遠藤聡 Endo Akira

研究者番号	60417110
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 東京理科大学, 先進工学部電子システム工学科, 客員教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2022年度 – 2024年度: 東京理科大学, 先進工学部電子システム工学科, 客員教授 2020年度 – 2021年度: 東京理科大学, 先進工学部電子システム工学科, 教授
審査区分/研究分野	研究代表者小区分21050:電気電子材料工学関連研究代表者以外小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
キーワード	研究代表者シミュレーション / 分子線エピタキシー法 / 量子井戸構造 / InAsSb / 量子ドット / 半導体 / VASP / バンド計算 / 遮断周波数 / バンド構造計算 … もっと見る / モンテカルロ計算 / 電子密度 / 電子移動度 / テラヘルツ帯 … もっと見る研究代表者以外 InGaSb / ナローギャップ半導体 / 遅延時間解析 / fmax / fT / 歪みバンドエンジニアリング / HEMT / GaInSb / 極限性能トランジスタ / テラヘルツ領域隠す

テラヘルツデバイスへ向けた歪みInAsSb量子ナノ構造の作製とその物性に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  遠藤聡
- 研究期間 (年度)
  2024 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  東京理科大学
テラヘルツ帯トランジスタのためのInAsSbチャネル量子井戸構造成長に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  遠藤聡
- 研究期間 (年度)
  2021 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  東京理科大学
InGaSbチャネルを用いたテラヘルツ領域極限性能トランジスタの研究
- 研究代表者
  
  藤代博記
- 研究期間 (年度)
  2020 – 2023
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
- 研究機関
  東京理科大学

すべて 2024 2023 2022 2021 2020

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] AlSb/GaSb バッファ層を用いたGaInSb HEMT 構造の低転位化2024
- 著者名/発表者名
  河野亮介，海老原怜央，吉田陸人，神内智揮，町田龍人，渡邊一世，山下良美，原紳介，笠松章史，遠藤聡，藤代博記
- 雑誌名
  
  国立研究開発法人情報通信研究機構2023年度先端ICTデバイスラボ成果報告書
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] 300 GHz 超fT, fmax ダブルドープ構造GaInSb HEMT2024
- 著者名/発表者名
  吉田陸人, 河野亮介, 海老原怜央, 神内智揮, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記
- 雑誌名
  
  第71回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] InSb/Ga0.22In0.78Sb複合チャネルHEMT構造の高電子移動度化2024
- 著者名/発表者名
  神内智揮，海老原怜央，吉田陸人，河野亮介，町田龍人，渡邊一世，山下良美，原紳介，笠松章史，遠藤聡，藤代博記
- 雑誌名
  
  国立研究開発法人情報通信研究機構2023年度先端ICTデバイスラボ成果報告書
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] GaInSb HEMT のバリア層薄膜化による真性遅延時間低減2024
- 著者名/発表者名
  吉田陸人, 河野亮介, 海老原怜央, 神内智揮, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記
- 雑誌名
  
  第71回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] Bowing of Energy Gap Curve for InAsSb Calculated Using VASP Based on Hybrid Density Functional Theory2024
- 著者名/発表者名
  H. I. Fujishiro and A. Endoh
- 雑誌名
  
  Activity Report / Supercomputer Center, Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo
  
  巻: 2023
- オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04158
[雑誌論文] GaInSb n-チャネル HEMT 構造におけるチャネル歪みの電子輸送特性への影響2023
- 著者名/発表者名
  藤代博記，遠藤聡，羽鳥小春，吉武優輔，吉田陸人，海老原怜央，町田龍人，渡邊一世，山下良美，原紳介，笠松章史
- 雑誌名
  
  国立研究開発法人情報通信研究機構2022年度先端ICTデバイスラボ成果報告書
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] Reduction of Defects in GaInSb HEMT Structure by Using AlSb/GaSb Buffer2023
- 著者名/発表者名
  R. Ebihara, G. Ogane, M. Hiraoka, T. Hayashi, M. Kunisawa, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Proc. Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023)
  
  巻: -
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] Effect of Strain in Channel on Electron Transport Properties of Ga1－xInxSb High Electron Mobility Transistor Structures with Strained-Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb Stepped Buffer2023
- 著者名/発表者名
  Akira Endoh, Koharu Hatori, Naoyuki Kishimoto, Mizuho Hiraoka, Yuta Kemmochi, Yuki Endoh, Koki Osawa, Takuya Hayashi, Ryuto Machida, Issei Watanabe, Yoshimi Yamashita, Shinsuke Har
- 雑誌名
  
  PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
  
  巻: 220 号: 8 ページ: 2200529-2200529
- DOI
  10.1002/pssa.202200529
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] Performance Comparison of Al0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMT with Undoped- and Doped-cap Layers to Improve RF Characteristics2023
- 著者名/発表者名
  R. Machida, N. Kishimoto, Y. Isomae, T. Hayashi, M. Kunisawa, A. Endoh, H. I. Fujishiro, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, I. Watanabe
- 雑誌名
  
  Proc. Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023)
  
  巻: -
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] ダブルTe ドープGaInSb HEMT構造の電気的特性2023
- 著者名/発表者名
  尾曽雅宗、羽鳥小春、海老原怜央、神内智揮、河野亮介、遠藤聡、藤代博記
- 雑誌名
  
  第70回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] InSb/Ga0.22In0.78Sb 複合チャネルHEMT構造の電気的特性2023
- 著者名/発表者名
  神内智揮，羽鳥小春，海老原怜央，尾曽雅宗，河野亮介，遠藤聡，藤代博記
- 雑誌名
  
  第70回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] アンドープキャップAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMTの特性2023
- 著者名/発表者名
  町田龍人、岸本尚之、礒前雄人、林拓也、國澤宗真、遠藤聡、藤代博記、山下良美、原紳介、笠松章史、渡邊一世
- 雑誌名
  
  第84回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] Effect of Strain in Channel on Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb HEMT Structures with Strained-Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb Stepped Buffer2022
- 著者名/発表者名
  K. Hatori, N. Kishimoto, M. Hiraoka, Y. Endoh, K. Osawa, T. Hayashi, Y. Kemmochi, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Proc. Compound Semiconductor Week 2022 (CSW2022)
  
  巻: - ページ: 67-67
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] エピタキシャル構造に対してスケーリングを施したGaInSbチャネルHEMT2022
- 著者名/発表者名
  藤代博記、遠藤　聡、礒前雄人、吉武優輔、國澤宗真、羽鳥小春、渡邊一世、山下良美、町田龍人、原　紳介、笠松章史
- 雑誌名
  
  国立研究開発法人情報通信研究機構2021年度先端ICTデバイスラボ成果報告書
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] Development of GaInSb n-Channel HEMTs Using Experiments and Simulations2022
- 著者名/発表者名
  A. Endoh, N. Kishimoto, Y. Isomae, T. Hayashi, M. Kunisawa, K. Sawamura, T. Kawasaki, Y. Satou, I. Watanabe, Y. Yamashita, R. Machida, S. Hara, A. Kasamatsu and H. I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Abstracts of 14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2022)
  
  巻: - ページ: 12-3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] Device Performances and Delay Time Analysis of GaInSb-Channel HEMTs Scaled to Epitaxial Structures2021
- 著者名/発表者名
  Y. Isomae, N. Kishimoto, T. Hayashi, M. Kunisawa, I. Watanabe, Y. Yamashita, R. Machida, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 雑誌名
  
  Proc. Compound Semiconductor Week 2021 (CSW2021)
  
  巻: -
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析2021
- 著者名/発表者名
  礒前雄人、岸本尚之、林　拓也、國澤宗真、渡邊一世、山下良美、町田龍人、原　紳介、笠松章史、遠藤　聡、藤代博記
- 雑誌名
  
  信学技報
  
  巻: 121 ページ: 44-47
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[雑誌論文] AlSb/GaSbバッファがGaInSb HEMTの電気的特性に与える影響2021
- 著者名/発表者名
  藤代博記、遠藤　聡、林　拓也、岸本尚之、國澤宗真、礒前雄人、渡邊一世、山下良美、町田龍人、原　紳介、笠松章史
- 雑誌名
  
  国立研究開発法人情報通信研究機構2020年度先端ICTデバイスラボ成果報告書
  
  巻: -
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] Enhanced electron mobility in InSb/Ga0.22In0.78Sb composite channel HEMT structure2024
- 著者名/発表者名
  T. Jinnai, T. Oba, W. Nakajima, R. Ebihara, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2024 (CSW2024)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] High fT and fmax of double δ-doped GaInSb channel HEMTs2024
- 著者名/発表者名
  R. Kouno, R. Yoshida, R. Ebihara, T. Jinnai, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2024 (CSW2024)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] GaInSb HEMT のバリア層薄膜化による真性遅延時間低減2024
- 著者名/発表者名
  吉田陸人, 河野亮介, 海老原怜央, 神内智揮, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] 300 GHz 超fT, fmax ダブルドープ構造GaInSb HEMT2024
- 著者名/発表者名
  吉田陸人, 河野亮介, 海老原怜央, 神内智揮, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記
- 学会等名
  第71回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] InSb/Ga0.22In0.78Sb 複合チャネルHEMT構造の電気的特性2023
- 著者名/発表者名
  神内智揮，羽鳥小春，海老原怜央，尾曽雅宗，河野亮介，遠藤聡，藤代博記
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] LT-InSbを用いたGaAs基板上InAsxSb1-x薄膜成長と評価2023
- 著者名/発表者名
  三田泰継、小関敬祐、桑原笑明、小野田悠人、遠藤聡、藤代博記
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-21K04158
[学会発表] Reduction of Defects in GaInSb HEMT Structure by Using AlSb/GaSb Buffer2023
- 著者名/発表者名
  R. Ebihara, G. Ogane, M. Hiraoka, T. Hayashi, M. Kunisawa, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] アンドープキャップAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMTの特性2023
- 著者名/発表者名
  町田龍人、岸本尚之、礒前雄人、林拓也、國澤宗真、遠藤聡、藤代博記、山下良美、原紳介、笠松章史、渡邊一世
- 学会等名
  第84回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] ダブルTe ドープGaInSb HEMT構造の電気的特性2023
- 著者名/発表者名
  尾曽雅宗、羽鳥小春、海老原怜央、神内智揮、河野亮介、遠藤聡、藤代博記
- 学会等名
  第70回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] Performance Comparison of Al0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMT with Undoped- and Doped-cap Layers to Improve RF Characteristics2023
- 著者名/発表者名
  R. Machida, N. Kishimoto, Y. Isomae, T. Hayashi, M. Kunisawa, A. Endoh, H. I. Fujishiro, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, I. Watanabe
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] Effect of Strain in Channel on Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb HEMT Structures with Strained-Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb Stepped Buffer2022
- 著者名/発表者名
  K. Hatori, N. Kishimoto, M. Hiraoka, Y. Endoh, K. Osawa, T. Hayashi, Y. Kemmochi, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2021 (CSW2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] Effect of Strain in Channel on Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb HEMT Structures with Strained-Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb Stepped Buffer2022
- 著者名/発表者名
  K. Hatori, N. Kishimoto, M. Hiraoka, Y. Endoh, K. Osawa, T. Hayashi, Y. Kemmochi, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2022 (CSW2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] Ｘ線回折極点図測定を用いたGaInSb HEMT構造中の双晶評価2022
- 著者名/発表者名
  海老原怜央、國澤宗真、羽鳥小春、吉田陸人、渡邊一世、町田龍人、山下良美、原　紳介、笠松章史、遠藤　聡、藤代博記
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] Development of GaInSb n-Channel HEMTs Using Experiments and Simulations2022
- 著者名/発表者名
  A. Endoh, N. Kishimoto, Y. Isomae, T. Hayashi, M. Kunisawa, K. Sawamura, T. Kawasaki, Y. Satou, I. Watanabe, Y. Yamashita, R. Machida, S. Hara, A. Kasamatsu and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2022)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] GaInSb HEMT構造の電気的特性への熱処理の影響2022
- 著者名/発表者名
  吉田陸人、國澤宗真、羽鳥小春、海老原怜央、渡邊一世、町田龍人、山下良美、原　紳介、笠松章史、遠藤　聡、藤代博記
- 学会等名
  第69回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] 歪超格子バッファを用いたGaInSb HEMTの電気的特性と膜厚の評価2021
- 著者名/発表者名
  國澤宗真、林　拓也、平岡瑞穂、大金剛毅、渡邊一世、山下良美、原　紳介、町田龍人、笠松章史、遠藤　聡、藤代博記
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] Device Performances and Delay Time Analysis of GaInSb-Channel HEMTs Scaled to Epitaxial Structures2021
- 著者名/発表者名
  Y. Isomae, N. Kishimoto, T. Hayashi, M. Kunisawa, I. Watanabe, Y. Yamashita, R. Machida, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro
- 学会等名
  Compound Semiconductor Week 2021 (CSW2021)
- 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析2021
- 著者名/発表者名
  礒前雄人、岸本尚之、林　拓也、國澤宗真、渡邊一世、山下良美、町田龍人、原　紳介、笠松章史、遠藤　聡、藤代博記
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会「ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム」
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析2021
- 著者名/発表者名
  岸本尚之、礒前雄人、林　拓也、國澤宗真、渡邊一世、山下良美、町田龍人、原　紳介、笠松章史、遠藤　聡、藤代博記
- 学会等名
  第68回応用物理学会春季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211
[学会発表] AlSb/GaSbバッファがGaInSb HEMTの電気的特性に与える影響2020
- 著者名/発表者名
  林　拓也、平岡瑞穂、大金剛毅、國澤宗真、岸本尚之、渡邊一世、山下良美、原　紳介、町田龍人、笠松章史、遠藤　聡、藤代博記
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20H02211

1. 藤代博記 (60339132)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 37件
2. 渡邊一世 (20450687)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 32件
3. 町田龍人 (50806560)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 32件

遠藤 聡 Endo Akira

研究課題

研究成果

共同研究者

テラヘルツデバイスへ向けた歪みInAsSb量子ナノ構造の作製とその物性に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

テラヘルツ帯トランジスタのためのInAsSbチャネル量子井戸構造成長に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

InGaSbチャネルを用いたテラヘルツ領域極限性能トランジスタの研究

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

[雑誌論文] AlSb/GaSb バッファ層を用いたGaInSb HEMT 構造の低転位化2024

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] 300 GHz 超fT, fmax ダブルドープ構造GaInSb HEMT2024

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] InSb/Ga0.22In0.78Sb複合チャネルHEMT構造の高電子移動度化2024

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] GaInSb HEMT のバリア層薄膜化による真性遅延時間低減2024

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Bowing of Energy Gap Curve for InAsSb Calculated Using VASP Based on Hybrid Density Functional Theory2024

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] GaInSb n-チャネル HEMT 構造におけるチャネル歪みの電子輸送特性への影響2023

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Reduction of Defects in GaInSb HEMT Structure by Using AlSb/GaSb Buffer2023

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Effect of Strain in Channel on Electron Transport Properties of Ga1－xInxSb High Electron Mobility Transistor Structures with Strained-Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb Stepped Buffer2023

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Performance Comparison of Al0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMT with Undoped- and Doped-cap Layers to Improve RF Characteristics2023

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] ダブルTe ドープGaInSb HEMT構造の電気的特性2023

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] InSb/Ga0.22In0.78Sb 複合チャネルHEMT構造の電気的特性2023

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] アンドープキャップAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMTの特性2023

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Effect of Strain in Channel on Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb HEMT Structures with Strained-Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb Stepped Buffer2022

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] エピタキシャル構造に対してスケーリングを施したGaInSbチャネルHEMT2022

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Development of GaInSb n-Channel HEMTs Using Experiments and Simulations2022

遠藤聡 Endo Akira