秋山芳広 AKIYAMA Yoshihiro

研究者番号	60469773
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記	2017年度: 豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 研究補助者 2016年度: 豊田工業大学, 工学研究科, 研究員 2011年度 – 2015年度: 豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 研究補助者 2013年度: 豊田工業大学, 大学院・工学研究科, 研究補助者 2009年度 – 2010年度: 豊田工業大学, 工学部, PD研究員
審査区分/研究分野	研究代表者以外電子・電気材料工学 / 電子デバイス・電子機器
キーワード	研究代表者以外量子ドット / 電界効果トランジスタ / 光検出器 / 高指数面基板 / アルミニウムアンチモン / ガリウムアンチモン / 2次元電子 / ショットキバリア光検出器 / n-AlGaAs/GaAsヘテロ接合 / 赤外材料・素子 … もっと見る / 量子構造 / 電子デバイス / 歪み / ヘテロ接合 / AlGaAs/GaAs / AlGaN/GaN / ピエゾ電界 / ⅢⅤ族半導体 / 分極電荷 / 表面準位・界面準位 / ピエゾ抵抗 / 界面準位 / 表面準位 / ピエゾ効果 / HEMT / GaN / 光通信波長 / GaSb / GaAs / 光検出 / 単一光子検出 / 分子線エピタキシー / 量子ロッド / 三角障壁 / 光伝導 / 1次元電子 / 量子細線 / 量子ナノ構造 / スピンデバイス / 量子デバイス隠す

GaN系HEMTと関連素子のピエゾ電界効果の解明と表面準位の新評価法
- 研究代表者
  
  榊裕之
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2017
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  豊田工業大学
半導体量子構造における光ガルバノ効果の解明
- 研究代表者
  
  川津琢也
- 研究期間 (年度)
  2014 – 2016
- 研究種目
  
  基盤研究(C)
- 研究分野
  
  電子・電気材料工学
- 研究機関
  国立研究開発法人物質・材料研究機構
第II種量子ドット入り三角障壁構造による電子伝導の制御と光検出器応用
- 研究代表者
  
  榊裕之
- 研究期間 (年度)
  2011 – 2013
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  豊田工業大学
量子ドットと量子細線を結合させた素子構造の形成法開拓と光伝導機能探索
- 研究代表者
  
  榊裕之
- 研究期間 (年度)
  2008 – 2010
- 研究種目
  
  基盤研究(B)
- 研究分野
  
  電子デバイス・電子機器
- 研究機関
  豊田工業大学

すべて 2012 2011 2010 2009 2008 その他

すべて雑誌論文学会発表

[雑誌論文] Optical Anisotropy of GaSb Type-II Nanorods on Vicinal (111)B GaAs2011
- 著者名/発表者名
  T.Kawazu, et al
- 雑誌名
  
  Applied Physics Letters
  
  巻: 99 号: 23
- DOI
  10.1063/1.3665394
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-22360133, KAKENHI-PROJECT-23360164
[雑誌論文] Self-assembled growth of GaSb type- II nanorods aligned along quasiperiodic multiatomic steps on vicinal (111)B GaAs2011
- 著者名/発表者名
  T. Kawazu, Y. Akiyama, H. Sakaki
- 雑誌名
  
  J. Cryst. Growth
  
  巻: 335, 1 号: 1 ページ: 1-3
- DOI
  10.1016/j.jcrysgro.2011.09.016
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[雑誌論文] Anisotropic transport of electrons in a novel FET channel with chains of InGaAs nano-islands embedded along quasi-periodic multi-atomic steps on vicinal(111)B GaAs2010
- 著者名/発表者名
  Y.Akiyama
- 雑誌名
  
  AIP Conf.Proc. Vol.1199
  
  ページ: 265-266
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[雑誌論文] Anisotropic transport of electrons in a novel FET channel with chains of InGaAs nano-islands embedded along quasi-periodic multi-atomic steps on vicinal (111)B GaAs2010
- 著者名/発表者名
  Y.Akiyama, T.Kawazu, T.Noda, H.Sakaki
- 雑誌名
  
  AIP Conf.Proc Vol.1199
  
  ページ: 265-266
- 査読あり
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] 微傾斜GaAs(111)B 基板上のGaSb タイプII ナノロッドの自己形成2012
- 著者名/発表者名
  川津琢也, 秋山芳広, 野田武司, 間野高明, 佐久間芳樹, 榊裕之
- 学会等名
  2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- 年月日
  2012-03-17
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] 自己形成InGaAsドット列における異方的な持続性光電流2010
- 著者名/発表者名
  秋山芳広、川津琢也, 野田武司, 榊裕之
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] 自己形成InGaAsドット列における異方的な持続性光電流2010
- 著者名/発表者名
  秋山芳広
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] GaSb量子ドット入りGaAsFET素子の光照射効果:過渡応答2010
- 著者名/発表者名
  伊賀健一郎, 山附太香史, 大森雅登, 秋山芳広, 榊裕之
- 学会等名
  2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  長崎大学
- 年月日
  2010-09-16
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] 微傾斜(111)B面上のInGaAs結合ドット列を介する異方的電子伝導の温度依存性2009
- 著者名/発表者名
  秋山芳広, 川津琢也, 野田武司, 榊裕之
- 学会等名
  2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] 微傾斜(111)B面上のInGaAs結合ドット列を介する異方的電子伝導の温度依存性2009
- 著者名/発表者名
  秋山芳広
- 学会等名
  第70回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  富山大学
- 年月日
  2009-09-08
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] Anisotropic transport of electrons in a novel FET channel with chains of InGaAs nano-islands embedded along quasi-periodic multi-atomic steps on vicinal (111)B GaAs2008
- 著者名/発表者名
  秋山芳広, 川津琢也, 野田武司, 榊裕之
- 学会等名
  29th International Conference on the Physics of Semiconductors
- 発表場所
  Rio de Janeiro, Brazil
- 年月日
  2008-07-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] Anisotropic transport of electrons in a novel FET channel with chains of InGaAs nano-islands embedded along quasi-periodic multi-atomic steps on vicinal (lll)B GaAs2008
- 著者名/発表者名
  Yoshihiro Akiyama
- 学会等名
  29th International Conference on the Physics of Semiconductors
- 発表場所
  Rio de Janeiro, Brazil
- 年月日
  2008-07-29
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-20360163
[学会発表] AlGaN/GaN HEMTにおける界面凹凸散乱と合金散乱の大小関係
- 著者名/発表者名
  秋山芳広、丹羽亮介、榊裕之
- 学会等名
  第75回応用物理学会秋季学術講演会
- 発表場所
  北海道大学札幌キャンパス　(札幌市北区）
- 年月日
  2014-09-17 – 2014-09-20
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-26289095
[学会発表] AlGaN/GaN HFETのドレイン電流とゲート電流への紫外光照射効果
- 著者名/発表者名
  村山裕明、坂下大樹、丹羽亮介、秋山芳広、加地徹、杉本雅裕、榊裕之
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Interface roughness scattering at AlGaN/GaN heterojunctions
- 著者名/発表者名
  R. Niwa, Y. Akiyama, H. Murayama, H. Sakashita, T. Kawazu,T. Kachi, M. Sugimoto, H. Sakaki
- 学会等名
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2012（IWN2012）
- 発表場所
  Sapporo, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] MOSダイオードのC-V特性への光照射効果
- 著者名/発表者名
  西浦啓祥、秋山芳広、榊裕之
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] 微傾斜GaAs(111)B基板上のGaSbタイプIIナノロッドの自己形成
- 著者名/発表者名
  川津琢也、秋山芳広、野田武司、間野高明、佐久間芳樹、榊裕之
- 学会等名
  2012年春季　第59回応用物理学関係連合講演会
- 発表場所
  早稲田大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] AlGaN/GaN HEMTにおける界面凹凸散乱
- 著者名/発表者名
  丹羽亮介、秋山芳広、村山裕明、坂下大樹、川津琢也、加地徹、杉本雅裕、榊裕之
- 学会等名
  2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Ptゲート付きAlGaN/GaN構造における持続的な水素ガスセンシング
- 著者名/発表者名
  秋山芳広、岩形真司、丹羽亮介、坂下大樹、加地徹、杉本雅裕、榊裕之
- 学会等名
  2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  山形大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Possible origins of persistent photoconductivity in AlGaN/GaN HEMTs studied by gate-controlled Hall measurements
- 著者名/発表者名
  Y. Akiyama, H. Murayama, R. Niwa, H. Sakaki
- 学会等名
  10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
- 発表場所
  Hakodate, Japan
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] AlGaN/GaNヘテロ接合におけるピエゾ効果と荷電表面準位
- 著者名/発表者名
  保木井美和、秋山芳広、大森雅登、榊裕之
- 学会等名
  2013年春季　第60回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  神奈川工科大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] Persistent photoconductivity in AlGaN/GaN heterojunction channels caused by the ionization of deep levels in the AlGaN barrier layer
- 著者名/発表者名
  Y. Akiyama, H. Murayama, R. Niwa, H. Sakashita, H. Sakaki, T. Kachi, M. Sugimoto
- 学会等名
  31st　International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS2012)
- 発表場所
  Zurich, Switzerland
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164
[学会発表] AlGaN/GaN HEMTの光応答：多波長照射効果
- 著者名/発表者名
  秋山芳広、村山裕明、丹羽亮介、坂下大樹、加地徹、杉本雅裕、榊裕之
- 学会等名
  2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会
- 発表場所
  愛媛大学・松山大学
- データソース
  KAKENHI-PROJECT-23360164

1. 大森雅登 (70454444)

共同の研究課題数: 4件

共同の研究成果数: 2件
2. PAVEL Vitushinskiy (30545330)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 0件
3. 榊裕之 (90013226)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 18件
4. 川津琢也 (00444076)

共同の研究課題数: 3件

共同の研究成果数: 9件
5. 野田武司 (90251462)

共同の研究課題数: 2件

共同の研究成果数: 6件

秋山 芳広 AKIYAMA Yoshihiro

研究課題

研究成果

共同研究者

GaN系HEMTと関連素子のピエゾ電界効果の解明と表面準位の新評価法

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

半導体量子構造における光ガルバノ効果の解明

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

第II種量子ドット入り三角障壁構造による電子伝導の制御と光検出器応用

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

量子ドットと量子細線を結合させた素子構造の形成法開拓と光伝導機能探索

研究代表者

研究期間 (年度)

研究種目

研究分野

研究機関

[雑誌論文] Optical Anisotropy of GaSb Type-II Nanorods on Vicinal (111)B GaAs2011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Self-assembled growth of GaSb type- II nanorods aligned along quasiperiodic multiatomic steps on vicinal (111)B GaAs2011

著者名/発表者名

雑誌名

DOI

データソース

[雑誌論文] Anisotropic transport of electrons in a novel FET channel with chains of InGaAs nano-islands embedded along quasi-periodic multi-atomic steps on vicinal(111)B GaAs2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[雑誌論文] Anisotropic transport of electrons in a novel FET channel with chains of InGaAs nano-islands embedded along quasi-periodic multi-atomic steps on vicinal (111)B GaAs2010

著者名/発表者名

雑誌名

データソース

[学会発表] 微傾斜GaAs(111)B 基板上のGaSb タイプII ナノロッドの自己形成2012

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] 自己形成InGaAsドット列における異方的な持続性光電流2010

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] 自己形成InGaAsドット列における異方的な持続性光電流2010

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] GaSb量子ドット入りGaAsFET素子の光照射効果:過渡応答2010

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] 微傾斜(111)B面上のInGaAs結合ドット列を介する異方的電子伝導の温度依存性2009

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

年月日

データソース

[学会発表] 微傾斜(111)B面上のInGaAs結合ドット列を介する異方的電子伝導の温度依存性2009

著者名/発表者名

学会等名

発表場所

秋山芳広 AKIYAMA Yoshihiro