程うぇい涛 CHENG Weitao

… 別表記

程い涛テイイトウ

程〓涛テイイトウ

研究者番号	60431540
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2008年度: 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 助教授 2007年度 – 2008年度: 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 助教
審査区分/研究分野	研究代表者電力工学・電気機器工学
キーワード	研究代表者平坦化 / コーナー丸め効果 / 3次元構造 / 電界効果ドリフト層 / パワーデバイス

研究課題
(1件)
研究成果
(38件)

超高速低損失電界効果ドリフト層を有する新しい3次元パワーデバイス構造に関する研究研究代表者
- 研究代表者
  
  程うぇい涛 (程〓涛 / 程い涛)
- 研究期間 (年度)
  2007 – 2008
- 研究種目
  
  若手研究(A)
- 研究分野
  
  電力工学・電気機器工学
- 研究機関
  東北大学

すべて 2009 2008 2007

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] A Study on Very High Performance Novel Balanced Fully Depleted Silicon-on-Insulator Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors on Si(110) Using Accumulation-Mode Device Structure for Radio-Frequency Analog Circuits2009
- 著者名/発表者名
  Weitao Cheng, Akinobu Teramoto, ChingFoa Tye, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics Vol. 48
- NAID
  210000066558
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[雑誌論文] Different mechanism to explain the 1/f noise in n-and p-SOI-MOS transistors fabricated on (110) and (100) silicon-oriented wafers2009
- 著者名/発表者名
  Philippe Gaubert, Akinobu Teramoto, Weitao Cheng, Tatsufumi Hamada, Tadahiro Ohmi
- 雑誌名
  
  Journal of Vacuum Science & Technology B Vol.27, No.1
  
  ページ: 394-401
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[雑誌論文] Experimental Demonstration and Analysis of High Performance and Low 1/f Noise Tri-gate MOSFETs by Optimizing Device Structure2009
- 著者名/発表者名
  Weitao Cheng, Akinobu Teramoto, Tadahiro Ohmi
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering (to be published on June 2009)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[雑誌論文] Experimental Demonstration and Analysis of High Performance and Low 1 / f Noise Tri-gate MOSFETs by Optimizing Device Structure2009
- 著者名/発表者名
  Weitao Cheng
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 6(印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[雑誌論文] Impact of New Approach to Improve MOSFETs Performance with Ultrathin Gate Insulator2009
- 著者名/発表者名
  Weitao Cheng
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Transactions 5(印刷中)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[雑誌論文] A Study on Very High Performance Novel Balanced FD-SOI CMOSFETs on Si (110) Using Accumulation Mode Device Structure for RF Analon Circuits2009
- 著者名/発表者名
  Weitao Cheng
- 雑誌名
  
  Japanese Journal of Applied Physics 4
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[雑誌論文] Impact of New Approach to Improve MOSFETs Performance with Ultrathin Gate Insulator2009
- 著者名/発表者名
  WEITAO CHENG, AKINOBU TERAMOTO, TADAHIRO OHMI
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Transactions (to be published on May 2009)
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[雑誌論文] Performance Boost Using a New Device Structure Design for SOI MOSFETs Beyond 25nm Node2007
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Transactions Vol.11 No.6 ULSI Process Integration 5
  
  ページ: 349-354
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[雑誌論文] High Performance and highly reliable novel CMOS devices using accumulation mode multi-gate and fully depleted SOI MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  Weitao Cheng
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering 84
  
  ページ: 2105-2108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[雑誌論文] Performance Boost Using a New Device Structure Design for SOI MOSFETs Beyond 25nm Node2007
- 著者名/発表者名
  Weitao Cheng
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Transactions 11
  
  ページ: 349-354
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[雑誌論文] Hot Carrier Instability Mechanism in Accumulation-Mode Normally-off SOI nMOSFETs and Their Reliability Advantage2007
- 著者名/発表者名
  R. Kuroda, A. Teramoto, W. Cheng, S. Sugawa, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions Vol.6 No.4 Silicon-on-Insulator Technology and Devices 13
  
  ページ: 113-118
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[雑誌論文] High Performance and highly reliable novel CMOS devices using accumulation mode multi-gate and fully depleted SOI MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, R. Kuroda, M. Hirayama, T.Ohmi
- 雑誌名
  
  Microelectronic Engineering Vol.84/9-10
  
  ページ: 2105-2108
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[雑誌論文] Impact of Improved Mobilities and Suppressed 1/f Noise in Fully Depleted SOI MOSFETs Fabricated on Si(110) Surface2007
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, C. Tye, P. Gaubert, M. Hirayama, S. Sugawa, T. Ohmi
- 雑誌名
  
  ECS Transactions Vol.6 No.4 Silicon-on-Insulator Technology and Devices 13
  
  ページ: 101-106
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[雑誌論文] Impact of Improved Mobilities and Suppressed 1/f Noise in Fully Depleted SOI MOSFETs Fabricated on Si (110) Surface2007
- 著者名/発表者名
  Weitao Cheng
- 雑誌名
  
  Electrochemical Society Transactions 6
  
  ページ: 101-106
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[学会発表] Improved High Temperature Characteristics in Accumulation-mode Fully Depleted SOI MOSFETs on Si(100) and (110) Surfaces2008
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto and T. Ohmi
- 学会等名
  PACIFIC RIM MEETING ON ELECTROCHEMICAL AND SOLID-STATE SCIENCE (PRiME2008)The Electrochemical Society, Meeting Abstracts,Abs.1868 CD-ROM
- 発表場所
  Honolulu, Hawaii
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[学会発表] Improved High Temperature Characteristics in Accumulation-mode Fully Depleted SOI MOSFETs on Si (100) and (110) Surfaces2008
- 著者名/発表者名
  Weitao Cheng
- 学会等名
  PACIFIC RIM MEETING ON ELECTROCHEMICAL AND SOLID-STATE SCIENCE
- 発表場所
  Honolulu, USA
- 年月日
  2008-10-14
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[学会発表] A New Approach to Realize High Performance RF Power FETs on Si (110) Surface2008
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, T. Ohmi
- 学会等名
  2008 IEEE 39th Annual Power Electronics Specialists Conference, pp.3854-3856
- 発表場所
  Rhodes
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[学会発表] Impact of New Approach to Improve RF Power FETs Performance on Si (110) Surface2008
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, T. Ohmi
- 学会等名
  213th Meeting of The Electrochemical Society, No.659, CD-ROM
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[学会発表] Impact of Fully Depleted Silicon-On-Insulator Accumulation-mode CMOS on Si (110)2008
- 著者名/発表者名
  Ching Foa Tye, Weitao Cheng, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi
- 学会等名
  IEICE Technical Report SDM 2008-149~168, SDM-164, pp.51-55
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[学会発表] Impact of New Approach to Improve RF Power FETs Performance on Si (110) Surface2008
- 著者名/発表者名
  Weitao Cheng
- 学会等名
  213th Meeting of The Electrochemical Societ Y
- 発表場所
  Phoenix, USA
- 年月日
  2008-05-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[学会発表] A Study on Very High Performance Novel Balanced FD-SOI CMOSFETs on Si(110) Using Accumulation Mode Device Structure for RF Analog Circuits2008
- 著者名/発表者名
  Weitao Cheng, Akinobu Teramoto, ChingFoa Tye, Rihito Kuroda, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi
- 学会等名
  Extended Abstracts of the 2008 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, pp.876-877
- 発表場所
  Tsukuba
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[学会発表] Characterization of MOSFETs Intrinsic Performance using In-Wafer Advanced Kelvin-Contact Device Structure for High Performance CMOS LSIs2008
- 著者名/発表者名
  Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Takanori Komuro, Weitao Cheng, Syunichi Watabe, Ching Foa Tye, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi
- 学会等名
  2008 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures, pp.155-159
- 発表場所
  Edinburgh
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[学会発表] Different mechanism to explain the 1/f noise in n-and p-SOI-MOS transistors fabricated on (110) and (100) silicon oriented wafers2008
- 著者名/発表者名
  P. Gaubert, A. Teramoto, W. Cheng, T. Hamada, and T. Ohmi
- 学会等名
  15th Workshop on Dielectrics in Microelectronics, pp151-152
- 発表場所
  Berlin
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[学会発表] A New Approach to Realize High Performance RF Power FETs on Si (110) Surface2008
- 著者名/発表者名
  Weitao Cheng
- 学会等名
  IEEE 39^<th> Annual Power Electronics Specialis is Conference
- 発表場所
  Rhodes, Greece
- 年月日
  2008-06-18
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[学会発表] Impact of Performance and Reliability Boosters in Novel FD-SOI CMOS Devices on Si(110) Surface for Analog Applications2008
- 著者名/発表者名
  Weitao Cheng, Akinobu Teramoto, Rihito Kuroda, ChingFoa Tye, Syuichi Watabe, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi
- 学会等名
  29th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2008), pp602-603
- 発表場所
  Brazil
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[学会発表] A Study on Very High Performance Novel Balanced FD-SOI CMOSFETs on Si (110) Using Accumulation Mode Device Structure for RF Analog Circuits2008
- 著者名/発表者名
  Weitao Cheng
- 学会等名
  2008 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS
- 発表場所
  つくば
- 年月日
  2008-09-26
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[学会発表] Impact of Performance and Reliability Boosters in Novel FD-S0I CMOS Devices on Si(110) Surface for Analog Applications2008
- 著者名/発表者名
  Weitao Cheng
- 学会等名
  29^<th> International Conference on the Physics of Semiconductors
- 発表場所
  Brazil Rio de Vaneiro
- 年月日
  2008-07-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[学会発表] Performance Boost Using a New Device Structure Design for SOI MOSFETs Beyond 25nm Node2007
- 著者名/発表者名
  Weitao Cheng
- 学会等名
  212th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Washington D.C.(アメリカ)
- 年月日
  2007-10-10
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[学会発表] High Performance Accumulation Mode FD-SOI MOSFETs on Si (100) and (110) Surfaces2007
- 著者名/発表者名
  Weitao Cheng
- 学会等名
  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会
- 発表場所
  Sendai
- 年月日
  2007-10-05
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[学会発表] Performance Boost Using a New Device Structure Design for SOI MOSFETs Beyond 25nm Node2007
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, T. Ohmi
- 学会等名
  212th Meeting of The Electrochemical Society, No.1309, CD-ROM
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[学会発表] High Performance Accumulation Mode FD-SOI MOSFETs on Si(100) and (110)Surfaces2007
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, R. Kuroda, C. Tye, T. Suwa, T Goto, F Imaizumi, S, Sugawa, T. Ohmi
- 学会等名
  IEICE Technical Report SDM 2007-187, pp.45-48
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[学会発表] Hot Carrier Instability Mechanism in Accumulation-Mode Normally-off SOI nMOSFETs and Their Reliability Advantage2007
- 著者名/発表者名
  Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Weitao Cheng, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi
- 学会等名
  211th Meeting of The Electrochemical Society, No.719, CD-ROM
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[学会発表] Impact of Improved Mobilities and Suppressed 1/f Noise in Fully Depleted SOI MOSFETs Fabricated on Si(110) Surface2007
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, C. Tye, P. Gaubert, M. Hirayama, S. Sugawa, T. Ohmi
- 学会等名
  211th Meeting of The Electrochemical Society, No.717, CD-ROM
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[学会発表] Modeling and Implementation of Subthreshold Characteristics of Accumulation-Mode MOSFETs for Various SOI Layer Thickness and Impurity Concentrations2007
- 著者名/発表者名
  Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Cheng Weitao, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi
- 学会等名
  2007 IEEE International SOI Conference, pp.55-56
- 発表場所
  Indian Wells, CA.
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[学会発表] Impact of Improved Mobilities and Suppressed 1/f Noise in Fully Depleted SOI MOSFETs Fabricated on Si (110) Surface2007
- 著者名/発表者名
  Weitao Cheng
- 学会等名
  211th Meeting of The Electrochemical Society
- 発表場所
  Chicago(アメリカ)
- 年月日
  2007-05-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[学会発表] Impact of the channel direction on the 1/f noise in SOI - MOSFETs fabricated on (100) and (110) silicon oriented wafers2007
- 著者名/発表者名
  P. Gaubert, W. Cheng, A. Teramoto, T. Ohmi
- 学会等名
  AIP Conference Proceedings 19th International Conference on NOISE AND FLUCTUATIONS-ICNF2007, pp.43-46
- 発表場所
  Tokyo
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[学会発表] High Performance and highly reliable novel CMOS devices using accumulation mode multi-gate and fully depleted SOI MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  Weitao Cheng
- 学会等名
  15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors
- 発表場所
  Athens(ギリシャ)
- 年月日
  2007-06-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019
[学会発表] High Performance and highly reliable novel CMOS devices using accumulation mode multi-gate and fully depleted SOI MOSFETs2007
- 著者名/発表者名
  W. Cheng, A. Teramoto, R. Kuroda, M. Hirayama, T.Ohmi
- 学会等名
  Infos2007 Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, pp.2105-2108
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-19686019

程 うぇい涛 CHENG Weitao

程 い涛 テイ イトウ

程 〓涛 テイ イトウ

研究課題

研究成果

超高速低損失電界効果ドリフト層を有する新しい3次元パワーデバイス構造に関する研究研究代表者

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] A Study on Very High Performance Novel Balanced Fully Depleted Silicon-on-Insulator Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors on Si(110) Using Accumulation-Mode Device Structure for Radio-Frequency Analog Circuits2009

著者名/発表者名

雑誌名

NAID

データソース

[雑誌論文] Different mechanism to explain the 1/f noise in n-and p-SOI-MOS transistors fabricated on (110) and (100) silicon-oriented wafers2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Experimental Demonstration and Analysis of High Performance and Low 1/f Noise Tri-gate MOSFETs by Optimizing Device Structure2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Experimental Demonstration and Analysis of High Performance and Low 1 / f Noise Tri-gate MOSFETs by Optimizing Device Structure2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Impact of New Approach to Improve MOSFETs Performance with Ultrathin Gate Insulator2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] A Study on Very High Performance Novel Balanced FD-SOI CMOSFETs on Si (110) Using Accumulation Mode Device Structure for RF Analon Circuits2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Impact of New Approach to Improve MOSFETs Performance with Ultrathin Gate Insulator2009

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Performance Boost Using a New Device Structure Design for SOI MOSFETs Beyond 25nm Node2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] High Performance and highly reliable novel CMOS devices using accumulation mode multi-gate and fully depleted SOI MOSFETs2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Performance Boost Using a New Device Structure Design for SOI MOSFETs Beyond 25nm Node2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Hot Carrier Instability Mechanism in Accumulation-Mode Normally-off SOI nMOSFETs and Their Reliability Advantage2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] High Performance and highly reliable novel CMOS devices using accumulation mode multi-gate and fully depleted SOI MOSFETs2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Impact of Improved Mobilities and Suppressed 1/f Noise in Fully Depleted SOI MOSFETs Fabricated on Si(110) Surface2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Impact of Improved Mobilities and Suppressed 1/f Noise in Fully Depleted SOI MOSFETs Fabricated on Si (110) Surface2007

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[学会発表] Improved High Temperature Characteristics in Accumulation-mode Fully Depleted SOI MOSFETs on Si(100) and (110) Surfaces2008

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

データソース

[学会発表] Improved High Temperature Characteristics in Accumulation-mode Fully Depleted SOI MOSFETs on Si (100) and (110) Surfaces2008

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] A New Approach to Realize High Performance RF Power FETs on Si (110) Surface2008

程うぇい涛 CHENG Weitao

程い涛テイイトウ

程〓涛テイイトウ