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Y.Fujiwara, A.Nishikawa, Y.Terai
- 学会等名
  15^<th> International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence & 2010 International Conference on the Science and Technology of Emissive Displays and Lighting & XVIII Advanced Display Technologies International Symposium
- 発表場所
  St.Petersburg, Russia
- 年月日
  2010-09-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] 有機金属気相成長法によるEu添加GaNの作製とLEDデバイス応用2010
- 著者名/発表者名
  西川敦, 寺井慶和, 藤原康文,【招待講演】
- 学会等名
  応用物理学会関西支部セミナー
- 発表場所
  大阪府立大学、堺市
- 年月日
  2010-01-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Atmospheric-pressure growth of Eu-doped GaN by organometallic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  N.Furukawa, A.Nishikawa, T.Kawasaki, S.Anada, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 学会等名
  37th International Symposium on Compound Semiconductors
- 発表場所
  高松市(招待講演)
- 年月日
  2010-06-04
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Site selective excitation pathways of in-situ doped Eu : GaN grown by MOCVD2010
- 著者名/発表者名
  N.Woodward, V.Dierolf, A.Nishikawa, Y.Fujiwara
- 学会等名
  2010 European Materials Research Society Spring Meeting (E-MRS2010), 8.12
- 発表場所
  Strasbourg, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] New development in rare-earth-doped semiconductors: room-temperature operation of light-emitting diodes exhibiting rare-earth emission under current injection2010
- 著者名/発表者名
  Y.Fujiwara, A.Nishikawa, Y.Terai
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  伊豆市(招待講演)
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Room-Temperature Red Emission from a p-Type/Europium-Doped/n-Type Gallium Nitride Light-Emitting Diode under Current Injection2010
- 著者名/発表者名
  西川敦、川崎隆志、古川直樹、寺井慶和、藤原康文
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学(招待講演)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Rare-earth-doped semiconductor-based light-emitting diodes operating at room temperature2010
- 著者名/発表者名
  Y. Fuiiwara, A. Nishikawa, Y. Terai
- 学会等名
  4th International Conference on LED and Solid State Lighting (LED2010)
- 発表場所
  Seoul, Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[学会発表] Rare-earth-doped semiconductor-based light-emitting diodes operating at room temperature2010
- 著者名/発表者名
  Y.Fujiwara, A.Nishikawa, Y.Terai
- 学会等名
  4th International Conference on LED and Solid State Lighting (LED2010), W-II-2
- 発表場所
  Seoul, Korea(INVITED)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] New development in rare-earth-doped semiconductors: room-temperature operation of light-emitting diodes exhibiting rare-earth emission under current injection2010
- 著者名/発表者名
  Y.Fujiwara, A.Nishikawa, Y.Terai
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  Izu(INVITED)
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Room-temperature red emission from light-emitting diodes with Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  A.Nishikawa, T.Kawasaki, N.Furukawa, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 学会等名
  2010 European Materials Research Society Spring Meeting (E-MRS2010), 5.1
- 発表場所
  Strasbourg, France(INVITED)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Red light-emitting diodes with Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, A. Nishikawa, and Y. Terai
- 学会等名
  15th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence & 2010 International Conference on the Science and Technology of Emissive Displays and Lighting & XVIII Advanced Display Technologies International Symposium, St
- 発表場所
  Petersburg, Russia
- 年月日
  2010-10-01
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[学会発表] 有機金属気相エピタキシャル法によるEu添加GaNの成長温度依存性(II)2010
- 著者名/発表者名
  古川直樹、西川敦、川崎隆志、穴田智史、N.Woodward、VDierolf、丹保浩行、江村修一、朝日一、寺井慶和、藤原康文
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学、平塚市
- 年月日
  2010-03-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Atmospheric-pressure growth of Eu-doped GaN by organometallic vapor phase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  N.Furukawa, A.Nishikawa, T.Kawasaki, S.Anada, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 学会等名
  37th International Symposium on Compound Semiconductors, FrD1-1, Takamatsu Symbol Tower
- 発表場所
  Kagawa, Japan(INVITED)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Europium incorporation in GaN grown by metal organic chemical vapour deposition2010
- 著者名/発表者名
  K.Lorenz, E.Alves, I.S.Roqan, K.P.O'Donnell, A.Nishikawa, Y.Fujiwara, M.Bockowski
- 学会等名
  2010 European Materials Research Society Spring Meeting (E-MRS2010), 5.2
- 発表場所
  Strasbourg, France
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Europium incorporation in GaN grown by metal organic chemical vapour deposition2010
- 著者名/発表者名
  K.Lorenz, E.Alves, I.S.Roqan, K.P.O'Donnell, A.Nishikawa, Y.Fujiwara, M.Bockowski
- 学会等名
  2010 European Materials Research Society Spring Meeting (E-MRS2007)
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2010-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Room-Temperature Red Emission from a p-Type/Europium-Doped/n-Type Gallium Nitride Light-Emitting Diode under Current Injection2010
- 著者名/発表者名
  西川敦、川崎隆志、古川直樹、寺井慶和、藤原康文
- 学会等名
  第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎市(招待講演)
- 年月日
  2010-09-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] p-GaN/Eu添加GaN/n-GaN発光ダイオードによる室温電流注入赤色発光【応用物理学会講演奨励賞記念講演】2010
- 著者名/発表者名
  西川敦, 川崎隆志, 古川直樹, 寺井慶和, 藤原康文, 【招待講演】
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学、平塚市
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Organometallic vapor phase epitaxial growth of Eu-doped GaN and its application to red light-emitting diodes operating at room temperature2010
- 著者名/発表者名
  Y. Fujiwara, A. Nishikawa, and Y. Terai
- 学会等名
  3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN3), WE4-2
- 発表場所
  Montpellier, France
- 年月日
  2010-07-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[学会発表] Growth temperature dependence of Eu-doped GaN grown by organometallic vaporphase epitaxy2010
- 著者名/発表者名
  N.Furukawa, A.Nishikawa, T.Kawasaki, S.Anada, N.Woodward, V.Dierolf, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 学会等名
  29th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  伊豆市
- 年月日
  2010-07-15
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Recent progress in rare-earth-doped semiconductors2010
- 著者名/発表者名
  Y.Fujiwara, A.Nishikawa, Y.Terai
- 学会等名
  2010 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS MANTECH), 12.4
- 発表場所
  Portland, USA(INVITED)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] 有機金属気相成長法によるEu添加GaNの作製とLEDデバイス応用2010
- 著者名/発表者名
  西川敦、寺井慶和、藤原康文
- 学会等名
  応用物理学会関西支部セミナー
- 発表場所
  大阪府立大学(招待講演)
- 年月日
  2010-01-09
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Organometallic vapor phase epitaxial growth of Eu-doped GaN and its application to red light-emitting diodes operating at room temperature2010
- 著者名/発表者名
  Y.Fujiwara, A.Nishikawa, Y.Terai
- 学会等名
  Third International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN3)
- 発表場所
  Montpellier, France(招待講演)
- 年月日
  2010-07-07
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] p-GaN/Eu 添加GaN/n-GaN 発光ダイオードによる室温電流注入赤色発光2010
- 著者名/発表者名
  西川敦、川崎隆志、古川直樹、寺井慶和、藤原康文
- 学会等名
  第57回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  東海大学(招待講演)
- 年月日
  2010-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] 常圧有機金属気相エピタキシャル法によるEu添加GaNの作製とLED特性の改善2010
- 著者名/発表者名
  古川直樹、西川敦、川崎隆志、寺井慶和、藤原康文
- 学会等名
  日本材料学会半導体エレクトロニクス委員会平成22年度第1回研究会
- 発表場所
  吹田市
- 年月日
  2010-05-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] OMVPE法により作製したEu添加GaNにおけるEu発光特性のV/III比依存性2010
- 著者名/発表者名
  西川敦、古川直樹、李東建、川〓昂佑、寺井慶和、藤原康文
- 学会等名
  第58回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  厚木市
- 年月日
  2010-03-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Site selective excitation pathways of in-situ doped Eu : GaN grown by MOCVD2010
- 著者名/発表者名
  N.Woodward, V.Dierolf, A.Nishikawa, Y.Fujiwara
- 学会等名
  2010 European Materials Research Society Spring Meeting (E-MRS2007)
- 発表場所
  Strasbourg, France
- 年月日
  2010-06-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Recent progress in rare-earth-doped semiconductors2010
- 著者名/発表者名
  Y.Fujiwara, A.Nishikawa, Y.Terai
- 学会等名
  2010 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology(CS MANTECH)
- 発表場所
  Portland, USA(招待講演)
- 年月日
  2010-05-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Effect of growth temperature on Eu-doped GaN layers grown by organometallic vapor phase epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  T.Kawasaki, N.Furukawa, A.Nishikawa, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8), ThP18, Jeju Island
- 発表場所
  Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Low-voltage operation of current-injection red emission from p-GaN/Eu-doped GaN/n-GaN light-emitting diodes2009
- 著者名/発表者名
  A.Nishikawa, T.Kawasaki, N.Furukawa, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8), ThP118, Jeju Island
- 発表場所
  Korea
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Low-Voltage Operation of Current-Injection Red Emission from P-GaN/Eu-Doped GaN/N-GaN Light-Emitting Diodes2009
- 著者名/発表者名
  A.Nishikawa, T.Kawasaki, N.Furukawa, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] 有機金属気相エピタキシャル法によるEu添加GaNの作製と発光特性2009
- 著者名/発表者名
  西川敦, 川崎隆志, 古川直樹, 寺井慶和, 藤原康文, 【招待講演】
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会、多元系機能材料研究会・結晶工学分科会合同企画
- 発表場所
  富山大学、富山市
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] OMVPE法によるEu添加GaNの成長温度依存性2009
- 著者名/発表者名
  川崎隆志, 古川直樹, 西川敦, 寺井慶和, 藤原康文
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学、富山市
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] 有機金属気相エピタキシャル法によるEu添加GaNの成長温度依存性2009
- 著者名/発表者名
  古川直樹、川崎隆志、穴田智史、西川敦、寺井慶和、藤原康文
- 学会等名
  日本材料学会半導体エレクトロニクス部門研究会
- 発表場所
  大阪工業大学、大阪市
- 年月日
  2009-12-19
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] 有機金属気相成長エピタキシャル法によるユウロピウム添加GaN赤色発光ダイオードの室温電流注入発光2009
- 著者名/発表者名
  西川敦, 【招待講演】
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
- 発表場所
  名古屋大学、名古屋市
- 年月日
  2009-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Time-resolved photoluminescence in Eu-implanted GaN2009
- 著者名/発表者名
  T.Kawasaki, N.Furukawa, H.Kasai, A.Nishikawa, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 学会等名
  28th Electronic Materials Symposium
- 発表場所
  ラフォーレ琵琶湖、草津市
- 年月日
  2009-07-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] 有機金属気相エピタキシャル法によるユウロピウム添加GaN赤色発光ダイオードの室温電流注入発光2009
- 著者名/発表者名
  西川敦
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議
- 発表場所
  名古屋大学(名古屋市)
- 年月日
  2009-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[学会発表] 有機金属気相エピタキシャル法によるEu添加GaNの作製と発光特性2009
- 著者名/発表者名
  西川敦
- 学会等名
  第70回応用物理学関係連合講演会多元系機能材料研究会・結晶工学分科会合同企画シンポジウム
- 発表場所
  富山大学(富山市)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19GS1209
[学会発表] Effect of Growth Temperature on Eu-Doped GaN Layers Grown by Organometallic Vapor Phase Epitaxy2009
- 著者名/発表者名
  T.Kawasaki, A.Nishikawa, N.Furukawa, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 学会等名
  8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS)
- 発表場所
  Jeju, Korea
- 年月日
  2009-10-22
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] Room-temperature electroluminescence properties of p-GaN/Eu-doped GaN/n-GaN light-emitting diodes2009
- 著者名/発表者名
  A.Nishikawa, T.Kawasaki, N.Furukawa, Y.Terai, Y.Fujiwara
- 学会等名
  3rd Workshop of Impurity Based Electroluminescent Devices and Materials
- 発表場所
  Tossa de Mar, Spain
- 年月日
  2009-10-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] p-GaN/Eu添加GaN/n-GaN発光ダイオードによる室温電流注入赤色発光2009
- 著者名/発表者名
  西川敦, 川崎隆志, 古川直樹, 寺井慶和, 藤原康文
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学、富山市
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] 有機金属気相エピタキシャル法によるEu添加GaNの作製と発光特性2009
- 著者名/発表者名
  西川敦、川崎隆志、古川直樹、寺井慶和、藤原康文
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会、多元系機能材料研究会・結晶工学分科会合同企画
- 発表場所
  富山大学(招待講演)
- 年月日
  2009-09-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007
[学会発表] 有機金属気相成長エピタキシャル法によるユウロピウム添加GaN赤色発光ダイオードの室温電流注入発光2009
- 著者名/発表者名
  西川敦
- 学会等名
  第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
- 発表場所
  名古屋大学(招待講演)
- 年月日
  2009-11-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21760007

1. 藤原康文 (10181421)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 14件
2. 寺井慶和 (90360049)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 13件
3. 小林康之 (90393727)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 牧本俊樹 (50374070)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 赤坂哲也 (90393735)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
6. 中野秀俊 (90393793)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
7. 後藤秀樹 (10393795)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
8. 俵毅彦 (40393798)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
9. 眞田治樹 (50417094)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
10. 市田秀樹 (50379129)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
11. 朝日一 (90192947)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
12. 長谷川繁彦 (50189528)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
13. 江村修一 (90127192)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
14. 周逸凱 (60346179)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
15. 太田仁 (70194173)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
16. 大久保晋 (80283901)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件

西川 敦 NISHIKAWA Atsushi

研究課題

研究成果

共同研究者

希土類添加半導体を用いたテラヘルツ波発生/検出素子の開発

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

GaNに添加されたEu原子の能動的局所構造制御による高効率赤色発光の実現研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

希土類添加による窒化物半導体赤色発光デバイスの作製と発光機構の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

希土類元素添加の精密制御による物性・機能性の開拓

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究機関

六方晶BN窒化物半導体に関する研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] Advanced materials design of rare-earth-doped semiconductors by organometallic vapor phase epitaxy (Chapter 21)2013

著者名/発表者名

出版者

データソース

[雑誌論文] Electroluminescence properties of Eu-doped GaN-based light-emitting diodes grown by organometallic vapor phase epitaxy2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Nature and excitation mechanism of the emission-dominating minority Eu-center in GaN grown by organometalic vapor-phase epitaxy2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Photoluminescence x-ray excitation spectra in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Eu luminescence center created by Mg codoping in Eu-doped GaN2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Site selective magneto-optical studies of Eu ions in gallium nitride2012

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Excitation of Eu3+ in gallium nitride epitaxial layers: Majority versus trap defect center2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] OMVPE法により作製したEu添加GaNの発光特性及び赤色発光ダイオードへの応用2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Room-temperature red emission from light-emitting diodes with Eu-doped GaN grown by organometallic vapour phase epitaxy2011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Site and sample dependent electron-phonon coupling of Eu ions in epitaxial-grown GaN layers2011

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Excitation of Eu3+ in gallium nitride epitaxial layers : Majority versus trap defect center2011

西川敦 NISHIKAWA Atsushi