木下健太郎 Kinoshita Kentaro

研究者番号	60418118
その他のID
所属 (現在)	2025年度: 東京理科大学, 先進工学部物理工学科, 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2023年度 – 2024年度: 東京理科大学, 先進工学部物理工学科, 教授 2022年度: 東京理科大学, 理学部第一部応用物理学科, 教授 2019年度 – 2021年度: 東京理科大学, 理学部第一部応用物理学科, 准教授 2017年度: 東京理科大学, 理学部第一部応用物理学科, 准教授 2012年度 – 2016年度: 鳥取大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 2012年度: 鳥取大学, 大学院・工学研究科, 准教授 2011年度: 鳥取大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教
審査区分/研究分野	研究代表者電子デバイス・電子機器 / 小区分21050:電気電子材料工学関連研究代表者以外小区分28010:ナノ構造化学関連
キーワード	研究代表者抵抗変化メモリ / 水素 / ペロブスカイト酸化物 / ReRAM / 金属酸化物薄膜 / セレクタ / 素励起 / ショットキー接合 / 光 / セレクター … もっと見る / 学習 / 金属酸化物 / 物理リザバー / 学習デバイス / 欠陥 / データ保持 / 動作電圧 / ナノ多孔体 / 金属イオン含有イオン液体 / 溶媒添加効果 / 溶媒 / 多結晶薄膜 / 導電性ブリッジメモリ / 金属イオン / 溶媒和イオン液体 / イオン液体 / 溶媒添加 / 細孔 / CBRAM / メモリ素子の高機能化 / 次世代メモリの研究開発 / XAFS / 触媒 / 国際情報交流 / メカニズム / Pt / 抵抗変化 / 銅酸化物超伝導体 / 単結晶 / 抵抗変化メモリ (ReRAM) … もっと見る研究代表者以外 NMR / 構造解析 / MOF / ナノ細孔 / イオン液体 / 金属有機構造体隠す

金属有機構造体のナノ細孔に閉じ込められたイオン液体の構造とダイナミクス
- 研究代表者
  
  糸井充穂
- 研究期間 (年度)
  2023 – 2026
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 審査区分
  
  小区分28010:ナノ構造化学関連
- 研究機関
  東京都市大学
抵抗変化メモリの超高感度センサー応用 -金属酸化物における新規励起過程の探索-研究代表者
- 研究代表者
  
  木下健太郎
- 研究期間 (年度)
  2019 – 2022
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 審査区分
  
  小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
  東京理科大学
導電性ブリッジメモリにおける素子設計手法としての「細孔エンジニアリング」の提案研究代表者
- 研究代表者
  
  木下健太郎
- 研究期間 (年度)
  2015 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  東京理科大学
   鳥取大学
水素イオンの移動により誘起される新規抵抗メモリ効果の機構解明と性能の見極め研究代表者
- 研究代表者
  
  木下健太郎
- 研究期間 (年度)
  2013 – 2014
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  鳥取大学
原子間力顕微鏡を用いた酸化物ReRAMにおける抵抗変化機構の解明研究代表者
- 研究代表者
  
  木下健太郎
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2012
- 研究種目
  
  若手研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  鳥取大学

[図書] 「応用物理」学会誌第85巻第2号2016
- 著者名/発表者名
  木下健太郎
- 総ページ数
  5
- 出版者
  応用物理学会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06017
[雑誌論文] Controlling filament growth mode in resistive random-access memory based on thermal flow2021
- 著者名/発表者名
  Yuta Sasaki and Kentaro Kinoshita
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics
  
  巻: 60 号: SB ページ: SBBB01-SBBB01
- DOI
  10.35848/1347-4065/abd9d3
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04476
[雑誌論文] Oxide-based selector with trap-filling controlled threshold switching2020
- 著者名/発表者名
  Shuhei Saitoh, and Kentaro Kinoshita
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 116 号: 11 ページ: 112101-112101
- DOI
  10.1063/1.5143631
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04476
[雑誌論文] Improvement of Switching Endurance of Conducting-Bridge Random Access Memory by Addition of Metal Ion-Containing Ionic Liquid2017
- 著者名/発表者名
  Kentaro Kinoshita, Atsushi Sakaguchi, Akinori Harada, Hiroki Yamaoka, Satoru Kishida, Yukinobu Fukaya, Toshiki Nokami, Toshiyuki Itoh
- 雑誌名
  
  Jpn. J. Appl. Phys.
  
  巻: 56 号: 4S ページ: 04CE13-04CE13
- DOI
  10.7567/jjap.56.04ce13
- NAID
  210000147592
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06017, KAKENHI-PROJECT-26241030
[雑誌論文] Significantly Improved Performance of a Conducting-bridge Random Access Memory (CB-RAM) Device Using Copper-containing Glyme Salt,2017
- 著者名/発表者名
  Yamaoka, H.; Yamashita, T.; Harada, A.; Sakaguchi, A.; Kinoshita, K.; Kishida, S.; Hayase, S.; Nokami, T.; Itoh, T.
- 雑誌名
  
  Chem. Lett.
  
  巻: 46 号: 12 ページ: 1832-1835
- DOI
  10.1246/cl.170854
- NAID
  130006243157
- 査読あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26241030, KAKENHI-PROJECT-15K06017
[雑誌論文] ナノ多孔体の導入による超微細高性能メモリの実現2017
- 著者名/発表者名
  木下健太郎
- 雑誌名
  
  ゼオライト
  
  巻: 34 号: 1 ページ: 10-18
- DOI
  10.20731/zeoraito.34.1.10
- NAID
  40021079224
- ISSN
  0918-7774
- 年月日
  2017-01-31
- 言語
  日本語
- 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06017
[雑誌論文] Influence of ultraviolet irradiation on data retention characteristics in resistive random access memory2016
- 著者名/発表者名
  Kouhei Kimura, Kouotoku Ohmi, Satoru Kishida, and Kentaro Kinoshita
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: 108 号: 12
- DOI
  10.1063/1.4944413
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06017
[雑誌論文] Improved Performance of a Conducting-Bridge Random Access Memory using Ionic Liquids2016
- 著者名/発表者名
  Harada, A.; Yamaoka, H.; Tojo, S.; Watanabe, K.; Sakaguchi, A.; Kinoshita, K.; Kishida, S.; Fukaya, Y.; Matsumoto, K.; Hagiwara,R.; Sakaguchi, H.; Nokami, T.; Itoh, T.
- 雑誌名
  
  Journal of Materials Chemistry
  
  巻: 4 号: 30 ページ: 7215-7222
- DOI
  10.1039/c6tc01486k
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PLANNED-15H05844, KAKENHI-PROJECT-26241030, KAKENHI-PROJECT-15K06017, KAKENHI-PROJECT-16K05845
[雑誌論文] Enhanced stability of the HfO2 electrolyte and reduced working voltage of a CB-RAM by an ionic liquid2015
- 著者名/発表者名
  A. Harada, H. Yamaoka, R. Ogata, K. Watanabe, K. Kinoshita, S. Kishida, T. Nokami and T. Itoh
- 雑誌名
  
  Journal of Materials Chemistry C
  
  巻: 3 号: 27 ページ: 6966-6969
- DOI
  10.1039/c5tc01127b
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06017, KAKENHI-PROJECT-26241030
[雑誌論文] Improving Memory Performance of Cu/HfO2/Pt Conducting-Bridge RAM by Solvent Substitution2015
- 著者名/発表者名
  K. Kinoshita
- 雑誌名
  
  ECS Transactions
  
  巻: 69 ページ: 11-17
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06017
[雑誌論文] Copper Ion Containing Ionic Liquids Provides Improved Endurance and Switching Voltage Distributions of Conducting-Bridge Random Access Memory2015
- 著者名/発表者名
  Akinori Harada, Hiroki Yamaoka, Kouhei Watanabe, Kentaro Kinoshita, Satoru Kishida, Yukinobu Fukaya, Toshiki Nokami, Toshiyuki Itoh
- 雑誌名
  
  Chemistry Letter
  
  巻: 44 号: 11 ページ: 1578-1580
- DOI
  10.1246/cl.150773
- NAID
  130005108105
- 査読あり / 謝辞記載あり / オープンアクセス
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06017, KAKENHI-PLANNED-15H05844, KAKENHI-PROJECT-26241030, KAKENHI-PROJECT-25410115
[雑誌論文] Analysis of memory effect induced by hydrogen annealing2014
- 著者名/発表者名
  Akihiro HANADA, Hiroki MIURA, Takeshi NOTSU, Satoru KISHIDA and Kentaro KINOSHITA
- 雑誌名
  
  JPS conference proceedings
  
  巻: 1 ページ: 12089-12093
- DOI
  10.7566/jpscp.1.012089
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820143
[雑誌論文] ペロブスカイト酸化物への水素イオン導入によって誘起される抵抗スイッチング効果の発現機構2014
- 著者名/発表者名
  花田明紘, 三浦寛基, 野津武志, 大沢仁志, 伊奈稔哲, 鈴木基寛, 河村直己, 水牧仁一郎, 宇留賀朋哉, 木村滋, 岸田悟, 木下健太郎
- 雑誌名
  
  表面科学
  
  巻: 35 ページ: 356-360
- NAID
  130005473077
- 査読あり / 謝辞記載あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820143
[雑誌論文] Resistive switching by migration of hydrogen ions2012
- 著者名/発表者名
  A. Hanada, K. Kinoshita and S. Kishida
- 雑誌名
  
  Appl. Phys. Lett.
  
  巻: vol. 101 号: 4 ページ: 043507-043507
- DOI
  10.1063/1.4737897
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760313
[雑誌論文] Developmental Mechanism for the Memory Effect in Perovskite Oxide-Based ReRAM Consisting of Bi2Sr2CaCu2O8+δ Bulk Single Crystal2012
- 著者名/発表者名
  Akihiro Hanada
- 雑誌名
  
  Procedia Engineering
  
  巻: 36 ページ: 411-418
- DOI
  10.1016/j.proeng.2012.03.060
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760313
[雑誌論文] High-Speed and Multi-Bit Resistive Switching Brought about by Migration of Hydrogen Ions in Resistive Random Access Memory Consisting of Bi2Sr2CaCu2O8+δSingle Crystal2012
- 著者名/発表者名
  A. Hanada, K. Kinoshita, K. Matsubara,and S. Kishida
- 雑誌名
  
  Proceedings of IEEE International Memory Workshop 2012
  
  ページ: 198-201
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760313
[雑誌論文] Developmental Mechanism for the Resistance Change Effect in Perovskite Oxide-Based Resistive Random Access Memory Consisting of Bi2Sr2CaCu2O8+d Bulk Single Crystal2011
- 著者名/発表者名
  A. Hanada, K. Kinoshita, K. Matsubara, T. Fukuhara, and S. Kishida
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: 110
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760313
[雑誌論文] 銅酸化物高温超伝導体単結晶を用いた抵抗変化メモリのスイッチングメカニズム2011
- 著者名/発表者名
  花田明紘, 木下健太郎, 松原勝彦, 福原貴博, 岸田悟
- 雑誌名
  
  表面科学
  
  巻: 32巻ページ: 428-431
- NAID
  10029410977
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760313
[雑誌論文] Developmental Mechanism for the Resistance Change Effect in Perovskite Oxide-Based ResistiveRandom Access Memory Consisting of Bi2Sr2CaCu2O8+δ Bulk Single Crystal2011
- 著者名/発表者名
  A. Hanada, K. Kinoshita, K. Matsubara, T. Fukuhara, and S. Kishida
- 雑誌名
  
  J. Appl. Phys.
  
  巻: vol. 110 ページ: 84506-84506
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760313
[産業財産権] 不揮発性半導体記憶装置および同装置の製造方法2012
- 発明者名
  木下健太郎, 岸田悟, 花田明紘, 松原勝彦
- 権利者名
  鳥取大学
- 産業財産権番号
  2012-046162
- 出願年月日
  2012-03-02
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760313
[産業財産権] 不揮発性半導体記憶装置および同装置の製造方法2011
- 発明者名
  木下健太郎, 岸田悟, 花田明紘, 松原勝彦, 福原貴博
- 産業財産権番号
  2011-084216
- 出願年月日
  2011-04-06
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760313
[学会発表] 電極/Nb-dopedSrTiO3界面の光誘起電流を利用したリザバーコンピューティング2023
- 著者名/発表者名
  山崎悠太郎・甲斐洋行・木下健太郎
- 学会等名
  電子情報通信学会総合大会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04476
[学会発表] ITO/Nb:SrTiO3接合における光誘起電流特性を利用したニューロモルフィックコンピューティング～リザバーコンピューティング応用に向けて～2022
- 著者名/発表者名
  山﨑悠太郎, 甲斐洋行, 木下健太郎
- 学会等名
  電子情報通信学会電子デバイス研究会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04476
[学会発表] Electrode/Nb‐doped SrTiO3 junction as a physical reservoir device2021
- 著者名/発表者名
  Kentaro Kinoshita
- 学会等名
  MEMRISYS 2021
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04476
[学会発表] ペロブスカイト型酸化物抵抗変化メモリの光応答特性評価及び人工シナプスデバイス応用の検討2021
- 著者名/発表者名
  山﨑悠太郎, 橋本悠太, 青木裕雅, 木下健太郎
- 学会等名
  第82回応用物理学会秋季学術講演会10p-S203-4
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04476
[学会発表] 熱流設計に基づく抵抗変化メモリ(ReRAM)のフィラメントデザイン2021
- 著者名/発表者名
  佐々木悠太, 木下健太郎
- 学会等名
  第81回応用物理学会秋季学術講演会 11p-Z07-1
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04476
[学会発表] 金属酸化物における抵抗スイッチング現象とデバイス応用2020
- 著者名/発表者名
  木下健太郎
- 学会等名
  第67回応用物理学会春季学術講演会
- 招待講演
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04476
[学会発表] CoO/ITO二層構造で発現するノンポーラ閾値セレクタ特性2019
- 著者名/発表者名
  齋藤修平、木下健太郎
- 学会等名
  第80回応用物理学会秋季学術講演会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19K04476
[学会発表] イオン液体で実現する高性能抵抗可変型メモリ(CB-RAM)2018
- 著者名/発表者名
  伊藤敏幸, 野上敏材, 早瀬修一, 木下健太郎
- 学会等名
  日本化学会第98春季年会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06017
[学会発表] Cu含有PEGイオン液体による抵抗可変型メモリの機能向上2017
- 著者名/発表者名
  山下拓哉, 山岡弘貴, 原田晃典, 阪口敦, 木下健太郎, 岸田悟, 早瀬修一, 野上敏材, 伊藤敏幸
- 学会等名
  第44回有機典型元素化学討論会
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06017
[学会発表] CB-RAM用イオン液体の開発2017
- 著者名/発表者名
  山岡弘貴、阪口敦、山下拓哉、木下健太郎、岸田悟、伊藤敏幸
- 学会等名
  日本化学会第97春季年会講演番号3E4-46
- 発表場所
  神奈川県横浜市慶應義塾大学日吉キャンパス
- 年月日
  2017-03-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06017
[学会発表] 導電性ブリッジメモリにおける金属イオン添加イオン液体供給の影響2016
- 著者名/発表者名
  阪口敦, 山岡弘貴, 伊藤敏幸, 岸田悟, 木下健太郎
- 学会等名
  第77回応用物理学会秋季学術講演会講演番号13a-A31-11
- 発表場所
  新潟県新潟市朱鷺メッセ
- 年月日
  2016-09-13
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06017
[学会発表] イオン液体添加による導電性ブリッジメモリの性能と信頼性の向上2015
- 著者名/発表者名
  阪口敦，渡邉浩平，原田晃典, 山岡弘貴, 伊藤敏幸, 岸田悟, 木下健太郎
- 学会等名
  2015年真空・表面科学合同講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場, つくば, 日本
- 年月日
  2015-11-30
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06017
[学会発表] Improving Memory Performance of Cu/HfO2/Pt Conducting-Bridge RAM by Solvent Substitution2015
- 著者名/発表者名
  Kentaro Kinoshita
- 学会等名
  The 228th ECS meeting
- 発表場所
  Phoenix Convention Center, Phoenix, Arizona, USA
- 年月日
  2015-10-11
- 招待講演 / 国際共著/国際学会である
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-15K06017
[学会発表] 放射光を用いた水素イオン移動型ReRAMの界面状態の観察2014
- 著者名/発表者名
  野津武志，花田明紘，三浦寛基，岸田悟，大沢仁志，伊奈稔哲，鈴木基寛，河村直己，水牧仁一郎，宇留賀朋哉，今井康彦，木村滋，木下健太郎
- 学会等名
  2014年第61回応用物理学会春季学術講演会
- 発表場所
  青山学院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820143
[学会発表] Analysis of memory effect induced by hydrogen annealing2013
- 著者名/発表者名
  A. Hanada, K. Kinoshita, H. Miura, T. Notsu, S. Kishida
- 学会等名
  The 12th Asia Pacific Physics Conference (APPC)
- 発表場所
  Makuhari Messe
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760313
[学会発表] Analysis of Resistive Switching Effect Induced by Hydrogen Annealing2013
- 著者名/発表者名
  Akihiro Hanada , Kentaro Kinoshita, Hiroki Miura, Takeshi Notsu and Satoru Kishida;
- 学会等名
  2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会 JSAP-MRS Joint Symposia
- 発表場所
  同志社大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820143
[学会発表] ペロブスカイト酸化物への水素イオン導入によって誘起される抵抗スイッチング効果の発現機構2013
- 著者名/発表者名
  花田明紘, 三浦寛基, 野津武志, 大沢仁志, 伊奈稔哲, 鈴木基寛, 河村直己, 水牧仁一郎, 宇留賀朋哉, 木村滋, 岸田悟, 木下健太郎
- 学会等名
  第33回　表面科学学術講演会
- 発表場所
  つくば国際会議場
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820143
[学会発表] 抵抗変化メモリ(ReRAM)のスイッチング機構と動作特性の制御2012
- 著者名/発表者名
  木下健太郎, 岸田悟
- 学会等名
  ReRAMワークショップ
- 発表場所
  茨城, 物質・材料研究機構(招待講演)
- 年月日
  2012-03-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760313
[学会発表] ペロブスカイト型抵抗変化メモリのスイッチング機構 -機構解明に向けた放射光利用の可能性-2012
- 著者名/発表者名
  木下健太郎
- 学会等名
  放射光による時分割計測の新展開
- 発表場所
  東京 KFC Hall 2nd (国際ファッションセンター)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760313
[学会発表] 抵抗変化メモリ, 新原理FET, 原子スイッチ技術の最新動向2012
- 著者名/発表者名
  木下健太郎
- 学会等名
  酸化物エレクトロニクススクール
- 発表場所
  産業技術総合研究所
- 年月日
  2012-10-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760313
[学会発表] 抵抗変化メモリ(ReRAM)のスイッチング機構と動作特性の制御2012
- 著者名/発表者名
  木下健太郎, 岸田悟
- 学会等名
  ReRAMワークショップ(招待講演)
- 発表場所
  茨城, 物質・材料研究機構
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760313
[学会発表] ペロブスカイト型抵抗変化メモリのスイッチング機構 -機構解明に向けた放射光利用の可能性-2012
- 著者名/発表者名
  木下健太郎
- 学会等名
  平成23年度GIGNO研究領域創成支援プロジェクト研究会高繰り返しシングルバンチ切り出しチョッパーが拓く科学　－放射光による時分割計測の新展開－(招待講演)
- 発表場所
  東京, KFC Hall 2nd (国際ファッションセンター)
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760313
[学会発表] 水素イオン移動型ReRAMの抵抗変化特性2012
- 著者名/発表者名
  三浦寛基, 木下健太郎, 花田明紘, 野津武志, 岸田悟
- 学会等名
  2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760313
[学会発表] ペロブスカイト酸化物系ReRAMのスイッチングメカニズム2011
- 著者名/発表者名
  花田明紘, 木下健太郎, 松原勝彦, 岸田悟
- 学会等名
  電子情報通信学会・集積回路研究会(ICD)
- 発表場所
  兵庫, 神戸大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760313
[学会発表] Micro-Fabrication Method of Josephson Junctions without Etching Process2011
- 著者名/発表者名
  A. Hanada,K. KinoshitaBi, K. Matsubara, and S. Kishida
- 学会等名
  IUMRS-ICA 2011
- 発表場所
  Taipei, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760313
[学会発表] Developmental Mechanism for the Memory Effect in Perovskite Oxide-Based ReRAM Consisting of2Sr2CaCu2O8+δBulk Single Crystal2011
- 著者名/発表者名
  A. Hanada,K. KinoshitaBi, K. Matsubara, and S. Kishida
- 学会等名
  IUMRS-ICA 2011
- 発表場所
  Taipei, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760313
[学会発表] ペロブスカイト酸化物系ReRAMのスイッチングメカニズム2011
- 著者名/発表者名
  松原勝彦, 木下健太郎, 花田明紘, 岸田悟
- 学会等名
  2011年中国四国地方応用物理学会
- 発表場所
  鳥取, 鳥取大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760313
[学会発表] ペロブスカイト酸化物系ReRAM における抵抗変化の発現機構2011
- 著者名/発表者名
  花田明紘, 木下健太郎, 松原勝彦, 岸田悟
- 学会等名
  第72回2011年秋季応用物理学会学術講演会, 31p-ZK-14
- 発表場所
  山形, 山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760313
[学会発表] ペロブスカイト酸化物系ReRAM における抵抗変化の発現機構2011
- 著者名/発表者名
  花田明紘, 木下健太郎 , 松原勝彦, 岸田悟
- 学会等名
  第72回2011年秋季応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形, 山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760313
[学会発表] 銅酸化物超伝導体単結晶をプローブとしたペロブスカイト型ReRAM抵抗スイッチングの解明2011
- 著者名/発表者名
  松原勝彦,木下健太郎,花田明紘, 岸田悟
- 学会等名
  2011年第52回真空に関する連合講演
- 発表場所
  東京, 学習院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760313
[学会発表] 銅酸化物超伝導体単結晶をプローブとしたペロブスカイト型ReRAM抵抗スイッチングの解明2011
- 著者名/発表者名
  松原勝彦, 木下健太郎, 花田明紘, 岸田悟
- 学会等名
  2011年第52回真空に関する連合講演会，18Ba-2
- 発表場所
  東京, 学習院大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760313
[学会発表] Developmental Mechanism for the Memory Effect in Perovskite Oxide-Based ReRAM Consisting of Bi2Sr2CaCu2O8+δ Bulk Single Crystal2011
- 著者名/発表者名
  A. Hanada, K. Kinoshita, K. Matsubara, and S. Kishida
- 学会等名
  IUMRS-ICA 2011
- 発表場所
  Taipei, Taiwan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23760313
[学会発表] Pt/ペロブスカイト酸化物構造の水素吸蔵材料としての検討
- 著者名/発表者名
  塩見俊樹, 野津武志, 岸田悟, 木下健太郎
- 学会等名
  第55回真空に関する連合講演会, 講演番号18p-33V
- 発表場所
  大阪府立大学[I-siteなんば]
- 年月日
  2014-11-18 – 2014-11-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-25820143

1. 伊藤敏幸 (50193503)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 10件
2. 糸井充穂 (40422448)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
3. 開康一 (00306523)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
4. 上床美也 (40213524)

共同の研究課題数: 1件

共同の研究成果数: 0件
5. 野上敏材

共同の研究課題数: 0件

共同の研究成果数: 1件

木下 健太郎 Kinoshita Kentaro

研究課題

研究成果

共同研究者

金属有機構造体のナノ細孔に閉じ込められたイオン液体の構造とダイナミクス

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

抵抗変化メモリの超高感度センサー応用 -金属酸化物における新規励起過程の探索-研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

審査区分

研究機関

導電性ブリッジメモリにおける素子設計手法としての「細孔エンジニアリング」の提案研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

水素イオンの移動により誘起される新規抵抗メモリ効果の機構解明と性能の見極め研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

原子間力顕微鏡を用いた酸化物ReRAMにおける抵抗変化機構の解明研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[図書] 「応用物理」学会誌第85巻第2号2016

著者名/発表者名

総ページ数

出版者

データソース

[雑誌論文] Controlling filament growth mode in resistive random-access memory based on thermal flow2021

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Oxide-based selector with trap-filling controlled threshold switching2020

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Improvement of Switching Endurance of Conducting-Bridge Random Access Memory by Addition of Metal Ion-Containing Ionic Liquid2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] Significantly Improved Performance of a Conducting-bridge Random Access Memory (CB-RAM) Device Using Copper-containing Glyme Salt,2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

データソース

[雑誌論文] ナノ多孔体の導入による超微細高性能メモリの実現2017

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

NAID

ISSN

年月日

言語

データソース

[雑誌論文] Influence of ultraviolet irradiation on data retention characteristics in resistive random access memory2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Improved Performance of a Conducting-Bridge Random Access Memory using Ionic Liquids2016

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

木下健太郎 Kinoshita Kentaro

[学会発表] ITO/Nb:SrTiO3接合における光誘起電流特性を利用したニューロモルフィックコンピューティング～リザバーコンピューティング応用に向けて～2022